JPWO2019230031A1 - 保持装置の製造方法、および、保持装置 - Google Patents

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Abstract

製造ラインや製造装置等ごとの特性に起因して全体的な温度分布が所望の分布からずれることを抑制する。保持装置の製造方法は、第1の表面と、第1の表面とは反対側に配置され、かつ、第1の表面に略平行な第5の表面と、を有する加工前セラミックス部材と、ベース部材と、加工前セラミックス部材の第1の表面とベース部材の第3の表面との間に配置され、加工前セラミックス部材とベース部材とを接合する接合部と、を備える第1の接合体であって、第1の表面と第3の表面とが接合部を介して対向する第1の方向において、接合部の厚さが、接合部における第1の方向に略垂直な第2の方向の一端側から他端側に向かって厚くなっている第1の接合体を準備する工程と、第1の接合体における加工前セラミックス部材の第5の表面を加工する工程と、を含む。

Description

本明細書に開示される技術は、保持装置の製造方法に関する。
保持装置として、例えば、ウェハを静電引力により吸着して保持する静電チャックが知られている。静電チャックは、セラミックス部材と、ベース部材と、セラミックス部材とベース部材とを接合する接合部と、セラミックス部材の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の表面(以下、「吸着面」という)にウェハを吸着して保持する。
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理(成膜、エッチング等)の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。
従来から、セラミックス部材の吸着面とは反対側の表面のうち、吸着面の温度分布に応じた位置に、熱伝導率が接合部の熱伝導率とは異なる調整用樹脂が埋設された静電チャックが知られている(例えば、特許文献1,2参照)。
特開2016−1757号公報 特開2013−247342号公報
セラミックス部材とベース部材とが接合部を介して接合された静電チャックの製造方法では、意図せずに、セラミックス部材やベース部材の熱伝導率や熱容量が部材内部で変わる場合、セラミックス部材の内部に設けられたヒータ電極に発熱分布ができる場合、ベース部材の冷媒流路に流れる冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)の流量が不均一になる場合、セラミックス部材がベース部材に対して傾斜する場合などの製造ばらつきによってセラミックス部材の吸着面の温度分布が所望の分布からずれることがある。このように意図しない製造ラインや製造装置等ごとの特性があるため、上述した従来の静電チャックの製造方法のように、調整用樹脂を接合部に埋設しても、吸着面の部分的な温度分布のずれを抑制できるだけであり、吸着面の全体的な温度分布のずれを十分に抑制できないおそれがある。
なお、このような課題は、静電チャックの製造方法に限らず、セラミックス部材とベース部材とが接合された保持装置(例えば、加熱装置、真空チャックなど)の製造方法に共通の課題である。
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
本明細書に開示される技術は、以下の形態として実現することが可能である。
(1)本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有するセラミックス部材と、第3の表面と、前記第3の表面とは反対側の第4の表面と、を有し、前記第3の表面が前記セラミックス部材の前記第1の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第2の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記第2の表面を形成する前の前記セラミックス部材であって、前記第1の表面と、前記第1の表面とは反対側に配置され、かつ、前記第1の表面に略平行な第5の表面と、を有する加工前セラミックス部材と、前記ベース部材と、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置され、前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する前記接合部と、を備える第1の接合体であって、前記第1の表面と前記第3の表面とが前記接合部を介して対向する第1の方向において、前記接合部の厚さが、前記接合部における前記第1の方向に略垂直な第2の方向の一端側から他端側に向かって厚くなっている第1の接合体を準備する工程と、前記第1の接合体における前記加工前セラミックス部材の前記第5の表面を加工する工程と、を含む。セラミックス部材とベース部材とが接合部を介して接合された保持装置の製造方法では、意図しない製造ラインや製造装置等ごとの特性によってセラミックス部材の第2の表面の温度分布が所望の分布からずれることがある。これに対して、本保持装置の製造方法では、加工前セラミックス部材の第1の表面がベース部材の第3の表面に対して傾斜するように加工前セラミックス部材とベース部材とが接合部を介して接合された第1の接合体を意図的に準備する。これにより、意図しない製造ラインや製造装置等ごとの特性に起因して第2の表面の全体的な温度分布が所望の分布からずれることを抑制することができる。
(2)上記保持装置の製造方法において、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との少なくとも一方に対して、接合剤を、前記第1の方向の厚さが前記第2の方向の前記一端側から前記他端側に向かって厚くなるように塗布し、その後に、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面とを前記接合剤を介して対向配置し、前記接合剤を硬化させて前記接合部を形成することにより、前記第1の接合体を準備するとしてもよい。本保持装置の製造方法では、予め接合剤の厚さが一端側から他端側に向かって厚くなるように接合剤が加工前セラミックス部材の第1の表面またはベース部材の第3の表面に塗布される。これにより、本保持装置の製造方法によれば、ベース部材に対する加工前セラミックス部材の傾斜方向を所望の方向に調整することができる。
