JP2001160479A - セラミックスヒーターおよびそれを用いた基板処理装置 - Google Patents
セラミックスヒーターおよびそれを用いた基板処理装置Info
- Publication number
- JP2001160479A JP2001160479A JP34191699A JP34191699A JP2001160479A JP 2001160479 A JP2001160479 A JP 2001160479A JP 34191699 A JP34191699 A JP 34191699A JP 34191699 A JP34191699 A JP 34191699A JP 2001160479 A JP2001160479 A JP 2001160479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic heater
- substrate
- base
- heating element
- flow path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱面の均熱性を高く維持しつつ冷却効率の
高いセラミックスヒーターを提供すること、およびこの
ようなセラミックスヒーターを用いた基板処理装置を提
供すること。 【解決手段】 上面が基板Ｗの載置面２ａであるセラミ
ックス製の基体２と、基体２に埋設された発熱体３と、
基体２の発熱体３の下方位置に設けられた流体流路４と
によりセラミックスヒーター１が構成される。
高いセラミックスヒーターを提供すること、およびこの
ようなセラミックスヒーターを用いた基板処理装置を提
供すること。 【解決手段】 上面が基板Ｗの載置面２ａであるセラミ
ックス製の基体２と、基体２に埋設された発熱体３と、
基体２の発熱体３の下方位置に設けられた流体流路４と
によりセラミックスヒーター１が構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）やプラズマエッチング等の処理に
おいて基板を加熱するセラミックヒーターおよびその製
造方法、ならびにそれを用いた基板処理装置に関する。
Vapor Deposition）やプラズマエッチング等の処理に
おいて基板を加熱するセラミックヒーターおよびその製
造方法、ならびにそれを用いた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体である半導体ウエハに対して、ＣＶＤ処理やプラズ
マエッチング処理のような真空処理を施す工程が存在す
るが、その処理に際しては半導体ウエハを所定の温度に
加熱する必要があるため、ヒーターを用いて基板支持部
材を加熱している。
理体である半導体ウエハに対して、ＣＶＤ処理やプラズ
マエッチング処理のような真空処理を施す工程が存在す
るが、その処理に際しては半導体ウエハを所定の温度に
加熱する必要があるため、ヒーターを用いて基板支持部
材を加熱している。
【０００３】このようなヒーターとしては従来からステ
ンレスヒーター等が用いられてきたが、近年、上記処理
に用いられるハロゲン系ガスによる腐蝕が生じにくく、
熱効率が高いセラミックヒータが採用されつつある。こ
のようなセラミックヒーターは、ＡｌＮ等の緻密質セラ
ミックス焼結体からなる基体の内部に、高融点金属から
なる発熱ワイヤーを埋設した構造を有し、基体の上面に
半導体ウエハを載置するようになっている。
ンレスヒーター等が用いられてきたが、近年、上記処理
に用いられるハロゲン系ガスによる腐蝕が生じにくく、
熱効率が高いセラミックヒータが採用されつつある。こ
のようなセラミックヒーターは、ＡｌＮ等の緻密質セラ
ミックス焼結体からなる基体の内部に、高融点金属から
なる発熱ワイヤーを埋設した構造を有し、基体の上面に
半導体ウエハを載置するようになっている。
【０００４】一方、ＣＶＤやプラズマエッチング等にお
いては、半導体ウエハの温度を５００℃以上の高温にし
つつしかも極めて高い均熱性が要求されるが、このよう
に基体に埋設されたセラミックヒーターのみでは所望の
均一性を得ることが困難であることから、セラミックヒ
ーターの半導体ウエハの載置面とヒーターとの間に流体
流路を設け、流体流路中に流れる流体の対流によってセ
ラミックスヒータ基体の各場所の温度差を減少させ、載
置面の加熱温度を均一にする技術が提案されている（特
開平７−２７２８３４号公報）。
いては、半導体ウエハの温度を５００℃以上の高温にし
つつしかも極めて高い均熱性が要求されるが、このよう
に基体に埋設されたセラミックヒーターのみでは所望の
均一性を得ることが困難であることから、セラミックヒ
ーターの半導体ウエハの載置面とヒーターとの間に流体
流路を設け、流体流路中に流れる流体の対流によってセ
ラミックスヒータ基体の各場所の温度差を減少させ、載
置面の加熱温度を均一にする技術が提案されている（特
開平７−２７２８３４号公報）。
【０００５】また、この技術では、セラミックヒーター
が用いられる処理装置をメンテナンスする際に、このよ
うに流体を流すことによりヒーターを迅速に冷却するこ
とができ、ダウンタイムすなわち装置の休止時間を短縮
することができるとしている。
が用いられる処理装置をメンテナンスする際に、このよ
うに流体を流すことによりヒーターを迅速に冷却するこ
とができ、ダウンタイムすなわち装置の休止時間を短縮
することができるとしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体デバ
イスの製造工程においては、さらなるスループットの向
上が求められており、装置のメンテナンス等の際のダウ
ンタイムをさらに短縮することが望まれている。例え
ば、枚葉式のＣＶＤ装置においては、定期的にハロゲン
系ガスによるｉｎ−ｓｉｔｕクリーニングを行ってお
り、その際に装置内部材等へのダメージを低減するため
に、成膜温度の７００℃から１５０〜５００℃にセラミ
ックヒーターの温度を低下させる必要があるが、従来は
その冷却時間が３時間程度でありさらなる冷却時間の短
縮が求められている。また、メンテナンス等のためにチ
ャンバー内を大気開放する際には、酸化防止等の観点か
らチャンバー内部を室温付近に冷却するが、その際にも
冷却に長時間を要するため、さらなる冷却時間の短縮が
求められている。
イスの製造工程においては、さらなるスループットの向
上が求められており、装置のメンテナンス等の際のダウ
ンタイムをさらに短縮することが望まれている。例え
ば、枚葉式のＣＶＤ装置においては、定期的にハロゲン
系ガスによるｉｎ−ｓｉｔｕクリーニングを行ってお
り、その際に装置内部材等へのダメージを低減するため
に、成膜温度の７００℃から１５０〜５００℃にセラミ
ックヒーターの温度を低下させる必要があるが、従来は
その冷却時間が３時間程度でありさらなる冷却時間の短
縮が求められている。また、メンテナンス等のためにチ
ャンバー内を大気開放する際には、酸化防止等の観点か
らチャンバー内部を室温付近に冷却するが、その際にも
冷却に長時間を要するため、さらなる冷却時間の短縮が
求められている。
【０００７】しかしながら、上述の特開平７−２７２８
３４号公報に開示された技術は主に均熱性を得るための
技術であって冷却能力は必ずしも十分ではない。すなわ
ち、この技術において十分な冷却能力を得るためには流
体流路の断面積を大きくする必要があるが、この場合に
は発熱体からの熱が半導体ウエハに十分に伝わらず加熱
効率が悪くなってしまうため、ヒーターの冷却手段とし
ては不十分である。したがって、セラミックヒーターを
冷却する時間を短縮するのにも限界があり、要求される
短時間冷却を満たすことは困難である。
３４号公報に開示された技術は主に均熱性を得るための
技術であって冷却能力は必ずしも十分ではない。すなわ
ち、この技術において十分な冷却能力を得るためには流
体流路の断面積を大きくする必要があるが、この場合に
は発熱体からの熱が半導体ウエハに十分に伝わらず加熱
効率が悪くなってしまうため、ヒーターの冷却手段とし
ては不十分である。したがって、セラミックヒーターを
冷却する時間を短縮するのにも限界があり、要求される
短時間冷却を満たすことは困難である。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、加熱面の均熱性を高く維持しつつ冷却効率の
高いセラミックスヒーターを提供することを目的とす
る。また、このようなセラミックスヒーターを用いた基
板処理装置を提供することを目的とする。
であって、加熱面の均熱性を高く維持しつつ冷却効率の
高いセラミックスヒーターを提供することを目的とす
る。また、このようなセラミックスヒーターを用いた基
板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】上記課題を解決するために、本発明は、上
面が基板の載置面であるセラミックス製の基体と、前記
基体に埋設された発熱体と、前記基体の前記発熱体の下
方位置に設けられた流体流路とを具備することを特徴と
するセラミックスヒーターを提供する。
面が基板の載置面であるセラミックス製の基体と、前記
基体に埋設された発熱体と、前記基体の前記発熱体の下
方位置に設けられた流体流路とを具備することを特徴と
するセラミックスヒーターを提供する。
【００１０】上記構成によれば、発熱体の下方位置に流
体流路を設けているので、流体流路の断面積を大きくし
ても加熱効率が低下することがない。したがって、流体
流路の断面積を大きくすることにより、そこに比較的多
量の流体を通流させることができ、セラミックスヒータ
ーを短時間で所定の温度まで冷却することができる。ま
た、流体流路を発熱体の下方位置に設けても所望の均熱
性を確保することができる。
体流路を設けているので、流体流路の断面積を大きくし
ても加熱効率が低下することがない。したがって、流体
流路の断面積を大きくすることにより、そこに比較的多
量の流体を通流させることができ、セラミックスヒータ
ーを短時間で所定の温度まで冷却することができる。ま
た、流体流路を発熱体の下方位置に設けても所望の均熱
性を確保することができる。
【００１１】上記セラミックスヒーターにおいて、前記
流体流路は、複数の同心円状部分と、複数のこれら同心
円状部分をつなぐ部分とを有する構造とすることが好ま
しい。また、前記流体流路は、前記基体の中央部に流体
入口を有し、前記基体の端部に流体出口を有する構造と
することが好ましい。これにより、均熱性が一層良好と
なるとともに、冷却効率を高くすることができる。
流体流路は、複数の同心円状部分と、複数のこれら同心
円状部分をつなぐ部分とを有する構造とすることが好ま
しい。また、前記流体流路は、前記基体の中央部に流体
入口を有し、前記基体の端部に流体出口を有する構造と
することが好ましい。これにより、均熱性が一層良好と
なるとともに、冷却効率を高くすることができる。
【００１２】前記流体流路には、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅから
選択される少なくとも１種を通流されることができる。
例えば、ＡｒとＨｅとの混合ガスを通流させることがで
きる。
選択される少なくとも１種を通流されることができる。
例えば、ＡｒとＨｅとの混合ガスを通流させることがで
きる。
【００１３】前記流体流路に通流される流体は、１５０
℃以上であることが好ましい。低温の流体を通流させる
場合には、ヒートショックによりセラミックス製の基体
が損傷するおそれがあるが、通流する流体の温度を１５
０℃以上にすることにより、ヒートショックによる損傷
を防止することができる。この際の流体の温度は、基体
の加熱温度に応じて適宜設定することが好ましい。ま
た、セラミックヒーターを冷却する際には、冷却の段階
に応じて段階的に流体の温度を低下させることが好まし
い。さらに、セラミックスヒーターが１５０℃近傍まで
低下した時点で流体としてより低温のものを用いれば、
さらに低温まで効率良く冷却することができる。
℃以上であることが好ましい。低温の流体を通流させる
場合には、ヒートショックによりセラミックス製の基体
が損傷するおそれがあるが、通流する流体の温度を１５
０℃以上にすることにより、ヒートショックによる損傷
を防止することができる。この際の流体の温度は、基体
の加熱温度に応じて適宜設定することが好ましい。ま
