JP2014072355A - 静電チャック - Google Patents

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Abstract

【課題】静電チャックの吸着側の面(第1主面)に吸着された被吸着物の温度調節を好適に行うことができる静電チャックを提供すること。
【解決手段】セラミック絶縁板7の吸着面3側には、中心部13と外周部17との間に断熱用溝15が形成されており、外周部17には、外周ヒータ51と外周冷却用ガス供給路53とを備えている。つまり、中心部13と外周部17とは断熱用溝15によって、熱的にほぼ分離されており、しかも、外周ヒータ51によって外周部17を独自に加熱できるとともに、外周冷却用ガス供給路53によって供給される冷却用ガスによって、外周部17や外周リング19を独自に冷却することができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、例えば、半導体ウェハの固定、半導体ウェハの平面度の矯正、半導体ウェハの搬送などに用いられる静電チャックに関するものである。
従来より、半導体製造装置では、半導体ウェハ(例えばシリコンウェハ)に対して、ドライエッチング(例えばプラズマエッチング)等の処理が行われている。このドライエッチングの精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に固定しておく必要があるので、半導体ウェハを固定する固定手段として、静電引力によって半導体ウェハを固定する静電チャックが提案されている(例えば特許文献1参照)。
具体的には、特許文献1に記載の静電チャックでは、セラミック絶縁板の内部に吸着用電極層を有しており、その吸着用電極層に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて、半導体ウェハをセラミック絶縁板の上面(吸着面)に吸着させるようになっている。この静電チャックは、セラミック絶縁板の下面(接合面)に金属ベースを接合することによって構成されている。
また、近年では、静電チャックに対して、吸着面に吸着された半導体ウェハの温度を調節(加熱または冷却)する機能を持たせることも考えられている。例えば、セラミック絶縁板内にヒータ電極層を設け、ヒータ電極層でセラミック絶縁板を加熱することにより、吸着面上の半導体ウェハを加熱する技術が知られている。
また、特許文献1には、セラミック絶縁板内に吸着面にて開口する冷却用ガス流路を設け、冷却用ガス流路を流れる冷却用ガス(例えばヘリウムガス)を吸着面上の半導体ウェハに接触させることにより、半導体ウェハを冷却する技術が開示されている。
また、これとは別に、例えばプラズマエッチングによって半導体ウェハの加工を行う場合に、プラズマエッチング装置に高電圧を印加すると(即ちRF(高周波)のパワーを上げると)、アーキング(アーク放電)が発生することがあった。
このアーキングは尖った場所等に発生し易く、そのため、静電チャックのセラミック絶縁板、詳しくはセラミック絶縁板の吸着面の外周部や側壁(外周壁)が、アーキングによって破損することがあった。
この対策として、例えば、セラミック絶縁板の吸着面を半導体ウェハの平面形状よりも小さくする方法、即ち、半導体ウェハをセラミック絶縁板の吸着面に載置した場合に、セラミック絶縁板の吸着面が上面側に露出しないように、セラミック絶縁板の外周壁を半導体ウェハの外周よりも中心側に引き下げるなどの工夫なされていた(例えば特許文献2参照)。
特開2005−136104号公報 特開2004−296553号公報
しかしながら、セラミック絶縁板の外周壁を中心側に引き下げた場合には、半導体ウェハの外周部分がセラミック絶縁板の吸着面より外側(外周側)にはみ出しているので、上述したヒータ電極層や冷却ガスなどによって、半導体ウェハの温度調節を十分に行えないという問題があった。
つまり、セラミック絶縁板の吸着面に接している半導体ウェハの中心部分(接触部分)は、ヒータ電極層や冷却用ガスなどによって、所望の温度に制御できるが、セラミック絶縁板の吸着面に接していない半導体ウェハの外周部分(非接触部分)は、所望の温度に制御することが難しいので、中心部分と温度が異なってしまうという問題があった。
そして、このように半導体ウェハに温度のばらつき(ムラ)があると、例えばプラズマエッチングによって半導体ウェハにパターンを形成する場合に、処理の度合いがばらつくなどの問題が生じ易いため、歩留まりが低下してしまう。
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電チャックの吸着側の面(第1主面)に吸着された被吸着物の温度調節を好適に行うことができる静電チャックを提供することにある。
