CN112166496B - 保持装置及保持装置的制造方法 - Google Patents

保持装置及保持装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112166496B
CN112166496B CN201980035141.8A CN201980035141A CN112166496B CN 112166496 B CN112166496 B CN 112166496B CN 201980035141 A CN201980035141 A CN 201980035141A CN 112166496 B CN112166496 B CN 112166496B
Authority
CN
China
Prior art keywords
joining
ceramic member
substantially perpendicular
base member
joint
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980035141.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112166496A (zh
Inventor
栗林诚
井上真宏
榊原利真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Publication of CN112166496A publication Critical patent/CN112166496A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112166496B publication Critical patent/CN112166496B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/043—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/10—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material
    • B32B3/18—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material characterised by an internal layer formed of separate pieces of material which are juxtaposed side-by-side
    • B32B3/20—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material characterised by an internal layer formed of separate pieces of material which are juxtaposed side-by-side of hollow pieces, e.g. tubes; of pieces with channels or cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B41/00—Arrangements for controlling or monitoring lamination processes; Safety arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/027—Thermal properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B9/041—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B9/045—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/02—2 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/44—Number of layers variable across the laminate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/302—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/554—Wear resistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/75—Printability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/16—Silicon interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明抑制产生温度特异点。保持装置经由接合部将陶瓷构件与基座构件接合。在将与第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与第一方向和第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，接合部包括第一接合部分和第二接合部分，该第一接合部分在第一方向观察下从接合部的第二方向的一端配置到另一端，并在与第二方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度大致均等，且在与第三方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度大致均等，该第二接合部分在第三方向上相对于第一接合部分位于接合部的至少一端侧，且在与第二方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度从第一接合部分侧朝接合部的端侧变厚。

Description

保持装置及保持装置的制造方法
技术领域
本说明书所公开的技术涉及保持装置。
背景技术
作为保持装置，公知例如通过静电引力将晶圆吸附并保持的静电夹头。静电夹头具备陶瓷构件、基座构件、将陶瓷构件与基座构件接合的接合部及设置于陶瓷构件的内部的夹头电极，利用通过对夹头电极施加电压产生的静电引力，将晶圆吸附并保持于陶瓷构件的表面(以下，称为“吸附面”)。
若保持于静电夹头的吸附面的晶圆的温度未达到所希望的温度，则针对晶圆的各种处理(成膜、蚀刻等)的精度可能会下降，因此对静电夹头要求控制晶圆的温度分布的性能。
以往，公知在与陶瓷构件的吸附面相反的一侧的表面中的与吸附面的温度分布相应的位置埋设有热传导率与接合部的热传导率不同的调整用树脂的静电夹头(例如，参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-1757号公报
专利文献2：日本特开2013-247342号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在埋设有上述的调整用树脂的以往的静电夹头中，由于陶瓷构件中的埋设有调整用树脂的部分与未埋设调整用树脂的部分的热传导率的差异而容易在吸附面产生温度特异点，因此有进一步的改良的余地。
此外，这样的课题不限于静电夹头，而是在将陶瓷构件与基座构件接合的保持装置(例如，加热装置、真空夹头等)中共通的课题。
在本说明书中公开了能够解决上述的课题的技术。
用于解决课题的技术方案
在本说明书公开的技术能够作为以下的方式实现。