た、セラミックヒーターを冷却する際には、冷却の段階
に応じて段階的に流体の温度を低下させることが好まし
い。さらに、セラミックスヒーターが１５０℃近傍まで
低下した時点で流体としてより低温のものを用いれば、
さらに低温まで効率良く冷却することができる。
【００１４】前記発熱体としては、高融点金属を巻回し
てなる巻回体を所定パターンに配置したものが例示され
る。また、所定パターンのグラファイトまたはガラス状
カーボンからなるもの、さらにその上にガラス状窒化ボ
ロンを被覆してなるものも用いることができる。グラフ
ァイトまたはガラス状カーボンは、基体として用いられ
るＡｌＮ等のセラミックスとの間に熱膨張差が少なく、
これらを発熱体として用いることにより高速昇温および
高速降温が可能となる。また、ガラス状窒化ボロン（Ｂ
Ｎ）はグラファイトまたはガラス状カーボンを保護する
機能および緩衝機能を有していることから、より一層高
速昇温および高速降温が可能となる。
てなる巻回体を所定パターンに配置したものが例示され
る。また、所定パターンのグラファイトまたはガラス状
カーボンからなるもの、さらにその上にガラス状窒化ボ
ロンを被覆してなるものも用いることができる。グラフ
ァイトまたはガラス状カーボンは、基体として用いられ
るＡｌＮ等のセラミックスとの間に熱膨張差が少なく、
これらを発熱体として用いることにより高速昇温および
高速降温が可能となる。また、ガラス状窒化ボロン（Ｂ
Ｎ）はグラファイトまたはガラス状カーボンを保護する
機能および緩衝機能を有していることから、より一層高
速昇温および高速降温が可能となる。
【００１５】前記基体の上面近傍に電極を設け、電極に
通電することにより基板を静電吸着可能に構成すること
ができる。これにより、真空雰囲気でも基板を確実に保
持することが可能となる。
通電することにより基板を静電吸着可能に構成すること
ができる。これにより、真空雰囲気でも基板を確実に保
持することが可能となる。
【００１６】また、本発明は、基板が収容され内部が真
空状態に保持可能なチャンバーと、前記チャンバー内に
配置され、基板を載置するとともに加熱するセラミック
スヒーターと、前記チャンバー内で基板に所定の処理を
施すための処理手段とを具備し、前記セラミックスヒー
ターは、上面が基板の載置面であるセラミックス製の基
体と、前記基体に埋設された発熱体と、前記基体の前記
発熱体の下方位置に設けられた流体流路とを有すること
を特徴とする基板処理装置を提供する。
空状態に保持可能なチャンバーと、前記チャンバー内に
配置され、基板を載置するとともに加熱するセラミック
スヒーターと、前記チャンバー内で基板に所定の処理を
施すための処理手段とを具備し、前記セラミックスヒー
ターは、上面が基板の載置面であるセラミックス製の基
体と、前記基体に埋設された発熱体と、前記基体の前記
発熱体の下方位置に設けられた流体流路とを有すること
を特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１７】この場合に、前記処理手段としては、チャ
ンバー内に処理ガスを導入するガス導入機構を有し、前
記処理ガスの反応により基板上に所定の膜を形成するも
の、すなわちＣＶＤを行うものが例示される。前記処理
手段は、さらに処理ガスのプラズマを生成するプラズマ
生成機構を有していてもよく、この場合にはプラズマＣ
ＶＤが行われる。
ンバー内に処理ガスを導入するガス導入機構を有し、前
記処理ガスの反応により基板上に所定の膜を形成するも
の、すなわちＣＶＤを行うものが例示される。前記処理
手段は、さらに処理ガスのプラズマを生成するプラズマ
生成機構を有していてもよく、この場合にはプラズマＣ
ＶＤが行われる。
【００１８】また、前記処理手段としては、チャンバー
内に処理ガスを導入するガス導入機構と、前記チャンバ
ー内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成
機構とを有し、前記処理ガスのプラズマにより基板上の
所定の膜をエッチングするものが例示される。
内に処理ガスを導入するガス導入機構と、前記チャンバ
ー内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成
機構とを有し、前記処理ガスのプラズマにより基板上の
所定の膜をエッチングするものが例示される。
【００１９】さらに、前記セラミックスヒーターの基体
の上面近傍に電極を設け、電極に通電することにより基
板を静電吸着可能に構成することができる。これによ
り、真空雰囲気に保持されれたチャンバー内において基
板を確実にセラミックヒーターの上面に保持させること
が可能となる。
の上面近傍に電極を設け、電極に通電することにより基
板を静電吸着可能に構成することができる。これによ
り、真空雰囲気に保持されれたチャンバー内において基
板を確実にセラミックヒーターの上面に保持させること
が可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について具体的に説明する。図１は本発明の
一実施形態に係る半導体ウエハ処理用のセラミックスヒ
ータを示す垂直断面図、図２はそのＡ−Ａラインで切断
した水平断面図である。
の実施形態について具体的に説明する。図１は本発明の
一実施形態に係る半導体ウエハ処理用のセラミックスヒ
ータを示す垂直断面図、図２はそのＡ−Ａラインで切断
した水平断面図である。
【００２１】セラミックスヒーター１は、セラミックス
製で円盤状をなす基体２と、巻回状態で基体２に埋設さ
れた発熱抵抗体３とを備えている。また、基体２内にお
ける発熱抵抗体３の下方位置には、流体流路４が設けら
れている。
製で円盤状をなす基体２と、巻回状態で基体２に埋設さ
れた発熱抵抗体３とを備えている。また、基体２内にお
ける発熱抵抗体３の下方位置には、流体流路４が設けら
れている。
【００２２】基体２を構成するセラミックスは緻密質の
セラミックスであればよいが、窒化珪素（Ｓｉ
３Ｎ４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、サイアロン
（ＳｉＡｌＯＮ）等の窒化物系セラミックスが好適であ
る。また、基体２の上面が載置面２ａとなっており、そ
の載置面２ａに半導体ウエハＷが載置される。
セラミックスであればよいが、窒化珪素（Ｓｉ
３Ｎ４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、サイアロン
（ＳｉＡｌＯＮ）等の窒化物系セラミックスが好適であ
る。また、基体２の上面が載置面２ａとなっており、そ
の載置面２ａに半導体ウエハＷが載置される。
【００２３】発熱抵抗体３は基体２の内部にらせん状に
配置された状態で埋設されれおり、発熱抵抗体３の両端
部は基体２の底部の外側近傍部分に埋設された端子５に
接続されている。そして端子５からの配線は電源６に接
続されており、この電源６の出力は、図示しない熱電対
の信号に基づいてコントローラ７により制御される。発
熱体３は金属製であり、加熱温度が比較的低い場合には
ニクロム線を用いることができる。しかし、高温用のセ
ラミックスヒーターにおいては、高融点金属が好まし
く、特に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
白金（Ｐｔ）、これらの合金が好ましい。
配置された状態で埋設されれおり、発熱抵抗体３の両端
部は基体２の底部の外側近傍部分に埋設された端子５に
接続されている。そして端子５からの配線は電源６に接
続されており、この電源６の出力は、図示しない熱電対
の信号に基づいてコントローラ７により制御される。発
熱体３は金属製であり、加熱温度が比較的低い場合には
ニクロム線を用いることができる。しかし、高温用のセ
ラミックスヒーターにおいては、高融点金属が好まし
く、特に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
白金（Ｐｔ）、これらの合金が好ましい。
【００２４】流体流路４は、図２に示すように、基体２
と同心円状に形成された複数の環状部４ａと、隣接する
環状部４ａを４箇所ずつ放射状につなぐ放射状部４ｂと
を有している。周方向に隣接する放射状部４ｂは９０°
ずつ等間隔で配置され、径方向に隣接する放射状部４ｂ
は４５°ずれて配置されている。そして、基体２の中心
には、流体流路４に流体を供給する流体供給孔９が設け
られ、環状部４ａの最外側部分に対応する位置には２箇
所の流体排出孔８が互いに対向した位置に設けられてい
る。流体流路４をこのように構成することにより、熱交
換が有効に行われやすくなり、冷却効率を良好にするこ
とができる。流体供給孔９には流体供給管９ａが接続さ
れ流体排出孔８には流体排出管８ａが接続されている。
これらは流体供給源１０に接続されており、図示しない
ポンプ等の手段により循環されるようになっている。流
体供給源１０から供給されるガスは温調器１１により所
定温度に温調されるようになっており、これにより基体
２の均熱性維持および冷却制御が可能となる。また、流
体排出管８ａには熱交換器１２が設けられており、高温
の基体２により昇温した流体の粗熱を除去することがで
きるようになっている。
と同心円状に形成された複数の環状部４ａと、隣接する
環状部４ａを４箇所ずつ放射状につなぐ放射状部４ｂと
を有している。周方向に隣接する放射状部４ｂは９０°
ずつ等間隔で配置され、径方向に隣接する放射状部４ｂ
は４５°ずれて配置されている。そして、基体２の中心
には、流体流路４に流体を供給する流体供給孔９が設け
られ、環状部４ａの最外側部分に対応する位置には２箇
所の流体排出孔８が互いに対向した位置に設けられてい
る。流体流路４をこのように構成することにより、熱交
換が有効に行われやすくなり、冷却効率を良好にするこ
とができる。流体供給孔９には流体供給管９ａが接続さ
れ流体排出孔８には流体排出管８ａが接続されている。
これらは流体供給源１０に接続されており、図示しない
ポンプ等の手段により循環されるようになっている。流
体供給源１０から供給されるガスは温調器１１により所
定温度に温調されるようになっており、これにより基体
２の均熱性維持および冷却制御が可能となる。また、流
体排出管８ａには熱交換器１２が設けられており、高温
の基体２により昇温した流体の粗熱を除去することがで
きるようになっている。
【００２５】流体流路４に通流される流体は、１５０℃
以上であることが好ましい。低温の流体を通流させる場
合には、ヒートショックによりセラミックス製の基体２
が損傷するおそれがあるが、通流する流体の温度を１５
０℃以上にすることにより、ヒートショックによる損傷
を防止することができる。この際の流体の温度は、基体
２の加熱温度に応じて、ヒートショックによる損傷が生
じない範囲内で冷却効率が良好になるように適宜設定す
ることが好ましい。また、セラミックヒーター１を冷却
する際には、ヒートショックによる損傷をより確実に防
止する観点から、冷却の段階に応じて上記温調器１１に
より段階的に流体の温度を低下させることが好ましい。
この際に、段階的な温度設定は１００〜２００℃間隔が
好ましい。さらに、セラミックスヒーター１が１５０℃
近傍まで低下した時点で流体としてより低温のものを用
いれば、さらに低温まで効率良く冷却することができ
る。
以上であることが好ましい。低温の流体を通流させる場
合には、ヒートショックによりセラミックス製の基体２
が損傷するおそれがあるが、通流する流体の温度を１５
０℃以上にすることにより、ヒートショックによる損傷
を防止することができる。この際の流体の温度は、基体
２の加熱温度に応じて、ヒートショックによる損傷が生
じない範囲内で冷却効率が良好になるように適宜設定す
ることが好ましい。また、セラミックヒーター１を冷却
する際には、ヒートショックによる損傷をより確実に防
止する観点から、冷却の段階に応じて上記温調器１１に
より段階的に流体の温度を低下させることが好ましい。
この際に、段階的な温度設定は１００〜２００℃間隔が
好ましい。さらに、セラミックスヒーター１が１５０℃
近傍まで低下した時点で流体としてより低温のものを用
いれば、さらに低温まで効率良く冷却することができ
る。
【００２６】流体流路４を通流させる流体としては、不
活性ガスを用いることができ、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅから選
