JPH08311666A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法Info
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- JPH08311666A JPH08311666A JP12110495A JP12110495A JPH08311666A JP H08311666 A JPH08311666 A JP H08311666A JP 12110495 A JP12110495 A JP 12110495A JP 12110495 A JP12110495 A JP 12110495A JP H08311666 A JPH08311666 A JP H08311666A
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Abstract
室にガスを供給する処理ガス供給装置13と、ウェハ1
1を保持する試料台10と、真空排気装置9より成るプ
ラズマ処理装置において、処理室4が金属製の外筒5
と、その内側に介して配置された内筒6とを備え、内筒
6とサポート32との間の熱伝導が、内筒6自身の熱伝
導のより小さくなる様に構成する。 【効果】プラズマから内筒への入熱量の内、サポート側
に逃げる量が少ないため、内筒の温度を容易に200℃
以上にすることができるため、内筒への付着物が減少
し、発塵量が低下すると共に、壁へのエッチャントの消
費が少なくなり、プラズマ処理時の処理性能が向上しか
つ特性が安定化する。
Description
プラズマ処理方法に係り、特に試料にエッチングやCV
D等のプラズマ処理を施すのに好適なプラズマ処理装置
及びプラズマ処理方法に関するものである。
ば、文献 半導体プラズマプロセス技術(菅野卓雄 編
著、産業図書発行、(1980)、P139)に記載の
様に、マイクロ波プラズマ処理装置を用い、マイクロ波
を伝播する導波管内に石英製の放電室を有し、放電室外
部に配置したコイルより生じられる外部磁場とマイクロ
波電界の作用により、放電室内でプラズマを生成させる
様になっていた。そして、該プラズマを利用して半導体
ウェハの表面にエッチング等の処理を施すことが可能と
なる。
マイクロ波エッチング処理装置では、マイクロ波を導く
と共に、外部磁場を処理室内に導入するために、処理室
として、導波管となる非磁性でかつ導電性の材料が必要
である。そのため、一般には処理室の壁材料として、ア
ルミニウム(Al)やステンレス鋼(SUS)の金属が
用いられる。
スの条件として、上記文献に記載されていることからも
明らかな通り、プラズマ処理時の温度は、約10℃〜約
70℃という比較的低温の範囲に限定されている。
スを用いて、酸化膜や窒化物等の絶縁物のプラズマ処理
を行う場合には、チャンバ壁の温度を上昇させることに
より、チャンバ表面上のエッチャントの付着や堆積物を
減少させ、下地との選択性や処理速度が向上することが
報告されている。通常チャンバ壁を150℃程度に加熱
することは、比較的容易であるが、200℃を過えて制
御しようとすると、真空封止用Oリングの耐熱性等によ
り困難となる。
ャンバ壁の温度を200℃以上に制御できる様にする事
により、プラズマ処理特性を向上させるプラズマ処理装
置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
に、前記処理室の一部を構成する減圧に耐える外筒と、
該外筒の内側に隙間を介して配置された内筒と、該内筒
と外筒間の熱伝導を少なくする手段とを備えたものであ
る。
をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記内
筒の温度を200℃以上の高温に保持しながら、前記試
料をプラズマ処理するものである。
より、プラズマから入射される熱で内筒の温度を200
℃以上に容易に上昇させることができる。このため、内
筒壁に付着するエッチャントや、堆積物を少なくでき、
プラズマ処理速度の上昇と、下地との選択比の向上、並
びに塵埃の減少をもたらすことができる。
圧力を制御することにより、内筒の温度を200℃以上
の所望のパターンに制御することも可能となる。
いて説明する。まず、図1は、本発明の一実施例になる
マイクロ波プラズマ処理装置の一部を縦断面した正面図
であり、図2にその要部拡大図を示す。図1において、
1はマイクロ波の発振源としてのマグネトロン、2はマ
イクロ波の導波管である。3は、処理室4を真空封止し
マイクロ波を処理室4に供給するための石英板である。
処理室4は、例えば純度の高いアルミニウム(Al)で
作られた外筒5と、その内側に配置されたアルミニウム
(Al)等で作られた内筒6によって構成されている。
処理室4の内面は絶縁物、外部は導電物であるため、処
理室4は導波管の役目もしている。7は磁場を供給する
第一のソレノイドコイル、8(8A,8B)は、磁場を
供給する第二のソレノイドコイルである。処理室4は、
真空室9に接続された真空ポンプにより真空排気され
る。10は、エッチング等の処理を行うウェハ11を載
置する試料台であり、高周波電源12が接続されてい
る。13は処理ガス供給系であり、処理室4内にエッチ
ング、成膜等の処理を行う処理ガスを供給し、排気装置
14により排気される。
新しいものに交換するために、外筒5に対して着脱自在
に支持されている。
体もしくは半導体の膜を形成に、その上にウェハ11を
載置し、静電チャック電源15からの電圧により、ウェ
ハ11を試料台10に静電的に吸着させた例を示す。
00ミリトール程度の比較的低い圧力に設定するため、
外筒5と内筒6間に隙間(例えば0.1ミリ〜2ミリ)
を設けておけば、この間の熱の伝達はほとんどない。従
って、プラズマ等から内筒6に加えられた熱のほとんど
は、サポート32を経由して外筒に逃げる。内筒6の温
度を200℃以上、好ましくは250℃以上に上げるた
め、内筒6とサポート32との間の接触面積を、内筒6
の断面積の1/10以下、好ましくは1/100以下にする。図
2、a),b)に内筒6とサポート32の構成例を示
す。内筒6とサポート32との接触面積を減じるため、
内筒6もしくはサポート32に突起を設けている。円筒
6とサポート32の両方に穴起を設けると、接触面積を
更に減少することもできる。なお、図3に示す様に、内
筒6の材質の熱伝導率の1/10以下好ましくは1/100以下
のセラミックスや石英ガラス等の低熱伝導材料16を介
してサポート32に設置しても図2と同じ効果が得られ
る。
した時の内筒の温度変化例を図4に示す。図4におい
て、まず円筒6内面のクリーニングと温度上昇のため1
0分間のクリーニング処理を行う。この時は酸素主体の
ガスを用い、マイクロ波電力として1kW〜3kWを用
い、チャンバ内の昇温と、壁への付着物の除去を行う。
マイクロ波電力を大きくする程、クリーニング時間を短
くできる。このため、ウェハ処理時よりマイクロ波電力
を大きくする方が好ましい。次に、エッチング処理時と
同じガスで、同じマイクロ波パワーのプラズマを発生さ
せ、エッチング処理1枚目から特性が一定となる様、5
分〜20分間程度のシーズニング処理を行う。シーズニ
ング処理時には、処理ウェハに近い特性のダミーウェハ
(例えばホトレジスト付ウェハ)を用いた方が好まし
い。クリーニング時やシーズニング時に内筒6の温度が
所望温度になった事を確認するために、内筒6に温度セ
ンサを設置することが好ましい。温度センサにて内筒6
の温度を検出し、クリーニング時間やシーズニング時間
を変更することにより、1枚目の処理ウェハより常に所
定温度に精度よく制御することが可能となる。
2間にガスの流出を減少させるガス封止材(例えばOリ
ング)17を設置し、伝熱ガス源18からの伝熱ガス
(例えばヘリウム等の希ガス)を外筒5と内筒6との間
に封入できる様にし、この伝熱ガスの圧力を制御するこ
とにより、内筒6を所定の温度に制御することもでき
る。内筒6に温度センサを設置し、外筒5に加熱もしく
は冷却機構をもたせると、さらに精度の良い制御が可能
となる。
磁場とを用いた装置について述べてきたが、本発明は、
何らこれらに限定されるものでなく、外部の誘導コイル
からの数十KHz〜数百MHzの電磁波電力でプラズマ
を発生させる装置や、これに磁場を加えた装置、プラズ
マ中に2つの電極を設置した装置等、プラズマにてウェ
ハを処理する装置には共通して適用可能なことはもちろ
んである。
し、重金属汚染をさけるためアルミニウムやアルミニウ
ム合金などの金属やSiC等の高熱伝導性を有するセラ
ミックが好ましい。
以上に容易に上昇させることができると共に、内筒に温
度センサを設置すれば内筒の温度を精度よく制御するこ
とも可能となる。このため、プラズマ処理時の塵埃の減
少や処理性能の向上、処理性能の安定化が可能なプラズ
マ処理装置及び方法を提供することができる。
理装置の一部を縦断面した正面図である。
明図である。
る。
処理装置の一部を縦断面した他の正面図である。
室、5…外筒、6…内筒、7…第一のソレノイドコイ
ル、8…第二のソレノイドコイル、10…試料台、11
…ウェハ、12…バイアス電源、13…処理ガス供給
系、14…排気装置、15…静電チャック電源、16…
低伝熱材料、17…ガス封止材、18…伝熱ガス源、3
2…サポート。
Claims (6)
- 【請求項1】高周波発生源と、減圧可能な処理室と、処
理室にガスを供給する処理ガス供給装置と、試料を保持
する試料台と、真空排気装置より成るプラズマ処理装置
において、 前記処理室の一部を構成する減圧に耐える外筒と、該外
筒の内側に隙間を介して配置された内筒と、該内筒のサ
ポートとを具備し、前記内筒とサポート間の熱伝導を、
内筒自身の熱伝導に比べ小さく構成したことを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 【請求項2】前記内筒とサポートとの間の接触面積が、
内筒の断面積の1/10以下であることを特徴とする請求項
1に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項3】前記内筒とサポート間に、内筒の材質の熱
伝導率の1/10の材質を設置することを特徴とする請求項
1に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】高周波発生源と、減圧可能な処理室と、処
理室にガスを供給する処理ガス供給装置と、試料を保持
する試料台と、真空排気装置を備え、前記処理室の一部
を構成する減圧に耐える外筒と、該外筒の内側に隙間を
介して配置された内筒と、内筒のサポートとを有し、内
筒とサポート間の熱伝導を内筒自身の熱伝導に比べ小さ
くする手段を設けたプラズマ処理装置により、試料をプ
ラズマ処理する方法であって、 前記内筒温度を200℃以上の所定の範囲に保持しなが
ら、前記試料をプラズマ処理することを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項5】前記内筒の温度を検知する工程を設け、試
料をプラズマ処理する前にプラズマを発生させる期間を
設け、該内筒温度がこの期間に所定の範囲になる様、高
周波電源の出力値もしくは、高周波電源の出力期間を制
御することを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理
方法。 - 【請求項6】前記内筒の温度を検知する工程と、内筒と
外筒との間のガスの流出を減じる工程とを設け、試料を
プラズマ処理する前にプラズマを発生する期間を設け、
該内筒の温度がこの期間に所定の範囲になる様、内筒と
外筒間のガス圧を制御することを特徴とする請求項4に
記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12110495A JP3218917B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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JPH08311666A true JPH08311666A (ja) | 1996-11-26 |
JP3218917B2 JP3218917B2 (ja) | 2001-10-15 |
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JP12110495A Expired - Fee Related JP3218917B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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JP (1) | JP3218917B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997046057A1 (fr) * | 1996-05-27 | 1997-12-04 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Appareil de traitement au plasma et procede de traitement au plasma |
US6092486A (en) * | 1996-05-27 | 2000-07-25 | Sumimoto Metal Indsutries, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2000345348A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
JP2005532693A (ja) * | 2002-07-11 | 2005-10-27 | アルカテル | プラズマエッチングリアクタ用の加熱ジャケットおよび加熱ジャケットを使用するエッチング法 |
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JP2016225579A (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP12110495A patent/JP3218917B2/ja not_active Expired - Fee Related
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