(3)上記保持装置の製造方法において、接合部の、硬化前と硬化過程と硬化後との少なくともいずれか1つに対して、前記第2の方向の前記一端側に前記他端側より大きい荷重を加えることにより、前記第1の接合体を準備するとしてもよい。本保持装置の製造方法によれば、ベース部材に対するセラミックス部材の傾斜方向を所望の方向に調整しつつ、ベース部材に対するセラミックス部材を傾斜させた状態で両者を確実に接合することができる。
(4)上記保持装置の製造方法において、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に接合剤を配置し、接合部の、硬化前と硬化過程と硬化後との少なくともいずれか1つに対して、前記第2の方向の前記一端側に前記他端側より大きい荷重を加えることにより、前記第1の接合体を準備するとしてもよい。本保持装置の製造方法によれば、ベース部材に対するセラミックス部材を傾斜させた状態で両者を確実に接合することができる。
(5)上記保持装置の製造方法において、前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とが仮接合部を介して接合された第2の接合体における前記加工前セラミックス部材の前記第5の表面の温度分布を測定する工程と、前記第2の接合体における前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とを離脱させ、その後、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面が、前記ベース部材の前記第3の表面に対して、前記温度分布の測定結果に応じた方向に傾斜するように、前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とを接合剤を介して接合することにより、前記第1の接合体を準備するとしてもよい。本保持装置の製造方法によれば、加工前セラミックス部材とベース部材とが仮接合部を介して接合された第2の接合体の温度分布の測定結果に応じた方向に加工前セラミックス部材をベース部材に対して傾斜させることにより、セラミックス部材の第2の表面の温度分布の制御性(例えば均熱性)を向上させることができる。
(6)本明細書に開示される保持装置は、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有するセラミックス部材と、第3の表面と前記第3の表面とは反対側の第4の表面と、を有し、前記第3の表面が前記セラミックス部材の前記第1の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第2の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記セラミックス部材に設けられ、仮想平面上に配置された導電体を備え、前記接合部は、前記接合部の全体にわたって、前記第1の表面と前記第3の表面とが前記接合部を介して対向する第1の方向の厚さが、前記第1の方向に略垂直な第2の方向の一端側から他端側に向かって厚くなっており、かつ、前記第2の表面と前記導電体が配置された前記仮想平面との距離は、前記導電体の前記第2の方向の前記一端側から前記他端側に向かって短くなっている。本保持装置によれば、接合部は熱伝導率が低いため、セラミックス部材の第2の表面のうち、接合部の厚さが相対的に厚い部分に対応する部分の温度を高くすることができる。また、接合部の厚さが相対的に厚い部分に対応する部分は、セラミックス部材の第2の表面と導電体との距離が相対的に短いため、より効果的に温度を高くすることができる。
(7)上記保持装置の製造方法において、前記導電体は、ヒータ電極である構成としてもよい。
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、静電チャック、CVDヒータ等の加熱装置、真空チャック、その他のセラミックス部材とベース部材とが接合された保持装置、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図である。 実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。 実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートである。 第2の接合体100Pと第1の接合体100Qとにおける温度分布とXZ断面構成とを示す説明図である。 静電チャック100の製造方法における第1の接合体100Qの形成工程(第1の形成方法)を模式的に示す説明図である。 静電チャック100の製造方法における第1の接合体100Qの形成工程(第2の形成方法)を模式的に示す説明図である。 第1の形成方法の変形例の工程を模式的に示す説明図である。
A.実施形態:
A−1.静電チャック100の構成:
図1は、本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
静電チャック100は、対象物(例えばウェハW)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハWを固定するために使用される。静電チャック100は、所定の配列方向(本実施形態では上下方向(Z軸方向))に並べて配置されたセラミックス部材10およびベース部材20を備える。セラミックス部材10とベース部材20とは、セラミックス部材10の下面(以下、「セラミックス側接合面S2」という)とベース部材20の上面(以下、「ベース側接合面S3」という)とが、後述する接合部30を挟んで上記配列方向に対向するように配置されている。すなわち、ベース部材20は、ベース部材20のベース側接合面S3が、セラミックス部材10のセラミックス側接合面S2側に位置するように配置される。静電チャック100は、さらに、セラミックス部材10のセラミックス側接合面S2とベース部材20のベース側接合面S3との間に配置された接合部30を備える。上下方向(Z軸方向)は、特許請求の範囲における第1の方向に相当し、セラミックス側接合面S2は、特許請求の範囲における第1の表面に相当し、ベース側接合面S3は、特許請求の範囲における第3の表面に相当する。
