JPH09162272A - 静電チャック、薄板保持装置及び半導体製造装置並びに搬送方法 - Google Patents
静電チャック、薄板保持装置及び半導体製造装置並びに搬送方法Info
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- JPH09162272A JPH09162272A JP7315630A JP31563095A JPH09162272A JP H09162272 A JPH09162272 A JP H09162272A JP 7315630 A JP7315630 A JP 7315630A JP 31563095 A JP31563095 A JP 31563095A JP H09162272 A JPH09162272 A JP H09162272A
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Abstract
できる静電チャック、このような静電チャックと保持台
とを備える薄板保持装置、このような薄板保持装置を備
える半導体製造装置、及びこのような薄板保持装置を用
いる搬送方法を提供する。 【解決手段】被吸着物40を静電吸着すべき面14の反
対側の面15も静電吸着可能に構成し、該静電チャック
10を保持する保持台20に静電吸着により着脱自在の
静電チャックとする。薄板保持装置30として、このよ
うな静電チャック10と保持台20とを組み合わせる。
かかる薄板保持装置を備える半導体製造装置とする。搬
送方法として、この薄板保持装置30で被吸着物40を
吸着したまま一つの工程で被吸着物の処理を行い、その
工程から該薄板保持装置30に被吸着物40を吸着した
まま他の工程に搬送する。
Description
るシリコンウエハ等の薄板を静電吸着して保持する静電
チャック、該静電チャックを備える薄板保持装置、該薄
板保持装置を備える半導体製造装置、及び該薄板保持装
置を用いる搬送方法に関する。
工や、多層配線プロセスでは、高密度プラズマを用いた
エッチング装置やCVD装置が多用されつつある。こう
いった高密度プラズマ利用装置では、プラズマからの入
熱によるウエハの温度上昇は避けて通れない問題の一つ
である。
昇はレジストマスクの劣化に結びつくし、Ti/TiN
のCVDでは、アルミニウム配線上のスルーホールへ適
用するときに、極端な温度上昇があると、アルミニウム
配線が融けてしまいかねない。
響を抑制するため、ウエハステージの温度制御手段が各
種検討されている。中でも静電チャックシステムは、静
電吸着を利用してウエハをステージに強く吸着し、ウエ
ハとステージの境界の熱伝導を促進することができ、プ
ロセス中に発生する熱によるウエハ表面の温度差を小さ
くできることから、高密度プラズマからの入熱などにも
十分対応可能なウエハステージを構築できる手法として
注目されている。
材料によって、セラミック系とポリイミド系とに大きく
分けることができる。このうち、ポリイミド系は、電極
表面への接着が容易なことや安価なことなどから、主に
エッチング装置のウエハ冷却システムとして多用されて
いる。しかし、耐久性が低く、高い頻度でフィルムを張
り替えねばならないこと、耐熱性に問題があり、CVD
等の高温用には使用できないなどの欠点があり、最近は
セラミック系が主流となっている。
ック製の静電チャックの場合も、ステージへの張り合わ
せは、一般的には接着剤を使用している。ところが、最
近の半導体製造プロセスの多様化に伴い、プロセス実施
時に制御したいウエハ温度も幅広い範囲になってきてい
る。
ジストや単結晶シリコンの加工に応用する−100℃以
下から、Cu等のハロゲン化物の蒸気圧の低い材料を加
工するために、数百度の加熱まで多肢に亘っている。C
VDも同様である。しかし、静電チャックとステージの
貼り合わせに使用する接着剤は、こういった幅広い温度
範囲をカバーするほどの耐久性を有するものはなく、問
題が生じる。
てしまったり、逆に200℃以上の高温側では接着剤が
融けてしまう。このような場合、静電チャックとステー
ジとが密着していないことになり、プロセス実行中のΔ
T(温度変化)は大きくなり、静電チャックの利点がな
くなってしまう。
ーできるような静電チャックとステージ(保持台)との
貼合せ方法が要望されていた。本発明は、上記要望に鑑
みなされたもので、第1に、保持台に接着剤を用いずに
貼り合わせることができる静電チャックを提供すること
を目的とする。
クと保持台とを備える薄板保持装置を提供することを目
的とする。第3に、本発明は、このような薄板保持装置
を備える半導体製造装置を提供することを目的とする。
置を用いる搬送方法を提供することを目的とする。
