JP6982126B2 - 加熱部材及び静電チャック - Google Patents

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の被加工物を加熱できるセラミックヒータ等の加熱部材と、その加熱部材を備えた静電チャックに関するものである。

従来、半導体製造装置では、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）に対して、ドライエッチング（例えばプラズマエッチング）等の処理が行われている。このドライエッチングの精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に固定しておく必要があるので、半導体ウェハを固定する固定手段として、静電引力によって半導体ウェハを固定する静電チャックが用いられている。

具体的には、静電チャックでは、例えば、セラミック基板内に吸着用電極を備えており、この吸着用電極に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて、半導体ウェハをセラミック基板の上面（搭載面）に吸着させる。なお、静電チャックでは、例えば、セラミック基板の下面（接合面）に金属ベースが接合されている。

また、静電チャックには、吸着面に吸着された半導体ウェハの温度を調節（加熱または冷却）する機能を有するものがある。例えば、セラミック基板内に発熱体を配置し、この発熱体によってセラミック基板を加熱することにより、吸着面上の半導体ウェハを加熱する技術がある。

さらに、静電チャックの加熱を精密に行うために、セラミック基板を複数の加熱ゾーンに区分したセラミックヒータも開発されている。具体的には、各加熱ゾーンに各加熱ゾーンを独立して加熱することができる発熱体を配置して、セラミック基板の温度調節機能を向上させた多ゾーンヒータ付きセラミックヒータも提案されている（特許文献１参照）。

また、近年では、この多ゾーンヒータ付きセラミックヒータについて、より精度良く温度調節を行う等の目的で、セラミック基板の内部に、厚み方向に２層の発熱体を配置したセラミックヒータが開発されている。

この２層タイプのセラミックヒータでは、搭載面側に発熱量の小さな発熱体からなるサブヒータを配置し、その反対面側に発熱量の大きな発熱体からなるメインヒータを配置した構造が考えられる。

特開２００５−１６６３５４号公報

しかしながら、上述した従来技術では、例えばセラミックヒータの平面方向における温度（面内温度）が均一になるように加熱した場合でも、例えばエッチング装置の構造などの何らかの原因により、セラミックヒータに部分的に温度差が発生することがあった。例えばセラミックヒータの平面方向において、その外周の近傍にて一部に温度が低い箇所が発生することがあった。

このようにセラミックヒータに温度差が生じる場合には、サブヒータを制御して均熱化
を図ることが考えられるが、サブヒータの発熱量はメインヒータの発熱量に比べて小さいため（例えば１０分の１程度）、その温度差を解消することは容易ではない。

つまり、サブヒータを用いた場合でも、メインヒータの加熱部分における温度の変化に対応することは容易ではない。
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、加熱部材の平面方向における温度分布の均一化等の温度調節を容易に行うことができる加熱部材及び静電チャックを提供することにある。

（１）本発明の第１局面は、被加工物が搭載される第１の主面と第１の主面の反対側の第２の主面とを有するとともに、電気絶縁性を有する絶縁基板と、絶縁基板に配置されて通電により発熱する発熱部と、を備えるとともに、発熱部として、絶縁基板の内部に配置された第１発熱部と、第１発熱部よりも第２の主面側に配置された第２発熱部と、を備えた加熱部材に関するものである。

この加熱部材は、絶縁基板を厚み方向から見た平面視で、第１発熱部及び第２発熱部は、それぞれ独立して温度調節が可能な複数の発熱体からなり、第１発熱部及び第２発熱部の複数の発熱体は、それぞれ絶縁基板の周方向に複数配置されている。しかも、第１発熱部の発熱体数は、第２発熱部の発熱体数より大である。

このように、本第１局面では、第１発熱部及び第２発熱部の複数の発熱体は、それぞれ絶縁基板の周方向に複数配置されており、しかも、第１発熱部の発熱体数は第２発熱部の発熱体数より大であるので、加熱部材の平面方向における温度の均一化が容易であり、しかも、特定の箇所の温度を調節することも容易である。

例えば、第２発熱部の発熱体の発熱量を（第１発熱部より）多くして、加熱部材の全体の温度を速やかに均一化できる。
また、例えば、周囲の環境等の何らかの原因で、第２発熱部の一部（例えば外周部分の周方向における一部）の領域の温度が低下するような状況でも、当該領域に配置された第２発熱部の周方向の一部の発熱体（例えば第１発熱部の発熱体より発熱量の大きな発熱体）の発熱状態を制御することにより、当該領域の温度を上昇させて、加熱部材の全体の温度の均一化を図ることができる。

さらに、第１発熱部では第２発熱部よりも多くの発熱体を用いることにより、特定の位置（例えば第２発熱部の発熱体で温度調節できる領域よりも狭い加熱領域）の温度調節を精度良く行うこともできる。

（２）本発明の第２局面では、第１発熱部は、平面視で、同心状に区分された複数の第１環状領域にそれぞれ配置された第１環状部を有するとともに、第１環状部は絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有している。

また、第２発熱部は、平面視で、同心状に区分された複数の第２環状領域にそれぞれ配置された第２環状部を有するとともに、第２環状部は絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有している。

本第２局面は、加熱部材の好ましい構成を例示したものである。この構成によって、第１発熱部及び第２発熱部は、径方向及び周方向において、区分された所定の領域の温度調節を容易に行うことができる。

（３）本発明の第３局面は、平面視で、複数の第２環状領域のうち最外周より内周側の１つの前記第２環状領域からなる第２内側環状領域と、複数の第１環状領域のうち第２内側環状領域と重なる２つ以上の第１環状領域からなる第１内側環状領域とに関するものである。

この加熱部材は、絶縁基板の径方向において、第１内側環状領域内の発熱体の配列数は、第２内側環状領域内の発熱体の配列数より多く、且つ、絶縁基板の周方向において、第１内側環状領域内の発熱体の配列数は第２内側環状領域内の発熱体の配列数より多い。

本第３局面では、第１内側環状領域内の発熱体の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第２内側環状領域内の発熱体の配列数より多いので、第１内側環状領域内の多くの発熱体により、小さな領域毎に精度良く温度調節ができる。

また、第２内側環状領域内の発熱体の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第１内側環状領域内の発熱体の配列数より少ないので、第２発熱部の発熱体の数を抑制でき、よって、その発熱体に接続される配線数や端子数を低減できるという利点がある。

