KR102470943B1 - 배치대 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

피처리체의 설정 온도와 포커스 링의 설정 온도의 차이를 크게 한다.
일실시형태에서는, 피처리체를 배치하기 위한 배치대가 제공된다. 이 배치대는, 피처리체를 흡착하기 위한 정전척과, 포커스 링을 지지하기 위한 지지부와, 정전척을 지지하는 제1 영역, 및 제1 영역을 둘러싸며 지지부를 지지하는 제2 영역을 갖는 금속성의 베이스를 구비하고, 지지부는, 세라믹 소결체로 이루어지며 접착제를 통해 제2 영역에 지지되는 중간층과, 중간층 상에 용사법에 의해 형성된 세라믹 용사층과, 세라믹 용사층의 내부에 설치되며 용사법에 의해 형성된 히터 전극을 구비한다.

Description

배치대 및 플라즈마 처리 장치{PLACING TABLE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 실시형태는, 배치대 및 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리 장치를 이용한 피처리체(예컨대 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등)의 미세 가공에 있어서는, 피처리체의 온도 제어가 중요하다. 피처리체의 온도 제어가 적정하게 행해지지 않으면, 피처리체 표면의 반응의 균일성을 확보할 수 없게 되어, 피처리체의 가공의 면내 균일성이 저하된다. 이 때문에, 배치대에 피처리체의 온도 조정 기능을 갖춘 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다(예컨대 특허문헌 1).
특허문헌 1의 플라즈마 처리 장치에서는, 처리 용기 내의 하부에 피처리체를 배치하는 배치대가 설치되어 있다. 이 배치대는, 고주파 전력을 인가하기 위한 RF 플레이트와, 그 RF 플레이트 상에 배치되며, 냉매를 유통시키는 유로가 형성된 냉각 플레이트와, 그 냉각 플레이트 상에 배치되며, 피처리체의 배치면을 제공하는 세라믹 플레이트를 갖고 있다. 이 세라믹 플레이트는, 그 중앙 영역 및 둘레 가장자리 영역을 개별적으로 가열하는 온도 조절용 히터 전극을 구비하고 있고, 냉각 플레이트의 상면에 접착제를 이용하여 접착되어 있다. 온도 조절용 히터 전극에는, RF 플레이트 및 냉각 플레이트에 형성된 관통 구멍을 통해 연장되는 급전 기구가 접속되어 있다. 이 급전 기구는, 온도 조절용 히터 전극을 가열하기 위한 전력을 온도 조절용 히터에 공급한다. 또한, 세라믹 플레이트의 둘레 가장자리 영역 상측에는, 피처리체의 외주를 둘러싸도록 포커스 링이 설치되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2013-175573호 공보
그런데, 피처리체 면내의 가공 정밀도의 균일성을 실현하기 위해서는, 피처리체의 온도뿐만 아니라, 포커스 링의 온도를 조정하는 것이 요구되는 경우가 있다. 예컨대 최근 처리 성능 향상을 위해, 피처리체의 설정 온도에 비해서 포커스 링의 설정 온도를 보다 고온도 대역으로 설정하는 것이 요구되고 있다. 예컨대 포커스 링의 설정 온도와 피처리체의 설정 온도 사이에 100도 이상의 온도차를 두는 것이 요구되고 있다.
피처리체의 설정 온도와 포커스 링의 설정 온도 사이에 차이를 두기 위해서는, 피처리체용의 제1 지지부와는 별개로 포커스 링용의 제2 지지부를 설치하고, 그 제2 지지부에 독립된 히터 전극을 설치하는 것이 고려된다. 그러나, 포커스 링용의 제2 지지부가 접착제를 통해 냉각 플레이트에 접착되어 있는 경우에는, 히터 전극의 발열량이 커져 접착제의 온도가 내열 온도를 초과하게 되면, 접착제의 접착력이 저하되어 제2 지지부가 박리될 우려가 있다. 따라서, 이러한 배치대에 있어서는, 접착제의 온도가 내열 온도를 초과하지 않도록 히터 전극의 발열량을 제한할 필요가 있기 때문에, 피처리체의 설정 온도와 포커스 링의 설정 온도의 차이를 크게 하기 어려워진다.
따라서, 본 기술분야에서는, 피처리체의 설정 온도와 포커스 링의 설정 온도의 차이를 크게 할 수 있는 배치대 및 플라즈마 처리 장치가 요구되고 있다.
일측면에 있어서는, 피처리체를 배치하기 위한 배치대가 제공된다. 이 배치대는, 피처리체를 흡착하기 위한 정전척과, 포커스 링을 지지하기 위한 지지부와, 정전척을 지지하는 제1 영역, 및 제1 영역을 둘러싸며 지지부를 지지하는 제2 영역을 갖는 금속성의 베이스를 구비하고, 지지부는, 세라믹 소결체로 이루어지며 접착제를 통해 제2 영역에 지지되는 중간층과, 중간층 상에 용사(溶射)법에 의해 형성된 세라믹 용사층과, 세라믹 용사층의 내부에 설치되며 용사법에 의해 형성된 히터 전극을 구비한다.
이 배치대는, 포커스 링을 지지하기 위한 지지부를 구비하고 있다. 이 지지부는, 히터 전극과 베이스의 제2 영역 사이에 세라믹 소결체로 이루어진 중간층을 개재시키고 있다. 이 중간층은, 히터 전극과 베이스의 제2 영역 사이의 열저항을 증가시키기 때문에, 히터 전극과 베이스 사이의 온도 구배를 크게 할 수 있다. 이에 따라, 히터 전극에 의한 접착제의 온도 상승을 억제할 수 있다. 그 결과, 접착제의 내열 온도에 기인하는 히터 전극의 발열량의 제한이 완화되기 때문에, 포커스 링의 설정 온도를 높게 할 수 있다. 또한, 히터 전극과 베이스의 제2 영역 사이의 열저항을 증가시킴으로써, 히터 전극으로부터 베이스측으로 향하는 열류속이 감소하고, 히터 전극으로부터 포커스 링으로 향하는 열류속이 증가한다. 이 때문에, 포커스 링을 효율적으로 가열할 수 있다. 따라서, 본 배치대에 의하면, 피처리체와 포커스 링의 설정 온도의 차이를 크게 하는 것이 가능해진다.
일형태에서는, 제1 영역 및 제2 영역은, 그 제1 영역과 그 제2 영역 사이에서 고리형으로 연장되는 홈에 의해 분할되어 있어도 좋다. 본 형태에서는, 제1 영역과 제2 영역이 홈에 의해 물리적으로 분할되어 있기 때문에, 제1 영역과 제2 영역 사이의 열의 이동이 억제된다. 그 결과, 히터 전극에 있어서 생긴 열을 베이스의 제1 영역으로 밀어내지 않고 포커스 링의 가열에 이용할 수 있기 때문에, 포커스 링의 설정 온도를 높게 할 수 있다. 따라서, 피처리체와 포커스 링의 설정 온도의 차이를 더욱 크게 하는 것이 가능해진다.
