CN109962031B - 一种受保护的静电吸盘及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种受保护的静电吸盘及其应用，该静电吸盘包含：静电夹盘，其包含：自下而上依次设置的基层、中间粘合层和陶瓷层；以及环状保护板，其用于密封中间粘合层，包含：环状工程塑料层和环状橡胶层，该环状工程塑料层和环状橡胶层粘结在一起。环状保护板围置并覆盖在中间粘合层的外侧面的裸露部分上。本发明的受保护的静电吸盘的环状保护板，通过对其环状橡胶层和环状塑料层的热膨胀系数的设计，使其不会有受热热膨胀过大从ESC配合处有间隙或脱落的问题，而且能够使静电吸盘耐腐蚀，使用该静电吸盘在真空处理室中进行晶圆刻蚀过程中，能够避免气体对静电吸盘的腐蚀，环状保护板不易脱落或出现缝隙，其使用寿命提高。

Description

一种受保护的静电吸盘及其应用

技术领域

本发明涉及一种静电吸盘，具体涉及一种受保护的静电吸盘及其应用。

背景技术

ESC sidewall glue(静电吸盘侧壁胶)在加工过程中，容易受到腐蚀性气体及自由基等的侵蚀，造成胶中的填充物脱落从而引起晶圆颗粒和金属污染等问题。同时，密封胶被侵蚀使静电吸盘侧壁直接暴露在等离子体环境中，会导致对静电吸盘侧壁的直接电弧放电，引起ESC(electrostatic chuck，静电吸盘)损坏及金属污染问题。

如图1所示，为侧壁通过密封胶密封的ESC在等离子体腔室中的加工过程示意图，从图中可以看出ESC的侧壁仅通过密封胶密封，在加工过程中，密封胶暴露在腐蚀性的气体和自由基中，在腐蚀性的气体和自由基的侵蚀下，侧壁的密封胶会被慢慢被腐蚀掉，从而引起ESC侧壁电弧放电、晶圆颗粒以及金属污染的问题。

为了避免侧壁胶的腐蚀，目前采用侧壁环状保护板以保护密封胶。如图2所示，为侧壁安装环状保护板的ESC在等离子体腔室中的加工过程示意图，如图3所示，为侧壁安装环状保护板的ESC的局部放大示意图，从图中可以看出侧壁安装环状保护板后，密封胶不会暴露在等离子体环境中，与腐蚀性气体及自由基隔开，从而避免了ESC侧壁密封胶被侵蚀。

ESC的侧壁环状保护板的材料很大程度上决定了环状保护板的寿命，进而决定了ESC的寿命。一般的，ESC侧壁环状保护板材料有橡胶环(rubber band)和工程塑料环等。

但是，橡胶板和工程塑料板均有其缺陷，ESC侧壁环状保护板的主要的失效形式：应力腐蚀断裂和热膨胀失效，前者为橡胶板的主要失效形式，后者为工程塑料板的主要失效形式。

橡胶板在受腐蚀性气体侵蚀后，表现为重量减轻，局部裂纹断裂失效。并且，不同的橡胶板材料在腐蚀性气体中的使用寿命不一样，总体使用寿命都偏短，一般的小于300RFh，使用寿命急待提高。

工程塑料板的主要问题在于其弹性差或基本没有弹性，其拉伸率小，导致在高温使用过程中，工程塑料板膨胀大于ESC的外径，与ESC外径不贴合形成间隙，甚至从ESC外径脱落导致ESC侧壁电弧放电。

无论橡胶板设计还是工程塑料板都存在缺陷，要么应力腐蚀断裂，寿命短，要么高温使用工程塑料板脱落，进而导致ESC侧壁胶密封失败。

发明内容

本发明的目的是提供一种受保护的静电吸盘及其应用，该静电吸盘解决了现有的静电吸盘的环状保护板应力腐蚀断裂、高温易脱落等问题，具有较好的弹性以及耐高温性能，不易脱落。

