CN1698192A - 使用静电卡盘的基板保持机构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基板保持机构，其具备：具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成、并具有比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面，在设置在所述静电吸附板上的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；至少以使所述粘结剂层隐藏的方式覆盖所述外周面及所述侧面的第二保护部件。

Description

使用静电卡盘的基板保持机构及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种例如在半导体基板上实施CVD或蚀刻等处理的基板处理装置及其制造方法。特别是本发明涉及一种在该基板处理装置中使用为了保持基板而使用的静电卡盘的基板保持机构及其制造方法。

背景技术

用于半导体设备制造的工序由多个工序所组成。例如，作为用于在半导体晶片(以下称为晶片)上形成电路结构的主要工序有：清洗晶片的清洗工序，形成金属膜及绝缘膜的成膜工序，用光致抗蚀剂形成电线结构的影印石版工序，蚀刻形成保护层结构的晶片的蚀刻工序，注入其它杂质的工序等。

例如，在上述蚀刻工序中使用等离子体的情况或在成膜工序中通过CVD装置进行处理的情况下，将晶片搬入真空室内，处理在该真空室内进行。

在CVD装置或蚀刻装置中，为了在真空室内保持被处理基板，使用静电卡盘。

作为静电卡盘，一般使用在卡盘本体和晶片之间设置有静电吸附片的卡盘。上述卡盘本体由用于施加高频电压的导体构成，另一方面，上述静电吸附片，例如可以是作为绝缘层的2张聚酰亚胺片之间夹杂铜等导电片的东西，并具有柔软性(例如，参照日本特开平5-200640号公报)。

此外，作为静电卡盘，已知有在静电吸附片上例如通过喷镀，形成用于保护静电吸附片的陶瓷保护膜的结构。但是在这样的结构中，由于在基板处理中晶片被吸附/保持在陶瓷膜上，所以容易产生陶瓷膜的剥落，剥落的陶瓷粘在晶片等问题。因此，最近使用不是喷镀，而是使用粘结剂在静电吸附片上接合板状烧结陶瓷板而设置的结构。

但是，在用粘结剂将板状烧结的陶瓷板接合于静电吸附片的目前结构的CVD装置或蚀刻装置中，例如在使用氧系或氟系等离子体的情况下，会产生通过等离子体上述粘结剂腐蚀的问题。如果产生这样的腐蚀，则聚酰亚胺等静电吸附片或陶瓷板剥落，产生粒子。此外，通过粘结剂腐蚀，使静电卡盘的寿命缩短。

发明内容

因此，本发明主要目的在于，解决上述问题，提供一种新的有用的基板保持机构及其制造方法及具有该基板保持机构的基板处理装置。

本发明的更具体些的课题为，提供一种在具有用粘结剂将陶瓷板固定于静电吸附片的结构的基板保持机构中，在防止上述粘结剂的腐蚀、谋求长寿命化的同时，提供一种可以减轻起尘的基板保持机构及其制造方法，及具有该基板保持机构的基板处理装置。

本发明的另一课题是提供一种基板处理装置，其具有：

具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持基板的栽置台，所述突起部以围绕上述表面预定区域的方式连续形成，病愈具有高度大于上述表面的上面；

在上述表面上，在由上述突起部围绕的区域内设置的、以静电作用吸附基板的静电吸附板；

具有侧面，并且设置在上述静电吸附板上，同时其一部分与上述上面相对的、保护上述静电吸附板的第一保护部件；

至少设置在上述静电吸附板和上述第一保护部件之间的、接合上述静电吸附板和上述第一保护部件的粘结剂层，

至少以上述粘合剂层不被隐藏起来的方式覆盖上述外周面和上述侧面的第二保护部件。

根据本发明，吸附板被装载于在载置台表面突起部上被围成的区域内，并用粘结剂将第一保护部件接合在该吸附板上。此外，以覆盖上述突起的外周面和上述第一保护部件的侧面的方式设置第二保护部件。由此，上述粘结剂层被保护于等离子体或腐蚀性环境外，防止了上述粘结剂层的腐蚀。其结果为，能够抑制起尘，而且谋求基板处理装置的长寿命化。特别是通过设置突起部保护上述粘结剂层，而且通过用第二保护层覆盖突起部的外周面和第一保护部件的侧面，进而可靠地保护上述粘结剂层。本发明中上述第二保护部件，不必覆盖该外周面的全部和该侧面的全部，由于其至少以上述第一保护部件和上述突起部的相对的部分隐藏起来的方式覆盖第二保护部件，所以很充分。