일형태에서는, 중간층에는, 히터 전극에 전기적으로 접속된 급전용 콘택이 설치되어 있고, 그 급전용 콘택은 도전성의 세라믹으로 구성되어 있어도 좋다. 플라즈마 처리에 있어서는, 포커스 링을 지지하는 지지부에는 큰 온도 변화가 생긴다. 이 때문에, 금속 접합을 이용하여 히터 전극에 급전한 경우에는, 금속의 열팽창이나 열수축과 같은 변형에 의해 접합 불량이 생길 우려가 있다. 이에 비해, 본 형태에서는 중간층의 내부에 급전용 콘택을 설치하고 있다. 이 콘택은 도전성의 세라믹으로 구성되어 있기 때문에, 콘택이 접하는 중간층 및 세라믹 용사층과의 열팽창차를 작게 할 수 있다. 이에 따라, 열응력 변형에 기인하는 접합 불량의 발생을 억제할 수 있다.
일형태에서는, 세라믹 용사층은, 히터 전극과 중간층 사이에, 용사법에 의해 형성된 지르코니아제의 막을 포함하고 있어도 좋다. 지르코니아는, 열전도율이 낮은 세라믹 재료이기 때문에, 히터 전극과 중간층 사이에 지르코니아제의 막을 개재시킴으로써, 히터 전극과 베이스 사이의 온도 구배를 더욱 크게 할 수 있다. 그 결과, 피처리체와 포커스 링의 설정 온도의 차이를 더욱 크게 하는 것이 가능해진다.
본 발명의 다른 일측면에 따른 플라즈마 처리 장치는, 전술한 배치대를 구비한다.
본 발명의 일측면 및 실시형태에 의하면, 피처리체의 설정 온도와 포커스 링의 설정 온도의 차이를 크게 할 수 있다.
도 1은 일실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 처리 장치에서의 배치대를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 일실시형태의 배치대의 급전 기구 부근의 확대 단면도이다.
도 4는 일실시형태의 배치대의 작용 효과를 설명하는 개요도이다.
이하, 도면을 참조하여 여러가지 실시형태에 관해 상세히 설명한다. 또, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이기로 한다. 또, 본 명세서에 있어서 「상」 「하」는, 도시하는 상태에 기초하는 것이며, 편의적인 것이다.
도 1은, 일실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 플라즈마 처리 장치는, 기체가 밀폐되도록 구성되며, 전기적으로 접지 전위로 된 처리 용기(1)를 갖고 있다. 이 처리 용기(1)는, 원통형으로 되어 있고, 예컨대 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 처리 용기(1)는, 플라즈마가 생성되는 처리 공간을 구획한다. 처리 용기(1) 내에는, 피처리체(work-piece)인 반도체 웨이퍼(이하 단순히 「웨이퍼」라고 함)(W)를 수평으로 지지하는 배치대(2)가 수용되어 있다. 일실시형태의 배치대(2)는, 베이스(3), 정전척(6) 및 지지부(7)를 포함하고 있다. 베이스(3)는 대략 원기둥형을 나타내며, 도전성의 금속, 예컨대 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 베이스(3)는 하부 전극으로서 기능한다. 베이스(3)는 절연체의 지지대(4)에 지지되어 있고, 지지대(4)가 처리 용기(1)의 바닥부에 설치되어 있다. 베이스(3)는, 예컨대 나사를 통해 지지대(4)에 이면측으로부터 체결되어 있다. 정전척(6)은, 평면에서 볼 때 배치대(2)의 중앙에 설치되어 있고, 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 기능을 갖고 있다.
정전척(6)은 전극(6a) 및 절연체(6b)를 갖고 있다. 전극(6a)은 절연체(6b)의 내부에 설치되어 있고, 전극(6a)에는 직류 전원(12)이 접속되어 있다. 정전척(6)은, 전극(6a)에 직류 전원(12)으로부터 직류 전압이 인가됨으로써, 쿨롱력에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하도록 구성되어 있다. 정전척(6)에는 가열 소자인 1 이상의 히터(6c)가 설치되어 있다. 히터(6c)는 히터 전원(14)에 접속되어 있다. 히터(6c)는, 예컨대 배치대(2)의 중심을 둘러싸도록 고리형으로 연장되어 있다. 이 히터(6c)는, 예컨대 중심 영역을 가열하는 히터와, 중심 영역의 외측을 둘러싸도록 고리형으로 연장되는 히터를 포함해도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 온도를, 그 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 방사 방향에 위치하는 복수의 영역마다 제어할 수 있다.
또한, 정전척(6)의 외측에는 고리형의 포커스 링(5)이 설치되어 있다. 포커스 링(5)은, 예컨대 단결정 실리콘으로 형성되어 있고, 지지부(7)를 통해 베이스(3)에 지지되어 있다. 지지부(7)의 내부에는 가열 소자인 히터 전극(22)이 설치되어 있다. 히터 전극(22)은 포커스 링(5)의 온도를 제어한다. 히터 전극(22)은, 후술하는 급전 기구를 통해 히터 전원(14)에 접속되어 있다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 온도와 포커스 링(5)의 온도는 상이한 히터에 의해 독립적으로 제어된다.
베이스(3)에는 급전 막대(50)가 접속되어 있다. 급전 막대(50)에는, 제1 정합기(11a)를 통해 제1 RF 전원(10a)이 접속되고, 또한, 제2 정합기(11b)를 통해 제2 RF 전원(10b)이 접속되어 있다. 제1 RF 전원(10a)은 플라즈마 발생용 전원이며, 이 제1 RF 전원(10a)으로부터는 소정의 주파수의 고주파 전력이 배치대(2)의 베이스(3)에 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 제2 RF 전원(10b)은 이온 인입용(바이어스용) 전원이며, 이 제2 RF 전원(10b)으로부터는 제1 RF 전원(10a)보다 낮은 소정주파수의 고주파 전력이 배치대(2)의 베이스(3)에 공급되도록 구성되어 있다.
