CN102160166B - 基板处理装置和基板载置台 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置和基板载置台。该基板处理装置用于在被保持为真空的处理容器内对基板(W)进行等离子体处理，在处理容器内具备载置基板(W)的基板载置台(5)。基板载置台(5)包括：由AlN构成的载置台主体(51)；设置在载置台主体(51)内的基板加热用发热体(56)；覆盖载置台主体(51)的表面的石英制的第一盖体(54)；使基板(W)升降的多个升降销(52)；在载置台主体(51)内插通升降销(52)的多个插通孔(53)；在第一盖体(54)的与插通孔(53)对应的位置形成的多个开口(54a)；和将开口(54a)的内表面的至少一部分与插通孔(53)内周面的至少一部分覆盖的与第一盖体(54)分体设置的石英制的第二盖体(55)。

Description

基板处理装置和基板载置台
技术领域
本发明涉及用于对半导体晶片等基板实施等离子体处理等规定处理的基板处理装置，以及在基板处理装置的处理容器内载置基板的基板载置台。 
背景技术
在半导体器件的制造中，在处理容器内将作为处理对象的基板的半导体晶片(以下简称晶片)载置于晶片载置台，通过设置在载置台主体内的加热器对晶片进行加热，并且在处理容器内生成等离子体，对晶片进行氧化处理、氮化处理、成膜、蚀刻等的等离子体处理。 
作为进行上述的等离子体处理的等离子体处理装置，目前大多采用平行平板型的装置。最近，作为能够在较低的电子温度下形成高密度等离子体的等离子体处理装置，通过利用具有多个槽缝的平面天线将微波导入处理容器内来生成等离子体的RLSA(Radial Line Slot Antenna，径向线缝隙天线)微波等离子体处理装置正被关注(例如，参照日本特开2000-294550号公报)。 
在等离子体处理中，当晶片载置台暴露在等离子体中时，存在其中的金属原子变成污染物将基板即半导体晶片污染的可能性。 
作为防止这种污染的技术，在日本特开2007-266595号公报中公开有用石英制的盖体覆盖晶片载置台的主体。 
多采用使用热传导性良好的绝缘性陶瓷即AlN作为载置台主体、并在其中埋设有加热器的晶片载置台。在这种晶片载置台中，由于存在由AlN中的Al导致的半导体晶片污染的可能性，所以上述石英制的盖体特别有效。 
因为在晶片载置台设置有用于插通可升降半导体晶片的升降销的插通孔，即使由石英制的盖体覆盖载置台主体，在插通孔的周围和插通孔内也露出AlN。有时连这种由来自小面积的AlN部分的Al导致的 污染也成为问题。最近，从要求半导体晶片的进一步大型化和器件的进一步微小化，等离子体处理的效率化和处理的均匀性等观点出发，正在尝试对晶片载置台施加偏压用高频电力进行等离子处理的方法。在采用这种方法的情况下，AlN露出部分即使是较小的面积，但是由于离子引入效果，污染程度超过容许范围的可能性也会变大。 
作为防止污染的方法，如日本特开2007-235116号公报所示，考虑在升降销的顶端设置直径增大的头部，通过该头部堵塞插通孔的AlN露出部。但是，在这种方法中，露出部分变得狭窄，但是在对位余量(裕度)的关系上不能完全消除露出部分。另外，从均热性等观点出发不能使插通孔的尺寸变大，还由于在精度上头部的大小被限制，因此实际上不能不使用浮动销(参照下文)作为升降销。这种情况下，因为升降销本身的位置精度不充分，所以升降销与载置台主体摩擦而产生微粒(particle)。 
另外，也考虑将石英制的盖体作为一体地具有覆盖插通孔内的筒状部分的结构而形成，来完全消除AlN的露出部分，但是在这种方法中，存在因AlN与石英之间的热膨胀差而筒状部分被破坏的可能性。 
另外，在晶片载置台中，多个(典型的是三个)升降销通过设置在升降销的下方的升降臂被升降。例如，如日本特开2006-225763号公报所示，升降销被螺纹固定于升降臂。在其他的例子中，在形成于升降臂的孔中嵌入升降销，从该孔的旁边起以固定螺钉来固定升降销。 
进而，在其他的例子中，例如如日本特开2004-343032号公报所示，将升降销以不会从插通孔中脱落的方式且能够升降地设置，升降销不固定于升降臂，在使升降销上升时通过升降臂将升降销推上去，在使升降销下降时，使升降臂下降利用升降销的自重使其下降。这种升降销被称为浮动销。 
在日本特开2006-225763号公报所公开的结构中，升降销被完全固定于升降臂，因此每次升降臂动作时，都不得不进行晶片载置台的插通孔与升降销之间的位置调整，不能对每个升降销进行最佳的位置调整。另外，与从横向用固定螺钉来固定升降销的技术的情况也同样地，不能对每个升降销进行最佳的位置调整，而且用固定螺钉进行固定时升降销倾斜地与插通孔的内表面接触，存在产生微粒的可能性。 
另一方面，采用如日本特开2004-343032号公报所示的浮动销的情况下，不需要对升降销进行位置调整。但是，插通孔的内表面与升降销之间相互摩擦，存在产生微粒的可能性。 
另外，设置有如上述的日本特开2007-266595号公报所示的石英制的盖体的情况下，当进行伴随有加热的处理时，存在晶片的外周部的温度变低的倾向。例如，将晶片加热至400℃左右进行的硅的氧化处理中，存在晶片的外周部的温度变低的倾向。这种情况下，低温部分的氧化速率变低，氧化处理的均匀性变差。 
具体实施方式
发明概要
本发明提供能够不发生盖体的破坏等故障、减少对被载置的基板的污染的技术。 
本发明提供能够精确地进行多个插通孔与多个升降销的对位，能够对由升降销与插通孔内表面的摩擦等导致微粒产生的情况进行抑制的技术。 
本发明提供能够防止被处理体的外周部的温度降低、进行均匀的处理的技术。 
本发明提供一种基板处理装置，包括：能够保持为真空并收容基板的处理容器；在上述处理容器内载置基板的基板载置台；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和在上述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构，其中，上述基板载置台包括：由AlN构成的载置台主体；设置在上述载置台主体内、用于对被载置的基板进行加热的发热体；覆盖上述载置台主体的表面的石英制的第一盖体；以相对于上述基板载置台的上表面自如地突出/没入的方式设置、使基板升降的多个升降销；设置在上述载置台主体、被插通上述升降销的多个插通孔；在上述第一盖体的分别与上述多个插通孔对应的位置设置的多个开口；和作为与上述第一盖体分体的部件且分别设置于上述插通孔的多个石英制的第二盖体，上述各第二盖体，以使得在对应的插通孔的上端附近上述载置台主体的由AlN构成的表面不暴露在生成于上述处理容器内的等离子体中的方式，将与该第二 盖体对应的上述插通孔的内周面的至少一部分和与该第二盖体对应的上述开口的内表面的至少一部分覆盖。 
在优选的一个实施方式中，上述各第二盖体包括：覆盖上述各插通孔的内周面的至少上部的筒状部；和从上述筒状部的上端部向外侧扩展的凸缘部，上述凸缘部配置在上述开口内。这种情况下优选，上述各插通孔在该各插通孔的上部具有直径较大的大径孔部，上述筒状部嵌入于上述大径孔部。上述筒状部覆盖上述插通孔的整个内周面。 
另外，在上述优选的一个实施方式中，优选：在上述各开口的内表面设置有台阶差，由此上述开口具有上侧的小径部和下侧的大径部，并且在上述第一盖体设置有向上述开口的大径部的上方突出的檐部，上述第二盖体的凸缘部，在上述檐部的下方伸入到上述开口的大径部内。 
或者，在上述优选的一个实施方式中，能够采用以下结构：在上述各开口的内表面设置有台阶差，由此上述开口具有上侧的大径部和下侧的小径部，上述第二盖体的凸缘部插入到上述开口的大径部内。 
在其他优选的一个实施方式中，上述基板载置台包括：支承上述升降销的升降臂；通过升降臂使升降销升降的致动器；和将上述升降销安装于上述升降臂的升降销安装部，上述升降销安装部包括：在上述升降臂的上表面的与上述升降销对应的位置设置的凹陷；将上述升降销螺纹固定的底座部件；和通过夹紧上述底座部件而将上述底座部件固定在上述升降臂的夹紧部件，上述底座部件包括从该底座部件的底面向下方突出并且游嵌于上述凹陷的突出部。 
进而，在其他优选的一个实施方式中，上述第一盖体具有用于载置基板的载置区域，上述载置台主体和上述第一盖体以下述中的至少一种尺寸关系成立的方式构成：(i)上述基板载置区域中的上述第一盖体的厚度，大于比上述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的上述第一盖体的厚度，以及(ii)上述基板载置区域中的上述第一盖体的下表面与上述基板载置台主体的上表面之间的距离，小于比上述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的上述盖体的下表面与上述基板载置台主体的上表面之间的距离。 
本发明还提供包含上述各种方式的基板载置台的基板处理装置。 该基板处理装置包括：能够保持为真空并收容基板的处理容器；在所述处理容器内载置基板的上述基板载置台；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和在上述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构。 