（４）本発明の第４局面は、平面視で、複数の第１環状領域のうち最外周の１つの第１環状領域からなる第１外側環状領域と、複数の第２環状領域のうち第１外側環状領域と重なる２つ以上の第２環状領域からなる第２外側環状領域とに関するものである。

この加熱部材では、絶縁基板の径方向において、第２外側環状領域内の発熱体の配列数は第１外側環状領域内の発熱体の配列数以上であり、且つ、絶縁基板の周方向において、第１外側環状領域内の発熱体の配列数は第２外側環状領域内の発熱体の配列数より多い。

本第４局面では、第２外側環状領域内の発熱体の配列数は、径方向にて、第１外側環状領域内の発熱体の配列数以上であり、且つ、第１外側環状領域内の発熱体の配列数は、周方向にて、第２外側環状領域内の発熱体の配列数より多いので、第１外側環状領域内の多くの発熱体により、小さな領域毎に精度良く温度調節ができる。

しかも、第２外側環状領域内の発熱体の配列数が、径方向にて、第１外側環状領域内の発熱体の配列数より多い場合には、より小さい領域の温度制御を行うことができる。
特に、例えば第１発熱部より第２発熱部の発熱量を多くすることにより、即ち最外周に配置された第２発熱部の発熱体の発熱量を（第１発熱部より）多くすることにより、絶縁基板の外周部分の温度を容易に調節できる。

この絶縁基板の外周部分（例えば最外周）は、外界の影響を受けやすいので、温度が変化し易いが、本第４局面では、外周部分にそのような大きな温度変化があっても、発熱量の多い第２外側環状領域内の発熱体が径方向に多く配置されていることにより、外周部分の温度を容易に所望の温度に調節することができる。

（５）本発明の第５局面では、平面視で、第２発熱部の単位面積当たりの発熱量は、第１発熱部の単位面積当たりの発熱量より大である。
本第５局面では、第２発熱部の単位面積当たりの発熱量は、第１発熱部の単位面積当たりの発熱量より大であるので、第２発熱部により、絶縁基板（従って加熱部材）の温度を容易に所望の温度に制御できる。例えば加熱部材の平面方向における温度を容易に均一化できる。

なお、発熱量の小さな第１発熱部の（第２発熱部より数の多い）発熱体を用いて、加熱部材の平面方向における所定の領域（第２発熱部より狭い領域）の温度を精度良く調節す
ることができる。

（６）本発明の第６局面では、加熱部材の表面に、第１発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第１端子部と、第２発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第２端子部とを備えており、第２端子部は第１端子部より大きな電力の供給が可能な端子部である。

本第６局面では、第２端子部に第１端子部より大きな電力を供給することにより、第２発熱部の単位面積当たりの発熱量を、第１発熱部の単位面積当たりの発熱量より大きくすることができる。

（７）本発明の第７局面は、第１〜第６局面のいずれかの加熱部材を備えるとともに、絶縁基板に静電電極を備えた静電チャックである。
本第７局面では、静電チャックは前記加熱部材を備えているので、この加熱部材によって上述した温度調節を容易に行うことができる。

なお、本発明としては、下記の構成（ａ）〜（ｄ）を採用することもできる。
（ａ）絶縁基板の内部に第１発熱部が配置され、絶縁基板の第２の主面に第２発熱部が配置されている加熱部材。

（ｂ）第２発熱部は、絶縁基板の厚み方向に沿って異なる位置に配置された複数の発熱体からなる加熱部材。
（ｃ）絶縁基板は、セラミックス基板である加熱部材。

（ｄ）絶縁基板の第２の主面側に金属板が接合されている加熱部材。
＜以下に、本発明の各構成について説明する＞
・前記主面とは、板材（基板）の厚み方向における端部をなす表面のことである。

・静電電極は、電力を受けて発生する静電引力によって、被加工物を吸着する電極である。
・周方向とは、平面視で、加熱部材の重心の周囲を囲む方向である。例えば円盤の場合には、外周に沿った方向（円周方向）である。

・径方向とは、平面視で、加熱部材の重心から外周に向かう方向である。例えば同心状に配置された各環状領域については、その配置方向（即ち配列された方向）である。
・「大きな電力の供給が可能な端子部」とは、供給する電力を増加させた場合に、（第１端子部に比べて）破損が生じにくい端子部（即ち第２端子部）である。

・前記発熱部は、第１、第２発熱部を備えており、各発熱部は、平面視で、環状（詳しくは同心状）に配置された発熱体からなる第１、第２環状部を備えている。各環状領域（即ち第１、第２環状領域、第１、第２内側環状領域、第１、第２外側環状領域）は、平面視で、それぞれ、各環状領域に対応して環状（詳しくは同心状）に配置された発熱体を含むように区分された領域である。

・前記絶縁基板の材料としては、セラミックスや樹脂等を採用できる。
セラミックスとしては、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム（ジルコニア）、炭化ケイ素等を主成分（セラミックス中で５０質量％以上）とする材料が挙げられる。なお、前記主成分以外に、例えば希土類化合物を添加することもできる。

樹脂としては、ポリイミド、フッ素系樹脂等を採用できる。
・発熱部（従って発熱体）は、通電によって発熱する抵抗発熱体であり、この発熱体の材料としては、タングステン、タングステンカーバイド、モリブデン、モリブデンカーバイド、タンタル、白金等が挙げられる。

・端子部としては、電気の接続用部材であるコネクタの導電部分と接続される（セラミック基板上に設けられた）導電部分であり、ピン又はピンが挿入されるピン孔等の構成を採用できる。