베이스(3)의 내부에는 냉매 유로(2d)가 형성되어 있고, 냉매 유로(2d)에는, 냉매 입구 배관(2b), 냉매 출구 배관(2c)이 접속되어 있다. 그리고, 냉매 유로(2d) 중에 냉매, 예컨대 냉각수 등을 순환시킴으로써, 배치대(2)를 소정의 온도로 제어 가능하게 구성되어 있다. 또, 배치대(2) 등을 관통하도록, 웨이퍼(W)의 이면에 헬륨 가스 등의 냉열 전달용 가스(백사이드 가스)를 공급하기 위한 가스 공급관이 설치되어도 좋다. 가스 공급관은 가스 공급원에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 배치대(2)의 상면에 정전척(6)에 의해 흡착 유지된 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 제어한다.
한편, 배치대(2)의 상측에는, 배치대(2)에 평행하게 대면하도록, 상부 전극으로서의 기능을 갖는 샤워 헤드(16)가 설치되어 있다. 샤워 헤드(16)와 배치대(2)는, 한쌍의 전극(상부 전극과 하부 전극)으로서 기능한다.
샤워 헤드(16)는, 처리 용기(1)의 천장벽 부분에 설치되어 있다. 샤워 헤드(16)는, 본체부(16a)와 전극판을 이루는 상부 천판(16b)을 구비하고 있고, 절연성 부재(95)를 통해 처리 용기(1)의 상부에 지지된다. 본체부(16a)는, 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극(陽極) 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지며, 그 하부에 상부 천판(16b)을 착탈 가능하게 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
본체부(16a)의 내부에는 가스 확산실(16c)이 설치되고, 이 가스 확산실(16c)의 하부에 위치하도록, 본체부(16a)의 바닥부에는 다수의 가스 통류 구멍(16d)이 형성되어 있다. 또한, 상부 천판(16b)에는, 그 상부 천판(16b)을 두께 방향으로 관통하도록 가스 도입 구멍(16e)이, 상기 가스 통류 구멍(16d)과 중복되도록 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해 가스 확산실(16c)에 공급된 처리 가스는, 가스 통류 구멍(16d) 및 가스 도입 구멍(16e)을 통해 처리 용기(1) 내에 샤워형으로 분산되어 공급된다.
본체부(16a)에는, 가스 확산실(16c)에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(16g)가 형성되어 있다. 이 가스 도입구(16g)에는 가스 공급 배관(15a)이 접속되어 있고, 이 가스 공급 배관(15a)의 타단에는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급원(15)이 접속된다. 가스 공급 배관(15a)에는, 상류측으로부터 순서대로 매스플로우 컨트롤러(MFC)(15b) 및 개폐 밸브(V2)가 설치되어 있다. 그리고, 처리 가스 공급원(15)으로부터 플라즈마 에칭을 위한 처리 가스가, 가스 공급 배관(15a)을 통해 가스 확산실(16c)에 공급되고, 이 가스 확산실(16c)로부터, 가스 통류 구멍(16d) 및 가스 도입 구멍(16e)을 통해 처리 용기(1) 내에 샤워형으로 분산되어 공급된다.
상기 상부 전극으로서의 샤워 헤드(16)에는, 로우패스 필터(LPF)(71)를 통해 가변 직류 전원(72)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 가변 직류 전원(72)은, 온ㆍ오프 스위치(73)에 의해 급전의 온ㆍ오프가 가능하게 구성되어 있다. 가변 직류 전원(72)의 전류ㆍ전압 및 온ㆍ오프 스위치(73)의 온ㆍ오프는, 후술하는 제어부(90)에 의해 제어된다. 또, 후술하는 바와 같이, 제1 RF 전원(10a), 제2 RF 전원(10b)으로부터 고주파가 배치대(2)에 인가되어 처리 공간에 플라즈마가 발생할 때에는, 필요에 따라서 제어부(90)에 의해 온ㆍ오프 스위치(73)가 온이 되어, 상부 전극으로서의 샤워 헤드(16)에 소정의 직류 전압이 인가된다.
또한, 처리 용기(1)의 측벽으로부터 샤워 헤드(16)의 높이 위치보다 상측으로 연장되도록 원통형의 접지 도체(1a)가 설치되어 있다. 이 원통형의 접지 도체(1a)는, 그 상부에 천장벽을 갖고 있다.
처리 용기(1)의 바닥부에는 배기구(81)가 형성되어 있고, 이 배기구(81)에는 배기관(82)을 통해 제1 배기 장치(83)가 접속되어 있다. 제1 배기 장치(83)는 진공 펌프를 갖고 있고, 이 진공 펌프를 작동시킴으로써 처리 용기(1) 내를 소정의 진공도까지 감압할 수 있도록 구성되어 있다. 한편, 처리 용기(1) 내의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입 반출구(84)가 형성되어 있고, 이 반입 반출구(84)에는 그 반입 반출구(84)를 개폐하는 게이트 밸브(85)가 설치되어 있다.
처리 용기(1)의 측부 내측에는, 내벽면을 따라서 증착 실드(86)가 설치되어 있다. 증착 실드(86)는, 처리 용기(1)에 에칭 부생성물(디포지션)이 부착되는 것을 방지한다. 이 증착 실드(86)의 웨이퍼(W)와 대략 동일한 높이 위치에는, 그라운드에 대한 전위가 제어 가능하게 접속된 도전성 부재(GND 블록)(89)가 설치되어 있고, 이에 따라 이상 방전이 방지된다. 또한, 증착 실드(86)의 하단부에는, 배치대(2)를 따라서 연장되는 증착 실드(87)가 설치되어 있다. 증착 실드(86, 87)는 착탈 가능하게 구성되어 있다.
상기 구성의 플라즈마 처리 장치는, 제어부(90)에 의해 그 동작이 통괄적으로 제어된다. 이 제어부(90)에는, CPU를 구비하고 플라즈마 처리 장치의 각 부를 제어하는 프로세스 컨트롤러(91)와, 사용자 인터페이스(92)와, 기억부(93)가 설치되어 있다.
사용자 인터페이스(92)는, 공정 관리자가 플라즈마 처리 장치를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작을 행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 구성되어 있다.
기억부(93)에는, 플라즈마 처리 장치에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(91)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나 처리 조건 데이터 등이 기억된 레시피가 저장되어 있다. 그리고, 필요에 따라서, 사용자 인터페이스(92)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(93)로부터 불러내어 프로세스 컨트롤러(91)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(91)의 제어하에 플라즈마 처리 장치에서의 원하는 처리가 행해진다. 또한, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터로 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체(예컨대 하드디스크, CD, 플렉시블 디스크, 반도체 메모리 등) 등에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 또는, 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 수시로 전송시켜 온라인에서 사용하거나 하는 것도 가능하다.
다음으로, 도 2를 참조하여, 배치대(2)의 주요부 구성에 관해 설명한다. 도 2는, 도 1의 플라즈마 처리 장치에서의 배치대(2)를 나타내는 개략 단면도이다.