(1)本発明は、第1態様として、第1主面及び第2主面を有するとともに、主吸着用電極を有するセラミック絶縁板を備え、前記主吸着用電極に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて被吸着物を前記第1主面に吸着させる静電チャックにおいて、前記セラミック絶縁板は、前記第1主面側における自身の構成として、中心側の中心部と該中心部の外周側に配置された外周部とを備えており、更に、前記中心部と前記外周部との間に、前記セラミック絶縁板より熱の伝導性が低い断熱部を備えるとともに、前記外周部に、該外周部の温度を調節可能な外周温度調節部を備えたことを特徴とする。
本第1態様では、セラミック絶縁板の第1主面側、即ち、第1主面をセラミック絶縁板の厚み方向から見た場合に第1主面が広がる平面側には、中心部とその外周側の外周部とを備えるとともに、中心部と外周部との間にセラミック絶縁板より熱の伝導性が低い断熱部を有しており、更に、外周部には外周温度調節部を備えている。
従って、セラミック絶縁板の第1主面上に、第1主面の中心部よりも大きな平面形状を有する(半導体ウェハのような)被吸着物を載置した場合には、被吸着物がセラミック絶縁板の中心部の側壁(外周壁)よりも径方向における外側(即ち外周側)に張り出すので、例えばプラズマエッチングの際にアーキングが発生したときでも、セラミック絶縁板の(吸着等の動作を行う重要部分である)中心部の外周壁の破損を防止することができる。
特に、従来の様に、被吸着物がセラミック絶縁板の外周壁よりも外側に張り出している場合には、ヒータや冷却用ガスによって被吸着物の温度調節を行っても、被吸着物の(外周壁よりも外側に張り出した)外周部分の温度調節を好適に行うことができないが、本第1態様では、中心部より外周側には、断熱部を介して外周部が設けられているとともに、外周部には外周温度調節部を備えているので、被吸着部の外周部分の温度調節を好適に行うことができる。
つまり、本第1態様では、中心部に対して断熱部によって熱伝導性が抑制された外周部に、外周部自身の温度調節が可能な外周温度調節部を備えているので、この外周温度調節部によって外周部の温度調節を行うことによって、外周部に接触又は近接した被吸着物(詳しくは被吸着物の外周部分)を所望の温度に調節できる。
これによって、例えば被吸着物全体の平面方向における温度のばらつき(ムラ)がないように(即ち被吸着物全体の温度を均一化するように)、好適に温度調節を行うことができる。
(2)本発明は、第2態様として、 前記断熱部は、前記セラミック絶縁板の前記第1主面側に形成された溝であることを特徴とする。
本第2態様では、中心部と外周部との間に溝が形成されているので、この溝が断熱部として機能する。なお、この溝の中に、(セラミック絶縁板よりも)断熱性の高い材料を充填してもよい。
(3)本発明は、第3態様として、前記外周部の前記第1主面側に、該外周部上に直接又は中間部材を介して載置される外周リングを備えたことを特徴とする。
本第3態様では、外周部の第1主面(吸着面)側に外周リングが載置されているので、この外周リング上に被吸着物の外周部分を載置することができる。
また、被吸着物のドライエッチング等の加工中に、外周リングが破損した場合には、静電チャック全体ではなく、この外周リングのみを交換すればよいという利点がある。
更に、外周リングの吸着面(上面)側に、被吸着物の位置決めができる凹凸を設けることができる。これにより、被吸着物を好適に位置決めして保持することができる。
(4)本発明は、第4態様として、前記中間部材として、柔軟性を有する部材を用いることを特徴とする。
本第4態様では、中間部材として、例えばシリコーン樹脂などの柔軟性を有する部材を用いるので、外周リングに被吸着物の外周部分を載置した場合に、外周リングと被吸着物の外周部分とが接触し易い。よって、外周リングからの熱を外周部分に均等に伝え易いという利点がある。
また、本第4態様では、中間部材は柔軟性があるので、外周部と外周リングとが密着し易く、よって、外周リングがずれにくいという利点がある。
(5)本発明は、第5態様として、前記外周部に、前記外周リングを吸着する外周吸着用電極を備えたことを特徴とする。
本第5態様では、外周部に設けられた外周吸着用電極により、外周部に対して外周リングを吸着して固定することができる。これにより、外周リングを着脱可能に且つ強固に固定することができる。
(6)本発明は、第6態様として、前記外周温度調節部として、外周ヒータを備えたことを特徴とする。
本第6態様では、外周ヒータによって、外周部(従って外周部の近傍の被吸着物の外周部分)を加熱することができる。
(7)本発明は、第7態様として、前記外周温度調節部として、前記セラミック絶縁板に吸着された被吸着物を冷却する冷却用ガスを供給する外周冷却用ガス供給路を備えたことを特徴とする。
