RU201717U1 - Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме - Google Patents
Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме Download PDFInfo
- Publication number
- RU201717U1 RU201717U1 RU2020112126U RU2020112126U RU201717U1 RU 201717 U1 RU201717 U1 RU 201717U1 RU 2020112126 U RU2020112126 U RU 2020112126U RU 2020112126 U RU2020112126 U RU 2020112126U RU 201717 U1 RU201717 U1 RU 201717U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- substrate holder
- temperature
- etching
- chemical etching
- Prior art date
Links
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 27
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 abstract description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к конструкции подложкодержателя установки плазмохимического травления. Может быть использована для термостимулируемых процессов плазмохимического травления. Технический результат достигается созданием подложкодержателя с нагревательным элементом, температура которого может достигать 1273 К. В качестве материала нагревателя используется нихромовая проволока марки Х20Н80 диаметром 0,5 мм. Нагревательный элемент монтируется в корпус подложкодержателя. Объем внутри подложкодержателя находится при атмосферном давлении, а в качестве материала изоляции используется каолиновая вата марки МКРР-130. Создание такого подложкодержателя позволяет увеличить скорость плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме при пониженном давлении, а также совместить процесс травления и процесс полировки поверхности пластин из различных материалов электронной техники в единый технологический цикл. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Область техники
Полезная модель относится к конструкции подложкодержателя установки плазмохимической обработки пластин из различных материалов электронной техники в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме при пониженном давлении, а именно к установке плазмохимического травления. Процесс плазмохимического травления позволяет создавать различные структуры на поверхностях подложек, используемые в микроэлектронике.
Уровень техники
Известно устройство плазмохимического травления [RU 2529633 С1 Устройство для плазмохимического травления], состоящее из вакуумной камеры, генератора переменного напряжения высокой частоты, соединенного высокочастотным кабелем и взаимодействующего через согласующее устройство с генерирующей плазму спиральной антенной, расположенной внутри вакуумной камеры, а также из подложкодержателя с обрабатываемым изделием. При этом подложкодержатель возможно вращать посредством зубчатой передач для увеличения равномерности травления. Патент направлен на изобретение устройства плазмохимического травления, позволяющего автоматически управлять равномерностью травления, на понижение потребления мощности, а также на уменьшение габаритов устройства. Известное устройство не позволяет нагревать подложкодержатель во время проведения процесса, что является основным недостатком приведенного изобретения.
Для1 проведения контролируемого процесса травления используют различные дополнительные устройства. Например, известно устройство [US 5290381 А Plasma etching apparatus], которое позволяет проводить контролируемый процесс травления при очень низких температурах. Установка плазмохимического травления состоит из реакционной камеры, токоприемника, секции охлаждения с охлаждающей жидкостью, а также блока подачи газа в реакционную камеру. Вид охлаждающей жидкости зависит от необходимой температуры подложки во время процесса плазмохимического травления. Основным недостатком изобретения является также отсутствие возможности нагрева подложки во время проведения процесса, что позволит расширить возможности плазмохимического травления.
Известен патент [CN 100440422 С Substrate support having dynamic temperature control], в котором описано устройство, позволяющее охлаждать и нагревать подложку с помощью жидкости необходимой температуры, но нагрев с использованием жидкости является незначительным. Сложность реализации охлаждения/нагревания и невозможность получения высоких температур подложки являются основными недостатками известного изобретения.
В патенте [KR 100707996 В1 Wafer chucking for plasma process apparatus] предложена конструкция подложкодержателя, состоящая из двух частей: верхняя - на которой расположена обрабатываемая пластина, нижняя - на которой возможно расположить несколько подложек. Верхняя часть изготовлена из тефлона для того, чтобы уменьшить поток нежелательного тепла, которое образуется во время процесса плазмохимического травления. Известная конструкция позволяет минимизировать тепловой поток, генерируемый в краевой области подложки во время процесса плазмохимического процесса, и увеличивать селективность травления, но не позволяет проводить процесс травления с контролируемой повышенной температурой подложки.
