KR20220086487A - 정전 척 및 기판 고정 장치 - Google Patents

정전 척 및 기판 고정 장치 Download PDF

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다카시 오누마
게이이치 다케모토
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신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

정전 척은 흡착 대상물이 재치되는 재치면을 갖는 베이스 바디와, 베이스 바디에 임베드된 전극을 포함한다. 베이스 바디에는, 재치면 측으로 개방되고 전극에 도달하지 않는 홈이 마련된다. 세라믹으로 이루어지는 저저항 영역과 저저항 영역보다 체적 저항률이 높은 세라믹으로 이루어지는 고저항 영역이, 베이스 바디의 두께 방향으로 홈의 바닥면과 전극 사이에서 홈에 가까운 측으로부터 순차적으로 배치된다.

Description

정전 척 및 기판 고정 장치{ELECTROSTATIC CHUCK AND SUBSTRATE FIXING DEVICE}
본 발명은 정전 척 및 기판 고정 장치에 관한 것이다.
종래에, IC 및 LSI 등의 반도체 디바이스를 제조할 때 사용되는 성막 장치(예를 들면, CVD 장치, PVD 장치 등) 및 플라스마 에칭 장치는 진공 처리 챔버에 웨이퍼를 정밀하게 유지하기 위한 스테이지를 갖는다.
이러한 스테이지로서, 예를 들면 베이스 플레이트에 장착된 정전 척에 의해 흡착 대상물인 웨이퍼를 흡착 유지하도록 구성된 기판 고정 장치가 제안되어 있다. 예를 들면, 정전 척의 베이스 바디에 정전 전극이 임베드되고, 웨이퍼를 흡착 유지하기 위한 베이스 바디의 재치면(placement surface)이 요철 구조로 형성되어 있다.
WO 2016/158110
그러나, 웨이퍼를 흡착 유지하기 위한 재치면이 요철 구조를 가질 경우, 오목부의 바닥면과 베이스 바디에 임베드된 정전 전극 사이의 거리가 짧아져, 방전이 쉽게 일어날 수 있다.
본 개시는 상기 사정을 감안해서 이루어진 것이고, 정전 척에서의 방전의 발생을 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시형태는 정전 척에 관한 것이다. 정전 척은 흡착 대상물이 재치되는 재치면을 갖는 베이스 바디와, 베이스 바디에 임베드된 전극을 포함한다. 베이스 바디에는 재치면측으로 개방되고 전극에 도달하지 않는 홈이 마련된다. 세라믹으로 이루어지는 저저항 영역과 저저항 영역보다 체적 저항률이 높은 세라믹으로 이루어지는 고저항 영역이, 베이스 바디의 두께 방향으로 상기 홈의 바닥면과 상기 전극 사이에서 홈에 가까운 측으로부터 순차적으로 배치된다.
개시된 기술에 따르면, 정전 척에서의 방전의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
도 1a 및 도 1b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화해서 예시하는 도면.
도 2a 내지 도 2d는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면.
도 3a 및 도 3b는 제1 실시형태의 제1 변형예에 따른 기판 고정 장치를 간략화해서 예시하는 도면.
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 실시형태를 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 구성을 갖는 부분에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략할 경우가 있다.
<제1 실시형태>
[기판 고정 장치의 구조]
도 1a 및 도 1b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화해서 예시하는 도면이며, 도 1a는 단면도이고, 도 1b는 평면도이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 기판 고정 장치(1)는 주요 구성 요소로서 베이스 플레이트(10), 접착층(20), 및 정전 척(30)을 갖는다. 기판 고정 장치(1)는 정전 척(30)에 의해 흡착 대상물인 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼 등)을 흡착 유지하도록 구성된 장치이다.
베이스 플레이트(10)는 정전 척(30)을 장착하기 위한 부재이다. 베이스 플레이트(10)의 두께는, 예를 들면 약 20mm 내지 40mm이다. 베이스 플레이트(10)는, 예를 들면 알루미늄 및 초경합금 등의 금속 재료, 금속 재료와 세라믹의 복합 재료 등으로 형성되고, 플라스마를 제어하기 위한 전극 등으로서 사용될 수 있다. 예를 들면 입수 용이성, 가공 용이성, 열전도율 양호성 등의 관점에서, 알루미늄 또는 그 합금을 사용하고, 표면에 알루마이트 처리(절연층 형성)를 실시한 재료를 바람직하게 사용할 수 있다.
