JP5876992B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
前記試料台は、円柱状の基材部と、前記基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部と、前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板と、前記誘電体膜部と前記セラミクス板とを接着する第1の接着層と、前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の第2の接着層と、前記第2の接着層及び前記誘電体膜部の側面を被覆する溶射膜製の保護部材と、を備え、前記第2の接着層により前記保護部材を形成する際の熱から前記第1の接着層を保護し、当該保護部材により当該第2の接着層及び前記誘電体膜部の側面を前記プラズマから保護するようにした。
101 真空容器
102 真空ポンプ
103 処理室
104 電波源
105 導波管
106 共振容器
107 試料載置台
108 バイアス電源
109 ヒータ用直流電源
110 静電吸着電極用直流電源
111 温調器
112 コントローラ
113 ソレノイドコイル
114 窓部材
115 シャワープレート
116 ガス供給部
117 開口部
201 基材部
202 誘電体膜部
203 冷媒溝
204 第一誘電体膜
205 ヒータ電極膜
206 第二誘電体膜
207 接着剤
208 静電吸着電極膜
209 焼結セラミクス板
210 温度センサ
211 接着剤
212 保護部材
213 貫通孔
214 貫通孔
215 ピン
216 ウエハ
Claims (4)
- 真空処理室に配置された試料台を備え、当該真空処理室内にプラズマを生成して当該試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記試料台は、円柱状の基材部と、前記基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部と、前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板と、前記誘電体膜部と前記セラミクス板とを接着する第1の接着層と、前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の第2の接着層と、前記第2の接着層及び前記誘電体膜部の側面を被覆する溶射膜製の保護部材と、を備え、
前記第2の接着層により前記保護部材を形成する際の熱から前記第1の接着層を保護し、当該保護部材により当該第2の接着層及び前記誘電体膜部の側面を前記プラズマから保護するようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の前記第2の接着層の内周縁は、前記ヒータ電極膜の外周縁よりも外側に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記第2の接着層は、前記第1の接着層よりも耐熱性が高いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記セラミクス板と前記保護部材とを有する前記試料台の外周上部には、前記セラミクス板から前記保護部材に至る面取り部を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2018061336A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 基板載置台、および基板載置台の作製方法 |
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