択される少なくとも１種が好適である。特に、ＡｒとＨ
ｅとの混合ガスを用いることが好ましい。これは、熱伝
導率が高いが高コストであるＨｅとコストが低いＡｒを
混合することにより、比較的高い冷却効率を維持しつつ
冷却コストを適正なものとすることができるからであ
る。このような観点からＡｒ：Ｈｅは３：１であること
が好ましい。
活性ガスを用いることができ、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅから選
択される少なくとも１種が好適である。特に、ＡｒとＨ
ｅとの混合ガスを用いることが好ましい。これは、熱伝
導率が高いが高コストであるＨｅとコストが低いＡｒを
混合することにより、比較的高い冷却効率を維持しつつ
冷却コストを適正なものとすることができるからであ
る。このような観点からＡｒ：Ｈｅは３：１であること
が好ましい。
【００２７】このように構成されるセラミックスヒータ
ー１を使用する際には、基体２の上面の載置面２ａに半
導体ウエハＷを載置した状態で電源６から発熱体３に給
電する。これにより基体２が所定温度に昇温され、半導
体ウエハＷが所定温度に加熱される。この際に、流体流
路４に所定流量で所定の流体、例えばＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ
から選択されるガスを通流することにより温度制御性が
高まり、基体２は所望の均熱性を確保することが可能と
なる。
ー１を使用する際には、基体２の上面の載置面２ａに半
導体ウエハＷを載置した状態で電源６から発熱体３に給
電する。これにより基体２が所定温度に昇温され、半導
体ウエハＷが所定温度に加熱される。この際に、流体流
路４に所定流量で所定の流体、例えばＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅ
から選択されるガスを通流することにより温度制御性が
高まり、基体２は所望の均熱性を確保することが可能と
なる。
【００２８】一方、セラミックスヒーター１を加熱温度
から冷却する際には、発熱体３への通電を遮断した後、
流体流路４に上記流体を通流させる。この場合に、流体
流路が発熱体の上にある場合とは異なり、流体流路４の
断面積を大きくしても加熱効率が低下することがないの
で、流体流路４の断面積を大きくすることができる。し
たがって、流体流路４の断面積を大きくして比較的多量
の流体を通流させることができ、セラミックスヒーター
１を短時間で所望の温度まで冷却することができる。
から冷却する際には、発熱体３への通電を遮断した後、
流体流路４に上記流体を通流させる。この場合に、流体
流路が発熱体の上にある場合とは異なり、流体流路４の
断面積を大きくしても加熱効率が低下することがないの
で、流体流路４の断面積を大きくすることができる。し
たがって、流体流路４の断面積を大きくして比較的多量
の流体を通流させることができ、セラミックスヒーター
１を短時間で所望の温度まで冷却することができる。
【００２９】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。図３は本発明の他の実施形態に係るセラミックス
ヒーターを示す断面図である。ここでは、グラファイト
またはガラス状カーボンからなる発熱体１３を用いてお
りこの発熱体１３が所定パターン（例えばらせん状）形
成された状態で基体２に埋設されている。なお、他の構
成は図１と同様であるから同じ符号を付して説明を省略
する。また、流体供給源１０、温調器１１、熱交換器１
２は図示を省略しているが、同様に設けられている（以
下の図４〜図９も同様）。
する。図３は本発明の他の実施形態に係るセラミックス
ヒーターを示す断面図である。ここでは、グラファイト
またはガラス状カーボンからなる発熱体１３を用いてお
りこの発熱体１３が所定パターン（例えばらせん状）形
成された状態で基体２に埋設されている。なお、他の構
成は図１と同様であるから同じ符号を付して説明を省略
する。また、流体供給源１０、温調器１１、熱交換器１
２は図示を省略しているが、同様に設けられている（以
下の図４〜図９も同様）。
【００３０】このようなセラミックスヒーターにおいて
は、発熱体１３の材料として用いるグラファイトおよび
ガラス状カーボンの熱膨張係数がそれぞれ２〜３×１０
−６／Ｋおよび１．５×１０−６〜２．５×１０−６／
Ｋであり、基体２を構成するセラミックス、例えばＡｌ
Ｎの熱膨張係数である４．６×１０−６／Ｋに比較的近
いため、高速昇温および高速降温によってもヒーターが
損傷せずに使用が可能となる。また、図４に示すよう
に、グラファイトおよびガラス状カーボンからなるコア
１４にガラス状ＢＮ層１５を被覆した構造の発熱体１
３’を使用することもできる。この場合には、ガラス状
ＢＮはグラファイト等のコア１４を保護する機能および
緩衝機能を有しており、より一層高速昇温および高速降
温が可能となる。
は、発熱体１３の材料として用いるグラファイトおよび
ガラス状カーボンの熱膨張係数がそれぞれ２〜３×１０
−６／Ｋおよび１．５×１０−６〜２．５×１０−６／
Ｋであり、基体２を構成するセラミックス、例えばＡｌ
Ｎの熱膨張係数である４．６×１０−６／Ｋに比較的近
いため、高速昇温および高速降温によってもヒーターが
損傷せずに使用が可能となる。また、図４に示すよう
に、グラファイトおよびガラス状カーボンからなるコア
１４にガラス状ＢＮ層１５を被覆した構造の発熱体１
３’を使用することもできる。この場合には、ガラス状
ＢＮはグラファイト等のコア１４を保護する機能および
緩衝機能を有しており、より一層高速昇温および高速降
温が可能となる。
【００３１】次に、本発明のさらに他の実施形態につい
て説明する。図５はさらに他の実施形態に係るセラミッ
クスヒーターを示す断面図である。本実施形態では、基
体２の発熱体３と載置面２ａとの間に電極２０が設けら
れており、この電極２０に電圧を印加する直流電源２１
が端子２２を介して接続されている。すなわち、基体２
の上面部分に静電チャックが形成されている。なお、他
の構成は図１と同様であるから同じ符号を付して説明を
省略する。
て説明する。図５はさらに他の実施形態に係るセラミッ
クスヒーターを示す断面図である。本実施形態では、基
体２の発熱体３と載置面２ａとの間に電極２０が設けら
れており、この電極２０に電圧を印加する直流電源２１
が端子２２を介して接続されている。すなわち、基体２
の上面部分に静電チャックが形成されている。なお、他
の構成は図１と同様であるから同じ符号を付して説明を
省略する。
【００３２】このような構成において、電極２０に直流
電圧を印加することにより、半導体ウエハＷが基体２の
載置面２ａに静電吸着される。これにより、セラミック
スヒーターが真空雰囲気中で使用される場合にも、確実
に保持することができる。また、これにより、静電チャ
ックとセラミックスヒーターとが一体となったコンパク
トな構造を得ることができる。なお、上記図３および図
４の構造のセラミックスヒーターに電極を設けて静電チ
ャック機能を付与してもよいことはいうまでもない。
電圧を印加することにより、半導体ウエハＷが基体２の
載置面２ａに静電吸着される。これにより、セラミック
スヒーターが真空雰囲気中で使用される場合にも、確実
に保持することができる。また、これにより、静電チャ
ックとセラミックスヒーターとが一体となったコンパク
トな構造を得ることができる。なお、上記図３および図
４の構造のセラミックスヒーターに電極を設けて静電チ
ャック機能を付与してもよいことはいうまでもない。
【００３３】また、本発明のセラミックスヒーターを用
いてプラズマ処理を行う場合には、図６に示すように、
基体２内にプラズマ生成用の電極２３を埋設する。この
電極２３を接地させ、真空雰囲気内において、対向電極
に高周波電力を印加することによりプラズマを形成する
ことができる。電極２３に高周波電力を印加してもよ
い。また、このプラズマ生成用電極２３を接地する代わ
りに直流電圧を印加することにより、電極２３を静電チ
ャックの電極と兼用することができる。
いてプラズマ処理を行う場合には、図６に示すように、
基体２内にプラズマ生成用の電極２３を埋設する。この
電極２３を接地させ、真空雰囲気内において、対向電極
に高周波電力を印加することによりプラズマを形成する
ことができる。電極２３に高周波電力を印加してもよ
い。また、このプラズマ生成用電極２３を接地する代わ
りに直流電圧を印加することにより、電極２３を静電チ
ャックの電極と兼用することができる。
【００３４】次に、このようなセラミックスヒーターの
製造方法について簡単に説明する。まず、プレス成形機
にセットした金型内にセラミックス粉体を装入して予備
成形を行い、予備成形体の表面に、発熱体パターンに応
じて連続的な凹部を設ける。次いで、両端に端子を接着
した発熱体をこの凹部に収容し、その上にセラミックス
粉末をさらに挿入し、セラミックス粉末を一軸加圧成形
して円盤状の成形体を作成し、これをホットプレス等で
焼結させて第１の予備焼結体を得る。
製造方法について簡単に説明する。まず、プレス成形機
にセットした金型内にセラミックス粉体を装入して予備
成形を行い、予備成形体の表面に、発熱体パターンに応
じて連続的な凹部を設ける。次いで、両端に端子を接着
した発熱体をこの凹部に収容し、その上にセラミックス
粉末をさらに挿入し、セラミックス粉末を一軸加圧成形
して円盤状の成形体を作成し、これをホットプレス等で
焼結させて第１の予備焼結体を得る。
【００３５】引き続き、同様にしてセラミックス粉末を
一軸加圧成形して円盤状の成形体を作成し、これをホッ
トプレス等で焼結させて第２の予備焼結体を得る。そし
てこの第２の予備焼結体の上面に流体流路に対応する溝
をサンドブラスト処理やエッチング処理等の適宜の方法
で形成し、流体流路に対応する溝を形成し、さらに流体
供給孔および流体排出孔を形成する。最後に、例えばＹ
ＳｉＡｌＯＮ系ガラス等のガラスからなる接着剤を用い
て第１の予備焼結体と第２の予備焼結体とを接着し焼成
することにより、これらを一体化する。この際の焼結
は、ホットプレスが好ましいが、常圧焼結であってもよ
い。また、常圧焼結の後、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）
処理を行ってもよい。
一軸加圧成形して円盤状の成形体を作成し、これをホッ
トプレス等で焼結させて第２の予備焼結体を得る。そし
てこの第２の予備焼結体の上面に流体流路に対応する溝
をサンドブラスト処理やエッチング処理等の適宜の方法
で形成し、流体流路に対応する溝を形成し、さらに流体
供給孔および流体排出孔を形成する。最後に、例えばＹ
ＳｉＡｌＯＮ系ガラス等のガラスからなる接着剤を用い
て第１の予備焼結体と第２の予備焼結体とを接着し焼成
することにより、これらを一体化する。この際の焼結
は、ホットプレスが好ましいが、常圧焼結であってもよ
い。また、常圧焼結の後、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）
処理を行ってもよい。
【００３６】次に、以上のように構成されるセラミック
スヒーターを用いた基板処理装置について説明する。
スヒーターを用いた基板処理装置について説明する。
【００３７】図７は、本発明のセラミックスヒーターを
用いた熱ＣＶＤ装置を示す断面図である。この熱ＣＶＤ
装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー
３１を有しており、その中には被処理体である半導体ウ
エハＷを水平に支持するとともに、半導体ウエハＷを加
熱する上述のセラミックスヒーター３２が円筒状の支持
部材３３により支持された状態で配置されている。セラ
ミックスヒーター１３２の外縁部には半導体ウエハＷを
ガイドするためのガイドリング３４が設けられている。
用いた熱ＣＶＤ装置を示す断面図である。この熱ＣＶＤ
装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー
３１を有しており、その中には被処理体である半導体ウ
エハＷを水平に支持するとともに、半導体ウエハＷを加
熱する上述のセラミックスヒーター３２が円筒状の支持
部材３３により支持された状態で配置されている。セラ
ミックスヒーター１３２の外縁部には半導体ウエハＷを
