JP2001338882A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ面内の温度の均一性の低下を防止す
る。 【解決手段】 ウエハ１を収容して処理する処理室１１
と、処理室１１内に設置されてウエハ１が載置されるサ
セプタ３３と、サセプタ３３に載置されたウエハ１を加
熱する加熱ユニット３４とを備えている枚葉式ＣＶＤ装
置１０において、保持リング４３がウエハ１の下面の周
辺部に下から係合するウエハホルダ４０が処理室１１に
設置されており、ウエハホルダ４０はサセプタ３３の上
下動によりウエハ１をサセプタ３３に対して授受するよ
うに構成されている。 【効果】 サセプタに突上棒挿通孔を開設しないでウエ
ハをサセプタに授受できるため、加熱ユニットの熱が突
上棒挿通孔から逃げるのを必然的に防止でき、その結
果、ウエハの温度分布を全体にわたって均一に制御でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱化学反応を利用
して基板に所望の処理を施す基板処理装置、特に、サセ
プタによる基板の授受技術に関し、例えば、半導体装置
の製造工程において、半導体ウエハ（以下、ウエハとい
う。）に酸化膜や金属膜を形成する基板処理装置に利用
して有効なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、ウエハ
に酸化膜や金属膜を形成するのに、枚葉式コールドウオ
ール形ＣＶＤ装置（以下、枚葉式ＣＶＤ装置という。）
が使用される場合がある。従来のこの種の枚葉式ＣＶＤ
装置は、ウエハを収容する処理室と、この処理室におい
てウエハを一枚ずつ保持するサセプタと、サセプタに保
持されたウエハを加熱する加熱ユニットと、サセプタに
保持されたウエハに処理ガスを供給するガスヘッドと、
処理室を排気する排気口とを備えており、処理するウエ
ハをサセプタで保持して加熱ユニットで加熱した状態
で、処理室に処理ガスを供給することにより、ウエハに
処理を施すように構成されている。

【０００３】この枚葉式ＣＶＤ装置においては、ウエハ
をサセプタに対して授受するためのウエハ突上装置が設
置されている。すなわち、ウエハ突上装置は三本の突上
棒がサセプタの三箇所に開設された挿通孔に厚さ方向に
摺動自在に挿通されており、三本の突上棒がサセプタに
対して相対的に昇降されることにより、ウエハをサセプ
タに対して授受させるように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ウエハ突上装
置を備えた枚葉式ＣＶＤ装置においては、サセプタに突
上棒の挿通孔が開設されていることにより、サセプタを
介して加熱する加熱ユニットの熱が挿通孔から逃げるた
め、ウエハ面内の温度の均一性が低下し、ウエハ面内の
処理の均一性が低下するという問題点がある。

【０００５】本発明の目的は、基板面内の温度の均一性
の低下を防止することができる基板処理装置を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板を収容して処理する処理室と、この処理室内
に設置されて前記基板が載置されるサセプタと、このサ
セプタに載置された前記基板を加熱する加熱ユニットと
を備えている基板処理装置において、前記基板下面の周
辺部に下から係合する基板ホルダが前記処理室に設置さ
れており、この基板ホルダは前記サセプタと相対的に上
下動することにより前記基板を前記サセプタに対して授
受するように構成されていることを特徴とする。

【０００７】前記した基板処理装置においては、基板ホ
ルダがサセプタに対して上昇した状態において基板下面
の周辺部に下から係合して基板をサセプタから受け取
り、基板ホルダがサセプタに対して下降した状態におい
て基板下面の周辺部との係合を解除して基板をサセプタ
に受け渡すことになる。

【０００８】前記した基板処理装置によれば、基板のサ
セプタに対する授受に際して、基板ホルダが基板をサセ
プタから浮かせることにより、基板の下方に空所（空き
スペース）を形成することができるため、その空所に機
械式基板移載装置におけるツィーザを挿入することがで
きる。すなわち、ツィーザを基板の下方の空所に挿入す
ることにより、基板をツィーザによって下側から機械的
に支持することができるため、基板を機械式基板移載装
置によって授受することができる。

【０００９】そして、前記した基板処理装置によれば、
サセプタには突上棒挿通孔が開設されていないため、サ
セプタに保持された状態で加熱ユニットによって加熱さ
れる基板の温度分布は均一になり、その結果、基板の処
理状態は基板面内において全体にわたって均一になる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態であ
る基板処理装置を図面に即して説明する。

