JP2003045765A - ウェハ支持部材 - Google Patents
ウェハ支持部材Info
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Abstract
ハ支持部材の載置面における温度バラツキが小さく、か
つ高速昇温させても板状セラミック体の破損のないウェ
ハ支持部材を提供する。 【解決手段】ウェハ支持部材1を構成する板状セラミッ
クス体2に埋設する帯状抵抗発熱体4の隣り合う対向領
域の対向間隔を0.5mm以上で、かつ上記板状セラミ
ック体2の載置面3から帯状抵抗発熱体4までの距離の
3倍以下とする。
Description
において、半導体等のウェハを支持しつつ、加熱するの
に使用するウェハ支持部材に関するものである。
るプラズマCVD、減圧CVD、光CVD、PVDなど
の成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチングなど
のエッチング装置等の半導体製造装置においては、デポ
ジッション用ガスやエッチング用ガス、あるいはクリー
ニング用ガスとして塩素系やフッ素系の腐食性ガスが使
用されていた。
きく腐食することなく半導体ウェハ(以下、ウェハと略
称する。)を支持し、且つウェハを各種加工温度に加熱
するため、次のようなウェハ支持部材が提案されてい
る。
質の板状セラミック体中に、高融点金属ワイヤからなる
抵抗発熱体を埋設したもので、抵抗発熱体はウェハと略
同等の面積を有する領域内で、螺旋状に巻いた高融点金
属ワイヤを渦巻き状に10回程巻いたものであった。
ハサイズの大型化に伴ってウェハ支持部材も大型のもの
が要求されるようになっている。
巻いた高融点金属ワイヤを用いたウェハ支持部材では、
渦巻き状に巻いた隣り合う螺旋ワイヤ間の対向間隔が大
きく、ワイヤが埋設されていない部分の載置面上では、
クールスポットやクールラインが発生し、載置面の温度
分布を均一にすることが難しいといった課題があった。
となり、成膜精度やエッチング精度を高めることができ
ず、各種加工処理を施したウェハより半導体素子を切り
出した時の品質にバラツキがあり、歩留りが悪いといっ
た課題があった。
超えるものになると、載置面の温度分布はさらに不均一
なものとなり、大型化するウェハ支持部材において大き
な問題となっていた。
各種処理工程におけるスループットを短くする試みが行
われており、これまで室温から加工温度まで10℃/分
程度の速度で昇温されていたが、20℃/分以上の速度
で昇温することが求められている。
0℃/分以上の速度で昇温させると、板状セラミック体
と高融点金属ワイヤとの間の熱膨張差により発生する熱
応力及び板状セラミック体内の温度バラツキにより板状
セラミック体にクラックが発生し、破損するといった課
題もあった。
て、特開平7−230876号公報には、板状セラミッ
ク体中に埋設する抵抗発熱体として、モリブデンの線材
を用い、その外表面にモリブデンの炭化物層や酸化物層
を生成させる技術が開示されているが、このような抵抗
発熱体を用いたとしても板状セラミック体内の温度バラ
ツキが大きいため、20℃/分以上で高速昇温すると板
状セラミック体が破損することを避けることができず、
高速昇温に対応したウェハ支持部材が望まれていた。
題に鑑み、板状セラミック体の一方の一主面を、ウェハ
を載せる載置面とするとともに、上記板状セラミック体
中又は上記板状セラミック体の他方の主面に帯状抵抗発
熱体を備えてなるウェハ支持部材において、上記帯状抵
抗発熱体はその一部に相対向する対向領域を有してお
り、この対向領域の対向間隔を0.5mm以上で、かつ
上記載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の3倍以下と
したことを特徴とする。
ッシュを用いることが好ましく、さらに帯状抵抗発熱体
に金属メッシュを用いる場合、その幅はメッシュ間隔の
3倍〜50倍とすることが良い。
抗発熱体が折り返し部を有するパターン形状を有する場
合には、その折り返し部のコーナを曲面とし、かつこの
曲面の曲率半径を金属メッシュのメッシュ間隔の3倍〜
1000倍とすることが好ましい。
説明する。
一例を示す斜視図、図1(b)は同図(a)のX−X線