예를 들면, 베이스 플레이트(10)에 미리 결정된 고주파 전력을 공급함으로써, 생성된 플라스마 상태의 이온 등을 정전 척(30)에 흡착된 기판과 충돌하게 하는 에너지를 제어할 수 있고, 에칭 처리를 효과적으로 수행할 수 있다.
베이스 플레이트(10)는 내부에 냉매 유로가 마련될 수 있다. 냉매 유로는, 예를 들면 베이스 플레이트(10)에 환상 형상(annular shape)으로 형성된 구멍이다. 예를 들면, 냉각수나 GALDEN 등의 냉매가 기판 고정 장치(1)의 외부로부터 냉매 유로에 도입된다. 냉매 유로에 냉매를 순환시켜 베이스 플레이트(10)를 냉각함으로써, 정전 척(30)에 흡착된 기판을 냉각시킬 수 있다.
정전 척(30)은 접착층(20)을 개재해서 베이스 플레이트(10)의 일면에 장착된다. 접착층(20)은 예를 들면 실리콘 접착제이다. 접착층(20)의 두께는, 예를 들면 약 0.01mm 내지 1.0mm이다. 접착층(20)은 베이스 플레이트(10)와 정전 척(30)을 본딩하는 효과가 있고, 세라믹으로 이루어지는 정전 척(30)과 알루미늄으로 이루어지는 베이스 플레이트(10) 사이의 열팽창 계수의 차이로 인해 발생하는 응력을 감소시키는 효과가 있다. 또한, 정전 척(30)은 나사에 의해 베이스 플레이트(10)에 고정될 수도 있다.
정전 척(30)은 베이스 바디(31), 정전 전극(32), 및 고저항 영역(33)을 주요 구성 요소로 한다. 베이스 바디(31)의 상면은 흡착 대상물이 재치되는 재치면(31a)이다. 정전 척(30)의 평면 형상은 기판의 형상에 따라 형성되고, 예를 들면 원형이다. 정전 척(30)의 흡착 대상물인 웨이퍼의 직경은, 예를 들면 8인치, 12인치, 또는 18인치이다. 정전 척(30)은 존슨-라벡형 정전 척이다.
'위에서 봤을 때'라는 기재는 베이스 바디(31)의 재치면(31a)의 법선 방향에서 대상물을 본 것을 나타내고, '평면 형상'이라는 기재는 베이스 바디(31)의 재치면(31a)의 법선 방향에서 본 대상물의 형상을 나타낸다.
베이스 바디(31)는 유전체이다. 베이스 바디(31)로서는, 예를 들면 산화알루미늄(Al2O3) 및 질화알루미늄(AlN) 등의 세라믹이 사용된다. 베이스 바디(31)에는, 예를 들면 산화티타늄이 첨가된다. 베이스 바디(31)는, 규소(Si), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al) 및 이트륨(Y)에서 선택된 2 이상의 원소의 산화물을 보조제로서 포함할 수 있다. 베이스 바디(31)의 두께는, 예를 들면 약 0.5mm 내지 10mm이고, 베이스 바디(31)의 비유전율(㎑)은 예를 들면 약 9 내지 10이다.
정전 전극(32)은 박막 전극이고 베이스 바디(31)에 임베드된다. 정전 전극(32)은 기판 고정 장치(1)의 외부에 마련된 전원에 연결되고, 전원으로부터 미리 결정된 전압이 인가될 때 정전기에 의해 정전 전극과 기판 사이에 흡착력을 발생시킨다. 이에 의해, 정전 척(30)의 베이스 바디(31)의 재치면(31a) 상에 기판을 흡착 유지하는 것이 가능하다. 정전 전극(32)에 인가되는 전압이 높을수록, 흡착 유지력이 강해진다. 정전 전극(32)은 유니폴라 형태 또는 바이폴라 형태를 가질 수 있다. 정전 전극(32)의 재료로서는, 예를 들면 텅스텐, 몰리브덴 등이 사용된다.