・静電電極の材料としては、タングステン、モリブデン等が挙げられる。

第１実施形態の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。 静電チャックを厚み方向に破断し、その一部を模式的に示す断面図である。 第１発熱部の加熱ゾーン、加熱領域、第１発熱体の平面方向における配置を示す説明図である。 第２発熱部の加熱ゾーン、加熱領域、第２発熱体の平面方向における配置を示す説明図である。 第１発熱部及び第２発熱部を重ね合わせ、セラミックヒータの厚み方向から見た（平面視の）説明図である。 第１発熱部及び第２発熱部を重ね合わせ、内周側の加熱ゾーンＺ１と最外周の加熱ゾーンＺ２とを区別して示す説明図である。 （ａ）は第１発熱部及び第２発熱部の内周側の加熱ゾーンの一部を示す説明図、（ｂ）は（ａ）の加熱ゾーンのうち第１発熱部の加熱ゾーンの外周側の温度の高い状態を示す説明図、（ｃ）は第１発熱部及び第２発熱部を重ねた場合の温度状態を示す説明図である。 （ａ）は第１発熱部及び第２発熱部の最外周の加熱ゾーンの一部を示す説明図、（ｂ）は（ａ）の加熱ゾーンのうち第１発熱部の一部の加熱領域の温度の高い状態を示す説明図、（ｃ）は第１発熱部及び第２発熱部を重ねた場合の温度状態を示す説明図である。 第１発熱部及び第２発熱部を重ね合わせ、内周側の加熱ゾーンＺ１と最外周の２つの加熱ゾーンＺ２とを区別して示す説明図である。 （ａ）は第１発熱部及び第２発熱部の外周側の加熱ゾーンの一部を示す説明図、（ｂ）は（ａ）の加熱ゾーンのうち第１発熱部及び第２発熱部の一部の範囲の温度の高い状態を示す説明図、（ｃ）は第１発熱部及び第２発熱部を重ねた場合の温度状態を示す説明図である。 その他の実施形態の変形例を模式的に示し、（ａ）は変形例１の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、（ｂ）は変形例２の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、（ｃ）は変形例３の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、（ｄ）は変形例４のセラミックヒータを厚み方向に破断して示す断面図である。

［１．第１実施形態］
ここでは、第１実施形態として、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
［１−１．構成］
まず、第１実施形態の静電チャックの構造について説明する。

図１に示す様に、第１実施形態の静電チャック１は、図１の上側にて被加工物である半導体ウェハ３を吸着する装置であり、セラミックヒータ（加熱部材）５と金属ベース７と
が積層されて接着剤層９により接合されたものである。

なお、セラミックヒータ５の図１の上方の搭載面（上面：吸着面）が第１の主面Ａであり、下面が第２の主面Ｂである。また、金属ベース７の上面が第３の主面Ｃであり、下面が第４の主面Ｄである。

このうち、セラミックヒータ５は、円盤形状であり、吸着用電極（静電電極）１１、第１発熱部１３、第２発熱部１５等を備えたセラミック基板（絶縁基板）１７から構成されている。なお、吸着用電極１１、第１発熱部１３、第２発熱部１５は、セラミック基板１７に埋設されている。

金属ベース７は、セラミックヒータ５より大径の円盤形状であり、セラミックヒータ５と同軸に接合されている。この金属ベース７には、セラミック基板１７（従って半導体ウェハ３）を冷却するために、冷却用流体（冷媒）が流される流路（冷却路）１９が設けられている。なお、冷却用流体としては、例えばフッ化液又は純水等の冷却用液体などを用いることができる。

また、静電チャック１には、リフトピン（図示せず）が挿入されるリフトピン孔２１等が、静電チャック１を厚み方向に貫くように、複数箇所に設けられている。このリフトピン孔２１は、半導体ウェハ３を冷却するために第１の主面Ａ側に供給される冷却用ガスの流路（冷却用ガス孔）としても用いられる。

なお、リフトピン孔２１とは別に、冷却用ガス孔（図示せず）を設けてもよい。冷却用ガスとしては、例えばヘリウムガスや窒素ガス等の不活性ガスなどを用いることができる。

次に、静電チャック１の各構成について、図２に基づいて詳細に説明する。
＜セラミックヒータ＞
図２に模式的に示すように、セラミックヒータ５（従ってセラミック基板１７）は、その第２の主面Ｂ側が、例えばインジウムからなる接着剤層９により、金属ベース７の第３の主面Ｃ側に接合されている。

このセラミック基板１７は、複数のセラミック層（図示せず）が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。なお、アルミナ質焼結体は、絶縁体（誘電体）である。

セラミック基板１７の内部には、図２の上方より、後に詳述するように、吸着用電極１１、第１発熱部１３を構成する複数の第１発熱体２３、第２発熱部１５を構成する複数の第２発熱体２５等が配置されている。

このうち、吸着用電極１１は、電圧を印加する周知の電極用端子（図示せず）に電気的に接続されている。また、各発熱体２３、２５は、後述する内部配線等を介して、それぞれ給電用端子２９及びコネクタ３１に電気的に接続されている。

詳しくは、第１発熱体２３は、独自に温度制御が可能なように、第１発熱体２３の一端がビア３３や共通の内部配線層３５に接続されるとともに、他端がビア３３や個別の内部配線層３７に接続されている。そして、共通の内部配線層３５と個別の内部配線層３７は、セラミック基板１７の第２の主面Ｂ側の表面に設けられた第１端子部３９を介して、コネクタ３１の各端子４１に接続されている。

なお、第１端子部３９は、例えば電極パッド４３に接合された給電用のピン４５から構成されている。
一方、第２発熱体２５は、独自に温度制御が可能なように、第２発熱体２５の一端がビア３３や共通の内部配線層４７に接続されるとともに、他端がビア３３や個別の内部配線層４９に接続されている。そして、共通の内部配線層４７と個別の内部配線層４９は、セラミック基板１７の第２の主面Ｂ側の表面に設けられた第２端子部５１を介して、給電用端子２９に接続されている。

なお、第２端子部５１は、例えば電極パッド５３に接合された給電用端子２９等から構成されている。
ここで、後述するように、第２発熱部１５（従って第２発熱体２５）の発熱量は第１発熱部１３（従って第１発熱体２３）の発熱量より大であるので、即ち第２発熱体２５は第１発熱体２３より大きな電流が流れるので、第２端子部５１は第１端子部３９より大きな電力の供給が可能な構造（即ち電流が流れる方向に直交する断面積が大きな構造）となっている。

＜金属ベース＞
金属ベース７は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製である。金属ベース７には、前記冷却路１９やリフトピン孔２１以外に、前記電極用端子、給電用端子２９、コネクタ３１等が配置される貫通孔である貫通部５５がそれぞれ形成されている。

なお、静電チャック１の第４の主面Ｄ側には、給電用端子２９やコネクタ３１等を収容するために、第４の主面Ｄからセラミックヒータ５の内部に到るような内部孔５７が複数設けられており、金属ベース７の貫通部５５は、この内部孔５７の一部を構成している。

