JP6329941B2 - マルチゾーン加熱を有する基板支持体のための方法および装置 - Google Patents
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Description
一般に、処理チャンバの内側の基板支持アセンブリ(例えばサセプタ(susceptor))の基板支持面上にシリコン基板(例えばウエハまたはガラス基板)が移送される。図1Aは、処理チャンバ内の基板支持アセンブリ120の基板支持面の上面図を示す。基板支持アセンブリ120は、電源114の入力端および出力端に接続された単一の加熱要素112が埋め込まれた加熱ペデスタル(pedestal)を含むことができる。
図1Bは、先行技術の別の基板支持アセンブリ140の表面の上面図を示す。上で論じたウエハ内の温度不均一を改善するため、基板支持アセンブリ140は、基板支持アセンブリ140に埋め込まれ、2つの電源114A、114Bの入力端および出力端にそれぞれ接続された2つの加熱要素112A、112Bを含むことができる。図1Bの小枠は、2つの加熱要素112A、112Bが使用されたときのこのような先行技術の基板支持アセンブリ140の表面の2つの加熱ゾーン「A」および「B」を示す。このような先行技術の基板支持アセンブリ140の基板支持面に基板が配置されたときの基板の表面の外縁部の熱損失を補償するため、加熱ゾーン「B」は一般に、電源114Bからのより高い電力入力を使用する。
さらに、このようなマルチゾーン基板支持アセンブリ140の異なる温度ゾーン間の出力温度は、電源(それぞれの電源はそれぞれのゾーンのそれぞれの加熱要素に接続される)の固定された電気入力によって制御され、それらの出力温度が、基板処理が始まった後に全ての出力温度を調整することはしばしば困難である。したがって、基板処理中に、加熱出力を、幅広い温度範囲および複数の加熱ゾーンで調整する能力を有する基板支持アセンブリが求められている。
他の態様では、基板処理チャンバが、基板処理チャンバの内側に配置された基板支持アセンブリを含み、この基板支持アセンブリが、基板支持面を有する支持部材と、2つ以上の加熱要素セクションを有する加熱要素とを含む。これらの加熱要素セクションは、1つの電気ループとして一体に接続されており、それぞれの加熱要素セクションは、独立して、加熱要素に接続された電源の入力電力に対して異なって応答する。一実施形態では、それぞれの加熱要素セクションが入力電力周波数に応答し、基板支持面の出力温度が、電源の2つ以上の入力電力周波数を調整することによって決定される。
さらに他の態様では、基板支持アセンブリの表面に配置された基板の表面の温度を制御する方法が提供される。この方法は、基板が上に配置された基板支持アセンブリの基板支持面を加熱することによって、処理チャンバ内に配置された基板の表面を加熱することを含む。この基板支持アセンブリは、2つ以上の加熱要素セクションを有する加熱要素を含む。これらの加熱要素セクションは、1つの電気ループとして一体に接続されており、それぞれの加熱要素セクションは、加熱要素に接続された電源の入力電力に対して異なって応答する。この方法はさらに、加熱要素のこれらの2つ以上の加熱要素セクションにおける応答電力入力共振周波数を決定すること、およびその応答電力入力共振周波数を、加熱要素に接続された電源に与えることを含む。一実施形態では、この方法が、基板支持面の温度をさらに制御するために、基板支持アセンブリに埋め込まれた流体チャネルを通って循環する冷却媒質を流すことを含む。
図2Aは、基板の表面を加熱するのに適した、後にさらに説明する温度調整が可能なマルチゾーン加熱要素を備える基板支持アセンブリを有する本発明の一実施形態に基づく処理チャンバの一例200の概観を示す。処理チャンバ200は一般に、チャンバ本体202、リッドアセンブリ(lid assembly)204および基板支持アセンブリ240(図2Bに示されている)を含む。
リッドアセンブリ204は、チャンバ本体202の上端に配置および接続され、基板支持アセンブリ240は、少なくとも部分的に、処理チャンバ200のチャンバ本体202の内側に配置される。いくつかの場合には、リッドアセンブリ204内に配置された2つの電極にプラズマ源208が結合され、これらの2つの電極は、処理チャンバ200内のこれらの2つの電極間にプラズマ容積またはプラズマ空洞を形成するように構成される。これらの2つの電極間に静電容量を形成するために、1つの電極が接地され、もう1つの電極がRF電力供給装置などの電源に接続される。これらの2つの電極を電気的に分離するために、リッドアセンブリ140がアイソレータリング(isolator ring)を含んでもよい。
あるいは、分配プレートのチャネルに熱伝達媒質または必要ならば冷却媒質を通して、リッドアセンブリ204内の分配プレートの温度を、処理チャンバ200内のプロセス要件に応じてより適切に制御することもできる。例えば窒素、水、エチレングリコールまたはこれらの混合物などの任意の熱伝達媒質を使用することができる。加えて、1つまたは複数の加熱ランプ(図示せず)を使用してリッドアセンブリ204を加熱することもできる。典型的には、分配プレートを含むリッドアセンブリ204の構成要素を放射によって加熱するために、分配プレートの上面の周りに加熱ランプが配置される。
支持部材220とリッドアセンブリ204の間の距離を制御することができるように、チャンバ本体202内で支持部材220を垂直に移動させることができる。処理チャンバ200内の支持部材220の位置に関する情報をセンサ(図示せず)が提供することができる。動作時、処理中の基板の温度を制御するために、リッドアセンブリ204のすぐ近くまで支持部材220を上昇させることができる。そのようにして、リッドアセンブリ204の分配プレートからから発せられる輻射加熱または基板支持アセンブリ240の支持部材220に埋め込まれた加熱要素212から発せられる輻射加熱によって、基板を加熱することができる。あるいは、リフトリングによって起動され移動するリフトピンを使用して、基板を、支持部材220の基板支持面から、加熱されたリッドアセンブリ204のすぐ近くまで持ち上げることもできる。
加熱要素212は一般に、ジュール加熱工程によって電気を熱に変換する。加熱要素212を通過する電流に抵抗が加わり、その結果、加熱要素212が加熱され得る。加熱要素212は、ワイヤ、リボンまたはストリップの中心部を含むことができ、この中心部は、限定はされないが、とりわけ、ニッケル、クロム、鉄、アルミニウム、銅、モリブデン、白金、炭化シリコン、これらの金属合金、これらの窒化物材料、これらのケイ化物材料およびこれらの組合せを含む抵抗材料を含むことができる。この抵抗材料を異なる金属材料の合金とすることができ、この抵抗材料を、金属ドーパントまたは他のドーパント材料でドープすることができる。この抵抗加熱ワイヤ、リボンまたはストリップは、まっすぐな形状またはコイル状に巻かれた形状を有することができる。充填材料は、絶縁を提供し漏電を防ぐ任意のセラミック材料または酸化物材料とすることができる。
1つまたは複数の実施形態では、加熱要素212が、複数の部分を有するように構成され(例えば図2Bには少なくとも4つの加熱要素セクション212A、212B、212C、212Dが示されている)、したがって、1つの単一の加熱要素は、基板支持アセンブリ240の支持部材220の基板支持面に複数の温度ゾーンを提供する能力を有する。一例では、加熱要素212の加熱要素セクション212A、212B、212C、212Dが、支持部材220の基板支持面全体にまたがる少なくとも4つの加熱ゾーン「A」、「B」、「C」および「D」を提供するように構成される。支持部材220の基板支持面のそれぞれの加熱ゾーンにおいて加熱を提供するように、それぞれの加熱要素セクションを構成することができる。一実施形態では、これらの4つの加熱ゾーン「A」、「B」、「C」および「D」が基板支持体の中心線から異なる半径方向距離のところに画定されるように、加熱要素212の加熱要素セクション212A、212B、212C、212Dが異なる半径方向距離のところに配置される。一実施形態では、4つの加熱ゾーン「A」、「B」、「C」および「D」が同心になるように、加熱要素セクション212A、212B、212C、212Dが同心となるように構成される。
他の実施形態では、異なる加熱出力効率および支持部材220の基板支持面の所望の温度分布を生み出すために、それぞれの加熱要素セクション212A、212B、212Cが、加熱された(例えば加熱するために電源に接続された)ときにそれぞれの加熱要素セクションがそれ自体の応答共振周波数または位相を有するような異なる抵抗材料または異なる充填材料から構成されてもよい。