베이스 바디(31)의 내부에는, 기판 고정 장치(1)의 외부로부터 전압을 인가함으로써 발열하고 베이스 바디(31)의 재치면(31a)이 미리 결정된 온도가 되게 가열하도록 구성된 발열체가 마련될 수 있다.
정전 척(30) 및 베이스 플레이트(10)에는, 정전 척(30)에 흡착 유지된 기판을 냉각하기 위한 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급 유닛(11)이 마련되어 있다. 가스 공급 유닛(11)은 가스 유로(111), 가스 주입부(112), 및 가스 배출부(113)를 포함한다.
가스 유로(111)는, 예를 들면 베이스 플레이트(10)에 환상 형상으로 형성된 구멍이다. 가스 주입부(112)는 일단이 가스 유로(111)와 연통하여 베이스 플레이트(10)의 내부를 관통하도록 구성되고, 타단이 베이스 플레이트(10)의 하면으로부터 외부로 노출되는 구멍이고, 기판 고정 장치(1)의 외부로부터 가스 유로(111)로 불활성 가스(예를 들면, He, Ar 등)를 도입하도록 구성된다.
베이스 바디(31)에는, 재치면(31a) 측으로 개방되고 정전 전극(32)에 도달하지 않는 홈(31x)이 마련되어 있다. 홈(31x)은, 예를 들면 위에서 봤을 때, 베이스 바디(31)에 환상 형상으로 마련된다. 홈(31x)의 폭 방향의 단면 형상은, 예를 들면 직사각형이다. 홈(31x)의 폭은, 예를 들면 약 0.5mm 내지 2mm이다. 베이스 바디(31)의 재치면(31a)을 기준으로 한 홈(31x)의 깊이는, 예를 들면 약 0.1mm 내지 0.5mm이다.
가스 배출부(113)는 일단이 가스 유로(111)와 연통되도록 구성되고 타단이 베이스 바디(31)의 재치면(31a)에 마련된 홈(31x)의 바닥면으로부터 외부로 노출되고, 가스 유로(111)로 도입된 불활성 가스를 기판의 하면 측으로 배출하도록 구성된다. 즉, 가스 배출부(113)는 홈(31x)의 바닥면으로 개방되고, 홈(31x)의 바닥면으로부터 베이스 바디(31)의 두께 방향으로 고저항 영역(33)을 관통하고, 접착층(20)을 더 관통하여, 베이스 플레이트(10)에 형성된 가스 유로(111)와 연통된다.
가스 배출부(113)는, 위에서 봤을 때, 홈(31x)의 바닥면에 점재(點在)해 있다. 구체적으로, 가스 배출부(113)는, 위에서 봤을 때, 홈(31x)의 바닥면에 환상 형상으로 미리 결정된 간격으로 마련된다. 가스 배출부(113)의 수는 필요에 따라 적절히 결정될 수 있지만, 예를 들면 약 10 내지 100이다. 홈(31x)에 가스를 공급함으로써, 재치면(31a)에 흡착된 기판을 용이하게 제거할 수 있다.
한편, 홈(31x)의 바닥면과 정전 전극(32)의 상면 사이의 거리가 재치면(31a)과 정전 전극(32)의 상면 사이의 거리보다 짧기 때문에, 홈(31x) 부근에서 방전이 일어나기 쉽다. 특히, 저저항 특성을 얻기 위해 베이스 바디(31)에 산화티타늄 등을 첨가할 경우, 베이스 바디(31)를 구성하는 세라믹의 입자가 커져 밀도 저하 및 세라믹 약화를 초래한다. 이 때문에, 베이스 바디(31)에 보이드 등이 발생하기 쉬어, 방전의 원인이 된다. 홈(31x) 부근과 같이 정전 전극(32)의 상면까지의 거리가 짧은 경우, 작은 보이드에서도 방전이 일어나기 쉽다.