また、電極用端子や給電用端子２９を収容する内部孔５７には、各端子２９の外周を囲むように、電気絶縁性を有する絶縁筒５９が配置されている。
なお、コネクタ３１は、そのまま（コネクタ３１用の）内部孔５７に収容されている。

＜吸着用電極＞
吸着用電極１１は、例えば平面形状が円形の電極から構成されている。この吸着用電極１１とは、静電チャック１を使用する場合には、直流高電圧が印加され、これにより、半導体ウェハ３を吸着する静電引力（吸着力）を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ３を吸着して固定するものである。なお、吸着用電極１１については、これ以外に、周知の各種の構成（単極性や双極性の電極など）を採用できる。なお、吸着用電極１１は、例えばタングステン等の導電材料からなる。
［１−２．第１発熱部及び第２発熱部］
次に、第１発熱部１３及び第２発熱部１５の構成について説明する。

第２発熱部１５は、第１発熱部１３より発熱量の大きなメインヒータであり、第１発熱部１３はサブヒータである。ここで発熱量が大きいとは、第１発熱部１３と第２発熱部１５との発熱量を全体で比較したものであり、（平面視での）単位面積当たりの発熱量についても、第２発熱部１５の第２発熱体２５の発熱量は、第１発熱部１３の第１発熱体２３の発熱量よりも大きい。

なお、第１、第２発熱体２３、２５は、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料（タングステン等）からなる抵抗発熱体である。
図２に示すように、第１発熱部１３の各第１発熱体２３は、吸着用電極１１より第２の主面Ｂ側（図２の下方）にて、同一平面（第１平面Ｈ１：図３参照）上に配置されている。

一方、第２発熱部１５の各第２発熱体２５は、第１発熱部１３と第２の主面Ｂとの間にて、同一平面（第２平面Ｈ２：図４参照）上に配置されている。
従って、第１発熱部１３と第２発熱部１５とは、セラミック基板１７（従って静電チャック１）の厚み方向から見た平面視で、重ね合されるように配置されている。以下、詳細に説明する。

＜第１発熱部＞
まず、第１平面Ｈ１上における第１発熱部１３の複数の第１発熱体２３の配置を説明する。

図３に示すように、セラミック基板１７には、第１平面Ｈ１における各領域をそれぞれ加熱（従って温度調節）できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン（第１環状領域）６１が設けられている。そして、各加熱ゾーン６１には、それぞれ１又は複数の加熱領域６３が設定されている。

具体的には、セラミック基板１７に設けられた加熱ゾーン６１は、軸中心を含む１つの円形の第１加熱ゾーン６１ａと、第１加熱ゾーン６１ａの外周側を帯状に囲む円環状の第２加熱ゾーン６１ｂと、第２加熱ゾーン６１ｂの外周側を帯状に囲む円環状の第３加熱ゾーン６１ｃと、第３加熱ゾーン６１ｃの外周側を帯状に囲む円環状の第４加熱ゾーン６１ｄと、第４加熱ゾーン６１ｄの外周側を帯状に囲む円環状の第５加熱ゾーン６１ｅと、第５加熱ゾーン６１ｅの外周側を帯状に囲む円環状の第６加熱ゾーン６１ｆと、第６加熱ゾーン６１ｆの外周側を帯状に囲む円環状の第７加熱ゾーン６１ｇとから構成されている。

つまり、加熱ゾーン６１は、同心状に配置された７つの第１〜第７加熱ゾーン６１ａ〜６１ｇから構成されている。
また、第２加熱ゾーン６１ｂは、同じ中心角（等ピッチ）となるように、８つの加熱領域６３に区分され、第３加熱ゾーン６１ｃは、等ピッチで、１８つの加熱領域６３に区分され、第４加熱ゾーン６１ｄは、等ピッチで、１８つの加熱領域６３に区分され、第５加熱ゾーン６１ｅは、等ピッチで、３０の加熱領域６３に区分され、第６加熱ゾーン６１ｆは、等ピッチで、３０の加熱領域６３に区分され、第７加熱ゾーン６１ｇは、等ピッチで、３６の加熱領域６３に区分されている。従って、各加熱領域６３の形状は、円形又は湾曲した所定幅の円弧状の領域となっている。

そして、（単一の加熱領域６３からなる）第１加熱ゾーン６１ａと、第２〜第７加熱ゾーン６１ｂ〜６１ｇの各加熱領域６３とには、それぞれ１つの第１発熱体２３が配置されている。なお、第２〜第７加熱ゾーン６１ｂ〜６１ｇ毎の複数の第１発熱体２３により、第１環状部２４が構成されている。

各第１発熱体２３は、長尺の発熱ラインからなり、各加熱領域６３の形状に合わせて、例えばＵ字状に形成されている。詳しくは、各第１発熱体２３は、各加熱領域６３の内周や外周の湾曲に沿うように湾曲した形状を有するとともに、周方向の一端にてＵ字状に曲がっている。なお、第１加熱ゾーン６１ａの第１発熱体２３は、円形の形状に合わせて、長尺の発熱パターンが（一部が切り欠かかれた）円形となっている。

なお、図３では枠状の各加熱領域６３の境界を実線で示しており、各加熱領域６３の枠内に配置された各第１発熱体２３も実線で示している。また、全ての加熱領域６３には、それぞれ一つの第１発熱体２３が配置されているが、各加熱ゾーン６１ｂ〜６１ｇにおいて、周方向に配置される第１発熱体２３の形状（平面形状）は同じであるので、図３では一部のみを示している。

＜第２発熱部＞
次に、第２平面Ｈ２上における第２発熱部１５の複数の第２発熱体２５の配置を説明する。

図４に示すように、セラミック基板１７には、第２平面Ｈ２における各領域をそれぞれ加熱（従って温度調節）できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン（即ち第２環状領域）７１が設けられている。そして、各加熱ゾーン７１には、それぞれ１又は複数の加熱領域７３が設定されている。

具体的には、セラミック基板１７に設けられた加熱ゾーン７１は、軸中心を含む１つの円形の第１加熱ゾーン７１ａと、第１加熱ゾーン７１ａの外周側を帯状に囲む円環状の第２加熱ゾーン７１ｂと、第２加熱ゾーン７１ｂの外周側を帯状に囲む円環状の第３加熱ゾーン７１ｃと、第３加熱ゾーン７１ｃの外周側を帯状に囲む円環状の第４加熱ゾーン７１ｄとから構成されている。

