KR102639968B1 - 포커스링 배치대 - Google Patents

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다츠야 구노
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엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Abstract

포커스링(FR) 배치대(20)는, 원환형의 FR용 세라믹 히터(22)와, 금속 베이스인 FR용 냉각판(24)과, FR용 냉각판(24)과 FR용 세라믹 히터(22)를 접착하는 접착재인 접착 시트(25)와, FR용 냉각판(24)과 FR용 세라믹 히터(22) 사이에서 접착 시트(25)의 내주부 및 외주부에 접착하도록 마련되는 내주측 및 외주측 보호재(27i, 27o)를 구비한다. 접착 시트(25)의 열팽창 계수는, 내주측 보호재(27i)의 열팽창 계수 이하이며, 외주측 보호재(27o)의 열팽창 계수 이상이다.

Description

포커스링 배치대{FOCUS RING PLACEMENT TABLE}
본 발명은 포커스링 배치대에 관한 것이다.
웨이퍼에 플라즈마를 이용하여 CVD나 에칭 등을 행하기 위해 웨이퍼 처리 장치가 이용된다. 특허문헌 1에는, 원반형의 중심측 금속 베이스와 원환형의 외주측 금속 베이스가 연결된 금속 베이스와, 중심측 금속 베이스의 상면에 마련된 원반형의 중심측 정전척 히터와, 외주측 금속 베이스의 상면에 마련된 원환형의 외주측 정전척 히터를 구비한 웨이퍼 처리 장치가 개시되어 있다. 이 웨이퍼 처리 장치에서는, 중심측 정전척 히터의 상면에 원반형의 웨이퍼를 정전 흡착하며, 외주측 정전척 히터의 상면에 원환형의 포커스링을 정전 흡착한다. 또한, 웨이퍼의 온도와 포커스링의 온도는, 각각 개별로 제어된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2016-207979호 공보
외주측 금속 베이스와 외주측 정전척 히터는 접착 시트에 의해 접착되어 있다. 접착 시트는, 사용 환경에 있어서 부식되는 경우가 있다. 그 때문에, 접착 시트의 주위(내주부와 외주부)를 둘러싸도록 보호재를 충전함으로써, 접착 시트의 부식을 방지하는 것이 생각된다. 이러한 기술은, 본 발명자들이 아는 한, 현재로서는 공지되어 있지 않다. 접착 시트의 주위를 둘러싸도록 보호재를 충전하면, 접착 시트와 보호재는 긴밀하게 접착하여 일체화된다. 이 상태에서 외주측 정전척 히터가 고온이 되면, 접착 시트도 보호재도 반경 외방향으로 신장하려고 한다. 여기서, 접착 시트의 CTE(열팽창 계수)가 보호재의 CTE보다 큰 경우, 접착 시트의 신장량이 보호재의 신장량보다 크기 때문에, 접착 시트의 내주부에서는 보호재가 접착 시트에 의해 인장된다. 그 결과, 접착 시트나 보호재 중 적어도 한쪽에 있어서 박리나 균열이 발생하는 경우가 있다. 한편, 접착 시트의 CTE가 보호재의 CTE보다 작은 경우, 보호재의 신장량이 접착 시트의 신장량보다 크기 때문에, 접착 시트의 외주부에서는 접착 시트가 보호재에 의해 인장된다. 그 결과, 접착 시트나 보호재 중 적어도 한쪽에 있어서 박리나 균열이 발생하는 경우가 있다. 또한, 이러한 문제는 정전 흡착 기능의 유무에 관계없이 발생한다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 포커스링용의 세라믹 히터와 금속 베이스를 접착하는 접착재의 내주측 및 외주측을 보호재로 보호하며 접착재와 보호재의 열팽창차에 기인하는 문제점의 발생을 방지하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 포커스링 배치대는,
포커스링이 배치되는 원환형의 세라믹 히터와,
금속 베이스와,
상기 금속 베이스와 상기 세라믹 히터를 접착하는 접착재와,
상기 금속 베이스와 상기 세라믹 히터 사이에서 상기 접착재의 내주부에 접착하도록 마련되는 내주측 보호재와,
상기 금속 베이스와 상기 세라믹 히터 사이에서 상기 접착재의 외주부에 접착하도록 마련되는 외주측 보호재
를 구비하고,
상기 접착재의 열팽창 계수는, 상기 내주측 보호재의 열팽창 계수 이하이며, 상기 외주측 보호재의 열팽창 계수 이상이다.