베이스(3)는, 예컨대 대략 원기둥형을 나타내며, 이면(3c) 및 이면(3c)에 대향하는 표면측(상면(3d), 상면(3e))을 갖는다. 베이스(3)의 표면측에는, 베이스(3)의 축선(Z)을 둘러싸도록 고리형의 홈(13)이 형성되어 있다. 즉, 홈(13)은 베이스(3)의 표면에 직교하는 방향에서 볼 때 고리형으로 형성되어 있다. 또, 홈(13)은, 연속적으로 고리형으로 형성되어 있어도 좋고, 단속적으로 고리형으로 형성되어 있어도 좋다. 베이스(3)의 상부는, 홈(13)을 통해, 베이스(3)의 표면에 직교하는 방향에서 볼 때 원형의 베이스 중앙부(제1 영역)(3a)와, 베이스(3)의 표면에 직교하는 방향에서 볼 때 고리형의 베이스 둘레 가장자리부(제2 영역)(3b)로 분리되어 있다. 원기둥형의 베이스 중앙부(3a)의 축선은 베이스(3)의 축선(Z)에 일치한다. 또한, 베이스 둘레 가장자리부(3b)는, 베이스(3)의 축선(Z), 즉 베이스 중앙부(3a)의 축선을 둘러싸도록 형성되어 있다. 또한 베이스 둘레 가장자리부(3b)는 배치면에 직교하는 방향에서 보아 배치면의 외측의 위치에서 베이스 중앙부(3a)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 베이스 중앙부(3a)는, 정전척(6)을 지지하는 원형의 상면(3d)을 갖고 있다. 베이스 둘레 가장자리부(3b)는, 포커스 링(5)을 지지하는 고리형의 상면(3e)을 갖고 있다. 이와 같이, 베이스(3)의 표면은, 홈(13)에 의해 원형의 상면(3d) 및 고리형의 상면(3e)으로 분할되어 있다.
상면(3d) 및 상면(3e)의 높이는, 웨이퍼(W)의 두께, 포커스 링(5)의 두께나, 웨이퍼(W)와 베이스 중앙부(3a) 사이에 개재하는 재료의 두께나 물성, 포커스 링(5)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이에 개재하는 재료의 두께나 물성에 따라서, 웨이퍼(W)에 대한 열의 전달이나 RF 전력과, 포커스 링(5)에 대한 열의 전달이나 RF 전력이 일치하도록 적절하게 조정된다. 즉, 도면에서는, 상면(3d) 및 상면(3e)의 높이가 일치하지 않는 경우를 예시하고 있지만, 양자가 일치해도 좋다.
베이스(3)의 내부에 형성된 냉매 유로(2d)는, 홈(13)보다 베이스(3)의 내측에 위치하는 내측의 냉매 유로(2e)와, 홈(13)보다 베이스(3)의 외측 가장자리에 위치하는 외측의 냉매 유로(2f)를 포함한다. 내측의 냉매 유로(2e)는, 베이스 중앙부(3a)의 상면(3d)의 하측에 형성된다. 외측의 냉매 유로(2f)는, 베이스 둘레 가장자리부(3b)의 상면(3e)의 하측에 형성된다. 즉, 내측의 냉매 유로(2e)는, 웨이퍼(W)의 하측에 위치하여 웨이퍼(W)의 열을 흡열하도록 기능하고, 외측의 냉매 유로(2f)는, 포커스 링(5)의 하측에 위치하여 포커스 링(5)의 열을 흡열하도록 기능한다. 또, 내측의 냉매 유로(2e)와 외측의 냉매 유로(2f)를, 상이한 냉각 기구에 접속하여 상이한 온도의 냉매를 유통시켜도 좋다.
홈(13)은, 베이스(3)의 내부에서 바닥면(13a)을 갖는다. 즉, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)는, 홈(13)의 하측에서 서로 접속되어 있다. 베이스(3)의 이면(3c)의 높이 위치(P)를 기준으로 하면, 바닥면(13a)의 높이 위치(B)는, 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면 중 가장 상측에 위치하는 상단면의 높이와 동일 위치, 또는, 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면 중 가장 상측에 위치하는 상단면의 높이보다 하측이 된다. 도 2에서는, 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면의 높이는 동일한 높이(H1)인 경우를 도시하고 있다. 이 때문에, 홈(13)의 바닥면(13a)의 높이 위치(B)는, 높이(H1)와 동일하거나 높이(H1)보다 하측이 되면 된다. 이와 같이, 적어도 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면까지 홈(13)이 형성되어 있음으로써, 냉매 유로(2e, 2f)의 상측에 있어서 공간을 설치하여 물리적인 연속성을 끊는 것에 의해, 베이스(3) 내부에 있어서 수평 방향의 열류속을 차단할 수 있다. 그 공간은, 플라즈마 처리중에는 진공 공간이 되기 때문에, 진공 단열이 가능하다.
베이스(3)의 베이스 중앙부(3a)는, 그 상면(3d) 상에 정전척(6)을 지지한다. 정전척(6)은 상면(3d) 상에 접착제(9b)를 통해 설치되어 있다. 정전척(6)은 원판형을 나타내며, 베이스(3)의 축선(Z)과 동축이 되도록 설치되어 있다. 정전척(6)의 상단에는, 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 배치면(6d)이 형성되어 있다. 배치면(6d)은 원형을 나타내며, 웨이퍼(W)의 이면과 접촉하여 원판형의 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 정전척(6)의 하단에는, 정전척(6)의 직경 방향 외측으로 돌출된 플랜지부(6e)가 형성되어 있다. 즉, 정전척(6)은, 측면의 위치에 따라서 외경이 상이하다. 또한, 정전척(6)은, 절연체(6b)의 사이에 전극(6a) 및 히터(6c)를 개재시켜 구성되어 있다. 도면 중에서는, 전극(6a)의 하측에 히터(6c)가 개재하고 있다. 히터(6c)에 의해 배치면(6d)이 가열 제어된다. 또, 히터(6c)는 정전척(6) 내부에 존재하지 않아도 좋다. 예컨대, 접착제(9b)에 의해 정전척(6)의 이면에 접착되어도 좋고, 배치면(6d)과 냉매 유로(2e) 사이에 개재하면 된다.