的を達成するため、次の静電チャックを提供する。 (1)絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に備え、
該チャック電極に電圧を印加することにより被吸着物を
表面に静電吸着する静電チャックであって、被吸着物を
静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可能に構成
し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸着により
着脱自在としたことを特徴とする静電チャック。 (2)被吸着物を静電吸着すべき静電力を発生する第1
チャック電極と、静電チャックを保持する保持台に静電
吸着すべき静電力を発生する第2チャック電極とを具備
する上記(1)記載の静電チャック。 (3)被吸着物を静電吸着すべき面にセラミックヒータ
を備えた上記(1)記載の静電チャック。
め、次の薄板保持装置を提供する。 (4)絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に備え、
該チャック電極に電圧を印加することにより被吸着物を
表面に静電吸着する静電チャックであって、被吸着物を
静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可能に構成
し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸着により
着脱自在とした静電チャックと該静電チャックを保持す
る保持台とを具備することを特徴とする薄板保持装置。 (5)上記保持台が、上記静電チャックを加熱又は冷却
する媒体の流路を備える上記(4)記載の薄板保持装
置。 (6)上記保持台が、高周波を印加できる電極を備える
上記(4)記載の薄板保持装置。
め、 (7)絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に備え、
該チャック電極に電圧を印加することにより被吸着物を
表面に静電吸着する静電チャックであって、被吸着物を
静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可能に構成
し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸着により
着脱自在とした静電チャックと該静電チャックを保持す
る保持台とを具備する薄板保持装置を備えることを特徴
とする半導体製造装置を提供する。
め、次の搬送方法を提供する。 (8)絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に備え、
該チャック電極に電圧を印加することにより被吸着物を
表面に静電吸着する静電チャックであって、被吸着物を
静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可能に構成
し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸着により
着脱自在とした静電チャックと該静電チャックを保持す
る保持台とを有する薄板保持装置で被吸着物を該静電チ
ャックに吸着したまま一つの工程で被吸着物の処理を行
い、該一つの工程から該静電チャックに被吸着物を吸着
したまま他の工程に搬送することを特徴とする搬送方
法。 (9)上記薄板保持装置の静電チャックの被吸着物を吸
着すべき表面にセラミックヒータを備える上記(8)記
載の搬送方法。
を、従来の接着剤の使用に代えて、両面静電チャック方
式の採用により、静電吸着で行うものである。静電チャ
ックによる保持台と静電チャックとの固着は、静電チャ
ックに内蔵させたチャック電極に電圧を印加するだけで
よく、これは温度の影響をそれほど受けないので、接着
剤を用いる場合の欠点である低温や高温での耐久性の問
題がなくなる。また、逆電圧の印加によって容易に着脱
できるので、メンテナンスや故障時のトラブルシュート
も簡単であるという効果もある。
に、セラミックヒータを内蔵させることにより、被吸着
物の加熱が容易になる。また、本発明の薄板保持装置
は、このような静電チャックと保持台とを備えるので、
ウエハ等の被吸着物を静電吸着によって静電チャックに
強く吸着することができると共に、静電チャックと保持
台とも静電吸着によって接着剤を用いずに固着できる。
従って、静電吸着は、広い温度範囲で使用可能であるの
で、静電チャックを介する保持台と被吸着物との熱伝導
を広い温度範囲で確保でき、被吸着物の温度差を可及的
に小さくして、被吸着物の良好な処理が可能である。
御のための媒体の通路、あるいは高周波(RF:Radio
Frequency )を印加する電極が内蔵可能であり、これに