セラミックス部材10は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックスにより形成されている。セラミックス部材10の直径は、例えば50mm〜500mm程度(通常は200mm〜350mm程度)であり、セラミックス部材10の厚さは、例えば1mm〜10mm程度である。
セラミックス部材10の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ、Al)または窒化アルミニウム(AlN)を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合(重量割合)の最も多い成分を意味する。
セラミックス部材10の内部には、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成された一対の内部電極40が設けられている。一対の内部電極40に電源(図示せず)から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハWがセラミックス部材10の上面(以下、「吸着面S1」という)に吸着固定される。吸着面S1は、特許請求の範囲における第2の表面に相当する。
また、セラミックス部材10の内部には、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)を含む抵抗発熱体により構成されたヒータ電極50が設けられている。ヒータ電極50に電源(図示せず)から電圧が印加されると、ヒータ電極50が発熱することによってセラミックス部材10が温められ、セラミックス部材10の吸着面S1に保持されたウェハWが温められる。これにより、ウェハWの温度制御が実現される。ヒータ電極50は、例えば、セラミックス部材10の吸着面S1をできるだけ満遍なく温めるため、Z方向視で略同心円状に形成されている。
ベース部材20は、例えばセラミックス部材10と同径の、または、セラミックス部材10より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば、熱伝導率がセラミックス部材10を形成するセラミックス材料の熱伝導率より高い材料(例えば金属(アルミニウムやアルミニウム合金等))により形成されている。ベース部材20の直径は、例えば220mm〜550mm程度(通常は220mm〜350mm程度)であり、ベース部材20の厚さは、例えば20mm〜40mm程度である。
ベース部材20の内部には冷媒流路21が形成されている。冷媒流路21に冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)が供給されると、ベース部材20が冷却される。上述したヒータ電極50によるセラミックス部材10の加熱と併せてベース部材20の冷却が行われると、接合部30を介したセラミックス部材10とベース部材20との間の伝熱により、セラミックス部材10の吸着面S1に保持されたウェハWの温度が一定に維持される。さらに、プラズマ処理中にプラズマからの入熱が生じた際には、ヒータ電極50に加える電力を調整することにより、ウェハWの温度制御が実現される。
接合部30は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接合剤(接着剤)を含んでおり、セラミックス部材10とベース部材20とを接合している。接合部30の厚さは例えば0.1mm以上、1mm以下である。なお、セラミックス部材10と接合部30との接触部分付近の構成等については次述する。
A−2.セラミックス部材10と接合部30との接触部分付近の構成等:
以下、本明細書では、便宜的に、X軸方向を左右方向といい、Y軸方向を奥行き方向というものとする。左右方向は、特許請求の範囲における第2の方向に相当する。
図2に示すように、接合部30は、接合部30の全体にわたって、上下方向(Z軸方向)の厚さが、左右方向(X軸方向)の一端側から他端側に向かって連続的に厚くなっている。換言すれば、接合部30は、奥行き方向(Y軸方向)に略垂直な任意の断面において、上下方向の厚さが接合部30の左端から右端に向かって連続的に厚くなっている。なお、接合部30の上下方向の厚さが最小である部位の厚さ(D1)と最大である部位の厚さ(D2)との差は、20μm以上、100μm以下であることが好ましく、30μm以上、60μm以下であることが、より好ましい。接合部30における肉厚の差が小さすぎたり、大きすぎたりすることは好ましくない。すなわち、接合部30における肉厚の差が小さすぎると、接合部30の傾斜が接合部30自体の上下方向の厚さのばらつきに埋もれてしまい、接合部30による温度上昇効果が望めなくなるおそれがある。一方、接合部30における肉厚の差が大きすぎると、セラミックス部材10の外周側の温度が過剰に上昇するだけでなく、特定箇所への応力集中に起因する接合部30の強度低下につながるおそれがある。なお、本明細書において、「連続的に」とは、段差を有しないことを意味する。このため、「連続的に」には、直線状(平面状)であることに限らず、例えば、曲面状(曲面状)であることや、滑らかな凹凸状を有することも含まれる。
また、本実施形態では、ベース部材20のベース側接合面S3は、ベース部材20の下面S4に略平行な平面である。これに対して、セラミックス部材10のセラミックス側接合面S2は、ベース部材20の下面S4に対して傾斜した平面である。すなわち、セラミックス側接合面S2は、接合部30の左端から右端に向かうに連れてベース側接合面S3から連続的に離間するように傾斜した傾斜平面である。換言すれば、静電チャック100の奥行き方向(Y軸方向)に略垂直な任意の断面において、セラミックス側接合面S2は、セラミックス部材10の左端から右端に向かうに連れてベース側接合面S3から連続的に離間するように傾斜した傾斜直線である。また、セラミックス部材10の吸着面S1は、ベース部材20の下面S4に略平行な平面である。このため、セラミックス側接合面S2は、セラミックス部材10の左端から右端に向かうに連れて吸着面S1に連続的に近づくように傾斜した傾斜平面となっている。ベース部材20の下面S4は、特許請求の範囲における第4の表面に相当する。