为了达到上述目的，本发明提供了一种受保护的静电吸盘，该静电吸盘包含：静电夹盘，其包含：自下而上依次设置的基层、中间粘合层和陶瓷层；以及环状保护板，其用于密封中间粘合层，包含：环状工程塑料层和环状橡胶层，其中环状工程塑料层环绕所述环状橡胶层，该环状工程塑料层和环状橡胶层粘结在一起。

其中，所述的环状保护板围置并覆盖在所述的中间粘合层的外侧面的裸露部分上。

所述的环状工程塑料层采用的材料包含：TEFLON、聚醚醚酮和热固性的聚酰亚胺中的任意一种。

所述的环状工程塑料层为由不同的材料制备的保护带而复合的环状工程塑料层。

所述的环状橡胶层采用的材料包含：全氟材料或非全氟材料。

所述的环状橡胶层为由不同的材料制备的保护带而复合的环状橡胶层。

所述的中间粘合层设置在所述的基层和陶瓷层之间且其直径小于所述的基层和陶瓷层的直径。

所述的环状保护板设置在所述的中间粘合层的外围，且设置在所述的基层和陶瓷层之间。

该静电吸盘还包含：位于所述的环状保护板和中间粘合层之间的密封胶层。

所述的环状橡胶层与所述的密封胶层紧贴。

所述的环状工程塑料层的热膨胀系数大于所述的静电夹盘的热膨胀系数，所述的环状橡胶层的热膨胀系数大于所述的环状工程塑料层的热膨胀系数。

所述的环状橡胶层的热膨胀系数为所述的环状工程塑料层的热膨胀系数的1.5～5倍。

所述的环状橡胶层的热膨胀系数为150～250×10^-6μm/(m*℃)；所述的环状工程塑料层的热膨胀系数为50～100×10^-6μm/(m*℃)。

所述的基层中设有冷却液管道。

所述的陶瓷层中设有：静电吸附电极；在使用状态时，该静电吸附电极与高压直流电源连接。

本发明还提供了一种真空处理室，该真空处理室包含：反应腔；该反应腔内设有基座；在该基座上设有如所述的静电吸盘，其用于对待处理的基片进行支撑和固定。

本发明还提供了一种等离子体处理装置，该装置包含：真空处理室，其为如所述的真空处理室；气体供应装置，其与所述的反应腔连接，用于输送反应气体至所述的反应腔内；以及射频功率源，其与所述的反应腔连接，用于施加射频功率至所述的反应腔，将反应腔内的反应气体电离产生等离子体。

本发明的受保护的静电吸盘及其应用，解决了现有的静电吸盘的环状保护板应力腐蚀断裂、高温易脱落等问题，具有以下优点：

本发明的静电吸盘的侧壁环状保护板既具有橡胶的弹性又具有工程塑料的耐腐蚀性，通过对其环状橡胶层和环状工程塑料层的热膨胀系数的设计，使其不会有受热热膨胀过大从ESC配合处有间隙或脱落的问题，同时具有较好的耐腐蚀性。

附图说明

图1为侧壁通过密封胶密封的ESC在等离子体腔室中的加工过程示意图。

图2为侧壁安装环状保护板的ESC在等离子体腔室中的加工过程示意图。

图3为侧壁安装环状保护板的ESC的局部放大示意图。

图4为本发明的静电吸盘的结构示意图。

图5为本发明的真空处理室的结构示意图。

图6为本发明的等离子体处理装置的结构示意图。

图7为本发明实施例6的电感耦合型等离子体反应装置的结构示意图。

图8为本发明实施例7的电容耦合型等离子体反应装置的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。

一种受保护的静电吸盘，如图4所示，为本发明的静电吸盘的结构示意图，该静电吸盘1包含：静电夹盘，其包含：自下而上依次设置的基层10、中间粘合层20和陶瓷层30；以及环状保护板40，其用于密封中间粘合层20，包含：环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b，该环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b粘结在一起。