【００１１】図１および図２に示されているように、本
発明に係る基板処理装置は、枚葉式ＣＶＤ装置（枚葉式
コールドウオール形ＣＶＤ装置）として構成されてい
る。枚葉式ＣＶＤ装置１０は基板としてのウエハ１を処
理する処理室１１を形成したチャンバ１２を備えてお
り、チャンバ１２は下側カップ１３と上側カップ１４と
ボトムキャップ１５とが組み合わされて上下端面がいず
れも閉塞した円筒形状に形成されている。

【００１２】チャンバ１２の下側カップ１３の円筒壁の
中間部にはゲートバルブ１７によって開閉されるウエハ
搬入搬出口１６が水平方向に横長に開設されており、ウ
エハ搬入搬出口１６は基板であるウエハ１を処理室１１
に機械式ウエハ移載装置によって搬入搬出し得るように
形成されている。すなわち、図１に示されているよう
に、ウエハ１は機械式ウエハ移載装置のツィーザ２によ
って下から機械的に支持された状態で、ウエハ搬入搬出
口１６を搬送されて処理室１１に対して搬入搬出される
ようになっている。

【００１３】下側カップ１３と上側カップ１４との間に
は円形リング形のパイプ形状に形成された排気ダクト１
８が設置されており、排気ダクト１８の内周壁には複数
個の排気口１９が周方向に等間隔に配置されて径方向に
貫通するように開設されている。排気ダクト１８には真
空ポンプ等からなる真空排気装置（図示せず）が流体的
に接続されており、排気ダクト１８は処理室１１を複数
個の排気口１９によって周方向において均等に真空排気
することにより所定の真空度に排気するようになってい
る。複数個の排気口１９は下側カップ１３のウエハ搬入
搬出口１６よりも若干高い位置に配された状態になって
いる。

【００１４】チャンバ１２の上側カップ１４には処理ガ
スを供給するガスヘッド２０が一体的に組み込まれてい
る。すなわち、上側カップ１４の天井壁には複数個のガ
ス導入口２１が開設されており、各ガス導入口２１には
原料ガスやパージガス等の処理ガス３（図３参照）を導
入するガス供給装置（図示せず）がガス導入管（図示せ
ず）を介してに流体的に接続されている。上側カップ１
４と下側カップ１３（排気ダクト１８）との合わせ面に
は円板形状に形成されたガス吹出プレート（以下、プレ
ートという。）２２がガス導入口２１から間隔を置いて
水平に嵌入されて固定されており、プレート２２には複
数個のガス吹出口（以下、吹出口という。）２３が全面
にわたって均一に配置されて上下を流通させるように開
設されている。上側カップ１４の内側面とプレート２２
の上面とが画成する内側空間によってガス溜め２４が形
成されており、ガス溜め２４はガス導入口２１に導入さ
れた処理ガスを全体的に均等に拡散させて各吹出口２３
から均等にシャワー状に吹き出させるようになってい
る。

【００１５】チャンバ１２のボトムキャップ１５の中心
には挿通孔２５が円形に開設されており、挿通孔２５の
中心線上には円筒形状に形成された支持軸２６が処理室
１１に下方から挿通されている。支持軸２６はエアシリ
ンダ装置等が使用された昇降駆動装置（図示せず）によ
って昇降されるようになっているとともに、電動モータ
等が使用された回転駆動装置（図示せず）によって回転
されるようになっている。また、支持軸２６の円筒中空
部には不活性ガスとしての窒素ガス（図示せず）を供給
する窒素ガス供給装置（図示せず）が接続されている。

【００１６】支持軸２６の外側にはベローズ２７が同心
円に設置されており、ベローズ２７の上端はボトムキャ
ップ１５の下面の挿通孔２５の周囲に固定され、ベロー
ズ２７の下端は昇降駆動装置の機枠に固定されている。
したがって、ベローズ２７は挿通孔２５を被覆して処理
室１１の気密を維持した状態になっている。

