JP6530220B2 - セラミックヒータ及びその制御方法、並びに、静電チャック及びその制御方法 - Google Patents
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Description
本第2態様では、温度センサによって、複数の補助発熱体による加熱状態(従って補助発熱体が配置された位置やその近傍の温度)を検出することができる。よって、検出した温度に基づいて、例えば補助発熱体の印加電圧を制御することによって、補助発熱体が配置された位置やその近傍の温度(即ちセラミック基板の中心部の外周部分の温度)を調節できる。これによって、より精密にセラミック基板の中心部の面内温度を均一化することができる。
(6)本発明の第6態様のセラミックヒータは、前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、前記補助発熱体及びゾーン発熱体の少なくとも一方は、環状に配置されている。
(7)本発明の第7態様のセラミックヒータは、前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、前記複数の補助発熱体は、同心状に配置されている。
・セラミックヒータや静電チャックの外形形状としては、平面視で、円形を採用できる。
・セラミック基板としては、平面視で、周方向に複数の加熱ゾーンを備え、各加熱ゾーンに対応して各ゾーン発熱体が配置されている構成を採用できる。
・発熱体としては、線状の発熱パターンが並列に配置された並列部分を有するものなどを採用できる。例えば発熱パターンがU字状や蛇行状に配置されたものを採用できる。
・セラミック基板としては、複数のセラミック層を積層して形成すると、内部に各種の構造を容易に形成できるので好適である。なお、静電チャックに用いられるセラミック基板は、電気絶縁性を有するセラミック絶縁板である。
a)まず、本実施例1の静電チャックの構造について説明する。
図1に示す様に、本実施例1の静電チャック1は、図1の上側にて半導体ウェハ3を吸着する装置であり、第1主面(吸着面)5及び第2主面7を有する円盤状のセラミックヒータ9と、円盤状の金属ベース(クーリングプレート)11とを、例えばインジウムからなる接合層12(図4参照)を介して接合したものである。
図4に示すように、セラミックヒータ9は、接合層12によって、金属ベース11に接合されている。セラミックヒータ9のセラミック基板13は、複数のセラミック層27(図4(b)参照)が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。なお、アルミナ質焼結体は、絶縁体(誘電体)である。
<吸着用電極31>
吸着用電極31は、例えば平面形状が半円状の一対の電極31a、31b(図1参照)から構成されている。この吸着用電極31とは、静電チャック1を使用する場合には、両電極31a、31bの間に、直流高電圧を印加し、これにより、半導体ウェハ3を吸着する静電引力(吸着力)を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ3を吸着して固定するものである。なお、吸着用電極31については、これ以外に、周知の各種の構成を採用できる。
図5(a)に示すように、セラミック基板13の中心部15には、セラミック基板13の平面方向における各領域をそれぞれ加熱(従って温度調節)できるように、平面視で、複数の加熱ゾーン41が設定されている。
図6(a)に示すように、セラミック基板13の中心部15には、最外周の加熱ゾーン(即ち第4加熱ゾーン41d)に対応した領域の温度調節を精度良く行うために、平面視で、第4加熱ゾーン41dと重なる領域に、円環状の補助加熱ゾーン45が設定されている。
図6(b)に示すように、セラミック基板13の外周部17には、円環状に外周側発熱体37が配置されている。
図7に示すように、静電チャック1の吸着用電極31、第1層発熱体35(詳しくは第1〜第4ゾーン発熱体43a〜43dの各ゾーン発熱体43)、第2層発熱体33(詳しくは第1〜第3補助発熱体47a〜47cの各補助発熱体47)、外周側発熱体37には、それぞれを作動させるために電源回路が接続されている。
(1)セラミック基板13の原料として、主成分であるAl2O3:92重量%、MgO:1重量%、CaO:1重量%、SiO2:6重量%の各粉末を混合して、ボールミルで、50〜80時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、(各セラミック層に対応する)各アルミナグリーンシートを形成する。
