JP6183567B1 - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
Description
このような静電チャックにおいては、上述のプロセスの高出力化・高温化に鑑みて、静電チャックの面内の温度分布の均一性を向上させ、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることが、従来よりもさらに求められている。
第6の発明は、処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、前記側面は、前記第2主面の側の第1の領域と、前記第1の領域の下方に位置する第2の領域と、を有し、前記第1の領域における最大高さSzのばらつきは、前記第2の領域における最大高さSzのばらつきよりも小さいことを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第1の連通路の上面の最大高さSzのばらつきが小さいことにより、静電チャックの面内の温度分布の均一性を向上させることができ、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。また、この静電チャックによれば、第2の領域の表面粗さのばらつきが大きいことにより、乱流が促進され、第1の連通路を流れる媒体よる温度調整効果が高くなる。これにより、ランプレートを高くすることができる。また、上方に位置する第1の領域における表面粗さのばらつきが小さいことで、第1の連通路の上部で熱伝達のばらつきを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。
第8の発明は、処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、前記上面の材料と前記下面の材料とは、互いに異なることを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第1の連通路の上面の最大高さSzのばらつきが小さいことにより、静電チャックの面内の温度分布の均一性を向上させることができ、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。また、この静電チャックによれば、上面の材料と下面の材料とを互いに異ならせることにより、上面の粗さと下面の粗さとを互いに異ならせることができる。例えば、下面にろう材を用いることで下面を粗くすることができる。粗い面では、乱流が促進され、ランプレートを高くすることができる。
第11の発明は、処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、前記側面は、前記第2主面の側の第1の領域と、前記第1の領域の下方に位置する第2の領域と、を有し、前記第1の領域における最大高さSzのばらつきは、前記第2の領域における最大高さSzのばらつきよりも小さく、前記第1の領域の材料におけるアルミニウム濃度は、前記第2の領域の材料におけるアルミニウム濃度よりも高いことを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第1の連通路の上面の最大高さSzのばらつきが小さいことにより、静電チャックの面内の温度分布の均一性を向上させることができ、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。また、この静電チャックによれば、第2の領域の表面粗さのばらつきが大きいことにより、乱流が促進され、第1の連通路を流れる媒体よる温度調整効果が高くなる。これにより、ランプレートを高くすることができる。また、上方に位置する第1の領域における表面粗さのばらつきが小さいことで、第1の連通路の上部で熱伝達のばらつきを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。また、この静電チャックによれば、アルミニウムの濃度によって、下面を上面よりも粗くすることができる。例えば、上面の材料にアルミニウムを用い、下面の材料にアルミニウム以外の元素を含むアルミニウム合金などのろう材を用いる。粗い面では、乱流が促進され、ランプレートを高くすることができる。
第17の発明は、処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、前記第1の連通路は、前記上面と前記側面とをつなぐ、曲面状の接続部をさらに有することを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第1の連通路の上面の最大高さSzのばらつきが小さいことにより、静電チャックの面内の温度分布の均一性を向上させることができ、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。また、この静電チャックによれば、上面と側面との接続部における乱流の影響を抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。
第19の発明は、処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、前記第1の連通路は、前記第2主面の側の第1の空間部と、前記第1の空間部の下方の第2の空間部と、を有し、前記第2の空間部の横幅は、下方に向けて狭くなることを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第1の連通路の上面の最大高さSzのばらつきが小さいことにより、静電チャックの面内の温度分布の均一性を向上させることができ、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。また、この静電チャックによれば、ベースプレートの接合面を広くとることができ、接合強度を向上させることができる。接合面にろう材を使用した場合には、ろう材が第1の連通路の側面に沿って、第1の連通路の上部まで上昇することを抑制できる。これにより、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。