また、本実施形態では、ヒータ電極50は、セラミックス側接合面S2に略平行な第1の仮想平面L1上に配置されている。このため、吸着面S1とヒータ電極50が配置された第1の仮想平面L1との距離は、ヒータ電極50の左端側から右端側に向かって連続的に短くなっている。なお、本実施形態では、内部電極40も、セラミックス側接合面S2に略平行な第2の仮想平面L2上に配置されている。
A−3.静電チャック100の製造方法:
図3は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートであり、図4は、後述の第2の接合体100Pと後述の第1の接合体100Qとにおける温度分布とXZ断面構成とを示す説明図である。図4(A)の上段には、第2の接合体100PのXY平面構成が示されており、下段には、第2の接合体100PのXZ断面構成が示されている。図4(B)の上段には、第1の接合体100QのXY平面構成が示されており、下段には、第1の接合体100QのXZ断面構成が示されている。
(第2の接合体100Pの準備工程):
はじめに、第2の接合体100Pを準備する(S110)。図4(A)に示すように、第2の接合体100Pは、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とが仮接合部30Pを介して接合された複合体である。加工前セラミックス部材10Pは、上述のセラミックス部材10の加工前のものであり、具体的には、加工前セラミックス部材10Pは、加工後に吸着面S1となる加工前表面S1Pと、セラミックス側接合面S2とが、互いに略平行である点で、セラミックス部材10とは異なり、その他の点はセラミックス部材10と共通する。加工前セラミックス部材10Pおよびベース部材20は、公知の製造方法によって製造可能である。例えば、加工前セラミックス部材10Pは以下の方法で製造される。すなわち、複数のセラミックスグリーンシート(例えばアルミナグリーンシート)を準備し、各セラミックスグリーンシートに、内部電極40やヒータ電極50等を構成するためのメタライズインクの印刷等を行い、その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、所定の円板形状にカットした上で焼成し、最後に研磨加工等を行うことにより、加工前セラミックス部材10Pが製造される。加工前表面S1Pは、特許請求の範囲における第5の表面に相当する。
(温度分布の測定工程):
次に、第2の接合体100Pにおける加工前セラミックス部材10Pの加工前表面S1Pについて、上下方向(Z軸方向)に略垂直な面方向の温度分布を測定する(S120)。このとき、第2の接合体100Pの使用時の状態で加工前表面S1Pの温度分布を測定することが好ましい。例えば、加工前セラミックス部材10Pに備えられた内部電極40およびヒータ電極50に電力を供給し、かつ、ベース部材20に形成された冷媒流路21に冷媒を供給した状態で、加工前表面S1Pの温度分布を測定する。温度分布の測定は、例えば、赤外線放射温度計や、熱電対付きウェハを用いて行うことができる。
図4(A)上段に示すように、S120の温度分布の測定結果では、第2の接合体100Pの加工前表面S1P上において、加工前セラミックス部材10Pの左端側に高温の温度特異点S1A(温度特異領域)が発生しており、加工前セラミックス部材10Pの右端側に低温の温度特異点S1Bが発生している。この要因は、例えば、静電チャック100の製造ラインや製造装置等ごとの特性に起因することがある。
(第1の接合体100Qの形成工程):
次に、第2の接合体100Pにおける加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを離脱させ、その後、第1の接合体100Qを形成する(S130)。第1の接合体100Qは、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを再度接合し直したものであり、加工前セラミックス部材10Pがベース部材20に対して傾斜するように配置されている点で、第2の接合体100Pとは異なり、その他の点は第2の接合体100Pと共通する。すなわち、第1の接合体100Qは、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2がベース部材20のベース側接合面S3に対して傾斜するように、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とが、接合部30を介して接合された複合体である。
S130の工程では、第2の接合体100Pにおける加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを離脱させた後、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2が、ベース部材20のベース側接合面S3に対して、S120における加工前表面S1Pの温度分布の測定結果に応じた方向に傾斜するように、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを接合剤を介して接合することにより、第1の接合体100Qを形成する(S130)。S120における加工前表面S1Pの温度分布の測定結果に応じた方向とは、例えば、加工前表面S1Pの温度分布が所望の分布(例えば面方向における温度が略均一)になる方向である。図4の例では、図4(B)に示すように、加工前セラミックス部材10Pは、ベース部材20に対して、加工前セラミックス部材10Pの左端から右端に向かうに連れてセラミックス側接合面S2とベース側接合面S3との距離が長くなる方向に傾けて接合される。その結果、第1の接合体100Qにおける接合部30は、接合部30の全体にわたって、上下方向(Z軸方向)の厚さが、接合部30の左端から右端に向かって連続的に厚くなっている。これにより、加工前セラミックス部材10Pの左端側では、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20との間に介在する接合部30の部分の厚さが相対的に薄いため、加工前セラミックス部材10Pからベース部材20への熱移動量が相対的に多い。その一方で、加工前セラミックス部材10Pの右端側では、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20との間に介在する接合部30の部分の厚さが相対的に厚いため、加工前セラミックス部材10Pからベース部材20への熱移動量が相対的に少ない。このため、第1の接合体100Qでは、加工前表面S1Pにおける温度差が低減され、温度特異点S1Aおよび温度特異点S1Bの発生が抑制されている。