在本发明的一个实施方式中，上述第二保护部件是通过喷镀形成的保护膜。通过使用喷镀，能够容易地形成上述第二保护部件。在粘结剂层外露的地方用喷镀形成第二保护部件的情况下，虽然存在因该喷镀热使粘结剂层碳化的危险，但根据本发明，由于设置有上述突起部，所以即使用喷镀在上述突起部的外周面形成第二保护部件，也不会发生粘结剂层碳化等问题。

在本发明的另一实施方式中，上述载置台和上述第一保护部件的热膨胀率被设定得大体相同。在热膨胀系数不同的情况下，在通过喷镀形成第二保护部件时，若载置台及第一保护部件中的任意一个比另一个膨胀大一些，则第二保护部件有破损的危险。通过使膨胀系数大体相同，能够避免这样的问题。优选上述第一保护部选由陶瓷所构成，上述载置台优选由含有铝、钛、钼或钨的陶瓷构成。

在本发明的另一实施方式中，虽然在上述第一保护部件和上述突起部之间产生间隙，但上述间隙被设定成10μm～30μm的大小，上述突起部的上面的宽度被设定成为50μm～150μm的大小。即，在上述间隙的大小为10μm～30μm的情况下，为了使突起部的高宽比为5以上，上述突起部的上面的宽度优选为50μm～150μm。通过使上述高宽比为5以上，在上述间隙为10μm～30μm的情况下，即使通过喷镀形成上述第二保护部件，该喷镀的喷流也不会到达位于突起部内部的粘结剂层。

在本发明的前一实施方式中，贯通上述第一保护部件、上述吸附板及上述载置台而形成第一沟槽，在上述第一沟槽内设置有用于相对该第一沟槽能够升降、进行基板的交接的销。而且，在上述第一沟槽内，以使上述粘结剂层隐藏的方式设置的第三保护部件。通常，在该载置台上形成贯通至上述第一保护部件的第一通孔，且在该第一通孔内插通基板交接用的销。在本发明中，为了避免在该第一通孔内粘结剂外露，至少用第三保护部件覆盖该露出部分。由此，即使等离子体侵入通孔，也能够保护粘结剂层。这里的所谓“相对的”可以指销的升降，也可以指载置台的升降。

在本发明的另一形式中，使用通过喷镀形成的保护膜作为上述第三保护部件。通过喷镀，可以容易地形成该第三保护部件。

在本发明的另一形式中，上述第一保护部件和上述静电吸附板各自具有由上述第一通孔形成的第一孔与第二孔，将上述第二孔的大小设定为小于上述第一孔的大小。由此，在通过喷镀形成上述第三保护部件时，防止例如从含有静电吸附板的吸附片和第一保护部件间的间隙，流入因喷镀产生喷流，粘结剂层碳化的问题。

在本发明的另一形式中，形成贯通上述第一保护部件、上述吸附板及上述载置台的第二通孔，还设置有：至少在上述第二通孔内流动向上述基板进行热传导用气体的气体供给部，和设置于上述第二通孔内的、以使上述粘结剂层隐藏的方式设置的第四保护部件。通常，在载置台上形成贯通至上述第一保护部件的第二通孔，并在该第二通孔内，例如流入用于从载置台向基板进行热传导的气体。在本发明中，为了避免该第二通孔内粘结剂层的外露，至少使用第一保护部件覆盖该露出部分。由此，即使等离子体进入第一通孔，也可以保护上述粘结剂层。在载置台上设置的第二通孔，可以不必贯通至该载置台的下面，也可以向载置台的侧面贯通。

在本发明的另一形式中，上述第四保护部件是由通过喷镀形成的保护膜构成。由此，可以容易地形成第四保护部件。

在本发明的另一形式中，上述第一保护部件和上述吸附板分别具有通过上述第二通孔形成的第三孔与第四孔，且上述第四孔的大小小于第三孔的大小。由此，在通过喷镀形成上述第四保护部件时，能够回避例如从包含吸附板的吸附片和第一保护部件之间，流入因喷镀产生的喷流，粘结剂层碳化的问题。

本发明的另一基板处理装置具备：具有第一侧面，载置基板的载置台；在上述表面上设置的，用于通过静电作用吸附基板的吸附板；具有第二侧面，在上述吸附板上设置的保护上述吸附板的第一保护部件；至少在上述吸附板和上述第一保护部件之间设置的接合上述吸附板和上述第一保护部件的第一粘结剂层；以使上述第一粘结剂层隐藏的方式设置的第二粘结剂层。

在本发明中，由于以使上述第一粘结剂层隐藏的方式设置第二粘结剂层，所以能够保护上述第一粘结剂层不受等离子体的影响，并且可以防止上述第一粘结剂层的腐蚀。由此，可以抑制发尘，同时谋求基板处理装置的长寿化。

在本发明的另一形式中，上述第二粘结剂层含有硅。在使用含有硅的粘结剂层作为上述第二粘结剂层的情况下，例如，如果等离子体是氧系的等离子体，则由于上述第二粘结剂层即使被等离子体氧化也仅生成氧化硅，所以第二粘结剂层的等离子体耐性不会成为问题。

在本发明的另一形式中，上述第二粘结剂层，以覆盖上述第一侧面与上述第二侧面的方式，至少被设置在接合上述静电吸附板与第一保护部件的高度的位置。通过在这样的高度设置第二粘结剂层，能够使上述第一粘结剂层与等离子体隔离。此外，由于这样仅从第一侧面和第二侧面涂敷第二粘结剂层，所以能够极为容易地制作该基板保持机构。

在本发明的另一形式中，还具有以覆盖上述第二粘结剂层的方式设置的聚酰亚胺部件。由此，能够进一步提高上述第一粘结剂层的对离子体的耐久性。

在本发明的另一形式中，上述第二粘结剂层被以围绕上述第一粘结剂层的方式设置在上述载置台和上述吸附板之间，接合上述载置台和上述吸附板。在本发明中，上述第二粘结剂层兼有接合载置台和吸附板的功能和保护上述第一粘结剂层不受等离子体影响的功能，所以甚为有效。

在本发明的另一形式中，贯通上述第一保护部件、上述吸附板及上述载置台而形成第一通孔，在上述第一通孔内设置有其被对应上述第一通孔能够相对升降、并进行基板的交接的销，还在上述第一通孔内，以使上述第一粘结剂层隐藏的方式设置有第三粘结剂层。该第三粘结剂层中可以含有硅。此外，也可以使上述第二粘结剂层和第三粘结剂层通过同一种材料构成。

在本发明的另一形式中，贯通上述第一保护部件、上述吸附板及上述载置台而形成第二通孔，还在上述第二通孔设置有，至少在上述第二通孔内流动向上述基板进行热传导气体的气体供给部，和以使上述第一粘结剂层隐藏的方式设置的第四粘结剂层。该第四粘结剂层可以含有硅，而且可以使上述第二粘结剂层、第三粘结剂层及第四粘结剂层通过同一种材料构成。

本发明的基板保持机构的制造方法具有：表面和以外周面划成的突起部的、用于保持基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕上述表面的预定区域的方式连续形成，并具有比上述表面的高度高的上面；通过以上述突起部围成的内侧在上述表面上设置，用于通过静电作用吸附基板的静电吸附板；

该极板处理装置的制造方法具备以下工序：

(A)通过粘结剂，将具有侧面的第一保护部件以使其一部分与上述上面相对的方式接合于上述静电吸附板上的工序；

(B)将保护上述粘结剂层的第二保护部件，至少以使上述粘结剂层隐藏的方式覆盖上述外周面与上述侧面的工序。

根据本发明，例如能够保护上述粘结剂不受等离子体的影响，并能够防止粘结剂的腐蚀。由此，能够抑制粒子的发生。而且谋求了基板处理装置的长寿命化。特别是通过设置突起部保护粘结剂，还通过用第二保护层覆盖突起部的外周面和第一保护部件的侧面，确实的保护了粘结剂。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式中等离子体蚀刻装置的截面图。

图2是分解表示载置台、静电吸附片、保护部件的立体图。

图3是图1中虚线A所示部分的扩大截面图。

图4是图1中虚线B所示部分的扩大截面图。

图5是图1中虚线C所示部分的扩大截面图。

图6是表示另一实施方式中基板处理装置的主要部分的截面图。

图7是表示另一实施方式中基板处理装置的主要部分的截面图。

图8是表示另一实施方式中基板处理装置的主要部分的截面图。

图9是表示另一实施方式中基板处理装置的主要部分的截面图。

具体实施方式

下面根据附图说明本发明的实施方式。

图1是本发明的一个实施方式中等离子体蚀刻装置的截面图。

图1的等离子体蚀刻装置具有真空室12；在上述真空室12内用于保持晶片W的工作台6；用于在上述真空室12内，在与电场垂直的方向上形成磁场的比如磁体8；用于在上述真空室12内发生等离子体的射频RF(radio frequency)电源10。

上述真空室12兼用于容器壁。

在上述真空室12上设置有排气口16，上述排气口16上连接有真空泵17。能够通过上述真空泵17，将真空室12内的压力减少到1～100Pa的程度。而且，在上述真空室12上还设置有用于供给蚀刻气体的气体导入口18。在上述气体导入口18处，通过供给管22连接有能够供给例如氧系气体、氟系气体、氯系气体等蚀刻气体的蚀刻气体供给部19。蚀刻气体也用于作为清洁真空室12内的清洁气体。

工作台6通过由耐热材料，例如陶瓷所形成的电气绝缘部20而被设置于上述真空室12内。上述真空室12和上述工作台6被电气绝缘，且上述工作台6具有构成下部电极的载置台32。上述载置台32，例如由含有铝、钛、钼、或钨的陶瓷所构成。如后面上述，以与保护部件41的热膨胀系数大体相同的方式选择这些材料。上述载置台32通过导线33、电容器35连接于RF电源10。此外，上述真空室12构成上部电极，且通过导线36接地。这些电极被以构成平行平板电极的方式配置。

如图2所示，在上述载置台32的上部，沿其外周圆环状地形成突起部15。换言之，该载置台32在其上部形成凹部。在以上述突起15所围成的内侧(凹部)，以嵌入载置台32的表面32a的方式设置有用于静电吸附晶片W的静电吸附片40。而且，像在静电吸附片40上，以覆盖上述静电吸附片40的方式设置有保护静电吸附片40的保护部件41。上述保护部件41例如由烧结陶瓷所构成，晶片W被载置于该保护部件41上。通过使用烧结陶瓷作为上述保护部件41，即使吸附晶片W，也能够防止陶瓷的剥落与粒子的发生。另外，为了在载置台32上进行晶片W的温度调节，形成循环冷却流体等的流体通路24。

在上述载置台32上，例如形成3个贯通上述载置台32的第一通孔26。以与这些通孔26相对应的方式，在静电吸附片40上形成孔40a，也在保护部件41上形成孔41a。如图1所示，在该通孔26、孔40a、孔41a中，例如插入3根销27。这些销27例如可以通过使用汽缸或滚珠丝杠副等驱动装置28构成能够上下升降地构成。由此，能够在蚀刻装置1和外部之间进行晶片W的交接。

而且，在载置台32、静电吸附片40及保护部件41上分别形成贯通它们的第二通孔29。在该第二通孔29处，从氦气供给部30供给氦气。氦气是热传导用气体，在静电卡盘22和晶片W之间，例如以成为10托(Torr)(1.33×10³Pa)的压力的方式被填充。由此，能够使晶片W和静电卡盘22之间的温度差抑制在5℃以下。作为热传导气体并不限于氦气，也可以是氖气(Ne)、氩气(Ar)等。而且，还可以使用该氦气，作为在等离子体处理中用于防止载置台32和保护部件41之间的放电的气体。

如图1所示，上述静电吸附片40具有作为静电吸附板的导电性片45。上述导电性片45例如由铜所构成。上述导电性片45与导线65电气连接，该导线65与直流电源67连接。由此，通过导线从直流电源67向导电性片45施加例如2KV的直流电压。另外，载置台32上所设置的第三通孔42是用于通过该导线65的孔。导电性片45例如具有10μm的厚度。聚酰亚胺片例如具有25μm的厚度。

磁体8具有在真空室12内的电极之间形成例如平行于晶片W的表面的水平磁场的功能。例如，磁体8具有水平设置的支撑部件37，支撑于支撑部件37上永久磁铁38和转动他们的马达39。

图3是图1中虚线A所示部分的扩大截面图。

参照图3，上述静电吸附片40例如通过粘结剂层47与载置台32的表面32a(参照图2)连接。上述静电吸附片40在下层具有作为绝缘体的聚酰亚胺片46，在该聚酰亚胺片上46连接以粘结剂41覆盖其的上述导电性片45。此外，通过上述粘结剂44，静电吸附片40与保护部件41接合。上述保护部件41在该保护部件41的周围部分，通过与上述突起15的上面15a之间所形成的间隙，与上述上面15a相对。但是，该间隙并非积极地设置。即，实际上在保护部件41通过静电吸附片40与载置台的突起15相接合时，不可避免地会形成小的间隙d。例如在上述间隙d的大小(间隙距离)为10μm～30μm的情况下，上述突起部的上面15a的宽度e例如为50μm～150μm。另外，为了使该间隙隐藏，例如设置有通过喷镀形成的保护陶瓷25。总之，保护陶瓷25被以与真空室12内的处理空间隔离粘结剂44、47等的方式设置。具体地说，保护陶瓷25被以覆盖突起部的外周面15b和保护部件41的侧面31c的方式环状地形成。

在上述间隙d的大小为10μm～30μm的情况下，为了使上述突起部15的高宽比为5以上，使上述上面15a的宽度为50μm～150μm。这里使上述高宽比为5以上，原因在于在间隙d的大小为10μm～30μm、通过喷镀形成保护陶瓷25的情况下，使该喷镀的射流不能到达粘结剂层44、47。若喷镀的射流到达粘结剂层44、47，则粘结剂层有碳化的危险性。

在本实施方式中，由于设置有保护陶瓷25，所以能够保护粘结剂层44、47不受等离子体的影响，从而能够防止粘结剂层44、47的腐蚀。此外，还能够抑制由此引起的粒子的发生，即可以抑制发尘。另外，通过设置保护陶瓷25，还能够谋求这样的静电卡盘或使用静电卡盘的蚀刻装置1的长寿命化。

在本实施方式中，如前面已经说明的那样，在载置台32上特别设置突起部15，在上述突起部15的内部设置包含粘结剂44的静电吸附片40。由此保护粘结剂层44、47，并且通过使用保护陶瓷25覆盖突起部15的外周面15b和保护部件41的侧面41c，可靠地保护粘结剂层44、47。

在本实施方式中，由于保护陶瓷25采用喷镀，所以能够容易地形成。例如在粘结剂层44、47露出的处用喷镀形成保护陶瓷25的情况下，发生由通过该热使粘结剂层碳化的问题。可是，由于根据本实施方式，设置了突起部15，且在其外周面15b通过喷镀形成了保护陶瓷25，所以不会产生粘结剂层44、47碳化的问题。

在本实施方式中，如上所述，使载置台32的材料的热膨胀系数与保护部件41的材料的热膨胀系数大体相同。在热膨胀系数不同的情况下，在通过喷镀形成保护陶瓷25时，上述载置台32及保护部件41中任意一方的膨胀大于另一方的膨胀，故通过喷镀形成的保护陶瓷25存在破损的危险。而热膨胀系数大体相同，就能够避免这一问题。

图4是图1中虚线B所示部分的扩大截面图。该图放大表示了插入销27的第一通孔26。

参照图4，在上述第一通孔26中例如设置由绝缘体构成套管52。在上述保护部件41的孔41a中设置有通过喷镀形成的保护陶瓷50。具体地，保护陶瓷50以隐藏静电吸附片40中所包含的粘结剂层44、47的方式在孔41a的内壁面上形成环状。由此，能够保护粘结剂层44、47不受因很小的间隙f而流入的等离子体的影响。该保护陶瓷50可以使用与上述保护陶瓷25相同的材料。

此外，在静电吸附片上开设的40孔40a的直径大于在保护部件41上开设的孔41a的直径。具体地，与上述相同，间隙f的高宽比优选为5以上。由此，在通过喷镀形成保护陶瓷50时，能够防止通过喷镀的射流从间隙f的流入，使粘结剂层44、47的碳化。

图5是图1中虚线C所示部分的扩大截面图。该图放大表示了供给氦气的第二通孔29。

参照图5，在上述第二通孔29内以在保护部件41和载置台32之间夹入的方式设置有过滤器57。该过滤器57是用于在等离子体处理中防止保护部件41与载置台32之间放电的部件。在保护部件41孔41b中设置有通过喷镀形成的保护陶瓷层55。具体地，保护陶瓷层55以隐藏静电吸附片40中包含的粘结剂层44、47的方式，在上述孔41b的内壁面上形成环状。由此，能够保护粘结剂层44、47不受因很小的间隙g流入的等离子体的影响。该保护陶瓷55可以使用与上述保护陶瓷25、50相同的材料。

此外，在静电吸附片上开设的40孔40b的直径大于在保护部件41上开设的孔41b的直径。具体地，与上述同样，间隙f的高宽比优选为5以上。由此，在通过喷镀形成保护陶瓷50时，能够防止发生通过喷镀的射流从间隙f的流入，使粘结剂层44、47的碳化的问题。

接下来，说明这样结构的等离子体蚀刻装置1的动作。

首先，如果销27上升到既定的交接位置，则外部的搬送装置通过设置于真空室12的闸阀(未图示)将晶片载置于销27上。若上述搬送装置从真空室12出来，则闸阀关闭、真空泵17开动，使真空室12内的压力减小至既定压力，例如是1～100Pa。另一方面，上述销27下降，其结果为上述晶片W载置于上述工作台6上的保护部件41上。另外，若上述真空室12减压到既定的压力，就从蚀刻气体供给部19通过气体导入口18向真空室12内导入蚀刻气体19。

在该状态下，从RF电源10，在上部电极12和下部电极32之间加载例如13.56MHz的高频电力，并通过马达39永久磁铁38转动，则在电极间形成磁场。其结果为，通过电极间存在的电子进行气旋运动、电子与蚀刻气体的冲撞，使分子电离并离子化，等离子体产生。产生的等离子体，与保持在下部电极32上的晶片W的上面相作用，在晶片W的表面产生化学反应，并进行所希望的化学蚀刻。

在上述上部电极12和下部电极32之间发生上述等离子体的情况下，上述晶片通过产生的等离子体与上部电极导通，其结果为，在上述晶片上积蓄负电荷。因此，积蓄了正电荷的静电吸附片和晶片之间的库仑力增加，进而提高静电卡盘的吸附力。即，在该结构中，仅在等离子体发生期间，晶片被静电吸附于工作台6。

若等离子体处理结束，则排出真空室12内的气体，并导入比如惰性气体，使真空室12内成为常压。此外，支撑晶片的销27上升，这样做被抬起的晶片W经过闸阀且并通过外部搬送装置，进而被取出。

在该工序之后，闸阀再次关闭，上述真空室12减压至既定的压力。且从上述蚀刻气体供给部19供给清洁气体，同样通过产生等离子体，对上述真空室12内进行清洁处理。

在本实施方式中，如上所述，由于分别在第一通孔26、第二通孔29中设置有保护陶瓷层50、55，所以能够在真空室12内以没有晶片的状态进行清洁处理。目前，在这样的通孔内未形成本实施方式的保护陶瓷层50、55。所以，目前在清洁处理时，需要例如将虚拟晶片保持在工作台6上，通过隐藏该通孔，保护通孔内露出的粘结剂层不受等离子体的影响。与此相比，在本实施方式中，能够不使用该虚拟晶片而进行清洁处理。由此，能够减少从蚀刻处理结束至将虚拟晶片搬入真空室12的时间，从而使基板处理的生产能力大大提高。

例如，根据本发明，在结束一片的晶片的蚀刻处理，至下一片晶片搬入上述真空室12之间能够进行清洁处理。

[第二实施方式]

图6、图7、图8及图9是表示另一实施方式中静电卡盘的主要部分的放大截面图。这些图中所示的部分，与上述实施方式中图3所示的部分相对应。

参照图6，在本实施方式的静电卡盘中，在载置台132上通过粘结剂层147接合聚酰亚胺片146，在其上通过粘结剂层144设置有导电片145。以围绕包含这样的静电吸附片的粘结剂层149的方式，形成其他的粘结剂层71。由此，通过粘结剂层149和粘结剂层71，使由陶瓷所构成的保护部件141接合在上述载置台132上。由于上述粘结剂层71例如含有硅，所以优选使用对于氧系等离子体具有较高的耐久性的粘结剂层。如果通过别的气体产生等离子体，就可以使上述粘结剂层71中含有对该气体具有耐久性的物质。根据这样的结构，也能够保护粘结剂层144、147不受等离子体的影响。由此，能够防止粒子的发生，进而谋求基板处理装置的长寿命化。

图7所示的静电卡盘，是在图6所示的静电卡盘上添加了突起部215所得到零件。在该突起部215的内侧设置有与上述同样的粘结剂层240，并以围绕粘结剂层249的方式形成其他粘结剂层271。由于上述粘结剂层271也是例如含有硅的粘结剂，所以其对氧系等离子体也具有较高的耐久性。如果是其他气体所产生的等离子体，就可以在上述粘结剂层271中含有对该气体具有耐久性的物质。根据这样的结构，由于在突起部215的内侧设置有粘结剂层271，所以能够保护粘结剂层144、147不受等离子体的影响，同时也能够进一步提高粘结剂层271自身的耐久性。而且，谋求比图6所示的装置更高的长寿命化。

图8所示的静电卡盘在载置台332的台阶部334上，通过粘结剂层349贴附有保护部件341。而且以隐藏上述粘结剂层349的方式使其他粘结剂层371贴附成环状。具体地，其被贴附于保护部件341的侧面342、粘结剂层349的侧面350和台阶部334的侧面333。由于上述粘结剂层371是例如含有硅的粘结剂，所以具有对氧系等离子体的较高的耐久性。如果通过其他气体产生的等离子体，则可以在上述粘结剂层271中含有对该气体具有耐久性的物质。根据这样的结构，也能够保护粘结剂层349不受等离子体的影响，由此，能够防止粒子的发生，从而谋求装置的长寿命化。

图9所示的静电卡盘，以围绕图8所示的粘结剂层371的方式帖附聚酰亚胺带372。根据这样的结构，也能够保护粘结剂层349不受等离子体的影响。由此，能够防止粒子的发生，从而谋求比图8所示的装置更加长寿命化。

而且，在图6～图9所示的静电卡盘中，由于不进行上述实施方式中说明的喷镀，所以没有必要吻合载置台和保护部件的热膨胀系数。即使是热膨胀系数不同，由于粘结剂层71、271、371具有柔软性，所以没有发生破损的危险性。

本发明并非仅限于上述实施方式，也可以进行各种变更。

例如虽然在上述实施方式中说明的是蚀刻装置，但如果是适用于CVD装置等使用等离子体的装置、本发明也可以适用。

还可以使用其它的粘结剂层取代插入交接晶片用的销的第一通孔26(参照图4)和供给气体用的第二通孔29(参照图5)的保护陶瓷层50、55。作为其它的粘结剂层，可以使用与图6～图9的实施方式中所使用的其它粘结剂层71、271、371等相同的粘结剂。

而且，在图6～图9所示的实施方式中未图示的销用通孔、气体用的通孔内，也可以设置与图4、图5所示同样的陶瓷保护层，也可以使用与其它粘结剂层71、271、371等相同的粘结剂。

如以上的说明，根据本发明，在基板处理装置中所使用的包含粘结剂层的基板保持台中，能够谋求防止该粘结剂层的腐蚀、抑制发尘、及基板处理装置的长寿命化。

Claims (24)

1.一种基板保持机构，其特征在于，

具备：

具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面上预定区域而连续形成、并具有由比所述表面高的高度的上面；

在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；

具有侧面的，并在所述静电吸附板上设置的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；

至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；

至少以隐藏所述粘结剂层的方式覆盖所述外周面和所述侧面的第二保护部件。

2.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第二保护部件是通过喷镀形成的膜。

3.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，

所述载置台和所述第一保护部件的热膨胀系数大体相同。

4.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第一保护部件由陶瓷构成，所述载置台为陶瓷含有铝、钛、钼或钨。

5.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，

在所述第一保护部件和所述突起部之间设置间隙，所述间隙具有10μm～30μm的大小，所述突起部的上面的宽度是50μm～150μm。

6.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，

具备：贯通所述第一保护部件、所述吸附板及所述载置台的第一通孔；在所述第一通孔内，对于该第一通孔可相对升降地设置的用于进行基板的交接的销；在所述第一通孔内设置的，以使所述粘结剂层隐藏的方式设置的第三保护部件。

7.如权利要求6所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第三保护部件是通过喷镀形成的膜。

8.如权利要求7所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第一保护部件和所述吸附板分别具有构成所述第一通孔的第一孔和第二孔，所述第二孔的大小大于所述第一孔的大小。

9.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，

还具备：贯通所述第一保护部件、所述吸附板及所述载置台的第二通孔；至少通过所述第二通孔，流动向所述基板进行热传导的气体的气体供给部；在所述第二通孔设置的，以使所述粘结剂层隐藏的方式设置的第四保护部件。

10.如权利要求9所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第四保护部件是通过喷镀形成的膜。

11.如权利要求10所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第一保护部件和所述吸附板分别具有构成所述第二通孔的第三孔与第四孔，所述第四孔的大小大于所述第三孔的大小。

12.一种基板保持机构，其特征在于，

具备：

具有第一侧面，用于保持被处理基板的载置台；

在所述表面上设置的，用静电作用吸附基板的静电吸附板；

具有第二侧面，在所述静电吸附板上设置的保护该静电吸附板的第一保护部件；

至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的第一粘结剂层；

以使所述第一粘结剂层隐藏的方式设置的第二粘结剂层。

13.如权利要求12所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第二粘结剂层含有硅。

14.如权利要求12所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第二粘结剂层以覆盖所述第一侧面和所述第二侧面的方式，至少被设置于接合所述静电吸附板和第一保护部件的高度位置。

15.如权利要求14所述的基板保持机构，其特征在于，

其还具备以围绕所述第二粘结剂层的方式设置的聚酰亚胺部件。

16.如权利要求12所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第二粘结剂层以围绕所述第一粘结剂层的方式被设置于所述载置台和所述静电吸附板之间，用于接合所述载置台和所述静电吸附板。

17.如权利要求12所述的基板保持机构，其特征在于，

具备：贯通所述第一保护部件、所述吸附板及所述载置台的第一通孔；在所述第一通孔内，对于该第一通孔可相对升降地设置的用于进行基板的交接的销；在所述第一通孔内设置的、以使所述粘结剂层隐藏的方式设置的第三粘结剂层。

18.如权利要求17所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第三粘结剂层含有硅。

19.如权利要求12所述的基板保持机构，其特征在于，

还具备：贯通所述第一保护部件、所述吸附板及所述载置台的第二通孔；至少通过所述第二通孔，流动向所述基板进行热传导的气体的气体供给部；在所述第二通孔内设置的、以使所述第一粘结剂层隐藏的方式设置的第四粘结剂层。

20.如权利要求19所述的基板保持机构，其特征在于，

所述第四粘结剂层含有硅。

21.一种基板保持机构的制造方法，

其具备：

具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成，并具有比所述表面高的高度的上面；

在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；

其特征在于，

具备：

(A)将具有侧面的第一保护部件，以使其一部分与所述上面相对面的方式，用粘结剂接合于所述静电吸附板上的工序；

(B)通过保护所述粘结剂层的第二保护部件，至少以使所述粘结剂层隐藏的方式覆盖所述外周面和所述侧面的工序。

22.如权利要求21所述的基板保持机构的制造方法，其特征在于，

所述工序(B)含有通过喷镀形成所述第二保护部件的工序。

23.一种基板处理装置，具有处理容器和在所述处理容器中设置的保持被处理基板的基板保持机构，其特征在于，

具备：

具备表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成，并具有比所述表面高的高度的上面；

在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；

具有侧面的，在被设置于所述静电吸附板上的同时其一部分与所述上面相对的、用于保护所述静电吸附板的第一保护部件；

至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；

至少以使所述粘结剂层隐藏的方式覆盖所述外周面的第二保护部件。

24.一种基板处理装置，具有处理容器和在所述处理容器中设置的保持被处理基板的基板保持机构，其特征在于，

具备：

具有第一侧面，保持被处理基板的载置台；

设置于所述栽置台上，以静电作用吸附基板的静电吸附板；

具有第二侧面，在所述静电吸附板上设置的保护所述静电吸附板的第一保护部件；

至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；

以使所述第一粘结剂层隐藏的方式设置的第二粘结剂层。

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