이 포커스링 배치대는, 접착재의 내주부 및 외주부를 둘러싸는 내주측 및 외주측 보호재를 구비한다. 접착재의 내주측 및 외주측은, 보호재로 보호된다. 또한, 이러한 포커스링 배치대에서는, 고온이 되면, 접착재, 내주측 보호재 및 외주측 보호재는, 반경 외방향으로 신장하려고 한다. 여기서, 접착재의 열팽창 계수는 내주측 보호재의 열팽창 계수 이하이기 때문에, 접착재가 반경 외방향으로 신장하는 양은 내주측 보호재가 반경 외방향으로 신장하는 양과 동일하거나 그보다 적다. 그 때문에, 접착재가 내주측 보호재를 반경 외방향으로 인장하는 인장 응력은 발생하지 않는다. 따라서, 접착재 및 내주측 보호재 중 적어도 한쪽에 있어서 열팽창차에 기인하는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 접착재의 열팽창 계수는 외주측 보호재의 열팽창 계수 이상이기 때문에, 외주측 보호재가 반경 외방향으로 신장하는 양은 접착재가 반경 외방향으로 신장하는 양과 동일하거나 그보다 적다. 그 때문에, 외주측 보호재가 접착재를 반경 외방향으로 인장하는 인장 응력은 발생하지 않는다. 따라서, 접착재 및 외주측 보호재 중 적어도 한쪽에 있어서 열팽창차에 기인하는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 포커스링 배치대에 있어서, 상기 접착재의 열팽창 계수는, 상기 내주측 보호재의 열팽창 계수보다 작아도 좋고, 상기 외주측 보호재의 열팽창 계수보다 커도 좋다. 이렇게 하면, 접착재와 내주측 보호재와 외주측 보호재의 열팽창 계수를 동일하게 할 필요가 없다.
본 발명의 포커스링 배치대에 있어서, 상기 금속 베이스는, 상기 금속 베이스의 측면 및 상기 세라믹 히터에 대향하는 면 중 적어도 상기 내주측 보호재 및 상기 외주측 보호재가 형성되는 부분에 절연막을 가져도 좋다. 이렇게 하면, 금속 베이스를 통해 예기하지 못한 방전이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 절연막은, 사용 환경 하에서의 내식성을 갖는 것이 바람직하다. 절연막으로서는, 예컨대 세라믹 용사막 등을 들 수 있다. 이러한 절연막은, 금속 베이스의 세라믹 히터에 대향하는 면 중 접착재가 형성되는 부분에 이르도록 마련하여도 좋다.
본 발명의 포커스링 배치대에 있어서, 접착재, 내주측 보호재 및 외주측 보호재의 열팽창 계수를 조정하는 데 있어서는, 예컨대, 각각 다른 카테고리의 재료를 이용하여도 좋다. 재료의 카테고리로서는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 또는, 동일한 카테고리의 수지의 중에서 조성이 다른 것을 이용하여도 좋다. 예컨대, 에폭시 수지의 카테고리 중에는 조성이 다른 것이 많이 존재하고 있고, 조성이 다름으로써 열팽창 계수가 다른 것이 있다. 이 점은, 다른 수지에 대해서도 동일하다. 또는, 동일한 조성의 수지로서 첨가물의 종류나 양이 다른 것을 이용하여도 좋다. 첨가물로서는, 필러를 들 수 있다. 예컨대, 동일한 조성의 실리콘 수지에 대하여, 첨가량이 많을수록 열팽창 계수가 낮아지는 필러를 첨가하는 경우, 필러의 첨가량을 내주측 보호재가 가장 적고, 외주측 보호재가 가장 많아지도록 하면, (내주측 보호재의 CTE)＞(접착 시트의 CTE)＞(외주측 보호재의 CTE)로 할 수 있다.