本第7態様では、外周冷却用ガス供給路に供給された冷却用ガスによって、外周部(従って外周部の近傍の被吸着物の外周部分)を冷却することができる。
(8)本発明は、第8態様として、前記外周温度調節部として、前記外周部を冷却する冷却用液体を供給する外周冷却用液体供給路を備えたことを特徴とする。
本第8態様では、外周冷却用液体供給路に供給された冷却用液体によって、外周部(従って外周部の近傍の被吸着物の外周部分)を冷却することができる。
なお、以下に、上述した本発明の各構成について説明する。
・静電チャックとしては、セラミック絶縁板の第2主面側に、板状の金属ベースを接着剤層によって接合した構成を採用できる。また、セラミック絶縁板としては、複数のセラミック層を積層して形成すると、内部に各種の構造を容易に形成できるので好適である。
また、セラミック絶縁板の中心部の構成としては、従来の静電チャックのセラミック絶縁板と同様な構成を採用できる。例えば、セラミック絶縁板の中心部には、該中心部を加熱するヒータ(主ヒータ)を設けることが好ましい。また、セラミック絶縁板の中心部の内部には、冷却用ガスが流れる冷却用ガス流路(主冷却用ガス流路)を設けることが好ましい。
・セラミック絶縁板(複数のセラミック層からなる場合には、各セラミック層)を構成する材料としては、アルミナ、イットリア(酸化イットリウム)、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックを主成分とする焼結体などが挙げられる。また、用途に応じて、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックを主成分とする焼結体を選択してもよいし、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックを主成分とする焼結体を選択してもよい。
なお、半導体製造におけるドライエッチングなどの各処理においては、プラズマを用いた技術が種々採用され、プラズマを用いた処理においては、ハロゲンガスなどの腐食性ガスが多用されている。このため、腐食性ガスやプラズマに晒される静電チャックには、高い耐食性が要求される。従って、前記セラミック絶縁板は、腐食性ガスやプラズマに対する耐食性がある材料、例えば、アルミナやイットリアを主成分とする材料からなることが好ましい。
・主吸着用電極、外周吸着用電極、主ヒータ、外周ヒータを構成する導体の材料としては特に限定されないが、同時焼成法によってこれらの導体及びセラミック絶縁板を形成する場合、導体中の金属粉末は、セラミック絶縁板の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック絶縁板がいわゆる高温焼成セラミック(例えばアルミナ等)からなる場合には、導体中の金属粉末として、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等やそれらの合金が選択可能である。セラミック絶縁板がいわゆる低温焼成セラミック(例えばガラスセラミック等)からなる場合には、導体中の金属粉末として、銅(Cu)または銀(Ag)等やそれらの合金が選択可能である。また、セラミック絶縁板が高誘電率セラミック(例えばチタン酸バリウム等)からなる場合には、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)等やそれらの合金が選択可能である。
なお、主吸着用電極、外周吸着用電極、主ヒータ、外周ヒータは、金属粉末を含む導体ペーストを用い、従来周知の手法、例えば印刷法等により塗布された後、焼成することで形成される。
・冷却用ガスとしては、ヘリウムガスや窒素ガスなどの不活性ガスを挙げることができる。
・金属ベースを使用する場合には、その材料として、銅、アルミニウム、鉄、チタンなどを挙げることができる。また、接着剤層を形成する材料は、セラミック絶縁板と金属ベースとを接合させる力が大きい材料であることが好ましく、例えばインジウムなどの金属材料や、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの樹脂材料を選択することができる。しかし、セラミック絶縁板の熱膨張係数と金属ベースの熱膨張係数との差が大きいため、接着剤層は、緩衝材としての機能を有する弾性変形可能な樹脂材料からなることが特に好ましい。
・中間部材の形状としては、平面形状が環状とされたシート状部材、1個のOリング、2個の同心円状に配置されたOリングなどが挙げられる。また、中間部材の材料としては、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素ゴムなどが挙げられる。なお、中間部材の柔軟性としては、中間部材上に外周リングを載置した場合に、外周リングの重さによって変形可能な粘弾性を有する程度が望ましい。例えば、ゲル状衝撃吸収材や低反発弾性素材などが挙げられる。