정전 척(30)에 있어서, 베이스 바디(31)의 두께 방향으로 홈(31x)의 바닥면과 정전 전극(32)의 상면(홈(31x) 측의 면) 사이에 고저항 영역(33)이 마련되어 있다. 고저항 영역(33)은, 예를 들면 정전 전극(32)의 상면에 접해 배치되어 있다. 고저항 영역(33)은 베이스 바디(31)의 다른 영역보다 체적 저항률이 높은 영역이다. 도 1a 및 도 1b 등에서는, 편의상, 고저항 영역(33)을 베이스 바디(31)와는 별개의 참조 부호로 나타내었다. 단, 고저항 영역(33)은 베이스 바디(31)를 구성하는 세라믹의 일부이다.
구체적으로, 베이스 바디(31)에서, 세라믹으로 이루어지는 저저항 영역과 저저항 영역보다 높은 체적 저항률을 갖는 세라믹으로 이루어지는 고저항 영역(33)이, 베이스 바디(31)의 두께 방향으로 홈(31x)과 정전 전극(32) 사이에서 홈(31x)에 가까운 측으로부터 순차적으로 배치된다. 베이스 바디(31)에서, 고저항 영역(33)을 제외한 영역 전체이 저저항 영역이다.
고저항 영역(33)의 체적 저항률은, 예를 들면 1015Ωm 이상이다. 베이스 바디(31)에 있어서, 고저항 영역(33)을 제외한 영역(즉, 저저항 영역)의 체적 저항률은, 예를 들면 약 1010 내지 1012Ωm이다. 예를 들면, 고저항 영역(33)의 체적 저항률은 저저항 영역의 체적 저항률의 100배 이상이다. 고저항 영역(33)은 홈(31x)과 정전 전극(32) 사이에 마련되어, 홈(31x) 부근에서의 방전의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
고저항 영역(33)에는, 베이스 바디(31)의 주요부를 구성하는 저저항 영역보다 체적 저항률이 높은 것이면 어떠한 재료도 사용할 수 있다. 그러나, 예를 들면 고저항 영역(33)은 바람직하게는 조밀하고 고저항 및 고내전압 특성을 갖는 산화알루미늄(알루미나)으로 형성된다. 예를 들면, 산화티타늄 등이 첨가되지 않은 산화알루미늄을 사용함으로써 저저항 영역보다 체적 저항률이 높은 영역을 형성하는 것이 가능하다. 고저항 영역(33)을 형성하기 위한 재료는 산화알루미늄 단체(單體)에 한정되지 않고, Si, Ca, Mg 등의 산화물을 첨가해도 된다. 고저항 영역과 저저항 영역의 주성분(예를 들면, 알루미나)은 동일한 것이 바람직하다. 이 경우, 첨가제의 타입을 변경해서 체적 저항률을 변경할 수 있다.
방전을 억제하는 효과를 높이는 관점에서, 고저항 영역(33)은, 위에서 봤을 때, 홈(31x)과 중첩되는 영역에 마련되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 홈(31x)이 환상 형상으로 마련될 경우, 위에서 봤을 때, 고저항 영역(33)은 홈(31x)과 중첩되는 영역에서 환상 형상으로 마련되는 것이 바람직하다. 또한, 고저항 영역(33)의 폭은 홈(31x)과 동일할 수 있다. 그러나, 방전을 억제하는 효과를 높이는 관점에서, 고저항 영역(33)의 폭은 홈(31x)보다 큰 것이 바람직하다. 고저항 영역(33)의 두께는 10㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 고저항 영역(33)의 두께가 10㎛ 이상이면, 방전을 억제하는 효과가 충분히 얻어진다. 또한, 고저항 영역(33)의 두께가 30㎛ 이하일 경우, 고저항 영역(33) 주위에 위치하는 저저항 영역과 정전 전극(32) 사이에 양호한 밀착성이 얻어진다.
[기판 고정 장치의 제조 방법]
도 2a 내지 도 2d는 도 1a에 대응하는 단면을 나타내는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시한다. 여기서, 정전 척(30)의 제조 공정을 주로 도 2a 내지 도 2d를 참조해서 설명한다.