したがって、基板支持アセンブリの基板支持面を加熱する方法は、加熱要素の2つ以上の加熱要素セクションにおける応答電力入力共振周波数を決定すること、およびその応答電力入力共振周波数を、加熱要素に接続された電源に与えることを含む。
図4は、基板支持アセンブリの基板支持面の加熱ゾーン「A」、「B」、「C」などの間の所望の温度分布を提供するための、加熱要素(例えば加熱要素212)の2つ以上の加熱要素セクションまたは他の任意の数の複数の加熱要素セクションの加熱出力(例えば加熱要素セクション212A、212B、212C)のチューニングの一例を示す。一例では、電源およびシステムコントローラ206に接続された変調器を使用して、加熱要素セクション212A、212B、212Cに与える電力入力の周波数を調整するなど、電源214を調整することができ、結果として生じる3つの異なる加熱出力レベルが得られる。
したがって、基板支持アセンブリの基板支持面のそれぞれの加熱ゾーンの温度を独立して調整することによって、基板支持アセンブリ上に配置された基板の表面の温度分布プロファイルを最適化し、そのような温度分布プロファイルを得ることができる。上で論じたとおり、加熱要素または加熱要素セクションによって生成された余分な熱を除去し、(加熱要素に接続された電源が0.01%超の電力入力でオンにされているときであっても)加熱要素の制御を維持し、同時に(それぞれの加熱ゾーンに対応する)それぞれの加熱要素セクションの温度を操作して基板の表面の所望の温度分布を達成するために、基板支持アセンブリのこの加熱機構に冷却チャネルまたは冷却流体を組み入れてもよい。
Claims (20)
- 基板処理チャンバ内にあって、
基板支持面を備える支持部材と、
2つ以上の加熱要素セクションを含む加熱要素であり、前記加熱要素セクションが、一対の電力入力リート線及び電力出力リード線を備えた1つの電気ループとして一体に接続されており、それぞれの加熱要素セクションが、独立して、前記加熱要素に接続された電源の入力電力に対して異なって応答する加熱要素と
を備える基板支持アセンブリ。 - 前記加熱要素が、前記基板支持面の2つ以上の加熱ゾーンを加熱するために提供され、それぞれの加熱要素セクションが、前記支持部材の前記基板支持面のそれぞれの加熱ゾーンを加熱するように独立して構成された、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- それぞれの加熱要素セクションが入力電力周波数に応答し、前記基板支持面の温度が、前記電源の2つ以上の入力電力周波数を調整することによって決定される、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- それぞれの加熱要素セクションの温度が、前記電源の入力電力周波数の振幅によって決定され、前記基板支持面の温度が、前記電力周波数の前記振幅を調整することによって制御される、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- それぞれの加熱要素セクションが、ニッケル、クロム、鉄、アルミニウム、銅、モリブデン、白金、炭化シリコン、これらの金属合金、これらの窒化物材料、これらのケイ化物材料およびこれらの組合せからなるグループから選択された抵抗加熱材料を含む、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- それぞれの加熱要素セクションが、ワイヤ、箔またはリボンからなるグループから選択された形状を有する抵抗加熱材料を含む、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- それぞれの加熱要素セクションが、サイズおよび形状が異なる充填材料を含む、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記2つ以上の加熱要素セクションが、それぞれの加熱要素セクションの変量に従って異なって形成され、それによって、前記加熱要素に接続された前記電源がオンのときに、前記2つ以上の加熱要素セクションにおいて異なる温度を達成し、前記変量は、抵抗加熱材料のサイズ、形状、パターン、分布密度、充填材料のサイズ、形状、パターン、分布密度からなるグループから選択される、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- 基板処理チャンバであって、