断面図を示す。
干大きなサイズを有する円板状をした緻密質の板状セラ
ミック体2からなり、例えばウェハWが12インチの半
導体ウェハである場合には、直径が330mm程度の板
状セラミック体2を用い、ウェハWが8インチの半導体
ウェハである場合には、直径が220mm程度の板状セ
ラミック体2を用いれば良い。なお、板状セラミック体
2の厚みTは通常5〜30mm程である。
ハWを載せる載置面3とするとともに、板状セラミック
体2の内部には帯状抵抗発熱体4を埋設してあり、帯状
抵抗発熱体4は、載置面3から板状セラミック体2の厚
みTの0.2倍〜0.8倍の深さtに位置するように構
成してある。
抵抗発熱体4の形態としては導体膜や金属箔、あるいは
金属メッシュからなるものを用いることができ、帯状抵
抗発熱体4のパターン形状としては、図2に示すような
中央から外周へ向かう渦巻き状や図3に示すような略同
心円状をなし、帯状抵抗発熱体4の存在領域Pが略円形
でかつ載置面3に載せるウェハWと同等以上の大きさを
有するものが好ましい。
セラミック体2の下面6の中央付近にロウ付け固定した
二つの給電端子5とそれぞれ電気的に接続してあり、給
電端子5間に電圧を印加することで帯状抵抗発熱体4を
発熱させ、載置面3に載置したウェハWを加熱するよう
になっている。
抗発熱体4に帯状をしたものを用い、帯状抵抗発熱体4
の存在領域Pを略円形とし、かつ載置面3に載せるウェ
ハWと同等以上の大きさとするとともに、帯状抵抗発熱
体4の埋設位置を載置面3から板状セラミック体2の厚
みTの0.2倍以上の距離tとしてあることから、載置
面3における温度バラツキを小さくすることができる。
装置のチャンバー内(不図示)に設置するとともに、給
電端子5がチャンバー内の腐食性ガスに曝されるのを防
ぐためのセラミックスからなる円筒状支持体である。ま
た、帯状抵抗発熱体4のパターン形状として、図2に示
す渦巻き状をしたものを用いる場合には、外周にある帯
状抵抗発熱体4の端部と、一方の給電端子5とを別の導
体層(不図示)を介して接続するようにすれば良い。
温度バラツキを±2.5℃以下とし、かつ20℃/分以
上の高速昇温において板状セラミック体2を破損させな
いようにすることが難しく、本件発明者はこれらの課題
を一掃できる構造について種々研究を重ねた結果、少な
くとも一部に相対向する対向領域を有する帯状抵抗発熱
体4において、その対向領域の対向間隔Sが大きく影響
することを知見し、その最適範囲について鋭意実験を繰
り返した結果、対向領域の対向間隔Sを0.5mm以
上、載置面3から帯状抵抗発熱体4までの距離tの3倍
以下とすれば良いことを見出し、本発明に至った。
抗発熱体4の隣り合う対向領域の対向間隔Sが0.5m
m未満になると、隣り合う帯状抵抗発熱体4同士が接近
し過ぎ、部分的に接触して異常発熱する結果、載置面3
にホットスポットが発生する恐れがあるからであり、逆
に帯状抵抗発熱体4の隣り合う対向領域の対向間隔Sが
載置面3から帯状抵抗発熱体4までの距離tの3倍を超
えると、帯状抵抗発熱体4の対向領域の対向間隔Sが広
くなり過ぎるため、載置面3にはクールスポットやクー
ルラインが生じ、温度バラツキを±5℃以下とすること
ができなくなるといった不都合があり、それ故、いずれ
の場合も載置面3の温度バラツキを抑えることができ
ず、また、高速昇温時には板状セラミック体2内の温度
バラツキにより板状セラミック体2が破損するといった
現象が見られた。
域の好ましい対向間隔Sは1mm以上、載置面3から帯
状抵抗発熱体4までの距離tの2倍以下とすることが良
い。
の隣り合う対向領域の対向間隔S」とは、図2や図3の
ようなパターン形状において、隣り合う一方の帯状抵抗
発熱体4の側部から他方の帯状抵抗発熱体4の側部まで
の最短距離のことである。また、載置面3から帯状抵抗
発熱体4までの距離tは、測定位置によってバラツキが
ある場合がある(例えば、中央部が外周部より深くな
る。)。その為、このような場合には、載置面3から垂
直に下ろした垂線が帯状抵抗発熱体4に達するまでの距
離tを載置面3の中央部や外周部で3点から10点測定
し、その平均値を載置面3から帯状抵抗発熱体4までの
距離tとすれば良い。
は、上述したように、導体膜、金属箔、金属メッシュの
いずれか一種を用いることができるが、好ましくは金属
メッシュを用いることが良い。
用いれば、導体膜と比較して各箇所での断面積を等しく
することができるため、各箇所での発熱量を一定とする
ことができるとともに、金属箔と比較して適度な剛性を
有することから、板状セラミック体2内に埋設した時に
は、載置面3と平行となるように精度良く埋設すること
ができるため、載置面3の温度バラツキをより一層抑え
ることができる。しかも、金属メッシュを用いれば、メ
ッシュ格子内にもセラミックスを充填することができる
ため、熱膨張差の異なる板状セラミック体2と帯状抵抗
発熱体4との間に作用する熱応力を小さくすることがで
きるため、板状セラミック体2の破損を防止し、昇温速
度を更に高めることが可能なウェハ支持部材1を提供す
ることができる。
用いる場合、ウェハWの面内温度差を小さくするには、
各格子での発熱量をできるだけ均一にすることが重要で
ある。
シュ間隔に比べて小さいと、金属メッシュの格子を構成
する一部の線材に大きな電流が流れて発熱バランスが悪
くなり、特に帯状抵抗発熱体4の幅Lがメッシュ間隔の
3倍未満となると、帯状抵抗発熱体4の全幅Lで均一に
加熱させることが難しくなり、載置面3にホットスポッ
トが発生し易くなり、逆に、帯状抵抗発熱体4の幅Lが
メッシュ間隔の50倍を超えると、帯状抵抗発熱体4の
幅Lに対してメッシュ間隔が小さくなり過ぎるため、金
属メッシュの格子を構成する線材の線径が0.1mm以
下と小さくなることから、金属メッシュの剛性が小さく
なり、埋設時に変形し、載置面3と平行に位置するよう
精度良く埋設することが難しくなる。
を用いる場合、帯状抵抗発熱体4の幅Lはメッシュ間隔
の3倍〜50倍とすることが好ましく、望ましくはメッ
シュ間隔の5倍〜30倍とすることが良い。
は、1インチの基準線を引いた時、この基準線上にある
格子の数を数え、基準線の長さを格子数で割った数値か
ら、基準線上にある線材の線径の総和を差し引いた値の
ことを言う。
用い、そのパターン形状を図3に示す略同心円状とする
場合、帯状抵抗発熱体4の全幅Lで一様に発熱させるに
は、折り返し部Qのコーナーを図4に示すように曲面に
形成し、この曲面の曲率半径Rをメッシュ間隔の3倍〜
1000倍とすることが好ましい。
を有するものであったり、曲面に形成されていてもその
曲率半径Rがメッシュ間隔の3倍未満であると、曲面の
中心付近の温度が部分的に高くなり、載置面3にホット
スポットが発生するからであり、逆に曲面の曲率半径R
がメッシュ間隔の1000倍を越えると、メッシュ間隔
が0.04mm以下、金属メッシュの格子を構成する線
材の線径が0.04mm以下と小さくなることから、金
属メッシュの剛性が小さくなり、埋設時に変形し、載置
面3と平行に位置するよう精度良く埋設することが難し
くなるとともに、帯状抵抗発熱体4の隣り合う対向領域
の対向間隔Sがバラツキ易くなり、載置面3の温度分布
が不均一になるからである。
形成する材質としては、タングステン、モリブデン、レ
ニュウム、白金等の高融点金属やこれらの合金、あるい
は周期律表第4a族、第5a族、第6a族元素の炭化物
や窒化物を用いることができ、板状セラミック体2との
熱膨張差の小さいものを適宜選択して使用すれば良い。
ラミック体2の材質としては、耐摩耗性、耐熱性に優れ
るアルミナ、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム
を用いることができ、この中でも特に窒化アルミニウム
は50W/mK以上、さらには100W/mK以上の高
い熱伝導率を有することから、帯状抵抗発熱体4で発生
した熱を直ちに載置面3まで伝えることができ、載置面
3の均熱化及び昇温速度の向上に好適であり、また、フ
ッ素系や塩素系等の腐食性ガスに対する耐蝕性及び耐プ
ラズマ性にも優れることから、板状セラミック体2の材
質として好適である。
は、帯状抵抗発熱体4が導体膜からなる場合、セラミッ
ク粉末に対してバインダーや溶媒等を加えて泥漿を作製
し、ドクターブレード法などのテープ成形法により複数
枚のグリーンシートを形成した後、予め数枚のグリーン
シートを積層し、その上面に帯状抵抗発熱体4をなす導