(1)本说明书所公开的保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，并以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，所述接合部包括：第一接合部分，在所述第一方向观察下，从所述接合部的所述第二方向的一端配置到另一端，在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，且在与所述第三方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等；及第二接合部分，在所述第三方向上相对于所述第一接合部分位于所述接合部的至少一端侧，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧变厚。在本保持装置中，接合部包括第一接合部分和第二接合部分。第一接合部分在第一方向观察下，从接合部的第二方向的一端配置到另一端，另外，在与第二方向大致垂直的任意的剖面及与第三方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度大致均等。另一方面，第二接合部分在第三方向中相对于第一接合部分位于接合部的至少一端侧。另外，第二接合部分在与第二方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度从第一接合部分侧朝接合部的端侧变厚。即，第二接合部分的第一方向的厚度比第一接合部分的第一方向的厚度厚。因此，第二接合部分中的从陶瓷构件向基座构件的热移动量比第一接合部分中的从陶瓷构件向基座构件的热移动量少。由此，能够在陶瓷构件的第一表面使陶瓷构件的外周侧的温度上升。另外，第二接合部分的第一方向的厚度从第一接合部分侧朝接合部的端侧变厚，因此能够在陶瓷构件的第一表面中使陶瓷构件的外周侧的温度分布缓缓地变化。由此，例如与接合部的第一方向的厚度阶段地变厚的结构相比，能够抑制产生温度特异点。另外，能够抑制由于将气泡卷入在接合部的第一方向的厚度阶段地变厚的位置产生的高度差而产生温度特异点。
(2)在上述保持装置中也可以是如下结构：还具备设置于所述陶瓷构件并配置在与所述第一方向大致垂直的假想平面上的发热电极，所述陶瓷构件的所述第二表面中的与所述第二接合部分接触的表面部分以在与所述第二方向大致垂直的任意截面处从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧而接近所述假想平面的方式倾斜。在本保持装置中，通过在陶瓷构件的第二表面设置倾斜来形成第二接合部分。由此，根据本保持装置，第二接合部分的一部分通过配置于比第一接合部分靠发热电极的附近处，发热电极的热变得容易移动至第二接合部分，因此与陶瓷构件的第二表面整体平坦的结构相比，因第二接合部分的存在而能够抑制陶瓷构件的外周侧的温度极端地上升。
(3)在上述保持装置也可以是如下结构：还具备设置于所述陶瓷构件并配置在与所述第一方向大致垂直的假想平面上的发热电极，所述基座构件的所述第三表面中的与所述第二接合部分接触的表面部分以在与所述第二方向大致垂直的任意截面处从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧而远离所述假想平面的方式倾斜。在本保持装置中，通过在基座构件的第三表面设置倾斜来形成第二接合部分。由此，根据本保持装置，基座构件的第三表面的中的与第二接合部分接触的部分通过比与第一接合部分接触的部分远离发热电极而配置，与基座构件的第三表面整体平坦的结构相比，因第二接合部分的存在而能够使陶瓷构件的外周侧的温度大幅上升。即，在由于如制造线、制造装置等的特性而温度特异点的温度大幅变低的情况下，本保持装置特别有效。
(4)本说明书所公开的保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，并以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，所述陶瓷构件的所述第二表面包括：平面部分，在所述第一方向观察下，从所述陶瓷构件的所述第二方向的一端配置到另一端，且呈大致平面状；及倾斜面部分，在所述第三方向上相对于所述平面部分位于所述陶瓷构件的至少一端侧，且相对于所述平面部分倾斜。根据本保持装置，能够抑制产生温度特异点。
(5)本说明书所公开的保持装置的制造方法中，该保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，并以所述第三表面配置于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，该保持装置的制造方法包括如下工序：对临时接合体的所述第一表面的温度分布进行测定，该临时接合体是经由临时接合部将经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件与经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件接合而成的；使所述临时接合体中的所述接合前陶瓷构件和所述接合前基座构件脱离，并对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和所述接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；以及在所述倾斜面形成之后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成所述接合部，该接合部包括第一接合部分和第二接合部分，在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，该第一接合部分在所述第一方向观察下，从所述接合部的所述第二方向的一端配置到另一端，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，且在与所述第三方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，该第二接合部分在所述第三方向上相对于所述第一接合部分位于所述接合部的至少一端侧，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧变厚。根据本保持装置的制造方法，通过在与经由接合部将陶瓷构件与基座构件接合后的完成体的温度分布的测定结果相应的部分形成倾斜面，能够制造有效地抑制了低温的温度特异点产生的保持装置。
(6)本说明书所公开的保持装置的制造方法中，该保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，并以所述第三表面配置于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件，该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，该保持装置的制造方法包括如下工序：对临时接合体的所述第一表面的温度分布进行测定，该临时接合体是经由临时接合部将经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件与经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件接合而成的；使所述临时接合体中的所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件脱离，并对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和所述接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；及在所述倾斜面形成之后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成与所述陶瓷构件的所述第二表面中的平面部分和倾斜面部分都接触的所述接合部，在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向两方大致垂直的方向设为第三方向时，该平面部分在所述第一方向观察下，从所述陶瓷构件的所述第二方向的一端配置到另一端，且呈大致平面状，该倾斜面部分在所述第三方向上相对于所述平面部分位于所述陶瓷构件至少一端侧，且相对于所述平面部分倾斜。根据本保持装置的制造方法，能够制造有效地抑制了温度特异点的产生的保持装置。