つまり、加熱ゾーン７１は、同心状に配置された４つの第１〜第４加熱ゾーン７１ａ〜７１ｄから構成されている。
また、第２加熱ゾーン７１ｂは、同じ中心角（等ピッチ）となるように、３つの加熱領域７３に区分され、第３加熱ゾーン７１ｃは、等ピッチで、６つの加熱領域７３に区分され、第４加熱ゾーン７１ｄは、等ピッチで、９の加熱領域７３に区分されている。従って、各加熱領域７３の形状は、円形又は湾曲した所定幅の円弧状の領域となっている。

そして、単一の加熱領域７３である第１加熱ゾーン７１ａと、第２〜第４加熱ゾーン７１ｂ〜７１ｄの加熱領域７３には、それぞれ１つの第２発熱体２５が配置されている。なお、第２〜第４加熱ゾーン７１ｂ〜７１ｄ毎の複数の第２発熱体２５により、第２環状部２６が構成されている。

各第２発熱体２５は、長尺の発熱ラインからなり、各加熱領域７３の形状に合わせて、例えばＵ字状に形成されている。詳しくは、各第２発熱体２５は、各加熱領域７３の内周や外周の湾曲に沿うように湾曲した形状を有するとともに、周方向の一端にてＵ字状に曲がっている。なお、第１加熱ゾーン７１ａの第２発熱体２５は、円形の形状に合わせて、長尺の発熱パターンが（一部が切り欠かかれた）円形となっている。

なお、図４では枠状の各加熱領域７３の境界を実線で示しており、各加熱領域７３の枠内に配置された各第２発熱体２５も実線で示している。また、全ての加熱領域７３には、それぞれ一つの第２発熱体２５が配置されている。
［１−３．第１発熱部及び第２発熱部の積層構造］
次に、第１発熱部１３及び第２発熱部１５を重ね合わせた構成について説明する。

図５に示すように、平面視で、第１発熱部１３に対応した加熱ゾーン６１と第２発熱部１５に対応した加熱ゾーン７１とは、重なるように配置されている。なお、図５では、細線にて、第１発熱部１３の加熱領域６３の境界を示し、太線にて、第２発熱部１５の加熱領域７３の境界を示している（なお、加熱領域７３の境界は、加熱領域６３の境界も兼ねている）。

つまり、第１発熱部１３の第１加熱ゾーン６１ａ及び第２加熱ゾーン６１ｂと、第２発熱部１５の第１加熱ゾーン７１ａとが、完全に重なっている。
第１発熱部１３の第３加熱ゾーン６１ｃ及び第４加熱ゾーン６１ｄと、第２発熱部１５の第２加熱ゾーン７１ｂとが、完全に重なっている。

第１発熱部１３の第５加熱ゾーン６１ｅ及び第６加熱ゾーン６１ｆ（第１内側環状領域）と、第２発熱部１５の第３加熱ゾーン７１ｃ（第２内側環状領域）とが、完全に重なっている。

第１発熱部１３の第７加熱ゾーン６１ｇと、第２発熱部１５の第４加熱ゾーン７１ｄとが、完全に重なっている。
なお、図５から明らかなように、第１発熱部１３における加熱ゾーンの数（従って第１発熱体２３の数）は、第２発熱部１５における加熱ゾーンの数（従って第２発熱体２５の数）より多い。
［１−４．第１発熱部及び第２発熱部の温度制御］
本第１実施形態では、第１発熱部１３及び第２発熱部１５の内周側の加熱ゾーンＺ１と外周側（即ち最外周）の加熱ゾーンＺ２とでは、異なる温度制御を行うことができるので、この温度制御について説明する。

＜内周側の温度制御＞
ここで内周側の加熱ゾーンＺ１とは、図６の灰色部分に示すように、最外周の加熱ゾーンＺ２より内側の加熱ゾーンのことである。

詳しくは、内周側の加熱ゾーンＺ１とは、第１発熱部１３では、第１〜第６加熱ゾーン６１ａ〜６１ｆのことであり、第２発熱部１５では、第１〜第３加熱ゾーン７１ａ〜７１ｃのことである。

なお、内周側の加熱ゾーンＺ１としては、そのうちの一部を用いることができる。例えば、第２発熱部１５で示す場合には、その第１〜第３加熱ゾーン７１ａ〜７１ｃのうちの少なくとも１つのゾーンを採用できる。

以下、内周側の加熱ゾーンＺ１の温度制御について詳細に説明する。
ここでは、例えば図７に示すように、重なり合う任意の加熱ゾーンを例に挙げて説明する。なお、図７では、重なり合う加熱ゾーンの一部を直線状に配置して示している。

例えば図７（ａ）に示すように、第１発熱部１３の（第１内側環状領域である）第５加熱ゾーン６１ｅ及び第６加熱ゾーン６１ｆと、第２発熱部１５の（第２内側環状領域である）第３加熱ゾーン７１ｃとが重なり合う場合を考える。

そして、例えば、図７（ｂ）に示すように、第２発熱部１５の第３加熱ゾーン７１ｃの温度が同じ状態の場合に、第１発熱部１３の第６加熱ゾーン６１ｆの温度が第５加熱ゾーン６１ｅの温度より高くなるように、第１発熱体２３に印加する電力を制御する。即ち、温度Ｈ＞温度Ｌとする。

その結果、図７（ｃ）に示すように、重ね合わさった領域（従ってセラミックヒータ５の平面方向）においても、第１発熱部１３の第６加熱ゾーン６１ｆに対応する部分の温度が、第５加熱ゾーン６１ｅに対応する部分の温度より高くなる。

これによって、セラミックヒータ５の内周側の加熱ゾーンＺ１においては、第１発熱部１３の各加熱ゾーン６１ａ〜６１ｇ毎に細かく温度制御ができることが分かる。
て、
＜外周側の温度制御＞
次に、図６に示す外周側（即ち最外周）の加熱ゾーンＺ２の温度制御について説明する。

ここで、最外周の加熱ゾーンＺ２とは、図８（ａ）に示すように、第１発熱部１３では、第７加熱ゾーン６１ｇのことであり、第２発熱部１５では、第４加熱ゾーン７１ｄのことである。