体ペーストをスクリーン印刷機にて所望のパターン形状
となるように印刷する。この時、焼成時の収縮も考慮し
て、焼成後における帯状抵抗発熱体4の隣り合う対向領
域の対向間隔Sが0.5mm以上、載置面3から帯状抵
抗発熱体4までの距離tの3倍以下となるようにする。
グリーンシートを積層してグリーンシート積層体を製作
し、円盤状に切削する。この時、焼成後における帯状抵
抗発熱体4の載置面3からの埋設距離tが板状セラミッ
ク体2の厚みTの0.2倍〜0.8倍となるようにす
る。
ック粉末を焼結させることができる温度(セラミック粉
末の材質にもよるが1800℃〜2100℃)で焼成す
ることにより、帯状抵抗発熱体4を埋設した板状セラミ
ック体2を製作する。
ッシュからなる場合、セラミック粉末に対してバインダ
ーや溶媒等を加えて混練乾燥することにより造粒粉を製
作し、この造粒粉を円形凹部を有する金型内に充填して
上パンチにより加圧成形する。この時、上パンチの先端
部には、帯状抵抗発熱体4のパターン形状に相当する微
小凸部を設けておき、加圧成形時には、成形体上に帯状
抵抗発熱体4のパターン形状に相当する溝を形成するよ
うにする。
す金属箔又は金属メッシュを挿入する。この時、帯状抵
抗発熱体4の隣り合う対向領域の対向間隔Sが0.5m
m以上、載置面3から帯状抵抗発熱体4までの距離tの
3倍以下となるようにする。
に残りの造粒粉を充填してホットプレスにより成形/焼
成(セラミック粉末の材質にもよるが1800℃〜21
00℃)することで帯状抵抗発熱体4を埋設した板状セ
ラミック体2を形成する。ただし、焼成後における帯状
抵抗発熱体4の載置面3からの埋設距離tが板状セラミ
ック体2の厚みTの0.2倍〜0.8倍となるようにす
る。
面に研摩加工を施してウェハWを載せる載置面3を形成
するとともに、板状セラミック体2の下面に研削加工を
施して給電端子挿入用の下穴を穿孔し、この下穴に給電
端子5をロウ付けして帯状抵抗発熱体4と給電端子5と
の間の導通を図るとともに、給電端子5を囲むようにセ
ラミックスからなる円筒状支持体9を板状セラミック体
2の下面に接合することにより得ることができる。
ク体2の内部に帯状抵抗発熱体4を埋設したウェハ支持
部材1について説明したが、本発明は、板状セラミック
体2の載置面3と反対側の表面に帯状抵抗発熱体4を敷
設したウェハ支持部材にも適用できることは言うまでも
ない。
に静電吸着用やプラズマ発生用としての電極層15を埋
設しても良い。
渦巻き状のパターン形状を有する抵抗発熱体を埋設した
ウェハ支持部材において、抵抗発熱体に螺旋状ワイヤを
用いたもの、金属箔を用いたもの、金属メッシュを用い
たものをそれぞれ用意し、抵抗発熱体の隣り合う対向領
域の対向間隔を異ならせて載置面に載せたシリコンウェ
ハを加熱した時のシリコンウェハ表面における温度バラ
ツキを調べる実験を行った。
ルミニウム粉末に対し、バインダーや溶媒等を加えて混
練乾燥することにより造粒粉を作製した後、この造粒粉
を円盤状を有する金型内に充填し、先端に微小凸部を有
する上パンチにより加圧成形して上面に微小溝を有する
成形体を製作した。
るのであるが、抵抗発熱体として、螺旋状ワイヤを用い
る場合、5mm当たりの巻数が3回、線径が0.3mm
のモリブデン線からなるものを用い、渦巻き数は10
回、抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔は13m
mとした。
場合、幅2mm、厚み0.2mmのモリブデン箔を用
い、渦巻き数が10回、抵抗発熱体の隣り合う対向領域
の対向間隔が13mmであるものと、幅2mm、厚み
0.2mmのモリブデン箔を用い、渦巻き数が15回、
抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔が8mmであ
るものをそれぞれ用意した。
を用いる場合、線径が0.12mm、メッシュ間隔が
0.39mmのモリブデンメッシュを用い、渦巻き数は
15回、抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔は5
mmとした。
2000℃で4時間程度、ホットプレスすることによ
り、各形態の抵抗発熱体が埋設された、AlN純度が9