(7)本说明书所公开的保持装置的制造方法中，该保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，并以所述第三表面配置于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，该保持装置的制造方法包括如下工序：对经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件的所述第一表面的温度分布进行测定；对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；及在所述倾斜面形成之后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成接合部，该接合部包括第一接合部分和第二接合部分，在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，该第一接合部分在所述第一方向观察下，从所述接合部的所述第二方向的一端配置到另一端，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，且在与所述第三方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，该第二接合部分在所述第三方向上相对于所述第一接合部分位于所述接合部的至少一端侧，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧变厚。根据本保持装置的制造方法，无需将陶瓷构件和基座构件分离而能够制造有效地抑制低温的温度特异点的产生的保持装置。
(8)本说明书所公开的保持装置的制造方法中，该保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，并以所述第三表面配置于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，该保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，该保持装置的制造方法包括如下工序：对经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件的所述第一表面的温度分布进行测定；对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；及在所述倾斜面形成之后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成与所述陶瓷构件的所述第二表面中的平面部分和倾斜面部分都接触的所述接合部，在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，该平面部分在所述第一方向观察下，从所述陶瓷构件的所述第二方向的一端配置到另一端，且呈大致平面状，该倾斜面部分在所述第三方向上相对于所述平面部分位于所述陶瓷构件的至少一端侧，且相对于所述平面部分倾斜。根据本保持装置的制造方法，能够制造有效地抑制了温度特异点的产生的保持装置。
此外，本说明书所公开的技术能够以各种方式实现，例如，能够以静电夹头、CVD加热器等加热装置、真空夹头、其他的将陶瓷构件与基座构件接合的保持装置及他们的制造方法等方式实现。
附图说明
图1是概略地示出实施方式中的静电夹头100的外观结构的立体图。
图2是概略地示出实施方式中的静电夹头100的XZ剖面结构的说明图。
图3是示出实施方式中的静电夹头100的制造方法的流程图。
图4是示出临时接合体100P和静电夹头100中的温度分布和XZ剖面结构的说明图。
图5是示出静电夹头100中的温度分布和YZ剖面结构的说明图。
图6是示出比较例100X中的温度分布和XZ剖面结构的说明图。
具体实施方式
A.实施方式：
A-1.静电夹头100的结构：
图1是概略地示出本实施方式中的静电夹头100的外观结构的立体图，图2是概略地示出本实施方式中的静电夹头100的XZ剖面结构的说明图。在各图示出了用于确定方向的互相正交的XYZ轴。在本说明书中，为了方便起见，将Z轴正方向称为上方向，将Z轴负方向成为下方向，但实际上静电夹头100也可以以与上述朝向不同的朝向设置。
静电夹头100是利用静电引力将对象物(例如晶圆W)吸附并保持的装置，例如用于在半导体制造装置的真空室内固定晶圆W。静电夹头100具备在预定的配置排列方向(在本实施方式中为上下方向(Z轴方向))上排列配置的陶瓷构件10及基座构件20。陶瓷构件10和基座构件20以陶瓷构件10的下表面(以下，称为“陶瓷侧接合面S2”)与基座构件20的上表面(以下，称为“基座侧接合面S3”)夹着后述的接合部30而在上述配置排列方向上相向的方式配置。即，基座构件20以基座构件20的基座侧接合面S3位于陶瓷构件10的陶瓷侧接合面S2侧的方式配置。静电夹头100还具备配置于陶瓷构件10的陶瓷侧接合面S2与基座构件20的基座侧接合面S3之间的接合部30。上下方向(Z轴方向)相当于技术方案中的第一方向，陶瓷侧接合面S2相当于技术方案中的第二表面，基座侧接合面S3相当于技术方案中的第三表面。
陶瓷构件10例如是圆形平面的板状构件，由陶瓷形成。陶瓷构件10的直径例如为50mm～500mm的程度(通常为200mm～350mm的程度)，陶瓷构件10的厚度例如为1mm～10mm的程度。
作为陶瓷构件10的形成材料可以使用各种陶瓷，但从强度、耐磨损性、耐等离子体性等观点出发，例如，优选以氧化铝(氧化铝，Al2O3)或氮化铝(AlN)为主要成分的陶瓷。此外，在此提及的主要成分意味着含有比例(重量比例)最多的成分。
在陶瓷构件10的内部设置有由导电性材料(例如，钨、钼等)形成的一对内部电极40。当从电源(未图示)向一对内部电极40施加电压时产生静电引力，通过该静电引力，晶圆W吸附固定于陶瓷构件10的上表面(以下，称为“吸附面S1”)。吸附面S1相当于技术方案中的第一表面。
另外，在陶瓷构件10的内部设置有由含有导电性材料(例如，钨、钼等)的电阻发热体构成的发热电极50。当从电源(未图示)向发热电极50施加电压时，通过发热电极50发热而陶瓷构件10被升温，保持于陶瓷构件10的吸附面S1的晶圆W被升温。由此，实现晶圆W的温度控制。发热电极50例如为了尽可能地将陶瓷构件10的吸附面S1整体地升温，在Z方向观察时形成为大致同心圆状。
基座构件20是例如与陶瓷构件10直径相同或直径比陶瓷构件10大的圆形平面的板状构件，例如，由热传导率比形成陶瓷构件10的陶瓷材料的热传导率高的材料(例如金属(铝、铝合金等))形成。基座构件20的直径例如为220mm～550mm的程度(通常为220mm～350mm的程度)，基座构件20的厚度例如为20mm～40mm的程度。
在基座构件20的内部形成有冷却介质流路21。当向冷却介质流路21供给冷却介质(例如，氟基惰性液体、水等)时，基座构件20被冷却。当与由上述的发热电极50进行的陶瓷构件10的加热一并进行基座构件20的冷却时，通过经由了接合部30的陶瓷构件10与基座构件20之间的传热，保持于陶瓷构件10的吸附面S1的晶圆W的温度维持为固定。进一步地，在等离子体处理中产生了来自等离子体的热量输入时，通过对施加于发热电极50的电力进行调整，来实现晶圆W的温度控制。
接合部30含有例如硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂等粘接剂，将陶瓷构件10与基座构件20接合。接合部30的厚度例如为0.1mm以上且1mm以下。此外，对于陶瓷构件10与接合部30的接触部分附近的结构接下来叙述。