実施例1の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。 実施例1の静電チャックを厚み方向に破断した一部を拡大して示す説明図である。 実施例1の静電チャックの外周部において、外周吸着用電極の形成された平面を示す説明図である。 実施例1の静電チャックの外周部において、外周ヒータの形成された平面を示す説明図である。 実施例1の静電チャックを厚み方向に破断し、静電チャックを駆動するための電力の供給状態を示す説明図である。 実施例1の静電チャックを厚み方向に破断し、静電チャックの一部の電極やヒータに対する電気的接続部分を示す説明図である。 実施例2の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。 実施例2の静電チャックを厚み方向に破断した一部を拡大して示す説明図である。 実施例3の静電チャックを厚み方向に破断し、外周部等を拡大して示す説明図である。 (a)は 実施例4の静電チャックの要部を厚み方向に破断し、外周部等を拡大して示す説明図、(b)はその変形例の説明図、(c)は更にその変形例の説明図である。
以下に、本発明を実施するための形態(実施例)について説明する。
ここでは、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
a)まず、本実施例の静電チャックの構造について説明する。
図1に示す様に、本実施例の静電チャック1は、図1の上側にて半導体ウェハ5を吸着する装置であり、第1主面(吸着面)3及び第2主面4を有する(例えば直径300mm×厚み3mmの)円盤状のセラミック絶縁板7と、(例えば直径340mm×厚み20mmの)円盤状の金属ベース(クーリングプレート)9とを、例えばインジウムからなる接合層11を介して接合したものである。
特に、本実施例では、絶縁体(誘電体)であるセラミック絶縁板7の吸着面3側の構成として、セラミック絶縁板7の厚み方向から見た場合に、軸中心側の円盤状の中心部13と、中心部13の径方向外側である外周側にて中心部13の周囲(全周)を囲むように配置された環状の外周部17と、中心部13と外周部17との間に配置されて中心部13と外周部17とを分離する環状の断熱用溝15を備えるとともに、外周部17の吸着面3側には、環状の外周リング19が載置されている。
以下、各構成について説明する。
前記セラミック絶縁板7は、後述する複数のセラミック層が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。このセラミック絶縁板7の内部には、半導体ウェハ5を冷却するヘリウム等の冷却用ガスを供給するトンネルである主冷却用ガス供給路21が設けられ、その吸着面3には、主冷却用ガス供給路21が開口する複数の主冷却用開口部23や、主冷却用開口部23から供給された冷却用ガスが吸着面3全体に広がるように設けられた環状の冷却用溝25が設けられている。
一方、前記金属ベース9は、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製であり、その内部には、セラミック絶縁板7を冷却する冷却用液体(例えばフッ素化液又は純水)が充填される冷却用空間27が設けられている。
更に、図2に詳細に示すように、前記セラミック絶縁板7においては、その中心部13に対応する箇所は、8層の第1〜第8セラミック層31、32、33、34、35、36、37、38が積層され、外周部17に対応する箇所は、6層の第3〜第8セラミック層33、34、35、36、37、38が積層されている。
なお、第6〜第8セラミック層36〜38は、中心部13側と外周部17側とで共通であり、この第6〜第8セラミック層36〜38を、共通底部39と称する。
前記セラミック絶縁板7の中心部13側の構成は、基本的に従来とほぼ同様であり、その内部において、吸着面3の(同図)下方には、例えば平面形状が半円状の一対の主吸着用電極41、43(図1参照)が形成されている。ここでは、第2、第3セラミック層32、33の間に主吸着用電極41、43が形成されている。
この主吸着用電極41、43とは、静電チャック1を使用する場合には、両主吸着用電極41、43の間に、直流高電圧を印加し、これにより、半導体ウェハ5を吸着する静電引力(吸着力)を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ5を吸着して固定するものである。
また、主吸着用電極41、43の(同図)下方には、従来と同様に、例えば同一平面にて軸中心を回るように螺旋状に巻き回されたヒータ(発熱体)45が形成されている。ここでは、第5、第6セラミック層35、36の間にヒータ45が形成されている。