9.0%である窒化アルミニウム質焼結体からなる板状
セラミック体を製作した。ただし、板状セラミック体は
直径330mm、厚み13mmの円盤状体とし、抵抗発
熱体は載置面から4mmの距離に埋設されるようにし
た。また、抵抗発熱体の存在領域の最外径は320mm
とした。
工を施してウェハを載せる載置面を形成するとともに、
板状セラミック体の下面中央付近に研削加工にて抵抗発
熱体の端部をそれぞれ貫通する2つの下穴をそれぞれ穿
孔した後、板状セラミック体の下面に、板状セラミック
体と同じ窒化アルミニウム質焼結体からなる円筒状支持
体を高温で接合し、しかる後、下穴にFe−Ni―Co
合金からなる給電端子をロウ付け固定することにより、
抵抗発熱体と給電端子とを電気的に接続することにより
製作した。
用い、載置面に12インチのシリコンウェハを載せ、抵
抗発熱体を発熱させてシリコンウェハの平均温度が85
0℃となるように加熱した時、シリコンウェハ上の温度
を赤外線放射温度計で数点測定し、その最大温度と最小
温度の差を温度バラツキとして測定した。
ワイヤを用いたものでは、抵抗発熱体の隣り合う対向領
域の対向間隔が広すぎるため、シリコンウェハの温度バ
ラツキが11℃と大きかった。
も、抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔が13m
mのものでは、シリコンウェハの温度バラツキが11℃
と大きかった。
ッシュを用い、抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間
隔を5mmとしたものでは、シリコンウェハの温度バラ
ツキを3℃と小さくすることができ、均一に加熱するこ
とができた。
シュを用い、載置面から帯状抵抗発熱体までの距離及び
抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔をそれぞれ異
ならせた時のシリコンウェハの温度バラツキを実施例1
と同様の条件で測定する実験を行った。
表2に、抵抗発熱体に金属メッシュを用いた時の結果は
表3にそれぞれ示す通りである。
o.9のように、抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向
間隔が0.5mmより小さいと、シリコンウェハにホッ
トスポットが発生し、温度バラツキが10℃以上と大き
なバラツキが発生した。
ように、抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔が、
載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の3倍を超える
と、シリコンウェハにクールスポットやクールラインが
発生し、温度バラツキが10℃以上と大きなバラツキが
発生した。
o.10〜13のように、抵抗発熱体の隣り合う対向領
域の対向間隔が0.5mm以上、載置面から帯状抵抗発
熱体までの距離の3倍以下であるものは、ウェハの面内
温度差を5℃以下と小さくすることができた。また、試
料No.2〜6及び試料No.11〜12のように、抵
抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔が1mm以上、
載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の2倍以下である
ものは、ウェハの面内温度差を3℃以下と小さくするこ
とが特に優れていた。
シュを用いて帯状抵抗発熱体とし、抵抗発熱体の隣り合
う対向領域の対向間隔を0.5mm以上、載置面から帯
状抵抗発熱体までの距離の3倍以下とすれば、ウェハの
面内温度差を小さくすることができ、均一に加熱するこ
とができることが判る。
0〜13の各試料を室温から850℃まで30分間で昇
温し(27℃/分)、850℃で10分間保持した後、
冷却し室温に戻す熱サイクル試験を1000回繰り返し
たが、ウェハ支持部材の破損は見られなかった。 (実施例2)次に、実施例1の板状セラミック体中に埋
設する帯状抵抗発熱体に金属メッシュを用い、そのパタ
ーン形状を図3に示す略同心円状とし、帯状抵抗発熱体
の幅を異ならせた時のシリコンウェハの温度バラツキを
実施例1と同様の条件で測定する実験を行った。なお、