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、スラリー状にして、メタライズインクとする。
(7)次に、熱圧着した積層シートを、所定の円板形状にカットする。このとき、切削加工機によって、断熱用溝19となる溝を形成する。
(9)そして、焼成後に、アルミナ焼結体の一方の主面のうち、外周部17に対応する表面を、切削加工機よって削って、外周部17の高さを調節する。これによって、セラミック基板13を作成する。
(11)次に、例えばインジウムを用いて、セラミック基板13(即ちセラミックヒータ9)と金属ベース11とを接合して一体化する。これにより、静電チャック1が完成する。
本処理は、電子制御装置59により実施される処理である。
ここでは、静電チャック1により半導体ウェハ3を加熱する際に、セラミック基板13の中心部15の平面方向における温度(中心部15の面内温度)を均一化するための処理について説明する。
続くステップ130では、中心部15の面内温度を均一にするために、第2層発熱体33の第1〜第3補助発熱体47a〜47cに印加する電圧を制御し、その発熱状態を調節し、一旦本処理を終了する。
f)次に、本実施例1の効果について説明する。
なお、実施例1と同様な構成には、同じ番号を使用する。
図12に示すように、本実施例2の静電チャック91は、前記実施例1と同様に、図12の上方の吸着面5側にて半導体ウェハ3を吸着するものであり、セラミックヒータ95と金属ベース11とを接合層97を介して接合したものである。
なお、実施例1と同様な構成には、同じ番号を使用する。
図13に示すように、本実施例3の静電チャック111は、前記実施例1と同様に、図13の上方の吸着面5側にて半導体ウェハ3を吸着するものであり、セラミックヒータ113(従ってセラミック基板115)と金属ベース11とを接合層12を介して接合したものである。
なお、実施例1と同様な構成には、同じ番号を使用する。
a)まず、本実施例4の静電チャックの構成について説明する。
<外周側冷却路127で独自に冷却を行わない場合の処理>
図15及び図16(a)に示すように、まず、ステップ200では、セラミックヒータ9による加熱が指示されたか否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ210に進み、一方否定判断されると一旦本処理を終了する。
ここで、上述したステップ220、230による処理で、ある程度の面内温度の均一化ができるが、より均一化を実現するために、以下の処理を行う。
続くステップ250では、補助加熱ゾーン45の内周側と外周側との温度差が、所定以上あるか否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ260に進み、一方否定判断されると、温度差が少ないとして一旦本処理を終了する。
図17及び図18(a)に示すように、まず、ステップ300では、セラミックヒータ9による加熱が指示されたか否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ310に進み、一方否定判断されると一旦本処理を終了する。
続くステップ330では、両温度センサ129からの信号に基づいて、補助加熱ゾーン45の中心側と外周側の温度を検出する。
具体的には、例えば、電圧の低い方から順番に、第1補助発熱体47aの印加電圧、第2補助発熱体47bの印加電圧、第3補助発熱体47cの印加電圧とする制御を行う。これにより、第1補助発熱体47aの発熱状態は最も低く、第2補助発熱体47bの発熱状態は中程度に、第3補助発熱体47cの発熱状態は最も高くなる。
(1)例えば、前記各実施例では、第2層発熱体33の第1〜第3補助発熱体47a〜47cに印加する電圧を制御し、その発熱状態を調節したが、第1〜第3補助発熱体47a〜47cに印加する電圧を一定にし、それぞれの線幅、厚みや材料を調節することで、その発熱状態を調節してもよい。
3…半導体ウェハ
5…吸着面
9、95…セラミックヒータ
11、123…金属ベース
13、115…セラミック基板
15、99、117…中心部
17、101…外周部
23…中心側冷却路
25…外周リング
33…第2層発熱体
35…第1層発熱体
37…外周側発熱体
39…中心側発熱体
41、41a、41b、41c、41d…加熱ゾーン
43、43a、43b、43c、43d…ゾーン発熱体
47、47a、47b、47c…補助発熱体
127…外周側冷却路
129、129a、129b…温度センサ
Claims (10)
- 第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面側にて被加熱物を加熱するセラミック基板を備えるとともに、