より、種々の半導体製造装置に適用が可能となる。本発
明の半導体装置の製造装置は、かかる薄板保持装置を用
い、ウエハ等の被吸着物の温度を広い範囲で制御できる
ので、良好な半導体を歩留まりよく製造することができ
る。
板保持装置を用いているので、連続的なウエハの処理な
どの場合に、ウエハを固定したまま処理、搬送が可能で
あり、例えば高温処理が連続する複数の処理工程など
で、内蔵したヒータの加熱によりウエハの温度を保った
まま搬送できるため、処理の効率化、スループットの改
善などが可能である。
て、具体的に説明する。図1は、本発明の静電チャック
10とこれを保持する保持台20とを具備する薄板保持
装置30の一形態を示す断面図である。
電極11aと11bとを内蔵しており、それぞれ外部の
直流電圧を印加する電源と接続されており、それぞれの
電源から正負の電圧が印加されるようになっていて、い
わゆる双極式である。これらのチャック電極11a,1
1bは、絶縁層13によって被覆されている。かかる静
電チャック10は、シリコンウエハ等の被吸着物を吸着
する薄板保持面14と、これと反対側の、保持台20と
密着、保持される被保持面15とを有し、それぞれの面
は平滑処理されている。この静電チャック10は、被吸
着物を静電吸着するのみならず、自身も保持台20に静
電吸着される必要があるので、断面構造はほぼ対称形で
ある。チャック電極11a,11bは、通常の金属電極
で構成することができる。また、絶縁層12は、例えば
アルミナにCr2 O3 、TiO2等を添加したセラミッ
クやサファイヤ等で構成することができ、チャック電極
11a,11bの上の絶縁層の厚さは、両面共、通常1
〜数千μmの範囲とすることができる。
等の熱伝導性がよい材料で構成することができる。静電
チャックを挿入密着できる凹部21を設け、この凹部2
1の表面を、例えば絶縁性で、熱伝導性がよい窒化アル
ミニウム等の絶縁膜22で被覆してある。また、図示し
ないが、静電チャック10のチャック電極11a,11
bと電源とを接続する配線を通す接続孔を、静電チャッ
ク10のチャック電極の端子に対応させて設けてある。
に固定させるには、図2に示すように、静電チャック1
0を保持台20の凹部21に配置し、静電チャック10
の2つのチャック電極11a,11bにそれぞれ800
ボルト程度の正負の電圧を印加する。これにより、静電
チャック10と保持台20との界面に正負の電荷を発生
させ、この間に働くクーロン力によって、静電チャック
10を保持台20に密着、固定させる。
静電チャック10に固定させるには、図3に示すよう
に、静電チャック10を保持台20に静電吸着させてい
る状態では、被吸着物を固定すべき面14には既に電荷
が生じているので、単に被吸着物40を静電チャック1
0に載置するだけでよい。これにより、被吸着物40
は、静電チャック10に強力に静電吸着される。
電チャック10との界面は静電吸着力で密着し、更に静
電チャック10と保持台20との界面も静電吸着力で密
着している。従って、それぞれの界面が密着しているの
で、例えば保持台20に媒体などを流して温度制御する
場合、保持台20と被吸着物40との間の熱伝導は良好
であり、被吸着物30の温度制御を確実に行うことがで
きる。また、接着剤を使用していないので、例えば−1
00℃から数百度の広い温度範囲で、かかる良好な熱伝
導を確保することができる。
内蔵し、被吸着物の吸着と保持台への吸着とをこの一対
の電極で行う静電チャックを示したが、図4に示すよう
に、被吸着物の吸着力を発生させる第1チャック電極1
1c,11dと、保持台への吸着力を発生させる第2チ
ャック電極11x,11yとの2対の電極構造とした静
電チャック10aの形態も可能である。
着と、被吸着物の吸着とを別個にコントロールすること
ができるため、取扱が容易である。また、チャック電極
を可及的に静電チャック表面に配置することができ、こ
れにより静電吸着力が飽和に達するまでの時間を短縮す
ることができる。
端子12が外部に突出した構造の静電チャックと、この
端子12と接続でき、電源と端子12とを接続できる端
子用ホールが形成してある保持台20bとを有する薄板
保持装置30bを示す。この薄板保持装置30bは、静
電チャック10bを保持台20bに簡単に取り付けるこ
とができる。
一対のチャック電極11e,11fを対向させながら例
えばコイル状に配置したもので、吸着力の均一化が可能
である。本発明の薄板保持装置30は、例えばエッチン
グ、スパッタリング、CVD、PVD等の各種の半導体
製造装置に適用することができる。このため、静電チャ
ックや保持台には種々の装置を内蔵させることが好まし
い。
は、薄板保持面14表面に薄膜セラミックヒーター17
