JP2013258268A - 基板載置台及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる基板載置台及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理容器及び基板載置台を備える。処理容器は、処理空間を画成する。基板載置台は、基台及び静電チャックを有し、処理空間内に配置される。基台は、冷媒用の流路がその内部に設けられている。静電チャックは、基台の上面に液状接着剤を硬化してなる接着層を介して設けられ、その内部に電極が設けられている。ここで、基台の上面には、静電チャックと接着層を介して接着する第１接着領域が形成されている。第１接着領域の中央部は、第１接着領域の端部に比べて凹んでいる。
【選択図】図２

Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、基板載置台及び基板処理装置に関するものである。

従来、静電吸着用の電極を内臓する静電チャックと、静電チャックの温度を調整する基台とを備える基板載置台が知られている（例えば特許文献１参照）。特許文献１記載の基板載置台では、静電チャックと基台とが、液体接着剤を硬化してなる絶縁性の有機系接着剤層を介して接着一体化されている。また、静電チャックの載置面とは反対の主面（基台と対向する主面）に、厚みのばらつきが１０μｍ以下となる接着剤を介してヒータを接着する。これにより、静電チャックとヒータとの間隔が１０μｍ以下で制御され、基板の面内温度均一性が向上する。そして、静電チャックと対向する基台の面の全体又は一部分に、シート状又はフィルム状の接着剤を介して、シート状又はフィルム状の絶縁材を被覆している。このため、接着剤の厚みが一定となることによって、基板の面内温度均一性が向上する。

特開２０１１−１７６２７５号公報

しかしながら、特許文献１記載の基板載置台にあっては、基台上面を完全な平面に作ることは困難であり、偏りが生じる場合がある。この場合、基板載置台ごとに温度プロファイルのばらつきが生じるおそれがある。このため、本技術分野においては、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる基板載置台及び基板処理装置が望まれている。

本発明の一側面に係る基板処理装置は、処理容器及び基板載置台を備える。処理容器は、処理空間を画成する。基板載置台は、基台及び静電チャックを有し、処理空間内に配置される。基台は、冷媒用の流路がその内部に設けられている。静電チャックは、基台の上面に液状接着剤を硬化してなる接着層を介して設けられ、その内部に電極が設けられている。ここで、基台の上面には、静電チャックと接着層を介して接着する第１接着領域が形成されている。第１接着領域の中央部は、第１接着領域の端部に比べて凹んでいる。

この基板処理装置では、基台の上面に形成された第１接着領域の中央部が、第１接着領域の端部に比べて凹んでいる。静電チャックと第１接着領域との間に液体接着剤を塗布し、静電チャックを押さえつけて貼り合わせ接着する場合、静電チャックと第１接着領域の中央部との間に接着剤が溜まりやすくなる。このため、何れの基板載置台においても中央部の接着層の厚みが端部の厚みに比べて厚くなる傾向となる。したがって、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

一実施形態では、第１接着領域の中央部は、第１接着領域の端部から中央部へ向うに従い除々に凹んでいてもよい。一実施形態では、基台と静電チャックとの重ね合わせ方向における第１接着領域の断面形状は、Ｖ字形状又はＵ字形状であってもよい。このように、中央部に向かって除々に傾斜する形状を採用することで、周方向において接着層の厚さを均一にすることができるため、接着層の厚さのバラツキに起因した面内の温度傾斜を径方向のみに限定させることが可能となる。

一実施形態では、静電チャックの下面には、基台と接着層を介して接着する第２接着領域が形成されており、第２接着領域の中央部は、第１接着領域の凹形状に沿うように第２接着領域の端部に比べて突出していてもよい。一実施形態では、第２接着領域の中央部は、第２接着領域の端部から中央部へ向うに従い除々に突出していてもよい。一実施形態では、基台と静電チャックとの重ね合わせ方向における第２接着領域の断面形状は、Ｖ字形状又はＵ字形状であってもよい。このように、静電チャックの下面に形成された第２接着領域を第１接着領域の形状に合わせることで、径方向の接着層の厚さのばらつきを緩和させることができるため、温度の面内均一性を実現しつつ、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

一実施形態では、静電チャックの上面の中央部が、第２接着領域の凸形状に沿うように静電チャックの上面の端部に比べて凹んでいてもよい。すなわち、基台の第１接着領域に液体接着剤を塗布し、例えば比較的薄い板状の静電チャックを押さえつけて変形させ、接着する場合であっても、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

一実施形態では、接着層に配置されたヒータをさらに備えてもよい。基台による冷却の温度プロファイルの傾向を基板載置台ごとに均一とすることができるため、ヒータによって加熱した場合であっても、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