ここで、第1の接合体100Qの形成方法について、第1の形成方法と第2の形成方法とを例に挙げて説明する。図5は、静電チャック100の製造方法における第1の接合体100Qの形成工程(第1の形成方法)を模式的に示す説明図であり、図6は、静電チャック100の製造方法における第1の接合体100Qの形成工程(第2の形成方法)を模式的に示す説明図である。
(1)第1の形成方法:
第1の形成方法では、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2とベース部材20のベース側接合面S3との少なくとも一方に塗布される接合剤30X1の形状を、上部31が傾斜した傾斜形状にして、その接合剤30X1の傾斜形状を利用して、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを接合することにより、第1の接合体100Qを形成する。具体的には、図5に示すように、ベース部材20のベース側接合面S3上に、接合剤30X1を、該接合剤30X1の上下方向(Z軸方向)の厚さがベース部材20の左端側から右端側に向かって連続的または段階的に厚くなるように塗布する。すなわち、接合剤30X1の形状は、奥行き方向(Y軸方向)視で、上部31が、ベース部材20のベース側接合面S3に対して傾斜した傾斜形状になっている。ここで、接合剤30X1は、例えばペースト状であり、塗布後に形状を維持できる程度の粘性を有する。
その後、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2とベース部材20のベース側接合面S3とを、接合剤30X1を介して貼り合わせる。この際、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2が、接合剤30X1の傾斜した上部31に接触することにより、加工前セラミックス部材10Pは、ベース部材20に対して所定の方向に傾斜するように配置される。そして、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを貼り合わせた状態で、接合剤30X1を硬化させる硬化処理を行うことにより、上述の接合部30が形成され、第1の接合体100Qが形成される。
このように、第1の形成方法では、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2が、ベース部材20のベース側接合面S3上に塗布された接合剤30X1の上部31によって案内され、その結果、セラミックス側接合面S2がベース側接合面S3に対して所定の方向に傾斜するように、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とが貼り合わせる。これにより、第1の形成方法によれば、接合剤の厚さが均一になるように接合剤をベース部材20のベース側接合面S3上に塗布する場合に比べて、ベース部材20に対する加工前セラミックス部材10Pの傾斜方向を所望の方向に調整することができる。
(2)第2の形成方法:
第2の形成方法では、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを、接合剤30X2を介して貼り合わせて、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20との少なくとも1つに対して互いに異なる荷重を加えることにより、第1の接合体100Qを形成する。具体的には、図6(A)に示すように、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2とベース部材20のベース側接合面S3の少なくとも一方に、接合剤30X2を塗布する。接合剤30X2は、例えば、該接合剤30X2の上下方向(Z軸方向)の厚さが接合剤30X2の全体にわたって略均一である。
次に、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2とベース部材20のベース側接合面S3とを、接合剤30X2を介して貼り合わせる(図6(A)参照)。その後、接合剤30X2の左端側に、右端側より大きい上下方向(Z軸方向)の荷重が加わるように、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20との少なくとも一方に外力を与える。例えば、図5(B)に示すように、下面202が傾斜した治具200を準備し、その治具200の下面202を、第2の接合体100Pの加工前セラミックス部材10Pの加工前表面S1Pに押し当てることにより、接合剤30X2の左側部分が右側部分に比べて大きくつぶれることにより、加工前セラミックス部材10Pが、ベース部材20に対して傾斜するように配置される。そして、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とを貼り合わせた状態で、接合剤30X2を硬化させる硬化処理を行うことにより、上述の接合部30が形成され、第1の接合体100Qが形成される。
(加工前セラミックス部材10Pの加工前表面S1Pの加工工程):
第1の接合体100Qを形成後、第1の接合体100Qにおける加工前セラミックス部材10Pの加工前表面S1Pを加工する(S140)。本実施形態では、ベース部材20の下面S4に対する加工前表面S1Pの傾斜角度が小さくなるように、加工前表面S1Pを加工する。これにより、加工前表面S1Pが、ベース部材20の下面S4に略平行な吸着面S1になる。なお、加工前表面S1Pを加工は、例えば研磨加工やブラスト加工によって比較的簡単に行うことができる。加工前表面S1Pの加工後、例えば、加工前表面S1P上に複数の突起を形成したり、加工前表面S1Pの表面にシールバンドを形成するなどの表面処理を施したりする。以上の工程により、上述した構成の静電チャック100の製造が完了する。なお、加工前表面S1Pの傾斜角度を変更したり、突起を形成したりしても、静電チャック100の吸着面S1の温度分布への影響は比較的に小さい。その理由は次の通りである。セラミックス部材10を形成するセラミックス材料の熱伝導率は、接合部30を形成する材料の熱伝導率に比べて高い。このため、加工前表面S1Pの加工により、吸着面S1とヒータ電極50との間の距離のばらつきが変化したとしても、接合部30の厚さのばらつきに比べて、温度分布への影響が小さいからである。