第22の発明は、処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、前記ベースプレートは、第1の部分と、前記第1の部分の上方に設けられ前記第1の部分と接合された第3の部分と、前記第1の部分と前記第3の部分との間に設けられ、前記第1の連通路を流れる媒体とは異なるガス媒体を通す第2の連通路と、を有し、前記第2の連通路は、前記第1の連通路よりも前記第2主面の側に設けられ、前記第1の部分と前記第3の部分との接合部は、前記第2の連通路の上下方向における中央よりも下方に位置し、前記第2の連通路は、前記第2主面の側の第3の空間部と、前記第3の空間部の下方の第4の空間部と、を有し、前記第4の空間部の横幅は、下方に向けて狭くなることを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第1の連通路の上面の最大高さSzのばらつきが小さいことにより、静電チャックの面内の温度分布の均一性を向上させることができ、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。また、この静電チャックによれば、第2の連通路にガス媒体を通すことで、処理対象物との間で熱伝達を行うガス媒体を所定の箇所に所定の圧力で供給することができる。また、この静電チャックによれば、ベースプレートの接合面を広くとることができ、接合強度を向上させることができる。接合面にろう材を使用した場合には、ろう材が第2の連通路の側面に沿って、第2の連通路の上部まで上昇することを抑制できる。これにより、処理対象物の面内の温度均一性を向上させることができる。
図1は、実施形態に係る静電チャックを例示する断面図である。
図1に表したように、本実施形態に係る静電チャック110は、セラミック誘電体基板11と、ベースプレート500と、を有する。
例えば、図2(a)に表したように、ベースプレート500を上方から見たときに、入力路51と出力路52とは、ベースプレート500の外周付近に設けられ、X方向において互いに離間している。入力路51と出力路52とを繋ぐ連通路55は、複数の折り返し部55eを有する。この折り返し部55eは、連通路55がX−Y平面内において屈曲した部分であり、折り返し部55eにおいて連通路55が延在する方向は、ある方向から、その逆方向に変化する。複数の折り返し部55eにより、連通路55は、上方から見たときにベースプレート500の略全体にわたって延在するように配置されている。
図3は、例えば一部の連通路55の延在方向に直交する平面における断面を表している。すなわち、図3に表した連通路55には、紙面に対して垂直方向に冷却媒体等が流れる。
実施形態において、各面における最大高さSz(μm)は、各面(表面)を観察することで、測定される。観察には、デジタルマイクロスコープを用いることができ、倍率は、例えば100倍程度である。
図4(a)及び図4(b)は、最大高さSzの測定方法を例示する模式図である。
図4(a)は、観察対象表面の観察範囲Rにおける凹凸を例示する模式的断面図である。任意の倍率で測定した画像マップにおいて、表面の凹凸の最高点(点PH)の高さと、表面の凹凸の最低点(点PL)の高さと、の差を、最大高さSzとする。換言すると、最大高さSzは、観察範囲内において、観察範囲の平均面PAから最も突き出た点PHと最も凹んだ点PLとの間の、当該平均面に対して垂直方向に沿った長さである。観察対象が上面55Uの場合には、観察範囲内において、上面55Uの最高点のZ方向における位置と、上面55Uの最低点のZ方向における位置と、の差が最大高さSz(μm)である。したがって、表面が粗いほど、最大高さSz(μm)は大きい。
最大高さSzは、例えば面内の24点の測定点について測定される。図4(b)は、連通路55の平面パターンが図2(c)の例である場合の測定点を例示する。1〜24の数字が付された箇所が測定点に対応する。
ベースプレート500の中心から外周へ向かう1つの方向上に位置する連通路55から、3つの測定点を選定する。この3つの測定点は、ベースプレートの半径を3等分する位置を目安に選定される。例えば、ベースプレートの半径が150mmである場合、中心から50mmの点、100mmの点、及び150mmの点を測定点とする。中心からの上記の距離だけ離れた位置に連通路55が無い場合は、当該位置に最も近い連通路55の一部から測定点を選定する。そして、ベースプレート500の中心から外周へ向かう8つの方向のそれぞれについて、上述のように3つずつ測定点を選定し、測定点を合計24点とする。なお、8つの方向は、円周(ベースプレートの外周)を略8等分するように定められる。つまり、8つの方向のうち、隣合う2つの方向同士が成す角度は、45°程度である。また、1つの測定点(観察範囲)の大きさは、例えば、10(mm)×10(mm)程度とすることができる。
図5では、処理対象物Wは、例えば半導体ウェーハである。図5の横軸は、連通路55の高さに対する、上面55Uにおける最大高さSzのばらつきの比である。すなわち、図5の横軸は、((Sz−max)−(Sz−min))/Lz(%)を表す。
「ΔT(℃)」は、処理対象物Wの温度の変化幅である。ΔTは、例えば、連通路55を通る媒体の温度を制御するチラーの温度と処理対象物Wの温度との差に対応する。ΔTは、例えばヒータやRF電圧等によって変化させた処理対象物Wの温度の幅である。つまり、例えば、チラーの温度調整媒体等の設定温度がT1(℃)であり、処理対象物Wの温度(例えば平均温度)がT2(℃)である場合、言い換えれば静電チャックによって処理対象物Wの温度(平均温度)をT2からT1へ変化させる場合、ΔT=|T2−T1|である。