A-2.陶瓷构件10与接合部30的接触部分附近的结构：
在后述的图4(B)的上段示出本实施方式的静电夹头100的XY平面结构，在下段示出本实施方式的静电夹头100的XZ剖面结构。另外，在后述的图5的上段示出静电夹头100的XY平面结构，在图5的下段(A)示出图5的上段的A-A的位置上的静电夹头100的YZ剖面结构，在图5的下段(B)示出图5的上段的B-B的位置上的静电夹头100的YZ剖面结构。此外，在各图的上段利用假想线示出接合部30。另外，在图5(B)省略了冷却介质流路21。以下，在本说明书中，为了方便起见，将X轴方向称为左右方向，将Y轴方向称为进深方向。进深方向相当于技术方案中的第二方向，左右方向相当于技术方案中的第三方向。
如图2、图4(B)及图5所示，接合部30含有扁平部分32和壁厚变化部分34。扁平部分32在上下方向(Z轴方向)观察下，从接合部30的进深方向(Y轴方向)的一端配置到另一端(参照图4(B)上段图及图5上段图)。另外，扁平部分32在整体上为上下方向的厚度(D1)大致均等的扁平状。具体而言，在与接合部30的进深方向大致垂直的任意的XZ剖面中，扁平部分32的上下方向的厚度(D1)在扁平部分32的左右方向(X轴方向)的全长上大致均等(参照图2及图4(B)下段图)，且在各XZ剖面间，扁平部分32的上下方向的厚度(D1)大致均等。另外，在与接合部30的左右方向大致垂直的任意的YZ剖面中，扁平部分32的上下方向的厚度(D1)在扁平部分32的进深方向的全长上大致均等(参照图5(A))，且在各YZ剖面间，扁平部分32的上下方向的厚度(D1)大致均等。另外，接合部30的任意的XZ剖面中的扁平部分32的上下方向的厚度(D1)与接合部30的任意的YZ剖面中的扁平部分32的上下方向的厚度(D1)大致相同。此外，扁平部分32的上下方向的厚度大致均等是指扁平部分32的上下方向的厚度的偏差小于±30μm。另外，扁平部分32的上下方向的厚度(D1)例如为100μm以上且1000μm以下。
壁厚变化部分34在左右方向(X轴方向)上相对于扁平部分32位于接合部30的一方的端侧(在图2及图4(B)中为接合部30的右侧)。另外，壁厚变化部分34在整体上，上下方向(Z轴方向)的厚度朝接合部30的外周侧连续地变厚。具体而言，在与接合部30的进深方向(Y轴方向)大致垂直的任意的XZ剖面，上下方向(Z轴方向)的厚度从扁平部分32侧朝接合部30的右端侧连续地变厚。另外，在与接合部30的左右方向大致垂直的任意的YZ剖面，壁厚变化部分34的上下方向的厚度(D3(D1＜D3＜D2))在壁厚变化部分34的进深方向(Y轴方向)的全长上大致均等(参照图5(B))，且在各YZ剖面间，壁厚变化部分34的上下方向的厚度互相不同。此外，在本说明书中，“连续地”意味着没有高度差。因此，对于“连续地”，不限于呈直线状(平面状)，也包括例如呈曲面状(曲面状)、具有平滑的凹凸状。
更具体而言，扁平部分32与壁厚变化部分34相邻，在上下方向(Z轴方向)观察下，扁平部分32与壁厚变化部分34的边界线L2是与进深方向(Y轴方向)大致平行的大致直线。扁平部分32是接合部30中的在上下方向观察下由上述边界线L2和接合部30的左侧的外周线围起的部分。总而言之，在上下方向观察下扁平部分32的除边界线L2以外的外缘到达接合部30的外周线。壁厚变化部分34是接合部30中的在上下方向观察下由上述边界线L2与右侧的接合部30的外周线围起的部分。总而言之，在上下方向观察下，壁厚变化部分34的除边界线L2以外的外缘到达接合部30的外周线。壁厚变化部分34中的与扁平部分32相邻的部位的上下方向的厚度与扁平部分32的上下方向的厚度(D1)大致相同，壁厚变化部分34中的最远离扁平部分32的部位的上下方向的厚度(D2)比扁平部分32的上下方向的厚度(D1)大。此外，壁厚变化部分34中的壁厚的差过小或者过大均不优选。即，若壁厚变化部分34中的壁厚的差过小，则壁厚变化部分34的倾斜会埋没于接合部30本身的上下方向的厚度的偏差，可能无法期待由壁厚变化部分34形成的温度上升效果。另一方面，若壁厚变化部分34中的壁厚的差过大，则不仅陶瓷构件10的外周侧的温度过度上升，还可能带来由向特定位置的应力集中造成的接合部30的强度下降。壁厚变化部分34中的作为上下方向的厚度最小的部位的厚度(D1)与最大的部位的厚度(D2)的差优选为20μm以上且100μm以下，进一步优选为30μm以上且60μm以下。另外，壁厚变化部分34的左右方向(X轴方向)的长度优选接合部30的左右方向的全长的10％以上且小于50％。另外，壁厚变化部分34的左右方向的长度优选为3cm以上。
另外，在本实施方式中，基座构件20的基座侧接合面S3整体上为大致平面。与此相对，在陶瓷构件10的陶瓷侧接合面S2中，与接合部30的扁平部分32接触的平面部分为与基座构件20的基座侧接合面S3大致平行的平面，与壁厚变化部分34接触的倾斜面部分为以随着朝接合部30的外周侧(与平面部分相反的一侧)而连续地远离基座侧接合面S3的方式倾斜的倾斜平面。
另外，如图2所示，优选在上下方向观察下，扁平部分32的至少一部分与发热电极50重叠。另外，优选壁厚变化部分34的至少一部分与发热电极50重叠。在本实施方式中，发热电极50配置在与吸附面S1大致平行的假想平面L1上。扁平部分32的整体配置于距发热电极50大致相等的距离。具体而言，陶瓷构件10的陶瓷侧接合面S2中的与扁平部分32接触的表面部分在与进深方向(Y轴方向)大致垂直的任意截面处，与形成有发热电极50的假想平面L1大致平行。
另一方面，陶瓷侧接合面S2中的与壁厚变化部分34接触的表面部分以在与进深方向(Y轴方向)大致垂直的任意截面处从扁平部分32侧朝接合部30的外周侧连续地接近假想平面L1的方式倾斜。即，壁厚变化部分34以随着从扁平部分32侧朝接合部30的外周侧而连续地接近发热电极50的方式配置。此外，扁平部分32相当于技术方案中的第一接合部分，壁厚变化部分34相当于技术方案中的第二接合部分。
A-3.静电夹头100的制造方法：
图3是示出本实施方式的静电夹头100的制造方法的流程图。图4是示出临时接合体100P和静电夹头100中的温度分布和XZ剖面结构的说明图。在图4(A)的上段示出了临时接合体100P的XY平面结构，在下段示出了临时接合体100P的XZ剖面结构。图5是示出静电夹头100中的温度分布和YZ剖面结构的说明图。临时接合体100P相当于技术方案中的临时接合体。
(临时接合体100P的准备工序)：
首先，准备临时接合体100P(S110)。临时接合体100P是经由临时接合部30P将接合前陶瓷构件10P与基座构件20接合而成的复合体。接合前陶瓷构件10P是实施后述的倾斜面的形成工序(S130)中的加工之前的陶瓷构件10。具体而言，接合前陶瓷构件10P在其吸附面S1的相反的一侧的陶瓷侧接合面S2P是整体上与基座构件20的基座侧接合面S3大致平行的平面这一点上与陶瓷构件10不同，其他的点与陶瓷构件10相同。接合前陶瓷构件10P及基座构件20可以通过公知的制造方法制造。例如，接合前陶瓷构件10P利用以下的方法制造。即，准备多个陶瓷生片材(例如氧化铝生片材)，并在各陶瓷生片材进行用于构成内部电极40、发热电极50等的金属油墨的印刷等，之后，层叠多个陶瓷生片材并热压接，在切割为预定的圆板形状的基础上进行烧成，最后进行研磨加工等，由此制造接合前陶瓷构件10P。此外，经由接合部30接合前的基座构件20(S110～S130的基座构件20)相当于技术方案中的接合前基座构件。
(温度分布的测定工序)：
接下来，对临时接合体100P中的接合前陶瓷构件10P的吸附面S1测定与上下方向(Z轴方向)大致垂直的面方向的温度分布(S120)。此时，优选在临时接合体100P的使用时的状态下测定吸附面S1的温度分布。例如，在向接合前陶瓷构件10P所具备的内部电极40及发热电极50供给电力且向形成于基座构件20的冷却介质流路21供给冷却介质的状态下，测定吸附面S1的温度分布。温度分布的测定例如可以使用红外线放射温度计、带热电偶的晶圆来进行。如图4(A)上段所示，在S120的温度分布的测定结果中，在临时接合体100P的吸附面S1上，在接合前陶瓷构件10P的外周侧的特定部分产生低温的温度特异点S1C(温度特异区域)。该主要原因例如由如静电夹头100的制造线、制造装置等的特性造成。