【００１７】支持軸２６の上端には回転ドラム３０が同
心に配されて水平に固定されており、回転ドラム３０は
支持軸２６によって回転されるようになっている。すな
わち、回転ドラム３０はドーナツ形の平板に形成された
回転板３１と、円筒形状に形成された回転筒３２とを備
えており、回転板３１の内周縁辺部が円筒形状の支持軸
２６の上端開口に固定されて、回転板３１の上面の外周
縁辺部に回転筒３２が同心円に固定されている。

【００１８】回転ドラム３０の回転筒３２の上端にはサ
セプタ３３が回転筒３２の上端開口を閉塞するように被
せられている。サセプタ３３は炭化シリコンや窒化アル
ミニウムが使用されて、外径がウエハ１の外径よりも若
干小径の円板形状に形成されており、下面の周辺部が回
転筒３２の上面に係合して回転ドラム３０に一体回転す
るように支持された状態になっている。

【００１９】回転ドラム３０の内部には加熱ユニット３
４が同心に配されて支柱３５によって水平に固定されて
いる。加熱ユニット３４はヒータや温度センサおよび反
射板（いずれも図示せず）を備えており、サセプタ３３
が保持したウエハ１を全体にわたって均一に加熱するよ
うに構成されている。加熱ユニット３４のヒータの電力
配線および温度センサの信号線等の電線３６は支持軸２
６の中空部を挿通して回転ドラム３０の外部に引き出さ
れることにより、支持軸２６や回転ドラム３０の回転を
妨害しないようになっている。

【００２０】処理室１１の上部にはウエハ１のサセプタ
３３に対する授受に際してウエハ１を保持するウエハホ
ルダ４０が設置されており、ウエハホルダ４０はウエハ
１のサセプタ３３に対する授受に際してウエハ１を保持
することにより、ウエハ１をサセプタ３３に対して相対
的に昇降させるように構成されている。ウエハホルダ４
０は円形リング形状に形成された吊持リング４１を備え
ており、吊持リング４１は処理室１１の内周面に嵌入さ
れて固定されている。吊持リング４１の下端面には三本
の支柱４２が周方向に等間隔に配置されて垂直方向下向
きに垂下されており、三本の支柱４２はウエハ搬入搬出
口１６におけるウエハ１の搬入搬出作業を妨げない位置
にそれぞれ配設されている。

【００２１】三本の支柱４２の下端には一部に切欠部４
４を有する円形リング形状に形成された保持リング４３
が同心円に配されて吊持されている。保持リング４３の
内径はその上面の内周縁部がウエハ１の下面の外周縁部
に下側から係合し得るように設定されているとともに、
サセプタ３３および回転ドラム３０の外径よりも小径に
設定されている。つまり、保持リング４３はウエハ１を
下から保持した状態で、サセプタ３３を潜り抜けさせる
ことができるようになっている。保持リング４３の切欠
部４４はウエハ搬入搬出口１６におけるウエハ１の搬入
搬出作業を妨げない位置に配されている。

【００２２】次に、以上の構成に係る枚葉式ＣＶＤ装置
の作用を説明する。

【００２３】図１および図２に示されているように、ウ
エハ１の搬出時に回転ドラム３０が支持軸２６によって
下限位置に下降されると、ウエハホルダ４０がウエハ１
をその保持リング４３の上面の内周縁部がウエハ１の下
面の外周縁部に下側から係合することにより保持する状
態になるため、ウエハ１はサセプタ３３の上面から浮き
上がった状態になる。

【００２４】このようにウエハホルダ４０がウエハ１を
サセプタ３３の上面から浮き上がらせた状態になると、
ウエハ１の下方空間すなわちウエハ１の下面とサセプタ
３３の上面との間に挿入スペースが形成された状態にな
るため、ウエハ移載装置のツィーザ２がウエハ搬入搬出
口１６からウエハ１の挿入スペースに挿入される。この
際、三本の支柱４２はウエハ搬入搬出口１６に挿入され
るウエハ移載装置のツィーザ２に干渉しない。

【００２５】図２に示されているように、ウエハ１の下
方に挿入されたツィーザ２は上昇することによりウエハ
１を移載して受け取る。この際、保持リング４３のウエ
ハ搬入搬出口１６に対向する位置には切欠部４４が配さ
れているため、保持リング４３はウエハ搬入搬出口１６
に挿入されるウエハ移載装置のツィーザ２に干渉しな
い。ウエハ１を受け取ったツィーザ２はウエハ搬入搬出
口１６を後退してウエハ１を処理室１１から搬出する。
ツィーザ２によってウエハ１を搬出したウエハ移載装置
は処理室１１の外部の空ウエハカセット等の所定の収納
場所（図示せず）にウエハ１を移載する。