도 1은 웨이퍼 처리 장치(10)의 종단면도이다.
도 2는 포커스링 배치대(20)의 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A 단면도이다.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 웨이퍼 처리 장치(10)의 종단면도이고, 도 2는 포커스링 배치대(20)의 평면도이며, 도 3은 도 2의 A-A 단면도(부분 확대도 포함)이다. 이하의 설명에 있어서, 상하, 좌우, 전후 등을 이용하여 설명하는 경우가 있지만, 상하, 좌우, 전후는, 상대적인 위치 관계에 불과하다.
웨이퍼 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)에 플라즈마를 이용하여 CVD나 에칭 등을 행하기 위해 이용되는 것이며, 반도체 프로세스용의 챔버(80)의 내부에 마련되는 설치판(82)에 고정된다. 웨이퍼 처리 장치(10)는, 웨이퍼 배치대(12)와 포커스링 배치대(20)를 구비한다. 이하, 포커스링은 「FR」로 약기하는 경우가 있다.
웨이퍼 배치대(12)는, 웨이퍼용 세라믹 히터(14)와, 웨이퍼용 냉각판(16)을 구비한다. 웨이퍼용 냉각판(16)은, 웨이퍼용 세라믹 히터(14)의 웨이퍼 배치면인 표면(14a)과는 반대측의 이면(14b)에 접착 시트(15)를 통해 접착된다. 접착 시트(15)는, 원형의 양면 접착 테이프이다. 접착 시트(15)의 재료로서는, 예컨대 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.
웨이퍼용 세라믹 히터(14)는, 원반형의 부재이며, 세라믹 기체(14c)에 저항 발열체(14d)가 매설된 것이다. 세라믹 기체(14c)는, 알루미나, 질화알루미늄, 이트리아 등으로 대표되는 세라믹 재료를 포함하는 원반형의 플레이트이다. 세라믹 기체(14c)의 표면(14a)에는, 웨이퍼(W)가 배치된다. 저항 발열체(14d)는, 도전성이 있는 코일 또는 인쇄 패턴으로 제작되며, 평면에서 보았을 때에 전체면에 걸쳐 일필휘지의 요령으로 일단부터 타단까지 교차하는 일없이 배선된다. 저항 발열체(14d)의 일단과 타단은, 설치판(82), 웨이퍼용 냉각판(16) 및 접착 시트(15)를 관통하여 세라믹 기체(14c)에 삽입되는, 도시하지 않는 한 쌍의 급전 막대에 접속된다. 저항 발열체(14d)에는, 이 급전 막대를 통해 전압이 인가되도록 되어 있다.
웨이퍼용 냉각판(16)은, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등으로 대표되는 금속을 포함하는 원반형의 플레이트이며, 내부에 냉매가 순환할 수 있는 도시하지 않는 냉매 통로를 구비한다. 이 냉매 통로는, 설치판(82)을 관통하는 도시하지 않는 냉매 공급로 및 냉매 배출로에 접속되고, 냉매 배출로로부터 배출되는 냉매는 온도 조정된 후 재차 냉매 공급로로 복귀된다. 웨이퍼용 냉각판(16)은, 웨이퍼용 냉각판(16)의 하단부(설치판(82)에 가까운 측의 단부)의 외주면으로부터 반경 외향으로 돌출하는 웨이퍼용 냉각판 플랜지부(16a)를 구비한다. 웨이퍼용 냉각판 플랜지부(16a)에는, 둘레 방향을 따라 복수의 관통 구멍(16b)이 마련된다.
FR 배치대(20)는, 웨이퍼 배치대(12)와는 별체이며, 웨이퍼 배치대(12)의 외주에 배치된다. FR 배치대(20)는, FR용 세라믹 히터(22)와, FR용 냉각판(24)을 구비한다. FR용 냉각판(24)은, FR용 세라믹 히터(22)의 FR 배치면인 표면(22a)과는 반대측의 이면(22b)에 접착 시트(25)를 통해 접착된다. 접착 시트(25)는, 원환형의 양면 접착 테이프이다. 접착 시트(25)의 재료로서는, 예컨대 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.