を形成し、このセラミックヒーター17にヒーター用電
源を接続した構造である。このセラミックヒーター17
は例えばCVD等で形成したSiC等で構成することが
できる。
ヒーター17を薄板保持面14に形成してあるため、被
吸着物を直接加熱することができ、静電チャック付ホッ
トプレートとして、例えばCVDの装置やクラスタツー
ルなどの搬送装置に適用できる。
すように、媒体の流路となる配管24を内部に設けた構
造の保持台20cを一形態として挙げることができる。
図13に示すように、加熱媒体又は冷却媒体をこの配管
24に流し、保持台20cを加熱冷却することにより、
静電チャック10を介して被吸着物40を加熱冷却して
被吸着物40の温度コントロールをすることができる。
本発明の薄板保持装置30は、被吸着物40と静電チャ
ック10とが静電吸着力で密着し、また、静電チャック
10と保持台20cとが静電吸着力で密着し、これらの
界面での熱の流れが良好であるので、被吸着物の温度コ
ントロールが容易である。
25を内蔵した保持台20dも一形態として挙げること
ができ、このような保持台20dは例えばプラズマエッ
チング装置に用いることができる。なお、図8に示した
ような媒体の流路24とRF電極25の両方を内蔵した
構造とすることもできる。
を高密度プラズマエッチング装置に適用する形態を図1
0に示す。この高密度プラズマエッチング装置100
は、いわゆる2周波方式のエッチング装置であり、真空
引きが可能なチャンバ101の側壁に加熱可能な側部R
F電極102が配置され、また、底壁部にはRF電極2
5を内蔵した保持台20dが配置され、上壁には保持台
と対向する電極としてのシリコンプレート103が設け
られ、そのシリコンプレート103上にはヒーター10
4が配置されている。側部RF電極102にはイオン密
度を調整する誘導RF電源(2.0MHz)が接続さ
れ、保持台20d内蔵のRF電極25にはウエハ40に
バイアスを印加するバイアスRF電源(1.8MHz)
が接続され、これらの高周波電源から高周波電力を印加
できるようになっている。チャンバ101の中のガスは
真空ポンプで排気口105から排出され、一方、プロセ
スガスは導入口106からチャンバ101内に導入され
る。
てシリコンウエハのエッチングを行うと、高密度プラズ
マHDPが発生し、高いアスペクト比の微細加工が可能
である。また、このプラズマエッチング装置100は、
本発明の薄板保持装置30を用い、メカクランプ式では
ないため、ウエハ全面のエッチングが可能であり、周辺
部のチップの歩留まりが高い。更に、例えばマスク材料
に対し高選択でかつ方向性の高い加工ができる−100
℃程度の低温エッチングを行う場合、図示しない媒体流
路に冷媒を流すことにより、ウエハの良好な温度制御が
可能である。逆に、高温でのエッチングにも対応するこ
とができる。その場合、図7に示したようなセラミック
ヒータ17を表面に設けた静電チャック10dを用いる
ことが好ましい。
マエッチング装置100に適用した例を示したが、その
他CVD装置、スパッタリング装置等の半導体製造装置
にも適用できることは勿論である。次に、本発明の薄板
保持装置を搬送方法に適用する例を説明する。図11
は、いわゆる枚葉式クラスタツールの装置レイアウトを
示すものである。このクラスタツール200は、ウエハ
の出し入れを行うロードロック室201a,201bを
備えるトランスファモジュール202に各種のプロセス
モジュール203a,203bを接続するものである。
これらのプロセスモジュール203a,203bはトラ
ンスファモジュール202を介してつながっており、そ
れぞれ独立に真空排気ポンプを有している。各プロセス
モジュール203a,203bでウエハの処理を行い、
プロセスモジュール203aで処理の終わったウエハ
を、そのプロセスモジュール203aから次のプロセス
モジュール203bに、トランスファモジュール202
の図示しない搬送ロボットで真空下において自動搬送す
るもので、ウエハを外気に晒さずに各種の処理が可能と
なっている。
ツールに適用されるもので、上述したような薄板保持装
置で被吸着物を吸着したままCVDなどの工程で被吸着
物の処理を行い、次いでその工程からその薄板保持装置
に被吸着物を吸着したまま別の工程に搬送する。
装置の一例を図12に示す。この薄板保持装置30d
は、搬送ロボットなどに連結されている支持筒50に保
持台20が固定され、この保持台20に静電チャック1
0dが着脱自在に固定できる構成となっている。静電チ
ャック10dは、被吸着物40を固定する薄板保持面1
4にセラミックヒータ17が成膜されており、被吸着物
40を直接加熱することができるようになっており、ま
た、一対のチャック電極11a,11bを内蔵する。そ
