JP2003092329A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2003092329A JP2003092329A JP2001283348A JP2001283348A JP2003092329A JP 2003092329 A JP2003092329 A JP 2003092329A JP 2001283348 A JP2001283348 A JP 2001283348A JP 2001283348 A JP2001283348 A JP 2001283348A JP 2003092329 A JP2003092329 A JP 2003092329A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットの高いバッチ式CVD装置を提
供する。 【解決手段】 バッチ式CVD装置1はウエハWをボー
ト19に保持した状態で処理するプロセスチューブ15
と、プロセスチューブ15の下方に隣接されたロードロ
ックチャンバ4で形成されボート19を待機させる待機
室3と、待機室3に隣接して形成されウエハ移載装置3
0が設置されたウエハ移載室29と、ウエハ移載室29
に処理済みウエハを保管する冷却用ストッカ40とを有
する。 【効果】 プロセスチューブから搬出された処理済みウ
エハを待機室で一次冷却した後に、一次冷却した処理済
みウエハを冷却用ストッカで二次冷却することにより、
処理済みウエハのキャリア収納可能温度までの降温の冷
却待ち時間を短縮できるため、バッチ式CVD装置のス
ループットを高めることができる。
供する。 【解決手段】 バッチ式CVD装置1はウエハWをボー
ト19に保持した状態で処理するプロセスチューブ15
と、プロセスチューブ15の下方に隣接されたロードロ
ックチャンバ4で形成されボート19を待機させる待機
室3と、待機室3に隣接して形成されウエハ移載装置3
0が設置されたウエハ移載室29と、ウエハ移載室29
に処理済みウエハを保管する冷却用ストッカ40とを有
する。 【効果】 プロセスチューブから搬出された処理済みウ
エハを待機室で一次冷却した後に、一次冷却した処理済
みウエハを冷却用ストッカで二次冷却することにより、
処理済みウエハのキャリア収納可能温度までの降温の冷
却待ち時間を短縮できるため、バッチ式CVD装置のス
ループットを高めることができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、特に、被処理基板の冷却技術に係り、例えば、半導
体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエ
ハ(以下、ウエハという。)に不純物を拡散したり絶縁
膜や金属膜等のCVD膜を形成したりする基板処理装置
に利用して有効なものに関する。 【0002】 【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置が述べられ
た文献としては、日本国特許庁特許公報特公平7−10
1675号がある。この文献には次の縦型拡散・CVD
装置が開示されている。すなわち、この縦型拡散・CV
D装置は、複数枚のウエハを収納したカセット(ウエハ
キャリア)を収納しウエハを出し入れする気密構造のカ
セット室と、このカセット室内のカセットとボートとの
間でウエハを移載するウエハ移載装置を有するロードロ
ック室(ウエハ移載室)と、このロードロック室内のボ
ートが搬入搬出される反応室(プロセスチューブ)とを
備えており、カセット室とロードロック室との間および
ロードロック室と反応室との間がそれぞれ仕切弁を介し
て接続されており、ロードロック室は真空排気せずに窒
素ガスによりロードロック室内の雰囲気が置換されるよ
うに構成されている。 【0003】一般に、ウエハを収納して搬送するカセッ
トは樹脂によって製作されている。したがって、高温に
なった処理済みのウエハは室温まで降温されてからカセ
ットに収納されている。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】前記した縦型拡散・C
VD装置においては、高温になった処理済みのウエハは
室温まで降温させてからカセットに収納する必要がある
ため、スループットが低いという問題点がある。すなわ
ち、プロセスチューブからの搬出時における処理済みウ
エハの温度は約500〜600℃であり、この高温度の
処理済みウエハをカセットへ収納可能な温度、例えば2
5〜60℃に自然冷却によって降温させるには多大の時
間が浪費されるため、スループットが低下してしまう。 【0005】本発明の目的は、スループットの高い基板
処理装置を提供することにある。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、複数枚の基板を処理する処理室と、この処理室に
隣接した密閉室と、この密閉室に隣接した基板移載室と
を備えており、前記基板移載室内に処理後の前記基板を
冷却する冷却用ストッカが設けられていることを特徴と
する。 【0007】前記した手段によれば、処理室から搬出さ
れた処理済みの基板を処理室に隣接した密閉室において
一次冷却し、次いで、一次冷却した処理済みの基板を基
板移載室内に設置された冷却用ストッカにおいて二次冷
却することにより、処理済みウエハを強制冷却すること
ができるため、処理済みウエハの冷却待ち時間を大幅に
短縮することができ、基板処理装置のスループットを高
めることができる。 【0008】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【0009】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置は、半導体装置の製造方法にあってウエハに不
純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成し
たりする工程に使用されるバッチ式縦形拡散・CVD装
置(以下、バッチ式CVD装置という。)として構成さ
れている。なお、このバッチ式CVD装置1においては
ウエハ搬送用のキャリアとしてはFOUP(front open
ing unified pod 。以下、ポッドという。)が使用され
ている。 【0010】以下の説明において、前後左右は図1を基
準とする。すなわち、ポッドオープナ39側が前側、そ
の反対側すなわちロードロックチャンバ4側が後側、ク
リーンエアユニット37側が左側、その反対側すなわち
ウエハ移載装置30のエレベータ36側が右側とする。 【0011】図1〜図3に示されているように、バッチ
式CVD装置1は筐体2を備えており、筐体2の後側に
はボート19が待機する待機室3を形成したロードロッ
クチャンバ4が設置されている。待機室3は大気圧未満
の圧力を維持可能な気密性能を有する密閉室に構成され
ており、ロードロックチャンバ4はボート19を収納可
能な容積を有する略直方体の箱形状に形成されている。
ロードロックチャンバ4の前面壁にはゲート6によって
開閉されるウエハ搬入搬出口5が開設されている。ロー
ドロックチャンバ4の後面壁には、保守点検等に際して
ボートを待機室3に対して出し入れするための保守点検
口7が開設されており、通常時には、保守点検口7はゲ
ート8によって閉塞されている。図3に示されているよ
うに、ロードロックチャンバ4の底壁には待機室3を大
気圧未満に排気するための排気管9と、待機室3へ窒素
(N2 )ガスを給気するための給気管10とがそれぞれ
接続されている。 【0012】図2および図3に示されているように、ロ
ードロックチャンバ4の天井壁にはボート搬入搬出口1
1が開設されており、ボート搬入搬出口11はシャッタ
12によって開閉されるようになっている。ロードロッ
クチャンバ4の上にはヒータユニット13が垂直方向に
設置されており、ヒータユニット13の内部には処理室
14を形成するプロセスチューブ15が配置されてい
る。 【0013】プロセスチューブ15は上端が閉塞し下端
が開口した円筒形状に形成されてヒータユニット13に
同心円に配置されており、プロセスチューブ15の円筒
中空部によって処理室14が構成されている。プロセス
チューブ15はロードロックチャンバ4の天井壁の上に
マニホールド16を介して支持されており、マニホール
ド16にはプロセスチューブ15の円筒中空部によって
形成された処理室14に原料ガスやパージガス等を導入
するためのガス導入管17と、プロセスチューブ15の
内部を排気するための排気管18とがそれぞれ接続され
ている。マニホールド16はロードロックチャンバ4の
ボート搬入搬出口11に同心円に配置されている。 【0014】待機室3の後側左隅部にはボート19を昇
降させるためのボートエレベータ20が設置されてい
る。ボートエレベータ20は上側取付板21Aと下側取
付板22Aとによって垂直にそれぞれ敷設されたガイド
レール23および送りねじ軸24を備えており、ガイド
レール23には移動体としての昇降台25が垂直方向に
昇降自在に嵌合されている。昇降台25は送りねじ軸2
4に垂直方向に進退自在に螺合されている。なお、作動
やバックラッシュを良好なものとするために、送りねじ
軸24と昇降台25との螺合部にはボールねじ機構が使
用されている。送りねじ軸24の上端部は上側取付板2
1Aおよびロードロックチャンバ4の天井壁を貫通して
待機室3の外部に突出されており、待機室3の外部に設
置されたモータ26によって正逆回転駆動されるように
連結されている。 【0015】昇降台25の側面にはアーム27が水平に
突設されており、アーム27の先端にはシールキャップ
28が水平に据え付けられている。シールキャップ28
はプロセスチューブ15の炉口になるロードロックチャ
ンバ4のボート搬入搬出口11をシールするように構成
されているとともに、ボート19を垂直に支持するよう
に構成されている。ボート19は複数枚(例えば、25
枚、50枚、100枚、125枚、150枚ずつ等)の
ウエハWをその中心を揃えて水平に支持した状態で、プ
ロセスチューブ15の処理室に対してボートエレベータ
20によるシールキャップ28の昇降に伴って搬入搬出
するように構成されている。 【0016】図1および図2に示されているように、筐
体2はウエハ移載室29を形成しており、ウエハ移載室
29の内部にはウエハWを移載するウエハ移載装置30
が設置されている。ウエハ移載装置30はロータリーア
クチュエータ31を備えており、ロータリーアクチュエ
ータ31は上面に設置された第一リニアアクチュエータ
32を水平面内で回転させるように構成されている。第
一リニアアクチュエータ32の上面には第二リニアアク
チュエータ33が設置されており、第一リニアアクチュ
エータ32は第二リニアアクチュエータ33を水平移動
させるように構成されている。第二リニアアクチュエー
タ33の上面には移動台34が設置されており、第二リ
ニアアクチュエータ33は移動台34を水平移動させる
ように構成されている。移動台34にはウエハWを下か
ら支持するツィーザ35が複数枚(本実施の形態におい
ては五枚)、等間隔に配置されて水平に取り付けられて
いる。ウエハ移載装置30は送りねじ装置等によって構
成されたエレベータ36によって昇降されるようになっ
ている。エレベータ36の反対側には筐体2の内部にク
リーンエアを供給するクリーンエアユニット37が設置
されている。 【0017】図1〜図3に示されているように、筐体2
の正面壁にはウエハを筐体2に対して搬入搬出するため
のウエハ搬入搬出口38が開設されており、ウエハ搬入
搬出口38にはポッドオープナ39が設置されている。
ポッドオープナ39はポッドPを載置する載置台39a
と、載置台39aに載置されたポッドPのキャップを着
脱するキャップ着脱機構39bとを備えており、載置台
39aに載置されたポッドPのキャップをキャップ着脱
機構39bによって着脱することにより、ポッドPのウ
エハ出し入れ口を開閉するようになっている。ポッドオ
ープナ39の載置台39aに対してはポッドPが、図示
しない工程内搬送装置(RGV)によって供給および排
出されるようになっている。 【0018】図1および図2に示されているように、ウ
エハ移載室29の前側左隅部には処理済みのウエハWを
冷却する冷却用ストッカ40がクリーンエアユニット3
7に対向されて設置されており、冷却用ストッカ40に
装填されたウエハWにはクリーンエアユニット37から
のクリーンエアが吹きかかるようになっている。冷却用
ストッカ40は使用済みのボート19が転用されて構成
されており、複数枚(例えば、25枚、50枚、100
枚、125枚、150枚ずつ等)のウエハWをその中心
を揃えて水平に支持し得るようになっている。ウエハ移
載装置30は冷却用ストッカ40に対してウエハWを装
填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)
し得るように設定されている。 【0019】図4および図5に詳しく示されているよう
に、本実施の形態においては、第一中空伸縮体としての
第一ベローズ41と第二中空伸縮体としての第二ベロー
ズ42とが、ガイドレール23および送りねじ軸24の
外側における昇降台25の上下にそれぞれ設置されてい
る。ロードロックチャンバ4の天井壁および上側取付板
21Aにおける第一ベローズ41の中空部内に対応する
位置と、ロードロックチャンバ4の底壁および下側取付
板22Aにおける第二ベローズ42の中空部内に対応す
る位置とに第一連通孔43と第二連通孔44とがそれぞ
れ開設されることにより、第一ベローズ41の中空部内
と第二ベローズ42の中空部内とは待機室3の外部であ
る大気圧にそれぞれ連通されている。 【0020】第一ベローズ41および第二ベローズ42
の中間部の中空部内には第一ベローズ41および第二ベ
ローズ42自体の変形を防止する変形防止部材としての
変形防止板45が複数枚宛(本実施の形態では四枚
宛)、上下方向に略等間隔に配列されて水平にそれぞれ
介設されている。変形防止板45は第一ベローズ41お
よび第二ベローズ42の外径よりも若干大きめの厚さが
薄い円板形状に形成されている。図5(b)に示されて
いるように、変形防止板45にはガイドレール23およ
び送りねじ軸24を逃げる逃げ孔47と、複数個(本実
施の形態では三個)のガイド孔48とがそれぞれ開設さ
れている。複数個のガイド孔48は、第一ベローズ41
および第二ベローズ42の中空部内において上側取付板
21Aと下側取付板22Aとの間に垂直に敷設された複
数本(本実施の形態では三本)の補助ガイドレール49
に上下方向に摺動自在に嵌合されることにより、水平方
向に遊動しないように垂直方向に適正に案内されるよう
になっている。 【0021】ちなみに、移動体としての昇降台25には
ガイドレール23に摺動自在に嵌合して案内されるガイ
ド孔25aと、送りねじ軸24に螺合した雌ねじ孔25
bと、補助ガイドレール49に摺動自在に嵌合して案内
されるガイド孔25cとがそれぞれ開設されている。な
お、変形防止板45にはガイドレール23および送りね
じ軸24を逃げる逃げ孔47を大きく開設するに限ら
ず、図5(d)に示されているように、ガイドレール2
3に摺動自在に嵌合して案内されるガイド孔46と、送
りねじ軸を逃げる逃げ孔47Aとを開設してもよい。 【0022】第一ベローズ41は変形防止板45の枚数
に対応して上下方向に複数段(本実施の形態では五段)
にそれぞれ略等間隔に分割されており、各段の分割体4
1aの上下の開口縁辺は上側に位置する変形防止板45
の下面と下側に位置する変形防止板45の上面とにそれ
ぞれ固定されている。但し、最上段の分割体41aの上
側開口縁辺は上側取付板21Aの下面に固定され、最下
段の分割体41aの下側開口縁辺は昇降台25の上面に
固定された上側取付板21Bに固定されている。同様
に、第二ベローズ42も複数段に分割されており、各段
の分割体42aは各変形防止板45または下側取付板2
2A、22Bにそれぞれ固定されている。 【0023】待機室3の底面には最も短縮した状態の第
二ベローズ42を収容する収容部50が陥没されてい
る。すなわち、待機室3の底面は収容部50の周囲が隆
起した状態になっており、収容部50の周囲が隆起した
分だけ待機室3の容積は減少された状態になっている。
また、待機室3の底面を形成するロードロックチャンバ
4の底壁は収容部50の周囲が隆起した分だけ床面から
浮いた状態になっており、底壁の下面と床面との間に形
成された突きスペース51を利用して排気管9および給
気管10がそれぞれ敷設されている。ちなみに、この突
きスペース51には排気管9および給気管10等の流体
配管の他に、電気回路収納ボックス52等を配置するこ
とができる。 【0024】以下、前記構成に係るバッチ式CVD装置
を使用した半導体装置の製造方法における成膜工程を説
明する。 【0025】これから成膜すべきウエハWは複数枚がポ
ッドPに収納された状態で、成膜工程を実施するバッチ
式CVD装置1へ工程内搬送装置によって搬送されて来
る。図1および図2に示されているように、搬送されて
来たポッドPはポッドオープナ39の載置台39aの上
に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド
Pのキャップがキャップ着脱機構39bによって取り外
され、ポッドPのウエハ出し入れ口が開放される。 【0026】ポッドPがポッドオープナ39により開放
されると、ウエハWはポッドPから五枚宛、筐体2の内
部に設置されたウエハ移載装置30のツィーザ35によ
って筐体2のウエハ搬入搬出口38を通してピックアッ
プされ、ウエハ搬入搬出口38を通して筐体2の内部に
搬入される。五枚のウエハWが筐体2の内部へウエハ移
載装置30によって搬入されると、ロードロックチャン
バ4のウエハ搬入搬出口5がゲート6によって開放され
る。ウエハ移載装置30のツィーザ35によって保持さ
れた五枚のウエハWはボート19へウエハ移載装置30
によってウエハ搬入搬出口5を通じて装填(チャージン
グ)される。 【0027】以降、ウエハWのポッドPからボート19
へのウエハ移載装置30による装填作業が繰り返され
る。この間、ボート搬入搬出口11がシャッタ12によ
って閉鎖されることにより、プロセスチューブ15の高
温雰囲気が待機室3に流入することは防止されている。
このため、装填途中のウエハWおよび装填されたウエハ
Wが高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハWが高温
雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は
防止されることになる。 【0028】図1および図2に示されているように、予
め指定された枚数のウエハWがボート19へ装填される
と、ウエハ搬入搬出口5はゲート6によって閉鎖され
る。ちなみに、ロードロックチャンバ4の保守点検口7
はゲート8によって閉鎖されており、ボート搬入搬出口
11はシャッタ12によって閉鎖されている。このよう
にロードロックされた状態で、待機室3は排気管9によ
って真空に排気され、続いて、窒素ガスが給気管10を
通じて供給されることにより、内部の酸素や水分を除去
される。この際、収容部50の周囲が隆起した分だけ待
機室3の容積は減少された状態になっているため、待機
室3を真空排気し、かつ、窒素ガスパージするのに必要
な時間は短縮されることになる。 【0029】待機室3の内部の酸素や水分が真空排気お
よび窒素ガスパージによって除去されると、図6および
図7に示されているように、ボート搬入搬出口11がシ
ャッタ12によって開放される。次に、シールキャップ
28に支持されたボート19がボートエレベータ20の
昇降台25によって上昇されて、プロセスチューブ15
の処理室14に搬入(ローディング)される。ボート1
9が上限に達すると、ボート19を支持したシールキャ
ップ28の上面の周辺部がボート搬入搬出口11をシー
ル状態に閉塞するため、プロセスチューブ15の処理室
14は気密に閉じられた状態になる。このボート19の
処理室14への搬入に際して、待機室3の内部の酸素や
水分が予め除去されているため、ボート19の処理室1
4への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室14に侵
入することは確実に防止される。 【0030】ここで、ボート19を処理室14へ搬入す
る昇降台25が上昇する際には、第一ベローズ41は上
方向に短縮し、第二ベローズ42は上方向に伸長する必
要があるが、第一ベローズ41の中空部内は第一連通孔
43によって大気圧に連通され、第二ベローズ42の中
空部内は第二連通孔44によって大気圧に連通されてい
るため、第一ベローズ41は上方向に短縮し、第二ベロ
ーズ42は上方向に伸長することができる。また、第一
ベローズ41の中空部内および第二ベローズ42の中空
部内は待機室3からそれぞれ隔離されているため、第一
ベローズ41の短縮および第二ベローズ42の伸長(特
に、第一ベローズ41の短縮)に伴って、第一ベローズ
41の中空部内および第二ベローズ42の中空部内の大
気中の酸素や水分、送りねじ軸24や昇降台25の雌ね
じ孔25bおよびガイドレール23に塗布された潤滑油
(グリース)からの蒸発ガス等が待機室3に侵入するこ
とはない。 【0031】その後、プロセスチューブ15の処理室1
4は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように
排気管18によって排気され、ヒータユニット13によ
って所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入
管17によって所定の流量だけ供給される。これによ
り、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエ
ハWに形成される。 【0032】予め設定された処理時間が経過すると、図
2および図3に示されているように、ボート19がボー
トエレベータ20の昇降台25によって下降されること
により、処理済みウエハWを保持したボート19が待機
室3に搬出(アンローディング)される。この際、第一
ベローズ41の中空部内は第一連通孔43によって大気
圧に連通され、第二ベローズ42の中空部内は第二連通
孔44によって大気圧に連通されているため、昇降台2
5の下降に伴って、第一ベローズ41は下方向に伸長
し、第二ベローズ42は下方向に短縮する。そして、第
一ベローズ41の中空部内および第二ベローズ42の中
空部内は待機室3からそれぞれ隔離されているため、第
一ベローズ41の伸長および第二ベローズ42の短縮
(特に、第二ベローズ42の短縮)に伴って、第一ベロ
ーズ41の中空部内および第二ベローズ42の中空部内
の汚染物質が待機室3に侵入することはない。 【0033】ボート19が待機室3に搬出されると、ボ
ート搬入搬出口11がシャッタ12によって閉鎖され
る。次に、待機室3がロードロックされた状態で、窒素
ガスが待機室3に給気管10および排気管9を通じて流
通されることにより、ボート19上の高温(例えば、5
00〜600℃)になった処理済みのウエハWが窒素ガ
スによって強制冷却されて、ウエハ移載装置30によっ
て取扱い可能な温度(例えば、200℃)まで降温され
る。この際、冷却媒体としての窒素ガスを待機室3へ給
気管10および排気管9によって強制的に流通させるこ
とにより、新鮮な低温の窒素ガスを高温のウエハWに常
に接触させることができるため、熱交換効率を高めるこ
とができ、窒素ガスの一次冷却によるウエハWの降温時
間を短縮することができる。 【0034】ボート19上の処理済みウエハWがウエハ
移載装置30によって取扱い可能な温度に降温すると、
待機室3のウエハ搬入搬出口5がゲート6によって開放
される。続いて、降温されたボート19の処理済みウエ
ハWがウエハ移載装置30によって脱装(ディスチャー
ジング)されてウエハ移載室29に搬入され、冷却用ス
トッカ40へ装填される。この冷却用ストッカ40は使
用済みのボート19が転用されて構成されているため、
装填されるウエハWの温度がウエハ移載装置30によっ
て取扱い可能な最大温度(例えば、200℃)であって
も何らの支障もなく安全に保管することができる。 【0035】冷却用ストッカ40に装填された処理済み
ウエハWは自然冷却によって二次冷却される。この際、
冷却用ストッカ40が設置されたウエハ移載室29は室
温(例えば、25℃)に維持されており、処理済みウエ
ハWの温度(例えば、200℃)との温度差が大きいた
め、冷却用ストッカ40に装填されたウエハWは効果的
に自然冷却される。しかも、冷却用ストッカ40がクリ
ーンエアユニット37に対向されていることにより、冷
却用ストッカ40に装填されたウエハWには新鮮な低温
のクリーンエアが常に接触するため、ウエハWをクリー
ンエアによって強制冷却することができる。 【0036】ボート19上の処理済みウエハWが冷却用
ストッカ40にウエハ移載装置30によって全て移し換
えられると、次回のバッチにおいて処理すべきウエハW
がポッドオープナ39に供給されることにより、次のバ
ッチのウエハWがポッドオープナ39から処理済みウエ
ハWが脱装された空のボート19へウエハ移載装置30
によって順次装填されて行く。 【0037】予め指定された枚数のウエハWがボート1
9へ装填されると、ウエハ搬入搬出口5はゲート6によ
って閉鎖される。その後、前述した作動によって次のバ
ッチのウエハWについての成膜処理が実施されて行く。 【0038】このバッチのウエハWのボート19への装
填作業および成膜作業の間に、冷却用ストッカ40に保
管された前回のバッチの処理済みウエハWに対しては二
次冷却作用が継続されているため、処理済みウエハWは
充分に冷却されることになる。しかも、この処理済みウ
エハWの二次冷却作用は次回のバッチのウエハWについ
ての装填作業および成膜作業と同時に進行されているこ
とにより、冷却待ち時間は吸収されることになるため、
バッチ式CVD装置1の全体としてのスループットを低
下させることにはならない。 【0039】冷却用ストッカ40に保管された処理済み
ウエハWがポッドPに収納可能な温度(例えば、室温の
25℃)に降温したところで、冷却用ストッカ40に保
管された処理済みウエハWはポッドオープナ39の空の
ポッドPにウエハ移載装置30によって戻される。この
際、処理済みウエハWはポッドPに収納可能な温度に降
温されているため、ポッドPが樹脂によって製作されて
いる場合であっても、処理済みウエハWをポッドPに安
全に収納することができる。 【0040】所定枚数の処理済みウエハWが収納される
と、ポッドPはポッドオープナ39のキャップ着脱機構
39bによってキャップを装着された後に、載置台39
aから次の処理工程へ工程内搬送装置によって搬送され
て行く。このディスチャージング作業およびポッドPへ
の収納作業がボート19の全ての処理済みウエハWにつ
いて繰り返されて行く。 【0041】以降、前述した作用が繰り返されて、ウエ
ハWが例えば25枚、50枚、100枚、125枚、1
50枚ずつ、バッチ式CVD装置1によってバッチ処理
されて行く。 【0042】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。 【0043】1) 処理済みのウエハがプロセスチューブ
から搬出された待機室に窒素ガスを流通させることによ
り、高温になった処理済みのウエハをウエハ移載装置に
よって取扱い可能な温度まで強制的に一次冷却すること
ができるため、処理済みウエハのボートからの脱装まで
の時間を短縮することができる。 【0044】2) 冷却媒体としての窒素ガスを待機室へ
給気管および排気管によって強制的に流通させることに
より、新鮮な低温の窒素ガスを高温のウエハに常に接触
させることができるため、熱交換効率を高めることがで
き、窒素ガスの一次冷却によるウエハの降温時間をより
一層短縮することができる。 【0045】3) 一次冷却された処理済みウエハを冷却
用ストッカに装填して保管することにより、冷却用スト
ッカに保管された処理済みウエハを自然冷却によって二
次冷却することができるため、処理済みウエハをウエハ
移載装置による移載可能な温度からポッドへの収納可能
な温度まで効果的に降温させることができる。 【0046】4) 冷却用ストッカをクリーンエアユニッ
トに対向させることにより、冷却用ストッカに装填され
たウエハに新鮮な低温のクリーンエアを常に接触させる
ことができるため、ウエハをクリーンエアによって強制
的に冷却することができ、二次冷却時間をより一層短縮
することができる。 【0047】5) 冷却用ストッカの保管中における処理
済みウエハの二次冷却作用を次のバッチのウエハに対す
る装填作業および成膜作業と同時に進行させることによ
り、冷却待ち時間を吸収させることができるため、二次
冷却作用によるバッチ式CVD装置のスループットの低
下を防止することができる。 【0048】6) 冷却用ストッカとして使用済みのボー
トを転用することにより、バッチ式CVD装置の製造コ
ストの増加を抑制することができる。 【0049】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【0050】例えば、冷却用ストッカは使用済みのボー
トを転用して構成するに限らず、ステンレス等の材料を
使用して専用的に構成してもよい。 【0051】前記実施の形態ではバッチ式CVD装置の
場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板
処理装置全般に適用することができる。 【0052】 【発明の効果】以上説明したように、本発明にによれ
ば、処理室から搬出された処理済みの基板を処理室に隣
接した密閉室において一次冷却し、次いで、一次冷却し
た処理済みの基板を基板移載室内に設置された冷却用ス
トッカにおいて二次冷却することにより、処理済みウエ
ハを強制冷却することができるため、処理済みウエハの
冷却待ち時間を大幅に短縮することができ、基板処理装
置のスループットを高めることができる。
し、特に、被処理基板の冷却技術に係り、例えば、半導
体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエ
ハ(以下、ウエハという。)に不純物を拡散したり絶縁
膜や金属膜等のCVD膜を形成したりする基板処理装置
に利用して有効なものに関する。 【0002】 【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置が述べられ
た文献としては、日本国特許庁特許公報特公平7−10
1675号がある。この文献には次の縦型拡散・CVD
装置が開示されている。すなわち、この縦型拡散・CV
D装置は、複数枚のウエハを収納したカセット(ウエハ
キャリア)を収納しウエハを出し入れする気密構造のカ
セット室と、このカセット室内のカセットとボートとの
間でウエハを移載するウエハ移載装置を有するロードロ
ック室(ウエハ移載室)と、このロードロック室内のボ
ートが搬入搬出される反応室(プロセスチューブ)とを
備えており、カセット室とロードロック室との間および
ロードロック室と反応室との間がそれぞれ仕切弁を介し
て接続されており、ロードロック室は真空排気せずに窒
素ガスによりロードロック室内の雰囲気が置換されるよ
うに構成されている。 【0003】一般に、ウエハを収納して搬送するカセッ
トは樹脂によって製作されている。したがって、高温に
なった処理済みのウエハは室温まで降温されてからカセ
ットに収納されている。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】前記した縦型拡散・C
VD装置においては、高温になった処理済みのウエハは
室温まで降温させてからカセットに収納する必要がある
ため、スループットが低いという問題点がある。すなわ
ち、プロセスチューブからの搬出時における処理済みウ
エハの温度は約500〜600℃であり、この高温度の
処理済みウエハをカセットへ収納可能な温度、例えば2
5〜60℃に自然冷却によって降温させるには多大の時
間が浪費されるため、スループットが低下してしまう。 【0005】本発明の目的は、スループットの高い基板
処理装置を提供することにある。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、複数枚の基板を処理する処理室と、この処理室に
隣接した密閉室と、この密閉室に隣接した基板移載室と
を備えており、前記基板移載室内に処理後の前記基板を
冷却する冷却用ストッカが設けられていることを特徴と
する。 【0007】前記した手段によれば、処理室から搬出さ
れた処理済みの基板を処理室に隣接した密閉室において
一次冷却し、次いで、一次冷却した処理済みの基板を基
板移載室内に設置された冷却用ストッカにおいて二次冷
却することにより、処理済みウエハを強制冷却すること
ができるため、処理済みウエハの冷却待ち時間を大幅に
短縮することができ、基板処理装置のスループットを高
めることができる。 【0008】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【0009】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置は、半導体装置の製造方法にあってウエハに不
純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成し
たりする工程に使用されるバッチ式縦形拡散・CVD装
置(以下、バッチ式CVD装置という。)として構成さ
れている。なお、このバッチ式CVD装置1においては
ウエハ搬送用のキャリアとしてはFOUP(front open
ing unified pod 。以下、ポッドという。)が使用され
ている。 【0010】以下の説明において、前後左右は図1を基
準とする。すなわち、ポッドオープナ39側が前側、そ
の反対側すなわちロードロックチャンバ4側が後側、ク
リーンエアユニット37側が左側、その反対側すなわち
ウエハ移載装置30のエレベータ36側が右側とする。 【0011】図1〜図3に示されているように、バッチ
式CVD装置1は筐体2を備えており、筐体2の後側に
はボート19が待機する待機室3を形成したロードロッ
クチャンバ4が設置されている。待機室3は大気圧未満
の圧力を維持可能な気密性能を有する密閉室に構成され
ており、ロードロックチャンバ4はボート19を収納可
能な容積を有する略直方体の箱形状に形成されている。
ロードロックチャンバ4の前面壁にはゲート6によって
開閉されるウエハ搬入搬出口5が開設されている。ロー
ドロックチャンバ4の後面壁には、保守点検等に際して
ボートを待機室3に対して出し入れするための保守点検
口7が開設されており、通常時には、保守点検口7はゲ
ート8によって閉塞されている。図3に示されているよ
うに、ロードロックチャンバ4の底壁には待機室3を大
気圧未満に排気するための排気管9と、待機室3へ窒素
(N2 )ガスを給気するための給気管10とがそれぞれ
接続されている。 【0012】図2および図3に示されているように、ロ
ードロックチャンバ4の天井壁にはボート搬入搬出口1
1が開設されており、ボート搬入搬出口11はシャッタ
12によって開閉されるようになっている。ロードロッ
クチャンバ4の上にはヒータユニット13が垂直方向に
設置されており、ヒータユニット13の内部には処理室
14を形成するプロセスチューブ15が配置されてい
る。 【0013】プロセスチューブ15は上端が閉塞し下端
が開口した円筒形状に形成されてヒータユニット13に
同心円に配置されており、プロセスチューブ15の円筒
中空部によって処理室14が構成されている。プロセス
チューブ15はロードロックチャンバ4の天井壁の上に
マニホールド16を介して支持されており、マニホール
ド16にはプロセスチューブ15の円筒中空部によって
形成された処理室14に原料ガスやパージガス等を導入
するためのガス導入管17と、プロセスチューブ15の
内部を排気するための排気管18とがそれぞれ接続され
ている。マニホールド16はロードロックチャンバ4の
ボート搬入搬出口11に同心円に配置されている。 【0014】待機室3の後側左隅部にはボート19を昇
降させるためのボートエレベータ20が設置されてい
る。ボートエレベータ20は上側取付板21Aと下側取
付板22Aとによって垂直にそれぞれ敷設されたガイド
レール23および送りねじ軸24を備えており、ガイド
レール23には移動体としての昇降台25が垂直方向に
昇降自在に嵌合されている。昇降台25は送りねじ軸2
4に垂直方向に進退自在に螺合されている。なお、作動
やバックラッシュを良好なものとするために、送りねじ
軸24と昇降台25との螺合部にはボールねじ機構が使
用されている。送りねじ軸24の上端部は上側取付板2
1Aおよびロードロックチャンバ4の天井壁を貫通して
待機室3の外部に突出されており、待機室3の外部に設
置されたモータ26によって正逆回転駆動されるように
連結されている。 【0015】昇降台25の側面にはアーム27が水平に
突設されており、アーム27の先端にはシールキャップ
28が水平に据え付けられている。シールキャップ28
はプロセスチューブ15の炉口になるロードロックチャ
ンバ4のボート搬入搬出口11をシールするように構成
されているとともに、ボート19を垂直に支持するよう
に構成されている。ボート19は複数枚(例えば、25
枚、50枚、100枚、125枚、150枚ずつ等)の
ウエハWをその中心を揃えて水平に支持した状態で、プ
ロセスチューブ15の処理室に対してボートエレベータ
20によるシールキャップ28の昇降に伴って搬入搬出
するように構成されている。 【0016】図1および図2に示されているように、筐
体2はウエハ移載室29を形成しており、ウエハ移載室
29の内部にはウエハWを移載するウエハ移載装置30
が設置されている。ウエハ移載装置30はロータリーア
クチュエータ31を備えており、ロータリーアクチュエ
ータ31は上面に設置された第一リニアアクチュエータ
32を水平面内で回転させるように構成されている。第
一リニアアクチュエータ32の上面には第二リニアアク
チュエータ33が設置されており、第一リニアアクチュ
エータ32は第二リニアアクチュエータ33を水平移動
させるように構成されている。第二リニアアクチュエー
タ33の上面には移動台34が設置されており、第二リ
ニアアクチュエータ33は移動台34を水平移動させる
ように構成されている。移動台34にはウエハWを下か
ら支持するツィーザ35が複数枚(本実施の形態におい
ては五枚)、等間隔に配置されて水平に取り付けられて
いる。ウエハ移載装置30は送りねじ装置等によって構
成されたエレベータ36によって昇降されるようになっ
ている。エレベータ36の反対側には筐体2の内部にク
リーンエアを供給するクリーンエアユニット37が設置
されている。 【0017】図1〜図3に示されているように、筐体2
の正面壁にはウエハを筐体2に対して搬入搬出するため
のウエハ搬入搬出口38が開設されており、ウエハ搬入
搬出口38にはポッドオープナ39が設置されている。
ポッドオープナ39はポッドPを載置する載置台39a
と、載置台39aに載置されたポッドPのキャップを着
脱するキャップ着脱機構39bとを備えており、載置台
39aに載置されたポッドPのキャップをキャップ着脱
機構39bによって着脱することにより、ポッドPのウ
エハ出し入れ口を開閉するようになっている。ポッドオ
ープナ39の載置台39aに対してはポッドPが、図示
しない工程内搬送装置(RGV)によって供給および排
出されるようになっている。 【0018】図1および図2に示されているように、ウ
エハ移載室29の前側左隅部には処理済みのウエハWを
冷却する冷却用ストッカ40がクリーンエアユニット3
7に対向されて設置されており、冷却用ストッカ40に
装填されたウエハWにはクリーンエアユニット37から
のクリーンエアが吹きかかるようになっている。冷却用
ストッカ40は使用済みのボート19が転用されて構成
されており、複数枚(例えば、25枚、50枚、100
枚、125枚、150枚ずつ等)のウエハWをその中心
を揃えて水平に支持し得るようになっている。ウエハ移
載装置30は冷却用ストッカ40に対してウエハWを装
填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)
し得るように設定されている。 【0019】図4および図5に詳しく示されているよう
に、本実施の形態においては、第一中空伸縮体としての
第一ベローズ41と第二中空伸縮体としての第二ベロー
ズ42とが、ガイドレール23および送りねじ軸24の
外側における昇降台25の上下にそれぞれ設置されてい
る。ロードロックチャンバ4の天井壁および上側取付板
21Aにおける第一ベローズ41の中空部内に対応する
位置と、ロードロックチャンバ4の底壁および下側取付
板22Aにおける第二ベローズ42の中空部内に対応す
る位置とに第一連通孔43と第二連通孔44とがそれぞ
れ開設されることにより、第一ベローズ41の中空部内
と第二ベローズ42の中空部内とは待機室3の外部であ
る大気圧にそれぞれ連通されている。 【0020】第一ベローズ41および第二ベローズ42
の中間部の中空部内には第一ベローズ41および第二ベ
ローズ42自体の変形を防止する変形防止部材としての
変形防止板45が複数枚宛(本実施の形態では四枚
宛)、上下方向に略等間隔に配列されて水平にそれぞれ
介設されている。変形防止板45は第一ベローズ41お
よび第二ベローズ42の外径よりも若干大きめの厚さが
薄い円板形状に形成されている。図5(b)に示されて
いるように、変形防止板45にはガイドレール23およ
び送りねじ軸24を逃げる逃げ孔47と、複数個(本実
施の形態では三個)のガイド孔48とがそれぞれ開設さ
れている。複数個のガイド孔48は、第一ベローズ41
および第二ベローズ42の中空部内において上側取付板
21Aと下側取付板22Aとの間に垂直に敷設された複
数本(本実施の形態では三本)の補助ガイドレール49
に上下方向に摺動自在に嵌合されることにより、水平方
向に遊動しないように垂直方向に適正に案内されるよう
になっている。 【0021】ちなみに、移動体としての昇降台25には
ガイドレール23に摺動自在に嵌合して案内されるガイ
ド孔25aと、送りねじ軸24に螺合した雌ねじ孔25
bと、補助ガイドレール49に摺動自在に嵌合して案内
されるガイド孔25cとがそれぞれ開設されている。な
お、変形防止板45にはガイドレール23および送りね
じ軸24を逃げる逃げ孔47を大きく開設するに限ら
ず、図5(d)に示されているように、ガイドレール2
3に摺動自在に嵌合して案内されるガイド孔46と、送
りねじ軸を逃げる逃げ孔47Aとを開設してもよい。 【0022】第一ベローズ41は変形防止板45の枚数
に対応して上下方向に複数段(本実施の形態では五段)
にそれぞれ略等間隔に分割されており、各段の分割体4
1aの上下の開口縁辺は上側に位置する変形防止板45
の下面と下側に位置する変形防止板45の上面とにそれ
ぞれ固定されている。但し、最上段の分割体41aの上
側開口縁辺は上側取付板21Aの下面に固定され、最下
段の分割体41aの下側開口縁辺は昇降台25の上面に
固定された上側取付板21Bに固定されている。同様
に、第二ベローズ42も複数段に分割されており、各段
の分割体42aは各変形防止板45または下側取付板2
2A、22Bにそれぞれ固定されている。 【0023】待機室3の底面には最も短縮した状態の第
二ベローズ42を収容する収容部50が陥没されてい
る。すなわち、待機室3の底面は収容部50の周囲が隆
起した状態になっており、収容部50の周囲が隆起した
分だけ待機室3の容積は減少された状態になっている。
また、待機室3の底面を形成するロードロックチャンバ
4の底壁は収容部50の周囲が隆起した分だけ床面から
浮いた状態になっており、底壁の下面と床面との間に形
成された突きスペース51を利用して排気管9および給
気管10がそれぞれ敷設されている。ちなみに、この突
きスペース51には排気管9および給気管10等の流体
配管の他に、電気回路収納ボックス52等を配置するこ
とができる。 【0024】以下、前記構成に係るバッチ式CVD装置
を使用した半導体装置の製造方法における成膜工程を説
明する。 【0025】これから成膜すべきウエハWは複数枚がポ
ッドPに収納された状態で、成膜工程を実施するバッチ
式CVD装置1へ工程内搬送装置によって搬送されて来
る。図1および図2に示されているように、搬送されて
来たポッドPはポッドオープナ39の載置台39aの上
に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド
Pのキャップがキャップ着脱機構39bによって取り外
され、ポッドPのウエハ出し入れ口が開放される。 【0026】ポッドPがポッドオープナ39により開放
されると、ウエハWはポッドPから五枚宛、筐体2の内
部に設置されたウエハ移載装置30のツィーザ35によ
って筐体2のウエハ搬入搬出口38を通してピックアッ
プされ、ウエハ搬入搬出口38を通して筐体2の内部に
搬入される。五枚のウエハWが筐体2の内部へウエハ移
載装置30によって搬入されると、ロードロックチャン
バ4のウエハ搬入搬出口5がゲート6によって開放され
る。ウエハ移載装置30のツィーザ35によって保持さ
れた五枚のウエハWはボート19へウエハ移載装置30
によってウエハ搬入搬出口5を通じて装填(チャージン
グ)される。 【0027】以降、ウエハWのポッドPからボート19
へのウエハ移載装置30による装填作業が繰り返され
る。この間、ボート搬入搬出口11がシャッタ12によ
って閉鎖されることにより、プロセスチューブ15の高
温雰囲気が待機室3に流入することは防止されている。
このため、装填途中のウエハWおよび装填されたウエハ
Wが高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハWが高温
雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は
防止されることになる。 【0028】図1および図2に示されているように、予
め指定された枚数のウエハWがボート19へ装填される
と、ウエハ搬入搬出口5はゲート6によって閉鎖され
る。ちなみに、ロードロックチャンバ4の保守点検口7
はゲート8によって閉鎖されており、ボート搬入搬出口
11はシャッタ12によって閉鎖されている。このよう
にロードロックされた状態で、待機室3は排気管9によ
って真空に排気され、続いて、窒素ガスが給気管10を
通じて供給されることにより、内部の酸素や水分を除去
される。この際、収容部50の周囲が隆起した分だけ待
機室3の容積は減少された状態になっているため、待機
室3を真空排気し、かつ、窒素ガスパージするのに必要
な時間は短縮されることになる。 【0029】待機室3の内部の酸素や水分が真空排気お
よび窒素ガスパージによって除去されると、図6および
図7に示されているように、ボート搬入搬出口11がシ
ャッタ12によって開放される。次に、シールキャップ
28に支持されたボート19がボートエレベータ20の
昇降台25によって上昇されて、プロセスチューブ15
の処理室14に搬入(ローディング)される。ボート1
9が上限に達すると、ボート19を支持したシールキャ
ップ28の上面の周辺部がボート搬入搬出口11をシー
ル状態に閉塞するため、プロセスチューブ15の処理室
14は気密に閉じられた状態になる。このボート19の
処理室14への搬入に際して、待機室3の内部の酸素や
水分が予め除去されているため、ボート19の処理室1
4への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室14に侵
入することは確実に防止される。 【0030】ここで、ボート19を処理室14へ搬入す
る昇降台25が上昇する際には、第一ベローズ41は上
方向に短縮し、第二ベローズ42は上方向に伸長する必
要があるが、第一ベローズ41の中空部内は第一連通孔
43によって大気圧に連通され、第二ベローズ42の中
空部内は第二連通孔44によって大気圧に連通されてい
るため、第一ベローズ41は上方向に短縮し、第二ベロ
ーズ42は上方向に伸長することができる。また、第一
ベローズ41の中空部内および第二ベローズ42の中空
部内は待機室3からそれぞれ隔離されているため、第一
ベローズ41の短縮および第二ベローズ42の伸長(特
に、第一ベローズ41の短縮)に伴って、第一ベローズ
41の中空部内および第二ベローズ42の中空部内の大
気中の酸素や水分、送りねじ軸24や昇降台25の雌ね
じ孔25bおよびガイドレール23に塗布された潤滑油
(グリース)からの蒸発ガス等が待機室3に侵入するこ
とはない。 【0031】その後、プロセスチューブ15の処理室1
4は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように
排気管18によって排気され、ヒータユニット13によ
って所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入
管17によって所定の流量だけ供給される。これによ
り、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエ
ハWに形成される。 【0032】予め設定された処理時間が経過すると、図
2および図3に示されているように、ボート19がボー
トエレベータ20の昇降台25によって下降されること
により、処理済みウエハWを保持したボート19が待機
室3に搬出(アンローディング)される。この際、第一
ベローズ41の中空部内は第一連通孔43によって大気
圧に連通され、第二ベローズ42の中空部内は第二連通
孔44によって大気圧に連通されているため、昇降台2
5の下降に伴って、第一ベローズ41は下方向に伸長
し、第二ベローズ42は下方向に短縮する。そして、第
一ベローズ41の中空部内および第二ベローズ42の中
空部内は待機室3からそれぞれ隔離されているため、第
一ベローズ41の伸長および第二ベローズ42の短縮
(特に、第二ベローズ42の短縮)に伴って、第一ベロ
ーズ41の中空部内および第二ベローズ42の中空部内
の汚染物質が待機室3に侵入することはない。 【0033】ボート19が待機室3に搬出されると、ボ
ート搬入搬出口11がシャッタ12によって閉鎖され
る。次に、待機室3がロードロックされた状態で、窒素
ガスが待機室3に給気管10および排気管9を通じて流
通されることにより、ボート19上の高温(例えば、5
00〜600℃)になった処理済みのウエハWが窒素ガ
スによって強制冷却されて、ウエハ移載装置30によっ
て取扱い可能な温度(例えば、200℃)まで降温され
る。この際、冷却媒体としての窒素ガスを待機室3へ給
気管10および排気管9によって強制的に流通させるこ
とにより、新鮮な低温の窒素ガスを高温のウエハWに常
に接触させることができるため、熱交換効率を高めるこ
とができ、窒素ガスの一次冷却によるウエハWの降温時
間を短縮することができる。 【0034】ボート19上の処理済みウエハWがウエハ
移載装置30によって取扱い可能な温度に降温すると、
待機室3のウエハ搬入搬出口5がゲート6によって開放
される。続いて、降温されたボート19の処理済みウエ
ハWがウエハ移載装置30によって脱装(ディスチャー
ジング)されてウエハ移載室29に搬入され、冷却用ス
トッカ40へ装填される。この冷却用ストッカ40は使
用済みのボート19が転用されて構成されているため、
装填されるウエハWの温度がウエハ移載装置30によっ
て取扱い可能な最大温度(例えば、200℃)であって
も何らの支障もなく安全に保管することができる。 【0035】冷却用ストッカ40に装填された処理済み
ウエハWは自然冷却によって二次冷却される。この際、
冷却用ストッカ40が設置されたウエハ移載室29は室
温(例えば、25℃)に維持されており、処理済みウエ
ハWの温度(例えば、200℃)との温度差が大きいた
め、冷却用ストッカ40に装填されたウエハWは効果的
に自然冷却される。しかも、冷却用ストッカ40がクリ
ーンエアユニット37に対向されていることにより、冷
却用ストッカ40に装填されたウエハWには新鮮な低温
のクリーンエアが常に接触するため、ウエハWをクリー
ンエアによって強制冷却することができる。 【0036】ボート19上の処理済みウエハWが冷却用
ストッカ40にウエハ移載装置30によって全て移し換
えられると、次回のバッチにおいて処理すべきウエハW
がポッドオープナ39に供給されることにより、次のバ
ッチのウエハWがポッドオープナ39から処理済みウエ
ハWが脱装された空のボート19へウエハ移載装置30
によって順次装填されて行く。 【0037】予め指定された枚数のウエハWがボート1
9へ装填されると、ウエハ搬入搬出口5はゲート6によ
って閉鎖される。その後、前述した作動によって次のバ
ッチのウエハWについての成膜処理が実施されて行く。 【0038】このバッチのウエハWのボート19への装
填作業および成膜作業の間に、冷却用ストッカ40に保
管された前回のバッチの処理済みウエハWに対しては二
次冷却作用が継続されているため、処理済みウエハWは
充分に冷却されることになる。しかも、この処理済みウ
エハWの二次冷却作用は次回のバッチのウエハWについ
ての装填作業および成膜作業と同時に進行されているこ
とにより、冷却待ち時間は吸収されることになるため、
バッチ式CVD装置1の全体としてのスループットを低
下させることにはならない。 【0039】冷却用ストッカ40に保管された処理済み
ウエハWがポッドPに収納可能な温度(例えば、室温の
25℃)に降温したところで、冷却用ストッカ40に保
管された処理済みウエハWはポッドオープナ39の空の
ポッドPにウエハ移載装置30によって戻される。この
際、処理済みウエハWはポッドPに収納可能な温度に降
温されているため、ポッドPが樹脂によって製作されて
いる場合であっても、処理済みウエハWをポッドPに安
全に収納することができる。 【0040】所定枚数の処理済みウエハWが収納される
と、ポッドPはポッドオープナ39のキャップ着脱機構
39bによってキャップを装着された後に、載置台39
aから次の処理工程へ工程内搬送装置によって搬送され
て行く。このディスチャージング作業およびポッドPへ
の収納作業がボート19の全ての処理済みウエハWにつ
いて繰り返されて行く。 【0041】以降、前述した作用が繰り返されて、ウエ
ハWが例えば25枚、50枚、100枚、125枚、1
50枚ずつ、バッチ式CVD装置1によってバッチ処理
されて行く。 【0042】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。 【0043】1) 処理済みのウエハがプロセスチューブ
から搬出された待機室に窒素ガスを流通させることによ
り、高温になった処理済みのウエハをウエハ移載装置に
よって取扱い可能な温度まで強制的に一次冷却すること
ができるため、処理済みウエハのボートからの脱装まで
の時間を短縮することができる。 【0044】2) 冷却媒体としての窒素ガスを待機室へ
給気管および排気管によって強制的に流通させることに
より、新鮮な低温の窒素ガスを高温のウエハに常に接触
させることができるため、熱交換効率を高めることがで
き、窒素ガスの一次冷却によるウエハの降温時間をより
一層短縮することができる。 【0045】3) 一次冷却された処理済みウエハを冷却
用ストッカに装填して保管することにより、冷却用スト
ッカに保管された処理済みウエハを自然冷却によって二
次冷却することができるため、処理済みウエハをウエハ
移載装置による移載可能な温度からポッドへの収納可能
な温度まで効果的に降温させることができる。 【0046】4) 冷却用ストッカをクリーンエアユニッ
トに対向させることにより、冷却用ストッカに装填され
たウエハに新鮮な低温のクリーンエアを常に接触させる
ことができるため、ウエハをクリーンエアによって強制
的に冷却することができ、二次冷却時間をより一層短縮
することができる。 【0047】5) 冷却用ストッカの保管中における処理
済みウエハの二次冷却作用を次のバッチのウエハに対す
る装填作業および成膜作業と同時に進行させることによ
り、冷却待ち時間を吸収させることができるため、二次
冷却作用によるバッチ式CVD装置のスループットの低
下を防止することができる。 【0048】6) 冷却用ストッカとして使用済みのボー
トを転用することにより、バッチ式CVD装置の製造コ
ストの増加を抑制することができる。 【0049】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【0050】例えば、冷却用ストッカは使用済みのボー
トを転用して構成するに限らず、ステンレス等の材料を
使用して専用的に構成してもよい。 【0051】前記実施の形態ではバッチ式CVD装置の
場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板
処理装置全般に適用することができる。 【0052】 【発明の効果】以上説明したように、本発明にによれ
ば、処理室から搬出された処理済みの基板を処理室に隣
接した密閉室において一次冷却し、次いで、一次冷却し
た処理済みの基板を基板移載室内に設置された冷却用ス
トッカにおいて二次冷却することにより、処理済みウエ
ハを強制冷却することができるため、処理済みウエハの
冷却待ち時間を大幅に短縮することができ、基板処理装
置のスループットを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式CVD装
置を示す平面断面図である。 【図2】図1のII-II 線に沿う側面断面図である。 【図3】図1のIII-III 線に沿う背面断面図である。 【図4】ボートエレベータを示す拡大部分側面図であ
る。 【図5】(a)は図4のa−a線に沿う断面図、(b)
は図4のb−b線に沿う断面図、(c)は図4のc−c
線に沿う断面図、(d)は他の実施の形態であって
(b)に相当する断面図である。 【図6】ボート搬入ステップを示す側面断面図である。 【図7】その背面断面図である。 【符号の説明】 W…ウエハ(基板)、1…バッチ式CVD装置(基板処
理装置)、2…筐体、3…待機室(密閉室)、4…ロー
ドロックチャンバ、5…ウエハ搬入搬出口、6…ゲー
ト、7…保守点検口、8…ゲート、9…排気管、10…
給気管、11…ボート搬入搬出口、12…シャッタ、1
3…ヒータユニット、14…処理室、15…プロセスチ
ューブ、16…マニホールド、17…ガス導入管、18
…排気管、19…ボート、20…ボートエレベータ、2
1A、21B…上側取付板、22A、22B…下側取付
板、23…ガイドレール、24…送りねじ軸、25…移
動体(昇降台)、25a…ガイド孔、25b…雌ねじ
孔、25c…ガイド孔、26…モータ、27…アーム、
28…シールキャップ、29…ウエハ移載室(基板移載
室)、30…ウエハ移載装置、31…ロータリーアクチ
ュエータ、32…第一リニアアクチュエータ、33…第
二リニアアクチュエータ、34…移動台、35…ツィー
ザ、36…エレベータ、37…クリーンエアユニット、
38…ウエハ搬入搬出口、39…ポッドオープナ、39
a…載置台、39b…キャップ着脱機構、40…冷却用
ストッカ、41…第一ベローズ(第一中空伸縮体)、4
1a…分割体、42…第二ベローズ(第二中空伸縮
体)、42a…分割体、43…第一連通孔、44…第二
連通孔、45…変形防止板(変形防止部材)、46…ガ