(倾斜面的形成工序)：
接下来，使临时接合体100P的接合前陶瓷构件10P与基座构件20脱离，并相对于接合前陶瓷构件10P的陶瓷侧接合面S2P在与S120中的吸附面S1的温度分布的测定结果相应的部分形成倾斜平面S2V(S130)。更具体而言，以基于S120中的吸附面S1的温度分布的测定结果使吸附面S1的温度分布为所希望的分布(例如面方向中的温度大致均等)的方式在陶瓷侧接合面S2P形成倾斜平面S2V。由此，从接合前陶瓷构件10P完成陶瓷构件10。倾斜平面S2V例如可以通过研磨加工、喷砂加工较简单地形成。
(陶瓷构件10与基座构件20的接合工序)：
接下来，将陶瓷构件10与基座构件20接合(S140)。具体而言，在使陶瓷构件10的陶瓷侧接合面S2与基座构件20的基座侧接合面S3经由粘接剂(接合剂)贴合了的状态下进行使粘接剂固化的固化処理，由此形成接合部30。通过以上的工序，上述的结构的静电夹头100的制造完成。由此，如图4(B)上段及图5上段所示，抑制了在陶瓷构件10的外周侧的特定部分产生低温的温度特异点S1C。通过以上的制造方法，在与陶瓷构件10和基座构件20经由接合部30接合而成的完成体的温度分布的测定结果相应的部分形成倾斜平面S2V，由此能够提供能够使与陶瓷构件10的倾斜平面S2V对应的位置的温度上升的静电夹头100。
A-4.本实施方式的效果：
如以上说明那样，在本实施方式的静电夹头100中，接合部30包括扁平部分32和壁厚变化部分34(参照图2、图4(B)及图5)。扁平部分32的上下方向(Z轴方向)的厚度在整体上大致均等。与此相对，壁厚变化部分34的上下方向的厚度朝接合部30的外周侧变厚。即，壁厚变化部分34的上下方向的厚度比扁平部分32的上下方向的厚度厚。因此，壁厚变化部分34中的从陶瓷构件10向基座构件20的热移动量比扁平部分32中的从陶瓷构件10向基座构件20的热移动量少。由此，能够在陶瓷构件10的吸附面S1抑制在陶瓷构件10的外周侧产生低温的温度特异点S1C(参照图4)。
在此，一般而言，接合部的形成材料的热传导率与陶瓷构件、基座构件的形成材料的热传导率相比极低。因此，为了对陶瓷构件的吸附面(第一表面)的温度分布进行控制，调整接合部的厚度是有效的，但是另一方面，即使接合部的厚度稍微变化，对吸附面的温度分布也会产生显著影响。因此，本申请发明人新发现了抑制接合部的厚度的局部的变化并控制吸附面的温度分布的方法及结构。以下，具体地进行说明。
图6是示出比较例100X中的温度分布和XZ剖面结构的说明图。在图6的上段示出了比较例100X的XY平面结构，在下段示出了比较例100X的XZ剖面结构。比较例100X是陶瓷构件10X与基座构件20经由接合部30X接合而成的复合体。在陶瓷构件10X中，在陶瓷构件10X的陶瓷侧接合面S2X形成有凹处32X的点上与接合前陶瓷构件10P不同，其他的点与接合前陶瓷构件10P相同。如图6的上段所示，在比较例100X中，通过在陶瓷侧接合面S2X形成有凹处32X，来抑制低温的温度特异点S1C在陶瓷构件10X的吸附面S1产生。然而，在陶瓷侧接合面S2X由凹处32X形成了高度差，因该高度差在接合部30X存在厚度局部地变化得大的部分。因此，如图6的上段所示，由于该接合部30X的厚度局部地变化得大的部分而会产生矩形状的温度特异点S1X。另外，在这样在陶瓷侧接合面S2X存在高度差的情况下，例如，在图3的S140中在将陶瓷构件10X与基座构件20接合时，容易将气泡卷入陶瓷侧接合面S2X的高度差中，结果，因卷入气泡而会在吸附面S1产生温度特异点S1X。
与此相对，在本实施方式的静电夹头100中，壁厚变化部分34的上下方向(Z轴方向)的厚度从扁平部分32侧朝接合部30的端侧变厚，因此在陶瓷构件10的吸附面S1能够使陶瓷构件10的外周侧的温度分布缓缓地变化。由此，与上述比较例100X、例如接合部的上下方向的厚度阶段地变厚的结构相比，能够抑制温度特异点产生。另外，能够抑制由于将气泡卷入在接合部的上下方向的厚度阶段地变厚的位置产生的高度差而产生温度特异点。
另外，在本实施方式中，陶瓷侧接合面S2中的与壁厚变化部分34接触的表面部分在与进深方向(Y轴方向)大致垂直的任意截面处以从扁平部分32侧朝接合部30的外周侧而接近假想平面L1的方式倾斜。因此，根据本实施方式，通过使壁厚变化部分34的一部分配置于比扁平部分32靠发热电极50的附近处，发热电极50的热变得容易移动至壁厚变化部分34，因此与陶瓷构件10的陶瓷侧接合面S2整体为平坦的结构(临时接合体100P)相比，由于壁厚变化部分34的存在，能够抑制陶瓷构件10的外周侧的温度分布极端地变化。
B.变形例：
由本说明书公开的技术不限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够变形为多种方式，例如也可以是如下的变形。
上述实施方式中的静电夹头100的结构不过是一例，能够进行多种变形。例如，也可以是在陶瓷构件10的内部不具备内部电极40和发热电极50中的至少1种。这是由于在这样的方式中也会要求吸附面S1的温度分布的控制性。另外，静电夹头100例如也可以是在陶瓷构件10与基座构件20之间配置有金属、陶瓷、树脂等的结构，或者也可以是在陶瓷构件10与基座构件20之间配置有与配置于陶瓷构件10的内部的发热电极50不同的加热器的结构。
另外，在上述实施方式中接合部30仅含有1个壁厚变化部分34，但是也可以含有多个壁厚变化部分34。例如，在图2及图4(B)中也可以是壁厚变化部分34在左右方向(X轴方向)上相对于扁平部分32位于接合部30的两端侧(接合部30的左右两侧)。在该情况下，在上下方向观察下，一方的壁厚变化部分34与扁平部分32之间的边界线L2和另一方的壁厚变化部分34与扁平部分32之间的边界线L2也可以大致平行，也可以不平行。
另外，在上述实施方式中，扁平部分32以包含接合部30中的左右方向(X轴方向)的中心的方式配置，但也可以是扁平部分32以不包含接合部30中的左右方向的中心的方式配置，并且壁厚变化部分34以包含接合部30中的左右方向的中心的方式配置。
在上述实施方式中，例如，陶瓷构件10的陶瓷侧接合面S2整体上为大致平面，但也可以是在基座构件20的基座侧接合面S3形成倾斜平面。具体而言，也可以是在基座侧接合面S3中，与接合部30的第一接合部分接触的表面部分为与陶瓷侧接合面S2大致平行的平面，与第二接合部分接触的表面部分为以随着朝接合部30的外周侧而远离陶瓷侧接合面S2的方式倾斜的倾斜平面。即，在该结构中，通过在基座构件20的基座侧接合面S3设置倾斜来形成第二接合部分。由此，基座构件20的基座侧接合面S3中的与第二接合部分接合的部分通过比与第一接合部分接触的部分远离发热电极而配置，与基座构件20的基座侧接合面S3整体为平坦的结构相比，由于第二接合部分的存在，能够使陶瓷构件10的外周侧的温度分布大地变化。即，在由于如制造线、制造装置等的特性而温度特异点的温度大幅变低的情况下，本结构特别有效。
进一步地，在上述实施方式中，也可以是陶瓷侧接合面S2与基座侧接合面S3各自的相向部分均为倾斜面，该倾斜面朝接合部30的外周侧而互相分离。总而言之，第二接合部分在与第二方向大致垂直的任意截面处，第一方向的厚度从第一接合部分侧朝接合部的端侧变厚即可。
上述实施方式中的静电夹头100的制造方法不过是一例，能够进行多种变形。例如，图3的S130中，也可以在陶瓷侧接合面S2P不形成倾斜平面S2V而形成倾斜曲面。总而言之，也可以是接合部30的壁厚变化部分34(第二接合部分)从扁平部分32(第一接合部分)侧朝接合部30的外周侧直线状地变厚，也可以是曲线状地变厚。