して、セラミックヒータ17にはヒータ用の電源が接続
され、チャック電極11a,11bにはチャック用電源
が接続されている。
を行う場合、まず、保持台20の凹部に静電チャック1
0dを配置し、次にシリコンウエハ40を静電チャック
10dに載置する。そして、電源からチャック電極11
a,11bに電圧を印加し、静電吸着力を発生させ、シ
リコンウエハ40を静電チャック10dに吸着させると
共に、静電チャック10dを保持台20に吸着させる。
これにより、シリコンウエハ40は薄板保持装置30d
に強く保持される。また、必要によりヒータ用電源から
セラミックヒータ17に電気を供給してシリコンウエハ
40を加熱してシリコンウエハ40の温度制御を行う。
に吸着したまま、例えば上記プロセスモジュール203
aの中に搬送し、そのままの状態でシリコンウエハの処
理を行う。次いでプロセスモジュール203aからその
吸着状態を維持したまま真空にされたトランスファモジ
ュール202に搬送し、更に別のプロセスモジュール2
03bの中に搬送し、ここで別の処理を行う。このプロ
セスモジュール203bでの処理が終わった後、再度ト
ランスファモジュール202に搬送し、ここでチャック
電極11a,11bへの電源を切り、あるいは逆電圧を
印加することにより、静電吸着力を消去し、シリコンウ
エハ40を静電チャックから取り外し、次いでシリコン
ウエハ40をロードロック室201bから外部に取り出
す。
ャック10dに密着させたままシリコンウエハ40の処
理と搬送を行い、セラミックヒータ17でシリコンウエ
ハ40を加熱して温度コントロールしながら搬送すれ
ば、シリコンウエハ40の降温を防止でき、熱のロスが
ないと共に、スループットが向上する。
2 O5 )のCVDにおいては、タンタルオキサイドのC
VD工程後、引き続き500℃程度にウエハを加熱しな
がら酸素プラズマに晒し、良質なタンタルオキサイドを
製造する工程がある。従来のように、ウエハのCVD処
理を行ったプロセスモジュールからウエハを単独で取り
出し、酸素プラズマ処理を行うプロセスモジュールに搬
送する方法では、ウエハが冷却されてしまい、酸素プラ
ズマ処理を行うプロセスモジュールの中で再度シリコン
ウエハの加熱を行わなければならない。従って、熱のロ
スがある上、加熱に要する時間でスループットが減少す
る。これに対して、本発明の搬送方法は、かかる問題が
ない。 [実験例1]図13に示すような、静電チャック10
と、熱媒体流路24を内蔵する保持台20cを具備する
薄板保持装置30を用いた。サンプルとして図14に示
すような断面構造のシリコンウエハ40aを用い、バイ
アスECR CVD装置を用い、温度が300℃の熱媒
体を保持台20cの媒体流路24に流しながら、下記の
条件で層間絶縁膜を成膜した。なお、図14のシリコン
ウエハ40aは、シリコン基板41の上に層間絶縁膜4
2が積層され、その層間絶縁膜42の上にアルミニウム
配線層43が形成された構造である。
00sccm 圧力 1Pa μ波パワー 2kWatt RFバイアス 500W 温度 300℃ チャック電極印加電圧 800Volt 従来であれば、こういった高温下では、静電チャックの
電極への接着が困難なので、成膜時の基板温度コントロ
ールが十分にできなかった。本発明の薄板保持装置30
を用いることにより、チャック電極に電圧を印加するこ
とで、表面にはウエハが、裏面では静電チャックがチャ
ッキングされるので、ウエハの温度コントロールが制御
性良く行えるようになった。その結果、図15に示すよ
うに、良好な膜質と再現性の良い層間絶縁膜44の成膜
を実現できた。 [実験例2]実験例1で用いた薄板保持装置30をIC
P(Inductively Coupled Plasma)タイプのエッチング
装置に組み込み、チラーを用いて−100℃の冷媒を流
し、サンプルとして図16に示すようなシリコンウエハ
40bの多層レジストのエッチングを行った。このシリ
コンウエハ40bは、シリコン基板41に層間絶縁膜4
2が積層され、この層間絶縁膜42上に形成されたアル
ミニウム配線層43が層間絶縁膜44で覆われた半導体
の上に、下層レジスト45が成膜され、その上にパター
ニングされたSOG(Spin On Glass )46と上層レジ
スト47が積層された構造である。エッチング条件を次
に示す。
ャック10と保持台20cとを密着させるような接着剤
は存在せず、こういう系での静電チャックの使用は困難
であった。しかし、本発明の薄板保持装置30を用いた
ことにより、チャック電極へ電圧を印加すると、表面に
はウエハが、裏面では静電チャックが保持台へチャッキ
ングされるので、極低温でのウエハの温度制御が可能に
なった。その結果、図17に示す多層レジストを低バイ
アスで加工できるので、マスクのSOG等の後退を生じ