우선, 도 2a에 도시된 공정에서, 그린 시트(311)를 준비하고, 그린 시트(311) 상에 페이스트(331)를 인쇄한다. 페이스트(331)는 소성에 의해 고저항 영역(33)이 되는 재료이다. 페이스트(331)는, 예를 들면, 조밀하고 고저항 및 고내전압 특성을 갖는 페이스트 상태의 산화알루미늄(알루미나 페이스트)이고, 산화티타늄 등이 첨가되어 있지 않다. 페이스트(331)는, 예를 들면, 위에서 봤을 때, 후속 공정에서 홈(31x)이 형성될 영역과 중첩되도록 마련될 수 있다. 인쇄는 페이스트(331)가 원하는 두께를 갖도록 여러 번 반복될 수 있다.
이어서, 도 2b에 도시된 공정에서, 페이스트(331)를 덮도록 그린 시트(311) 상에 금속 페이스트(321)를 미리 결정된 패턴으로 인쇄한다. 금속 페이스트(321)는 소성에 의해 정전 전극(32)이 되는 재료이다. 금속 페이스트(321)는, 예를 들면 텅스텐 페이스트 또는 몰리브덴 페이스트이다. 금속 페이스트(321)를 인쇄한 후, 페이스트(331) 및 금속 페이스트(321)가 형성된 그린 시트(311)를, 금속 페이스트(321)가 그린 시트(312)를 향하게 된 상태에서, 그린 시트(312) 상에 적층한다.
이어서, 도 2c에 도시된 공정에서, 도 2b에 도시된 구조를 소성하고, 필요에 따라 표면 연마 등을 행한다. 소성에 의해, 그린 시트(311)와 그린 시트가 일체화되어, 베이스 바디(31)가 형성된다. 또한, 소성에 의해, 금속 페이스트(321)로부터 정전 전극(32)이 형성되고, 페이스트(331)로부터 고저항 영역(33)이 형성된다.
이어서, 도 2d에 도시된 공정에서, 홈(31x) 및 홈(31x)의 바닥면으로 개방되는 가스 배출부(113)가 형성된다. 가스 배출부(113)는, 홈(31x)의 바닥면으로부터 베이스 바디(31)의 두께 방향으로 고저항 영역(33)을 관통하고 베이스 바디(31)의 하면 측으로부터 노출되도록 형성된다. 홈(31x) 및 가스 배출부(113)는, 예를 들면 블라스트 가공, 드릴 가공 등에 의해 형성될 수 있다.
도 2d에 도시된 공정 이후, 가스 유로(111), 가스 주입부(112), 냉각 기구 등이 사전에 형성된 베이스 플레이트(10)를 준비하고, 베이스 플레이트(10) 상에 접착층(20)(미경화)을 형성한다. 이어서, 도 2d에 도시된 구조체를 접착층(20)을 개재하여 베이스 플레이트(10)의 일면에 장착하고, 접착층(20)을 경화시킨다. 이상의 공정에 의해, 도 1a에 도시된 기판 고정 장치(1)가 완성된다.
이와 같이, 베이스 바디(31)의 두께 방향으로 홈(31x)과 정전 전극(32) 사이에 고저항 영역(33)이 마련되어, 정전 전극(32)으로 이어지는 취약한 개소가 있을 경우에도, 재치면(31a) 측으로부터 정전 전극(32)을 향하는 방전의 경로는 고저항 영역(33)에 의해 차단된다. 그 결과, 홈(31x) 부근에서의 방전의 발생을 억제할 수 있다.
고저항 영역(33)은, 베이스 바디(31)의 주요부의 체적 저항률이 비교적 낮고 방전이 일어나기 쉬운 존슨-라벡형 정전 척에 적용될 때 특히 효과적이다. 그러나, 고저항 영역(33)은 쿨롱 힘(Coulomb force) 타입의 정전 척에도 적용될 수 있다.
또한, 고저항 영역(33)은, 홈(31x)이 환상 형상으로 마련되지 않거나 가스 배출부(113)가 홈(31x)에 대해 개방되지 않은 경우에도, 방전을 억제하는 효과를 나타낸다는 점에 유의한다.
<제1 실시형태의 제1 변형예>
제1 실시형태의 제1 변형예에서는, 복수의 홈을 갖는 정전 척을 포함하는 기판 고정 장치의 예가 도시된다. 또한, 제1 실시형태의 제1 변형예에 있어서, 앞서 설명한 실시형태와 동일한 구성 부분의 설명을 생략할 경우가 있다.