Известен патент [US 4615755 A Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system], который решает недостатки приведенных выше изобретений. Система травления состоит из реакционной камеры, включающей в себя два электрода. Подложка располагается на одном из электродов, который называется зажимным электродом. Нагрев или охлаждение подложки осуществляется посредством подачи сжатого газа между пластиной и зажимным электродом с помощью круглой распределительной канавки. Недостатками этого изобретения являются сложность конструкции устройства, а также изменение состава плазмы при проведении процесса травления, так как напуск охлаждающего/нагревающего газа осуществляется одновременно с плазмообразующим рабочим газом. Можно выделить еще один основной недостаток изобретения, который заключается в ограниченном узком диапазоне регулируемой температуры, обусловленный также использованием различных газов в качестве охлаждения/нагрева подложки во время процесса травления, так как передача тепла зависит от коэффициентов аккомодации энергии на поверхности молекул, а также от значений теплопроводности.
Прототипом предложенного изобретения является патент [US 6951587 В1 Ceramic heater system and substrate processing apparatus having the same installed therein]. В патенте предложен вариант конструкции нагревательного элемента, который представляет собой керамическое дискообразное основание, в котором в виде змеевика установлен резистивный элемент, подключенный к источнику питания, также в основании нагревателя предусмотрен канал для жидкости. Жидкость используется для быстрого нагрева и охлаждения. Основная часть изобретения относится к процессам химического осаждения пленок из газовой фазы и плазмостимулированному химическому осаждению из газовой фазы, но также может быть применимо и для некоторых процессов травления. Недостатком данного изобретения является отсутствие коррозионностойкого корпуса с максимально возможной теплопроводностью для нагревательной системы в условиях плазменных процессов с применением агрессивных газов. Для процессов травления ключевым является контроль температуры подложки, а в данном патенте не отмечено расположение термопары, положение которой должно обеспечивать контроль температуры непосредственно подложкодержателя, а не нагревательного элемента, а также термопара должна быть вынесена из реактивной зоны во избежание внесения электрических помех и загрязнений во время плазменных процессов как осаждения, так и травления.
Техническая проблема, на решение которой направлена предлагаемая полезная модель, заключается в увеличении скоростей травления пластин, изготовленных из различных материалов электронной техники, обеспечение процесса плазмохимического травления с измерением температуры подложкодержателя с высокой точностью без внесения помех и загрязнений от термопары, а также в совмещении операций плазмохимического травления и полировки пластин в единый технологический процесс, получая при этом поверхности с низкой шероховатостью.
Раскрытие сущности изобретения
Решение указанной технической проблемы достигается тем, что равномерный нагрев подложкодержателя до определенных температур позволяет совместить операции плазмохимического травления и полировки пластин в единый технологический процесс [Способ обработки поверхности пластин карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме RU 2708812 С1], а также увеличить скорость травления различных материалов в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме. Технический результат достигается созданием подложкодержателя со стальным корпусом, в котором расположены термопара и нагревательный элемент, температура которого может достигать 1273 К. В качестве материала нагревателя используется нихромовая проволока марки Х20Н80 диаметром 0.5 мм. Отрезок проволоки длиной 7.7 м свит в спираль длиной 38 см с диаметром витка 3.6 мм. Изготовленная таким образом нагревательная спираль, укладывается в пазы керамической формы шириной 4 мм и глубиной 8 мм. Нагревательный элемент монтируется в корпус подложкодержателя. Объем внутри подложкодержателя находится при атмосферном давлении. В качестве материала изоляции используется каолиновая вата марки МКРР-130, расположенная под керамической формой и по ее периметру. Схематичное изображение модели конструкции подложкодержателя с нагревательным элементом приведена на фиг.1. Под цифрой 1 обозначена хромель-алюмелевая термопара, расположенная в непосредственной близости от нижней плоскости верхней крышки подложкодержателя, которая позволяет контролировать температуру нагреваемой поверхности, а не температуру нагревательного элемента. Конструкция подложкодержателя позволяет перемещать термопару по высоте, таким образом, при необходимости возможно измерение температуры нагревательного элемента. Цифрой 2 обозначена керамическая форма, в которой размещается нагреватель в разрезе; 3 - стальной корпус подложкодержателя.