ガイドするためのガイドリング３４が設けられている。
【００３８】セラミックスヒーター３２は図１のセラミ
ックスヒーター１と全く同様に形成されている。すなわ
ち、セラミックス製の基体２に発熱体３が埋設されてい
るとともに、発熱体３の下方位置に流体流路４が設けら
れている。発熱抵抗体３の両端部は基体２の底部の外側
近傍部分に埋設された端子５に接続されている。そして
端子５からの配線は支持部材３３の内部を通って電源６
に接続されており、この電源６の出力は、コントローラ
７により制御される。
ックスヒーター１と全く同様に形成されている。すなわ
ち、セラミックス製の基体２に発熱体３が埋設されてい
るとともに、発熱体３の下方位置に流体流路４が設けら
れている。発熱抵抗体３の両端部は基体２の底部の外側
近傍部分に埋設された端子５に接続されている。そして
端子５からの配線は支持部材３３の内部を通って電源６
に接続されており、この電源６の出力は、コントローラ
７により制御される。
【００３９】チャンバー３１の天壁３１ａには、シャワ
ーヘッド３５が設けられている。このシャワーヘッド３
５にはセラミックスヒーター３２に向けてガスを吐出す
るための多数のガス吐出孔３６が形成されている。そし
て、シャワーヘッド３５の上部には、ガス導入口３７が
形成されており、このガス導入口３７にはガス供給配管
３８を介してクリーニングガス供給機構３９および成膜
ガス供給機構４０が接続されている。
ーヘッド３５が設けられている。このシャワーヘッド３
５にはセラミックスヒーター３２に向けてガスを吐出す
るための多数のガス吐出孔３６が形成されている。そし
て、シャワーヘッド３５の上部には、ガス導入口３７が
形成されており、このガス導入口３７にはガス供給配管
３８を介してクリーニングガス供給機構３９および成膜
ガス供給機構４０が接続されている。
【００４０】クリーニングガス供給機構３９は、例えば
クリーニングガスとしてＣｌＦ３ガスを供給するクリー
ニングガス供給源を有しており、定期的にチャンバー３
１内をｉｎ−ｓｉｔｕクリーニングすることができるよ
うになっている。成膜ガス供給機構４０は、成膜する膜
がＴｉＮ膜の場合には、例えばＴｉＣｌ４ガス供給源、
ＮＨ３ガス供給源、希釈ガスとしてのＡｒガス供給源等
を有しており、成膜する膜がＷＳｉ の場合には例えば
ＷＦ６ガス供給源、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス供給源、希釈ガ
スとしてのＡｒガス供給源等を有している。
クリーニングガスとしてＣｌＦ３ガスを供給するクリー
ニングガス供給源を有しており、定期的にチャンバー３
１内をｉｎ−ｓｉｔｕクリーニングすることができるよ
うになっている。成膜ガス供給機構４０は、成膜する膜
がＴｉＮ膜の場合には、例えばＴｉＣｌ４ガス供給源、
ＮＨ３ガス供給源、希釈ガスとしてのＡｒガス供給源等
を有しており、成膜する膜がＷＳｉ の場合には例えば
ＷＦ６ガス供給源、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス供給源、希釈ガ
スとしてのＡｒガス供給源等を有している。
【００４１】チャンバー３１の底壁３１ｂには、排気管
４１が接続されており、この排気管４１には真空ポンプ
を含む排気装置４２が接続されている。そして排気装置
４２を作動させることによりチャンバー３１内を所定の
真空度まで減圧することができる。
４１が接続されており、この排気管４１には真空ポンプ
を含む排気装置４２が接続されている。そして排気装置
４２を作動させることによりチャンバー３１内を所定の
真空度まで減圧することができる。
【００４２】このような装置により半導体ウエハＷに所
定の薄膜を成膜するには、まず、チャンバー３１内に半
導体ウエハＷを装入し、セラミックスヒーター３２の載
置面にウエハＷを載置し、発熱体３により基体２を例え
ば５００〜７００℃程度に昇温してその上の半導体ウエ
ハＷを所定温度に加熱しながら排気装置４２によりチャ
ンバー３１内を排気してチャンバー３１内を真空状態に
し、引き続き、成膜ガス供給機構４０からガス供給配管
３８を介して成膜ガスを導入してチャンバー３１内を所
定の圧力に維持しつつ成膜処理を行う。この場合に、流
体流路４に所定流量で所定の流体、例えばＡｒ，Ｈｅ，
Ｎｅから選択されるガスを通流することにより温度制御
性が高まり、基体２は所望の均熱性を確保することが可
能となる。
定の薄膜を成膜するには、まず、チャンバー３１内に半
導体ウエハＷを装入し、セラミックスヒーター３２の載
置面にウエハＷを載置し、発熱体３により基体２を例え
ば５００〜７００℃程度に昇温してその上の半導体ウエ
ハＷを所定温度に加熱しながら排気装置４２によりチャ
ンバー３１内を排気してチャンバー３１内を真空状態に
し、引き続き、成膜ガス供給機構４０からガス供給配管
３８を介して成膜ガスを導入してチャンバー３１内を所
定の圧力に維持しつつ成膜処理を行う。この場合に、流
体流路４に所定流量で所定の流体、例えばＡｒ，Ｈｅ，
Ｎｅから選択されるガスを通流することにより温度制御
性が高まり、基体２は所望の均熱性を確保することが可
能となる。
【００４３】一方、このようにして所定枚数の半導体ウ
エハを成膜後、チャンバー３１から半導体ウエハを搬出
し、セラミックスヒーター３２を１５０〜５００℃程度
に冷却し、チャンバー３１内にクリーニングガス、例え
ばＣｌＦ３ガスを導入してチャンバー３１内をｉｎ−ｓ
ｕｉｔｕクリーニングするが、この際には発熱体３への
通電を遮断した後、流体流路４に上記流体を通流させ
る。この場合に、上述したように流体流路４の断面積を
大きくすることができ、比較的多量の流体を通流させる
ことができるので、セラミックスヒーター３２を短時間
で１５０〜５００℃まで冷却することができる。したが
って、クリーニングの際の装置のダウンタイムを短縮す
ることができる。また、メンテナンス時等にチャンバー
３１内を大気開放する場合には、その中の温度を室温付
近まで低下させなければならないが、この場合にも、同
様に短時間で室温まで冷却することができる。
エハを成膜後、チャンバー３１から半導体ウエハを搬出
し、セラミックスヒーター３２を１５０〜５００℃程度
に冷却し、チャンバー３１内にクリーニングガス、例え
ばＣｌＦ３ガスを導入してチャンバー３１内をｉｎ−ｓ
ｕｉｔｕクリーニングするが、この際には発熱体３への
通電を遮断した後、流体流路４に上記流体を通流させ
る。この場合に、上述したように流体流路４の断面積を
大きくすることができ、比較的多量の流体を通流させる
ことができるので、セラミックスヒーター３２を短時間
で１５０〜５００℃まで冷却することができる。したが
って、クリーニングの際の装置のダウンタイムを短縮す
ることができる。また、メンテナンス時等にチャンバー
３１内を大気開放する場合には、その中の温度を室温付
近まで低下させなければならないが、この場合にも、同
様に短時間で室温まで冷却することができる。
【００４４】図８は本発明のセラミックスヒーターを用
いたプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。このプラ
ズマＣＶＤ装置１１０は概略的には、図７の熱ＣＶＤ装
置と同様に構成されているが、チャンバー３１の天壁３
１ａとチャンバー３１の側壁３１ｃとの間に絶縁部材４
３が設けられており、チャンバー３１の天壁３１ａには
整合器４４を介して高周波電源４５が接続されている。
そして、この高周波電源４５からシャワーヘッド３５へ
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給され、シャ
ワーヘッド３５は上部電極として機能するようになって
いる。
いたプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。このプラ
ズマＣＶＤ装置１１０は概略的には、図７の熱ＣＶＤ装
置と同様に構成されているが、チャンバー３１の天壁３
１ａとチャンバー３１の側壁３１ｃとの間に絶縁部材４
３が設けられており、チャンバー３１の天壁３１ａには
整合器４４を介して高周波電源４５が接続されている。
そして、この高周波電源４５からシャワーヘッド３５へ
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給され、シャ
ワーヘッド３５は上部電極として機能するようになって
いる。
【００４５】一方、セラミックスヒーター３２の基体２
における発熱体３の上方にはプラズマ生成用の下部電極
２３’が埋設されている。この下部電極２３’には端子
２２’を介して直流電源２１’が接続されており、下部
電極２３’は静電チャック用電極としても機能する。こ
のプラズマＣＶＤ装置１１０は、例えばＴｉ膜を成膜す
る。この場合に、成膜ガス供給機構４０は、例えばＴｉ
Ｃｌ４ガス供給源、Ｈ ２ガス供給源、希釈ガスとしての
Ａｒガス供給源等を有している。なお、その他の構成に
ついては図７の熱ＣＶＤ装置とほぼ同様であり、同じ符
号を付して説明を省略する。
における発熱体３の上方にはプラズマ生成用の下部電極
２３’が埋設されている。この下部電極２３’には端子
２２’を介して直流電源２１’が接続されており、下部
電極２３’は静電チャック用電極としても機能する。こ
のプラズマＣＶＤ装置１１０は、例えばＴｉ膜を成膜す
る。この場合に、成膜ガス供給機構４０は、例えばＴｉ
Ｃｌ４ガス供給源、Ｈ ２ガス供給源、希釈ガスとしての
Ａｒガス供給源等を有している。なお、その他の構成に
ついては図７の熱ＣＶＤ装置とほぼ同様であり、同じ符
号を付して説明を省略する。
【００４６】このような装置により半導体ウエハＷに所
定の薄膜を成膜するには、まず、チャンバー３１内に半
導体ウエハＷを装入し、セラミックスヒーター３２の載
置面にウエハＷを載置し、発熱体３により基体２を例え
ば５００〜７００℃程度に昇温してその上の半導体ウエ
ハＷを所定温度に加熱しながら排気装置４２によりチャ
ンバー３１内を排気してチャンバー３１内を真空状態に
し、上部電極として機能するシャワーヘッド３５に高周
波電源４５から高周波電力を供給し、シャワーヘッド３
５と電極２３’との間に高周波電界を形成しつつ、成膜
ガス供給機構４０からガス供給配管３８を介して成膜ガ
スを導入して成膜ガスのプラズマを生成する。この際に
電極２３’には直流電源２１’から直流電圧が印加さ
れ、半導体ウエハＷを基体２の表面に静電吸着する。た
だし、このように静電チャック機能を持たせる場合に
は、基体２の体積抵抗は温度とともに変化するため、基
体２の材料として加熱温度において静電吸着可能な抵抗
値を示すものを用いる。この場合に、流体流路４に所定
流量で所定の流体、例えばＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅから選択さ
れるガスを通流することにより温度制御性が高まり、基
体２は所望の均熱性を確保することが可能となる。
定の薄膜を成膜するには、まず、チャンバー３１内に半
導体ウエハＷを装入し、セラミックスヒーター３２の載
置面にウエハＷを載置し、発熱体３により基体２を例え
ば５００〜７００℃程度に昇温してその上の半導体ウエ
ハＷを所定温度に加熱しながら排気装置４２によりチャ
ンバー３１内を排気してチャンバー３１内を真空状態に
し、上部電極として機能するシャワーヘッド３５に高周
波電源４５から高周波電力を供給し、シャワーヘッド３
５と電極２３’との間に高周波電界を形成しつつ、成膜
ガス供給機構４０からガス供給配管３８を介して成膜ガ
スを導入して成膜ガスのプラズマを生成する。この際に
電極２３’には直流電源２１’から直流電圧が印加さ
れ、半導体ウエハＷを基体２の表面に静電吸着する。た
だし、このように静電チャック機能を持たせる場合に
は、基体２の体積抵抗は温度とともに変化するため、基
体２の材料として加熱温度において静電吸着可能な抵抗
値を示すものを用いる。この場合に、流体流路４に所定
流量で所定の流体、例えばＡｒ，Ｈｅ，Ｎｅから選択さ
れるガスを通流することにより温度制御性が高まり、基
体２は所望の均熱性を確保することが可能となる。
【００４７】一方、プラズマＣＶＤの際と同様に、所定
枚数の半導体ウエハを成膜後、チャンバー３１から半導
体ウエハを搬出し、セラミックスヒーター３２を１５０
〜５００℃程度に冷却してチャンバー３１内をｉｎ−ｓ
ｕｉｔｕクリーニングするが、上述したように、流体流