另外，在上述实施方式中，相对于接合前陶瓷构件10P的陶瓷侧接合面S2P，在与图3的S120中的吸附面S1的温度分布的测定结果相应的部分形成倾斜平面S2V(S130)，但也可以不对临时接合体100P中的吸附面S1的温度分布进行测定而相对于陶瓷侧接合面S2P形成倾斜平面S2V。例如，根据如静电夹头100的制造线、制造装置等的特性能够预先预测临时接合体100P的吸附面S1上的温度特异点产生的位置。在这样的情况下，不对临时接合体100P的吸附面S1的温度分布进行测定而相对于陶瓷侧接合面S2P在与如制造线、制造装置等的特性相应的预定的位置形成倾斜平面S2V即可。
另外，在上述实施方式中，测定临时接合体100P中的吸附面S1的温度分布，之后，将接合前陶瓷构件10P和基座构件20分离，并在接合前陶瓷构件10P形成倾斜平面S2V，但不限于此，也可以是如下的制造方法。首先，对接合前陶瓷构件10P单体测定吸附面S1的温度分布。例如，通过在向设置于接合前陶瓷构件10P单体的发热电极50供给电力的状态下测定吸附面S1的温度分布，能够测定发热电极50的发热分布。接下来，在与接合前陶瓷构件10P单体中的温度分布的测定结果相应的部分形成倾斜平面S2V，完成陶瓷构件10。此时，也可以在基座构件20的基座侧接合面S3侧形成倾斜面。之后，将陶瓷构件10与基座构件20接合。根据这样的制造方法，无需进行接合前陶瓷构件10P和基座构件20的分离而能够制造静电夹头100。
另外，本发明不限于利用静电引力来保持晶圆W的静电夹头100，也能够适用于其他的保持装置(真空夹头等)及其制造方法。
附图标记说明
10、10X：陶瓷构件10P：接合前陶瓷构件20：基座构件21：冷却介质流路30、30X：接合部30P：临时接合部32：扁平部分32X：凹处34：壁厚变化部分40：内部电极50：发热电极100：静电夹头100P：临时接合体D1：厚度L1：假想平面L2：边界线S1：吸附面S1C：温度特异点S1X：温度特异点S2、S2X、S2P：陶瓷侧接合面S2V：倾斜平面S3：基座侧接合面W：晶圆。

Claims (8)

1.一种保持装置，具备：
陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；
基座构件，具有第三表面，以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及
接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，
在所述陶瓷构件的所述第一表面上保持对象物，
所述保持装置的特征在于，
在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，
所述接合部包括：
第一接合部分，在所述第一方向观察下，从所述接合部的所述第二方向的一端配置到另一端，在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，且在与所述第三方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等；及
第二接合部分，在所述第三方向上相对于所述第一接合部分位于所述接合部的至少一端侧，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧变厚，用以抑制产生温度特异点。
2.根据权利要求1所述的保持装置，其特征在于，
所述保持装置还具备发热电极，所述发热电极设置于所述陶瓷构件，并配置在与所述第一方向大致垂直的假想平面上，
所述陶瓷构件的所述第二表面中的与所述第二接合部分接触的表面部分在与所述第二方向大致垂直的任意截面处以从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧而接近所述假想平面的方式倾斜。
3.根据权利要求1或2所述的保持装置，其特征在于，
所述保持装置还具备发热电极，所述发热电极设置于所述陶瓷构件，并配置在与所述第一方向大致垂直的假想平面上，
所述基座构件的所述第三表面中的与所述第二接合部分接触的表面部分在与所述第二方向大致垂直的任意截面处以从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧而远离所述假想平面的方式倾斜。
4.一种保持装置，具备：
陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；
基座构件，具有第三表面，以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及
接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，
在所述陶瓷构件的所述第一表面上保持对象物，
所述保持装置的特征在于，
在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，
所述陶瓷构件的所述第二表面包括：
平面部分，在所述第一方向观察下，从所述陶瓷构件的所述第二方向的一端配置到另一端，且呈大致平面状；及
倾斜面部分，在所述第三方向上相对于所述平面部分位于所述陶瓷构件的至少一端侧，且相对于所述平面部分倾斜，用以抑制产生温度特异点。
5.一种保持装置的制造方法，所述保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，所述保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，
所述保持装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：
对临时接合体的所述第一表面的温度分布进行测定，所述临时接合体是经由临时接合部将经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件与经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件接合而成的；
使所述临时接合体中的所述接合前陶瓷构件和所述接合前基座构件脱离，对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和所述接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；及
在所述倾斜面形成之后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成包括第一接合部分和第二接合部分的所述接合部，
在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，
所述第一接合部分在所述第一方向观察下从所述接合部的所述第二方向的一端配置到另一端，在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，且在与所述第三方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，
所述第二接合部分在所述第三方向上相对于所述第一接合部分位于所述接合部的至少一端侧，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧变厚，用以抑制产生温度特异点。
6.一种保持装置的制造方法，所述保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，所述保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，
所述保持装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：
对临时接合体的所述第一表面的温度分布进行测定，所述临时接合体是经由临时接合部将经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件与经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件接合而成的；