なお、セラミック絶縁板の第1セラミック層31の吸着面3側の外周部分は、その全周にわたり軸中心側に傾斜するように、テーパ状に斜めにカットされている。
特に、本実施例では、セラミック絶縁板7の吸着面3側の構成として、外周部17は、(断熱部として機能する)環状の断熱用溝15を介して中心部13と分離されており、外周部17の上面には、外周リング19が載置されている。
この断熱用溝15の幅は、0.5mm〜10mmの範囲内の例えば2mmであり、深さは例えばセラミック絶縁板7の厚みの5〜90%の範囲の例えば4mmである。
前記外周部17の最上層のセラミック層(第3セラミック層33)とその下方の層(第4セラミック層34)との間には、前記主吸着用電極41、45と同様な機能を発揮する一対の外周吸着用電極47、49が形成されている。
この一対の外周吸着用電極47、49は、図3に示すように、同心円状に配置された一対の環状の電極であり、主吸着用電極41、45と同様に、両外周吸着用電極47、49の間に、直流高電圧を印加し、これにより、外周リング19を吸着する静電引力(吸着力)を発生させ、この吸着力を用いて外周リング19を吸着して固定するものである。
図2に戻り、外周部17において、外周吸着用電極47、49の下方、即ち、第5セラミック層35と第6セラミック層36との間には、外周温度調節部として機能する外周ヒータ(発熱体)51が形成されている。この外周ヒータ51は、図4に示すように、1本の発熱体が往復して2重となるように配置されたものである。
図2に戻り、外周部17には、外周部17を厚み方向に貫くように、外周温度調節部として機能する外周冷却用ガス供給路53が設けられている。詳しくは、外周冷却用ガス供給路53は、第3〜第7セラミック層33〜37を厚み方向に貫いて、その上部が外周部17の上面に開口するとともに、第7セラミック層37を軸中心側に通って、金属ベース9を厚み方向に貫く貫通孔55に連通するように形成されている。
なお、外周冷却用ガス供給路53は、外周部17の上面にて複数箇所にて開口するように設けられているが(図3参照)、これは、外周部17の共通底部39にて、外周部17に沿って一周するように設けられた環状の流路から、外周部17の上面側に伸びる流路の一部が開口したものである。
また、前記外周部17の上面に載置された外周リング19は、その幅が外周部17の幅より大きな環状の部材であり、外周吸着用電極47、49によって吸着可能な材料(例えばシリコン)から構成されている。
この外周リング19の上面は、その軸中心側の表面(内側上面61)が、中心部13の吸着面3と同じ高さになるように設定されており、更に、その外周側には、半導体ウェハ5の外形形状と同様な環状に湾曲する凸部63(即ち半導体ウェハ5の外径とほぼ同様な内径を有する凸部63)が形成されている。
従って、半導体ウェハ5をセラミック絶縁板7上に載置すると、半導体ウェハ5の外周部分が外周リング19の内側上面61に載置されるとともに、凸部63によって半導体ウェハ5が位置決めされる。
b)次に、本実施例の静電チャック1の電気的な構成について説明する。
図5に示すように、静電チャック1の主吸着用電極41、43、主ヒータ45、外周吸着用電極47、49、外周ヒータ51には、それぞれを作動させるために電源回路が接続されている。
具体的には、主吸着用電極41、43には第1電源回路71が接続され、主ヒータ45には第2電源回路73が接続され、外周吸着用電極47、49には第3電源回路75が接続され、外周ヒータ51には第4電源回路77が接続されており、それらの動作は、マイコンを含む電子制御装置79によって制御される。
つまり、主吸着用電極41、43や主ヒータ45の動作の制御(オン、オフや印加電圧などの制御)とは独立に、外周吸着用電極47、49や外周ヒータ51の動作の制御(オン、オフや印加電圧などの制御)を行うことができる。
なお、図6に一部を示すように、主吸着用電極41、43、主ヒータ45、外周吸着用電極47、49、外周ヒータ51と、各電源回路71〜77との接続は、内部接続端子81、83、85を利用して行うことができる。なお、図5では、内部接続端子の一部のみを例示している。
つまり、主吸着用電極41、43、主ヒータ45、外周吸着用電極47、49、外周ヒータ51は、ビア91や内部導電層93などを介して、同図下方に開口する内部孔95のメタライズ層97に導通しており、このメタライズ層97にそれぞれ内部接続端子81〜85が形成されている。
従って、内部接続端子81〜85に端子ピン(図示せず)を接続することにより、主吸着用電極41、43、主ヒータ45、外周吸着用電極47、49、外周ヒータ51に電力を供給することができる。
c)次に、本実施例の静電チャック1の製造方法について、簡単に説明する。
(1)図示しないが、原料としては、主成分であるAl23:92重量%、MgO:1重量%、CaO:1重量%、SiO2:6重量%の各粉末を混合して、ボールミルで、50〜80時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。
(2)次に、この粉末に、メタクリル酸イソブチルエステル:3重量%、ブチルエステル:3重量%、ニトロセルロース:1重量%、ジオクチルフタレート:0.5重量%を加え、更に溶剤として、トリクロール−エチレン、n−ブタノールを加え、ボールミルで混合して、流動性のあるスラリーとする。
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、(第1〜第8セラミック層31〜38に対応する)第1〜第8アルミナグリーンシートを形成する。
そして、この第1〜第8アルミナグリーンシートに対して、主冷却用ガス供給路21や外周冷却用ガス供給路53など冷却ガスの流路となる空間や貫通孔、内部孔95となる空間、更にはビア91となるスリーホールを、必要箇所に開ける。
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、前記と同様な方法によりスラリー状にして、メタライズインクとする。
(5)そして、主吸着用電極41、43、主ヒータ4、外周吸着用電極47、49、外周ヒータ51、内部導電層93を形成するために、前記メタライズインクを用いて、それぞれの電極やヒータの形成箇所に対応したアルミナグリーンシート上に、通常のスクリーン印刷法により、各パターンを印刷する。なお、ビア91を形成するために、スルーホールに対して、メタライズインクを充填する。
(6)次に、前記第1〜第8アルミナグリーンシートを、冷却ガスの流路などが形成されるように位置合わせして、熱圧着し、積層シートを形成する。
(7)次に、熱圧着した積層シートを、所定の円板形状(例えば8インチサイズの円板形状)にカットする。このとき、切削加工機によって、断熱用溝15となる溝を形成する。
(8)次に、カットしたシートを、還元雰囲気にて、1400〜1600℃の範囲(例えば1950℃)にて5時間焼成(本焼成)し、アルミナ質焼結体を作製する。
(9)そして、焼成後に、(セラミック絶縁板7の吸着面3に対応する)アルミナ焼結体の一方の主面のうち、外周部17に対応する表面を、切削加工機よって削って、外周部17の高さを調節する。これによって、セラミック絶縁板7を作成する。
(10)次に、セラミック絶縁板7に、メタライズ層97や内部接続端子81〜85を設ける。
(11)次に、例えばインジウムを用いて、セラミック絶縁板7と金属ベース9とを接合して一体化する。これにより、静電チャック1が完成する。
d)次に、本実施例の効果について説明する。
・本実施例では、セラミック絶縁板7の吸着面3側には、中心部13と外周部17との間に断熱用溝15が形成されており、外周部17には、外周ヒータ51と外周冷却用ガス供給路53とを備えている。
従って、セラミック絶縁板7の吸着面3側に、中心部13の表面よりも大きな半導体ウェハ5を載置した場合には、プラズマエッチングの際にアーキングが発生したときでも、中心部13の外周壁の破損を防止することができる。
特に、本実施例では、中心部13と外周部17とは断熱用溝15によって、熱的にほぼ分離されており、しかも、外周ヒータ51によって外周部17を独自に加熱できるとともに、外周冷却用ガス供給路53によって供給される冷却用ガスによって、外周部17や外周リング19を独自に冷却することができる。
ここで、断熱部である断熱用溝15を設けることの利点について、更に詳しく説明する。断熱用溝15を設けることで、断熱用溝15を挟んだ両側のエリア(中心部13と外周部17)間における温度の影響を小さくすることができる。つまり、外周部17と中心部13とで独立して温度制御したい場合、具体的には、外周部17を温めたり冷やしたりする場合に、外周部17の温度が中心部13の温度に影響を与えると、独立して外周部17の温度調整ができないが、断熱用溝15を設けることによって、外周部17の温度調整を独立して行うことができる。
つまり、本実施例では、外周ヒータ51や外周冷却用ガス供給路53や断熱用溝15によって、中心部13の温度制御とは別に、外周部17の温度制御を独立して自由に行うことができるので、セラミック絶縁板7に載置された半導体ウェハ5の平面方向における温度のばらつき(ムラ)がないように(即ち半導体ウェハ5全体の温度を均一化するように)、好適に温度調節を行うことができる。
従って、例えばプラズマエッチングによって半導体ウェハ5に加工を行う場合、例えば半導体ウェハ5にパターンを形成する場合には、処理の度合いがばらつきにくく、歩留まりが向上するという顕著な効果を奏する。