路４の断面積を大きくすることができ、比較的多量の流
体を通流させることができるので、セラミックスヒータ
ー３２を短時間で１５０〜５００℃まで冷却することが
できる。また、メンテナンス時等にチャンバー３１内を
大気開放するに際してその中を室温付近まで低下させる
場合にも同様である。
枚数の半導体ウエハを成膜後、チャンバー３１から半導
体ウエハを搬出し、セラミックスヒーター３２を１５０
〜５００℃程度に冷却してチャンバー３１内をｉｎ−ｓ
ｕｉｔｕクリーニングするが、上述したように、流体流
路４の断面積を大きくすることができ、比較的多量の流
体を通流させることができるので、セラミックスヒータ
ー３２を短時間で１５０〜５００℃まで冷却することが
できる。また、メンテナンス時等にチャンバー３１内を
大気開放するに際してその中を室温付近まで低下させる
場合にも同様である。
【００４８】図９は本発明のセラミックスヒーターを用
いたプラズマエッチング装置を示す断面図である。この
プラズマエッチング装置１２０は、概略的な構成は図８
のプラズマＣＶＤ装置と同様に構成されているが、供給
するガスとしてエッチングガスを用いるため、成膜ガス
供給機構４０の代わりにエッチングガス供給機構５０が
設けられている。エッチングガスはエッチングする膜に
よって異なるが、例えばＣＦ４ガス等のフッ素含有ガス
が用いられ、エッチングガス供給機構５０にはこのよう
なエッチングガスの供給源が設けられている。他の構成
はほぼ同じであるから同じ符号を付して説明を省略す
る。
いたプラズマエッチング装置を示す断面図である。この
プラズマエッチング装置１２０は、概略的な構成は図８
のプラズマＣＶＤ装置と同様に構成されているが、供給
するガスとしてエッチングガスを用いるため、成膜ガス
供給機構４０の代わりにエッチングガス供給機構５０が
設けられている。エッチングガスはエッチングする膜に
よって異なるが、例えばＣＦ４ガス等のフッ素含有ガス
が用いられ、エッチングガス供給機構５０にはこのよう
なエッチングガスの供給源が設けられている。他の構成
はほぼ同じであるから同じ符号を付して説明を省略す
る。
【００４９】このようなエッチング装置においても、セ
ラミックスヒーター３２に埋設された発熱体３と流体流
路４を通流する流体により、基体２が所定温度に精度良
く制御され、半導体ウエハＷが所定の温度に均一に保持
される。また、上述の例と同様、大気開放する際に、発
熱体３の下方位置に設けられた流体流路４に流体を流す
ことにより、速やかに基体２を冷却することができる。
なお、エッチング装置１２０において、シャワーヘッド
３５のみならず、下部電極２３’に高周波電力を供給し
てもよく、シャワーヘッド３５の代わりに下部電極２
３’に高周波電力を供給してもよい。
ラミックスヒーター３２に埋設された発熱体３と流体流
路４を通流する流体により、基体２が所定温度に精度良
く制御され、半導体ウエハＷが所定の温度に均一に保持
される。また、上述の例と同様、大気開放する際に、発
熱体３の下方位置に設けられた流体流路４に流体を流す
ことにより、速やかに基体２を冷却することができる。
なお、エッチング装置１２０において、シャワーヘッド
３５のみならず、下部電極２３’に高周波電力を供給し
てもよく、シャワーヘッド３５の代わりに下部電極２
３’に高周波電力を供給してもよい。
【００５０】なお、図７から図９の装置においては、発
熱体として図１に示したものを用いているが、図３，図
４に示した発熱体を用いてもよいことはいうまでもな
い。
熱体として図１に示したものを用いているが、図３，図
４に示した発熱体を用いてもよいことはいうまでもな
い。
【００５１】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態に
おける流体流路の形状は例示であって、他の形状であっ
てもよいことはいうまでもない。また、上記実施形態で
挙げた発熱体は例示にすぎず、他のものであってもよ
く、発熱体のパターンは渦巻き状が一般的であるが、こ
れに限るものでもない。さらに、上記実施形態では本発
明のセラミックスヒーターを熱ＣＶＤ、プラズマＣＶ
Ｄ、およびプラズマエッチングに適用した場合について
説明したが、これに限らず、例えばアッシング等の他の
処理に適用することもできる。また、被処理基板は半導
体ウエハに限られるものではなく、他の基板であっても
よい。
ことなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態に
おける流体流路の形状は例示であって、他の形状であっ
てもよいことはいうまでもない。また、上記実施形態で
挙げた発熱体は例示にすぎず、他のものであってもよ
く、発熱体のパターンは渦巻き状が一般的であるが、こ
れに限るものでもない。さらに、上記実施形態では本発
明のセラミックスヒーターを熱ＣＶＤ、プラズマＣＶ
Ｄ、およびプラズマエッチングに適用した場合について
説明したが、これに限らず、例えばアッシング等の他の
処理に適用することもできる。また、被処理基板は半導
体ウエハに限られるものではなく、他の基板であっても
よい。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発熱体の下方位置に流体流路を設けているので、流体流
路の断面積を大きくしても加熱効率が低下することがな
い。したがって、流体流路の断面積を大きくすることに
より、そこに比較的多量の流体を通流させることがで
き、セラミックスヒーターを短時間で所定の温度まで冷
却することができ、ＣＶＤ装置やエッチング装置等に用
いた場合に、装置のダウンタイムを短縮することができ
る。また、流体流路を発熱体の下方位置に設けても所望
の均熱性を確保することができる。
発熱体の下方位置に流体流路を設けているので、流体流
路の断面積を大きくしても加熱効率が低下することがな
い。したがって、流体流路の断面積を大きくすることに
より、そこに比較的多量の流体を通流させることがで
き、セラミックスヒーターを短時間で所定の温度まで冷
却することができ、ＣＶＤ装置やエッチング装置等に用
いた場合に、装置のダウンタイムを短縮することができ
る。また、流体流路を発熱体の下方位置に設けても所望
の均熱性を確保することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックスヒータ
ーを模式的に示す垂直断面図。
ーを模式的に示す垂直断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線による水平断面図。
【図３】本発明の他の実施形態に係るセラミックスヒー
ターを示す断面図。
ターを示す断面図。
【図４】本発明のさらに他の実施形態に係るセラミック
スヒーターを示す断面図。
スヒーターを示す断面図。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に係るセラミック
スヒーターを示す断面図。
スヒーターを示す断面図。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係るセラミック
スヒーターを示す断面図。
スヒーターを示す断面図。
【図７】本発明の一実施形態に係るセラミックスヒータ
ーを用いた熱ＣＶＤ装置を示す概略断面図。
ーを用いた熱ＣＶＤ装置を示す概略断面図。
【図８】本発明の一実施形態に係るセラミックスヒータ
ーを用いたプラズマＣＶＤ装置を示す概略断面図。
ーを用いたプラズマＣＶＤ装置を示す概略断面図。
【図９】本発明の一実施形態に係るセラミックスヒータ
ーを用いたプラズマエッチング装置を示す概略断面図。
ーを用いたプラズマエッチング装置を示す概略断面図。
１，３２；セラミックスヒーター ２；基体 ２ａ；載置面 ３，１３，１３’；発熱体 ４；流体流路 ２０；静電チャック用電極 ２３；プラズマ電極 ３１；チャンバー ３５；シャワーヘッド ４０；成膜ガス供給機構 ４５；高周波電源 ５０；エッチングガス供給機構 １００；熱ＣＶＤ装置 １１０；プラズマＣＶＤ装置 １２０；プラズマエッチング装置 Ｗ；半導体ウエハ
Claims (15)
- 【請求項１】 上面が基板の載置面であるセラミックス
製の基体と、 前記基体に埋設された発熱体と、 前記基体の前記発熱体の下方位置に設けられた流体流路
とを具備することを特徴とするセラミックスヒーター。 - 【請求項２】 前記流体流路は、複数の同心円状部分
と、複数のこれら同心円状部分をつなぐ部分とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミックスヒータ
ー。 - 【請求項３】 前記流体流路は、前記基体の中央部に流
体入口を有し、前記基体の端部に流体出口を有すること
を特徴とする請求項２に記載のセラミックスヒーター。 - 【請求項４】 前記流体流路には、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅか
ら選択される少なくとも１種が通流されることを特徴と
する請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のセラ
ミックスヒーター。 - 【請求項５】 前記流体流路には、ＡｒとＨｅとの混合
ガスが通流されることを特徴とする請求項４に記載のセ
ラミックスヒーター。 - 【請求項６】 前記流体流路に通流される流体は、１５
０℃以上であることを特徴とする請求項１から請求項５
のいずれか１項に記載のセラミックスヒーター。 - 【請求項７】 前記発熱体は、高融点金属を巻回してな
る巻回体を所定パターンに配置されていることを特徴と
する請求項１から請求項６に記載のセラミックスヒータ
ー。 - 【請求項８】 前記発熱体は、所定パターンのグラファ
イトまたはガラス状カーボンからなることを特徴とする
請求項１から請求項６に記載のセラミックスヒーター。 - 【請求項９】 前記発熱体は、所定パターンのグラファ
イトまたはガラス状カーボンにガラス状窒化ボロンを被
覆してなることを特徴とする請求項８に記載のセラミッ
クスヒーター。 - 【請求項１０】 前記基体の上面近傍に電極を有し、電
極に通電することにより基板を静電吸着可能なことを特
徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の
セラミックスヒーター。 - 【請求項１１】 基板が収容され内部が真空状態に保持
可能なチャンバーと、 前記チャンバー内に配置され、基板を載置するとともに
加熱するセラミックスヒーターと、 前記チャンバー内で基板に所定の処理を施すための処理
手段とを具備し、 前記セラミックスヒーターは、 上面が基板の載置面であるセラミックス製の基体と、 前記基体に埋設された発熱体と、 前記基体の前記発熱体の下方位置に設けられた流体流路
とを有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１２】 前記処理手段は、チャンバー内に処理
ガスを導入するガス導入機構を有し、前記処理ガスの反
応により基板上に所定の膜を形成することを特徴とする
請求項１１に記載の基板処理装置。 - 【請求項１３】 前記処理手段は、さらに処理ガスのプ
ラズマを生成するプラズマ生成機構を有することを特徴
とする請求項１２に記載の基板処理装置。 - 【請求項１４】 前記処理手段は、チャンバー内に処理
ガスを導入するガス導入機構と、前記チャンバー内に前
記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構とを
有し、前記処理ガスのプラズマにより基板上の所定の膜
をエッチングすることを特徴とする請求項１１に記載の
基板処理装置。 - 【請求項１５】 前記セラミックスヒーターの基体の上
面近傍に電極を有し、電極に通電することにより基板を
静電吸着可能なことを特徴とする請求項１１から請求項
１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34191699A JP4209057B2 (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