「処理対象物面内の温度ばらつき(℃)」は、処理対象物Wの温度をΔTだけ変化させたときの、処理対象物Wの面内(X−Y平面内)における最高温の箇所と最低温の箇所との温度差である。
ランプレート(単位時間あたりの所定の温度までの温度追従性)は、ランプアップ(昇温)と、ランプダウン(降温)の平均であり、処理対象物Wの温度の熱源への温度追従性を示す。つまり、ランプレートは、設定温度を変更した際に、処理対象物Wが当該設定温度に到達するスピードに対応する。ランプレートが高いほど追従性がよく、ランプレートは、タクトタイムに関係する。
ランプレートを議論する際は、熱源からの入熱量による規格化を行う。入熱量Yキロワット(kW)で、ランプレート(℃/秒(s))を割った値を縦軸とする。また、図7の横軸は、連通路55の高さに対する上板厚さの比を表す。すなわち、横軸の値は、Dz(mm)/Lz(mm)である。
図8の横軸は、連通路55の横幅に対する連通路55の高さの比(Lz/Lx)、すなわち連通路55のアスペクト比を表す。図7では、連通路55の断面積(冷却媒体が流れる方向に対して垂直な平面における断面積)を一定として、アスペクト比を変化させている。
また、図8の右縦軸は、図5の縦軸と同様に、処理対象物面内の温度ばらつき/ΔT(%)を表す。図8に示した特性CT2は、処理対象物面内の温度ばらつき/ΔTとアスペクト比との関係を示す。
一方、特性CT1に示すように、アスペクト比(Lz/Lx)が1よりも大きくなると、単位長さ当たりの圧力損失が大きくなる。そこで、実施形態においては、アスペクト比を6未満とする。これにより、圧力損失が大きくなりすぎることを抑えつつ、処理対象物Wの面内の温度均一性を向上させることができる。
図9に表したベースプレート501は、図1〜7に関して説明した連通路55に代えて連通路55aを有する。連通路55aは、断面の形状において連通路55と異なる。これ以外については、図9に表したベースプレート501は、図1〜図7に関して説明したベースプレート500と同様である。図9は、図3と同様に、連通路55aの延在方向に直交する平面における断面を表す。
図10に表したベースプレート502は、図9に関して説明した連通路55aに代えて連通路55bを有する。連通路55bは、断面の形状において連通路55aと異なる。これ以外については、図10に表したベースプレート502は、図9に関して説明したベースプレート501と同様である。図10は、図9と同様に、連通路55bの延在方向に直交する平面における断面を表す。
図11(a)に表したベースプレート503は、第3の部分50c及び連通路56(第2の連通路)を有する。これ以外については、図11(a)に表したベースプレート503は、図9に関して説明したベースプレート501と同様である。図11は、図9に関する説明と同様の平面における断面を表す。
図11(b)に表したように、連通路56は、上面56Uと、側面56Sと、下面56Lと、を有する。上面56U及び下面56Lは、それぞれX−Y平面に沿って延在する面であり、Z方向において互いに離間している。側面56Sは、X−Y平面と交差する面であり、上面56Uと下面56Lとを繋ぐ。
図12に表したベースプレート504は、連通路56に代えて連通路57(第2の連通路)を有する。これ以外については、ベースプレート504は、図11に関して説明したベースプレート503と同様である。
図13では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。図13に表した静電チャック110aは、ヒータプレート200を有する。これ以外についてyは、静電チャック110aは、前述した静電チャックと同様である。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Claims (23)
- 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記上面における最大高さSzのばらつき、前記側面における最大高さSzのばらつき、及び、前記下面における最大高さSzのばらつきは、互いに異なり、
前記上面における最大高さSzのばらつきは、前記側面における最大高さSzのばらつきよりも小さいことを特徴とする静電チャック。 - 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記上面における最大高さSzのばらつき、前記側面における最大高さSzのばらつき、及び、前記下面における最大高さSzのばらつきは、互いに異なり、
前記上面における最大高さSzのばらつきは、前記下面における最大高さSzのばらつきよりも小さいことを特徴とする静電チャック。 - 前記ベースプレートは、
前記第2主面の側の第1の部分と、
前記第1の部分の下方に設けられ、前記第1の部分と接合された第2の部分と、
を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分との接合部は、前記第1の連通路の上下方向における中央よりも下方に位置することを特徴とする請求項1または2に記載の静電チャック。 - 前記上面における最大高さSzのばらつきは、前記下面における最大高さSzのばらつきよりも小さいことを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
- 前記側面は、
前記第2主面の側の第1の領域と、
前記第1の領域の下方に位置する第2の領域と、
を有し、
前記第1の領域における最大高さSzのばらつきは、前記第2の領域における最大高さSzのばらつきよりも小さいことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の静電チャック。 - 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記側面は、