抵抗発熱体の隣り合う対向領域の対向間隔は11mmと
した(載置面から帯状抵抗発熱体までの距離(4mm)
の3倍以下)。
帯状抵抗発熱体の幅を金属メッシュのメッシュ間隔の3
倍〜50倍とすれば、シリコンウェハの温度バラツキを
10℃以下とすることができ、さらに試料No.17〜2
0のように、帯状抵抗発熱体の幅を金属メッシュのメッ
シュ間隔の5倍〜30倍とすれば、シリコンウェハの温
度バラツキを3℃以下にまで抑えることができ、特に優
れていた。 (実施例3)さらに、実施例1の板状セラミック体中に
埋設する帯状抵抗発熱体に金属メッシュを用い、そのパ
ターン形状を図3に示す略同心円状とするとともに、帯
状抵抗発熱体の折り返し部のコーナを曲面とし、この曲
率半径を異ならせた時のシリコンウェハの温度バラツキ
を実施例1と同様の条件で測定する実験を行った。
帯状抵抗発熱体の折り返し部における曲面の曲率半径を
金属メッシュのメッシュ間隔の3倍〜1000倍とすれ
ば、シリコンウェハの温度バラツキを10℃以下とする
ことができ、さらに試料No.25〜28のように、帯状
抵抗発熱体の折り返し部における曲面の曲率半径を金属
メッシュのメッシュ間隔の5倍〜500倍とすれば、シ
リコンウェハの温度バラツキを3℃以下にまで抑えるこ
とができ、特に優れていた。
ラミック体の一方の一主面を、ウェハを載せる載置面と
するとともに、上記板状セラミック体中又は上記板状セ
ラミック体の他方の主面に帯状抵抗発熱体を備えてなる
ウェハ支持部材において、上記帯状抵抗発熱体はその一
部に相対向する対向領域を有しており、この対向領域の
対向間隔を0.5mm以上で、かつ上記載置面から帯状
抵抗発熱体までの距離の3倍以下としたことから、ウェ
ハを高温に加熱した時の温度バラツキを大幅に低減する
ことができ、例えば、ウェハの平均温度が850℃とな
るように加熱した場合、ウェハ表面における温度バラツ
キが±5℃以下と、温度分布を均一にすることができる
とともに、所望の温度に加熱するまでの昇温速度を20
℃/分以上としても板状セラミック体が破損することの
ない、信頼性の高いウェハ支持部材を提供することがで
きる。
ッシュを用いることが好ましく、金属メッシュを用いる
場合、その幅をメッシュ間隔の3倍〜50倍とすれば、
載置面の温度バラツキを抑えることができ、また、金属
メッシュからなる帯状抵抗発熱体が折り返し部を有する
パターン形状を有する場合、折り返し部のコーナを曲面
とし、この曲面の曲率半径を金属メッシュのメッシュ間
隔の3倍〜1000倍とすれば、載置面の温度バラツキ
を抑えることができる。
斜視図、(b)は(a)のX−X線断面図である。
である。
図である。
なる発熱抵抗体の折り返し部を拡大した平面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】板状セラミック体の一方の一主面を、ウェ
ハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミック
体中又は上記板状セラミック体の他方の主面に帯状抵抗
発熱体を備えてなるウェハ支持部材において、上記帯状
抵抗発熱体はその一部に相対向する対向領域を有してお
り、該対向領域の対向間隔が0.5mm以上で、かつ上
記載置面から帯状抵抗発熱体までの距離の3倍以下であ
ることを特徴とするウェハ支持部材。 - 【請求項2】上記帯状抵抗発熱体が金属メッシュからな
ることを特徴とする請求項1に記載のウェハ支持部材。 - 【請求項3】上記帯状抵抗発熱体の幅が金属メッシュの
メッシュ間隔の3倍〜50倍の範囲にあることを特徴と
する請求項2に記載のウェハ支持部材。 - 【請求項4】上記金属メッシュからなる帯状抵抗発熱体
は折り返し部を有するパターン形状を有し、上記折り返
し部のコーナが曲面をなし、かつ該曲面の曲率半径が金
属メッシュのメッシュ間隔の3倍〜1000倍の範囲に
あることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のウ
ェハ支持部材。
Priority Applications (1)
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