【００２６】その後、ウエハ移載装置は実ウエハカセッ
ト等の所定の収納場所（図示せず）から、次回に成膜処
理するウエハ１をツィーザ２によって受け取って、ウエ
ハ搬入搬出口１６から処理室１１に搬入する。図２に示
されているように、ツィーザ２はウエハ１を保持リング
４３の上方においてウエハ１の中心がサセプタ３３の中
心と一致する位置に搬送する。ウエハ１を所定の位置に
搬送すると、ツィーザ２は若干下降することによりウエ
ハ１を保持リング４３に移載する。この際、保持リング
４３は上面の内周縁部をウエハ１の下面の外周縁部に下
から僅かに係合することにより、ウエハ１の受け取った
状態になる。

【００２７】このようにしてウエハ１をウエハホルダ４
０の保持リング４３に受け渡したツィーザ２は、ウエハ
搬入搬出口１６から処理室１１外へ退出する。ツィーザ
２が処理室１１から退出すると、ウエハ搬入搬出口１６
はゲートバルブ１７によって閉じられる。

【００２８】図３に示されているように、ゲートバルブ
１７が閉じられると、回転ドラム３０が支持軸２６によ
って処理室１１に対して上昇される。回転ドラム３０の
上昇に伴ってサセプタ３３が保持リング４３に保持され
たウエハ１の所まで上昇すると、図４に示されているよ
うに、サセプタ３３は保持リング４３を下から上に通り
過ぎることによって保持リング３３が下から支持したウ
エハ１を受け取る。ウエハホルダ４０が処理室１１に固
定されているため、サセプタ３３にウエハ１を受け渡し
た後は、保持リング４３は回転ドラム３０の上昇に伴っ
てサセプタ３３に対して相対的に下降して行く。

【００２９】図３に示されているように、回転ドラム３
０すなわちサセプタ３３は処理室１１を支持軸２６によ
って上昇されて、ウエハ１の上面がプレート２２の下面
に近接する高さに停止される。

【００３０】サセプタ３３に移載されたウエハ１は加熱
ユニット３４によって加熱されるとともに、温度を測定
される。そして、加熱ユニット３４のヒータの加熱量は
温度センサの測定結果に従ってフィードバック制御され
る。

【００３１】この際、サセプタ３３には突上棒挿通孔が
開設されていないことにより、加熱ユニット３４の熱が
突上棒挿通孔から逃げるのを必然的に防止することがで
きるため、ウエハ１の温度分布は全体にわたって均一に
なる。また、保持リング４３はウエハ１の外縁部に僅か
に接触しているだけであるため、加熱ユニット３４の加
熱に影響を及ぼすことはなく、ウエハ１の温度分布は全
体にわたって均一になる。万一、ウエハ１の温度分布の
均一性に影響があったとしても、ウエハ１の外周縁部に
は回路パターンが形成されていないため、ＩＣの生産性
には影響がない。

【００３２】そして、排気ダクト１８が真空排気装置に
よって排気されることにより、処理室１１が複数個の排
気口１９により周方向において均等に排気されるととも
に、回転ドラム３０が支持軸２６によって回転される。
排気ダクト１８の排気量および回転ドラム３０の回転が
安定した時点で、処理ガス３がガス導入口２１に導入さ
れる。

【００３３】ガス導入口２１に導入された処理ガス３は
ガス溜め２４に作用する排気口１９の排気力によってガ
ス溜め２４に流入するとともに、径方向外向きに放射状
に拡散して、プレート２２の各吹出口２３からそれぞれ
が略均等な流れになって、ウエハ１に向かってシャワー
状に吹き出す。吹出口２３群からシャワー状に吹き出し
た処理ガス３は排気口１９に吸い込まれて排気されて行
く。この際、周方向に間隔を置いて配置された複数個の
排気口１９によって周方向において均等に排気されてい
るため、吹出口２３群からシャワー状に吹き出した処理
ガス３は放射状外向きに全周にわたって均等に流れて行
く。