A−4.本実施形態の効果:
以上説明したように、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2がベース部材20のベース側接合面S3に対して傾斜するように加工前セラミックス部材10Pとベース部材20とが接合部30を介して接合された第1の接合体100Qを意図的に準備する。これにより、意図しない製造ラインや製造装置等ごとの特性に起因して吸着面S1の全体的な温度分布が所望の分布からずれることを抑制することができる。また、ベース部材20に対するセラミックス部材10の傾き角度を変更するという比較的に簡単な方法により吸着面S1の温度分布を制御することができる。
B.変形例:
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
上記各実施形態における静電チャック100の構成は、あくまでも一例であり、種々変形可能である。例えば、セラミックス部材10の内部に、内部電極40とヒータ電極50との少なくとも1つを備えないとしてもよい。このような形態でも、吸着面S1の温度分布の制御性が要求されることがあるからである。また、静電チャック100は、例えば、セラミックス部材10とベース部材20との間に、金属、セラミックスや樹脂等が配置された構成や、セラミックス部材10とベース部材20との間に、セラミックス部材10の内部に配置されたヒータ電極50とは別に、ヒータが配置された構成でもよい。また、上記実施形態では、導電体として、ヒータ電極50を例示したが、これに限らず、例えば測温用抵抗体など、他の導電体であってもよい。
また、上記実施形態において、セラミックス側接合面S2は、平面に限らず、例えば、接合部30の左端から右端に向かうに連れてベース側接合面S3から離間するように傾斜した傾斜曲面であるとしてもよい。換言すれば、静電チャック100の奥行き方向(Y軸方向)に略垂直な任意の断面において、セラミックス側接合面S2は、セラミックス部材10の左端から右端に向かうに連れてベース側接合面S3から離間するように傾斜した傾斜曲線であるとしてもよい。
上記各実施形態における静電チャック100の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態の第1の接合体100Qの形成工程(図3のS130)の第1の形成方法において、加工前セラミックス部材10Pのセラミックス側接合面S2、または、セラミックス側接合面S2とベース部材20のベース側接合面S3との両方に、接合剤を、該接合剤の上下方向(Z軸方向)の厚さが加工前セラミックス部材10Pまたはベース部材20の左端側から右端側に向かって厚くなるように塗布してもよい。
また、図7は、第1の形成方法の変形例の工程を模式的に示す説明図である。図7では、図5と同一構成については図5と同じ符号が付されており、異なる構成のみ異なる符号が付されている。図7に示すベース部材20aは、上下方向に貫通する複数の貫通孔22が形成されている点で、上記実施形態のベース部材20と異なり、その他の点はベース部材20と共通する。貫通孔22は、例えば、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20aとが接合された状態において加工前セラミックス部材10Pに形成されているガス経路やリフトピン挿入孔(いずれも図示せず)に連通する。貫通孔22のように、ベース側接合面S3に開口する孔がベース部材20aのベース側接合面S3に形成されている場合、ベース側接合面S3上に、上下方向(Z軸方向)視で各貫通孔22の開口を囲む環状のダム部60を配置することが好ましい。ダム部60は、例えば、接合剤30X3と同じ材料で形成されており、接合剤30X3をベース側接合面S3上に塗布する前に、予め硬化処理が施されたものである。これにより、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20aとを接合する際に、接合剤30X3が貫通孔22に浸入して目詰まり等が生じることを抑制することができる。また、本変形例では、複数のダム部60は、上下方向の長さが互いに異なる第1のダム部62と第2のダム部64とを含む。具体的には、左側に位置する第1のダム部62の上下方向の長さが、右側に位置する第2のダム部64の上下方向の長さより短い。これにより、図7に示すように、加工前セラミックス部材10Pとベース部材20aとを接合する際、接合剤30X3より硬質な第1のダム部62および第2のダム部64によって、加工前セラミックス部材10Pをベース部材20aに対して所定の方向に正確に傾斜させることができる。なお、接合剤30X3に硬化処理を施すことによって、接合剤30X3とダム部60とは一体化して接合部30を形成する。
また、上記実施形態の第1の接合体100Qの形成工程(図3のS130)の第2の形成方法において、治具200を利用せずに、第2の接合体100Pにおける右端側と左端側とで互いに異なる荷重を与えるようにしてもよい。荷重を与える方法は、例えば、重石を第2の接合体100P上に乗せて接合剤30X2に荷重を与えるとしてもよいし、万力(シャコ万力など)を用いて第2の接合体100Pとベース部材20とを挟み込んで接合剤30X2に荷重を与えるようにしてもよい。また、第2の形成方法において、ベース部材20のベース側接合面S3等に塗布される接合剤30X2の形状を、第1の形成方法の接合剤30X1と同様の傾斜形状にしてもよい。このような接合剤30X2の形状を傾斜形状にすれば、第2の形成方法において、ベース部材20に対する加工前セラミックス部材10Pの傾斜方向が所望の方向からずれることを抑制することができる。また、上記実施形態では、第2の形成方法において、荷重を加えるタイミングは、接合剤30X2の硬化前であったが、接合剤30X2の硬化過程や、接合剤30X2の硬化後であってもよい。