一実施形態では、ヒータは、静電チャックの中央部に配置されるとともに、該中央部を囲む複数のリング状に配置されてもよい。このように構成することで、中央部の接着層の厚さと端部の接着層の厚さとの差に起因した面内温度傾斜を、ヒータによって緩和させることができるため、温度の面内均一性を実現しつつ、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

一実施形態では、接着層に配置されたスペーサ部材をさらに備えてもよい。このように構成することで、接着層の厚さを均一にすることができる。

本発明の他の側面に係る基板載置台は、基台及び静電チャックを有する。基台は、冷媒用の流路がその内部に設けられている。静電チャックは、基台の上面に液状接着剤を硬化してなる接着層を介して設けられ、その内部に電極が設けられている。ここで、基台の上面には、静電チャックと接着層を介して接着する第１接着領域が形成されている。第１接着領域の中央部は、第１接着領域の端部に比べて凹んでいる。

この基板載置台では、基台の上面に形成された第１接着領域の中央部が、第１接着領域の端部に比べて凹んでいる。静電チャックと第１接着領域との間に液体接着剤を塗布し、静電チャックを押さえつけて貼り合わせ接着する場合、静電チャックと第１接着領域の中央部との間に接着剤が溜まりやすくなる。このため、何れの基板載置台においても中央部の接着層の厚みが端部の厚みに比べて厚くなる傾向となる。したがって、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

以上説明したように、本発明の種々の側面及び実施形態によれば、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。 基板載置台の断面図である。 作用効果を説明する概要図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図１では、一実施形態に係る基板処理装置の断面が示されている。図１に示す基板処理装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置である。

プラズマ処理装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Ｓを画成している。プラズマ処理装置１０は、処理容器１２内に、略円板形状のベース（基台）１４を備えている。ベース１４は、処理空間Ｓの下方に設けられている。ベース１４は、例えばアルミニウム製であり、第２の電極を構成している。ベース１４は、プロセスにおいて後述する静電チャック５０の熱を吸熱して、静電チャック５０を冷却する機能を有する。

ベース１４の内部には、冷媒用の冷媒流路１５が形成されており、冷媒流路１５には、冷媒入口配管、冷媒出口配管が接続される。そして、冷媒流路１５の中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、ベース１４及び静電チャック５０を所定の温度に制御可能な構成とされている。

一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、筒状保持部１６及び筒状支持部１７を更に備えている。筒状保持部１６は、ベース１４の側面及び底面の縁部に接して、ベース１４を保持している。筒状支持部１７は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部１６を介してベース１４を支持している。プラズマ処理装置１０は、この筒状保持部１６の上面に載置されるフォーカスリング１８を更に備えている。フォーカスリング１８は、例えば、シリコン又は石英から構成され得る。

一実施形態においては、処理容器１２の側壁と筒状支持部１７との間には、排気路２０が形成されている。排気路２０の入口又はその途中には、バッフル板２２が取り付けられている。また、排気路２０の底部には、排気口２４が設けられている。排気口２４は、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２８によって画成されている。この排気管２８には、排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁には、被処理基体（基板）Ｗの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。

ベース１４には、プラズマ生成用の高周波電源３２が整合器３４を介して電気的に接続されている。高周波電源３２は、所定の高周波数（例えば２７ＭＨｚ以上）の高周波電力を第２の電極、即ち、ベース１４に印加する。

プラズマ処理装置１０は、更に、処理容器１２内にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含んでいる。

電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、電極支持体４２にネジなどで固定されている。これら電極支持体４２及び電極板４０により、第１の電極を構成している。電極支持体４２には、プラズマ生成用の高周波電源３５が整合器３６を介して電気的に接続されている。高周波電源３５は、所定の高周波数（例えば２７ＭＨｚ以上）の高周波電力を電極支持体４２に印加する。高周波電源３２及び高周波電源３５によってベース１４及び電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、ベース１４と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成される。

電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されている。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。プラズマ処理装置１０は、ガス供給部４４を更に備えており、バッファ室４２ａのガス導入口２５にはガス供給導管４６を介してガス供給部４４が接続されている。ガス供給部４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。ガス供給部４４は、例えば、ＣＦ系のエッチングガス等を供給し得る。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。したがって、ガス供給部４４から供給されるガスは、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。

一実施形態においては、処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。

一実施形態においては、ベース１４の上面に静電チャック５０が設けられている。静電チャック５０は、略円板状の部材である。この静電チャック５０は、電極５２、並びに、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂを含んでいる。絶縁膜５４ａ及び５４ｂは、セラミック等の絶縁体により形成される膜である。電極５２は、導電膜であり、絶縁膜５４ａと絶縁膜５４ｂの間に設けられている。すなわち、静電チャック５０は、その内部に電極５２を備える。この電極５２には、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から電極５２に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理基体Ｗが静電チャック５０上に吸着保持される。静電チャック５０の下面には、加熱素子であるヒータが配置され、被処理基体Ｗを所定温度に加熱できるようになっている。ヒータは、配線を介してヒータ電源（不図示）に接続される。ヒータの詳細については後述する。ベース１４及び静電チャック５０は、載置台（基板載置台）７０を構成している。

一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、ガス供給ライン５８及び６０、並びに、伝熱ガス供給部６２及び６４を更に備えている。伝熱ガス供給部６２は、ガス供給ライン５８に接続されている。このガス供給ライン５８は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面の中央部分において環状に延在している。伝熱ガス供給部６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理基体Ｗとの間に供給する。また、伝熱ガス供給部６４はガス供給ライン６０に接続されている。ガス供給ライン６０は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面においてガス供給ライン５８を囲むように環状に延在している。伝熱ガス供給部６４は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理基体Ｗとの間に供給する。

一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、制御部６６を更に備えている。この制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、並びに、伝熱ガス供給部６２及び６４に接続されている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、並びに、伝熱ガス供給部６２及び６４のそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２６による排気、スイッチＳＷの開閉、高周波電源３２からの電力供給、整合器３４のインピーダンス調整、高周波電源３５からの電力供給、整合器３６のインピーダンス調整、ガス供給部４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部６２及び６４それぞれによる伝熱ガスの供給が制御される。また、制御部６６は、ヒータ電源（不図示）にも接続されており、後述するヒータへの供給電流を制御して被処理基体Ｗの温度を制御する。

このプラズマ処理装置１０では、ガス供給部４４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、電極板４０とベース１４との間、即ち処理空間Ｓにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Ｓにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等（例えば、酸素ラジカル）により、被処理基体Ｗのエッチングが行われる。

以下、載置台７０の構成について詳細に説明する。図２は、図１に示す載置台７０の断面図である。なお、説明理解の容易性を考慮して、ガス供給ライン５８，６０は省略している。図２に示すように、ベース１４の上面には、静電チャック５０が接着層７１を介して設けられている。接着層７１は、液状接着剤を硬化して形成される。液状接着剤として、例えば、例えばシリコーン系材料、アクリルベースもしくはアクレラートベースのアクリル系材料、又はポリイミドシリカ系材料を含む有機系接着剤が用いられる。

ベース１４の上面は、その縁端部が上方（径方向に直交する方向）に凸状に突出されている。ベース１４の上面であって、環状に形成された縁端部の内側には、静電チャック５０と接着層７１を介して接着する第１接着領域１４ａが形成されている。第１接着領域１４ａの中央部１４ｂは、第１接着領域１４ａの端部１４ｃに比べて凹んでいる。第１接着領域１４ａの中央部１４ｂは、第１接着領域１４ａの端部１４ｃから中央部１４ｂへ向うに従い除々に凹んでいる。端部１４ｃに比べて中央部１４ｂは例えば１５μｍ〜３０μｍ程度凹んでいる。ベース１４と静電チャック５０との重ね合わせ方向における第１接着領域１４ａの断面形状は、例えばＶ字形状とされる。第１接着領域１４ａの断面形状はＵ字形状であってもよい。すなわち、第１接着領域１４ａは、略円錐状に凹んでいてもよい。

静電チャック５０は、板状の部材であってその下面側にベース１４と接着層７１を介して接着する第２接着領域５０ａが形成されている。第２接着領域５０ａは、第１接着領域１４ａの凹形状に沿って突出されている。すなわち、第２接着領域５０ａの中央部５０ｂは、第２接着領域５０ａの端部５０ｃに比べて突出している。第２接着領域５０ａの中央部５０ｂは、第２接着領域５０ａの端部５０ｃから中央部５０ｂへ向うに従い除々に突出している。端部５０ｃに比べて中央部５０ｂは例えば１５μｍ〜３０μｍ程度突出している。ベース１４と静電チャック５０との重ね合わせ方向における第２接着領域５０ａの断面形状は、例えばＶ字形状とされる。第２接着領域５０ａの断面形状はＵ字形状であってもよい。すなわち、第２接着領域５０ａは、略円錐状に突出していてもよい。

なお、貼り合わせ前の静電チャック５０に第２接着領域５０ａを上記のように変形させてもよいし、板状の静電チャック５０を硬化する前の液状の接着剤が塗布されたベース１４の第１接着領域１４ａ上に配置し、圧力（必要に応じて熱）を加えて、静電チャック５０の下面を変形させて第２接着領域５０ａを形成しつつ第１接着領域１４ａに接着させてもよい。

一実施形態では、接着層７１は、ヒータ５３及びスペーサ部材７３を備えている。ヒータ５３は、静電チャック５０の下面に配置される。ヒータ５３は、例えばエポキシ等の樹脂系の接着剤によって静電チャック５０の下面に接着される。ヒータ５３は、例えば静電チャック５０の中央部に配置されるとともに、中央部を囲む複数のリング状に配置される。例えば、静電チャック５０の中央部の下面にヒータ５３ａが設けられ、ヒータ５３ａの周囲を囲むように静電チャック５０の下面にヒータ５３ｂが設けられている。そして、ヒータ５３ｂの周囲を囲むように静電チャック５０の下面にヒータ５３ｃが設けられている。さらに、ヒータ５３ｃの周囲を囲むように静電チャック５０の下面にヒータ５３ｄが設けられている。すなわち、ヒータ５３ｂ〜５３ｄは、同心円状に配置されている。なお、ヒータ５３は、周方向に連続的に配置されもよいし、間隔を空けて配置されてもよい。これらのヒータ配置によって、静電チャック５０の径方向における温度勾配を制御可能に構成されている。

スペーサ部材７３は、ヒータ５３ａ〜５３ｄとベース１４の第１接着領域１４ａとの間に配置されている。すなわち、スペーサ部材７３は、ヒータ５３と同様に同心円状に配置されている。スペーサ部材７３は、周方向に互いに間隔を空けて配置される。スペーサ部材７３は、例えばポリイミドで形成される。スペーサ部材７３を配置することで、接着層７１の膜厚を均一にすることできる。例えば、ベース１４の第１接着領域１４ａ上にスペーサ部材７３を配置するとともに硬化する前の液状の接着剤を塗布し、その後、ヒータ５３を有する静電チャック５０を貼り付けることで、均一な膜厚の接着層７１を形成することができる。接着層７１は、静電チャック５０とベース１４との接触部分（接触領域）以外にも設けられてもよい。

以下、載置台７０の作用効果を説明する。ベース１４の上面は平面に作ることは困難であり、少なからず偏りが生じることから、基板載置面の面内に温度ムラが生じる。特に載置台を部材の多層構造とする場合には、加工精度以外にも配置精度等によって偏りが生じ得る。この場合、温度ムラは加工精度や配置精度に依存してしまうため、温度プロファイルが載置台ごとに異なるものとなる。温度プロファイルが載置台ごとに異なると、温度制御も載置台ごとに異なるものとなってしまい、汎用性が低下し、メンテナンスも困難となるおそれがある。

このため、予めベース１４の上面に加工を施すことで温度プロファイルの傾向を予め調整する。加工に際して、図３の（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１接着領域１４ａの中央部１４ｂを、第１接着領域１４ａの端部１４ｃに比べて突出させる形状とすることも考えられる。しかしながら、このような構成を採用した場合には、膜厚の厚い部分Ｈ１，Ｈ２が周方向のどの部分に存在するのか予測できず、載置台ごとの温度プロファイルが一つの傾向とならない。これに対して、図３の（Ｃ）に示すように、本実施形態に係る基板処理装置では、ベース１４の上面に形成された第１接着領域１４ａの中央部１４ｂが、第１接着領域１４ａの端部１４ｃに比べて凹んでいる。静電チャック５０と第１接着領域１４との間に液体接着剤を塗布し、静電チャック５０を押さえつけて貼り合わせ接着する場合、静電チャック５０と第１接着領域１４ａの中央部１４ｂとの間（図中Ｈ３）に接着剤が溜まりやすくなる。このため、何れの基板載置台を製造する場合においても中央部の接着層７１の厚みが端部の厚みに比べて厚くなる傾向となる。したがって、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

また、本実施形態に係る基板処理装置１０では、第１接着領域１４ａの中央部１４ｂに向かって除々に傾斜する形状を採用することで、周方向において接着層７１の厚さを均一にすることができるため、接着層７１の厚さのバラツキに起因した面内の温度傾斜を径方向のみに限定させることが可能となる。

また、本実施形態に係る基板処理装置１０では、静電チャック５０の下面に形成された第２接着領域５０ａを第１接着領域１４ａの形状に合わせることで、径方向の接着層７１の厚さのばらつきを緩和させることができるため、温度の面内均一性を実現しつつ、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。また、静電チャック５０の上面の中央部が、第２接着領域５０ａの凸形状に沿うように静電チャック５０の上面の端部に比べて凹んでいることにより、被処理基体Ｗを張り付けやすくなるとともに、剥がしにくくすることができる。