例えば、図８（ｂ）に示すように、第２発熱部１５の第４加熱ゾーン７１ｄの温度が同じ状態の場合に、第１発熱部１３の第７加熱ゾーン６１ｇのいくつかの加熱領域７３（図８（ｂ）のハッチング部分）の温度が、他の加熱領域７３の温度より高くなるように、第１発熱体２３に印加する電力を制御する。即ち、温度Ｈ＞温度Ｌとする。

その結果、図８（ｃ）に示すように、重ね合わさった領域においても、第１発熱部１３の第７加熱ゾーン７１ｇのいくつかの加熱領域７３に対応する部分の温度が、他の加熱領域７３に対応する部分の温度より高くなる。

これによって、セラミックヒータ５の最外周の加熱ゾーンＺ２においては、第１発熱部１３の各加熱領域７３毎に細かく温度制御ができることが分かる。
［１−５．製造方法］
次に、本第１実施形態の静電チャック１の製造方法について、簡単に説明する。

(1)セラミック基板１７の原料として、主成分であるＡｌ_２Ｏ_３：９２重量％、ＭｇＯ：１重量％、ＣａＯ：１重量％、ＳｉＯ_２：６重量％の各粉末を混合して、ボールミルで、５０〜８０時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。

(2)次に、この粉末に溶剤等を加え、ボールミルで混合して、スラリーとする。
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、（各セラミック層に対応する）各アルミナグリーンシートを形成する。

そして、各アルミナグリーンシートに対して、リフトピン孔２１や内部孔５７などとなる空間、更にはビア３３となるスルーホールを、必要箇所に開ける。
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、スラリー状にして、メタライズインクとする。

(5)そして、吸着用電極１１、各発熱体２３、２５、各内部配線層３５、３７、４７、４９等を形成するために、前記メタライズインクを用いて、吸着用電極１１、各発熱体２３、２５、各内部配線層３５、３７、４７、４９の形成箇所に対応したアルミナグリーンシート上に、通常のスクリーン印刷法により、各パターンを印刷する。なお、ビア３３を形成するために、スルーホールに対して、メタライズインクを充填する。

(6)次に、各アルミナグリーンシートを、リフトピン孔２１等の必要な空間が形成されるように位置合わせして、熱圧着し、積層シートを形成する。
(7)次に、熱圧着した各積層シートを、それぞれ所定の形状（即ち円板形状）にカットする。

(8)次に、カットした各積層シートを、還元雰囲気にて、１４００〜１６００℃の範囲（例えば、１５５０℃）にて５時間焼成（本焼成）し、各アルミナ質焼結体を作製する。
(9)そして、焼成後に、各アルミナ焼結体に対して、例えば第１の主面Ａ側の加工など必要な加工を行って、セラミック基板１７を作製する。

(10)次に、セラミック基板１７の必要箇所に、電極パッド４３、５３を形成する。
(11)次に、例えば電極パッド４３にピン４５をろう付けする。また、電極パッド５３に
給電用端子２９の上部をろう付けする。

(12)これとは別に、金属ベース７を製造する。具体的には、金属板に対して切削加工等を行うことにより、内部孔５７等を備えた金属ベース７を形成する。なお、内部孔５７には絶縁筒５９を配置する。

(13)次に、金属ベース７とセラミック基板１７とを接合して一体化する。
(14)次に、各内部孔５７に対応して、コネクタ３１や給電用端子２９を配置して、静電チャック１を完成する。
［１−６．効果］
次に、本第１実施形態の効果について説明する。

・第１実施形態では、第１発熱部１３の第１発熱体２３及び第２発熱部１５の第２発熱体２５は、それぞれセラミック基板１７の周方向に複数配置されている部分を有しており、しかも、第１発熱体２３の数は第２発熱体２５の数より大である。そのため、セラミックヒータ５（従って静電チャック１）の平面方向における温度の均一化が容易であり、しかも、特定の箇所の温度を調節することも容易である。

従って、例えば発熱量の大きなメインヒータである第２発熱部１５を用いて、セラミックヒータ５の全体の温度を速やかに均一化できる。
また、例えば、周囲の環境等の何らかの原因で、第２発熱部１５の一部（例えば外周部分の周方向における一部）の領域の温度が低下するような状況でも、当該領域に配置された第２発熱部１５の周方向の一部の第２発熱体２５の発熱状態を制御することにより、当該領域の温度を上昇させて、セラミックヒータ５の全体の温度の均一化を図ることができる。

さらに、第１発熱部１３では第２発熱部１５よりも多くの発熱体を用いることにより、第２発熱部１５の第２発熱体２５で温度調節できる領域よりも狭い領域の温度調節を精度良く行うこともできる。

・第１実施形態では、第１発熱部１３は、平面視で、同心状に区分された複数の加熱ゾーン６１にそれぞれ配置された第１環状部２４を有するとともに、第１環状部２４はセラミック基板１７の周方向に複数の第１発熱体２３を有している。さらに、第２発熱部１５は、平面視で、同心状に区分された複数の加熱ゾーン７１にそれぞれ配置された第２環状部２６を有するとともに、第２環状部２６はセラミック基板１７の周方向に複数の第２発熱体２５を有している。

この構成によって、第１発熱部１３及び第２発熱部１５は、径方向（即ち半径方向）及び周方向（即ち円周方向）において、区分された所定の領域の温度調節を容易に行うことができる。

・第１実施形態では、第１内側環状領域（即ち第１平面Ｈ１の第５、第６加熱ゾーン）６１ｅ、６１ｆ内の第１発熱体２３の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第２内側環状領域（即ち第２平面Ｈ２の第３加熱ゾーン）７１ｃ内の第２発熱体２５の配列数より多いので、第１内側環状領域６１ｅ、６１ｆ内の多くの第１発熱体２３により、小さな領域毎に精度良く温度調節ができる。

また、第２内側環状領域７１ｃ内の第２発熱体２５の配列数は、径方向及び周方向の両方向とも、第１内側環状領域６１ｅ、６１ｆ内の第１発熱体２３の配列数より少ないので、第２発熱部１５の第２発熱体２５の数を抑制でき、よって、その第２発熱体２５に接続
される配線数や端子数を低減できるという利点がある。

・第１実施形態では、第２発熱部１５（詳しくは第２発熱体２５）の単位面積当たりの発熱量は、第１発熱部１３（詳しくは第１発熱体２３）の単位面積当たりの発熱量より大であるので、第２発熱部（１５）により、セラミック基板１７（従ってセラミックヒータ５）の温度を容易に所望の温度に制御できる。例えばセラミックヒータ５の平面方向における温度を容易に均一化できる。