| US09/722,485 US6951587B1 (en) | 1999-12-01 | 2000-11-28 | Ceramic heater system and substrate processing apparatus having the same installed therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34191699A JP4209057B2 (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160479A true JP2001160479A (ja) | 2001-06-12 |
| JP2001160479A5 JP2001160479A5 (ja) | 2007-02-01 |
| JP4209057B2 JP4209057B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=18349751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34191699A Expired - Fee Related JP4209057B2 (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6951587B1 (ja) |
| JP (1) | JP4209057B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080491A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-03-23 | Applied Materials Inc | 化学気相成長用の加熱基板支持 |
| JP2006295138A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱機能を有する基板載置機構および基板処理装置 |
| WO2006135007A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Limited | 成膜およびクリーニング方法 |
| CN100350207C (zh) * | 2002-04-10 | 2007-11-21 | 光洋热系统株式会社 | 加热装置 |
| US7299566B2 (en) | 2005-03-16 | 2007-11-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate-placing mechanism having substrate-heating function |
| WO2008038477A1 (fr) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Covalent Materials Corporation | Chauffage planaire et appareil de traitement thermique de semi-conducteurs comportant le chauffage |
| JP2009049061A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエハ処理装置及び半導体ウエハ処理方法 |
| WO2009113451A1 (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
| KR101287225B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2013-07-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 탑재 기구, 기판 처리 장치, 기판 탑재 기구상으로의 막 퇴적 억제 방법 및 기억 매체 |
| JP2016069197A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 京セラ株式会社 | 流路部材 |
| KR101907246B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2018-12-07 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 지지용 척 구조물 |
| KR102199738B1 (ko) * | 2020-04-24 | 2021-01-08 | (주)코리아스타텍 | 건식 식각장비용 직냉식 정전척 |
| US10941477B2 (en) | 2013-01-24 | 2021-03-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and susceptor |
Families Citing this family (370)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
| JP2002327275A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
| US7347901B2 (en) * | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
| JP4376070B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2009-12-02 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
| US20050173253A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for infilm defect reduction for electrochemical copper deposition |
| DE102004055449B4 (de) * | 2004-11-17 | 2008-10-23 | Steag Hamatech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| US20080314320A1 (en) * | 2005-02-04 | 2008-12-25 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters |
| WO2006095575A1 (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体薄膜の製造方法 |
| US20070169703A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Brent Elliot | Advanced ceramic heater for substrate processing |
| US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
| JP5069452B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-11-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 |
| DE102006038925A1 (de) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Vorrichtung zum Heizen einer Probe |
| KR100867191B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-11-06 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US8034181B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-10-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
| US20080299326A1 (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Asm Japan K.K. | Plasma cvd apparatus having non-metal susceptor |
| JP5171584B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-03-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| US8294068B2 (en) * | 2008-09-10 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing lamphead with improved cooling |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US20100177454A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Electrostatic chuck with dielectric inserts |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| EP2857786B1 (en) * | 2012-05-30 | 2020-12-23 | Kyocera Corporation | Flow path member, and heat exchanger and semiconductor manufacturing apparatus using same |
| JP6092857B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2017-03-08 | 京セラ株式会社 | 流路部材ならびにこれを用いた吸着装置および冷却装置 |
| US8901518B2 (en) * | 2012-07-26 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Chambers with improved cooling devices |
| US20150153116A1 (en) * | 2012-07-27 | 2015-06-04 | Kyocera Corporation | Flow path member, and heat exchanger and semiconductor manufacturing device using same |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US9353441B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Heating/cooling pedestal for semiconductor-processing apparatus |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| WO2014116392A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with concentric cooling base |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| KR102112368B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2020-05-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 |
| JP6173936B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| DE102014200060A1 (de) * | 2013-08-28 | 2015-03-19 | Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg | Sensorelement und Sensor mit einem entsprechenden Sensorelement |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US9101038B2 (en) | 2013-12-20 | 2015-08-04 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| JP6219229B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構 |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9960060B2 (en) * | 2014-10-10 | 2018-05-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Platen assembly |
| US10002782B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-06-19 | Lam Research Corporation | ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US20170140956A1 (en) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Single Piece Ceramic Platen |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| JP6183567B1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-08-23 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US10612122B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-04-07 | Vladimir E. Belashchenko | Plasma device and method for delivery of plasma and spray material at extended locations from an anode arc root attachment |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11236422B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-02-01 | Lam Research Corporation | Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| CN108054074A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-05-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种基座以及包括该基座的半导体处理设备 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| JP7101024B2 (ja) * | 2018-04-03 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
| US10633742B2 (en) * | 2018-05-07 | 2020-04-28 | Lam Research Foundation | Use of voltage and current measurements to control dual zone ceramic pedestals |
| TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
| KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11908715B2 (en) | 2018-07-05 | 2024-02-20 | Lam Research Corporation | Dynamic temperature control of substrate support in substrate processing system |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11183400B2 (en) | 2018-08-08 | 2021-11-23 | Lam Research Corporation | Progressive heating of components of substrate processing systems using TCR element-based heaters |
| US10872747B2 (en) | 2018-08-08 | 2020-12-22 | Lam Research Corporation | Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11533783B2 (en) * | 2019-07-18 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone heater model-based control in semiconductor manufacturing |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| CN113130279B (zh) * | 2019-12-30 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法 |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| RU201717U1 (ru) * | 2020-03-24 | 2020-12-29 | Екатерина Вячеславовна Ендиярова | Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
| KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| KR102572569B1 (ko) * | 2021-07-02 | 2023-08-29 | 광운대학교 산학협력단 | 열전달 구조물을 이용한 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법 |
| KR102572570B1 (ko) * | 2021-07-02 | 2023-08-29 | 광운대학교 산학협력단 | 멀티존 열전달 구조물을 이용한 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법 |
| KR102507875B1 (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-09 | 주식회사 동탄이엔지 | 정전척 및 정전척 제조 방법 |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07272834A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒータ及びその製造方法 |
| JPH08315965A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及びその製造方法、並びに処理装置 |
| JPH09162272A (ja) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Sony Corp | 静電チャック、薄板保持装置及び半導体製造装置並びに搬送方法 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3911386A (en) * | 1975-01-15 | 1975-10-07 | Ford Motor Co | Exhaust gas air fuel ratio sensor |
| US4622687A (en) * | 1981-04-02 | 1986-11-11 | Arthur H. Iversen | Liquid cooled anode x-ray tubes |
| JPS63276225A (ja) | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| US5078851A (en) * | 1989-07-26 | 1992-01-07 | Kouji Nishihata | Low-temperature plasma processor |
| US5280156A (en) * | 1990-12-25 | 1994-01-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heating apparatus and with ceramic substrate and dielectric layer having electrostatic chucking means |
| EP1120817B8 (en) | 1991-03-26 | 2007-10-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Use of a corrosion-resistant member |
| US5155652A (en) * | 1991-05-02 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck |
| US5376213A (en) | 1992-07-28 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US5800618A (en) * | 1992-11-12 | 1998-09-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof |
| KR100290748B1 (ko) * | 1993-01-29 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
| JP3297771B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置 |
| US5415225A (en) * | 1993-12-15 | 1995-05-16 | Olin Corporation | Heat exchange tube with embossed enhancement |
| JPH07249586A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法 |
| JPH07307377A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付セラミックスヒーター |
| US5745331A (en) * | 1994-01-31 | 1998-04-28 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with conformal insulator film |
| US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| TW299559B (ja) * | 1994-04-20 | 1997-03-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US6391147B2 (en) * | 1994-04-28 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| JPH07335630A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPH0817747A (ja) | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