其中，环状保护板40围置并覆盖在中间粘合层20的外侧面的裸露部分上。

其中，基层10通常由铝或铝合金制成，同时充当下电极，陶瓷层30中还设置有静电吸附电极，静电吸附电极与外部的高压直流电源连接实现对待处理基片的静电吸附。

上述环状保护板40包括：环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b，环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b粘结在一起。通过对其环状橡胶层40b的伸展率的设计，使其不会有受热热膨胀过大从ESC配合处有间隙或脱落的问题。

优选地，环状工程塑料层40a紧贴于环状橡胶层40b外围。环状工程塑料层40a的耐腐蚀性要优于环状橡胶层40b，线性热膨胀系数要小于环状橡胶层40b。

该静电吸盘1还包含：位于环状保护板40和中间粘合层20之间的密封胶层50，环状橡胶层40b与密封胶层50紧贴。如果环状工程塑料层40a的水平方向足够厚，能够保证不同工作温度下完全密封内部的中间粘合层20，则环状橡胶层40b内侧的密封胶层50可以省略，中间粘合层20外只设置环状橡胶层40b和环状工程塑料层40a也能实现本发明目的。

在等离子处理过程中，由于大量射频功率施加到真空处理室中的下电极也就是基层10，同时基片上方的等离子体热量也向下传播，导致在进行等离子处理工艺时，静电夹盘的温度会慢慢提升。基层10内虽然通常还设置有冷却液管道，通过控制冷却液的流量和温度控制基层10，但是静电夹盘上的热量还是会导致上述环状保护板40会随着等离子处理工艺的进行逐渐升温。由于静电夹盘与环状保护板40的温度同步提升，所以静电夹盘与环状保护板40的膨胀幅度取决于各种的热膨胀系数，通过设计橡胶板的拉伸率(stretch rate)以保证不会有受热热膨胀过大使ESC配合处有间隙或脱落的问题。

环状橡胶层40b的热膨胀系数为所述的环状工程塑料层40a的热膨胀系数的1.5～5倍，优选地，环状橡胶层40b的热膨胀系数为150～250×10^-6μm/(m*℃)、静电夹盘的膨胀系数为21.6×10^-6μm/(m*℃)，环状工程塑料层40a的热膨胀系数为50～100×10^-6μm/(m*℃)，三者中环状工程塑料层40a的膨胀系数比静电夹盘大，所以相对静电夹盘外边缘向外侧移动，环状橡胶层40b的膨胀系数比环状工程塑料层40a还要大，所以环状橡胶层40b膨胀过程中将环状工程塑料层40a膨胀后留下的间隙填满，而且还向外侧的环状工程塑料层40a提供额外的朝向环状工程塑料层40a内侧壁的压力，这种压力产生足够大的摩擦力使得环状工程塑料层40a不会松动掉落，同时也能够填充满环状工程塑料层40a外扩后空出来的间隙避免腐蚀性气体渗入。

因此，本发明采用复合的多层材料围绕成的环状保护板40，在等离子处理过程中可以通过环状保护板40最外侧的环状工程塑料层40a抵抗大部分腐蚀性气体的腐蚀，同时由环状橡胶层40b密封环状保护板40内部的空间，即使在环状保护板40膨胀过程中有少量腐蚀气体渗透到环状橡胶层40b表面，由于数量少可以使得环状橡胶层40b的腐蚀速度仍然足够低。

此外，在等离子处理过程中带来的静电夹盘升温过程中由于环状橡胶层40b与环状工程塑料层40a的材料特性可以使得环状工程塑料层40a膨胀过程中被内部环状橡胶层40b向外膨胀的压力顶住不会脱落，环状橡胶层40b始终能够得到外部环状工程塑料层40a的保护，延长了环状保护板40整体的使用寿命。在静电夹盘的温度下降后，上述环状保护板40中的环状橡胶层40b大幅收缩将环状工程塑料层40a拉回到初始位置，继续完整的保护静电夹盘中的中间粘合层20以及其外围边缘的密封胶层50。

上述环状工程塑料层采用的材料包含：TEFLON、聚醚醚酮和热固性的聚酰亚胺中的任意一种。

上述环状工程塑料层40a为由不同的材料制备的保护带而复合的环状工程塑料层。

上述环状橡胶层采用的材料包含：全氟材料或非全氟材料。

上述环状橡胶层40b为由不同的材料制备的保护带而复合的环状橡胶层。

中间粘合层20设置在基层10和陶瓷层30之间且其长度小于基层10和陶瓷层30的长度。

环状保护板40设置在中间粘合层20的外周围，且设置在基层10和陶瓷层30之间。

一种真空处理室，如图5所示，为本发明的真空处理室的结构示意图，该真空处理室包含：反应腔100；该反应腔100内设有基座110；在该基座110上设有上述静电吸盘1，其用于对待处理的基片1A进行支撑和固定。

一种等离子体处理装置，如图6所示，为本发明的等离子体处理装置的结构示意图，该装置包含：真空处理室，其为上述的真空处理室；气体供应装置200，其与反应腔100连接，用于输送反应气体至反应腔100内；以及射频功率源300，其与反应腔100连接，用于施加射频功率至反应腔100，将反应腔100内的反应气体电离产生等离子体。

该装置为电容耦合等离子体处理装置或电感耦合等离子体处理装置。

实施例1

一种受保护的静电吸盘，该静电吸盘1包含：自下而上依次设置的基层10、中间粘合层20和陶瓷层30，以及用于密封中间粘合层20的环状保护板40。

中间粘合层20设置在基层10和陶瓷层30之间，中间粘合层20的长度小于基层10和陶瓷层30的长度。

环状保护板40围置于中间粘合层20的外围，且设置在基层10和陶瓷层30之间。

该环状保护板40包含：环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b，环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b粘合在一起。

环状保护板40的环状橡胶层40b与中间粘合层20的外侧面紧贴，环状工程塑料层40a在外侧。

上述环状工程塑料层40a采用的材料包含：TEFLON、聚醚醚酮和热固性的聚酰亚胺中的任意一种。具体地，环状工程塑料层可选用TEFLON板、peek板或vespel板。

上述环状橡胶层40b采用的材料包含：全氟材料和非全氟材料中的任意一种。

环状橡胶层40b的热膨胀系数为环状工程塑料层40a的热膨胀系数的1.5倍，具体地，环状橡胶层40b的热膨胀系数为150×10^-6μm/(m*℃)、静电夹盘的膨胀系数为21.6×10^-6μm/(m*℃)，环状工程塑料层40a的热膨胀系数为100×10^-6μm/(m*℃)。

实施例2

一种受保护的静电吸盘，该静电吸盘1包含：自下而上依次设置的基层10、中间粘合层20和陶瓷层30，用于密封中间粘合层20的环状保护板40，以及位于环状保护板40和中间粘合层20之间的密封胶层50。

中间粘合层20设置在基层10和陶瓷层30之间，中间粘合层20的长度小于基层10和陶瓷层30的长度。

环状保护板40围置于中间粘合层20的外围，且设置在基层10和陶瓷层30之间。

环状保护板40包含：环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b，环状工程料层40a和环状橡胶层40b粘合在一起。环状橡胶层40b与密封胶层50紧贴，环状工程塑料层40a在外侧。

上述环状工程塑料层采用的材料包含：TEFLON、聚醚醚酮和热固性的聚酰亚胺中的任意一种。具体地，环状工程塑料层可选用TEFLON板、peek板或vespel板。

上述环状橡胶层采用的材料包含：全氟材料和非全氟材料中的任意一种。

环状橡胶层40b的热膨胀系数为环状工程塑料层40a的热膨胀系数的5倍，具体地，环状橡胶层40b的热膨胀系数为250×10^-6μm/(m*℃)、静电夹盘的膨胀系数为21.6×10^-6μm/(m*℃)，环状工程塑料层40a的热膨胀系数为50×10^-6μm/(m*℃)。

实施例3

一种受保护的静电吸盘，该静电吸盘1包含：自下而上依次设置的基层10、中间粘合层20和陶瓷层30，用于密封中间粘合层20的环状保护板40，以及位于环状保护板40和中间粘合层20之间的密封胶层50。

中间粘合层20设置在基层10和陶瓷层30之间，中间粘合层20的长度小于基层10和陶瓷层30的长度。

环状保护板40围置于中间粘合层20的外围，且设置在基层10和陶瓷层30之间。

环状保护板40包含：环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b，环状工程料层40a和环状橡胶层40b粘合在一起。环状橡胶层40b与密封胶层50紧贴，环状工程塑料层40a在外侧。

上述环状工程塑料层为由TEFLON板、peek板和vespel板制备的保护带复合的环状工程塑料层。

上述环状橡胶层为由全氟材料制备的保护带复合的环状橡胶层。

环状橡胶层40b的热膨胀系数为环状工程塑料层40a的热膨胀系数的5倍，具体地，环状橡胶层40b的热膨胀系数为250×10^-6μm/(m*℃)、静电夹盘的膨胀系数为21.6×10^-6μm/(m*℃)，环状工程塑料层40a的热膨胀系数为50×10^-6μm/(m*℃)。

实施例4

一种受保护的静电吸盘，该静电吸盘1包含：自下而上依次设置的基层10、中间粘合层20和陶瓷层30，用于密封中间粘合层20的环状保护板40，以及位于环状保护板40和中间粘合层20之间的密封胶层50。

中间粘合层20设置在基层10和陶瓷层30之间，中间粘合层20的长度小于基层10和陶瓷层30的长度。

环状保护板40围置于中间粘合层20的外围，且设置在基层10和陶瓷层30之间。

环状保护板40包含：环状工程塑料层40a和环状橡胶层40b，环状工程料层40a和环状橡胶层40b粘合在一起。环状橡胶层40b与密封胶层50紧贴，环状工程塑料层40a在外侧。

上述环状工程塑料层为由TEFLON板和vespel板制备的保护带复合的环状工程塑料层。

上述环状橡胶层为由全氟材料制备的保护带复合的环状橡胶层。

环状橡胶层40b的热膨胀系数为环状工程塑料层40a的热膨胀系数的2.5倍，具体地，环状橡胶层40b的热膨胀系数为200×10^-6μm/(m*℃)、静电夹盘的膨胀系数为21.6×10^-6μm/(m*℃)，环状工程塑料层40a的热膨胀系数为80×10^-6μm/(m*℃)。

实施例5

一种真空处理室，该真空处理室包含：反应腔100。该反应腔100内设有基座110，在基座110上设有实施例2的静电吸盘1，用于对待处理的基片1A进行支撑和固定。

实施例6

一种电感耦合型等离子体反应装置，如图7所示，为本发明实施例6的电感耦合型等离子体反应装置的结构示意图，该装置包含：实施例5的真空处理室，设置在反应腔100顶部的绝缘窗口400，设置在绝缘窗口400上的电感耦合线圈500，设置在电感耦合线圈500上的射频功率源300(RF)，设置在反应腔100底部的偏置功率源600，设置在反应腔100的下方且用于将反应副产物排出反应腔100的内部的排气泵700，以及与反应腔100连通且用于提供反应气的气体供应装置200。

反应腔100上部设有上电极，下部设有下电极，射频功率源300与上电极电连接，偏置功率源600与下电极电连接。

反应腔100外壁靠近绝缘窗口400的一端设置气体喷入口310，该气体喷入口310用于连接气体供应装置200和反应腔100。

射频功率源300的射频功率驱动电感耦合线圈500产生较强的高频交变磁场，使得低压的反应气体被电离产生等离子体。

等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片1A的表面发生多种物理和化学反应，使得待处理基片1A表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。