FR용 세라믹 히터(22)는, 세라믹 기체(22c)에 저항 발열체(22d)가 매설된 것이다. 세라믹 기체(22c)는, 세라믹 기체(14c)와 동일한 재료를 포함하는 링형의 플레이트이다. 세라믹 기체(22c)의 표면(22a)에는, 포커스링(FR)이 배치된다. 저항 발열체(22d)는, 도전성이 있는 코일 또는 인쇄 패턴으로 제작되며, 평면에서 보았을 때에 전체면에 걸쳐 일필휘지의 요령으로 일단부터 타단까지 교차하는 일없이 배선된다. 저항 발열체(22d)의 일단과 타단은, 설치판(82), FR용 냉각판(24) 및 접착 시트(25)를 관통하여 세라믹 기체(22c)에 삽입되는, 도시하지 않는 한 쌍의 급전 막대에 접속된다. 저항 발열체(22d)에는, 이 급전 막대를 통해 전압이 인가되도록 되어 있다.
FR용 냉각판(24)은, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등으로 대표되는 금속을 포함하는 링형의 플레이트이며, 내부에 냉매가 순환할 수 있는 도시하지 않는 냉매 통로를 구비한다. 이 냉매 통로는, 설치판(82)을 관통하는 냉매 공급로 및 냉매 배출로에 접속되고, 냉매 배출로로부터 배출되는 냉매는 온도 조정된 후 재차 냉매 공급로로 복귀된다. FR용 냉각판(24)은, FR용 냉각판(24)의 하면에, 둘레 방향을 따라 복수의 볼록부(24a)가 마련된다. 웨이퍼 배치대(12)는, FR용 냉각판(24)의 이면에 마련되는 볼록부(24a)를 웨이퍼용 냉각판 플랜지부(16a)의 관통 구멍(16b)에 끼워넣은 상태에서, 설치판(82)의 이면으로부터 볼트(84)를 볼록부(24a)의 나사 구멍에 체결함으로써, FR 배치대(20)를 통해 설치판(82)에 고정된다.
FR용 세라믹 히터(22)와 FR용 냉각판(24) 사이 중의 접착 시트(25)의 내주측에는, 접착 시트(25)의 내주부(내주면)를 둘러싸도록 접착성의 내주측 보호재(27i)가 마련된다. 접착 시트(25)와 내주측 보호재(27i)는, 접착되어 있다. FR용 세라믹 히터(22)와 FR용 냉각판(24) 사이 중의 접착 시트(25)의 외주측에는, 접착 시트(25)의 외주부(외주면)를 둘러싸도록 접착성의 외주측 보호재(27o)가 마련된다. 접착 시트(25)와 외주측 보호재(27o)는, 접착되어 있다. 접착 시트(25)의 열팽창 계수(CTE)는, 내주측 보호재(27i)의 CTE 이하이며, 바람직하게는 내주측 보호재(27i)보다 작다. 접착 시트(25)의 CTE는, 외주측 보호재(27o)의 CTE 이상이며, 바람직하게는 외주측 보호재(27o)보다 크다. 내주측 보호재(27i) 및 외주측 보호재(27o)는, 웨이퍼 처리 장치(10)가 사용되는 환경의 분위기(예컨대 프로세스 가스나 플라즈마 등의 분위기)에 있어서 접착 시트(25)보다 내식성이 높은 재료로 형성된다. 그 때문에, 내주측 보호재(27i) 및 외주측 보호재(27o)는, 사용 환경의 분위기로부터 접착 시트(25)를 보호하는 역할을 한다. 예컨대, 접착 시트(25)의 재료로서 에폭시 수지를 이용한 경우, 내주측 보호재(27i) 및 외주측 보호재(27o)의 재료로서 실리콘 수지를 이용할 수 있다. 이 경우, 내주측 보호재(27i)의 CTE와 외주측 보호재(27o)의 CTE를 다른 값으로 하는 데 있어서는, 동일한 조성의 실리콘 수지를 이용하여 그 실리콘 수지에 더하는 필러의 종류나 양을 조절하여도 좋고, 다른 조성의 실리콘 수지를 이용하여도 좋다. 필러로서는, 예컨대 알루미나나 이트리아 등을 들 수 있다.