도 3a 및 도 3b는 제1 실시형태의 제1 변형예에 따른 기판 고정 장치를 간략화해서 예시하는 도면이며, 도 3a는 단면도이고, 도 3b는 평면도이다. 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 기판 고정 장치(1A)에는, 위에서 봤을 때, 서로 접촉하지 않도록 2개의 홈(31x)이 동심원 방식으로 마련된다. 가스 배출부(113)는 각 홈(31x)의 바닥면으로 개방된다. 베이스 바디(31)의 두께 방향에서, 고저항 영역(33)은 각각의 홈(31x)과 정전 전극(32) 사이에 마련된다. 고저항 영역(33)은, 예를 들면 위에서 봤을 때, 각각의 홈(31x)과 중첩되는 영역에서 환상 형상으로 마련된다.
이와 같이, 정전 척(30)의 베이스 바디(31)에는 재치면(31a)으로 개방되는 2개의 홈(31x)이 마련될 수 있다. 이 경우에도, 고저항 영역(33)이 각 홈(31x)과 정전 전극(32) 사이에 마련되어, 각 홈(31x) 부근에서의 방전의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 가스 배출부(113)는 재치면(31a)으로 개방되는 각각의 홈(31x)의 바닥면으로 개방되어 있어서, 흡착 대상물인 기판을 효과적으로 냉각할 수 있다. 또한, 각각의 홈(31x)에 가스를 공급함으로써, 재치면(31a)에 흡착된 기판을 보다 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 재치면(31a)으로 개방되는 홈(31x)이 3개 이상 마련되어도 된다.
바람직한 실시형태 등을 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시형태 등에 한정되지 않고, 특허청구범위에 정의된 범위에서 벗어나지 않고 전술한 실시형태 등에 대해 다양한 변경 및 대체가 가능하다.
예를 들면, 본 발명의 기판 고정 장치의 흡착 대상물로서, 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼 등) 외에도, 액정 패널 등의 제조 공정에서 사용되는 유리 기판 등을 예시할 수 있다.

Claims (10)

  1. 흡착 대상물이 재치(placement)되는 재치면을 갖는 베이스 바디; 및
    상기 베이스 바디에 임베드된 전극을 포함하고,
    상기 베이스 바디에는, 상기 재치면 측으로 개방되고 상기 전극에 도달하지 않는 홈이 마련되고,
    세라믹으로 이루어지는 저저항 영역 및 상기 저저항 영역보다 체적 저항률이 높은 세라믹으로 이루어지는 고저항 영역이, 상기 베이스 바디의 두께 방향으로 상기 홈의 바닥면과 상기 전극 사이에서 상기 홈에 가까운 측으로부터 순차적으로 배치되는 정전 척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고저항 영역은, 위에서 볼 때, 상기 홈과 중첩되는 영역에 마련되는 정전 척.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 홈은, 위에서 봤을 때, 환상(annular) 형상으로 마련되고,
    상기 고저항 영역은 상기 홈과 중첩되는 영역에 환상 형상으로 마련되는 정전 척.
  4. 제3항에 있어서,
    복수의 홈이, 위에서 봤을 때, 서로 접촉하지 않도록 동심원 방식으로 마련되고,
    상기 고저항 영역은, 위에서 봤을 때, 각각의 홈과 중첩되는 영역에서 환상 형상으로 마련되는 정전 척.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고저항 영역은 상기 홈보다 폭이 큰 정전 척.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고저항 영역은 상기 홈을 향하는 상기 전극의 면과 접촉하는 정전 척.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홈의 바닥면으로 개방되는 가스 배출부를 더 포함하고,
    상기 가스 배출부는 상기 고저항 영역을 관통하도록 형성되는 정전 척.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고저항 영역은 산화알루미늄으로 형성되고, 체적 저항률이 1015Ωm 이상인 정전 척.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정전 척은 존슨-라벡(Johnsen-Rahbeck)형인 정전 척.
  10. 베이스 플레이트; 및
    상기 베이스 플레이트의 표면에 장착된 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 정전 척을 포함하는 기판 고정 장치.
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