JP2016225579A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施例の装置においてウエハのエッチング処理を行った際のカバー202の表面の温度を検出した結果を以下の表1に示す。なお、エッチング処理に用いたマグネトロン電源104の出力は1000Wに設定した。
102…真空ポンプ
103…処理室
104…マグネトロン電源
105…導波管
106…共振容器
106’共振室
107…試料台
108…ソレノイドコイル
109…支持梁
110…窓部材
111…シャワープレート
201…マイクロ波吸収体
202…カバー
Claims (8)
- 真空容器内部の処理室内に配置された試料台の上面に処理対象のウエハを載置して当該処理室内にマイクロ波の電界を供給して形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理室を構成する部材の表面に配置されたマイクロ波吸収体及びこのマイクロ波吸収体の表面を覆って配置され前記処理室の内壁面を構成するカバーとを有し、前記ウエハの処理とその後の処理との間で前記処理室内に前記電界を供給して前記カバーの表面の付着物を低減する機能を備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1のプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波吸収体の表面粗さが前記カバーに面する側を小さく、前記処理室を構成する部材の表面を大きくされたプラズマ処理装置。
- 請求項1または2のプラズマ処理装置であって、
前記ウエハの処理の前に実施されるエージング処理の前に前記処理室内に前記電界を供給して前記カバーの表面の付着物を低減する前記機能を備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、
前記ウエハの処理とその後の処理との間で前記処理室内に前記電界を供給してプラズマを形成して前記カバーの表面の付着物を低減する機能を備えたプラズマ処理装置。
- 真空容器内部の処理室内に配置された試料台の上面に処理対象のウエハを載置し、当該処理室内にマイクロ波の電界を供給してプラズマを形成して前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理室を構成する部材の表面にはマイクロ波吸収体及びこのマイクロ波吸収体の表面を覆って配置され前記処理室の内壁面を構成するカバーとが配置され、
前記ウエハの処理とその後の処理との間で前記処理室内に前記電界を供給して前記カバーの表面の付着物を低減する工程を備えたプラズマ処理装置。
- 請求項4のプラズマ処理方法であって、
前記マイクロ波吸収体の表面粗さが前記カバーに面する側を小さく、前記処理室を構成する部材の表面を大きくされたプラズマ処理方法。
- 請求項5または6のプラズマ処理方法であって、
前記工程において、前記ウエハの処理の前に実施されるエージング処理の前に前記処理室内に前記電界を供給して前記カバーの表面の付着物を低減するプラズマ処理方法。
- 請求項5乃至7の何れかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記工程において、前記ウエハの処理とその後の処理との間で前記処理室内に前記電界を供給してプラズマを形成して前記カバーの表面の付着物を低減するプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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2015
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