使所述临时接合体中的所述接合前陶瓷构件和所述接合前基座构件脱离，并对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和所述接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；及
在所述倾斜面形成之后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成与所述陶瓷构件的所述第二表面中的平面部分和倾斜面部分都接触的所述接合部，
在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，
所述平面部分在所述第一方向观察下从所述陶瓷构件的所述第二方向的一端配置到另一端，且呈大致平面状，
所述倾斜面部分在所述第三方向上相对于所述平面部分位于所述陶瓷构件的至少一端侧，且相对于所述平面部分倾斜，用以抑制产生温度特异点。
7.一种保持装置的制造方法，所述保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，所述保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，
所述保持装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：
对经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件的所述第一表面的温度分布进行测定；
对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；及
在所述倾斜面形成后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成包括第一接合部分和第二接合部分的所述接合部，
在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，
所述第一接合部分在所述第一方向观察下从所述接合部的所述第二方向的一端配置到另一端，在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，且在与所述第三方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度大致均等，
所述第二接合部分在所述第三方向上相对于所述第一接合部分位于所述接合部的至少一端侧，且在与所述第二方向大致垂直的任意截面处，所述第一方向的厚度从所述第一接合部分侧朝所述接合部的所述端侧变厚，用以抑制产生温度特异点。
8.一种保持装置的制造方法，所述保持装置具备：陶瓷构件，具有与第一方向大致垂直的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面；基座构件，具有第三表面，以所述第三表面位于所述陶瓷构件的所述第二表面侧的方式配置；及接合部，配置于所述陶瓷构件的所述第二表面与所述基座构件的所述第三表面之间，并将所述陶瓷构件与所述基座构件接合，所述保持装置将对象物保持在所述陶瓷构件的所述第一表面上，
所述保持装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：
对经由所述接合部接合之前的所述陶瓷构件即接合前陶瓷构件的所述第一表面的温度分布进行测定；
对于所述接合前陶瓷构件的所述第二表面和经由所述接合部接合之前的所述基座构件即接合前基座构件的所述第三表面中的至少一方，在与所述温度分布的测定结果相应的外周侧的部分形成倾斜面；及
在所述倾斜面形成之后，通过经由接合剂将所述接合前陶瓷构件与所述接合前基座构件接合来形成与所述陶瓷构件的所述第二表面中的平面部分及倾斜面部分都接触的所述接合部，
在将与所述第一方向大致垂直的方向设为第二方向、将与所述第一方向和所述第二方向都大致垂直的方向设为第三方向时，
所述平面部分在所述第一方向观察下从所述陶瓷构件的所述第二方向的一端配置到另一端，且呈大致平面状，
所述倾斜面部分在所述第三方向上相对于所述平面部分位于所述陶瓷构件的至少一端侧，且相对于所述平面部分倾斜，用以抑制产生温度特异点。
CN201980035141.8A 2018-05-28 2019-01-08 保持装置及保持装置的制造方法 Active CN112166496B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-101623 2018-05-28
JP2018101623 2018-05-28
PCT/JP2019/000153 WO2019230030A1 (ja) 2018-05-28 2019-01-08 保持装置、および、保持装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112166496A CN112166496A (zh) 2021-01-01
CN112166496B true CN112166496B (zh) 2024-05-03

Family

ID=68697971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980035141.8A Active CN112166496B (zh) 2018-05-28 2019-01-08 保持装置及保持装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11784067B2 (zh)
JP (1) JP6703645B2 (zh)
KR (1) KR102463946B1 (zh)
CN (1) CN112166496B (zh)
TW (1) TWI771587B (zh)
WO (1) WO2019230030A1 (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5978202A (en) * 1997-06-27 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a thermal transfer regulator pad
JP2008041927A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャックの製造方法
JP2008042139A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 静電チャック装置
CN101546724A (zh) * 2008-03-28 2009-09-30 东京毅力科创株式会社 静电卡盘及其制造方法
JP2016092105A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP2017112299A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 日本特殊陶業株式会社 静電チャックの製造方法
JP2017147312A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
JP2017168649A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 日本特殊陶業株式会社 半導体製造用部品

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088246B2 (ja) 1990-11-16 1996-01-29 日本碍子株式会社 加熱装置
JPH11162620A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Kyocera Corp セラミックヒーター及びその均熱化方法