| US5548470A (en) * | 1994-07-19 | 1996-08-20 | International Business Machines Corporation | Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity |
| US5595241A (en) | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| JPH09172001A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-30 | Sony Corp | 半導体製造装置の温度制御方法および装置 |
| JPH09219439A (ja) | 1996-02-13 | 1997-08-19 | Kobe Steel Ltd | 基板処理装置 |
| US5788799A (en) * | 1996-06-11 | 1998-08-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces |
| US5846375A (en) * | 1996-09-26 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment |
| US5834371A (en) * | 1997-01-31 | 1998-11-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof |
| US5880924A (en) * | 1997-12-01 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate |
| US6081414A (en) * | 1998-05-01 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system |
| US6318384B1 (en) * | 1999-09-24 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates |
-
1999
- 1999-12-01 JP JP34191699A patent/JP4209057B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-28 US US09/722,485 patent/US6951587B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07272834A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒータ及びその製造方法 |
| JPH08315965A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及びその製造方法、並びに処理装置 |
| JPH09162272A (ja) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Sony Corp | 静電チャック、薄板保持装置及び半導体製造装置並びに搬送方法 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100350207C (zh) * | 2002-04-10 | 2007-11-21 | 光洋热系统株式会社 | 加热装置 |
| JP2006080491A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-03-23 | Applied Materials Inc | 化学気相成長用の加熱基板支持 |
| JP2006295138A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱機能を有する基板載置機構および基板処理装置 |
| US7299566B2 (en) | 2005-03-16 | 2007-11-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate-placing mechanism having substrate-heating function |
| JP4588653B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱機能を有する基板載置機構および基板処理装置 |
| WO2006135007A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Limited | 成膜およびクリーニング方法 |
| JP2006351814A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Ltd | クリーニング方法、コンピュータプログラム及び成膜装置 |
| CN101517706B (zh) * | 2006-09-28 | 2012-05-23 | 科发伦材料株式会社 | 面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置 |
| WO2008038477A1 (fr) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Covalent Materials Corporation | Chauffage planaire et appareil de traitement thermique de semi-conducteurs comportant le chauffage |
| JP2009049061A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエハ処理装置及び半導体ウエハ処理方法 |
| US9202728B2 (en) | 2007-09-11 | 2015-12-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting mechanism, and substrate processing apparatus |
| KR101287225B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2013-07-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 탑재 기구, 기판 처리 장치, 기판 탑재 기구상으로의 막 퇴적 억제 방법 및 기억 매체 |
| WO2009113451A1 (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
| US10941477B2 (en) | 2013-01-24 | 2021-03-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and susceptor |
| JP2016069197A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 京セラ株式会社 | 流路部材 |
| KR101907246B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2018-12-07 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 지지용 척 구조물 |
| KR102199738B1 (ko) * | 2020-04-24 | 2021-01-08 | (주)코리아스타텍 | 건식 식각장비용 직냉식 정전척 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6951587B1 (en) | 2005-10-04 |
| JP4209057B2 (ja) | 2009-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4209057B2 (ja) | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20240112893A1 (en) | Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates | |
| JP7271443B2 (ja) | 半導体処理で使用するための静電チャック | |
| TWI702685B (zh) | 極端均勻加熱基板支撐組件 | |
| JP4067858B2 (ja) | Ａｌｄ成膜装置およびａｌｄ成膜方法 | |
| CN108987229B (zh) | 高温衬底基座模块及其组件 | |
| US6080970A (en) | Wafer heating apparatus | |
| US5886864A (en) | Substrate support member for uniform heating of a substrate | |
| KR101118863B1 (ko) | 유체 간극을 갖는 기판 홀더 및 그 기판 홀더를 제조하는방법 | |
| JP2007317772A (ja) | 静電チャック装置 | |
| KR20030041084A (ko) | 가열 장치 | |
| JP2001102435A (ja) | 載置台構造及び処理装置 | |
| JP2001237051A (ja) | 筒状体を有するセラミックヒーター及びこれを用いた加熱装置 | |
| JP2005510869A (ja) | 加熱真空支持装置 | |
| US20090277388A1 (en) | Heater with detachable shaft | |
| JP3446772B2 (ja) | 載置台および減圧処理装置 | |
| TW202136543A (zh) | 電漿腔室用低溫燒結塗層 | |
| JPH05275385A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002025912A (ja) | 半導体製造装置用サセプタとそれを用いた半導体製造装置 | |
| JPH07273175A (ja) | 保持装置 | |
| JPH11162620A (ja) | セラミックヒーター及びその均熱化方法 | |
| CN112185791A (zh) | 喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统 | |
| JP2002025913A (ja) | 半導体製造装置用サセプタとそれを用いた半導体製造装置 | |
| US20210305017A1 (en) | Inductively coupled plasma chamber heater for controlling dielectric window temperature | |
| WO2023200465A1 (en) | Showerhead assembly with heated showerhead |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061130 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080819 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081021 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081022 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141031 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |