JP2012222233A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012222233A JP2012222233A JP2011088299A JP2011088299A JP2012222233A JP 2012222233 A JP2012222233 A JP 2012222233A JP 2011088299 A JP2011088299 A JP 2011088299A JP 2011088299 A JP2011088299 A JP 2011088299A JP 2012222233 A JP2012222233 A JP 2012222233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric film
- adhesive layer
- plasma processing
- adhesive
- ceramic plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】真空処理室と、該真空処理室に配置された試料台を備え、前記真空処理室内にプラズマを生成して、前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台107は、円柱状の基材部201と、該基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部202と、前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板209と、前記誘電体膜部とセラミクス板を接着する第1の接着層207と、前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の第2の接着層211と、前記第2の接着層および誘電体膜部の側面を被覆する保護部材212を備えた。
【選択図】図1
Description
101 真空容器
102 真空ポンプ
103 処理室
104 電波源
105 導波管
106 共振容器
107 試料載置台
108 バイアス電源
109 ヒータ用直流電源
110 静電吸着電極用直流電源
111 温調器
112 コントローラ
113 ソレノイドコイル
114 窓部材
115 シャワープレート
116 ガス供給部
117 開口部
201 基材部
202 誘電体膜部
203 冷媒溝
204 第一誘電体膜
205 ヒータ電極膜
206 第二誘電体膜
207 接着剤
208 静電吸着電極膜
209 焼結セラミクス板
210 温度センサ
211 接着剤
212 保護部材
213 貫通孔
214 貫通孔
215 ピン
216 ウエハ
Claims (5)
- 真空処理室と、該真空処理室に配置された試料台を備え、前記真空処理室内にプラズマを生成して、前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、
円柱状の基材部と、
該基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部と、
前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板と、
前記誘電体膜部とセラミクス板を接着する第1の接着層と、
前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の第2の接着層と、
前記第2の接着層および誘電体膜部の側面を被覆する保護部材を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空処理室と、該真空処理室に配置された試料台を備え、前記真空処理室内にプラズマを生成して、前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、
円柱状の基材部と、
該基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部と、
前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板と、
前記誘電体膜部とセラミクス板を接着する第1の接着層と、
前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の第2の接着層と、
前記第2の接着層および誘電体膜部の側面を被覆する溶射膜製の保護部材を備え、
前記第2の接着層により保護部材を形成する際の熱から第1の接着層を保護し、前記保護部材により前記第2の接着層および誘電体膜部の側面をプラズマから保護したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記第1の接着層の側面を被覆する耐熱性の第2の接着層の内周縁は、前記ヒータ電極膜の外周縁よりも外側に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記第2の接着層は第1の接着層よりも耐熱性が高いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記セラミクス板と保護部材を有する試料台の外周上部には、セラミクス板から保護部材に至る面取り部を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011088299A JP5876992B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011088299A JP5876992B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012222233A true JP2012222233A (ja) | 2012-11-12 |
JP5876992B2 JP5876992B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=47273405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011088299A Active JP5876992B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5876992B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140078193A (ko) * | 2012-12-17 | 2014-06-25 | 삼성전자주식회사 | 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP2015162618A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2017087188A (ja) * | 2015-11-17 | 2017-05-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP2017147312A (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置および保持装置の製造方法 |
CN107579031A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-12 | 朗姆研究公司 | 用于颗粒和金属性能增强的esc陶瓷侧壁修饰 |
JP2018056333A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 基板載置台、および基板載置台の作製方法 |
KR20190126444A (ko) * | 2017-03-31 | 2019-11-11 | 램 리써치 코포레이션 | 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) |
JP2020077849A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-05-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法および保持装置 |
CN112599409A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-02 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆键合方法 |
US20210151285A1 (en) * | 2019-11-15 | 2021-05-20 | Tokyo Electron Limited | Temperature measurement system, temperature measurement method, and substrate processing apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004084298A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Tokyo Electron Limited | 静電チャックを用いた基板保持機構およびその製造方法 |
JP2009235536A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック、及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-04-12 JP JP2011088299A patent/JP5876992B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004084298A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Tokyo Electron Limited | 静電チャックを用いた基板保持機構およびその製造方法 |
JP2009235536A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック、及びその製造方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140078193A (ko) * | 2012-12-17 | 2014-06-25 | 삼성전자주식회사 | 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP2015162618A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2017087188A (ja) * | 2015-11-17 | 2017-05-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP2017147312A (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置および保持装置の製造方法 |
JP7186494B2 (ja) | 2016-07-01 | 2022-12-09 | ラム リサーチ コーポレーション | 粒子性能および金属性能の改善のためのescセラミック側壁の加工 |
CN107579031A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-12 | 朗姆研究公司 | 用于颗粒和金属性能增强的esc陶瓷侧壁修饰 |
JP2018014491A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-25 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 粒子性能および金属性能の改善のためのescセラミック側壁の加工 |
JP2018056333A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 基板載置台、および基板載置台の作製方法 |
KR102529412B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-05-04 | 램 리써치 코포레이션 | 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) |
JP2020512692A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-04-23 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 柔軟なウエハ温度制御を伴う静電チャック |
JP7227154B2 (ja) | 2017-03-31 | 2023-02-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 柔軟なウエハ温度制御を伴う静電チャック |
KR20190126444A (ko) * | 2017-03-31 | 2019-11-11 | 램 리써치 코포레이션 | 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) |
JP2020077849A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-05-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法および保持装置 |
JP7455536B2 (ja) | 2018-09-18 | 2024-03-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法 |
US20210151285A1 (en) * | 2019-11-15 | 2021-05-20 | Tokyo Electron Limited | Temperature measurement system, temperature measurement method, and substrate processing apparatus |
US11972921B2 (en) * | 2019-11-15 | 2024-04-30 | Tokyo Electron Limited | Temperature measurement system, temperature measurement method, and substrate processing apparatus |
CN112599409A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-02 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆键合方法 |
CN112599409B (zh) * | 2020-12-08 | 2023-12-08 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆键合方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5876992B2 (ja) | 2016-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5876992B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5618638B2 (ja) | プラズマ処理装置または試料載置台 | |
JP6442296B2 (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
TWI684238B (zh) | 載置台及基板處理裝置 | |
CN110120329B (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP5320171B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6199638B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7002357B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2018110216A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20170025255A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20140095430A (ko) | 기판 처리 장치 및 탑재대 | |
US11380526B2 (en) | Stage and plasma processing apparatus | |
JP6469985B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN112420471A (zh) | 边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法 | |
JP5325457B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5696183B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010010231A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US11664198B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4128469B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006222240A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW201532112A (zh) | 等離子體處理裝置及靜電卡盤與靜電卡盤的製作方法 | |
US20230178409A1 (en) | Substrate support unit, method of manufacturing the same, and substrate processing apparatus including the same | |
JP2016225579A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2021166236A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2017005177A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5876992 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |