JP2002359237A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置および半導体装置の製造方法

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lock chamber
process tube
elevator
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Tatsuhisa Matsunaga
建久 松永
Akihiro Sato
明博 佐藤
Norio Akutsu
則夫 圷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロセスチューブを容易に着脱できるバッチ
式ＣＶＤ装置の提供。 【解決手段】 複数枚のウエハＷをボート２６で支持し
た状態で処理するプロセスチューブ１４と、ボート２６
を処理の前後で収容してプロセスチューブ１４に対し搬
入搬出するロードロックチャンバ４と、ボート２６を昇
降させるボートエレベータ１８とを備え、プロセスチュ
ーブ１４はロードロックチャンバ４に載置されてボート
エレベータ１８で昇降され、ボート２６はボートエレベ
ータ１８の昇降板２２に立脚された支柱２３にシールキ
ャップ２５を介して支持され、支柱２３の外側にはロー
ドロックチャンバ４の支柱挿通口１２を気密封止するベ
ローズ２７がロードロックチャンバ４と昇降板２２との
間に取り付けられている。 【効果】 ロードロックチャンバと共にプロセスチュー
ブを下降できるため、プロセスチューブを容易に着脱し
てメンテナンスできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
びそれを使用した半導体装置の製造方法、特に、ロード
ロックチャンバを備えたものに関し、例えば、半導体素
子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ
（以下、ウエハという。）に不純物を拡散したり絶縁膜
や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする基板処理装置に
利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置としては、
特許第２５４８０６２号公報に記載された縦型熱処理装
置がある。この縦型熱処理装置はウエハを支持したボー
トを下から搬入搬出されボートの搬入時には密閉される
処理チャンバと、処理チャンバの下方に配置され上下に
伸縮自在な金属ベローズからなるロードロックチャンバ
とを備えており、このロードロックチャンバは大きさが
異なるとともに上下に配置された二つの伸縮自在なチャ
ンバ部と、この二つのチャンバ部を連結するとともに二
つのチャンバ部が収縮した時にはこれらを入れ子式に収
納する連結手段とから構成されている。二つのチャンバ
部のうち上に位置するチャンバ部の開放された上端は処
理チャンバに気密に結合され、二つのチャンバ部のうち
下に位置するチャンバ部の下端内側はボートに気密に結
合されており、ロードロックチャンバの外側に設けられ
た昇降手段が前記連結手段と下に位置するチャンバ部の
下端外側とに係合され、この昇降手段によって二つのチ
ャンバ部が収縮されるように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た縦型熱処理装置においては、ウエハが直径３００ｍｍ
になると、ロードロックチャンバの内側のチャンバ部を
構成する金属ベローズの直径は４００ｍｍ以上になるた
め、ロードロックチャンバ内を真空状態とした場合には
ロードロックチャンバの内部の圧力は大気圧（１ｋｇｆ
／ｃｍ2 ）との差圧に基づく荷重がかかることによって
約１２００ｋｇになる。また、外側のチャンバ部を構成
する金属ベローズの直径は５００ｍｍ程度になるためロ
ードロックチャンバ内を、真空状態とした場合にはロー
ドロックチャンバの内部の圧力は約２０００ｋｇにな
る。その結果、昇降手段の駆動部がきわめて大型になっ
てしまうという弊害が派生する。
【０００４】ところで、処理チャンバ内のプロセスチュ
ーブおよびボートの表面は処理ガスに晒されることによ
り、その表面には反応生成物が付着するため、プロセス
チューブおよびボートは定期的に洗浄されることにな
る。したがって、プロセスチューブおよびボートは処理
チャンバに対して着脱する必要がある。
【０００５】しかしながら、前記した熱処理装置におい
ては、プロセスチューブは処理チャンバと一緒に移動さ
せないと取り出すことができないし、ボートはロードロ
ックチャンバを外さないと取り出すことができない。
【０００６】本発明の目的は、ボートエレベータが大形
になるのを回避しつつプロセスチューブを容易に着脱す
ることができる基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、複数枚の基板をボートによって支持した状態で処
理するプロセスチューブと、前記ボートを前記処理の前
後に収容し前記プロセスチューブに対して搬入搬出する
ロードロックチャンバとを備えており、前記ロードロッ
クチャンバは前記プロセスチューブを載置した状態で昇
降可能に構成されていることを特徴とする。
【０００８】前記した手段によれば、例えば、プロセス
チューブを洗浄するに際しては、ロードロックチャンバ
を下降させることにより、プロセスチューブを一緒に下
降させることができるため、容易に着脱することができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
【００１０】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置は、半導体装置の製造方法にあってウエハに不
純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成し
たりする工程に使用されるバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装
置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成さ
れている。なお、このバッチ式ＣＶＤ装置１においては
ウエハ搬送用のキャリアとしてはＦＯＵＰ（front open
ing unified pod 。以下、ポッドという。）が使用され
ている。
【００１１】以下の説明において、前後左右は図１を基
準とする。すなわち、ポッドオープナ４１側が前側、そ
の反対側すなわちロードロックチャンバ４側が後側、ク
リーンユニット３７側が右側、その反対側すなわちウエ
ハ移載装置３０のエレベータ側が左側とする。
【００１２】図１〜図４に示されているように、バッチ
式ＣＶＤ装置１は筐体２を備えており、筐体２の内部に
おける後端部には後記するボートを収容可能な気密室に
形成されたロードロックチャンバ４が設置されている。
ロードロックチャンバ４は筐体２の内部に昇降し得るよ
うに設置されており、図１〜図３に示されているよう
に、通常運用時には筐体２の上部に配置されて固定具３
によって固定されている。ロードロックチャンバ４の前
面壁にはゲート６によって開閉されるウエハ搬入搬出口
５が開設されている。ロードロックチャンバ４の後面壁
には、保守点検等に際してボートをロードロックチャン
バ４の内部に対して出し入れするための保守点検口７が
開設されており、通常時には、保守点検口７はゲート８
によって閉塞されている。図１に示されているように、
ロードロックチャンバ４には排気管９が接続されてお
り、ロードロックチャンバ４の内部は排気管９によって
所定の圧力に維持されるようになっている。
【００１３】ロードロックチャンバ４の天井壁にはボー
ト搬入搬出口１０が開設されており、ボート搬入搬出口
１０はゲート１１によって開閉されるようになってい
る。また、ロードロックチャンバ４の底壁には後記する
支柱を挿通するための挿通口１２が、その中心線がボー
ト搬入搬出口１０の中心線と略重なり合うように開設さ
れている。
【００１４】筐体２の後端部の上部には処理チャンバと
してのヒータユニット１３が垂直方向に据え付けられて
おり、ヒータユニット１３の内部には上端が閉塞し下端
が開口した円筒形状のプロセスチューブ１４が同心円に
配置されている。プロセスチューブ１４はロードロック
チャンバ４の天井壁の上にマニホールド１５を介して支
持されており、マニホールド１５にはプロセスチューブ
１４の円筒中空部によって形成された処理室に原料ガス
やパージガス等を導入するためのガス導入管１６と、プ
ロセスチューブ１４の内部を排気するための排気管１７
とが接続されている。マニホールド１５はロードロック
チャンバ４のボート搬入搬出口１０に同心円に配置され
ている。プロセスチューブ１４およびマニホールド１５
の重心とロードロックチャンバ４の重心とは略同一の鉛
直線上に位置されている。
【００１５】筐体２の下部にはボートおよびロードロッ
クチャンバを昇降させるためのボートエレベータ１８
が、ロードロックチャンバ４の外側に設置されている。
ボートエレベータ１８は筐体２の後壁の外側下部に垂直
に立脚されて回転自在に支承された送りねじ軸１９と、
送りねじ軸１９をベルト伝動装置２０を介して正逆回転
させるモータ２１と、送りねじ軸１９に昇降自在に螺合
された昇降板２２とを備えており、昇降板２２の先端部
に垂直に据え付けられた支柱２３を送りねじ軸１９の正
逆回転によって昇降させるように構成されている。送り
ねじ軸１９の昇降板２２の昇降ストロークはプロセスチ
ューブ１４の高さ以上に設定されている。支柱２３の下
端にはフランジ２４が突設されており、フランジ２４が
昇降板２２の先端部に当接されて固定されることによ
り、支柱２３は昇降板２２の先端部に垂直に据え付けら
れている。なお、送りねじ軸１９と昇降板２２との螺合
部には、作動やバックラッシュを良好なものとするため
にボールねじ機構を使用することが望ましい。
【００１６】支柱２３の上端部はロードロックチャンバ
４の底壁に開設された挿通口１２を上方に挿通されてお
り、その上端部にはシールキャップ２５が水平に据え付
けられている。シールキャップ２５はプロセスチューブ
１４の炉口になるロードロックチャンバ４のボート搬入
搬出口１０をシールするように構成されているととも
に、ボート２６を垂直に支持するように構成されてい
る。ボート２６は複数枚（例えば、２５枚、５０枚、１
００枚、１２５枚、１５０枚ずつ等）のウエハＷをその
中心を揃えて水平に支持した状態で、プロセスチューブ
１４の処理室に対してボートエレベータ１８によるシー
ルキャップ２５の昇降に伴って搬入搬出するように構成
されている。支柱２３の中心線はプロセスチューブ１４
およびマニホールド１５の重心とロードロックチャンバ
４の重心との略同一の鉛直線上に位置されている。
【００１７】支柱２３の外側にはステンレス鋼等の金属
が使用されて円筒の蛇腹形状に形成されたベローズ２７
が、ロードロックチャンバ４の挿通口１２を気密封止す
るように同心円に配設されており、ベローズ２７の上端
開口縁辺はロードロックチャンバ４の下面における挿通
口１２の開口縁辺に固定され、ベローズ２７の下端開口
縁辺は支柱２３のフランジ２４の上面に固定されてい
る。ベローズ２７の内径は挿通口１２の内径と略等しく
設定されており、ベローズ２７は支柱２３の昇降に追従
して伸縮することにより、支柱２３の昇降を許容しつつ
挿通口１２を気密封止するようになっている。
【００１８】図１〜図４に示されているように、筐体２
内の前側領域にはボート２６に対してウエハＷをチャー
ジングおよびディスチャージングするウエハ移載装置３
０が設置されている。ウエハ移載装置３０はロータリー
アクチュエータ３１を備えており、ロータリーアクチュ
エータ３１は上面に設置された第一リニアアクチュエー
タ３２を水平面内で回転させるように構成されている。
第一リニアアクチュエータ３２の上面には第二リニアア
クチュエータ３３が設置されており、第一リニアアクチ
ュエータ３２は第二リニアアクチュエータ３３を水平移
動させるように構成されている。第二リニアアクチュエ
ータ３３の上面には移動台３４が設置されており、第二
リニアアクチュエータ３３は移動台３４を水平移動させ
るように構成されている。移動台３４にはウエハＷを下
から支持するツィーザ３５が複数枚（本実施の形態にお
いては五枚）、等間隔に配置されて水平に取り付けられ
ている。ウエハ移載装置３０は送りねじ装置等によって
構成されたエレベータ３６によって昇降されるようにな
っている。エレベータ３６の反対側には筐体２の内部に
クリーンエアを供給するクリーンユニット３７が設置さ
れている。
【００１９】図１〜図４に示されているように、筐体２
の正面壁にはウエハを筐体２に対して搬入搬出するため
のウエハ搬入搬出口４０が開設されており、ウエハ搬入
搬出口４０にはポッドオープナ４１が設置されている。
ポッドオープナ４１はポッドＰを載置する載置台４２
と、載置台４２に載置されたポッドＰのキャップを着脱
するキャップ着脱機構４３とを備えており、載置台４２
に載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構４
３によって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し
入れ口を開閉するようになっている。ポッドオープナ４
１の載置台４２に対してはポッドＰが、図示しない工程
内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるよ
うになっている。
【００２０】以下、前記構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置
を使用した本発明の一実施の形態である半導体装置の製
造方法の成膜工程を説明する。
【００２１】これから成膜すべきウエハＷは複数枚がポ
ッドＰに収納された状態で、成膜工程を実施するバッチ
式ＣＶＤ装置１へ工程内搬送装置によって搬送されて来
る。図１および図２に示されているように、搬送されて
来たポッドＰはポッドオープナ４１の載置台４２の上に
工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッドＰ
のキャップがキャップ着脱機構４３によって取り外さ
れ、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放される。
【００２２】ポッドＰがポッドオープナ４１により開放
されると、ウエハＷはポッドＰから五枚ずつ、筐体２の
内部に設置されたウエハ移載装置３０のツィーザ３５に
よって筐体２のウエハ搬入搬出口４０を通してピックア
ップされ、ウエハ搬入搬出口４０を通して筐体２の内部
に搬入される。五枚のウエハＷが筐体２の内部へウエハ
移載装置３０によって搬入されると、ロードロックチャ
ンバ４のウエハ搬入搬出口５がゲート６によって開放さ
れる。ウエハ移載装置３０のツィーザ３５によって保持
された五枚のウエハＷはボート２６へウエハ移載装置３
０によってウエハ搬入搬出口５を通じて装填（チャージ
ング）される。
【００２３】以降、ウエハＷのポッドＰからボート２６
へのウエハ移載装置３０による装填作業が繰り返され
る。この間、ボート搬入搬出口１０がゲート１１によっ
て閉鎖されることにより、プロセスチューブ１４の高温
雰囲気がロードロックチャンバ４の内部に流入すること
は防止されている。このため、装填途中のウエハＷおよ
び装填されたウエハＷが高温雰囲気に晒されることはな
く、ウエハＷが高温雰囲気に晒されることによる自然酸
化等の弊害の派生は防止されることになる。
【００２４】図１および図２に示されているように、予
め指定された枚数のウエハＷがボート２６へ装填される
と、ウエハ搬入搬出口５はゲート６によって閉鎖され
る。ちなみに、ロードロックチャンバ４の保守点検口７
はゲート８によって閉鎖されており、ボート搬入搬出口
１０はゲート１１によって閉鎖されている。このように
ロードロックされた状態で、ロードロックチャンバ４は
排気管９によって真空に排気されることにより、内部の
酸素や水分を除去される。
【００２５】ロードロックチャンバ４の内部の酸素や水
分が真空排気によって除去されると、図３に示されてい
るように、ボート搬入搬出口１０がゲート１１によって
開放され、ボート２６は支柱２３を介してボートエレベ
ータ１８によって上昇されてプロセスチューブ１４の処
理室に搬入（ローディング）される。ボート２６が上限
に達すると、ボート２６を保持したシールキャップ２５
の上面の周辺部がボート搬入搬出口１０をシール状態に
閉塞するため、プロセスチューブ１４の処理室は気密に
閉じられた状態になる。
【００２６】ここで、ロードロックチャンバ４の内部の
酸素や水分が予め除去されているため、ボート２６のプ
ロセスチューブ１４への搬入に伴って、外部の酸素や水
分がプロセスチューブ１４の処理室に侵入することは確
実に防止されることになる。また、ボート２６のプロセ
スチューブ１４への搬入に伴ってボート２６を支持した
支柱２３が上昇することにより、ベローズ２７は上下方
向に収縮するが、ベローズ２７の内側空間も挿通口１２
を通じてロードロックチャンバ４と共に真空排気されて
いるため、ベローズ２７の収縮に伴ってベローズ２７の
内側空間の酸素や水分がロードロックチャンバ１４に押
し出される現象の発生は未然に防止されることになる。
【００２７】その後、プロセスチューブ１４の処理室は
気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気
管１７によって排気され、ヒータユニット１３によって
所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管１
６によって所定の流量だけ供給される。これにより、予
め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハＷに
形成される。
【００２８】予め設定された処理時間が経過すると、図
２に示されているように、ボート２６がボートエレベー
タ１８によって下降されることにより、処理済みウエハ
Ｗを保持したボート２６がロードロックチャンバ４の内
部に搬出（アンローディング）される。この際、ボート
２６のプロセスチューブ１４からの搬出に伴ってボート
２６を支持した支柱２３が下降することにより、ベロー
ズ２７は上下方向に伸長するが、ベローズ２７の内側空
間の圧力は挿通口１２を通じてロードロックチャンバ４
の内圧と等しくなっているため、ベローズ２７は正常に
伸長することができる。
【００２９】ボート２６がロードロックチャンバ４の内
部に搬出されると、まず、ボート搬入搬出口１０がゲー
ト１１によって閉鎖されるとともに、ロードロックチャ
ンバ４のロードロックが解除される。次いで、ロードロ
ックチャンバ４のウエハ搬入搬出口５がゲート６によっ
て開放され、ボート２６の処理済みウエハＷがウエハ移
載装置３０によって脱装（ディスチャージング）され
る。続いて、筐体２のウエハ搬入搬出口４０およびポッ
ドオープナ４１の載置台４２に載置された空のポッドＰ
のキャップがポッドオープナ４１によって開放され、ウ
エハ移載装置３０によってディスチャージングされた処
理済のウエハＷが載置台４２の空のポッドＰにウエハ搬
入搬出口４０を通じて収納される。
【００３０】所定枚数の処理済みウエハＷが収納される
と、ポッドＰはキャップ着脱機構４３によってキャップ
を装着された後に、ポッドオープナ４１の載置台４２か
ら次の処理工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行
く。このディスチャージング作業およびポッドＰへの収
納作業がボート２６の全ての処理済みウエハＷについて
繰り返されて行く。
【００３１】以降、前述した作用が繰り返されて、ウエ
ハＷが例えば２５枚、５０枚、１００枚、１２５枚、１
５０枚ずつ、バッチ式ＣＶＤ装置１によってバッチ処理
されて行く。このバッチ処理の間は、ロードロックチャ
ンバ４は筐体２の上部に固定具３によって固定された状
態を維持している。
【００３２】ところで、繰り返し処理を施されると、プ
ロセスチューブ１４の内面およびボート２６の表面にも
成膜の堆積や異物の付着による汚染が発生する。プロセ
スチューブ１４の内面およびボート２６の表面の堆積物
や異物が不慮に剥離してパーティクルになると、バッチ
式ＣＶＤ装置ひいては半導体装置の製造方法の歩留りの
低下の原因になるため、プロセスチューブ１４およびボ
ート２６は定期的または不定期的に洗浄等のメンテナン
ス作業を実施する必要がある。
【００３３】以下、本発明の一実施の形態に係る半導体
装置の製造方法の特徴工程であるメンテナンス工程を説
明する。
【００３４】まず、図４に示されているように、ロード
ロックチャンバ４が筐体２の上部に配置されているとと
もに、ボート２６がロードロックチャンバ４に配置され
ている状態において、保守点検口７がゲート８によって
開放される。この際、ロードロックチャンバ４のロード
ロックは解除され、ボート２６のウエハＷは全て除去さ
れて空の状態とされる。続いて、空のボート２６はロー
ドロックチャンバ４から保守点検口７を通じて搬出さ
れ、ボート洗浄工程に搬送される。
【００３５】次に、図５に示されているように、支柱２
３がロードロックチャンバ４の内部をボートエレベータ
１８によって上昇される。この際、ボート２６はシール
キャップ２５の上から除かれているため、支柱２３は空
のままでロードロックチャンバ４の内部を上昇すること
になる。支柱２３が所定の位置まで上昇されると、結合
部材２８によってロードロックチャンバ４とフランジ２
４とが結合され、ロードロックチャンバ４を筐体２に固
定している固定具３が筐体２とロードロックチャンバ４
との間から取り外される。固定具３が外されると、ロー
ドロックチャンバ４は結合部材２８の上に受け渡され
て、結合部材２８を挟んでボートエレベータ１８の昇降
板２２に支持された状態になる。
【００３６】次いで、図６に示されているように、ガス
導入管１６および排気管１７がマニホールド１５から外
された後に、ボートエレベータ１８の昇降板２２がモー
タ２１によってプロセスチューブ１４の高さ以上のスト
ロークをもって下降される。昇降板２２が所定のストロ
ーク下降すると、結合部材２８を挟んで昇降板２２に支
持されたロードロックチャンバ４は筐体２の下部に下降
される。この際、ロードロックチャンバ４はプロセスチ
ューブ１４の高さ以上のストロークをもって下降される
ため、ロードロックチャンバ４の上に載置されたプロセ
スチューブ１４はヒータユニット１３の内部から筐体２
の上部に搬出された状態になる。そして、筐体２の上部
に下降されたプロセスチューブ１４は筐体２の上部から
搬出されて、プロセスチューブ洗浄工程に搬送される。
【００３７】洗浄されたプロセスチューブ１４はロード
ロックチャンバ４の上に設置された後に、前述した作動
と逆の順序でヒータユニット１３の内部に戻される。ま
た、洗浄されたボート２６は保守点検口７からロードロ
ックチャンバ４の内部に搬入されて支柱２３に支持され
たシールキャップ２５の上に戻される。
【００３８】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
【００３９】1) プロセスチューブを載置した状態でロ
ードロックチャンバを昇降可能に構成することにより、
ロードロックチャンバと共にプロセスチューブを下降さ
せることができるため、ロードロックチャンバの上から
プロセスチューブを取り外すことにより、プロセスチュ
ーブのメンテナンス作業を簡単に実施することができ、
その結果、バッチ式ＣＶＤ装置の稼働効率を高めるとと
もに、バッチ式ＣＶＤ装置ひいては半導体装置の製造方
法の歩留りを高めることができる。
【００４０】2) ロードロックチャンバとプロセスチュ
ーブとを一緒にボートエレベータによって昇降するよう
に構成することにより、ボートのメンテナンス作業とプ
ロセスチューブのメンテナンス作業とをボートエレベー
タを共用して実施することができるため、メンテナンス
作業のコストおよびバッチ式ＣＶＤ装置の製造コスト等
を低減することができ、また、バッチ式ＣＶＤ装置を小
形化することができるため、据付面積を低減することが
できる。
【００４１】3) ロードロックチャンバの昇降ストロー
クをプロセスチューブの高さ以上に設定することによ
り、ロードロックチャンバの下降によってプロセスチュ
ーブをヒータユニットから安全に搬出することができる
ため、プロセスチューブのメンテナンス作業を安全に実
施することができる。
【００４２】4) ロードロックチャンバの重心とプロセ
スチューブの重心とを略同一の鉛直線上に位置させるこ
とにより、ロードロックチャンバとプロセスチューブと
を一緒にボートエレベータの昇降板によって確実かつ安
全に昇降させることができるため、プロセスチューブの
メンテナンス作業を安全に実施することができる。
【００４３】5) ボートエレベータをロードロックチャ
ンバの外側の筐体に設置し、プロセスチューブをボート
エレベータの昇降板に立脚された支柱にプロセスチュー
ブの炉口を封止するシールキャップを介して支持し、支
柱の外側にはロードロックチャンバの支柱挿通口を気密
封止するベローズを取り付けることにより、ロードロッ
クチャンバの気密を維持しつつ、ロードロックチャンバ
とプロセスチューブとを一緒にボートエレベータによっ
て昇降させることができるため、ボートエレベータを共
用することができ、また、ボートエレベータのメンテナ
ンス作業を容易に実施することができる。
【００４４】6) ベローズは支柱を逃げるだけで済むた
め、その外径を小さく設定することができ、その結果、
ロードロックチャンバの内部が真空になった時の差圧に
よる作用力を軽減することができ、ボートエレベータの
モータやベルト伝動装置等を小形に設定することができ
る。
【００４５】7) ボートエレベータの他にガイド部材を
設置する場合であっても、シールキャップやボートエレ
ベータの昇降板およびロードロックチャンバのガイドは
共用することができるため、バッチ式ＣＶＤ装置の製造
コストの増加を抑制することができる。
【００４６】図７〜図１１は本発明の他の実施の形態で
あるＣＶＤ装置を示している。
【００４７】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、ボートエレベータ１８Ａが筐体２の内部に設置され
ており、ボートエレベータ１８Ａの送りねじ軸１９Ａが
丸パイプ形状に形成された支柱２３Ａの中空部内の中心
線上に配置されている点である。また、ボートエレベー
タ１８Ａのモータ２１の高さはベローズ２７が最も短縮
した時にロードロックチャンバ４の下面に干渉するのを
回避するために、ベローズ２７が最も短縮した時のロー
ドロックチャンバ４の下面の高さよりも低く設定されて
いる。
【００４８】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
の成膜工程およびメンテナンス工程は、前記実施の形態
と同様に実施される。
【００４９】すなわち、図７に示されているように、ロ
ードロックチャンバ４が筐体２の上部に固定され、ロー
ドロックチャンバ４の内部にボート２６が配置された状
態で、ポッドＰのウエハＷがウエハ移載装置３０によっ
てボート２６に装填される。
【００５０】予め指定された枚数のウエハＷがボート２
６へ装填されると、図８に示されているように、ボート
２６がボートエレベータ１８Ａによって上昇されてプロ
セスチューブ１４の処理室へ搬入（ローディング）され
る。この際、ロードロックチャンバ４の内部の酸素や水
分が予め除去されているため、ボート２６のプロセスチ
ューブ１４への搬入に伴って、外部の酸素や水分がプロ
セスチューブ１４の処理室に侵入することは確実に防止
される。
【００５１】その後、プロセスチューブ１４の処理室は
気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気
管１７によって排気され、ヒータユニット１３によって
所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管１
６によって所定の流量だけ供給される。これにより、予
め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハＷに
形成される。
【００５２】予め設定された処理時間が経過すると、図
７に示されているように、ボート２６がボートエレベー
タ１８によって下降されることにより、処理済みウエハ
Ｗを保持したボート２６がロードロックチャンバ４の内
部に搬出（アンローディング）される。ロードロックチ
ャンバ４の内部に搬出されたボート２６は処理済みウエ
ハＷがウエハ移載装置３０によって脱装（ディスチャー
ジング）され、ポッドオープナ４１の載置台４２の空の
ポッドＰにウエハ搬入搬出口４０を通じて収納される。
【００５３】メンテナンス作業に際しては、図９に示さ
れているように、ロードロックチャンバ４が筐体２の上
部に配置されているとともに、ボート２６がロードロッ
クチャンバ４に配置されている状態において、保守点検
口７がゲート８によって開放される。この際、ロードロ
ックチャンバ４のロードロックは解除され、ボート２６
のウエハＷは全て除去されて空の状態とされる。続い
て、空のボート２６はロードロックチャンバ４から保守
点検口７を通じて搬出され、ボート洗浄工程に搬送され
る。
【００５４】次いで、図１０に示されているように、支
柱２３Ａがロードロックチャンバ４の内部をボートエレ
ベータ１８Ａによって上昇される。支柱２３Ａが所定の
位置まで上昇されると、結合部材２８によりロードロッ
クチャンバ４とフランジ２４とが結合され、固定具３が
筐体２とロードロックチャンバ４との間から取り外さ
れ、ロードロックチャンバ４は結合部材２８の上に受け
渡される。
【００５５】次に、図１１に示されているように、ガス
導入管１６と排気管１７とがマニホールド１５から外さ
れた後に、ボートエレベータ１８Ａの昇降板２２がモー
タ２１によってプロセスチューブ１４の高さ以上のスト
ロークをもって下降される。昇降板２２が所定のストロ
ーク下降すると、結合部材２８を挟んで昇降板２２に支
持されたロードロックチャンバ４は筐体２の下部に下降
され、ロードロックチャンバ４の上に載置されたプロセ
スチューブ１４はヒータユニット１３の内部から筐体２
の上部に搬出された状態になる。そして、筐体２の上部
に下降されたプロセスチューブ１４は筐体２の上部から
搬出されて、プロセスチューブ洗浄工程に搬送される。
【００５６】洗浄されたプロセスチューブ１４はロード
ロックチャンバ４の上に設置された後に、前述した作動
と逆の順序でヒータユニット１３の内部に戻される。ま
た、洗浄されたボート２６は保守点検口７からロードロ
ックチャンバ４の内部に搬入されて支柱２３Ａに支持さ
れたシールキャップ２５の上に戻される。
【００５７】本実施の形態によれば、ボートエレベータ
１８Ａの送りねじ軸１９Ａが支柱２３Ａの中心線上に配
置されていることにより、送りねじ軸１９Ａおよび昇降
板２２に曲げモーメントが作用しないため、ボートエレ
ベータ１８Ａの構造をより一層小形化かつ簡単化するこ
とができる。
【００５８】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【００５９】例えば、ベローズはロードロックチャンバ
の外側でロードロックチャンバ下面とエレベータの昇降
板との間に介設するに限らず、図１２、図１３および図
１４に示されているように、ロードロックチャンバ４の
内側でロードロックチャンバ４の底壁上面とシールキャ
ップ２５の下面との間に介設してもよい。本実施の形態
においても、前記実施の形態と同様の作用および効果が
奏される。
【００６０】バッチ式ＣＶＤ装置は成膜処理に使用する
に限らず、酸化膜形成処理や拡散処理等の処理にも使用
することができる。
【００６１】前記実施の形態ではバッチ式ＣＶＤ装置の
場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板
処理装置全般に適用することができる。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プロセスチューブを容易に着脱することができるため、
プロセスチューブのメンテナンス作業を容易に実施する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装
置を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は平面断面図
である。
【図２】ウエハチャージング工程を示す側面断面図であ
る。
【図３】成膜工程を示す側面断面図である。
【図４】ボート搬出工程を示す一部切断側面図である。
【図５】ロードロックチャンバ受け渡し工程を示す一部
切断側面図である。
【図６】プロセスチューブ搬出工程を示す一部切断側面
図である。
【図７】本発明の他の実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ
装置のウエハチャージング工程を示す側面断面図であ
る。
【図８】成膜工程を示す側面断面図である。
【図９】ボート搬出工程を示す一部切断側面図である。
【図１０】ロードロックチャンバ受け渡し工程を示す一
部切断側面図である。
【図１１】プロセスチューブ搬出工程を示す一部切断側
面図である。
【図１２】本発明の別の他の実施の形態であるバッチ式
ＣＶＤ装置のウエハチャージング工程を示す側面断面図
である。
【図１３】成膜工程を示す側面断面図である。
【図１４】プロセスチューブ搬出工程を示す一部切断側
面図である。
【符号の説明】 Ｗ…ウエハ（基板）、１…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処
理装置）、２…筐体、３…固定具、４…ロードロックチ
ャンバ、５…ウエハ搬入搬出口、６…ゲート、７…保守
点検口、８…ゲート、９…排気管、１０…ボート搬入搬
出口、１１…ゲート、１２…挿通口、１３…ヒータユニ
ット（処理チャンバ）、１４…プロセスチューブ、１５
…マニホールド、１６…ガス導入管、１７…排気管、１
８…ボートエレベータ、１９…送りねじ軸、２０…ベル
ト伝動装置、２１…モータ、２２…昇降板、２３…支
柱、２４…フランジ、２５…シールキャップ、２６…ボ
ート、２７…ベローズ、２８…結合部材、３０…ウエハ
移載装置、３１…ロータリーアクチュエータ、３２…第
一リニアアクチュエータ、３３…第二リニアアクチュエ
ータ、３４…移動台、３５…ツィーザ、３６…エレベー
タ、３７…クリーンユニット、４０…ウエハ搬入搬出
口、４１…ポッドオープナ、４２…載置台、４３…キャ
ップ着脱機構、１８Ａ…ボートエレベータ、１９Ａ…丸
パイプの支柱。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 圷 則夫 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 GA13 KA04 KA05 KA28 5F031 CA02 DA08 EA14 FA01 FA09 FA11 FA12 GA03 GA47 GA49 HA67 LA12 LA13 MA13 MA28 NA05 NA07 PA24 5F045 AA03 AA20 AB31 BB10 BB14 DP19 DQ05 EB02 EB06

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数枚の基板をボートによって支持した
    状態で処理するプロセスチューブと、前記ボートを前記
    処理の前後に収容して前記プロセスチューブに対し搬入
    搬出するロードロックチャンバとを備えており、前記ロ
    ードロックチャンバは前記プロセスチューブを載置した
    状態で昇降可能に構成されていることを特徴とする基板
    処理装置。
  2. 【請求項２】 前記ロードロックチャンバの昇降ストロ
    ークは前記プロセスチューブの高さ以上に設定されてい
    ることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 前記ロードロックチャンバの重心と前記
    プロセスチューブの重心とが略同一の鉛直線上に位置さ
    れていることを特徴とする請求項１または２に記載の基
    板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記ロードロックチャンバは前記ボート
    を昇降させるボートエレベータによって昇降されること
    を特徴とする請求項１、２または３に記載の基板処理装
    置。
  5. 【請求項５】 複数枚の基板をボートによって支持した
    状態で処理するプロセスチューブと、前記ボートを前記
    処理の前後に収容して前記プロセスチューブに対し搬入
    搬出するロードロックチャンバと、ボートを昇降させる
    ボートエレベータとを備えており、前記ボートエレベー
    タは前記ロードロックチャンバの外側の筐体に設置され
    ており、前記ボートはこのボートエレベータの昇降板に
    立脚された支柱に前記プロセスチューブの炉口を封止す
    るシールキャップを介して支持されており、前記支柱の
    外側には前記ロードロックチャンバの支柱挿通口を気密
    封止するベローズが前記ロードロックチャンバと前記昇
    降板との間に取り付けられていることを特徴とする基板
    処理装置。
  6. 【請求項６】 複数枚の基板をボートによって支持した
    状態で処理するプロセスチューブと、前記ボートを前記
    処理の前後に収容して前記プロセスチューブに対し搬入
    搬出するロードロックチャンバと、ボートを昇降させる
    ボートエレベータとを備えており、前記ボートエレベー
    タは前記ロードロックチャンバの外側の筐体に設置され
    ており、前記ボートはこのボートエレベータの昇降板に
    立脚された支柱に前記プロセスチューブの炉口を封止す
    るシールキャップを介して支持されており、前記支柱の
    外側には前記ロードロックチャンバの支柱挿通口を気密
    封止するベローズが前記ロードロックチャンバと前記シ
    ールキャップとの間に取り付けられていることを特徴と
    する基板処理装置。
  7. 【請求項７】 前記支柱がパイプによって形成されてお
    り、前記ボートエレベータの送りねじ軸がこのパイプの
    内部に配設されていることを特徴とする請求項５または
    ６に記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記送りねじ軸を回転させるモータの高
    さは前記ベローズが最も短縮した状態の高さよりも低く
    設定されていることを特徴とする請求項７に記載の基板
    処理装置。
  9. 【請求項９】 複数枚の基板をボートによって支持した
    状態で処理するプロセスチューブと、前記ボートを前記
    処理の前後に収容し前記プロセスチューブに対して搬入
    搬出するロードロックチャンバとを備えており、前記ロ
    ードロックチャンバが前記プロセスチューブを載置した
    状態で昇降可能に構成されている基板処理装置を用い
    て、前記基板を処理することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記プロセスチューブを前記ロードロ
    ックチャンバに載置した状態で下降させ、この下降させ
    たプロセスチューブを取り外す工程を有することを特徴
    とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
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US10/106,375 US20020182870A1 (en) 2001-05-30 2002-03-27 Substrate processing apparatus and a method for fabricating a semiconductor device by using same

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311864A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Tdk Corp 半導体処理装置用ロードポート
KR100729704B1 (ko) 2005-12-01 2007-06-18 박영남 반도체 제조설비
KR101004414B1 (ko) 2004-06-29 2010-12-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 로드락챔버
JP2014110374A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 前室昇降機配置機構
JP2015503247A (ja) * 2012-01-04 2015-01-29 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 処理ユニットを含む基板処理装置
KR101754429B1 (ko) 2008-07-11 2017-07-06 알까뗄 루슨트 반도체 웨이퍼의 로딩 및 언로딩 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8369975B2 (en) 2007-09-21 2013-02-05 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Online recipe synchronization in a real-time batch executive environment
US8150541B2 (en) * 2007-11-13 2012-04-03 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Methods and apparatus to modify a recipe process flow associated with a process control system during recipe execution
US8825189B2 (en) * 2007-11-13 2014-09-02 Fisher Rosemount Systems, Inc. Methods and apparatus to execute an auxiliary recipe and a batch recipe associated with a process control system
JP5562188B2 (ja) * 2010-09-16 2014-07-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP6208588B2 (ja) * 2014-01-28 2017-10-04 東京エレクトロン株式会社 支持機構及び基板処理装置
US11444053B2 (en) * 2020-02-25 2022-09-13 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven and method
US11688621B2 (en) 2020-12-10 2023-06-27 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven and operating methods

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5156521A (en) * 1987-10-15 1992-10-20 Epsilon Technology, Inc. Method for loading a substrate into a GVD apparatus
JPH0756879B2 (ja) * 1988-03-31 1995-06-14 日鉄セミコンダクター株式会社 半導体の無塵化製造装置
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2548062B2 (ja) * 1992-11-13 1996-10-30 日本エー・エス・エム株式会社 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
US5484483A (en) * 1993-02-05 1996-01-16 Asm Japan, K.K. Thermal treatment apparatus
US5441570A (en) * 1993-06-22 1995-08-15 Jein Technics Co., Ltd. Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
JP4578615B2 (ja) * 1999-07-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311864A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Tdk Corp 半導体処理装置用ロードポート
KR101004414B1 (ko) 2004-06-29 2010-12-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 로드락챔버
KR100729704B1 (ko) 2005-12-01 2007-06-18 박영남 반도체 제조설비
KR101754429B1 (ko) 2008-07-11 2017-07-06 알까뗄 루슨트 반도체 웨이퍼의 로딩 및 언로딩 장치
JP2015503247A (ja) * 2012-01-04 2015-01-29 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 処理ユニットを含む基板処理装置
JP2014110374A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 前室昇降機配置機構

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