なお、発熱量の小さな第１発熱部１３の（第２発熱部１５より数の多い）第１発熱体２３を用いて、セラミックヒータ５の平面方向における所定の領域（第２発熱部１５より狭い領域）の温度を精度良く調節することができる。

・第１実施形態では、第２端子部５１に第１端子部３９より大きな電力を供給することにより、第２発熱部１５の単位面積当たりの発熱量を、第１発熱部１３の単位面積当たりの発熱量より大きくすることができる。
［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡易化して説明する。なお、第１実施形態と同様な構成には同様な番号を付す。

本第２実施形態の静電チャックは、第１実施形態の静電チャックと基本的な同様な構成を備えているが、第１発熱部と重ね合される第２発熱部の構成が異なっている。
図９に示すように、本第２実施形態では、第１実施形態と同様に、第１発熱部１３は、第１〜第７加熱ゾーン６１ａ〜６１ｇに区分されるとともに、各加熱ゾーン６１ａ〜６１ｇは、それぞれ所定のピッチで複数の加熱領域６３に区分されている。

一方、第２発熱部１５は、内周側の加熱ゾーンＺ１（灰色部分）として、第１〜第３加熱ゾーン７１ａ〜７１ｃを備えるとともに、最外周の加熱ゾーンＺ２として、２つの加熱ゾーンからなる第４加熱ゾーン７１ｄを備えている。

つまり、第４加熱ゾーン７１ｄは、（第２外側環状領域である）内周側の円環状の第４内周加熱ゾーン７１ｄ１と外周側の円環状の第４外周加熱ゾーン７１ｄ２とから構成されている。なお、第４加熱ゾーン７１ｄは、第１発熱部１３の（第１外側環状領域である）第７加熱ゾーン６１ｇと重なり合う領域である。

次に、本第２実施形態における温度制御について、図１０に基づいて説明する。
なお、図１０では、重なり合う加熱ゾーンの一部を直線状に配置して示している。
図１０（ａ）に示すように、第１発熱部１３の第７加熱ゾーン６１ｇと、第２発熱部１５の第４内周加熱ゾーン７１ｄ１及び第４外周加熱ゾーン７１ｄ２とが重なり合っている。

ここで、例えば、図１０（ｂ）に示すように、第１発熱部１３の第７加熱ゾーン６１ｇのいくつかの加熱領域６３（図１０（ｂ）のハッチング部分）の温度が、他の加熱領域６３の温度より高くなるように、第１発熱体２３に印加する電力を制御する。即ち、温度Ｈ＞温度Ｌとする。

また、第２発熱部１５の第４外周加熱ゾーン７１ｄ２（図１０（ｂ）のハッチング部分）の温度が、第４内周加熱ゾーン７１ｄ１の温度より高くなるように、第２発熱体２５に印加する電力を制御する。即ち、温度Ｈ＞温度Ｌとする。

その結果、図１０（ｃ）に示すように、共に温度が高い第１発熱部１３の第７加熱ゾー
ン６１ｇのいくつかの加熱領域６３と第４外周加熱ゾーン７１ｄ２とが重なる領域（図１０（ｃ）でハッチングが交差する部分）の温度が最も高くなる。

また、温度が高い第１発熱部１３の第７加熱ゾーン６１ｇのいくつかの加熱領域６３と温度が低い第４内周加熱ゾーン７１ｄ１とが重なる領域（図１０（ｃ）のハッチング部分）の温度が次に高くなる。

そして、温度が低い第１発熱部１３の第７加熱ゾーン６１ｇの他の加熱領域６３と温度が低い第４内周加熱ゾーン７１ｄ１とが重なる領域（図１０（ｃ）のハッチングが無い部分）の温度が最も低くなる。

これによって、セラミックヒータ５の最外周の加熱ゾーンＺ２において、その内周側と外周側の温度とを、狭い幅の領域を細かく制御できることが分かる。
このように、本第２実施形態では、第１実施形態と同様な効果を奏する。

また、本第２実施形態では、第１発熱部１３の最外周の第７加熱ゾーン６１ｇに対応した第２発熱部１５の加熱ゾーン７１は、内周側の第４内周加熱ゾーン７１ｄ１と外周側の第４外周加熱ゾーン７１ｄ２とに区分されているので、上述したように、セラミックヒータ５の最外周の加熱ゾーンＺ２において、その内周側と外周側の温度とを、狭い幅の領域を細かく制御ができる。

例えば第４内周加熱ゾーン７１ｄ１の第２発熱体２５よりも第４外周加熱ゾーン７１ｄ２の第２発熱体２５の（単位面積当たりの）発熱量を多くすることにより、セラミックヒータ５の外周部分の温度を容易に調節できる。

このセラミックヒータ５の外周部分（例えば最外周）は、外界の影響を受けやすいので、温度が変化し易いが、本第２実施形態では、外周部分にそのような大きな温度変化があっても、発熱量の多い第２発熱体２５を含む加熱ゾーン７１が径方向に細分化されていることにより、最外周の部分の温度を、容易に所望の温度に調節することができる。

尚、本発明は前記実施形態や実験例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）例えば、前記実施形態では、第１発熱部１３及び第２発熱部１５を、セラミック基板１７内に配置したが、図１１（ａ）に変形例１を示すように、セラミック基板１７内に第１発熱部１３を配置し、セラミック基板１７の外側（即ち第２の主面Ｂ側）に第２発熱部１５を配置してもよい。

（２）また、前記実施形態では、一層の第１発熱部１３と一層の第２発熱部１５とを、厚み方向に配置して重ね合わせるようにしたが、図１１（ｂ）に変形例２を示すように、例えば第２発熱部１５を、厚み方向に配置した複数層（例えば第１の主面Ａ側の上層１５ａと第２の主面Ｂ側の下層１５ｂの２層）によって構成してもよい。

（３）さらに、前記各実施形態では、セラミックヒータ５及び金属ベース７を備えた静電チャック１を例に挙げたが、本発明は、図１１（ｃ）に変形例３を示すように、金属ベース７を備えない静電チャック１にも適用できる。つまり、セラミックヒータ５に、吸着用電極１１、第１発熱部１３、第２発熱部１５を備えた静電チャック１にも適用できる。