また、上記実施形態の加工前セラミックス部材10Pの加工前表面S1Pの加工工程(図3のS140)において、加工前表面S1Pの傾斜角度を変更する加工に限らず、例えば、加工前表面S1Pに複数の突起を形成したり、加工前表面S1Pに表面処理を施したりしてもよい。
また、上記実施形態では、S120における加工前表面S1Pの温度分布の測定結果に応じた方向に、加工前セラミックス部材10Pがベース部材20に対して傾斜するように接合する(S130)としたが、第2の接合体100Pにおける加工前表面S1Pの温度分布を測定せずに、ベース部材20に対して加工前セラミックス部材10Pを所定の方向に傾斜させるように接合することも可能である。例えば、静電チャック100の製造ラインや製造装置等ごとの特性から、予め、第1の接合体100Qの加工前表面S1P上における温度特異点が生じる位置が予測できることがあるためである。このような場合には、第1の接合体100Qの加工前表面S1Pの温度分布を測定せずに、ベース部材20に対して加工前セラミックス部材10Pを、製造ラインの工程や製造装置等ごとの特性に応じた所定の方向に傾斜するように接合すればよい。
また、本発明は、静電引力を利用してウェハWを保持する静電チャック100に限らず、他の保持装置(真空チャックなど)およびその製造方法にも適用可能である。
10:セラミックス部材 10P:加工前セラミックス部材 20,20a:ベース部材 21:冷媒流路 22:貫通孔 30:接合部 30P:仮接合部 30X1,30X2,30X3:接合剤 31:上部 40:内部電極 50:ヒータ電極 60:ダム部 62:第1のダム部 64:第2のダム部 100:静電チャック 100P:第2の接合体 100Q:第1の接合体 200:治具 202:下面 L1:第1の仮想平面 L2:第2の仮想平面 S1:吸着面 S1A,S1B,S1C:温度特異点 S1P:加工前表面 S2:セラミックス側接合面 S3:ベース側接合面 S4:下面 W:ウェハ

Claims (7)

  1. 第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有するセラミックス部材と、第3の表面と、前記第3の表面とは反対側の第4の表面と、を有し、前記第3の表面が前記セラミックス部材の前記第1の表面側に位置するように配置されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第2の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
    前記第2の表面を形成する前の前記セラミックス部材であって、前記第1の表面と、前記第1の表面とは反対側に配置され、かつ、前記第1の表面に略平行な第5の表面と、を有する加工前セラミックス部材と、前記ベース部材と、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置され、前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する前記接合部と、を備える第1の接合体であって、前記第1の表面と前記第3の表面とが前記接合部を介して対向する第1の方向において、前記接合部の厚さが、前記接合部における前記第1の方向に略垂直な第2の方向の一端側から他端側に向かって厚くなっている第1の接合体を準備する工程と、
    前記第1の接合体における前記加工前セラミックス部材の前記第5の表面を加工する工程と、
    を含む、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  2. 請求項1に記載の保持装置の製造方法において、
    前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との少なくとも一方に対して、接合剤を、前記第1の方向の厚さが前記第2の方向の前記一端側から前記他端側に向かって厚くなるように塗布し、その後に、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面とを前記接合剤を介して対向配置し、前記接合剤を硬化させて前記接合部を形成することにより、前記第1の接合体を準備する、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  3. 請求項2に記載の保持装置の製造方法において、
    前記接合部の、硬化前と硬化過程と硬化後との少なくともいずれか1つに対して、前記第2の方向の前記一端側に前記他端側より大きい荷重を加えることにより、前記第1の接合体を準備する、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  4. 請求項1に記載の保持装置の製造方法において、
    前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に接合剤を配置し、前記接合部の、硬化前と硬化過程と硬化後との少なくともいずれか1つに対して、前記第2の方向の前記一端側に前記他端側より大きい荷重を加えることにより、前記第1の接合体を準備する、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  5. 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
    前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とが仮接合部を介して接合された第2の接合体における前記加工前セラミックス部材の前記第5の表面の温度分布を測定する工程と、
    前記第2の接合体における前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とを離脱させ、その後、前記加工前セラミックス部材の前記第1の表面が、前記ベース部材の前記第3の表面に対して、前記温度分布の測定結果に応じた方向に傾斜するように、前記加工前セラミックス部材と前記ベース部材とを接合剤を介して接合することにより、前記第1の接合体を準備する