また、静電チャック1の機能として、上述のように、半導体ウェハ5の面内温度分布を均一にすることが望まれているが、より高度な機能として、面内温度をあえて異ならせるという技術もある。具体的には、(加工に用いる)プロセスガス濃度やプラズマのムラにより、半導体ウェハ5の面内の加工レートが異なる場合、あえて面内の温度を変化させることで、加工レートを同じにする技術がある。特に最外周部は、ムラになりやすく、その部分だけの温度制御ができると、面内の加工レートが揃い易いので好適である。
従って、本実施例のように、外周ヒータ5等の外周温度調節部を独立して制御することによって、上述した面内温度を異ならせる技術に好適に対応できる。
なお、外周温度調整部によって温度制御を行う場合には、例えば熱電対等によって外周部17の温度を測って、外周部17の温度制御を行うことができる。
・また、本実施例では、外周部17の吸着面3側に外周リング19が載置されているので、この外周リング19上に半導体ウェハ5の外周部分を載置することができる。
この外周リング19は着脱可能であるので、半導体ウェハ5のドライエッチング等の加工の際に、外周リング19が破損した場合には、静電チャック1全体ではなく、この外周リング19のみを交換すればよいという利点がある。
更に、外周リング19の上面には位置決め用の凸部63が形成されているので、半導体ウェハ5をずれることなく位置決めして好適に保持することができる。なお、凸部63の位置が異なる各種の外周リング19を用意して、適宜交換することにより、各種のサイズの半導体ウェハ5の位置決めを好適に行うことができる。
・しかも、本実施例では、外周部17に、外周リング19を吸着する外周吸着用電極47、49を備えているので、外周リング47、49を着脱可能に且つ確実に固定することができる。
・また、本実施例では、外周部17と中心部13とが同じ素材から一体に形成されているので、セラミック絶縁板7を容易に製造できるという利点がある。
次に、実施例2について説明するが、前記実施例1と同様な箇所の説明は省略する。
図7及び図8に示すように、本実施例の静電チャック101は、前記実施例1と同様に、図7の上方の吸着面103側にて半導体ウェハ5を吸着するものであり、円盤状のセラミック絶縁板105と、円盤状の金属ベース107とを、接合層109を介して接合したものである。
また、セラミック絶縁板105の吸着面(第1主面)103側の構成として、セラミック絶縁板105の厚み方向から見た場合に、軸中心側に円盤状の中心部111を備えるとともに、その中心部111の径方向の外側である外周側に、環状の断熱用溝113を介して中心部111の周囲を囲むように配置された環状の外周部115を備えている。
なお、図7及び図8に示すように、主吸着用電極121、123、主ヒータ125、主冷却用ガス供給路127、外周吸着用電極129、131、外周ヒータ133、外周冷却用ガス供給路135の構成は、基本的に前記実施例1とほぼ同様である。
特に本実施例では、実施例1の外周リングを使用しておらず、外周部115の上面は、中心部111の吸着面103と同じ高さに設定されている。従って、外周冷却用ガス供給路135は、中心部111の吸着面103と同じ高さにて開口している。
なお、本実施例では、外周吸着用電極129、131によって、半導体ウェハ5の外周部分を直接に吸着することができる。これにより、外周温度調整部として機能する外周ヒータ133や外周冷却用ガス供給路135からの熱伝導を良くすることができる。
本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏するとともに、外周リングを使用しないので、構成を簡易化できるという利点がある。
なお、外周リングを用いない場合には、外周吸着用電極129、131を省略することも可能である。
次に、実施例3について説明するが、前記実施例1と同様な箇所の説明は省略する。
図9に、本実施例の静電チャック151の外周部153の周囲を示す様に、外周部153には、前記実施例1と同様に、外周吸着用電極155、157、外周ヒータ159、外周冷却用ガス供給路161を備えている。
特に本実施例では、外周部153に、外部から冷却用液体(例えばフッ素化液又は純水)を導入するための外周冷却用液体供給路163を備えており、この外周冷却用液体供給路163は、金属ベース165を貫通する貫通孔167に接続されている。
本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏するとともに、外周冷却用液体供給路163を備えているので、冷却能力が高いという利点がある。
次に、実施例4について説明するが、前記実施例1と同様な箇所の説明は省略する。
図10(a)に、本実施例の静電チャック171の要部を示す様に、前記実施例1と同様に、外周部173には、外周吸着用電極175、177、外周ヒータ179、外周冷却用ガス供給路181を備えている。