前記第2主面の側の第1の領域と、
前記第1の領域の下方に位置する第2の領域と、
を有し、
前記第1の領域における最大高さSzのばらつきは、前記第2の領域における最大高さSzのばらつきよりも小さいことを特徴とする静電チャック。 - 前記上面の材料と前記下面の材料とは、互いに異なることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記上面の材料と前記下面の材料とは、互いに異なることを特徴とする静電チャック。 - 前記上面の材料におけるアルミニウムの濃度は、前記下面の材料におけるアルミニウムの濃度よりも高いことを特徴とする請求項7または8に記載の静電チャック。
- 前記側面は、
前記第2主面の側の第1の領域と、
前記第1の領域の下方に位置する第2の領域と、
を有し、
前記第1の領域の材料におけるアルミニウム濃度は、前記第2の領域の材料におけるアルミニウム濃度よりも高いことを特徴とする請求項8に記載の静電チャック。 - 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記側面は、
前記第2主面の側の第1の領域と、
前記第1の領域の下方に位置する第2の領域と、
を有し、
前記第1の領域における最大高さSzのばらつきは、前記第2の領域における最大高さSzのばらつきよりも小さく、
前記第1の領域の材料におけるアルミニウム濃度は、前記第2の領域の材料におけるアルミニウム濃度よりも高いことを特徴とする静電チャック。 - 前記下面と、前記側面のうちの下方の領域と、のいずれかは、前記媒体を攪拌する乱流促進部であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記第1の連通路の前記高さは、前記第1の連通路の横幅よりも長いことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記第1の連通路の前記横幅に対する、前記第1の連通路の前記高さの比は、1より大きく6未満であることを特徴とする請求項13記載の静電チャック。
- 前記第1の連通路の前記高さに対する、前記ベースプレートの前記第2主面側の上面と前記第1の連通路の前記上面との間の距離の比は、0.1以上10以下であることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記第1の連通路は、前記上面と前記側面とをつなぐ、曲面状の接続部をさらに有することを特徴とする請求項1〜15のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記第1の連通路は、前記上面と前記側面とをつなぐ、曲面状の接続部をさらに有することを特徴とする静電チャック。 - 前記第1の連通路は、
前記第2主面の側の第1の空間部と、
前記第1の空間部の下方の第2の空間部と、
を有し、
前記第2の空間部の横幅は、下方に向けて狭くなることを特徴とする請求項1〜17のいずれか1つに記載の静電チャック。 - 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記第1の連通路は、
前記第2主面の側の第1の空間部と、
前記第1の空間部の下方の第2の空間部と、
を有し、
前記第2の空間部の横幅は、下方に向けて狭くなることを特徴とする静電チャック。 - 前記ベースプレートは、
第1の部分と、
前記第1の部分の上方に設けられ前記第1の部分と接合された第3の部分と、
前記第1の部分と前記第3の部分との間に設けられ、前記第1の連通路を流れる媒体とは異なるガス媒体を通す第2の連通路と、
を有し、
前記第2の連通路は、前記第1の連通路よりも前記第2主面の側に設けられることを特徴とする請求項1〜19のいずれか1つに記載の静電チャック。 - 前記第1の部分と前記第3の部分との接合部は、前記第2の連通路の上下方向における中央よりも下方に位置し、
前記第2の連通路は、
前記第2主面の側の第3の空間部と、
前記第3の空間部の下方の第4の空間部と、
を有し、
前記第4の空間部の横幅は、下方に向けて狭くなることを特徴とする請求項20記載の静電チャック。 - 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記第2主面の側に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記処理対象物の温度を調整する媒体を通す第1の連通路を有し、
前記第1の連通路は、上面、側面及び下面を有し、
前記第1の連通路の高さに対する、前記上面における最大高さSzのばらつきの比は、1%以下であり、
前記ベースプレートは、
第1の部分と、
前記第1の部分の上方に設けられ前記第1の部分と接合された第3の部分と、
前記第1の部分と前記第3の部分との間に設けられ、前記第1の連通路を流れる媒体とは異なるガス媒体を通す第2の連通路と、
を有し、
前記第2の連通路は、前記第1の連通路よりも前記第2主面の側に設けられ、
前記第1の部分と前記第3の部分との接合部は、前記第2の連通路の上下方向における中央よりも下方に位置し、
前記第2の連通路は、
前記第2主面の側の第3の空間部と、
前記第3の空間部の下方の第4の空間部と、
を有し、
前記第4の空間部の横幅は、下方に向けて狭くなることを特徴とする静電チャック。 - 前記ベースプレートは、
前記第1の部分の上方に設けられ前記第1の部分と接合された第3の部分と、
前記第1の部分と前記第3の部分との間に設けられ、ガス媒体が流れる第2の連通路と、
をさらに有し、
前記第1の部分と前記第3の部分との接合部は、前記第2の連通路の上下方向における中央よりも下方に位置することを特徴とする請求項3記載の静電チャック。
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