【００３４】また、回転ドラム３０に支持されたサセプ
タ３３上のウエハ１は回転しているため、吹出口２３群
からシャワー状に吹き出して全周にわたって均等に流れ
て行く処理ガス３はウエハ１の全面にわたって均等に接
触する状態になる。ここで、処理ガス３の熱化学反応に
よる成膜レートは処理ガス３のウエハ１に対する接触量
に依存するため、処理ガス３がウエハ１の全面にわたっ
て均等に接触すれば、ウエハ１に処理ガス３によって形
成されるＣＶＤ膜の膜厚分布や膜質分布はウエハ１の全
面にわたって均一になる。

【００３５】また、サセプタ３３に突上棒挿通孔が開設
されていないことにより、加熱ユニット３４によって加
熱されるウエハ１の温度分布は全面において均一な状態
になっている。ここで、熱化学反応による成膜レートは
ウエハ１の温度分布に依存するため、ウエハ１の温度分
布が全面にわたって均一であれば、ウエハ１に熱化学反
応によって形成されるＣＶＤ膜の膜厚分布や膜質分布は
ウエハ１の全面にわたって均一に制御される。

【００３６】また、図３に示されているように、ウエハ
ホルダ４０の吊持リング４１が回転ドラム３０の外側で
ウエハ１の若干下方に水平に配置された状態になってい
るため、処理ガス３が回転ドラム３０の下側に回り込む
のを防止することができる。したがって、回転ドラム３
０の下側に回り込んだ処理ガス３により反応生成物や未
反応生成物が処理室１１や回転ドラム３０および支持軸
２６の表面に付着して堆積するのを未然に防止すること
ができる。

【００３７】以上のようにしてＣＶＤ膜がウエハ１の全
面にわたって均一に形成されて所定の処理時間が経過す
ると、図１に示されているように、回転ドラム３０は支
持軸２６によって処理室１１の底部に下降される。回転
ドラム３０の下降の途中において、処理室１１に固定さ
れたウエハホルダ４０の保持リング４３はウエハ１に下
側から係合することによりウエハ１をサセプタ３３から
受け取る。

【００３８】以降、前述した作業が繰り返されることに
より、ウエハ１にＣＶＤ膜が枚葉式ＣＶＤ装置１０によ
って枚葉処理されて行く。

【００３９】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。

【００４０】1) ウエハ１のサセプタ３３に対する授受
に際してウエハ１を保持するウエハホルダ４０を処理室
１１に対して昇降するサセプタ３３の外側に配置して処
理室１１に固定することにより、サセプタ３３に突上棒
挿通孔を開設しないで済むため、加熱ユニット３４の熱
が突上棒挿通孔から逃げるのを必然的に防止することが
でき、その結果、ウエハ１の温度分布を全体にわたって
均一に制御することができる。

【００４１】2) ウエハホルダ４０の保持リング４３の
内周縁部でウエハ１の外周縁部を係合することによって
ウエハ１を保持するように構成することにより、保持リ
ング４３のウエハ１との接触面積を小さく制限すること
ができるため、加熱ユニット３４の加熱への影響を抑制
することができ、ウエハ１の温度分布を全体にわたって
均一に制御することができる。万一、ウエハ１の温度分
布の均一性に影響があったとしても、ウエハ１の外周縁
部には回路パターンが形成されていないため、ＩＣの生
産性に影響が及ぶのを防止することができる。

【００４２】3) ウエハ１のサセプタ３３に対する授受
に際して、ウエハホルダ４０がウエハ１を保持してウエ
ハ１の下面とサセプタ３３の下面に挿入スペースを形成
することにより、その挿入スペースにツィーザ２を挿入
することができるため、ウエハ１をツィーザ２によって
下側から機械的に支持することができ、ウエハ１を機械
式ウエハ移載装置によって授受することができる。

【００４３】4) 前記3)により、ウエハ移載装置として
構造が複雑な真空吸着保持装置を使用した真空吸着式ウ
エハ移載装置または静電吸着保持装置を使用した静電吸
着式ウエハ移載装置を採用しなくても済むため、枚葉式
ＣＶＤ装置の製造コストを大幅に低減することができ、
また、適用範囲が制限されることもなく、常圧ＣＶＤ装
置や減圧ＣＶＤ装置およびプラズマＣＶＤ装置等の基板
処理装置全般に適用することができる。ちなみに、真空
吸着保持装置は非接触形真空吸着保持装置を含めてウエ
ハの上下面の差圧によってウエハを保持するため、減圧
室では使用することができない。また、静電吸着保持装
置は静電気を利用してウエハを吸着するため、静電破壊
の危惧がある場合には使用することができないし、除電
装置や帯電防止装置等が必要になり、その構造や運用が
複雑になる。