前記基板処理チャンバの内側に配置された基板支持アセンブリを備え、前記基板支持アセンブリが、
基板支持面を備える支持部材と、
2つ以上の加熱要素セクションを含む加熱要素であり、前記加熱要素セクションが、一対の電力入力リート線及び電力出力リード線を備えた1つの電気ループとして一体に接続されており、それぞれの加熱要素セクションが、独立して、前記加熱要素に接続された電源の入力電力に対して異なって応答する加熱要素と
を備える基板処理チャンバ。 - 前記加熱要素が、前記基板支持面の2つ以上の加熱ゾーンを加熱するために提供され、前記加熱要素のそれぞれの加熱要素セクションが、前記支持部材の前記基板支持面のそれぞれの加熱ゾーンを加熱するように独立して構成された、請求項9に記載の基板処理チャンバ。
- エッチングチャンバ、洗浄チャンバ、CVDチャンバ、PVDチャンバ、ALDチャンバおよびこれらの組合せからなるグループから選択された、請求項9に記載の基板処理チャンバ。
- それぞれの加熱要素セクションが入力電力周波数に応答し、前記基板支持面の温度が、前記電源の2つ以上の入力電力周波数を調整することによって決定される、請求項9に記載の基板処理チャンバ。
- それぞれの加熱要素セクションの温度が、前記電源の入力電力周波数の振幅によって決定され、前記基板支持面の温度が、前記電力周波数の前記振幅を調整することによって制御される、請求項9に記載の基板処理チャンバ。
- それぞれの加熱要素セクションが、充填材料と、ニッケル、クロム、鉄、アルミニウム、銅、モリブデン、白金、炭化シリコン、これらの金属合金、これらの窒化物材料、これらのケイ化物材料およびこれらの組合せからなるグループから選択された抵抗加熱材料とを含む、請求項9に記載の基板処理チャンバ。
- それぞれの加熱要素セクションが、ワイヤ、箔またはリボンからなるグループから選択された形状を有する抵抗加熱材料を含む、請求項9に記載の基板処理チャンバ。
- 前記2つ以上の加熱要素セクションが、それぞれの加熱要素セクションの変量に従って異なって形成され、それによって、前記加熱要素に接続された前記電源がオンのときに、前記2つ以上の加熱要素セクションにおいて異なる温度を達成し、前記変量は、抵抗加熱材料のサイズ、形状、パターン、分布密度、充填材料のサイズ、形状、パターン、分布密度からなるグループから選択される、請求項9に記載の基板処理チャンバ。
- 処理チャンバ内の基板の表面を加熱する方法であって、
前記基板が上に配置された基板支持アセンブリの基板支持面を加熱すること
を含み、前記基板支持アセンブリが、2つ以上の加熱要素セクションを含む加熱要素を備え、前記加熱要素セクションが、一対の電力入力リート線及び電力出力リード線を備えた1つの電気ループとして一体に接続され、それぞれの加熱要素セクションが、前記加熱要素に接続された電源の入力電力に対して異なって応答し、前記方法がさらに、
前記加熱要素の前記2つ以上の加熱要素セクションにおける応答電力入力共振周波数を決定すること、および
前記応答電力入力共振周波数を、前記加熱要素に接続された前記電源に与えること
を含む方法。 - それぞれの加熱要素セクションに対するそれぞれの応答電力入力共振周波数の振幅を調整すること
をさらに含む、請求項17に記載の方法。 - 前記加熱要素のそれぞれの加熱要素セクションを独立して加熱すること
をさらに含み、それぞれの加熱要素セクションが、前記基板支持面の2つ以上の加熱ゾーンのそれぞれの加熱ゾーンに対応し、前記方法が、
前記基板支持アセンブリの前記基板支持面の前記2つ以上の加熱ゾーン全体にわたる所望の温度分布を提供すること
をさらに含む、請求項17に記載の方法。 - 前記基板支持アセンブリに埋め込まれた流体チャネルを通って循環する冷却媒質を流すこと、および
前記基板支持アセンブリの前記基板支持面の温度を調整すること
をさらに含む、請求項17に記載の方法。
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