ることなく、変換差のない多層レジストを実現できた。
で保持台との密着が確保できる。本発明の薄板保持装置
は、広い温度範囲で被吸着物の温度制御が容易である。
本発明の半導体製造装置は、かかる薄板保持装置を用
い、広い温度範囲でウエハ等の温度制御ができるので、
良好な半導体を製造することができる。
で、高スループットに半導体の処理が可能になる。
図である。
略断面図である。
態を説明する概念図である。
る。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
チング装置に適用した一形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
ある。
を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
を示す断面図である。
態を示す断面図である。
Claims (9)
- 【請求項1】絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に
備え、該チャック電極に電圧を印加することにより被吸
着物を表面に静電吸着する静電チャックであって、 被吸着物を静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可
能に構成し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸
着により着脱自在としたことを特徴とする静電チャッ
ク。 - 【請求項2】被吸着物を静電吸着すべき静電力を発生す
る第1チャック電極と、静電チャックを保持する保持台
に静電吸着すべき静電力を発生する第2チャック電極と
を具備する請求項1記載の静電チャック。 - 【請求項3】被吸着物を静電吸着すべき面にセラミック
ヒータを備える請求項1記載の静電チャック。 - 【請求項4】絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に
備え、該チャック電極に電圧を印加することにより被吸
着物を表面に静電吸着する静電チャックであって、被吸
着物を静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可能に
構成し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸着に
より着脱自在とした静電チャックと該静電チャックを保
持する保持台とを具備することを特徴とする薄板保持装
置。 - 【請求項5】上記保持台が、上記静電チャックを加熱又
は冷却する媒体の流路を備える請求項4記載の薄板保持
装置。 - 【請求項6】上記保持台が、高周波を印加できる電極を
備える請求項4記載の薄板保持装置。 - 【請求項7】絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に
備え、該チャック電極に電圧を印加することにより被吸
着物を表面に静電吸着する静電チャックであって、被吸
着物を静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可能に
構成し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸着に
より着脱自在とした静電チャックと該静電チャックを保
持する保持台とを具備する薄板保持装置を備えることを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項8】絶縁層で被覆されたチャック電極を内部に
備え、該チャック電極に電圧を印加することにより被吸
着物を表面に静電吸着する静電チャックであって、被吸
着物を静電吸着すべき面の反対側の面も静電吸着可能に
構成し、該静電チャックを保持する保持台に静電吸着に
より着脱自在とした静電チャックと該静電チャックを保
持する保持台とを有する薄板保持装置で被吸着物を該静
電チャックに吸着したまま一つの工程で被吸着物の処理
を行い、該一つの工程から該静電チャックに被吸着物を
吸着したまま他の工程に搬送することを特徴とする搬送
方法。 - 【請求項9】上記薄板保持装置の静電チャックの被吸着
物を吸着すべき表面にセラミックヒータを備える請求項
8記載の搬送方法。
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JPH11111830A (ja) | 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法 |
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