【００４４】5) ウエハ１を保持したサセプタ３３を回
転させることにより、処理ガス３をウエハ１の全面にわ
たって均等に接触させることができるため、処理ガス３
によってウエハ１に形成されるＣＶＤ膜の膜厚分布や膜
質分布を全面にわたって均一に制御することができる。

【００４５】6) 複数個の排気口１９を周方向に間隔を
置いて配置して周方向において均等に排気することによ
り、吹出口２３群からシャワー状に吹き出した処理ガス
３を放射状外向きに全周にわたって均等に流すことがで
きるため、ウエハ１に処理ガス３によって形成されるＣ
ＶＤ膜の膜厚分布や膜質分布をウエハ１の全面にわたっ
て均一に制御することができる。

【００４６】7) ウエハホルダ４０の吊持リング４１を
回転ドラム３０の外側でウエハ１の若干下方に水平に配
置することにより、処理ガス３が回転ドラム３０の下側
に回り込むのを吊持リング４１によって防止することが
できるため、回転ドラム３０の下側に回り込んだ処理ガ
ス３により反応生成物や未反応生成物が処理室１１や回
転ドラム３０および支持軸２６の表面に付着して堆積す
るのを未然に防止することができる。

【００４７】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、
種々に変更が可能であることはいうまでもない。

【００４８】例えば、ウエハホルダのウエハを保持する
保持部は保持リングによって構成するに限らず、ウエハ
の外周縁部に下から係合する係合爪を三本の支柱に径方
向内向きの水平に突設してもよい。

【００４９】基板はウエハに限らず、ＬＣＤ装置の製造
工程におけるガラス基板や液晶パネル等の基板であって
もよい。

【００５０】本発明は、枚葉式コールドウオール形ＣＶ
Ｄ装置に限らず、ドライエッチング装置等の基板処理装
置全般に適用することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の授受のための突上棒挿通孔を省略することができ
るため、基板の温度分布を全体にわたって均一に制御す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である枚葉式ＣＶＤ装置
のウエハ搬入搬出工程を示す正面断面図である。

【図２】その主要部を示す斜視図である。

【図３】その枚葉式ＣＶＤ装置の処理工程を示す正面断
面図である。

【図４】その主要部を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ウエハ（基板）、２…ウエハ移載装置のツィーザ、
３…処理ガス、１０…枚葉式ＣＶＤ装置（基板処理装
置）、１１…処理室、１２…チャンバ、１３…下側カッ
プ、１４…上側カップ、１５…ボトムキャップ、１６…
ウエハ搬入搬出口、１７…ゲートバルブ、１８…排気ダ
クト、１９…排気口、２０…ガスヘッド、２１…ガス導
入口、２２…ガス吹出プレート、２３…ガス吹出口、２
４…ガス溜め、２５…挿通孔、２６…支持軸、２７…ベ
ローズ、３０…回転ドラム、３１…回転板、３２…回転
筒、３３…サセプタ、３４…加熱ユニット、３５…支
柱、３６…電線、４０…ウエハホルダ、４１…吊持リン
グ、４２…支柱、４３…保持リング、４４…切欠部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 FA10 GA12 KA24 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 GA02 GA48 GA49 HA32 HA37 HA58 HA59 JA01 JA46 LA15 MA28 NA01 5F045 BB02 DP03 EB02 EF05 EK07 EN01 EN04 EN06 EN10

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を収容して処理する処理室と、この
   処理室内に設置されて前記基板が載置されるサセプタ
   と、このサセプタに載置された前記基板を加熱する加熱
   ユニットとを備えている基板処理装置において、前記基
   板下面の周辺部に下から係合する基板ホルダが前記処理
   室に設置されており、この基板ホルダは前記サセプタと
   相対的に上下動することにより前記基板を前記サセプタ
   に対して授受するように構成されていることを特徴とす
   る基板処理装置。