前記セラミック基板は、外周側に外周側発熱体が配置され、且つ、前記被加熱物を加熱する中心部と、前記中心部に配置された中心側発熱体と、を備えたセラミックヒータにおいて、
前記中心側発熱体は、前記セラミック基板の厚み方向における第1層に配置された第1層発熱体と、前記第1層とは異なる第2層に配置された第2層発熱体と、を有しており、
前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、
前記セラミック基板には、中心側から外周側に向かって複数の加熱ゾーンが設定され、
前記第1層発熱体は、前記各加熱ゾーン毎に独立して加熱可能なように、各加熱ゾーン毎に配置された各ゾーン発熱体を有し、
前記第2層発熱体は、前記中心側から外周側に向かって配置され、かつ、それぞれが独立して加熱可能な複数の補助発熱体を有するとともに、前記複数の補助発熱体は、前記各加熱ゾーンのうち最外周に配置された加熱ゾーンと重なるように配置されていることを特徴とするセラミックヒータ。 - 前記複数の補助発熱体による加熱状態を検出する温度センサを備えたことを特徴とする請求項1に記載のセラミックヒータ。
- 前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、
前記温度センサは、前記複数の補助発熱体が配置された位置又は前記最外周の加熱ゾーンの位置にて、前記中心側から外周側に沿って複数配置されていることを特徴とする請求項2に記載のセラミックヒータ。 - 前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、
前記複数の加熱ゾーンのうち、最外周の加熱ゾーンに第1の温度センサ及び第2の温度センサを備えるとともに、前記第2の温度センサは前記第1の温度センサより外周側に配置されていることを特徴とする請求項2又は3に記載のセラミックヒータ。 - 前記第2層発熱体は、前記第1層発熱体より前記第1主面側に配置されており、
前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、
前記セラミック基板の第1主面において、前記第2層発熱体より中心側に溝が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。 - 前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、
前記補助発熱体及びゾーン発熱体の少なくとも一方は、環状に配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。 - 前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、
前記複数の補助発熱体は、同心状に配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。 - 前記請求項1〜7のいずれか1項に記載のセラミックヒータの制御方法であって、
前記セラミックヒータを厚み方向から見た場合に、前記第2層発熱体は、中心側の補助発熱体と外周側の補助発熱体とを有する構造であり、
前記中心側発熱体にて前記中心部を加熱するとともに、前記外周側発熱体にて前記中心部の外周側に配置された外周部を加熱する場合には、
前記最外周に配置されたゾーン発熱体の発熱状態を他のゾーン発熱体の発熱状態より低くするとともに、前記外周側の補助発熱体の発熱状態を前記中心側の補助発熱体の発熱状態より低くすることを特徴とするセラミックヒータの制御方法。 - 前記請求項1〜7のいずれか1項に記載のセラミックヒータを備えた静電チャックであって、
前記セラミック基板の厚み方向に、金属ベースが積層されるとともに、前記セラミック基板に、被吸着物を吸着する吸着用電極を備え、
更に、前記金属ベースには、前記セラミック基板の中心部と該中心部の外周側に配置された外周部とを独立に冷却可能な冷却部を有するとともに、
前記静電チャックを厚み方向から見た場合に、前記第2層発熱体は、中心側の補助発熱体と外周側の補助発熱体とを有することを特徴とする静電チャック。 - 前記請求項9に記載の静電チャックの制御方法であって、
前記中心側発熱体にて前記中心部を加熱するとともに、前記冷却部にて前記外周部を冷却する場合には、
前記最外周に配置されたゾーン発熱体の発熱状態を他のゾーン発熱体の発熱状態より低くするとともに、前記外周側の補助発熱体の発熱状態を前記中心側の補助発熱体の発熱状態より高くすることを特徴とする静電チャックの制御方法。
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