포커스 링(5)은, 지지부(7)를 통해 베이스 둘레 가장자리부(3b)에 지지되어 있다. 포커스 링(5)은 원환형의 부재이며, 베이스(3)의 축선(Z)과 동축이 되도록 설치되어 있다. 포커스 링(5)의 내측 측면에는, 직경 방향 내측으로 돌출된 볼록부(5a)가 형성되어 있다. 즉, 포커스 링(5)은, 내측 측면의 위치에 따라서 내경이 상이하다. 예컨대, 볼록부(5a)가 형성되어 있지 않은 개소의 내경은, 웨이퍼(W)의 외경 및 정전척(6)의 플랜지부(6e)의 외경보다 크다. 한편, 볼록부(5a)가 형성된 개소의 내경은, 정전척(6)의 플랜지부(6e)의 외경보다 작고, 또한, 정전척(6)의 플랜지부(6e)가 형성되어 있지 않은 개소의 외경보다 크다.
포커스 링(5)은, 볼록부(5a)가 정전척(6)의 플랜지부(6e)의 상면과 이격되고, 또한, 정전척(6)의 측면으로부터도 이격된 상태가 되도록 지지부(7) 상면에 배치된다. 즉, 포커스 링(5)의 볼록부(5a)의 하면과 정전척(6)의 플랜지부(6e)의 상면 사이, 포커스 링(5)의 볼록부(5a)의 측면과 정전척(6)의 플랜지부(6e)가 형성되어 있지 않은 측면 사이에는, 간극이 형성되어 있다. 그리고, 포커스 링의 볼록부(5a)는 홈(13)의 상측에 위치한다. 즉, 배치면(6d)과 직교하는 방향에서 볼 때, 볼록부(5a)는 홈(13)과 중복되는 위치에 존재하여 그 홈(13)을 덮고 있다. 이에 따라, 플라즈마가 홈(13)에 진입하는 것을 방지할 수 있다.
베이스(3)의 베이스 둘레 가장자리부(3b)는, 그 상면(3e) 상에 지지부(7)를 통해 포커스 링(5)을 지지하고 있다. 지지부(7)는 베이스 중앙부(3a)에 지지되지 않도록 베이스 둘레 가장자리부(3b)에 의해 지지될 수 있다. 지지부(7)는, 중간층(18), 세라믹 용사층(20) 및 히터 전극(22)을 포함하고 있다. 중간층(18)은, 베이스(3)의 축선(Z)과 동축이 되도록 형성되는 고리형의 부재이며, 상면(18a) 및 하면(18b)을 갖고 있다. 중간층(18)은 베이스 중앙부(3a)의 외경 이상의 내경을 가질 수 있다. 중간층(18)은, 예컨대 가압 성형에 의해 형성된 세라믹 소결체로 구성되어 있다. 일례에서는, 중간층(18)은 알루미나(Al2O3) 세라믹의 소결체이다. 또, 중간층(18)의 구성 재료는, 높은 취성을 갖는 세라믹 소결체라면, 알루미나 세라믹 소결체에 한정되지 않는다. 예컨대, 중간층(18)은, 알루미나, 산화이트륨(Y2O3), 탄화규소(SiC), 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4) 중 적어도 1종의 재료를 포함하는 소결체이면 된다.
중간층(18)의 하면(18b)은, 접착제(9a)를 통해 베이스 둘레 가장자리부(3b)의 상면(3e)에 접착되어 있다. 접착제(9a)로는, 예컨대 실리콘계, 에폭시계 또는 아크릴계의 접착제가 이용된다. 접착제(9a)는, 예컨대 0.1 W/mK∼0.5 W/mK의 열저항률을 가지며, 80℃∼150℃의 내열 온도를 갖고 있다. 이 접착제(9a)는, 중간층(18)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이의 열저항을 증가시킴과 함께, 응력 변형을 흡수하는 층으로서도 기능한다. 또, 중간층(18) 및 접착제(9a)의 두께는, 베이스(3)의 요구 성능에 따라서 적절하게 설정할 수 있다. 예컨대, 중간층(18)이 알루미나 세라믹 소결체에 의해 구성되어 있는 경우에는, 중간층(18)의 두께를 1 mm 이상 8 mm 이하의 범위 내로 설정할 수 있다. 또한, 예컨대 접착제(9a)가 실리콘계의 접착제인 경우에는, 접착제(9a)의 두께를 0.07 mm 이상 1.8 mm 이하의 범위 내로 설정할 수 있다.
세라믹 용사층(20)은, 중간층(18)의 상면(18a) 상에 용사법에 의해 형성되는 세라믹제의 층이며, 중간층(18)과 동축의 고리형을 나타내고 있다. 세라믹 용사층(20)은, 그 위에 포커스 링(5)을 배치한다. 세라믹 용사층(20)은, 제1 막(20a) 및 제2 막(20b)을 포함할 수 있다. 이들 제1 막(20a) 및 제2 막(20b)은, 모두 용사법을 이용하여 형성되는 세라믹제의 막이다. 용사법은, 입자형의 용사 재료를 기재의 표면에 분무함으로써 용사 재료에 따른 막을 형성하는 성막법이다.
제1 막(20a)은, 예컨대 중간층(18)의 상면(18a)에 대하여 지르코니아(ZrO2) 입자를 분무함으로써 형성된 지르코니아제의 용사막이다. 제2 막(20b)은, 예컨대 제1 막(20a)에 대하여 산화이트륨(Y2O3) 입자를 분무함으로써 형성된 산화이트륨제의 용사막이다. 세라믹 용사층(20)은, 중간층(18)의 상면(18a) 상에 용사법에 의해 형성됨으로써, 중간층(18)의 상면(18a)에 밀착되어 중간층(18)과 일체화한다. 또, 제1 막(20a) 및 제2 막(20b)은, 반드시 상이한 재료에 의해 구성될 필요는 없고, 동일한 재료에 의해 구성되어 있어도 좋다.
제1 막(20a) 및 제2 막(20b)의 구성 재료는, 중간층(18)의 구성 재료보다 열전도율이 낮고, 또한, 중간층(18)의 구성 재료와 열팽창율이 근사한 재료라면 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 막(20a)은, 알루미나, 산화이트륨, 지르코니아, 탄화규소 중 적어도 1종의 재료를 포함하는 용사막이면 된다. 마찬가지로, 제2 막(20b)도, 알루미나, 산화이트륨, 지르코니아, 탄화규소 중 적어도 1종의 재료를 포함하는 용사막이면 된다. 또한, 제1 막(20a) 및 제2 막(20b)의 두께는, 베이스(3)의 요구 성능에 따라서 적절하게 설정할 수 있다. 예컨대, 제1 막(20a)이 지르코니아제의 용사막인 경우에는, 제1 막(20a)의 두께를 0.05 mm 이상 3 mm 이하의 범위 내로 설정할 수 있다. 또한, 예컨대 제2 막(20b)이 산화이트륨제의 용사막인 경우에는, 제2 막(20b)의 두께를 0.05 mm 이상 3 mm 이하의 범위 내로 설정할 수 있다. 또한, 세라믹 용사층(20)은, 반드시 적층 구조를 이루고 있을 필요는 없고, 단층 구조를 이루고 있어도 좋다.
히터 전극(22)은, 세라믹 용사층(20)의 내부, 구체적으로는 제1 막(20a)과 제2 막(20b) 사이에 설치되어 있다. 히터 전극(22)은, 중간층(18)과 동축인 고리형을 나타내고 있다. 히터 전극(22)은, 용사법에 의해 형성된 용사 히터 전극이다. 이 히터 전극(22)은, 포커스 링(5)을 가열하기 위한 가열 소자로서 기능한다. 히터 전극(22)은, 예컨대 제1 막(20a) 상에 텅스텐(W) 입자를 분무함으로써 형성된 텅스텐제의 막이다.
또한, 베이스(3)의 베이스 둘레 가장자리부(3b)에는, 히터 전원(14)에서 발생한 전력을 히터 전극(22)에 공급하는 급전 기구가 설치되어 있다. 도 3을 참조하여 이 급전 기구에 관해 설명한다. 도 3은, 배치대(2)의 급전 기구 부근의 확대 단면도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 베이스(3)의 베이스 둘레 가장자리부(3b)에는, 그 베이스 둘레 가장자리부(3b)를 이면(3c)으로부터 상면(3e)까지 관통하는 관통 구멍(HL)이 형성되어 있다. 관통 구멍(HL)의 내벽은 통형상체(24)에 의해 덮여 있다.
중간층(18)의 내부에는 급전용 콘택(CT)이 설치되어 있다. 콘택(CT)은, 중간층(18)의 상면(18a)과 하면(18b) 사이에서 연장되어 있고, 그 일단면이 배선(EW)을 통해 히터 전극(22)에 전기적으로 접속된다. 콘택(CT)의 타단면은 관통 구멍(HL)에 면해 있고, 접점부(25)에 전기적으로 접속되어 있다. 콘택(CT)은, 도전성의 세라믹, 예컨대 텅스텐을 함유하는 알루미나 세라믹으로 구성되어 있다. 이 콘택(CT)은, 중간층(18)을 형성할 때에 중간층과 함께 소성됨으로써 형성될 수 있다.
접점부(25)는, 배선(26)을 통해 히터 전원(14)에 전기적으로 접속되어 있다(도 1 참조). 배선(26)은, 접점부(25)에 접속되는 제1 부분(26a)과, 제1 부분(26a)보다 히터 전원(14)측에 위치하는 제2 부분(26b)을 포함하고 있다. 제1 부분(26a)은, 예컨대 복수의 도선을 꼬아 합쳐서 구성되는 연선(撚線)이며, 굴곡 가능한 유연한 도전성 재료로 구성되어 있다. 제2 부분(26b)은, 콘택(CT)과 제2 부분(26b) 사이에 있어서 제1 부분(26a)이 굴곡되도록 제1 부분(26a)을 지지한다. 이와 같이, 제1 부분(26a)이 굴곡되어 있는 것에 의해, 플라즈마 처리중의 온도 변화에 따르는 배선(26)의 변형을 그 굴곡 부분에서 흡수하는 것이 가능해진다. 히터 전원(14)으로부터 공급된 전력은, 배선(26), 접점부(25), 콘택(CT), 배선(EW)을 통해 히터 전극(22)에 공급된다. 히터 전극(22)은, 공급 전력에 따른 발열량으로 가열된다. 이들 배선(EW), 콘택(CT), 접점부(25) 및 배선(26)은 급전 기구를 구성한다. 또, 이 급전 기구는, 베이스 둘레 가장자리부(3b)에 적어도 하나 설치되어 있으면 된다.
다음으로, 도 4를 참조하여 배치대(2)의 작용 효과를 설명한다. 도 4는, 배치대(2)의 작용 효과를 설명하는 개요도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 배치대(2)에서는, 정전척(6)이 베이스 중앙부(3a)에 의해 지지되고, 포커스 링(5)이 지지부(7)를 통해 베이스 둘레 가장자리부(3b)에 의해 지지된다. 지지부(7)의 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이에는 중간층(18)이 개재하고 있다. 중간층(18)이 개재함으로써, 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이의 열저항이 증가하기 때문에, 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이의 온도 구배가 커진다. 즉, 화살표 A2로 나타내는 히터 전극(22)으로부터 베이스 둘레 가장자리부(3b)로 향하는 열류속은 감소한다. 이 때문에, 중간층(18)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이에 개재하는 접착제(9a)의 온도 상승이 억제된다. 따라서, 접착제(9a)의 내열 온도에 기인하는 히터 전극(22)의 발열량의 제한이 완화되기 때문에, 포커스 링(5)의 설정 온도를 높게 할 수 있다.
한편, 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이의 열저항이 증가하는 것에 의해, 화살표 A1로 나타내는 히터 전극(22)으로부터 포커스 링(5)으로 향하는 열류속은 증가한다. 이 때문에, 적은 전력으로 히터 전극(22)을 가열시켜 포커스 링(5)의 온도를 높게 할 수 있다. 즉, 포커스 링(5)을 효율적으로 가열하는 것이 가능해진다. 이와 같이, 일실시형태의 배치대(2)에서는, 히터 전극(22)에 있어서 발생한 열류속 중, 베이스 둘레 가장자리부(3b)로 향하는 열류속을 감소시키고, 포커스 링(5)으로 향하는 열류속을 증가시킬 수 있기 때문에, 포커스 링(5)의 설정 온도를 높게 하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 배치대(2)에 의하면, 웨이퍼(W)의 설정 온도와 포커스 링(5)의 설정 온도의 차이를 크게 하는 것이 가능해진다.
특히, 상기 실시형태에서는, 제1 막(20a)의 재료로서 열전도율이 낮은 지르코니아를 이용하기 때문에, 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이의 열저항을 더욱 크게 할 수 있다. 이에 따라, 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이의 온도 구배를 더욱 크게 할 수 있고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 설정 온도와 포커스 링(5)의 설정 온도의 차이를 더욱 크게 하는 것이 가능해진다. 또, 중간층(18) 및 세라믹 용사층(20)은 모두 세라믹 재료에 의해 구성되어 있기 때문에, 열팽창차는 작다. 예컨대, 중간층(18)을 구성하는 알루미나 세라믹 소결체의 열팽창계수는 7.1×10-6/℃이고, 세라믹 용사층(20)의 제1 막(20a)을 구성하는 지르코니아용사막의 열팽창계수는 10×10-6/℃이다. 따라서, 중간층(18)과 세라믹 용사층(20) 사이에 온도 구배가 생긴 경우라 하더라도, 열응력 변형에 기인하는 구성 부재의 파손을 방지할 수 있다.