在上述基板处理装置的优选的一个实施方式中，上述等离子体生成机构包括：具有多个槽缝的平面天线；和通过该平面天线向上述处理容器内导入微波的微波导入单元，利用被导入的微波使处理气体等离子体化。另外，还具备对上述基板载置台施加用于将等离子体中的离子引入的高频偏压的高频偏压施加单元。 
根据本发明的其他的观点，提供一种在用于在处理容器内对基板进行处理的基板处理装置中在所述处理基板容器内载置基板的基板载置台，具备载置台主体和相对于所述载置台主体升降基板的基板升降机构，上述基板升降机构具有：分别插通在设置于上述载置台主体的多个插通孔中、用其顶端支承基板使基板升降的多个升降销；支承上述升降销的升降臂；通过升降臂使升降销升降的升降机构；和将上述升降销安装在上述升降臂的升降销安装部，上述升降销安装部具有：在上述升降臂的上表面的与上述升降销对应的位置设置的凹陷；将上述升降销螺纹固定的底座部件；和通过夹紧上述底座部件而将上述底座部件固定在上述升降臂的夹紧部件，上述基板部件具有从该底座部件的底面向下方突出并且游嵌于上述凹陷的突出部。另外，本发明还提供包括处理容器、在上述处理容器内载置基板的上述基板载置台和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构，进而还提供具有任意地在上述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构的基板处理装置。 
在上述其他观点涉及的发明中，优选使上述升降销的下端面与在上述底座部件形成的螺纹孔的底面接触。另外优选上述突出部设置在上述底座部件的底面中央部，其截面形状呈圆形，上述凹陷呈直径比上述突出部更大的圆形，在上述凹陷的内周面与上述突出部之间形成有间隙，在该间隙的范围内使上述底座部件在任意的方向上移动，上述升降销能够进行定位。 
上述夹紧部件具有从上方按压上述底座部件的按压部和通过螺钉 固定在上述升降臂的安装部，当通过螺钉将上述安装部固定在上述升降臂时，推压力从上述按压部向上述底座部件作用，上述底座部件被固定。这种情况下，上述夹紧部件在上述按压部与上述安装部之间具有连结部，上述按压部与上述安装部平行设置，上述连结部与它们垂直设置，侧面视图为曲柄形(crank)。曲柄结构的上述夹紧部件能够构成为，在使上述按压部的下表面紧贴上述底座部件的上表面时，在上述安装部的下表面与上述升降臂的上表面之间形成有间隙。由此，在通过螺钉将上述安装部固定在上述升降臂时，上述按压部在倾斜的状态下按压上述底座部件。此时优选：在上述按压部倾斜的状态下，形成上述按压部的按压面，以使得按压上述底座部件的中央部。 
根据本发明的其他观点，提供用于在保持为真空的处理容器内对基板进行等离子体处理的基板处理装置中在上述处理容器内载置基板的基板载置台，包括：直径比基板大的载置台主体；设置在上述载置台主体内、用于对被载置的基板进行加热的发热体；和覆盖上述载置台主体的表面、载置被处理体的具有基板载置区域的盖体，上述载置台主体和上述盖体以下述中的至少一种尺寸关系成立的方式构成：(i)上述基板载置区域中的上述盖体的厚度，大于比上述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的上述盖体的厚度，以及(ii)上述基板载置区域中的上述盖体的下表面与上述基板载置台主体的上表面之间的距离，大于比上述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的上述盖体的下表面与上述基板载置台主体的上表面之间的距离。另外，本发明还提供具备处理容器、在上述处理容器内载置基板的上述基板载置台和向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构，进而还提供具有任意地在上述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构的基板处理装置。 
上述(ii)的情况下，能够采用在上述盖体的比上述基板载置区域更靠外侧的外侧区域与上述载置台主体之间形成有间隙的结构。此时，在上述盖体的上述基板载置区域与上述载置台主体之间也可以不形成间隙。 
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的第一实施方式涉及的等离子体处理装置的概略结构的概略截面图。 
图2是放大表示图1的装置的腔室壁部的截面图。 
图3是表示图1的等离子体装置中使用的平面天线部件的结构的图。 
图4是表示图1的装置的控制部的概略结构的框图。 
图5是表示图1的等离子体装置中使用的晶片载置台的放大图。 
图6是放大表示图1的等离子体装置中使用的晶片载置台的主要部分的立体图。 
图7是表示晶片载置台的其他例子的主要部分的局部放大截面图。 
图8是表示晶片载置台的其他例子的主要部分的局部放大截面图。 
图9是表示本发明的基板处理装置的第二实施方式涉及的等离子体处理装置的概略结构的概略截面图。 
图10是放大表示图9的等离子体处理装置中使用的晶片载置台的截面图。 
图11是表示晶片载置台的晶片升降机构的立体图。 
图12是放大表示图11的晶片升降机构的升降销安装部的立体图。 
图13是沿着图10的A-A线的截面图。 
图14是沿着图13的B-B线的截面图。 
图15是表示升降销安装部中优选的夹紧部件(clamp)的状态的图。 
图16是表示使用图15的夹紧部件夹紧底座部件的状态的图。 
图17是表示本发明的基板处理装置的第三实施方式涉及的等离子体处理装置的概略结构的概略截面图。 
图18是放大表示图17的等离子体装置中使用的晶片载置台的截面图。 
图19是表示晶片载置台的变形例的放大截面图。 
图20是表示晶片载置台的其他变形例的放大截面图。 
图21是表示模拟晶片温度的编号1的晶片载置台的概略图。 
图22是表示模拟晶片温度的编号2的晶片载置台的概略图。 
图23是表示模拟晶片温度的编号3的晶片载置台的概略图。 
图24是表示模拟晶片温度的编号4的晶片载置台的概略图。 
图25是表示模拟晶片温度的编号5的晶片载置台的概略图。 
图26是表示模拟晶片温度的编号6的晶片载置台的概略图。 
图27是表示作为等离子体处理实际进行了氮化硅膜的成膜后的本发明实施方式涉及的晶片载置台的示意图。 
图28是表示作为等离子体处理实际进行了氮化硅膜的成膜后的比较例涉及的晶片载置台的示意图。 
图29表示使用图27和图28的晶片载置台使氮化硅膜成膜时晶片上的位置和成膜速率的关系的曲线图。 
图30是放大表示第三实施方式的变形例涉及的晶片载置台的截面图。 
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明，首先，参照图1～图8对第一实施方式进行说明。图1是本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的概率截面图。该等离子体处理装置100通过由具有多个槽缝的作为平面天线的径向线缝隙天线(RLSA：Radial Line Slot Antenna)向处理室内导入微波等的微波使等离子体产生，使得产生高密度且低电子温度的微波等离子体。在这种等离子体处理装置100中，能够通过以1×1010～5×1012/cm3的等离子体密度且具有0.7～2eV的低电子温度的等离子体进行处理。 
等离子体处理装置100具有气密地构成、搬入基板即半导体晶片(以下简记为晶片)W的被接地的大致圆筒状的腔室(处理容器)1。该腔室1由铝或不锈钢等金属材料形成，由构成其下部的外壳部2和配置在外壳部2之上的筒壁部3构成。但是，腔室1也可以是一体结构。在腔室1的上部能够开闭地设置有用于向处理空间导入微波的微波导入部26。在进行处理时，微波导入部26在被气密地密封的状态下与筒壁部3的上端部卡合，筒壁部3的下端与外壳部2的上端在被气密地密封的状态下卡合。在筒壁部3形成有用于对筒壁部3进行冷却的冷却水流路3a，防止由于因等离子体的热量热膨胀而导致的卡合部位的位置偏移等所造成的密封性降低和微粒(particle)产生。 
在外壳部2的底壁2a的中央部形成有圆形的开口10。在底壁2a上连接有覆盖开口10并且向下方突出的排气室(排气腔室)11，通过排气部件10能够对腔室1内的气体均匀地进行排气。 
在外壳部2内设置有用于将要处理的基板即晶片W水平载置的晶片载置台(基板载置台)5。载置台5的下端，通过支承在排气室11的底部的中央部分的、从该底部向上方延伸的圆筒状的支承部件4的上端支承。晶片载置台5具有由AlN形成的载置台主体51。载置台主体51被第一盖体54和第二盖体55覆盖。另外，在载置台主体51内插通有用于升降晶片W的三个(仅图示两个)升降销52。进而，在载置台主体51埋入有电阻加热型加热器56，在载置台主体51的表面侧(加热器56的上方)埋设有电极57。另外，晶片载置台5的详细结构在后文中描述。 
加热器56经由穿过支承部件4之中的供电线6a与加热器电源6连接。通过从加热器电源6向加热器56供电，加热器56发热，对载置在晶片载置台5的晶片W加热。在供电线6a设置有阻断流向加热器电源6的高频噪声的噪声滤波电路，该噪声滤波电路收容在滤波器箱45内。晶片载置台5的温度通过被插入在晶片载置台5的热电偶(未图示)测定，根据来自热电偶的温度信号控制加热器电源6的输出，由此，能够将载置台5的温度控制为例如从室温到900℃的范围的所期望的温度。 
电极57的材料，能够适于使用例如锰、钨等高熔点金属材料。电极57在俯视时，能够形成为例如网眼状、格子状、涡漩状等形状。电极57经由穿过支承部件4之中的供电线42与偏压施加用高频电源44连接。通过从高频电源44向电极57供给高频电力，对载置台主体51施加高频偏压，进而经由载置台主体51对其上的晶片W也施加高频偏压，能够将等离子体中的离子种类引入晶片W。在供电线42上设置有具有用于对高频电源44与等离子体阻抗进行匹配的匹配电路的匹配箱(matching box)43。 
所述滤波器箱45和匹配箱43通过屏蔽箱(shield box)46连接成一体，被安装在排气室11的底壁的下侧。屏蔽箱46例如由铝或不锈钢等导电性材料形成，具有阻断微波的泄漏的功能。 
在筒壁部3的上下的卡合部，例如设置有O形环等密封部件9a、9b、9c，由此保持卡合部的气密状态。这些密封部件9a、9b、9c例如由氟系橡胶材料形成。 
如图2的放大图所示，外壳部2内的任何的位置(例如将外壳部2在圆周方向上均匀地分割成四个的位置)，形成有在垂直方向上延伸的多个气体供给路径12。气体供给路径12经由气体供给配管16a与气体供给装置16连接(参照图1)，从该气体供给装置16如后文所述向腔室1内供给规定的处理气体。 
气体供给路径12与在外壳2的上部和筒壁部3的下部之间的接触面部形成的、作为处理气体的供给连通通路的环状通路13连接。另外，在筒壁部3的内部形成有与该环状通路13连接的多个气体通路14。另外，在筒壁部3的上端部的内周面，在圆周方向上均匀地隔开间隔地设置有多个(例如32个)气体导入口15a，从这些气体导入口15a，气体导入路径15b在筒壁部3内水平地延伸。该气体导入路径15b与在筒壁3内在铅直方向上延伸的气体通路14连通。 
环状通路13，在外壳部2的上部与筒壁部3的下部的接触面部，由在后述的台阶部18与台阶部19之间的间隙构成。该环状通路13，以包围晶片W上方的处理空间的方式，在水平面内环状地延伸。 
环状通路13，经由气体供给路径12与气体供给装置16连接。环状通路13具有作为向各气体通路14均匀地分配气体的气体分配单元的功能，防止偏向特定的气体导入口15a地供给处理气体。 
如上所述，能够经由各气体供给路径12、环状通路13、各气体通路14，从32个气体导入口15a向腔室1内均匀地供给来自气体供给装置16的气体，所以能够提高腔室1内的等离子体的均匀性。 
在筒壁部3的内周面的下端部，环状地形成有向下方呈裙状(skirt)垂下的突出部17。该突出部17被设置为覆盖筒壁部3与外壳部2的边界(接触面部)，起到防止等离子体直接作用到由暴露在等离子体中时易劣化的材料构成的密封部件9b。 
台阶部18形成在外壳部2的上端，另外，台阶部19形成在筒壁部3的下端，环状通路13通过组合这些台阶部18、19而形成。台阶部19的高度(台阶差)大于台阶部18的高度(台阶差)。因此，使筒 壁部3的下端和外壳部2的上端卡合的状态下，在设置有密封部件9b的一侧，台阶部19的突出面与台阶部18的非突出面抵接，另一方面，在设置有密封部件9a的一侧，台阶部19的非突出面与台阶部18的突出面不抵接，在二者之间留有间隙。由此，能够使台阶部19的突出面与台阶部18的非突出面可靠地抵接，能够通过密封部件9b可靠地密封它们之间。即，密封部件9b作为主密封部发挥作用。另外，通过安装在非抵接状态的台阶部19的非突出面与台阶部18的突出面之间，密封部件9a具有作为辅助密封部的功能，该辅助密封部以气体不会向腔室1的外部泄漏的程度保持气密性。 
如图1所示，在腔室1的内周，设置有由石英形成的圆筒状的内衬(liner)49。内衬49具有主要覆盖筒壁部3的内表面的上部内衬49a和与上部内衬49a相连主要覆盖外壳部2的内表面的下部内衬49b。上部内衬49a和下部内衬49b具有防止由腔室1的构成材料导致的金属污染，并且防止在晶片载置台5与腔室1的侧壁之间产生高频电力的异常放电的功能。根据可靠地防止异常放电的观点，使离晶片载置台5更近的下部内衬49b的厚度大于上部内衬49a的厚度，并且到低于晶片载置台5的高度位置、具体来说排气部件(排气腔室)11的中途的高度位置为止的范围，被下部内衬49b覆盖。另外，在晶片载置台5的周围，为了均匀地对腔室1内进行排气，设置有具有多个排气孔30a的石英制的环状的隔板30。另外，上部内衬49a和下部内衬49b可以一体构成。 
在排气部件11的侧面连接有排气管23，该排气管23与包括高速真空泵的排气装置24连接。通过使该排气装置24工作，腔室1内的气体均匀地向排气部件11内的空间11a内排出，经由排气管23排出。由此，能够高速地将腔室1内减压至规定的真空度，例如0.133Pa为止。 
在外壳部2的侧壁设置有用于进行晶片W的搬入和搬出的搬入/搬出口，和打开、关闭该搬入/搬出口的闸阀(均未图示)。 
腔室1的上部开口，以气密地堵塞该开口的方式设置有微波导入部26。该微波导入部26能够通过未图示的开闭机构来动作，由此，能够打开、关闭腔室1的上部的开口。 
微波导入部26从晶片载置台5一侧起依次具有盖框27、透过板 28、平面天线31、慢波材料33。透过板28、平面天线31和慢波材料33被由不锈钢、铝、铝合金等导电性材料构成的盖部件34覆盖。通过截面为L字形的环状的压环35将盖部件34向下方按压，并且，通过环状的支承部件36，透过板28被盖框27按压，由此，微波导入部26的各构成部件一体化。透过板28与盖框27之间设置有O形环29。微波导入部26安装于腔室1时，腔室1的上端和盖框27通过密封部件9c成为密封状态。在盖框27的外周侧部分形成有冷却水流路27b，由此，抑制因等离子体的热量导致盖框27的热膨胀。由此，能够防止由于热膨胀而产生接合部位的位置偏差，和由此而产生接合部位的密封性的降低和由于等离子体的接触而导致微粒产生。 
透过板28由电介质例如石英和Al2O3、AlN、蓝宝石、SiN等陶瓷构成，作为使微波透过并导入腔室1内的处理空间中的微波导入窗口发挥功能。虽然能够使透过板28的下表面(晶片载置台5一侧的面)为平坦的面，但是并不限于此，在透过板28的下表面也可以形成用于使微波均匀化并使等离子体稳定的凹部或槽。在环状的盖框27的内周面形成有向着腔室1内的空间突出的突部27a，通过该突部27a的上表面支承透过板28的外周部。突部27a的上表面与透过板28的外周部下表面之间，设置有将两个面之间气密地密封的密封部件29。因此，当微波导入部26安装在腔室1时，能够将腔室1内气密地保持。 
平面天线31是圆板形。平面天线31位于透过板28上，并且卡止(固定)在盖部件34的外周部下表面。平面天线31例如表面由镀金或银的铜板、铝板、镍板或黄铜板形成。在平面天线31以固定的图案设置有用于发射微波等电磁波的多个微波发射孔(槽缝)32，各槽缝(slot)32贯通平面天线31。 
例如如图3所示，能够以细长的两个槽缝32成对的方式配置槽缝32。典型来讲，成对的槽缝32彼此配置成“T”字形，这些槽缝的对配置在多个同心圆上。槽缝32的长度和排列间隔能够根据微波的波长(λg)决定，例如，能够使在半径方向上相邻的槽缝的对彼此的间隔(图2的Δr)为λg/4～λg。另外，槽缝32并不限定于图示的细长直线状的形状，也可以是其他的形状，例如圆弧形状。进而，槽缝32的配置方式不限定于图示的例子，除同心圆状之外，例如也能够配置成螺 旋状、放射状。 
慢波材料33设置在平面天线31上。该慢波材料33能够由与真空相比具有更大的介电常数的材料，例如石英、陶瓷、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)等氟系树脂、聚酰亚胺系树脂构成。在真空中，微波的波长变长。因此，通过设置适当的材料和形状尺寸的慢波材料33，能够使在慢波材料33的区域中行进的微波的波长变短，对产生的等离子体进行调整。另外，虽然平面天线31和透过板28的相对面彼此既可以紧贴也可以离开(在两者之间形成间隙)，但是优选紧贴。同样，虽然慢波材料33和平面天线31的相对面彼此既可以紧贴也可以离开，但是优选紧贴。 
在盖部件34的内部形成有冷却水流路34a，通过使冷却水在该流路流通，能够对盖部件34和与盖部件34直接或间接地连接的慢波材料33、平面天线31、透过板28和盖框27进行冷却。由此能够防止这些部件的变形和破损，生成稳定的等离子体。另外，盖部件34接地。 
在盖部件34的上壁的中央形成有开口部34b，在该开口部34b上连接有导波管37。该导波管37的端部经由匹配电路38与微波发生装置39连接。由此，由微波发生装置39产生的例如频率为2.45GHz的微波，经由导波管37向平面天线传播。微波的频率也可以是8.35GHz、1.98GHz等其他频率。 
导波管37具有从所述盖部件34的开口部34b向上方伸出的截面为圆形的同轴导波管37a，和在该同轴导波管37a的上端部经由模式转换器40连接的在水平方向上延伸的矩形导波管37b。矩形导波管37b与同轴导波管37a之间的模式转换器40，具有将在矩形导波管37b内以TE模式传播的微波转换为TEM模式的功能。内导体41在同轴导波管37a的中心延伸，内导体41在其下端部与平面天线31的中心连接固定。由此，微波经由同轴导波管37a的内导体41呈放射状地高效且均匀地向平面天线31传播。 
铝制的盖框27的突部27a，相对于晶片载置台5(晶片载置台5内的电极57)作为相对电极发挥功能。突部27a的表面面对腔室1内的等离子体生成区域，暴露在较强的等离子体中时被溅射而消耗，并产生污染物。为了防止该情况，在腔室1内的面对等离子体生成区域 的突部27a的表面，涂层有作为保护膜的硅膜48。硅膜48保护盖框27特别是突部27a的表面不受到等离子体的氧化作用和溅射作用的影响，防止产生由盖框27的材料所含有的铝等导致的污染物的产生。硅膜48既可以是结晶质，也可以是非结晶质。另外，由于硅膜48具有导电性，有效地形成从晶片载置台5向隔着等离子体处理空间作为相对电极的盖框27流动的高频电流路径，还具有抑制在其他部位的短路或异常放电的功能。 
硅膜48能够通过PVD法(物理蒸镀法)和CVD法(化学蒸镀法)等薄膜形成技术或等离子体溅射法等形成，但是其中从能够比较简单且廉价地形成较厚的膜出发，优选等离子体热喷镀法(thermal spraying)。 
构成微波等离子体处理装置100的各功能部件，与控制部70连接并被控制。控制部70由计算机构成，如图4所示，包括具有微处理器的工艺过程控制器(process controller)71、与该工艺过程控制器连接的用户界面72和存储部73。 
工艺过程控制器71，在等离子体处理装置100中，以使温度、压力、气体流量、微波输出、偏压施加用高频电力等工艺条件成为所要求的条件的方式，对各功能部件例如加热电源6、气体供给装置16、排气装置24、微波发生装置39、高频电源44等进行控制。 
用户界面72具有为了操作人员管理等离子体处理装置100而进行指令的输入操作等的键盘和将等离子体处理装置100的运转状况可视化并显示的显示器。另外，存储部73存储有对在等离子体处理装置100中执行的各种处理的处理条件进行定义的处理方案，和根据由处理方案定义的处理条件在工艺过程控制器71的控制之下使等离子体处理装置100的各功能部件进行规定的动作的控制程序。 
控制程序和处理方案被存储在存储部73中的存储介质。存储介质可以是硬盘、半导体存储器等固定的装置，也可以是CDROM、DVD、闪存等便携式装置。另外，代替将控制程序和处理方案存储在存储介质，也可以从其他装置例如经由专用线路将控制程序和处理方案传输至等离子体处理装置100。 
根据需要，根据来自用户界面72的指示从存储部73读出任意的处 理方案并通过工艺处理器71执行，在工艺过程控制器71的控制下，在等离子体处理装置100中进行所要求的处理。 
其次，对晶片载置台5详细地进行说明。图5是对晶片载置台5进行放大表示的图，图6是对其主要部分进行放大表示的立体图。晶片载置台5如上所述，在外壳部2的内部，由从排气室11的底部中央向上方延伸的圆筒状的支承部件4支承。晶片载置台5的载置台主体51由热传导性良好的陶瓷材料AlN形成。在载置台主体51，垂直地贯通有插通升降销52的三个(仅图示两个)插通孔53。在插通孔53的上部成为直径更大的大径孔部53a。第一盖体54由高纯度的石英形成。第一盖体54覆盖载置台主体51的上表面和侧面。在第一盖体54的与贯通孔53对应的位置，形成有与贯通孔53相比直径更大的开口54a。在第一盖体54的开口54a的内周面设置有台阶差。由此，开口54a具有上侧的小径部54b和下侧的大径部54c。 
第二盖体55也由高纯度的石英形成。第二盖体55被形成为与第一盖体54不同的部件。第二盖体55覆盖插通孔53的内周面的至少一部分(优选插通孔53的上部)和开口54a的内表面的至少一部分，由此，防止插通孔53的上端附近的载置台主体51的由AlN形成的表面暴露在腔室1内生成的等离子体中。具体来讲，第二盖体55具有筒状部55a和从筒状部55a的上端向外侧延伸的凸缘部55b。筒状部55a插入插通孔53上部的大径孔部53a并覆盖大径孔部53a的内周面。凸缘部55b进入(伸入)到开口54a的大径部54c内，位于向大径部54c的上方伸出的第一盖体54的檐部54d的下方。因此，凸缘部55b覆盖开口54a的大径部54c的内表面，和作为在第一盖体54设置有开口54a(大径部54c)的结果而露出的载置台主体51的上表面。通过上述的结构，载置台主体51的上表面的整个区域和插通孔53的内周面的上部区域由第一盖体54和第二盖体55覆盖，在这些区域中AlN不会露出。 
在载置台主体51的上表面形成有凹部51a。另外，在第一盖体54的上表面形成有与凹部51a对应的凹部54e。凹部54e是晶片W的载置部(载置区域)。 
插通在插通孔53的升降销52被固定在销支承部件58。即，升降 销52构成为固定销。销支承部件58与在垂直方向上延伸的升降杆59连接，通过由未图示的致动器对升降杆59进行升降，经由销支承部件58，升降销52被升降。另外，59a是被设计成确保腔室1内的气密性并且容许升降杆59的升降的波纹管(bellows)。 
接着，对这种结构的等离子体处理装置100的动作进行说明。首先，将晶片W载置于晶片搬送机构的晶片臂(未图示)，搬入腔室1内。然后，使升降销52上升，将晶片W从晶片臂交接给升降销52，使升降销52下降，将晶片W载置到晶座(susceptor)即基板载置台5上。然后，从气体供给装置16，将所要求的处理中需要的处理气体(在氧化处理中例如O2、N2O、NO、NO2、CO2等氧化气体，在氮化处理中例如N2、NH3等氮化气体，在成膜处理中Si2H6和N2或NH3等成膜气体，根据需要除了上述气体以外的Ar、Kr、He等惰性气体)以固定的流量经由气体导入口15a向腔室1内导入。 
接着，将来自微波发生装置39的微波，经过匹配电路38导向导波管37，依次通过矩形导波管37b、模式转换器40和同轴导波管37a，经由内导体41供给到平面天线部件31，从平面天线部件31的槽缝孔32经由透过板28发射到腔室1内。 
微波在矩形导波管37b内以TE模式传播，该TE模式的微波被模式转换器40转换为TEM模式，在同轴导波管37a内向平面天线部件31传播。通过从平面天线部件31经过透过板28发射到腔室1的微波，在腔室1内形成电磁场，处理气体等离子体化。 
该等离子体，通过将微波从平面天线部件31的多个槽缝孔32发射，成为大致1×1010～5×1012/cm3的高密度且在晶片W附近的电子温度为大致1.5eV以下的低电子温度等离子体。通过使用这样的等离子体，能够进行可抑制等离子体损伤的晶片W的处理。 
另外，在本实施方式中，进行这种等离子体处理时，从高频电源44向载置台主体51的电极57供给规定的频率的高频电力，对载置台主体51施加高频偏压，进而，经由载置台主体51，对在其上的晶片W也施加高频偏压。由此，能够维持等离子体的较低的电子温度，发挥向晶片W引入等离子体中的离子种类的作用，提高等离子体处理的处理速率、并且提高等离子体处理的面内均匀性。用于施加高频偏压的 高频电力的频率，例如优选100kHz～60MHz的范围，更加优选400kHz～13.56MHz的范围。高频电力的功率，作为晶片W的单位面积的功率密度，优选例如0.2～2.3W/cm2的范围。另外，高频功率自身优选200～2000W的范围。 
这样进行等离子体处理时，由于载置台主体51由AlN形成，因此当载置台主体51暴露在等离子体中时，生成含有Al的微粒，这些微粒附着在晶片W上成为污染。特别是，如本实施方式那样对晶片载置台5施加高频偏压的情况下，存在由于离子引入效果等因而污染会更高的可能性。 
于是，在本实施方式中，以上述的方式设置有第一盖体54和第二盖体。因此，大致能够消除暴露在等离子体中的AlN部分，能够将Al污染的程度极大地降低。而且，由于第二盖体55为与第一盖体54分体的部件，所以可能由于构成载置台主体51的AlN与构成第一和第二盖体54、55的石英之间的热膨胀差，因此产生造成保护层54、55(特别是第二盖体55)的破损的过大的应力。 
另外，从减少污染的观点出发，虽然优选插通孔53的整个内表面被石英覆盖，但是在该情况下，升降销52和第二盖体55的内周面之间的间隙(clearance)变得非常小。由于升降销52的位置和铅直度的精度存在限度，所以当间隙较小时，升降销52与第二盖体55的内周面相互摩擦，可能会产生升降销52将第二盖体55、进而将第一盖体54上推，或升降销52折弯等问题。因此，通过将第二盖体55的筒状部55a嵌入到插通孔53上部的大径孔部53a，另一方面使得第二盖体55不存在于插通孔53的下部，来防止上述问题。即使在插通孔53的下部露出有AlN，由于进入到插通孔53的内部的等离子体流量(flux)非常少，因此也没有较大的影响。另外，虽然在第一盖体54的檐部54d与第二盖体55的凸缘部55b之间存在微粒能够穿过的通路，但是通过使该通路的长度变长，例如使檐部54d和凸缘部55b的重叠长度变长，能够将微粒的穿过抑制到最小限度。 
在本实施方式中，由于升降销52是被固定在支承部件58的固定销，如果最初对位适当的位置，则升降销52与第二盖体55的内周面或插通孔53的内表面接触的可能性，与使用浮动销的情况相比大幅度 降低。 
进而，由于第二盖体55的凸缘部55b进入开口54a的下侧的大经部54c内并位于第一盖体54的檐部54d之下，因此不存在第二盖体55附着于晶片W而脱落的隐患。即，第二盖体55仅载置在第一盖体54上的情况下，处理结束使晶片W上升时，存在第二盖体55附着于晶片W而脱落的可能性。特别是，在静电吸附晶片的情况下，有时即使不施加电压也残留有静电吸附力，第二盖体55吸附于晶片W而脱离的可能性较大，但是在本实施方式中即使有这种吸附力起作用，由于使第二盖体55的凸缘部55b位于第一盖体54的檐部54d之下，因此也不会存在第二盖体55被吸附于晶片W而脱落的情况。 
实际上通过本实施方式的等离子体处理装置进行处理后，能够从在插通孔周围存在AlN露出部分的现有装置的Al污染程度的1.0×1010atoms/cm2降低至5.0×109atoms/cm2为止。 
接着，对晶片载置台5的变形例进行说明。图7是表示晶片载置台5的其他例子的主要部分的局部放大截面图。在该例中，代替上述筒状部55a，使用具有到达插通孔53的下端的筒状部55a′的第二盖体55′，仅在这一点上与之前说明的实施方式不同。 
在之前说明的晶片载置台5中，重视防止升降销52与第二盖体55的内周面的摩擦，使筒状部55a的长度变短，仅覆盖插通孔53上部的大径孔部53a的内周面。然而，如果与由于摩擦而产生的微粒相比，更要防止由于插通孔53的内周面暴露在等离子体中所产生的污染，则图7所示的结构适合。 
接着，参照图8对晶片载置台5的另一其他变形例进行说明。在该例中，在第一盖体54″在与插通孔53对应的开口54a′的周围形成有凹部54f，第二盖体55″具有插入凹部54f的凸缘部55b″和到达插通孔53的下端的筒状部55a″。在该例中，升降销52与筒状部55a″之间产生相互摩擦的可能性增加，另外，存在第二盖体55″被吸附在晶片W的可能性。然而，在第一盖体54″与第二盖体55″之间没有微粒穿过的通路，在插通孔53内也完全没有AlN的露出部分，因此对于抑制微粒是非常有利的，另外，结构也比较简单。另外，图8所示的结构中，开口具有上侧的大径部(凹部54f)和下侧的小径部，凸缘部 55b″能够视为插入到开口的大径部(凹部54f)内。 
其次，对本发明的基板处理装置的第二实施方式的等离子体处理装置100A进行说明。该第二实施方式，主要是晶片载置台的晶片升降机构的升降销的安装结构与第一实施方式不同，其他部分与第一实施方式大致相同。在表示第二实施方式的图9～图16中，对与第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记，省略重复说明。另外，第二实施方式涉及的等离子体处理装置100A同样具有第一实施方式涉及的等离子体处理装置100的图2～图4中记载的结构，对于这些结构也省略重复说明。另外，第二实施方式中的加热器156的结构、电极157的结构和向电极157的供电，分别与第一实施方式中的加热器56的结构、电极57的结构和向电极57的供电相同，对此也省略重复说明。 
对第二实施方式涉及的晶片载置台5A进行详细的说明。图10是对图9所示的等离子体处理装置100A的晶片载置台(基板载置台)5A进行放大表示的截面图，图11是表示晶片载置台5A的晶片升降机构(基板升降机构)的立体图，图12是对晶片升降机构的升降销安装部62进行放大表示的立体图，图13是沿着图5的A-A线的截面图，图14是沿着图13的B-B线的截面图。 
晶片载置台5A如上述所示，被设为在外壳部2内由从排气室11的底部中央向上方延伸的圆筒状的支承部件4支承的状态。晶片载置台(基板载置台)5A的载置台主体151例如由热传导性良好的陶瓷材料AlN形成。插通升降销152的三个(图10中仅图示两个)插通孔153垂直地贯通在载置台主体151的内部。插通孔153的上部形成直径更大的大径孔部153a。第一盖体154为高纯度的石英制，覆盖载置台主体151的上表面和侧面。在第一盖体154的与贯通孔153对应的位置，形成有与贯通孔153相比直径更大的开口154a。设置有覆盖第一盖体154的开口154a和插通孔153上部的大径孔部153a的内表面的高纯度石英制的第二盖体155。在第二盖体155的中央形成有插通升降销152的孔。第二盖体155具有：被嵌入插通孔153上部的大径孔部153a、并成为升降销152的插通孔的筒状部155a，和从筒状部155a的上端向外侧扩展、将开口的内表面的一部分和插通孔153的上端的周围的载置台主体151的上表面覆盖的凸缘部155b。 
在载置台主体151的上表面，在与晶片W的载置部对应的位置形成有凹部151a。而且，在第一盖体154的中央部形成有以与凹部151a嵌合的方式向下侧突出的凸部154c。在第一盖体154的凸部154c的相反侧的上表面形成有凹部154b，该凹部154b的底部为载置晶片W的晶片载置部。通过像这样将第一盖体154的凸部154c与凹部151a嵌合，第一盖体154不会从载置台主体151偏移。 
上述的结构与在第一实施方式中说明的结构相同，因此具有与第一实施方式同样的优点。 
如图11所示，晶片升降机构(基板升降机构)158具有：插通在插通孔153的三根升降销152；支承升降销152并使其升降的升降臂159；将各升降销152安装在升降臂的升降销安装部60；保持升降臂159的升降臂保持部件61；和从升降臂保持部件61向下方延伸、与设置在腔室1外的未图示的气缸等致动器连接的升降轴(shaft)62。通过未图示的致动器使升降轴62升降，经由升降臂159，升降销152升降。如图10所示，在腔室1的下方设置有确保腔室1内的气密性并且容许升降轴62的升降的波纹管62a。该波纹管62a安装在设置在其上的波纹管安装用凸缘(flange)62b。 
升降销安装部60如图12和图13所示，具有：在升降臂159的上表面的与升降销152对应的位置上设置的凹陷159a；具有与凹陷159a游嵌(间隙配合)的突出部63a的大致圆盘形的底座部件63；和通过螺钉(螺栓)65被螺纹固定在升降臂159、按压底座部件63的上表面来夹紧底座部件63的夹紧部件64。底座部件63的突出部63a是从与升降臂159的上表面面接触的底座部件63的底面的中央部向下方突出的部分。另外，底座部件63并不限定于圆盘形，在能够通过夹紧部件64夹紧的范围内能够采用任意的形状。例如，在俯视时可以是四边形、三角形等多边形。 
如图13所示，底座部件63具有从底座部件63的上表面的中央部与该上表面垂直地在底座部件63的内部向下方延伸的母螺纹部63b。升降销152的基端部形成有公螺纹部152b。通过使公螺纹部152b与母螺纹部63b螺合，升降销152垂直地安装在底座部件63。 
底座部件63的母螺纹部63b的底面和升降销152的底面被精密地 加工，以使得这些面无间隙地面接触、并且这些面相对于升降销152的轴线具有较高的垂直度。使底座部件63的母螺纹部63b的底面和升降销152的底面紧贴(密接)，与在公螺纹部152b和母螺纹部63b的螺合部不可避免地存在的微小的游隙无关地，能够确保升降销152相对于母螺纹部63b的底面的垂直度，在这点上是有利的。底座部件63的底面和升降臂159的上表面也被精密地加工成这些面无间隙地面接触。进而，底座部件63的母螺纹部63b的底面和底座部件63的底面具有较高的平行度。因此，当为如图12和图13所示的组装时，确保升降销152的轴线相对于升降臂159的上表面的较高的垂直度，并且，升降销152无晃动地固定在升降臂159。 
另外，如图14所示，凹陷159a和突出部63a在俯视时均为圆形，进而，在凹陷159a的内周面与突出部63a的外周面之间形成有间隙。因此，能够使底座部件63相对于升降臂159在任意的方向上移动，由此，能够将升降销152定位于所要求的位置。 
夹紧部件64如图12所示，具有：按压底座部件63的上表面的按压部64a；通过螺钉65安装在升降臂159的上表面的安装部64b；和连结按压部64a与安装部64b的连结部64c。按压部64a与安装部64b平行，连结部64c与它们垂直，即，夹紧部件64在侧视图中具有曲柄(crank)形状。在按压部64a以不干扰升降销52的方式形成有缺口64d。另外，以保证按压部64a仅按压底座部件63的上表面中的从底座部件63的中央起距离螺钉65更远的一侧的部分的方式，将按压部64a的基端侧(与螺钉65较近的一侧)的下表面切除，由此，在按压部64a的下表面的顶端(前端)侧形成有按压面64e。 
在进行了升降销152的位置调整之后，通过将按压部64a置于底座部件63之上的规定位置，拧紧螺钉65使安装部64b压接升降臂159的上表面，按压部64a按压底座部件63。由此，底座部件63被固定在升降臂159，升降销152被定位。 
在此，夹紧部件64如图15所示，以在使按压部64a的下表面紧贴底座部件63的上表面时，在安装部64b的下表面与升降臂159的上表面之间形成0.2mm左右的间隙的方式设有尺寸。由此，在拧紧螺钉65时，按压部64a以倾斜的状态按压底座部件63，能够以较大的按压 力按压底座部件63。此时，按压部64a的按压面64e位于从底座部件63的外周部(距离螺钉65较远一侧的外周部)起至中央部为止的范围，所以如图16所示，按压部64a以倾斜的状态按压底座部件63时，按压面64e的边缘部64f按压底座部件63的中央部。因此，通过按压力避免底座部件63倾斜。另外，通过按压部64a的按压方法并不限于此，也可以通过面进行按压，也可以按压部64a的整个下表面成为按压面。 
接着，对具有这样结构的晶片载置台5A的等离子体处理装置100A的动作进行说明。首先，将晶片W以载置在晶片搬送机构的晶片臂(未图示)的状态搬入到腔室1内。而且，成为使晶片升降机构(基板升降机构)158的升降销152上升的状态，将晶片W从晶片臂交接到升降销152之上，使升降销152下降，将晶片W载置到晶座即晶片载置台5A上。而且，与第一实施方式相同，从气体供给装置16经由气体导入口15a将需要的处理气体导入腔室1内。 
接着，与第一实施方式相同，向腔室1内导入微波，使处理气体等离子体化，由该等离子体对晶片W实施等离子体处理。此时，对晶片载置台5A施加高频偏压。 
在像这样进行了等离子体处理之后，使晶片升降机构158的升降销152上升，举起作为基板的晶片W。在该状态下，将晶片搬送机构的晶片臂(未图示)向晶片之下插入，将晶片W交接给晶片臂，将晶片W从腔室1搬出。 
在进行上述等离子体处理时，在载置台主体151是AlN制的情况下，如果载置台主体151暴露在等离子体中，则生成含有Al的微粒，这些微粒附着于晶片W而成为污染物。特别是，如本实施方式那样对晶片载置台5A施加高频偏压的情况下，存在由于离子引入效果而污染程度变得更高的可能性，所以通过由石英制的第一盖体154覆盖载置台主体151的上表面和侧面、由石英制的第二盖体155覆盖开口154a和插通孔153大径孔部153a，来抑制微粒的产生。 
如在背景技术一项中所说明的那样，在将升降销152直接螺纹固定到升降臂159的情况下，存在不能单独对升降销152进行位置调节，此外，升降销152容易倾斜的缺点。如果不能得到升降销152与插通孔153之间的适当的位置关系和升降销152的轴线与插通孔153的轴 线之间的足够的平行度，则存在由于升降销152与插通孔内表面的相互摩擦而产生微粒的可能性。另外，还存在升降销152举起第一盖体154或第二盖体155的可能性。在升降销152的单独的位置调节使用不需要的浮动销的情况下，结构上不可避免地产生升降销与插通孔内表面的相互摩擦，还是存在产生微粒的问题。 
对此，在本实施方式中，如前文所述，以能够确保升降销152的轴线相对于底座部件63的底面为较高的垂直度的方式，将升降销152螺纹固定在底座部件63，使该底座部件63的下表面与升降臂159的上表面接触，因此能够保持升降销152的铅直度。另外，由于使底座部件63的突出部63a游嵌于在升降臂159的上表面形成的凹陷159a，所以在凹陷159a的内表面与突出部63a的外周之间的间隙的尺寸范围内能够在任意方向上移动底座部件63，能够调节升降销152的位置。能够个别地调节各升降销152的位置，在像这样已进行了位置调节的状态下，由夹紧部件64的按压部64a从上按压底座部件63，由此能够将升降销固定在所要求的位置。此时，能够确保各升降销152的较高的铅直度。因此，能够正确地进行插通孔153与升降销152的对位，另外，升降销152也不会倾斜。因此，能够使因升降销152与插通孔153内表面之间的相互摩擦所导致的微粒的产生，以及因升降销152所导致的第一盖体154、第二盖体155的举起等问题的产生的可能性变得极小。 
另外，在将升降销152的公螺纹部152b与底座部件63的母螺纹部63b螺合时，底座部件63的母螺纹部63b的底面与升降销152的底面紧贴，因此与在公螺纹部152b和母螺纹部63b的螺合部不可避免地存在的微小的游隙无关，能够确保升降销152相对于母螺纹部63b的底面的垂直度。另外，由于底座部件63的底面和升降臂159的上表面具有较高的平坦度，以使得这些面相互紧贴，因此升降销152不倾斜。 
另外，夹紧部件64，在使按压部64a的下表面紧贴底座部件63的上表面时，以在安装部64b的下表面与升降臂159的上表面之间形成0.2mm左右的间隙的方式设定尺寸，因此在拧紧螺钉65时，按压部64a以倾斜的状态按压底座部件63，能够以较高的按压力按压底座部件63，能够可靠地固定升降销。另外，在按压部64a以倾斜的状态按压底座 部件63时，按压部64e的边缘部64f按压底座部件63的中央部，因此在固定升降销152时通过偏向的按压力能够避免底座部件63倾斜。 
上述第二实施方式涉及的升降销152对升降臂159的安装结构，并不限定于等离子体处理装置，能够广泛适用于各种其他种类的基板处理装置。 
接着，对本发明的基板处理装置的第三实施方式涉及的等离子体处理装置100B进行说明。该第三实施方式中，主要是晶片载置台的载置台主体上设置的盖体的形态与第一实施方式不同，其他部分与第一实施方式大致相同。在表示第三实施方式的图17～图30中，对与第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记，省略重复说明。另外，虽然第三实施方式涉及的等离子体处理装置也同样具有第一实施方式涉及的等离子体处理装置的图2～图4所记载的结构，但是也省略对这些结构的重复说明。另外，第三实施方式中的加热器256的结构、电极257的结构和向电极257的供电，分别与第一实施方式中的加热器56的结构、电极57的结构和向电极57的供电相同，也省略对此的重复说明。 
对第三实施方式涉及的等离子体处理装置100B的晶片载置台5B进行详细的说明。图18是对晶片载置台5B进行放大表示的截面图。晶片载置台5B如上所述，被设置成在外壳部2内由从排气室11的底部中央向上方延伸的圆筒状的支承部件4支承的状态。晶片载置台5B的载置台主体251例如由热传导性良好的陶瓷材料AlN形成。插通升降销252的三个(仅图示两个)插通孔253垂直地贯通载置台主体251的内部。盖体254是高纯度的石英制，覆盖载置台主体251的上表面和侧面。 
在载置台主体251的上表面中央部，在与晶片W的载置区域对应的位置形成有盖体254嵌合的凹部251a。而且，在盖体254的中央部形成有以与凹部251a嵌合的方式向下侧突出的凸部254c。在盖体254的凸部254c的相反侧的上表面形成有凹部254b，该凹部254b的底部是载置晶片W的晶片载置区域(基板载置区域)254a。通过像这样将盖体254的凸部254c与凹部251a嵌合，盖体254不会从载置台主体251偏移。 
盖体254构成为，中央的晶片载置区域254a的厚度d1大于比晶片载置区域254a更靠外侧的外侧区域254d的厚度d2。由此，与从载置台主体251向晶片载置区域254a供给的单位面积的热量相比，向比晶片载置区域254a更靠外侧的外侧区域254d供给的单位面积的热量更多。通过对晶片载置区域254a的厚度d1和外侧区域254d的厚度d2进行调整，控制晶片W的温度。 
另外，盖体254具有将载置台主体251的侧面覆盖的侧面部分251e，由此，防止来自载置台主体251的侧面的、例如由溅射导致的污染。 
插通到插通孔253的升降销252被固定在销支承部件258。即，升降销252构成为固定销。销支承部件258与在垂直方向上延伸的升降杆259连接，通过由未图示的致动器对升降杆259进行升降，经由销支承部件258，使升降销252升降。另外，259a是设置成在气密状态下能够对升降杆259进行升降的波纹管。 
晶片载置台5B是在上述的盖体254的中央部的晶片载置区域254a仅载置晶片W的结构。 
接着，对像这样构成的等离子体处理装置100B的动作进行说明。首先，将晶片W在载置于晶片搬送机构的晶片臂(未图示)的状态下搬送至腔室1内。然后，使升降销252上升的状态下，将晶片W从晶片臂交接到升降销252之上，使升降销252下降，将晶片W载置到晶座5B上。而且，与第一实施方式同样，从气体供给装置16将所需要的处理气体经由气体导入口15a导入腔室1内。 
接着，与第一实施方式同样，向腔室1内导入微波，使处理气体等离子体化，通过该等离子体对被加热器256加热的晶片W实施等离子体处理。 
目前，已知盖体254的厚度是均匀的，在加热器256存在的区域中，提供给盖体254的表面的单位面积的热量大致均匀，但是与此无关，存在晶片W的外周部的温度降低的倾向。这一点被推测为，即使提供相同的热量，由于盖体254的外周部在处理空间中露出，所以在外周部的放热也更多。因此，在本实施方式中，通过从晶片载置区域254a向外侧区域254d供给更多的热量，抑制晶片W的外周部的温度降低。即，由于盖体254越薄则从下方的载置台主体251传递到盖体254的上表面的热量越多，所以与向相对较厚的厚度d1的晶片载置区域254a的上表面供给的单位面积的热量相比，向相对较薄的厚度d2的外侧区域254d的上表面供给的单位面积的热量更多，向晶片W外周部供给的热量增加，结果晶片W外周部的温度降低被抑制。而且，由此能够使晶片W外周部的等离子体处理速率上升，能够实现均匀的等离子体处理。在该情况下，通过使厚度d1与厚度d2的差变大，能够使晶片W外周部的温度相对变高。另外，通过对晶片载置区域254a的厚度d1和外侧区域254d的厚度d2本身进行适当调整，能够最优地控制晶片W的温度本身，能够进行均匀的等离子体处理。 
目前，已知盖体254的厚度是均匀的，在加热器256存在的区域中，提供给盖体254的表面的单位面积的热量大致均匀，但是与此无关，存在晶片W的外周部的温度降低的倾向。这一点被推测为，即使提供相同的热量，由于盖体254的外周部在处理空间中露出，所以在外周部的放热也更多。因此，在本实施方式中，通过从晶片载置区域254a向外侧区域254d供给更多的热量，抑制晶片W的外周部的温度降低。即，由于盖体254越薄则从下方的载置台主体251传递到盖体254的上表面的热量越多，所以与向相对较厚的厚度d1的晶片载置区域254a的上表面供给的单位面积的热量相比，向相对较薄的厚度d2的外侧区域254d的上表面供给的单位面积的热量更多，向晶片W外周部供给的热量增加，结果晶片W外周部的温度降低被抑制。而且，由此能够使晶片W外周部的等离子体处理速率上升，能够实现均匀的等离子体处理。在该情况下，通过使厚度d1与厚度d2的差变大，能够使晶片W外周部的温度相对变高。另外，通过对晶片载置区域254a的厚度d1和外侧区域d2的厚度本身进行适当调整，能够最优地控制晶片W的温度本身，能够进行均匀的等离子体处理。 
即，利用热线相对于石英制的盖体254的透过率，使盖体254的外侧区域254d的厚度相对变薄，使向外侧区域254d的热量增加，抑制晶片W的外周部的温度降低，在实现均匀的等离子体处理的同时，通过使盖体254的厚度本身变化对到达晶片W的热线的量本身进行调整，能够最优地控制晶片W的温度本身，能够进行均匀的等离子体处理。 
另外，在上述例中，通过为了晶片W的对位而在载置台主体251形成凹部251a，在盖体254形成凹部254b，在凹部254c设置有载置面254a，不过，既可以如图19所示使载置台主体251的上表面平坦，也可以如图20所示使盖体254的上表面平坦。该情况下的晶片W的定位，能够通过在晶片W的外侧设置外壁、或设置多个定位销(均未图示)来进行。 
接着，对本实施方式的结构的模拟结果进行说明。在此，为了简单化，仅考虑热传导而不考虑热辐射，通过由通用的稳定热传导解析 软件即3GA(Palsso Tech公司制)进行模拟，求出采用各种盖体形状的情况下的晶片的中心和边缘部的温度。 
在作为参照的编号1中，如图21所示，使盖体254的厚度均匀地为1.5mm。另外，在编号2中，如图22所示，为了使盖体254的比晶片载置区域254a更靠外侧的外侧区域254d的热容量变大，使该部分的厚度为4mm厚。进而，在编号3中，如图23所示，为了在晶片载置区域254a的外侧使热容量变大，使与外侧区域254d连接的侧面部分254e的厚度增加10mm(共计11.5mm)。这是为了在晶片载置区域254a的外侧形成热容量较大的部分，并通过在该部分蓄热使晶片W的外侧部分的温度上升。 
其结果，在作为参照的编号1中，载置在晶片载置区域254a的晶片W的中心温度TC是402.8℃，晶片W的边缘温度TE是381.8℃，它们的差Δt是21℃，与此相对，在编号2中，TC＝398.1℃，TE＝374.5℃，Δt＝23.6℃，在编号3中，TC＝393℃，TE＝368℃，Δt＝25℃，反而成为晶片W外周部的温度降低剧烈的结果。这被认为是由于通过使外侧区域254d和侧面部分254e变厚，这些作为吸热部件(heat sink)发挥作用，所以反而减少了向晶片载置区域254a的外侧区域254d的热供给。 
于是，对相反使盖体54的晶片载置区域254a变厚的编号4、5进行模拟。编号4如图24所示，使晶片载置区域254a的厚度d1为3.5mm，使外侧区域254d的厚度d2保持1.5mm不变，编号5如图25所示，使d1为2.5mm，d2保持1.5mm不变。其结果，在编号4中，TC＝346.6℃，TE＝334.3℃，Δt＝12.3℃，在编号5中，TC＝372.16℃，TE＝357.7℃，Δt＝14.4℃，成功地降低了Δt。其中，这是在编号4中TC是346.6℃较低，在编号5中虽然使d1返回到2.5mm，但TC是372.16℃仍然较低的结果。于是，作为编号6，如图26所示，对使d1为2mm、d2为1mm的情况进行模拟，其结果，TC＝386.7℃，TE＝373.7℃，Δt＝13℃，能够使TC在容许范围内。进而，通过对盖体254的厚度进行调整，能够更严格地进行温度控制。但是，被认为由于加工的问题等而自然具有限度。 
这样，通过与盖体254的晶片载置区域254a的厚度d1相比，使 外侧区域254d的厚度d2以规定的量变薄，能够抑制晶片边缘部的温度降低。而且，通过适当调整晶片载置区域254a的厚度和外侧区域254d的厚度，确认抑制晶片W外周部的温度降低并且适当控制晶片W的温度，能够进行更加均匀的等离子体处理。 
接着，将采用本实施方式涉及的晶片载置台实际进行了等离子体处理而得到的结果与比较例进行比较并说明。在此，在图17的等离子体装置中，采用图27所示的本实施方式涉及的晶片载置台和图28所示的比较例涉及的晶片载置台，进行氮化硅膜的成膜。此时的条件，使腔室内的压力为6.7Pa，高频偏压的电力为3kW，以N2气体为600mL/min(sccm)、Ar气体为100mL/min(sccm)、Si2H6气体为4mL/min(sccm)的流量进行供给，设定载置台主体的温度为500℃进行成膜处理。图29表示在该情况下的晶片上的位置与成膜速率的关系。如该图所示，在比较例的情况下在晶片边缘处成膜速率降低，与此相对，在采用本实施方式涉及的晶片载置台的情况下，可以确认晶片边缘的成膜速率的降低被抑制。另外，此时的成膜速率的均匀性(1σ)，在比较例的情况下为5.5％，与此相对，在本实施方式的情况下为3.3％，可以确认本实施方式的成膜速率(等离子体处理)的均匀性较高。 
接着，对第三实施方式的变形例进行说明。图30是对变形例涉及的等离子体处理装置使用的晶片载置台5′进行放大表示的截面图。由于该晶片载置台5′的基本结构与图18所示的晶片载置台5B相同，所以对相同的部分标注相同的附图标记，省略说明。本实施方式的晶片载置台5′具有：上表面呈平面状的由AlN构成的载置台主体251′，和以覆盖载置台主体251′的表面的方式设置的高纯度的石英制的盖体254′。 
盖体254′在其上表面的中央部具有晶片载置区域254a′。另外，盖体254′的上表面是平面状，在上表面设置有将晶片W定位在晶片载置区域254a′的多个定位销80。 
在盖体254′的下表面的晶片载置区域254a′与其外侧的外侧区域254d′之间形成有台阶差，通过该台阶差，在盖体254′的晶片载置区域254a′的下表面与载置台主体251′的上表面之间形成有间隙81。另一方面，盖体254′的外侧区域254d′的下表面与载置台主体251′的上表面相 接，在两者之间不形成间隙。即，外侧区域254d′的下表面与载置台主体251′的上表面之间的距离为0，小于晶片载置区域254a′的下表面与载置台主体251′的上表面之间的距离。因此，虽然从不存在间隙的载置台主体251响外侧区域254d′直接传导热，但是由于从载置台主体251′向晶片载置区域254a′是经由间隙81进行的热传导，所以被传导的热量必然变少。因此，与从载置台主体251′向晶片载置区域254a′供给的单位面积的热量相比，向外侧区域254d′供给的单位面积的热量更多。因此，即使在该变形实施方式中，向晶片外周部供给的热量增加，其结果也能够抑制晶片W外周部的温度降低，能够进行均匀的等离子体处理。在这种情况下，通过适当地调节间隙81的距离G，能够控制晶片W的温度本身，除了控制晶片W外周部的温度降低之外，还能够进行晶片W的温度本身的控制，能够控制等离子体处理速率。 
但是，存在当间隙81的距离G过大时不能使晶片W的温度为所要求的温度的可能性。因此，即使将间隙81的距离G增大到容许范围也不能充分进行晶片W的温度控制的情况下，除了在晶片载置区域254a′与载置台主体251′之间设置有间隙81之外，进一步如之前说明的实施方式那样使外侧区域254d′的厚度d2比晶片载置区域254a′的厚度d1薄等，调整厚度d1和d2本身，能够控制热线透过率。由此，能够使温度调整裕度(margin)进一步增大，能够进行温度控制，以使得能够进行均匀的等离子体处理，或者除此以外能够实现所要求的等离子体处理速率。另外，在外侧区域254d′与载置台主体251′之间也设置有间隙，通过对该间隙和上述间隙81进行调整，也能够使温度调整裕度进一步增大。即，通过对盖体254′的晶片载置区域254a′以及外侧区域254d′的下表面与载置台主体251′的上表面之间的距离进行调整，也可以进行温度调整。 
另外，本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，虽然例示了对晶片载置台施加高频偏压的装置，但也可以是不施加高频偏压的装置。另外，在上述实施方式中，虽然例示了作为等离子体处理装置的RLSA式等离子体处理装置，但是例如也可以是远程等离子体方式、ICP方式、ECP方式、表面反射波方式、磁控管方式等其他方式的等离子体处理装置。等离子体处理 的内容也不被特别限定，能够以等离子体氧化处理、等离子体氮化处理、等离子体氧氮化处理、等离子体成膜处理、等离子体蚀刻等各种等离子体处理为对象。进而，基板并不限定于半导体晶片，也可以是FPD用玻璃基板等其他的基板。 
上述第一～第三实施方式所示的各种特征的结构能够任意地进行组合。例如，第二实施方式所示的基板升降机构能够组合使用第一实施方式所示的各种方式的第一盖体和第二盖体。 
另外，例如对第三实施方式所示的基板载置区域和外侧区域的温度关系进行调整的部件(具体来讲，使盖体的厚度在基板载置区域和外侧区域不同的部件，或在基板载置区域在盖体与载置台主体之间设置间隙的部件等)，能够与第一实施方式和第二实施方式所示的结构组合使用。在该情况下，构成为下述中的至少一种尺寸关系成立即可：至少在第一盖体与载置台主体之间，(i)基板载置区域中的第一盖体的厚度，大于比基板位置区域更靠外侧的外侧区域中的第一盖体的厚度，以及(ii)基板载置区域中的第一盖体的下表面与基本载置台主体的上表面之间的距离，小于比基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的盖体的下表面与基板载置台主体的上表面之间的距离。 

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
能够保持为真空并收容基板的处理容器；
在所述处理容器内载置基板的基板载置台；
向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和
在所述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构，其中，
所述基板载置台包括：
由AlN构成的载置台主体；
设置在所述载置台主体内、用于对被载置的基板进行加热的发热体；
覆盖所述载置台主体的表面的石英制的第一盖体；
以相对于所述基板载置台的上表面自如地突出/没入的方式设置、使基板升降的多个升降销；
设置在所述载置台主体、被插通所述升降销的多个插通孔；
在所述第一盖体的分别与所述多个插通孔对应的位置设置的多个开口；和
作为与所述第一盖体分体的部件且分别设置于所述插通孔的多个石英制的第二盖体，
所述各第二盖体，以使在对应的插通孔的上端附近的所述载置台主体的由AlN构成的表面不暴露在生成于所述处理容器内的等离子体中的方式，将与该第二盖体对应的所述插通孔的内周面的至少一部分和与该第二盖体对应的所述开口的内表面的至少一部分覆盖。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述各第二盖体包括：覆盖所述各插通孔的内周面的至少上部的筒状部；和从所述筒状部的上端部向外侧扩展的凸缘部，
所述凸缘部配置在所述开口内。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述各插通孔在该各插通孔的上部具有直径较大的大径孔部，所述筒状部嵌入于所述大径孔部。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述筒状部覆盖所述插通孔的整个内周面。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述各开口的内表面设置有台阶差，由此所述开口具有上侧的小径部和下侧的大径部，并且在所述第一盖体设置有向所述开口的大径部的上方突出的檐部，
所述第二盖体的凸缘部，在所述檐部的下方伸入到所述开口的大径部内。
6.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述各开口的内表面设置有台阶差，由此所述开口具有上侧的大径部和下侧的小径部，
所述第二盖体的凸缘部插入到所述开口的大径部内。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述等离子体生成机构包括：具有多个槽缝的平面天线；和通过该平面天线向所述处理容器内导入微波的微波导入单元，利用被导入的微波使处理气体等离子体化。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
还具备对所述基板载置台施加用于将等离子体中的离子引入的高频偏压的高频偏压施加单元。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板载置台包括：
支承所述升降销的升降臂；
通过升降臂使升降销升降的致动器；和
将所述升降销安装于所述升降臂的升降销安装部，
所述升降销安装部包括：在所述升降臂的上表面的与所述升降销对应的位置设置的凹陷；将所述升降销螺纹固定的底座部件；和通过夹紧所述底座部件而将所述底座部件固定在所述升降臂的夹紧部件，
所述底座部件包括从该底座部件的底面向下方突出并且游嵌于所述凹陷的突出部。
10.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一盖体具有用于载置基板的载置区域，
所述载置台主体和所述第一盖体以下述中的至少一种尺寸关系成立的方式构成：
(i)所述基板载置区域中的所述第一盖体的厚度，大于比所述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的所述第一盖体的厚度，和
(ii)所述基板载置区域中的所述第一盖体的下表面与所述基板载置台主体的上表面之间的距离，小于比所述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的所述第一盖体的下表面与所述基板载置台主体的上表面之间的距离。
11.一种基板载置台，在用于在被保持为真空的处理容器内对基板进行等离子体处理的基板处理装置中，在所述处理容器内载置基板，所述基板载置台的特征在于，包括：
由AlN构成的载置台主体；
设置在所述载置台主体内、用于对被载置的基板进行加热的发热体；
覆盖所述载置台主体的表面的石英制的第一盖体；
以相对于所述基板载置台的上表面自如地突出/没入的方式设置、使基板升降的多个升降销；
设置在所述载置台主体、被插通所述升降销的多个插通孔；
在所述第一盖体的分别与所述多个插通孔对应的位置设置的多个开口；和
作为与所述第一盖体分体的部件且分别设置在所述插通孔的多个石英制的第二盖体，
所述各第二盖体，以使对应的插通孔的上端附近的所述载置台主体的由AlN构成的表面不暴露在生成于所述处理容器内的等离子体中的方式，将与该第二盖体对应的所述插通孔的内周面的至少一部分和与该第二盖体对应的所述开口的内表面的至少一部分覆盖。
12.如权利要求11所述的基板载置台，其特征在于：
所述各第二盖体具有：覆盖所述各插通孔的内周面的至少上部的筒状部；和从所述筒状部的上端部向外侧扩展的凸缘部，
所述凸缘部配置在所述开口内。
13.如权利要求12所述的基板载置台，其特征在于：
所述各插通孔在该各插通孔的上部具有直径较大的大径孔部，所述筒状部嵌入于所述大径孔部。
14.如权利要求12所述的基板载置台，其特征在于：
所述筒状部覆盖所述插通孔的整个内周面。
15.如权利要求12所述的基板载置台，其特征在于：
在所述各开口的内表面设置有台阶差，由此所述开口具有上侧的小径部和下侧的大径部，并且在所述第一盖体设置有向所述开口的大径部的上方突出的檐部，
所述第二盖体的凸缘部，在所述檐部的下方伸入到所述开口的大径部内。
16.如权利要求12所述的基板载置台，其特征在于：
在所述各开口的内表面设置有台阶差，由此所述开口具有上侧的大径部和下侧的小径部，
所述第二盖体的凸缘部插入到所述开口的大径部内。
17.如权利要求11所述的基板载置台，其特征在于：
支承所述升降销的升降臂；
通过升降臂使升降销升降的致动器；和
将所述升降销安装于所述升降臂的升降销安装部，
所述升降销安装部包括：在所述升降臂的上表面的与所述升降销对应的位置设置的凹陷；将所述升降销螺纹固定的底座部件；和通过夹紧所述底座部件而将所述底座部件固定在所述升降臂的夹紧部件，
所述底座部件包括从该底座部件的底面向下方突出并且游嵌于所述凹陷的突出部。
18.如权利要求11所述的基板载置台，其特征在于：
所述第一盖体具有用于载置基板的基板载置区域，
所述载置台主体和所述第一盖体以下述中的至少一种尺寸关系成立的方式构成：
(i)所述基板载置区域中的所述第一盖体的厚度，大于比所述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的所述第一盖体的厚度，和
(ii)所述基板载置区域中的所述第一盖体的下表面与所述基板载置台主体的上表面之间的距离，大于比所述基板载置区域更靠外侧的外侧区域中的所述第一盖体的下表面与所述基板载置台主体的上表面之间的距离。
19.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
能够保持为真空并收容基板的处理容器；
在所述处理容器内载置基板的基板载置台；
向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和
在所述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构，其中，
所述基板载置台包括：
载置台主体；
设置在所述载置台主体内、用于对被载置的基板进行加热的发热体；
覆盖所述载置台主体的表面的石英制的第一盖体；
以相对于所述基板载置台的上表面自如地突出/没入的方式设置、使基板升降的多个升降销；
设置在所述载置台主体、被插通所述升降销的多个插通孔；
在所述第一盖体的分别与所述多个插通孔对应的位置设置的多个开口；和
作为与所述第一盖体分体的部件且分别设置于所述插通孔的多个石英制的第二盖体，
所述各第二盖体，以使在对应的插通孔的上端附近的所述载置台主体的表面不暴露在生成于所述处理容器内的等离子体中的方式，将与该第二盖体对应的所述插通孔的内周面的至少一部分和与该第二盖体对应的所述开口的内表面的至少一部分覆盖。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：
所述各第二盖体包括：覆盖所述各插通孔的内周面的至少上部的筒状部；和从所述筒状部的上端部向外侧扩展的凸缘部，
所述凸缘部配置在所述开口内。
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