FR용 냉각판(24)은, 내주측 절연막(29i) 및 외주측 절연막(29o)을 갖는다. 내주측 절연막(29i)은, FR용 냉각판(24)의 내주면과, FR용 냉각판(24)의 FR용 세라믹 히터(22)에 대향하는 면 중 내주측 보호재(27i)가 형성되는 부분에 마련된다. 본 실시형태에서는, 내주측 절연막(29i)은, 접착 시트(25)에 들어가 있다. 외주측 절연막(29o)은, FR용 냉각판(24)의 외주면과, FR용 냉각판(24)의 FR용 세라믹 히터(22)에 대향하는 면 중 외주측 보호재(27o)가 형성되는 부분에 마련된다. 본 실시형태에서는, 외주측 절연막(29o)은, 접착 시트(25)에 들어가 있다. 절연막(29i, 29o)은, 사용 환경 하에서의 내식성을 갖는 것이 바람직하다. 절연막(29i, 29o)으로서는, 예컨대 용사막을 채용할 수 있다. 용사막의 재질로서는, 절연성의 세라믹스(예컨대 알루미나나 이트리아 등)를 들 수 있다.
이 FR 배치대(20)는, 예컨대 이하의 방법에 따라 제조할 수 있다. 먼저, FR용 세라믹 히터(22), FR용 냉각판(24) 및 양면 테이프를 준비한다. 양면 테이프는, 최종적으로는 접착 시트(25)가 되는 것이며, 양면에 박리지를 구비하는 것이다. 계속해서, 양면 테이프의 한쪽의 면으로부터 박리지를 벗겨 접착면을 노출시키고, FR용 냉각판(24)의 표면에 양면 테이프의 접착면을 접착한다. 계속해서, 양면 테이프의 다른 한쪽의 면으로부터 박리지를 벗겨 접착면을 노출시키고, 거기에 FR용 세라믹 히터(22)의 이면(22b)를 올려 접착시킨다. 이에 의해, FR용 세라믹 히터(22)와 FR용 냉각판(24)이 접착 시트(25)에 의해 접착된 상태가 된다. 그 후, FR용 세라믹 히터(22)와 FR용 냉각판(24) 사이로서 접착 시트(25)의 주위(내주측과 외주측)에, 접착성의 충전재를 충전한다. 충전재는, 최종적으로는 내주측 및 외주측 보호재(27i, 27o)가 되는 것이다. 이때, 충전재와 접착 시트(25)가 밀착하도록 충전재를 충전한다. 그 후, 충전재를 경화시켜 내주측 및 외주측 보호재(27i, 27o)로 한다. 이렇게 함으로써, FR 배치대(20)가 얻어진다.
다음에, 웨이퍼 처리 장치(10)의 사용예에 대해서 도 1을 이용하여 설명한다. 챔버(80)는, 내부에 웨이퍼 처리 장치(10)를 설치하기 위한 설치판(82)을 구비한다. 설치판(82)에는, 전술한 바와 같이 웨이퍼 처리 장치(10)가 설치된다. 챔버(80)의 천장면에는, 프로세스 가스를 다수의 가스 분사 구멍으로부터 챔버(80)의 내부로 방출하는 샤워 헤드(90)가 배치된다.
웨이퍼 처리 장치(10)의 표면(14a)에는, 원반형의 웨이퍼(W)가 배치된다. 웨이퍼(W)의 온도는, 웨이퍼용 세라믹 히터(14)의 저항 발열체(14d)에 공급하는 전력이나 웨이퍼용 냉각판(16)의 도시하지 않는 냉매 통로에 공급하는 냉매의 온도를 조절함으로써 제어할 수 있다. 웨이퍼(W)의 온도 제어는, 도시하지 않는 온도 검출 센서에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 검출하고, 그 온도가 목표 온도가 되도록 피드백함으로써 실행된다.
웨이퍼 처리 장치(10)의 표면(22a)에는, 포커스링(FR)이 배치된다. 포커스링은, 웨이퍼(W)와 간섭하지 않도록 상단부의 내주를 따라 단차를 구비한다. 포커스링의 온도는, FR용 세라믹 히터(22)의 저항 발열체(22d)에 공급하는 전력이나 FR용 냉각판(24)의 도시하지 않는 냉매 통로에 공급하는 냉매의 온도를 조절함으로써 제어할 수 있다. 포커스링의 온도 제어는, 도시하지 않는 온도 검출 센서에 의해 포커스링의 온도를 검출하고, 그 온도가 목표 온도가 되도록 피드백함으로써 실행된다.
이 상태에서, 챔버(80)의 내부를 소정의 진공 분위기(또는 감압 분위기)가 되도록 설정하고, 샤워 헤드(90)로부터 프로세스 가스를 공급하면서 웨이퍼 배치대(12)의 웨이퍼용 냉각판(16)과 샤워 헤드(90) 사이에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시킨다. 그리고, 그 플라즈마를 이용하여 웨이퍼에 CVD 성막을 실시하거나 에칭을 실시하거나 한다. 또한, 설치판(82)의 하방 공간은 대기 분위기이다.
웨이퍼(W)가 플라즈마 처리됨에 따라 포커스링도 소모되지만, 포커스링은 두께가 두껍기 때문에, 포커스링의 교환은 복수매의 웨이퍼(W)를 처리한 후에 행해진다.
여기서, FR 배치대(20)의 접착 시트(25)나 내주측 및 외주측 보호재(27i, 27o)의 거동에 대해서, 도 3의 부분 확대도를 참조하면서 설명한다. FR 배치대(20)가 고온이 되면, 접착 시트(25)도 내주측 및 외주측 보호재(27i, 27o)도 반경 외방향(도 3의 부분 확대도의 화살표 방향)으로 신장하려고 한다. 여기서, 접착 시트(25)의 CTE는 내주측 보호재(27i)의 CTE 이하이기 때문에, 접착 시트(25)가 반경 외방향으로 신장하는 양(도 3의 검은 화살표)은 내주측 보호재(27i)가 반경 외방향으로 신장하는 양(도 3의 회색 화살표)과 동일하거나 그보다 적다. 그 때문에, 접착 시트(25)가 내주측 보호재(27i)를 반경 외방향으로 인장하는 인장 응력은 발생하지 않는다. 따라서, 접착 시트(25) 및 내주측 보호재(27i) 중 적어도 한쪽에 있어서 열팽창차에 기인하는 문제점(예컨대 박리나 균열 등)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 접착 시트(25)의 CTE는 외주측 보호재(27o)의 CTE 이상이기 때문에, 외주측 보호재(27o)가 반경 외방향으로 신장하는 양(도 3의 흰 화살표)은 접착 시트(25)가 반경 외방향으로 신장하는 양(도 3의 검은 화살표)과 동일하거나 그보다 적다. 그 때문에, 외주측 보호재(27o)가 접착 시트(25)를 반경 외방향으로 인장하는 인장 응력은 발생하지 않는다. 따라서, 접착 시트(25) 및 외주측 보호재(27o) 중 적어도 한쪽에 있어서 열팽창차에 기인하는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 본 실시형태의 구성 요소와 본 발명의 구성 요소의 대응 관계를 명확히 한다. 본 실시형태의 FR 배치대(20)가 본 발명의 포커스링 배치대에 상당하고, FR용 세라믹 히터(22)가 세라믹 히터에 상당하며, FR용 냉각판(24)이 금속 베이스에 상당하고, 접착 시트(25)가 접착재에 상당하며, 내주측 및 외주측 보호재(27i, 27o)가 각각 내주측 및 외주측 보호재에 상당한다.
이상 설명한 FR 배치대(20)에서는, 접착 시트(25)는 내주측 및 외주측 보호재(27i, 27o)에 의해 보호되기 때문에, FR 배치대(20)의 사용 환경에서의 접착 시트(25)의 내식성이 향상된다. 또한, 접착 시트(25)의 CTE를 내주측 보호재(27i)의 CTE 이하이며 또한 외주측 보호재(27o)의 CTE 이상으로 하였기 때문에, 접착 시트(25), 내주측 보호재(27i) 및 외주측 보호재(27o) 중 어느 하나에 있어서, 열팽창차에 기인하는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, FR용 냉각판(24)은, FR용 냉각판(24)의 측면 및 FR용 세라믹 히터(22)에 대향하는 면 중 내주측 및 외주측 보호재(27o, 27i)가 형성되는 부분에 내주측 절연막(29i) 및 외주측 절연막(29o)을 갖기 때문에, FR용 냉각판(24)을 통해 예기하지 못한 방전이 일어나는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에 있어서, 접착 시트(25)와 내주측 보호재(27i)를 다른 재료로 형성하거나, 접착 시트(25)와 외주측 보호재(27o)를 다른 재료로 형성하거나 하는 경우에는, 이들의 CTE를 동일하게 하는 것은 용이하지 않은 경우가 있다. 그 때문에, 접착 시트(25)의 CTE를, 내주측 보호재(27i)의 CTE보다 작게 하고, 외주측 보호재(27o)의 CTE보다 크게 하여도 좋다.
전술한 실시형태에 있어서, 웨이퍼용 세라믹 히터(14) 중 표면(14a)과 저항 발열체(14d) 사이에 정전 전극을 마련하고, 정전 전극에 직류 전압을 인가함으로써 웨이퍼(W)를 표면(14a)에 흡착시켜도 좋다. 또는, FR용 세라믹 히터(22) 중 표면(22a)과 저항 발열체(22d) 사이에 정전 전극을 마련하고, 정전 전극에 직류 전압을 인가함으로써 포커스링을 표면(22a)에 흡착시켜도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 웨이퍼용 냉각판(16)과 FR용 냉각판(24)을 별도 부재로 하였지만, 웨이퍼용 냉각판(16)과 FR용 냉각판(24)을 일체화하여 하나의 부재로 하여도 좋다.
전술한 실시형태에 있어서, 예컨대, 접착 시트(25), 내주측 보호재(27i) 및 외주측 보호재(27o)의 재료를 전부 에폭시 수지로 하며, 내주측 보호재(27i)로서 CTE가 3×10-5[/℃]인 에폭시 수지를 이용하고, 접착 시트(25)로서 CTE가 1×10-5[/℃]인 에폭시 수지 시트를 이용하며, 외주측 보호재(27o)로서 CTE가 6×10-6[/℃]인 에폭시 수지를 이용하여도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 접착재로서, 접착 시트(25)를 예시하였지만, 접착 시트(25) 대신에, 유동성이 있는 수지를 경화시킨 것 등을 이용하여도 좋다.
본 출원은 2021년 6월 10일에 출원된 일본국 특허 출원 제2021-097248호를 우선권 주장의 기초로 하며, 인용에 의해 그 내용의 전부가 본 명세서에 포함된다.

Claims (3)

  1. 포커스링이 배치되는 원환형의 세라믹 히터와,
    금속 베이스와,
    상기 금속 베이스와 상기 세라믹 히터를 접착하는 접착재와,
    상기 금속 베이스와 상기 세라믹 히터 사이에서 상기 접착재의 내주부에 접착하도록 마련되는 내주측 보호재와,
    상기 금속 베이스와 상기 세라믹 히터 사이에서 상기 접착재의 외주부에 접착하도록 마련되는 외주측 보호재
    를 구비하고,
    상기 접착재의 열팽창 계수는, 상기 내주측 보호재의 열팽창 계수 이하이며, 상기 외주측 보호재의 열팽창 계수 이상인 것인, 포커스링 배치대.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착재의 열팽창 계수는, 상기 내주측 보호재의 열팽창 계수보다 작으며, 상기 외주측 보호재의 열팽창 계수보다 큰 것인, 포커스링 배치대.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속 베이스는, 상기 금속 베이스의 측면 및 상기 세라믹 히터에 대향하는 면 중 적어도 상기 내주측 보호재 및 상기 외주측 보호재가 형성되는 부분에 절연막을 갖는 것인, 포커스링 배치대.
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