또한, 배치대(2)에 있어서, 베이스 중앙부(3a)의 상부 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)의 상부는, 홈(13)에 의해 분할되어 있다. 이 홈(13)에 의해, 정전척(6) 및 포커스 링(5)은 열적으로 분리되어 있다. 이 때문에, 화살표 D로 나타내는 수평 방향(배치대(2)의 직경 방향)의 열의 이동이 억제된다. 따라서, 정전척(6)의 히터(6c)에서 발생한 열의 일부는, 화살표 E1로 나타낸 바와 같이 정전척(6)의 배치면(6d)을 향하여 이동하고, 다른 일부는 화살표 E2에 나타낸 바와 같이, 베이스 중앙부(3a) 내의 냉매 유로(2e)를 향하여 이동한다. 마찬가지로, 지지부(7)의 히터 전극(22)에 있어서 발생한 열의 일부는, 화살표 A1로 나타낸 바와 같이 포커스 링(5)을 향하여 이동하고, 다른 일부는 화살표 A2에 나타낸 바와 같이, 베이스 둘레 가장자리부(3b) 내의 냉매 유로(2f)를 향하여 이동한다. 즉, 정전척(6)의 히터(6c)에서 생긴 열 및 지지부(7)의 히터 전극(22)에서 생긴 열은, 수직 방향으로 이동한다.
이와 같이, 홈(13)의 바닥면(13a)보다 상측에 존재하는 부재 사이에서 열의 이동이 억제된다. 예컨대, 웨이퍼(W), 정전척(6), 접착제(9b) 및 베이스 중앙부(3a)의 상면(3d)으로부터 내측의 냉매 유로(2e)의 상단면에 개재하는 베이스 부분과, 포커스 링(5), 지지부(7), 접착제(9a) 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)의 상면(3e)으로부터 외측의 냉매 유로(2f)의 상단면에 개재하는 베이스 부분이, 공간을 사이에 두고 분리되어 열의 이동이 억제된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 온도 제어와 포커스 링(5)의 온도 제어를 정확하게 독립시킬 수 있다.
또한, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)가 홈(13)에 의해 공간을 사이에 두고 분리되어 있음으로써, 히터 전극(22)에 있어서 생긴 열을 베이스 중앙부(3a)로 밀어내지 않고 포커스 링(5)의 가열에 이용할 수 있다. 그 결과, 포커스 링(5)을 보다 효율적으로 가열할 수 있기 때문에, 포커스 링(5)의 설정 온도를 더욱 높게 할 수 있다.
또한, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)가 홈(13)에 의해 공간을 사이에 두고 분리되어 있기 때문에, 베이스 중앙부(3a) 및 정전척(6)과, 베이스 둘레 가장자리부(3b) 및 포커스 링(5)의 열팽창에 차이가 생긴 경우라 하더라도, 열응력 변형에 의해 구성 부재가 파괴되지 않는다. 결과적으로, 열응력 변형에 의해 제한되는 웨이퍼(W)와 포커스 링(5)의 설정 가능 온도차를 크게 할 수 있다. 이와 같이, 홈(13)은, 단열 기능뿐만 아니라 응력 변형을 흡수하는 기능도 갖는다.
또한, 종래, 히터 전극과 급전 단자는 금속 접합으로 접속되는 것이 일반적이었다. 이러한 구성을 채택한 경우, 포커스 링의 지지부와 금속제의 베이스 사이의 온도차가 커지면, 각 구성 부재의 온도 변화에 따르는 변형에 의해 접합 부분이 파손되어 접합 불량이 생기는 경우가 있다. 이에 비해, 상기 실시형태에서는, 중간층(18)에 히터 전극(22)에 접속하는 콘택(CT)이 설치되어 있다. 이 콘택(CT)은 도전성의 세라믹으로 구성되어 있기 때문에, 이 콘택(CT)의 열팽창율과 중간층(18) 및 세라믹 용사층(20)의 열팽창율의 차는 매우 작은 것이 된다. 따라서, 온도 변화에 의해 지지부(7)의 구성 부재에 팽창이나 수축과 같은 변형이 생긴 경우라 하더라도 열응력이 생기기 어려워지기 때문에, 접합 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이상, 여러가지 실시형태에 관해 설명했지만, 전술한 실시형태에 한정되지 않고 여러가지 변형 양태를 구성할 수 있다. 예컨대, 전술한 플라즈마 처리 장치(10)는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치였지만, 배치대(2)는 임의의 플라즈마 처리 장치에 채택될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 마이크로파와 같은 표면파에 의해 가스를 여기시키는 플라즈마 처리 장치와 같이, 임의의 타입의 플라즈마 처리 장치이어도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)가 홈(13)에 의해 분할되어 있지만, 반드시 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)는 분할되어 있을 필요는 없다. 예컨대, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 둘레 가장자리부(3b)가 물리적으로 연속되어 있고, 베이스 둘레 가장자리부(3b)가 지지부(7)를 통해 포커스 링(5)을 지지하고 있어도 좋다. 이 경우라 하더라도, 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이에 개재하는 중간층(18)에 의해 히터 전극(22)과 베이스 둘레 가장자리부(3b) 사이의 온도 구배를 크게 할 수 있다. 그 결과, 접착제(9a)의 내열 온도에 기인하는 히터 전극(22)의 발열량의 제한이 완화되기 때문에, 포커스 링(5)의 설정 온도를 높게 하는 것이 가능하다.
1 : 처리 용기, 2 : 배치대, 3 : 베이스, 3a : 베이스 중앙부, 3b : 베이스 둘레 가장자리부, 4 : 지지대, 5 : 포커스 링, 5a : 볼록부, 6 : 정전척, 6a : 전극, 6b : 절연체, 6c : 히터, 6d : 배치면, 6e : 플랜지부, 7 : 지지부, 9a, 9b : 접착제, 10 : 플라즈마 처리 장치, 13 : 홈, 14 : 히터 전원, 15 : 처리 가스 공급원, 16 : 샤워 헤드, 18 : 중간층, 20 : 세라믹 용사층, 20a : 제1 막, 20b : 제2 막, 22 : 히터 전극, 24 : 통형상체, 25 : 접점부, 26 : 배선, 90 : 제어부, CT : 콘택, EW : 배선, HL : 관통 구멍, W : 웨이퍼.

Claims (6)

  1. 피처리체를 배치하기 위한 배치대에 있어서,
    그 상단에 배치면을 갖고, 상기 배치면에 상기 피처리체를 흡착하기 위한 정전척과,
    포커스 링을 지지하기 위한 지지부와,
    상기 정전척을 지지하는 제1 영역, 및 상기 배치면에 직교하는 방향에서 보아 상기 배치면의 외측의 위치에서 상기 제1 영역을 둘러싸고 상기 지지부를 지지하는 제2 영역을 갖는 금속제의 베이스
    를 포함하고,
    상기 지지부는,
    세라믹 소결체로 이루어지며, 접착제를 통해 상기 제2 영역에 지지되는 중간층과,
    상기 중간층 상에 용사(溶射)법에 의해 형성되는 세라믹 용사층과,
    상기 세라믹 용사층의 내부에 설치되며, 용사법에 의해 형성되는 히터 전극
    을 포함하고,
    상기 지지부가, 상기 제1 영역에 지지되지 않도록, 상기 제2 영역에 의해 지지되어 있는 것인 배치대.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에서 고리형으로 연장되는 홈에 의해 분할되는 것인 배치대.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 중간층에는 상기 히터 전극에 전기적으로 접속된 급전용 콘택이 설치되어 있고, 상기 급전용 콘택은 도전성 세라믹으로 구성되는 것인 배치대.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세라믹 용사층은 상기 히터 전극과 상기 중간층 사이에 용사법에 의해 형성된 지르코니아제의 막을 포함하는 것인 배치대.
  5. 피처리체를 배치하기 위한 배치대에 있어서,
    상기 피처리체를 흡착하기 위한 정전척과,
    포커스 링을 지지하기 위한 지지부와,
    상기 정전척을 지지하는 제1 영역, 및 상기 제1 영역을 둘러싸고 상기 지지부를 지지하는 환형의 제2 영역을 갖는 금속제의 베이스
    를 포함하고,
    상기 지지부는,
    세라믹 소결체로 이루어지며, 접착제를 통해 상기 제2 영역에 지지되고, 상기 제1 영역의 외경 이상의 내경을 갖는 환형의 중간층과,
    상기 중간층 상에 용사법에 의해 형성되는 세라믹 용사층과,
    상기 세라믹 용사층의 내부에 설치되며, 용사법에 의해 형성되는 히터 전극
    을 포함하는 것인 배치대.
  6. 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 기재된 배치대를 구비하는 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6080571B2 (ja) * 2013-01-31 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP6306722B2 (ja) * 2014-08-29 2018-04-04 京セラ株式会社 ヒータ
JP2017212361A (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びパーティクル付着抑制方法
US20170352569A1 (en) * 2016-06-06 2017-12-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having properties for optimal thin film deposition or etch processes
JP6618159B2 (ja) 2016-06-17 2019-12-11 トーカロ株式会社 発熱部材
US11069553B2 (en) * 2016-07-07 2021-07-20 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity
KR102604063B1 (ko) 2016-08-18 2023-11-21 삼성전자주식회사 정전 척 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP6767826B2 (ja) * 2016-09-23 2020-10-14 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
JP6758143B2 (ja) * 2016-09-29 2020-09-23 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
JP6986937B2 (ja) * 2017-01-05 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10910195B2 (en) * 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
CN111048394A (zh) * 2017-01-05 2020-04-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP7107949B2 (ja) * 2017-01-27 2022-07-27 アイクストロン、エスイー 搬送リング
TW202341281A (zh) * 2017-04-26 2023-10-16 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
KR102039969B1 (ko) * 2017-05-12 2019-11-05 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11837446B2 (en) * 2017-07-31 2023-12-05 Lam Research Corporation High power cable for heated components in RF environment
JP6866255B2 (ja) * 2017-08-09 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102398922B1 (ko) 2017-11-24 2022-05-16 도카로 가부시키가이샤 발열부재
JP7149068B2 (ja) * 2017-12-21 2022-10-06 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP7068921B2 (ja) * 2018-05-15 2022-05-17 東京エレクトロン株式会社 部品の形成方法及びプラズマ処理装置
JP7403215B2 (ja) 2018-09-14 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板支持体及び基板処理装置
US11499229B2 (en) 2018-12-04 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Substrate supports including metal-ceramic interfaces
JP7039688B2 (ja) * 2019-02-08 2022-03-22 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
CN113544837A (zh) * 2019-03-08 2021-10-22 朗姆研究公司 用于等离子体处理室的卡盘
WO2020255319A1 (ja) * 2019-06-20 2020-12-24 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US11894255B2 (en) * 2019-07-30 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Sheath and temperature control of process kit
CN112837985B (zh) * 2019-11-22 2023-01-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 上电极组件以及等离子体处理设备
CN113130279B (zh) * 2019-12-30 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法
JP2023003003A (ja) 2021-06-23 2023-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板支持部及び基板処理装置
JP2023069614A (ja) 2021-11-08 2023-05-18 日本碍子株式会社 ウエハ載置台

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157559A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処置装置
JP2014072355A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック
JP2014078731A (ja) * 2010-01-29 2014-05-01 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846375A (en) * 1996-09-26 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment
JPH11168134A (ja) 1997-12-03 1999-06-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着装置およびその製造方法
US6677167B2 (en) * 2002-03-04 2004-01-13 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method
JP2003264223A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Rasa Ind Ltd 静電チャック部品および静電チャック装置およびその製造方法
JP4421874B2 (ja) * 2003-10-31 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2007258500A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 基板支持装置
US20070283891A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
JP4749971B2 (ja) * 2006-08-10 2011-08-17 太平洋セメント株式会社 セラミックスヒーターおよびその製造方法
US7723648B2 (en) * 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8414704B2 (en) * 2008-01-08 2013-04-09 Ngk Insulators, Ltd. Bonding structure and semiconductor device manufacturing apparatus
JP2009170509A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Hitachi High-Technologies Corp ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置
JP5274918B2 (ja) * 2008-07-07 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のチャンバー内部材の温度制御方法、チャンバー内部材及び基板載置台、並びにそれを備えたプラズマ処理装置
JP5357639B2 (ja) * 2009-06-24 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3155802U (ja) * 2009-09-17 2009-12-03 日本碍子株式会社 ウエハー載置装置
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP5423632B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP5917946B2 (ja) 2012-02-24 2016-05-18 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及びプラズマエッチング装置
US9070536B2 (en) * 2012-04-24 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor electrostatic chuck with cooled process ring and heated workpiece support surface
JP6359236B2 (ja) * 2012-05-07 2018-07-18 トーカロ株式会社 静電チャック
US9673077B2 (en) * 2012-07-03 2017-06-06 Watlow Electric Manufacturing Company Pedestal construction with low coefficient of thermal expansion top
JP5996340B2 (ja) * 2012-09-07 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157559A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処置装置
JP2014078731A (ja) * 2010-01-29 2014-05-01 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック装置
JP2014072355A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック

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