また、本実施形態に係る基板処理装置１０では、接着層７１に配置されたヒータ５３による温度調整領域が、静電チャック５０の径方向に複数存在してもよい。このように構成することで、中央部の接着層７１の厚さと端部の接着層７１の厚さとの差に起因した面内温度傾斜を、ヒータ５３によって緩和させることができるため、温度の面内均一性を実現しつつ、基板載置台ごとの温度プロファイルの傾向を均一にすることができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては基板処理装置の一例として、プラズマ処理装置を説明したが、これに限られるものではなく、熱ＣＶＤ装置やその他の蒸着装置であってもよい。また、エッチング装置、成膜装置等であってもよく、要は基板を処理する装置であれば装置の用途や構成に限定されることはない。

また、上記実施形態では、接着層７１がヒータ５３を有する例を説明したが、ヒータ５３は設けなくてもよい。また、ヒータ５３は、静電チャック５０の内部に設けられていてもよい。この場合、スペーサ部材７３は、第１接着領域１４ａと第２接着領域５０ａとの間に配置される。さらに、上記実施形態では、ヒータ５３ｂ〜５３ｄが３重のリング状になるように配置した例を説明したが、ヒータの配置は上記例に限られるものではなく、少なくともヒータ５３ａと異なるヒータ５３ｂが配置されていればよい。

また、上記実施形態では、接着層７１が単一の接着剤で形成される例を説明したが、複数の接着剤を用いて多層に形成してもよい。また、シート状の接着剤と組み合わせて静電チャック５０とベース１４とを接着してもよい。

また、上記実施形態では、第２接着領域５０ａが突出している例を説明したが、第１接着領域１４ａのみが凹んでいる場合であってもよい。

１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１４…ベース（基台）、１４ａ…第１接着領域、１４ｂ…中央部、１４ｃ…端部、冷媒流路…１５、５０…静電チャック、５０ａ…第２接着領域、５０ｂ…中央部、５０ｃ…端部、５２…電極、５３…ヒータ、５４ａ，５４ｂ…絶縁膜、５６…直流電源、５８…ガス供給ライン、６０…ガス供給ライン、６２…伝熱ガス供給部、６４…伝熱ガス供給部、６６…制御部、７０…載置台、７１…接着層、Ｓ…処理空間、Ｗ…被処理基体（基板）。

Claims (11)

1. 処理空間を画成する処理容器と、
   冷媒用の流路がその内部に設けられた基台、及び、該基台の上面に液状接着剤を硬化してなる接着層を介して設けられ、その内部に電極が設けられた静電チャックを有し、前記処理空間内に配置された基板載置台と、
   を備え、
   前記基台の上面には、前記静電チャックと前記接着層を介して接着する第１接着領域が形成されており、
   前記第１接着領域の中央部は、前記第１接着領域の端部に比べて凹んでいる基板処理装置。
2. 前記第１接着領域の中央部は、前記第１接着領域の端部から中央部へ向うに従い除々に凹んでいる請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基台と前記静電チャックとの重ね合わせ方向における前記第１接着領域の断面形状は、Ｖ字形状又はＵ字形状である請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記静電チャックの下面には、前記基台と前記接着層を介して接着する第２接着領域が形成されており、
   前記第２接着領域の中央部は、前記第１接着領域の凹形状に沿うように前記第２接着領域の端部に比べて突出している請求項１〜３の何れか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記第２接着領域の中央部は、前記第２接着領域の端部から中央部へ向うに従い除々に突出している請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記基台と前記静電チャックとの重ね合わせ方向における前記第２接着領域の断面形状は、Ｖ字形状又はＵ字形状である請求項４又は５に記載の基板処理装置。
7. 前記静電チャックの上面の中央部が、前記第２接着領域の凸形状に沿うように前記静電チャックの上面の端部に比べて凹んでいる請求項４〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記接着層に配置されたヒータをさらに備える請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記ヒータは、前記静電チャックの中央部に配置されるとともに、該中央部を囲む複数のリング状に配置される請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記接着層に配置されたスペーサ部材をさらに備える請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 冷媒用の流路がその内部に設けられた基台と、
    前記基台の上面に液状接着剤を硬化してなる接着層を介して設けられ、その内部に電極が設けられた静電チャックと、
    を備え、
    前記基台の上面には、前記静電チャックと前記接着層を介して接着する第１接着領域が形成されており、
    前記第１接着領域の中央部は、前記第１接着領域の端部に比べて凹んでいる基板載置台。

Images