JPH11274281A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Kobe Steel Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP3982674B2 (ja) 2001-11-19 2007-09-26 日本碍子株式会社 セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置
JP2004220966A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Ngk Insulators Ltd ヒーターおよびその製造方法
JP4662725B2 (ja) 2004-02-25 2011-03-30 日本碍子株式会社 基板加熱装置とその製造方法
JP4749072B2 (ja) 2005-07-26 2011-08-17 京セラ株式会社 ウェハ保持体
US20080041312A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-21 Shoichiro Matsuyama Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
US7501605B2 (en) 2006-08-29 2009-03-10 Lam Research Corporation Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly
US7723648B2 (en) 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
JP4944600B2 (ja) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
JP4944601B2 (ja) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
JP5823915B2 (ja) 2012-05-29 2015-11-25 新光電気工業株式会社 静電チャックの製造方法
JP2013258268A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及び基板処理装置
JP6140457B2 (ja) * 2013-01-21 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 接着方法、載置台及び基板処理装置
JP6215104B2 (ja) 2014-03-20 2017-10-18 新光電気工業株式会社 温度調整装置
CN105580129B (zh) * 2014-09-04 2018-10-02 日本碍子株式会社 晶片保持台及其制法
JP6384998B2 (ja) 2014-10-30 2018-09-05 オリンパス株式会社 撮像素子付中間筒
JP2016189428A (ja) 2015-03-30 2016-11-04 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP5891332B2 (ja) 2015-09-02 2016-03-22 新光電気工業株式会社 静電チャック
US11069553B2 (en) * 2016-07-07 2021-07-20 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity
US10541168B2 (en) * 2016-11-14 2020-01-21 Lam Research Corporation Edge ring centering method using ring dynamic alignment data
JP6577932B2 (ja) * 2016-11-29 2019-09-18 エックスジェット エルティーディー． セルフパージ、沈澱防止、および、ガス除去の構造を備えた印刷システム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5978202A (en) * 1997-06-27 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a thermal transfer regulator pad
JP2008041927A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャックの製造方法
JP2008042139A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 静電チャック装置
CN101546724A (zh) * 2008-03-28 2009-09-30 东京毅力科创株式会社 静电卡盘及其制造方法
JP2016092105A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP2017112299A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 日本特殊陶業株式会社 静電チャックの製造方法
JP2017147312A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
JP2017168649A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 日本特殊陶業株式会社 半導体製造用部品

Also Published As

Publication number Publication date
KR102463946B1 (ko) 2022-11-04
TWI771587B (zh) 2022-07-21
CN112166496A (zh) 2021-01-01
TW202004982A (zh) 2020-01-16
US20210233785A1 (en) 2021-07-29
JP6703645B2 (ja) 2020-06-03
JPWO2019230030A1 (ja) 2020-07-09
WO2019230030A1 (ja) 2019-12-05
US11784067B2 (en) 2023-10-10
KR20200135480A (ko) 2020-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6634315B2 (ja) 保持装置および保持装置の製造方法
JP6196095B2 (ja) 静電チャック
JP6239894B2 (ja) 静電チャック
JP6867556B2 (ja) 保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置
JP6392961B2 (ja) 静電チャック
CN112204724B (zh) 保持装置的制造方法以及保持装置
CN112166496B (zh) 保持装置及保持装置的制造方法
JP6703646B2 (ja) 保持装置の製造方法
JP2017147312A (ja) 保持装置および保持装置の製造方法
TWI745006B (zh) 半導體製造裝置用構件
JP7283872B2 (ja) 保持装置
JP2019220496A (ja) 保持装置の製造方法
JP6959090B2 (ja) 加熱装置
JP6695204B2 (ja) 保持装置
JP7379166B2 (ja) 保持装置の製造方法
JP2023061525A (ja) 保持装置
JP2020174135A (ja) 保持装置の製造方法
JP2019212831A (ja) 保持装置、および、保持装置の製造方法
JP2019140164A (ja) 保持装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant