JP2021012952A - 載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法 - Google Patents

載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021012952A
JP2021012952A JP2019126429A JP2019126429A JP2021012952A JP 2021012952 A JP2021012952 A JP 2021012952A JP 2019126429 A JP2019126429 A JP 2019126429A JP 2019126429 A JP2019126429 A JP 2019126429A JP 2021012952 A JP2021012952 A JP 2021012952A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main body
mounting table
cover member
cover
side recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2019126429A
Other languages
English (en)
Inventor
雄一郎 我妻
Yuichiro Azuma
雄一郎 我妻
賢太朗 朝倉
Kentaro Asakura
賢太朗 朝倉
斉藤 哲也
Tetsuya Saito
哲也 斉藤
将久 渡邊
Masahisa Watanabe
将久 渡邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019126429A priority Critical patent/JP2021012952A/ja
Priority to KR1020200074825A priority patent/KR102433189B1/ko
Priority to US16/909,228 priority patent/US20210005502A1/en
Priority to CN202010599609.0A priority patent/CN112185881A/zh
Publication of JP2021012952A publication Critical patent/JP2021012952A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Abstract

【課題】載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制し、また、この位置ずれ抑制のための機構により載置台本体の熱膨張又は熱収縮時に当該載置台本体に破損が生じるのを防ぐ。【解決手段】基板が載置される載置台であって基板が上面に載置される載置台本体と、前記載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材と、前記載置台本体の上面と前記カバー部材の下面との間に設けられ、転動または摺動する位置ずれ防止用部材と、を備え、前記載置台本体の上面には、前記位置ずれ防止用部材を受容する本体側凹部が形成され、前記カバー部材の下面には、前記本体側凹部に受容された前記位置ずれ防止用部材を受容するカバー側凹部が形成され、前記本体側凹部及び前記カバー側凹部の少なくともいずれか一方が、前記載置台本体の径方向に沿った傾斜面を有するすり鉢状に形成されている。【選択図】図4

Description

本開示は、載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法に関する。
特許文献1には、成膜装置のチャンバ内に設けられ半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)が載置されるステージとして、当該ステージの外縁部及び当該ステージの側周面を周方向に亘って覆うようにカバー部材が設けられたものが開示されている。
特開2018−70906号公報
本開示にかかる技術は、載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制し、また、この位置ずれ抑制のための機構により載置台本体の熱膨張又は熱収縮時に当該載置台本体に破損が生じるのを防ぐ。
本開示の一態様は、基板が載置される載置台であって基板が上面に載置される載置台本体と、前記載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材と、前記載置台本体の上面と前記カバー部材の下面との間に設けられ、転動または摺動する位置ずれ防止用部材と、を備え、前記載置台本体の上面には、前記位置ずれ防止用部材を受容する本体側凹部が形成され、前記カバー部材の下面には、前記本体側凹部に受容された前記位置ずれ防止用部材を受容するカバー側凹部が形成され、前記本体側凹部及び前記カバー側凹部の少なくともいずれか一方が、前記載置台本体の径方向に沿った傾斜面を有するすり鉢状に形成されている。
本開示によれば、載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制することができ、また、この位置ずれ抑制のための機構により載置台本体の熱膨張又は熱収縮時に当該載置台本体に破損が生じるのを防ぐことができる。
本開示にかかる課題を説明する図である。 第1実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図である。 図2の成膜装置の内部の状態を示す部分拡大断面図である。 載置台の部分拡大断面図である。 載置台本体の上面図である。 カバー部材の下面図である。 カバー側凹部の平面図である。 位置ずれ防止用部材の他の例を説明する図である。 位置ずれ防止用部材の他の例を説明する図である。 載置台本体の他の例を説明する図である。 第2実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図である。 図11のピン支持部材の上面図である。 図11のカバー部材の下面図である。 図11のカバー部材が有する係止部の側面図である。 第2実施形態におけるリフトピンの他の例を説明する図である。 第2実施形態におけるカバー部材の他の例を説明する図である。
例えば、半導体デバイスの製造プロセスでは、ウェハ等の基板に対して、成膜処理等の基板処理が行われる。この基板処理は、基板処理装置を用いて行われる。基板処理装置内には、基板が載置される載置台が設けられている。載置台としては、その上面に基板が載置される載置台本体と、該載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材とを有するものが知られている。また、基板処理に際し、載置台本体を加熱または冷却することにより、当該載置台本体に載置された基板の温度を調節することがある。
ところで、カバー部材と載置台本体との位置関係は一定であることが好ましい。しかし、例えば、基板処理が基板面内で均一に行われるように載置台本体を回転させるとき等に、載置台本体に対してカバー部材の位置がずれることがある。特許文献1には、この載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制する技術は開示されていない。
また、載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制するための機構としては図1に示すような機構が考えられる。図1の位置ずれ抑制機構は、カバー部材500の下面に一体的に形成された固定用突起501と、載置台本体510の上面に形成された縦穴511とを有する。固定用突起501が縦穴511に差し込まれるようにカバー部材500を取り付けることにより、載置台本体510に対するカバー部材500の位置ずれが抑制される。
しかし、図1の位置ずれ抑制機構では、載置台本体510が加熱後のメンテナンス時等に降温し熱収縮する際に、該熱収縮が固定用突起501により妨げられ、載置台本体510に熱応力が生じ、その結果、載置台本体510に亀裂等の破損が生じることがある。載置台本体510が熱膨張する際も同様である。
そこで本開示にかかる技術は、載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制し、また、この位置ずれ抑制のための機構により載置台本体の熱膨張又は熱収縮時に当該載置台本体に破損が生じるのを防ぐものである。
以下、本実施形態にかかる載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
(第1実施形態)
図2は、第1実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の一部を断面で示している。図3は、図2の成膜装置の内部の状態を示す部分拡大断面図である。
図2の成膜装置1は、減圧可能に構成され、基板としてのウェハWを収容する処理容器10を有する。
処理容器10は、有底の円筒形状に形成された容器本体10aを有する。
容器本体10aの側壁には、ウェハWの搬入出口11が設けられており、この搬入出口11には、当該搬入出口11を開閉するゲートバルブ12が設けられている。搬入出口11よりも上部側には、容器本体10aの側壁の一部をなす、後述の排気ダクト60が設けられている。容器本体10aの上部には、すなわち排気ダクト60には、開口10bが設けられており、この開口10bを塞ぐように蓋13が取り付けられている。排気ダクト60と蓋13との間には、処理容器10内を気密に保つためのOリング14が設けられている。
処理容器10内には、ウェハWが載置される載置台20が設けられている。
載置台20は、上面にウェハWが水平に載置される載置台本体21を有する。載置台本体21の内部には、ウェハWを加熱するためのヒータ21aが設けられている。なお、ウェハWの冷却が必要な場合には、載置台本体21の内部に冷却機構が設けられる。載置台本体21の内部にヒータ21aと冷却機構の両方を設け、ウェハWの加熱と冷却の両方を行うことができるようにしてもよい。
さらに、載置台本体21には、上下方向に貫通する貫通孔21bが複数形成されている。この貫通孔21bには後述のリフトピン30が挿通される。
また、載置台20は、載置台本体21の上面の外縁部を覆うカバー部材22を有する。カバー部材22は、具体的には、載置台本体21の上面のウェハWの載置領域よりも外周側の領域及び載置台本体21の側周面を周方向に亘って覆う。このカバー部材22は、処理容器10内を、載置台本体21の上方の空間と当該載置台本体21の下方の空間(以下、ボトム空間B)とに区画する。
さらに、載置台20は、載置台本体21の上面とカバー部材22との間に設けられ載置台本体21の上面に沿って転動可能に構成された位置ずれ防止用部材としてのボール23を有する。
載置台本体21、カバー部材22及びボール23の詳細な構成については後述する。
載置台本体21の下面中央部には、処理容器10の底壁に形成された開口15を通じて当該底壁を貫通し、上下方向に延在する台支持部材としての支軸部材24の上端が接続されている。支軸部材24の下端は移動機構としての駆動機構25に接続されている。駆動機構25は、支軸部材24を昇降及び回転させるための駆動力を発生するものであり、例えばエアシリンダ(図示せず)やモータ(図示せず)を有する。支軸部材24が駆動機構25の駆動により上下に移動することに伴って、載置台本体21は、二点鎖線で示す搬送位置と、その上方の処理位置との間とを上下に移動することができる。搬送位置とは、処理容器10の搬入出口11から処理容器10内に進入するウェハWの搬送機構(図示せず)と後述のリフトピン30との間で、ウェハWを受け渡している時に、載置台20が待機する位置である。また、処理位置とは、ウェハWに成膜処理が行われる位置である。また、支軸部材24が駆動機構25の駆動によりその軸線を中心に回転することに伴って、載置台本体21が上記軸線を中心に回転する。
また、支軸部材24における処理容器10の外側には、フランジ26が設けられている。そして、このフランジ26と、処理容器10の底壁における支軸部材24の貫通部との間には、支軸部材24の外周部を囲むように、ベローズ27が設けられている。これによって、処理容器10の気密が保たれる。
さらに、載置台本体21に対して、上述の貫通孔21bに下方から挿通される基板支持ピンとしてのリフトピン30が設けられている。リフトピン30は、処理容器10の外部から当該処理容器10内に挿入されるウェハ搬送装置(図示せず)と載置台20との間でウェハWを受け渡すためのものである。このリフトピン30は、上述の搬送位置の載置台本体21の上面から貫通孔21bを介して突出可能に構成されている。なお、リフトピン30は、貫通孔21b毎に設けられている。
リフトピン30は、載置台20の下面より下側に位置する鍔部31を有する棒状部材であり、例えばアルミナから形成される。鍔部31は、リフトピン30を後述のピン支持部材100に係止するためのものであり、例えばリフトピン30の略中央部に形成されている。図3に示すように、リフトピン30の鍔部31より上側の部分32が載置台本体21の貫通孔21bに挿入される。また、リフトピン30の鍔部31より下側の部分33が後述のピン支持部材100の挿入孔101に挿入される。
なお、上述のようなリフトピン30が挿入される載置台本体21の貫通孔21bは、リフトピン30の鍔部31より細く形成されている。言い換えると、載置台本体21の貫通孔21bの内径は、リフトピン30の鍔部31の直径より小さく設定されている。
さらに、図2に示すように、処理容器10内における載置台本体21と蓋13との間には、載置台本体21との間に処理空間Sを形成するためのキャップ部材40が、載置台本体21と対向するように設けられている。キャップ部材40は蓋13とボルト(図示せず)により固定されている。
キャップ部材40の下部には、逆すり鉢状の凹部41が形成されている。凹部41の外側には、平坦なリム42が形成されている。
そして、前述の処理位置に位置する載置台本体21の上面とキャップ部材40の凹部41とにより、処理空間Sが形成される。処理空間Sが形成されたときの載置台本体21の高さは、キャップ部材40のリム42の下面と、カバー部材22の上面との間に隙間43が形成されるように設定される。凹部41は、例えば、処理空間Sの容積が極力小さくなると共に、処理ガスをパージガスで置換する際のガス置換性が良好になるように、形成される。
キャップ部材40の中央部には、処理空間S内へ処理ガスやパージガスを導入するためのガス導入路44が形成されている。ガス導入路44は、キャップ部材40の中央部を貫通し、その下端が、載置台20上のウェハWの中央部と対向するように設けられている。また、キャップ部材40の中央部には流路形成部材40aが嵌め込まれており、この流路形成部材40aにより、ガス導入路44の上側は分岐され、それぞれ蓋13を貫通するガス導入路45と連通している。
キャップ部材40のガス導入路44の下端の下方には、ガス導入路44から吐出されたガスを処理空間S内に分散させるための分散板46が設けられている。分散板46は、支持棒46aを介して、キャップ部材40に固定されている。
ガス導入路45には、処理ガスとしてのTiClガス、NHガスやパージ用のNガス等を、ガス供給源(図示せず)から処理容器10へ導くガス導入機構50が設けられている。ガス導入機構50と処理容器10との間、具体的には、ガス導入機構50と蓋13との間には、処理容器10内を気密に保つためのOリング(図示せず)が設けられている。
さらにまた、容器本体10aの排気ダクト60には、排気管61の一端部が接続されている。排気管61の他端部は、例えば真空ポンプにより構成される排気装置62が接続されている。また、排気管61の排気装置62より上流側には、処理空間S内の圧力を調整するためのAPCバルブ63が設けられている。
なお、排気ダクト60は、縦断面形状が角型のガス通流路64を環状に形成したものである。排気ダクト60の内周面には、全周に亘ってスリット65が形成されている。排気ダクト60の外壁には、排気口66が設けられており、当該排気口66に排気管61が接続されている。スリット65は、載置台20が前述の処理位置まで上昇した際に形成される前述の隙間43に対応する位置に形成されている。したがって、処理空間S内のガスは、排気装置62を作動させることにより、隙間43及びスリット65を介して、排気ダクト60のガス通流路64に至り、排気管61を経て排出される。
また、処理容器10に対しては、前述のボトム空間Bにボトムパージガスを導入する別のガス導入機構70が設けられている。ボトムパージガスは、処理空間Sに供給された処理ガスがボトム空間Bに流れ込むことを防ぐためのガスであり、例えば、Nガス等の不活性ガスが用いられる。また、ボトムパージガスは、例えば、フランジ26に設けられたガス導入孔(図示せず)を介してボトム空間Bに導入される。ボトム空間Bに導入されたボトムパージガスは、カバー部材22と処理容器10の側壁との間の隙間71を介して、排気ダクト60に至り、排出される。
さらに、成膜装置1では、リフトピン30に対し、当該リフトピン30を支持可能に構成された部材であるピン支持部材100と、当該リフトピン30を支持可能に構成されると共に支持した当該リフトピン30を上下方向に移動させるピン移動機構110と、が設けられている。
ピン支持部材100は、具体的には、リフトピン30の鍔部31との係合により当該リフトピン30を鉛直方向すなわち上下自在に下方から支持する。より具体的には、ピン支持部材100には、図3に示すように、リフトピン30の鍔部31より下側の部分33が挿入され当該部分33の外径よりその内径が大きい挿入孔101が形成されている。そして、ピン支持部材100は、当該ピン支持部材100における挿入孔101の周囲の上面と当該挿入孔101に挿入されたリフトピン30の鍔部31の下面とが当接することにより、リフトピン30を吊持することができるように構成されている。また、上述のような構成により、リフトピン30の鍔部31より下側の部分33が挿入孔101に挿入された状態で、水平方向に延びるピン支持部材100の上面に沿って当該リフトピン30が摺動可能となっている。なお、リフトピン30は、ピン支持部材100に支持された状態において、鍔部31より下側の部分33と挿入孔101とで規定される範囲内で、当該ピン支持部材100の上面に沿って水平方向に移動自在である。
また、ピン支持部材100は、載置台本体21に対して固定されている。具体的には、ピン支持部材100は、例えば載置台本体21に接続された支軸部材24に取り付けられている。したがって、ピン支持部材100は、駆動機構25によって、載置台本体21と一体的に上下方向に移動され、また、載置台本体21と一体的に回転される。
なお、ピン支持部材100は、例えば、アルミナや石英等の低熱伝導率材料を用いた、平面視円環状の板状部材から構成される。
ピン移動機構110は、リフトピン30の下端部との係合により当該リフトピン30を下方から支持する。具体的には、ピン移動機構110は、当接部材111を有し、ピン支持部材100の挿入孔101に挿入され当該ピン支持部材100の下面から露出したリフトピン30の下端面と上記当接部材111の上面とが当接することにより、当該リフトピン30を支持する。当接部材111は、例えば平面視円環状の部材から構成される。
当接部材111の下面側には支持柱112が設けられており、支持柱112は、処理容器10の底壁を貫通して、処理容器10の外側に設けられた駆動機構113に接続されている。駆動機構113は、支持柱112を昇降させるための駆動力を発生する。支持柱112が駆動機構113の駆動により上下に移動することに伴って、当接部材111が上下に移動し、これにより当該当接部材111に支持されたリフトピン30が載置台本体21と独立して上下に移動する。特に、支持柱112が駆動機構113の駆動により上方に移動することに伴って、リフトピン30が上方に移動し、当該リフトピン30の上端部が、搬送位置に移動された載置台20の上面から突出する。
なお、上述の駆動機構113と処理容器10の底壁における支持柱112の貫通部との間には、支持柱112の外周部を囲むように、ベローズ114が設けられている。これによって、処理容器10の気密が保たれる。
以上のように構成される成膜装置1には、図2に示すように、制御部Uが設けられている。制御部Uは、例えばCPUやメモリ等を備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、成膜装置1における後述のウェハ処理を実現するためのプログラム等が格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部Uにインストールされたものであってもよい。また、プログラムの一部または全ては専用ハードウェア(回路基板)で実現してもよい。
ここで、成膜装置1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
まず、ゲートバルブ12が開かれ、処理容器10に隣接する真空雰囲気の搬送室(図示せず)から、搬入出口11を介して、ウェハWを保持したウェハ搬送装置(図示せず)が処理容器10内に挿入される。そして、ウェハWが、前述の待機位置に移動されている載置台本体21の上方に搬送される。次いで、ピン支持部材100に吊持されていたリフトピン30が、ピン移動機構110により上昇する。これにより、上記吊持が解除されると共に、当該リフトピン30が載置台本体21の上面から所定距離突出し、当該リフトピン30の上にウェハWが受け渡される。その後、ウェハ搬送装置が処理容器10から抜き出され、ゲートバルブ12が閉じられる。それと共に、ピン移動機構110によるリフトピン30の下降、駆動機構25による載置台本体21の上昇が行われる。これにより、ピン移動機構110によるリフトピン30の支持が解除されリフトピン30が再びピン支持部材100により吊持されると共に、リフトピン30の上端部が載置台本体21の貫通孔21b内に収納され載置台本体21の上面から突出していない状態となり、載置台本体21上にウェハWが載置される。次いで、処理容器10内が所定の圧力に調整され、駆動機構25により載置台本体21が処理位置へ移動され、処理空間Sが形成される。
この状態で、ガス導入機構50を介して、処理空間Sに、パージガスであるNガスが供給されると共にTiClガスとNHガスが交互に且つ間欠的に供給され、ALD法によりウェハW上にTiN膜が成膜される。この成膜の際、ウェハWは載置台本体21により加熱され、例えば、ウェハWの温度(具体的には載置台本体21の温度)は300℃〜600℃とされる。
上述のようなALD法でのTiN膜の成膜終了後、ウェハWが載置された載置台本体21が搬送位置まで下降される。次いで、ピン移動機構110によるリフトピン30の上昇が行われる。これにより、ピン支持部材100によるリフトピン30の吊持が解除されると共に、当該リフトピン30が載置台本体21の上面から所定距離突出し、当該リフトピン30の上にウェハWが受け渡される。その後、ゲートバルブ12が開かれ、搬入出口11を介して、ウェハWを保持していないウェハ搬送装置が処理容器10内に挿入される。ウェハ搬送装置は、リフトピン30に保持されたウェハWと搬送位置の載置台本体21との間まで挿入される。次いで、ピン移動機構110によりリフトピン30が下降し、当該リフトピン30上のウェハWがウェハ搬送装置に受け渡される。そして、ウェハ搬送装置が処理容器10から抜き出され、ゲートバルブ12が閉じられる。これにより、一連のウェハ処理が完了する。
その後、他のウェハWに対し、上述の一連のウェハ処理が行われる。
続いて、載置台20が有する載置台本体21、カバー部材22及びボール23について、図3を参照し、図4〜図7を用いて説明する。図4は、載置台20の部分拡大断面図、図5は、載置台本体21の上面図、図6は、カバー部材22の下面図、図7は、後述のカバー側凹部の平面図である。
載置台本体21の上面には、図4に示すように、ボール23を受容する本体側凹部21cが形成されている。本体側凹部21cは、具体的には、ボール23の下側を受容する。この本体側凹部21cは、載置台本体21の径方向に沿った傾斜面21dを有するすり鉢状に形成されている。具体的には、本体側凹部21cは、円錐状に凹むように形成されている。また、本体側凹部21cは、例えば、図5に示すように周方向に沿って複数(図4の例では4つ)形成されている。なお、載置台本体21は、例えば、アルミナから形成され、また、支軸部材24と一体に形成される。
カバー部材22は、図3に示すように、上下端が開口する円筒形状に形成される。このカバー部材22は、処理容器10の側壁に沿って延び当該側壁との間でボトムパージガスの流路を形成する流路形成部22aを有し、また、流路形成部22aの上端の周方向に沿って、内側に向かって水平方向に伸びる係止部22bを有する。係止部22bは、載置台本体21の上面に係止される。また、係止部22bは、その厚さがウェハWよりも厚くなるよう形成されている。
カバー部材22の下面には、図4に示すように、ボール23を受容するカバー側凹部22cが形成されている。カバー側凹部22cは、具体的には、係止部22bの下面に形成され、ボール23の上側の部分を受容する。このカバー側凹部22cは、例えば断面視矩形状に形成されている。また、カバー側凹部22cは、例えば、図6に示すように、平面視において径方向に長い長方形状に形成されている。さらに、カバー側凹部22cは、本体側凹部21cと同数設けられており、当該本体側凹部21cと対応する位置に設けられている。なお、カバー部材22は例えばアルミナまたは石英から形成される。
上述の載置台本体21とカバー部材22との間に設けられたボール23は、載置台本体21及びカバー部材22のいずれにも固定されておらず、本体側凹部21cの傾斜面21dに沿って転動可能に構成されている。また、ボール23は例えばアルミナまたは石英を用いて真球状に形成される。
載置台20の組み立ての際は、載置台本体21の本体側凹部21c内にボール23の一方側の部分が受容されカバー部材22のカバー側凹部22cに当該ボール23の他方側の部分が受容されるように、当該載置台本体21と当該カバー部材22とが互いに組み付けられる。具体的には、例えば、まず、載置台本体21の上面の本体側凹部21c内にボール23の下部が受容される。次いで、本体側凹部21c内に受容されたボール23の上部がカバー部材22の下面のカバー側凹部22c内に受容されるように、カバー部材22が載置台本体21に組み付けられる。
上述のように組み付けることにより、載置台本体21が回転された場合等において当該載置台本体21に対しカバー部材22の位置がずれるのを抑制することができる。
上述のような方法で位置ずれを抑制するため、載置台本体21が降温過程において熱収縮する際に、ボール23が、この熱収縮に伴って、図4の矢印Mや矢印Nで示すように回転し、本体側凹部21cの傾斜面21dに沿って移動すること、すなわち転動することができる。そのため、上記熱収縮がボール23により妨げられることがないため、上記熱収縮の際に、載置台本体21に熱応力が加わらず、または、載置台本体21に加わる熱応力が小さい。したがって、載置台本体21に亀裂等の破損が生じることがない。
載置台本体21の昇温過程において膨張する場合も同様である。
なお、図7に示すように、カバー側凹部22cの平面視における径方向の長さL1は、ボール23の直径Rよりも大きい。これは、カバー側凹部22cの径方向側の側壁の下端部22d(図4参照)によって、載置台本体21の熱収縮や熱膨張に伴うボール23の径方向に沿った転動が阻害されるのを防ぐためである。
また、カバー側凹部22cの平面視における周方向の長さL2は、ボール23の直径Rと略同等であり、または、ボール23の直径Rより小さい。これは、カバー側凹部22cを形成する周方向側の側壁とボール23との係合により、載置台本体21に対してカバー部材22が周方向に移動すること、すなわち、載置台本体21に対してカバー部材22が回転することを防ぐためである。これにより、カバー部材22の載置台本体21に対する位置ずれをより高精度に防ぐことができる。
以上のように、本実施形態では、ウェハWが載置される載置台20が、ウェハWが上面に載置される載置台本体21と、載置台本体21の上面の外縁部を覆うカバー部材22と、載置台本体21の上面とカバー部材22の下面との間に設けられるボール23と、を備える。また、載置台本体21の上面には、ボール23を受容する本体側凹部21cが形成され、カバー部材22の下面には、本体側凹部21cに受容されたボール23を受容するカバー側凹部22cが形成されている。したがって、本体側凹部21c内にボール23の一方側の部分が受容され、カバー側凹部22cに当該ボール23の他方側の部分が受容されるように、載置台本体21とカバー部材22とを組み付けることで、載置台本体21に対するカバー部材22の位置ずれを抑制することができる。特に、載置台本体21が回転する場合における、上記位置ずれを抑制することができる。また、上記位置ずれを抑制することができるため、当該位置ずれによる発塵を防いだり、位置ずれにより載置台本体21及びカバー部材22に傷が生じるのを防いだりすることができる。さらに、本実施形態では、本体側凹部21cが、載置台本体21の径方向に沿った傾斜面21dを有するすり鉢状、具体的には円錐状に形成されている。そのため、載置台本体21の降温過程または昇温過程における熱収縮または熱膨張に伴って、ボール23が、傾斜面21dに沿って転動することができる。したがって、上述の熱収縮や熱膨張の際に、載置台本体21に亀裂等の破損が生じることがない。また、本体側凹部21cやカバー側凹部22cに成膜処理により堆積物が堆積した場合にも、堆積物によりボール23の動きが阻害されるまでの許容値が図1の位置ずれ抑制機構よりも格段に大きいため、この場合にも載置台本体21に亀裂等の破損が生じることがない。
本実施形態では、本体側凹部21c、カバー側凹部22c及びボール23の組が4つ設けられている。このように、本体側凹部21c、カバー側凹部22c及びボール23の組を3以上設けることにより、カバー部材22と載置台本体21とを同心にすることができる。カバー部材22が載置台本体21に対して偏心していると、カバー部材22と処理容器10の側壁との間の隙間71(図2参照)の大きさが周方向で不均一となる。そのため、カバー部材22によって区画された載置台本体21の上方の空間に流入する、ボトムパージガスの量が周方向で不均一となる。その結果、処理空間Sからの処理ガスの排気が周方向で不均一となり、成膜処理がウェハ面内で不均一となってしまうことがある。この成膜処理のウェハ面内での不均一性を、上述のようにカバー部材22と載置台本体21とを同心にすることで解消することができる。
なお、ボール23が本体側凹部21c内において最下点に位置するときに、互いに組み付けられたカバー部材22と載置台本体21とが同心になるように、本体側凹部21c、カバー側凹部22cは設けられている。
さらに、本実施形態では、リフトピン30の載置台本体21の下面より下側に鍔部31が設けられ、ピン支持部材100が、リフトピン30の鍔部31との係合により当該リフトピン30を水平方向に移動自在に支持している。つまりは、リフトピン30がピン支持部材100等に固定されていない。したがって、載置台本体21の熱膨張等の影響で、リフトピン30の破損や、リフトピン30の円滑な昇降動作が損なわれることがない。そして、本実施形態では、リフトピン30が挿通される載置台本体21の貫通孔21b(特にその上端部)が、リフトピン30の鍔部31より細く形成されている。したがって、本実施形態によれば、例えば載置台本体21の載置面側でリフトピンを吊持するような従来の形態に比べて貫通孔21bに相当する部分の径を小さくできる。よって、ウェハWの貫通孔21bに対応する部分の温度が低下するのを抑制することができるため、ウェハWの温度の面内均一性を改善することができる。
図8及び図9は、位置ずれ防止用部材の他の例を説明する図である。
以上の例では、位置ずれ防止用部材はボール23であり真球状に形成されていた。しかし、位置ずれ防止用部材の形状はこれに限られない。位置ずれ防止用部材は、載置台本体21が熱収縮または熱膨張したときに本体側凹部21cの傾斜面21dに当接する曲面を有していればよい。
したがって、例えば、図8の位置ずれ防止用部材200のように、長球状に形成されていてもよい。また、図9の位置ずれ防止用部材210のように、側面視角丸方形状に形成されていてもよい。
なお、位置ずれ防止用部材が、図8及び図9に示すように長球状や側面視角丸方形状に形成されていると、本体側凹部21cの傾斜面21dに沿って転動ではなく摺動する場合がある。この場合でも、載置台本体21の降温過程または昇温過程における熱収縮または熱膨張が位置ずれ防止用部材で妨げられないため、当該熱収縮または熱膨張の際に、載置台本体21に亀裂等の破損が生じることがない。
図10は、載置台本体の他の例を説明する図である。
以上の例では、載置台本体21の上面に形成された本体側凹部21cの底面が凹面で構成されていたが、載置台本体に形成される本体側凹部の形状はこれに限られない。
例えば、図10の載置台本体220に形成された本体側凹部220aのように、底面220bが平坦面で構成されていてもよい。
なお、図4等の真球状のボール23や図9の側面視角丸方形状の位置ずれ防止用部材210などを用いる場合にも、本体側凹部の底面220bを平坦面で構成してもよい。
(第2実施形態)
図11は、第2実施形態にかかる基板処理装置としての成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置の内部の状態を示す部分拡大断面図である。図12は図11のピン支持部材の上面図、図13は図11のカバー部材の下面図、図14は図11のカバー部材が有する後述の係止部の側面図である。
第1実施形態では、ピン支持部材100が支軸部材24に取り付けられていた。それに対し、本実施形態では、図11に示すように、ピン支持部材230はカバー部材240に取り付けられている。
ピン支持部材230は、図11及び図12に示すように、リフトピン30が挿入される挿入孔101が形成された平面視円環状の本体部231と、本体部231から外方に延びる複数の舌片部232とを有する。
また、カバー部材240は、図11及び図13に示すように、係止部22bから下方に延びるように形成された爪部241を複数有する。爪部241は例えば図14に示すように側面視L字状に形成されている。
ピン支持部材230の舌片部232とカバー部材240の爪部241の下端部242との係合により、ピン支持部材230はカバー部材240に取り付けられる。
このようにピン支持部材230をカバー部材240に取り付ける構造の場合、載置台本体21が回転したときに、当該載置台本体21に対してカバー部材240の位置が周方向にずれると、リフトピン30が折れることがある。しかし、本実施形態では、前述の本体側凹部21c、カバー側凹部22c及びボール23が設けられており、載置台本体21に対するカバー部材240の周方向の位置ずれがなく、または、当該位置ずれが少ないため、リフトピン30が折れることがない。また、支軸部材24に取り付ける構成に比べて、カバー部材240に取り付ける構成は、載置台20の構造に関する従来のものからの変更点が少なくて済む。
図15は、第2実施形態におけるリフトピンの他の例を説明する図である。
図2等のリフトピン30は鍔部31が一体に形成された一体物である。それに対し、図15のリフトピン250は一体物ではなく複数の部材を有する。
具体的には、リフトピン250は、鍔部31を含む第1部材251と、第1部材251とは別体であると共に載置台本体21の貫通孔21bに挿通される挿通部252aを含む第2部材252とを有する。そして、第1部材251が、第2部材252が載置され当該第2部材252を摺動自在に支持する摺動面251aを有する。言い換えると、第1部材251は、第2部材252が摺動面251aに沿って摺動自在となるように、第2部材252を下方から摺動面251aにより支持する。本例では、鍔部31の上端面を含む第1部材251の上端面が上記摺動面251aとなる。また、第1部材251は、鍔部31より下側の挿入部251bが棒状に形成されており、当該挿入部251bがピン支持部材100の挿入孔101に挿入される。
このリフトピン250を用いることにより、載置台本体21が熱収縮または熱膨張したときに当該載置台本体21とピン支持部材230との径方向の位置ずれが生じても、リフトピン30に比べてリフトピン250が折れにくくなる。ただし、載置台本体21が回転し、当該載置台本体21とカバー部材240との周方向に位置ずれが大きい場合、リフトピン250の第2部材252が処理容器10内に落下してしまう。しかし、本実施形態では、前述の本体側凹部21c、カバー側凹部22c及びボール23が設けられており、載置台本体21に対するカバー部材240の周方向の位置ずれがなく、または、当該位置ずれが少ないため、リフトピン250の第2部材252が落下することがない。
図16は、第2実施形態におけるカバー部材の他の例を説明する図である。
図11及び図13の例のカバー部材240は、流路形成部22a、係止部22b及び爪部241が一体に形成された一体物である。それに対し、図16のカバー部材260は一体物ではなく複数の部材を有する。
具体的には、カバー部材260は、係止部22bと爪部241とを含む内側部材261と、当該内側部材261とは別体であり流路形成部22aを含む外側部材262とを有する。
内側部材261は、係止部22bの外端下面に、円環状に形成された円環部261aを有し、その下方に爪部241が形成されている。
外側部材262は、流路形成部22aの上端の周方向に沿って、内側に向かって水平方向に伸びる係止部262aを有する。また、係止部262aは、内側部材261の上面に係止される。
このように、内側部材261と外側部材262とを別体とすることにより、カバー部材260を容易に作製することができる。
なお、外側部材262は、内側部材261に対して位置ずれが生じないように取り付けられる。この取り付けのための機構に、以上で説明した、載置台に対するカバー部材の取り付け機構を用いてもよい。
以上の例では、本体側凹部がすり鉢状に形成されていたが、カバー側凹部がすり鉢状に形成されていてもよく、また、本体側凹部およびカバー側凹部の両方がすり鉢状に形成されていてもよい。
以上では、カバー部材として、処理容器10内を、載置台本体21の上方の空間とボトム空間Bとに区画するカバー部材を用いていた。本開示にかかる技術は、載置台本体21の上面の外縁部を覆うカバー部材とは別のカバー部材を用いる場合にも適用することができる。例えば、載置台本体を構成する材料(例えばニッケル)がウェハWに付着するのを防止するために載置台本体21の上面全部を覆う部材を用いる場合があり、この場合にも本開示にかかる技術を適用することができる。
また、以上では、ALD法で成膜を行っていたが、本開示にかかる技術は、CVD法で成膜を行う場合にも適用することができる。例えば、Si含有ガスを使用してCVD法でSi膜やSiN膜を形成する場合にも、本開示にかかる技術を適用することができる。
以上では、成膜装置を例に説明したが、本開示にかかる技術は、載置台を有する、成膜処理以外の処理を行う基板処理装置にも適用することができる。例えば、エッチング処理を行う装置にも適用することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
(1)基板が載置される載置台であって
基板が上面に載置される載置台本体と、
前記載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材と、
前記載置台本体の上面と前記カバー部材の下面との間に設けられ、転動または摺動する位置ずれ防止用部材と、を備え、
前記載置台本体の上面には、前記位置ずれ防止用部材を受容する本体側凹部が形成され、
前記カバー部材の下面には、前記本体側凹部に受容された前記位置ずれ防止用部材を受容するカバー側凹部が形成され、
前記本体側凹部及び前記カバー側凹部の少なくともいずれか一方が、前記載置台本体の径方向に沿った傾斜面を有するすり鉢状に形成されている、載置台。
前記(1)によれば、本体側凹部内に位置ずれ防止用部材の一方側の部分が受容されカバー側凹部に当該位置ずれ防止用部材の他方側の部分が受容されるように、載置台本体とカバー部材とを組み付けることで、載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制することができる。特に、載置台本体が回転する場合における、上記位置ずれを抑制することができる。さらに、本体側凹部が、載置台本体の径方向に沿った傾斜面を有するすり鉢状に形成されているため、載置台本体の熱収縮または熱膨張に伴って、位置ずれ防止用部材が、傾斜面に沿って転動することができる。したがって、上述の熱収縮や熱膨張の際に、載置台本体に亀裂等の破損が生じることがない。
(2)前記位置ずれ防止用部材は、前記傾斜面に当接する曲面を有する、前記(1)に記載の載置台。
(3)前記位置ずれ防止用部材は、前記傾斜面に沿って転動または摺動する、前記(1)または(2)に記載の載置台。
(4)前記位置ずれ防止用部材の形状は、真球、長球または側面視角丸方形状である、前記(1)〜(3)のいずれか1に記載の載置台。
(5)前記(1)〜(4)のいずれか1に記載の載置台を備える、基板処理装置。
(6)前記載置台本体に、上下方向に貫通する貫通孔が設けられ、
さらに、前記貫通孔に挿通されると共に、前記載置台本体の上面から前記貫通孔を介して突出可能に構成された基板支持ピンと、
前記基板支持ピンを支持可能に構成されたピン支持部材と、を備え、
前記ピン支持部材は、前記カバー部材に取り付けられている、前記(5)に記載の基板処理装置。
(7)前記載置台が内部に配設された処理容器を備え、
前記カバー部材は、前記処理容器内を、前記載置台本体の上方の空間と当該載置台本体の下方の空間とに区画する、前記(5)または(6)に記載の基板処理装置。
(8)基板が載置される載置台の組立方法であって、
前記載置台が、
基板が上面に載置される載置台本体と、
前記載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材と、
前記載置台本体の上面と前記カバー部材の下面との間に設けられ、転動または摺動する位置ずれ防止用部材と、を備え、
前記載置台本体の上面には、前記位置ずれ防止用部材を受容する本体側凹部が形成され、
前記カバー部材の下面には、前記本体側凹部に受容された前記位置ずれ防止用部材を受容するカバー側凹部が形成され、
前記本体側凹部及び前記カバー側凹部の少なくともいずれか一方が、前記載置台本体の径方向に沿った傾斜面を有するすり鉢状に形成され、
当該組立方法は、
前記載置台本体の前記本体側凹部内に前記位置ずれ防止用部材の一方側の部分が受容され、前記カバー部材の前記カバー側凹部に当該位置ずれ防止用部材の他方側の部分が受容されるように、当該載置台本体と当該カバー部材とを互いに組み付ける工程を含む、載置台の組立方法。
20、220 載置台
21 載置台本体
21c、220a 本体側凹部
21d 傾斜面
22、240、260 カバー部材
22c カバー側凹部
23 ボール
200、210 位置ずれ防止用部材
W ウェハ

Claims (8)

  1. 基板が載置される載置台であって
    基板が上面に載置される載置台本体と、
    前記載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材と、
    前記載置台本体の上面と前記カバー部材の下面との間に設けられ、転動または摺動する位置ずれ防止用部材と、を備え、
    前記載置台本体の上面には、前記位置ずれ防止用部材を受容する本体側凹部が形成され、
    前記カバー部材の下面には、前記本体側凹部に受容された前記位置ずれ防止用部材を受容するカバー側凹部が形成され、
    前記本体側凹部及び前記カバー側凹部の少なくともいずれか一方が、前記載置台本体の径方向に沿った傾斜面を有するすり鉢状に形成されている、載置台。
  2. 前記位置ずれ防止用部材は、前記傾斜面に当接する曲面を有する、請求項1に記載の載置台。
  3. 前記位置ずれ防止用部材は、前記傾斜面に沿って転動または摺動する、請求項1または2に記載の載置台。
  4. 前記位置ずれ防止用部材の形状は、真球、長球または側面視角丸方形状である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の載置台。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の載置台を備える、基板処理装置。
  6. 前記載置台本体に、上下方向に貫通する貫通孔が設けられ、
    さらに、前記貫通孔に挿通されると共に、前記載置台本体の上面から前記貫通孔を介して突出可能に構成された基板支持ピンと、
    前記基板支持ピンを支持可能に構成されたピン支持部材と、を備え、
    前記ピン支持部材は、前記カバー部材に取り付けられている、請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 前記載置台が内部に配設された処理容器を備え、
    前記カバー部材は、前記処理容器内を、前記載置台本体の上方の空間と当該載置台本体の下方の空間とに区画する、請求項5または6に記載の基板処理装置。
  8. 基板が載置される載置台の組立方法であって、
    前記載置台が、
    基板が上面に載置される載置台本体と、
    前記載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材と、
    前記載置台本体の上面と前記カバー部材の下面との間に設けられ、転動または摺動する位置ずれ防止用部材と、を備え、
    前記載置台本体の上面には、前記位置ずれ防止用部材を受容する本体側凹部が形成され、
    前記カバー部材の下面には、前記本体側凹部に受容された前記位置ずれ防止用部材を受容するカバー側凹部が形成され、
    前記本体側凹部及び前記カバー側凹部の少なくともいずれか一方が、前記載置台本体の径方向に沿った傾斜面を有するすり鉢状に形成され、
    当該組立方法は、
    前記載置台本体の前記本体側凹部内に前記位置ずれ防止用部材の一方側の部分が受容され、前記カバー部材の前記カバー側凹部に当該位置ずれ防止用部材の他方側の部分が受容されるように、当該載置台本体と当該カバー部材とを互いに組み付ける工程を含む、載置台の組立方法。
JP2019126429A 2019-07-05 2019-07-05 載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法 Withdrawn JP2021012952A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019126429A JP2021012952A (ja) 2019-07-05 2019-07-05 載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法
KR1020200074825A KR102433189B1 (ko) 2019-07-05 2020-06-19 적재대, 기판 처리 장치 및 적재대의 조립 방법
US16/909,228 US20210005502A1 (en) 2019-07-05 2020-06-23 Stage, substrate processing apparatus and stage assembling method
CN202010599609.0A CN112185881A (zh) 2019-07-05 2020-06-28 载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019126429A JP2021012952A (ja) 2019-07-05 2019-07-05 載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021012952A true JP2021012952A (ja) 2021-02-04

Family

ID=73918797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019126429A Withdrawn JP2021012952A (ja) 2019-07-05 2019-07-05 載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210005502A1 (ja)
JP (1) JP2021012952A (ja)
KR (1) KR102433189B1 (ja)
CN (1) CN112185881A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020177967A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021889A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Kokusai Electric Co Ltd 加熱体の支持構造
JP4419237B2 (ja) * 1999-12-22 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び被処理体の処理方法
JP3996502B2 (ja) * 2002-12-27 2007-10-24 株式会社アルバック 熱板表面のカバー機構を備えた処理装置
JP2006083406A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板載置台および基板処理方法
KR101119780B1 (ko) * 2005-06-30 2012-03-23 엘지디스플레이 주식회사 플라즈마 화학증착장치
JP4687534B2 (ja) * 2005-09-30 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板の載置機構及び基板処理装置
US20080220150A1 (en) * 2007-03-05 2008-09-11 Applied Materials, Inc. Microbatch deposition chamber with radiant heating
US8251009B2 (en) * 2008-05-14 2012-08-28 Applied Materials, Inc. Shadow frame having alignment inserts
JP5699425B2 (ja) * 2008-08-05 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び成膜装置
WO2010032750A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板載置台
US20100122655A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Tiner Robin L Ball supported shadow frame
DE102011007632B3 (de) * 2011-04-18 2012-02-16 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe
KR101599798B1 (ko) * 2014-05-07 2016-03-14 세교 (주) 플라즈마 처리장치의 기판재치대
KR101600265B1 (ko) 2014-09-01 2016-03-08 엘지디스플레이 주식회사 화학기상증착장치
JP2016148062A (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 セイコーエプソン株式会社 成膜装置
JP6698001B2 (ja) 2016-10-24 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びカバー部材

Also Published As

Publication number Publication date
KR102433189B1 (ko) 2022-08-18
CN112185881A (zh) 2021-01-05
KR20210004839A (ko) 2021-01-13
US20210005502A1 (en) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180223424A1 (en) Deposition apparatus
TW307018B (ja)
US7922440B2 (en) Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber
JP2021012944A (ja) 基板処理装置及び基板の受け渡し方法
US11104991B2 (en) Processing apparatus and cover member
JP2020503674A (ja) 半導体処理のための円錐形ウエハセンタリングおよび保持装置
JP2021097162A (ja) 基板処理装置及び載置台
US6709525B2 (en) Low pressure chemical vapor deposition apparatus of vertical type for fabricating semiconductor devices
JP2021012952A (ja) 載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法
KR101139692B1 (ko) 화학기상증착장치
KR102205381B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2023528172A (ja) 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積するための方法および装置
KR101421645B1 (ko) 기판처리장치
US20160083841A1 (en) Substrate processing apparatus and method of fabricating substrate loading unit
JP2020177967A (ja) 基板処理装置
WO2020241461A1 (ja) ステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法
KR20090048724A (ko) 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치
US20230033715A1 (en) Substrate processing apparatus
TW202325883A (zh) 加熱裝置、化學氣相沉積設備及吹掃方法
JP2022083011A (ja) サセプタ、cvd装置
CN116368261A (zh) 用于在半导体材料的衬底晶圆上沉积外延层的方法和设备
TW202410268A (zh) 用於預清潔腔室的襯環、預清潔腔室
TW202242194A (zh) 基片承載組件、化學氣相沉積設備及吹掃方法
JP2005228991A (ja) 基板処理装置
JP2001338882A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220316

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20221227