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  6. 第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有するセラミックス部材と、
    第3の表面と前記第3の表面とは反対側の第4の表面と、を有し、前記第3の表面が前記セラミックス部材の前記第1の表面側に位置するように配置されたベース部材と、
    前記セラミックス部材の前記第1の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第2の表面上に対象物を保持する保持装置において、
    前記セラミックス部材に設けられ、仮想平面上に配置された導電体を備え、
    前記接合部は、
    前記接合部の全体にわたって、前記第1の表面と前記第3の表面とが前記接合部を介して対向する第1の方向の厚さが、前記第1の方向に略垂直な第2の方向の一端側から他端側に向かって厚くなっており、
    かつ、前記第2の表面と前記導電体が配置された前記仮想平面との距離は、前記導電体の前記第2の方向の前記一端側から前記他端側に向かって短くなっている、
    ことを特徴とする保持装置。
  7. 請求項6に記載の保持装置において、
    前記導電体は、ヒータ電極である、
    ことを特徴とする保持装置。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274281A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Kobe Steel Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2008042139A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 静電チャック装置
JP2008041927A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャックの製造方法
JP2013258268A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及び基板処理装置
JP2016031956A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2017168649A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 日本特殊陶業株式会社 半導体製造用部品
US20180012785A1 (en) * 2016-07-07 2018-01-11 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8854790B1 (en) * 2002-04-22 2014-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Electrostatic chuck assembly
KR100796051B1 (ko) * 2003-08-18 2008-01-21 동경 엘렉트론 주식회사 기판 유지구조물 및 기판 처리장치
JP4662725B2 (ja) * 2004-02-25 2011-03-30 日本碍子株式会社 基板加熱装置とその製造方法
JP4855177B2 (ja) * 2006-08-10 2012-01-18 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US7723648B2 (en) 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
JP4944600B2 (ja) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
JP5823915B2 (ja) 2012-05-29 2015-11-25 新光電気工業株式会社 静電チャックの製造方法
JP5891332B2 (ja) 2015-09-02 2016-03-22 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6238098B1 (ja) * 2016-07-20 2017-11-29 Toto株式会社 静電チャック
JP6741548B2 (ja) * 2016-10-14 2020-08-19 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材及びその製法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274281A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Kobe Steel Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2008041927A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャックの製造方法
JP2008042139A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 静電チャック装置
JP2013258268A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及び基板処理装置
JP2016031956A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2017168649A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 日本特殊陶業株式会社 半導体製造用部品
US20180012785A1 (en) * 2016-07-07 2018-01-11 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity

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