实施例7

一种电容耦合型等离子体反应装置，如图8所示，为本发明实施例7的电容耦合型等离子体反应装置的结构示意图，该装置包括：实施例5的真空处理室，设置在反应腔100上部的安装基座2，设置在安装基座2上的气体喷淋头3和接地环4，与气体喷淋头3连通且用于向反应腔100内部输送反应气体的气体供应装置200，设置在反应腔100的下方且用于将反应副产物排出反应腔200的内部的排气泵700，设置在反应腔100上的电极5，以及设置在电极5上的射频功率源300。

射频功率源300使得低压的反应气体被电离产生等离子体。

等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片1A的表面发生多种物理和化学反应，使得待处理基片1A表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。在使用过程中，未出现环状保护板脱落或有缝隙等问题。

综上所述，本发明的受保护的静电吸盘及其应用，该静电吸盘的侧壁环状保护板通过对其环状橡胶层和环状工程塑料层温度热膨胀系数的设计，使其不会有受热热膨胀过大从ESC配合处有间隙或脱落的问题。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (16)

1.一种受保护的静电吸盘，其特征在于，该静电吸盘(1)包含：

静电夹盘，其包含：自下而上依次设置的基层(10)、中间粘合层(20)和陶瓷层(30)；以及

环状保护板(40)，其用于密封中间粘合层(20)，包含：环状工程塑料层(40a)和环状橡胶层(40b)，其中环状工程塑料层(40a)环绕所述环状橡胶层(40b)，该环状工程塑料层(40a)和环状橡胶层(40b)粘结在一起；

所述的环状保护板(40)围置并覆盖在所述的中间粘合层(20)的外侧面的裸露部分上；所述环状工程塑料层(40a)在外侧，所述环状橡胶层(40b)设于所述中间粘合层(20)与所述环状工程塑料层(40a)之间；

所述的环状橡胶层(40b)的热膨胀系数大于所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状工程塑料层(40a)采用的材料包含：TEFLON、聚醚醚酮和热固性的聚酰亚胺中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状工程塑料层(40a)为由不同的材料制备的保护带而复合的环状工程塑料层。

4.根据权利要求2所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)采用的材料包含：全氟材料或非全氟材料。

5.根据权利要求4所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)为由不同的材料制备的保护带而复合的环状橡胶层。

6.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的中间粘合层(20)设置在所述的基层(10)和陶瓷层(30)之间且其直径小于所述的基层(10)和陶瓷层(30)的直径。

7.根据权利要求6所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状保护板(40)设置在所述的中间粘合层(20)的外围，且设置在所述的基层(10)和陶瓷层(30)之间。

8.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，该静电吸盘(1)还包含：位于所述的环状保护板(40)和中间粘合层(20)之间的密封胶层(50)。

9.根据权利要求8所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层与所述的密封胶层(50)紧贴。

10.根据权利要求9所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数大于所述的静电夹盘的热膨胀系数。

11.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)的热膨胀系数为所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数的1.5～5倍。

12.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的环状橡胶层(40b)的热膨胀系数为150～250×10^-6μm/(m*℃)；所述的环状工程塑料层(40a)的热膨胀系数为50～100×10^-6μm/(m*℃)。

13.根据权利要求1所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的基层(10)中设有冷却液管道。

14.根据权利要求13所述的受保护的静电吸盘，其特征在于，所述的陶瓷层(30)中设有：静电吸附电极；在使用状态时，该静电吸附电极与高压直流电源连接。

15.一种真空处理室，其特征在于，该真空处理室包含：反应腔(100)；该反应腔(100)内设有基座(110)；在该基座(110)上设有如权利要求1-14中任意一项所述的静电吸盘(1)，其用于对待处理的基片(1A)进行支撑和固定。

16.一种等离子体处理装置，其特征在于，该装置包含：

真空处理室，其为如权利要求15所述的真空处理室；

气体供应装置(200)，其与所述的反应腔(100)连接，用于输送反应气体至所述的反应腔(100)内；以及

射频功率源(300)，其与所述的反应腔(100)连接，用于施加射频功率至所述的反应腔(100)，将反应腔(100)内的反应气体电离产生等离子体。

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