イド孔、47…逃げ孔、48…ガイド孔、49…補助ガ
イドレール、50…収容部、51…空きスペース、52
…電気回路収納ボックス。
置を示す平面断面図である。 【図2】図1のII-II 線に沿う側面断面図である。 【図3】図1のIII-III 線に沿う背面断面図である。 【図4】ボートエレベータを示す拡大部分側面図であ
る。 【図5】(a)は図4のa−a線に沿う断面図、(b)
は図4のb−b線に沿う断面図、(c)は図4のc−c
線に沿う断面図、(d)は他の実施の形態であって
(b)に相当する断面図である。 【図6】ボート搬入ステップを示す側面断面図である。 【図7】その背面断面図である。 【符号の説明】 W…ウエハ(基板)、1…バッチ式CVD装置(基板処
理装置)、2…筐体、3…待機室(密閉室)、4…ロー
ドロックチャンバ、5…ウエハ搬入搬出口、6…ゲー
ト、7…保守点検口、8…ゲート、9…排気管、10…
給気管、11…ボート搬入搬出口、12…シャッタ、1
3…ヒータユニット、14…処理室、15…プロセスチ
ューブ、16…マニホールド、17…ガス導入管、18
…排気管、19…ボート、20…ボートエレベータ、2
1A、21B…上側取付板、22A、22B…下側取付
板、23…ガイドレール、24…送りねじ軸、25…移
動体(昇降台)、25a…ガイド孔、25b…雌ねじ
孔、25c…ガイド孔、26…モータ、27…アーム、
28…シールキャップ、29…ウエハ移載室(基板移載
室)、30…ウエハ移載装置、31…ロータリーアクチ
ュエータ、32…第一リニアアクチュエータ、33…第
二リニアアクチュエータ、34…移動台、35…ツィー
ザ、36…エレベータ、37…クリーンエアユニット、
38…ウエハ搬入搬出口、39…ポッドオープナ、39
a…載置台、39b…キャップ着脱機構、40…冷却用
ストッカ、41…第一ベローズ(第一中空伸縮体)、4
1a…分割体、42…第二ベローズ(第二中空伸縮
体)、42a…分割体、43…第一連通孔、44…第二
連通孔、45…変形防止板(変形防止部材)、46…ガ
イド孔、47…逃げ孔、48…ガイド孔、49…補助ガ
イドレール、50…収容部、51…空きスペース、52
…電気回路収納ボックス。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 4K030 CA04 CA12 GA02 GA12 KA04
KA26 LA15
5F031 CA02 DA17 FA01 FA03 FA11
FA12 FA15 GA49 GA50 MA06
MA28 NA02 NA10
5F045 AA06 BB08 DP19 EB02 EB08
EJ02 EM10 EN04 EN05
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 複数枚の基板を処理する処理室と、この
処理室に隣接した密閉室と、この密閉室に隣接した基板
移載室とを備えており、前記基板移載室内に処理後の前
記基板を冷却する冷却用ストッカが設けられていること
を特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001283348A JP2003092329A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001283348A JP2003092329A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003092329A true JP2003092329A (ja) | 2003-03-28 |
Family
ID=19106849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001283348A Pending JP2003092329A (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003092329A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006006377A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006041509A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-09 | Applied Materials Inc | 電子デバイス製造工具占有スペースを減少させる方法および装置 |
JP2008521261A (ja) * | 2004-11-22 | 2008-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バッチ処理チャンバを用いた基板処理装置 |
KR101317995B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2013-10-14 | 페로텍 (유에스에이) 코포레이션 | 물품 처리 방법 및 장치 |
JPWO2018167846A1 (ja) * | 2017-03-14 | 2019-11-21 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2021118201A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びパージ方法 |
-
2001
- 2001-09-18 JP JP2001283348A patent/JP2003092329A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101317995B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2013-10-14 | 페로텍 (유에스에이) 코포레이션 | 물품 처리 방법 및 장치 |
JP2006041509A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-09 | Applied Materials Inc | 電子デバイス製造工具占有スペースを減少させる方法および装置 |
JP4567541B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2010-10-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイス製造工具占有スペースを減少させる方法および装置 |
WO2006006377A1 (ja) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010283356A (ja) * | 2004-07-13 | 2010-12-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US9111972B2 (en) | 2004-07-13 | 2015-08-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and manufacturing method for a semiconductor device |
JP2008521261A (ja) * | 2004-11-22 | 2008-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バッチ処理チャンバを用いた基板処理装置 |
JPWO2018167846A1 (ja) * | 2017-03-14 | 2019-11-21 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US11018033B2 (en) | 2017-03-14 | 2021-05-25 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
JP2021118201A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びパージ方法 |
JP7345403B2 (ja) | 2020-01-22 | 2023-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びパージ方法 |
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