（４）また、前記各実施形態では、セラミックヒータ５及び金属ベース７を備えた静電チャック１を例に挙げたが、本発明は、静電チャックではないセラミックヒータにも適用できる。

例えば、図１１（ｄ）に変形例４を示すように、絶縁基板（例えばセラミック基板１７）内に、前記各実施形態と同様な第１発熱部１３及び第２発熱部１５を備えた加熱部材（例えばセラミックヒータ５）に適用できる。

（５）さらに、加熱ゾーンや加熱領域を区分する方法については、前記実施形態に限られるものではない。
（６）前記第１実施形態では、第２内側環状領域を構成する１つの加熱ゾーン７１（第３加熱ゾーン７１ｃ）に対して、第１内側環状領域を構成する２つの加熱ゾーン６１（第５加熱ゾーン６１ｅ及び第６加熱ゾーン６１ｆ）が完全に重なっている静電チャック１を例に挙げたが、本発明は、第２内側環状領域を構成する１つの加熱ゾーン７１に対して、第１内側環状領域を構成する２つ以上の加熱ゾーン６１のそれぞれが部分的に重なっていてもよい。

（７）前記第２実施形態では、第１外側環状領域を構成する１つの加熱ゾーン６１（第７加熱ゾーン６１ｇ）に対して、第２外側環状領域を構成する２つの加熱ゾーン７１（第４内周加熱ゾーン７１ｄ１及び第４外周加熱ゾーン７１ｄ２）が完全に重なっている静電チャック１を例に挙げたが、本発明は、第１外側環状領域を構成する１つの加熱ゾーン６１に対して、第２外側環状領域を構成する２つ以上の加熱ゾーン７１のそれぞれが部分的に重なっていてもよい。

（８）絶縁基板としては、セラミック基板や樹脂基板など各種の絶縁基板を採用できる。
（９）各実施形態の構成を適宜組み合わせることができる。

１…静電チャック
３…半導体ウェハ
５…セラミックヒータ
１１…静電電極
１３…第１発熱部
１５…第２発熱部
１７…セラミック基板
２３…第１発熱体
２５…第２発熱体
６１、７１…加熱ゾーン
６３、７３…加熱領域

Claims (7)

1. 被加工物が搭載される第１の主面と該第１の主面の反対側の第２の主面とを有するとともに、電気絶縁性を有する絶縁基板と、該絶縁基板に配置されて通電により発熱する発熱部と、を備えるとともに、
   前記発熱部として、前記絶縁基板の内部に配置された第１発熱部と、該第１発熱部よりも前記第２の主面側に配置された第２発熱部と、を備えた加熱部材において、
   前記絶縁基板を厚み方向から見た平面視で、
   前記第１発熱部及び前記第２発熱部は、それぞれ独立して温度調節が可能な複数の発熱体からなり、
   前記第１発熱部及び前記第２発熱部の複数の発熱体は、それぞれ前記絶縁基板の周方向に複数配置されており、
   且つ、前記第１発熱部の発熱体数は、前記第２発熱部の発熱体数より大であり、
   前記平面視で、
   前記第１発熱部は、同心状に区分された複数の第１環状領域にそれぞれ配置された第１環状部を有するとともに、該第１環状部は前記絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有し、
   且つ、前記第２発熱部は、同心状に区分された複数の第２環状領域にそれぞれ配置された第２環状部を有するとともに、該第２環状部は前記絶縁基板の周方向に複数の発熱体を有し、
   前記複数の第２環状領域のうち最外周の１つの前記第２環状領域からなる第２外側環状領域と、前記複数の第２環状領域のうち前記第２外側環状領域より１つ内周側の前記第２環状領域からなる第２内側環状領域と、を備え、
   前記複数の第１環状領域のうち前記第２外側環状領域と重なる範囲を第１外側環状領域とするとともに、前記複数の第１環状領域のうち前記第２内側環状領域と重なる範囲を第１内側環状領域とし、
   前記第１外側環状領域及び前記第１内側環状領域は、周方向に区分される複数の加熱領域を有するとともに、当該第１外側環状領域及び前記第１内側環状領域の複数の加熱領域ごとに１つの前記発熱体が配置され、
   前記第２外側環状領域及び第２内側環状領域は、周方向に区分される複数の加熱領域を有するとともに、当該第２外側環状領域及び第２内側環状領域の複数の加熱領域ごとに１つの前記発熱体が配置され、
   前記第２外側環状領域の１つの加熱領域の範囲以内に、前記第１外側環状領域の複数の加熱領域が配置され、且つ、前記第２内側環状領域の１つの加熱領域の範囲以内に、前記第１内側環状領域の複数の加熱領域が配置されていることを特徴とする加熱部材。
2. 前記平面視で、
   前記第２外側環状領域の１つの加熱領域の範囲と、前記第１外側環状領域の複数の加熱領域が構成する範囲とが、完全に一致するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の加熱部材。
3. 前記平面視で、
   前記第２外側環状領域の１つの加熱領域の範囲以内に配置された、前記第１外側環状領域の複数の加熱領域は、周方向に一列に配置され、且つ、径方向における配列数が一列であることを特徴とする請求項１又は２に記載の加熱部材。
4. 前記平面視で、
   前記複数の第２環状領域のうち最外周より内周側の１つの前記第２環状領域からなる第２内側環状領域と、前記複数の第１環状領域のうち前記第２内側環状領域と重なる２つ以上の前記第１環状領域からなる第１内側環状領域とについて、
   前記絶縁基板の径方向において、前記第１内側環状領域内の前記発熱体の配列数は、前記第２内側環状領域内の前記発熱体の配列数より多く、
   且つ、前記絶縁基板の周方向において、前記第１内側環状領域内の前記発熱体の配列数は前記第２内側環状領域内の前記発熱体の配列数より多いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の加熱部材。
5. 前記平面視で、前記第２発熱部の単位面積当たりの発熱量は、前記第１発熱部の単位面積当たりの発熱量より大であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱部材。
6. 前記加熱部材の表面に、前記第１発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第１端子部と、前記第２発熱部に電気的に接続されて外部から電力が供給される第２端子部と、を備えており、
   前記第２端子部は前記第１端子部より大きな電力の供給が可能な端子部であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の加熱部材。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の加熱部材を備えるとともに、前記絶縁基板に静電電極を備えたことを特徴とする静電チャック。

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