特に本実施例では、外周部173には、シリコーン樹脂からなる(外周部173の上面の形状と同様な)平面形状が環状のシート状の中間部材183が載置され、その中間部材183上に外周リング185が載置されている。
本実施例においても、前記実施例1と同様な効果を奏するとともに、外周部173の上面と外周リング185の下面との間に、柔軟性(クッション性)を有する中間部材183が挟まれているので、外周リング185に半導体ウェハ5の外周部分を載置した場合に、外周リング185と半導体ウェハ5の外周部分とが接触し易い。よって、外周リング185からの熱を外周部分に均等に伝えることができる。
また、本実施例では、中間部材183は柔軟性があるので、外周部173と外周リング185とが密着し易く、よって、外周リング185がずれにくいという利点がある。
なお、中間部材として、図10(b)に示すような1個のOリングである中間部材201、或いは、図10(c)に示すような2個の同心円状に配置されたOリングである中間部材203、205を用いることができる。ここで、図10(c)のような2個のOリングであると、外周部207がより安定するので好適である。
尚、本発明は前記実施形態や実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
(1)例えば、外周部における外周温度調節部の各構成を適宜組み合わせてもよい。例えば、外周ヒータ、外周冷却用ガス供給路、外周冷却用液体供給路のうち、1又は複数個を適宜組み合わせて用いてもよい。
(2)外周リングを使用する場合には、外周吸着用電極を備えることが好ましいが、使用しなくてもよい。
外周リングを外周吸着用電極によって吸着しない場合には、外周リングの材料として、外周吸着用電極によって吸着しない材料(例えばクオーツ)を使用できる。
1、101、151、171…静電チャック
3、103…吸着面
5…半導体ウェハ
7、105…セラミック絶縁板
9、107…金属ベース
13、111…中心部
15、113…断熱用溝
17、115、153、173…外周部
19、185、207…外周リング
21…主冷却用ガス供給路
41、43、121、123…主吸着用電極
45、125…主ヒータ
47、49、155、157、175、177…外周吸着用電極
51、133、159、175…外周ヒータ
53、135、161、181…外周冷却用ガス供給路
163…外周冷却用液体供給路
183、201、203、205…中間部材

Claims (8)

  1. 第1主面及び第2主面を有するとともに、主吸着用電極を有するセラミック絶縁板を備え、前記主吸着用電極に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて被吸着物を前記第1主面に吸着させる静電チャックにおいて、
    前記セラミック絶縁板は、前記第1主面側における自身の構成として、中心側の中心部と該中心部の外周側に配置された外周部とを備えており、
    更に、前記中心部と前記外周部との間に、前記セラミック絶縁板より熱の伝導性が低い断熱部を備えるとともに、
    前記外周部に、該外周部の温度を調節可能な外周温度調節部を備えたことを特徴とする静電チャック。
  2. 前記断熱部は、前記セラミック絶縁板の前記第1主面側に形成された溝であることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
  3. 前記外周部の前記第1主面側に、該外周部上に直接又は中間部材を介して載置される外周リングを備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載の静電チャック。
  4. 前記中間部材として、柔軟性を有する部材を用いることを特徴とする請求項3に記載の静電チャック。
  5. 前記外周部に、前記外周リングを吸着する外周吸着用電極を備えたことを特徴とする請求項3又は4に記載の静電チャック。
  6. 前記外周温度調節部として、外周ヒータを備えたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の静電チャック。
  7. 前記外周温度調節部として、前記セラミック絶縁板に吸着された被吸着物を冷却する冷却用ガスを供給する外周冷却用ガス供給路を備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の静電チャック。
  8. 前記外周温度調節部として、前記外周部を冷却する冷却用液体を供給する外周冷却用液体供給路を備えたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の静電チャック。
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