JP2017147312A - 保持装置および保持装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 178
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 124
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 58
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004839 Moisture curing adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
A−1.静電チャック100の構成:
図1は、本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図であり、図3は、本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図である。図2には、図3のII−IIの位置における静電チャック100のXZ断面構成が示されており、図3には、図2のIII−IIIの位置における静電チャック100のXY断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
図4は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートである。また、図5は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を概略的に示す説明図である。なお、図5では、説明の便宜上、凹部Pcや高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62等の数や配置等を図2および図3とは異なる形態としている箇所がある。
以上説明したように、本実施形態の静電チャック100は、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の位置に、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62が配置される。高熱伝導率部材61の熱伝導率は接着層30の熱伝導率より高く、低熱伝導率部材62の熱伝導率は接着層30の熱伝導率より低い。すなわち、本実施形態の静電チャック100では、セラミックス板10とベース板20との間に、接着層30、高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62という、熱伝導率の互いに異なる少なくとも3つの部材が配置される。高熱伝導率部材61が配置された箇所では、接着層30が配置された箇所と比較して、ベース板20とセラミックス板10との間の伝熱性が高くなり、ベース板20の内部に形成された冷媒流路21に供給される冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が高められる。反対に、低熱伝導率部材62が配置された箇所では、接着層30が配置された箇所と比較して、ベース板20とセラミックス板10との間の伝熱性が低くなり、ベース板20の内部に形成された冷媒流路21に供給される冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が抑制される。そのため、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の適切な位置に高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62を配置することにより、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させることができる。
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
Claims (8)
- 第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、
第3の表面を有する板状であり、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路が形成されたベース板と、
前記セラミックス板の内部、または、前記セラミックス板の前記ベース板側に配置されたヒータと、
前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、前記セラミックス板と前記ヒータとの少なくとも一方と前記ベース板とを接着する接着層と、
を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置において、さらに、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に配置され、前記接着層とは熱伝導率の異なる第1の部材と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に配置され、前記接着層および前記第1の部材とは熱伝導率の異なる第2の部材と、
を備えることを特徴とする、保持装置。 - 請求項1に記載の保持装置において、
前記第1の部材の熱伝導率は、前記接着層の熱伝導率より高く、
前記第1の部材は、前記接着層の厚さ方向視で、前記ヒータと重なる位置に配置されていることを特徴とする、保持装置。 - 請求項1または請求項2に記載の保持装置において、
前記第2の部材の熱伝導率は、前記接着層の熱伝導率より低く、
前記第2の部材は、前記接着層の厚さ方向視で、前記冷媒流路と重なる位置に配置されていることを特徴とする、保持装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記接着層は、前記接着層の厚さ方向視で、外周部に複数の凹部が形成された形状であり、
前記第1の部材および前記第2の部材は、互いに異なる前記凹部内に配置されていることを特徴とする、保持装置。 - 請求項4に記載の保持装置において、
前記複数の凹部は、少なくとも1つの第1の凹部と、前記接着層の厚さ方向における位置が前記第1の凹部とは異なる少なくとも1つの第2の凹部と、を含むことを特徴とする、保持装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記接着層と前記第1の部材と前記第2の部材とをまとめて囲む環状の保護部材を備えることを特徴とする、保持装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記ヒータによる加熱と前記冷媒流路への冷媒の供給との実行中に、前記セラミックス板の前記第1の表面の各位置における温度差が3℃以内であることを特徴とする、保持装置。 - 第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、第3の表面を有する板状であり、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路が形成されたベース板と、前記セラミックス板の内部、または、前記セラミックス板の前記ベース板側に配置されたヒータと、前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、前記セラミックス板と前記ヒータとの少なくとも一方と前記ベース板とを接着する接着層と、を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
前記セラミックス板と前記ベース板とを準備する工程と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間に接着剤を配置し、前記接着剤を硬化させることにより前記接着層を形成する工程と、
前記接着層の形成後に、前記セラミックス板の前記第1の表面の各位置における温度を特定する工程と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に、前記特定された温度に基づき選択され、前記接着層とは熱伝導率の異なる第1の部材を配置する工程と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に、前記特定された温度に基づき選択され、前記接着層および前記第1の部材とは熱伝導率の異なる第2の部材を配置する工程と、
を備えることを特徴とする、保持装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016027530A JP6639940B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 保持装置および保持装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016027530A JP6639940B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 保持装置および保持装置の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017147312A true JP2017147312A (ja) | 2017-08-24 |
JP6639940B2 JP6639940B2 (ja) | 2020-02-05 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016027530A Active JP6639940B2 (ja) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | 保持装置および保持装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6639940B2 (ja) |
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