Внешний вид предложенного подложкодержателя приведен на фиг.2. Общая высота подложкодержателя составляет 795 мм, диаметр нагреваемой поверхности составляет 110 мм, длина опоры равна 750 мм. Подложкодержатель выполнен из нержавеющей стали марки 12Х18Н10, что позволяет использовать его при проведении плазменных процессов в среде агрессивных газов. Нержавеющая сталь обладает теплопроводностью в несколько раз выше теплопроводности керамики, что обеспечивает более высокую скорость передачи тепла от нагревательного элемента к подложке. Корпус подложкодержателя имеет полностью сварную конструкцию, что обеспечивает абсолютную герметичность, так как не имеется винтовых и каких-либо других соединений.
Подложкодержатель монтируется в реакционную камеру, как показано на фиг. 3. Для сохранения внутри реакционной камеры необходимого вакуума, подложкодержатель монтируется с помощью уплотнения Вильсона, приваренного к нижней части реактора. Контроль температуры осуществляется с помощью хромель-алюмелевой термопары. Термопара вводится в зону измерения через полую ножку подложкодержателя и далее, через центральное отверстие в керамической форме нагревательного элемента.
Пример 1
Пластину из монокристаллического ниобата лития (z-срез) толщиной 370 мкм с металлической маской из Cu-Cr-Ni пленки толщиной 7 мкм, в которой были созданы окна размером 3×10 мм плотно крепят к поверхности столика и после герметизации реактора проводят откачку внутреннего объема до давления Р=0,75 Па. Затем осуществляют нагрев подложки до заданной температуры, по окончании которого поверхность пластины обрабатывают в аргоновой плазме в течение 10 минут (расход Аг=21,75 seem, давление=0,7 Па, ВЧ мощность=750 Вт, потенциал смещения 25 В) с целью ее очистки от нежелательных загрязнений. Затем осуществляют процесс плазмохимического травления при следующих параметрах: мощность ВЧ, расход SF6, расход Ог, потенциал смещения и * давление во всех экспериментах фиксированы и равны 700 Вт, 10.15 seem, 3.0 seem, -50 В и 0,75 Па, соответственно. Время травления составляет 10 мин, а диапазон изменения температуры подложки равно [373; 598] К. По окончании процесса осуществляют отключение всех систем и перекрытие всех газовых магистралей. С целью удаления продуктов реакции, образовавшихся после процесса ПХТ, в течение 10 минут проводят откачку реактора. Выгрузку образца осуществляют после напуска воздуха в камеру. Скорость травления материалов рассчитывается, исходя из глубины профиля травления, достигаемой за определенное время.
Зависимость скорости травления от температуры подложкодержателя имеет сложный характер с относительно широким интервалом температур, в пределах которого изменение температуры дает существенный выигрыш в скорости травления. Зависимость может быть разделена на три участка в соответствии с поведением скорости травления. На первом участке (373-423 К) изменение температуры подложки на 50 градусов дает очень незначительное увеличение скорости травления на 31 нм/мин по отношению к скорости травления при комнатной температуре. Затем следует второй участок (423-523 К), где термическая стимуляция процесса травления дает ощутимое увеличение скорости травления. На этом участке скорость травления возрастает практически линейно с ростом температуры и разность скоростей на граничных значениях температуры достигает 615 нм/мин. При еще более высоких температурах подложки (третий участок, интервал 523-598 К), величина приращения скорости травления как функции температуры резко уменьшается и увеличение температуры от 523 до 598 К приводит к росту скорости только на 101 нм/мин. В итоге, максимальная скорость травления в экспериментах составила 812 нм/мин (Т равна 598 К). Список документов, цитируемых в отчете о поиске:
RU 2529633 C1; US 5290381 A; CN 100440422 С; KR 100707996 B1, US 6951587 В1.
Claims (3)
1. Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме, отличающий тем, что дополнительно снабжен нагревательным элементом с рабочей температурой до 1273 К.
2. Подложкодержатель по п. 1, отличающийся тем, что нагревательный элемент монтируется непосредственно в корпус.
3. Подложкодержатель по п. 1, отличающийся тем, что объем внутри подложкодержателя находится при атмосферном давлении.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020112126U RU201717U1 (ru) | 2020-03-24 | 2020-03-24 | Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020112126U RU201717U1 (ru) | 2020-03-24 | 2020-03-24 | Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU201717U1 true RU201717U1 (ru) | 2020-12-29 |
Family
ID=74106282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020112126U RU201717U1 (ru) | 2020-03-24 | 2020-03-24 | Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU201717U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU224497U1 (ru) * | 2023-08-30 | 2024-03-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Интеллектуальные микросистемы" | Многофункциональный подложкодержатель для пластин, используемый при изготовлении монолитных интегральных схем |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4615755A (en) * | 1985-08-07 | 1986-10-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system |
| US6951587B1 (en) * | 1999-12-01 | 2005-10-04 | Tokyo Electron Limited | Ceramic heater system and substrate processing apparatus having the same installed therein |
| RU2006143538A (ru) * | 2006-12-08 | 2008-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" (RU) | Способ реактивного ионного травления в микротехнологии скрытых каналов в кремнии |
| RU2693097C1 (ru) * | 2018-03-15 | 2019-07-01 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ микропрофилирования поверхности многокомпонентных стёкол |
| RU2708812C1 (ru) * | 2019-05-08 | 2019-12-11 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ обработки поверхности пластин карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
-
2020
- 2020-03-24 RU RU2020112126U patent/RU201717U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4615755A (en) * | 1985-08-07 | 1986-10-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system |
| US6951587B1 (en) * | 1999-12-01 | 2005-10-04 | Tokyo Electron Limited | Ceramic heater system and substrate processing apparatus having the same installed therein |
| RU2006143538A (ru) * | 2006-12-08 | 2008-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" (RU) | Способ реактивного ионного травления в микротехнологии скрытых каналов в кремнии |
| RU2693097C1 (ru) * | 2018-03-15 | 2019-07-01 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ микропрофилирования поверхности многокомпонентных стёкол |
| RU2708812C1 (ru) * | 2019-05-08 | 2019-12-11 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ обработки поверхности пластин карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU224497U1 (ru) * | 2023-08-30 | 2024-03-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Интеллектуальные микросистемы" | Многофункциональный подложкодержатель для пластин, используемый при изготовлении монолитных интегральных схем |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0129663B1 (ko) | 에칭 장치 및 방법 | |
| JP4176848B2 (ja) | 基板支持体及び処理装置 | |
| CN102142351B (zh) | 等离子体处理装置的腔室内部件和基板载置台 | |
| US11692732B2 (en) | Air cooled faraday shield and methods for using the same | |
| KR20190065141A (ko) | 지지 어셈블리 및 지지 어셈블리의 조립 방법 | |
| JP2001250815A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| KR20020005462A (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| WO2008109504A2 (en) | Processing system and method for performing high throughput non-plasma processing | |
| TW201541536A (zh) | 一種等離子體處理裝置及其靜電卡盤 | |
| JP3077582B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 | |
| RU201717U1 (ru) | Подложкодержатель для плазмохимического травления в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме | |
| JP2003303812A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP7422531B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| TW201532185A (zh) | 等離子體處理裝置及其靜電卡盤 | |
| JPH08311666A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| RU222969U1 (ru) | Подложкодержатель для плазмохимических и электростатических процессов | |
| US11581168B2 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| TWI817617B (zh) | 可變熱導率的控溫組件、方法、系統及等離子體處理裝置 | |
| JP7419611B1 (ja) | 伝熱ガスのリーク量低減方法 | |
| JP2005064120A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPS62218577A (ja) | 気相反応装置用電極 | |
| KR20090115309A (ko) | 히터 장치 및 기판 처리 장치 그리고 이를 이용한 기판처리 방법 | |
| JP2023059081A (ja) | 基板支持部及びプラズマ処理装置 | |
| TW202342806A (zh) | 具有加熱噴頭的噴頭組件 | |
| WO2023277923A1 (en) | High temperature susceptor for high power rf applications |