JP2010283356A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】メンテナンスに必要な寸法を減少し専有床面積を減少する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりするのに利用して有効なものに関する。
一般に、ＩＣの製造方法を実施する工場（以下、ＩＣの製造工場という。）においては、多数の基板処理装置をクリーンルームに並べて設置するために、基板処理装置の外形寸法（フットプリント）とりわけ基板処理装置の幅を可及的に小さく抑制することが、要求されている。
また、ＩＣの製造工場においては、複数の基板処理装置を横に隣接して設置することによりフットプリントを抑制するために、基板処理装置のメンテナンス（保守点検作業）は側方から施工しないように構成すること（サイドメンテナンスフリー化）が、要求されている。
一方、ＩＣの製造方法においては、自然酸化膜がウエハに形成すると、製品（ＩＣ）の品質や信頼性および製造歩留りを低下させる原因になる。
このため、従来のこの種の基板処理装置として、ロードロック方式（ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と搬入搬出室（予備室ないし待機室）とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式）の基板処理装置が、開発されている。
前述した要求に応ずる従来のロードロック方式の基板処理装置としては、次ような基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
処理室に対してゲートバルブによって隔離された搬入搬出室（以下、ロードロック室という。）と移載室とが筐体内に背面側から順に配設されており、ロードロック室の背面（後面）には保守用ドアバルブが設けられているとともに、ロードロック室の正面（前面）にはウエハ移載用のゲートバルブが設けられている。そして、ゲートバルブのバルブ開口部が人が通過可能な大きさに設定されており、全ての保守作業を正面または背面から実施することができるように工夫されている。
特開２０００−２６９２９９号公報
しかしながら、前記した基板処理装置においては、ロードロック室の正面側に設けられるゲートバルブが大きくなるために、ゲートバルブの駆動装置が大きくなるばかりでなく、摩擦やシールエリアの拡大に伴うパーティクルの発生を余儀なくされるという問題点、がある。
本発明の目的は、ゲートバルブの大形化を回避しつつメンテナンスに必要な寸法を減少しフットプリントを減少することができる基板処理装置を提供することにある。
前記課題を解決する手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、
前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）移載室内の幅方向一方側に配置された基板移載装置が基板を移載するとともに、前記基板移載装置よりも前記移載室内の前記幅方向他方側に配置されたクリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている開口部を開閉手段が閉じた状態で、前記クリーンユニットにより前記移載室の雰囲気を清浄するステップと、
前記移載室の背面に配置された待機室へ前記移載室から基板を移載し、前記待機室から、前記待機室の上方に配設された処理室に基板を搬入するステップと、
前記処理室を加熱し、前記処理室にガスを供給し、排気し、基板を処理するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記した手段によれば、ゲートバルブの大形化を回避しつつメンテナンスに必要な寸法を減少しフットプリントを減少することができる。
本発明の第一の実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。 側面断面図である。 図１のIII −III 線に沿う断面図である。 本発明の第二の実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハに絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成する工程に使用されるバッチ式縦型ホットウオール型減圧ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成されている。
本実施の形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置１０においては、ウエハ１を収容して搬送するキャリアとしてはＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）２が、使用されている。
なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、移載室２４側が前側、ロードロック室４１側が後側、ボートエレベータ６０側が右側およびシールキャップ６３側が左側とする。
図１および図２に示されているように、バッチ式ＣＶＤ装置１０は略直方体形状に構築された筐体１１を備えており、筐体１１は大気圧を維持可能な気密性能を有するように構成されている。
筐体１１の正面壁１２の下部には開口部としての正面メンテナンス口１３が人が通過可能な大きさに開設されており、正面壁１２の正面側には正面メンテナンス口１３の正面側を開閉する開閉手段としての第一正面メンテナンス扉１４ａおよび第二正面メンテナンス扉１４ｂがそれぞれ建て付けられている。
すなわち、第一正面メンテナンス扉１４ａの右側端辺は正面壁１２の正面側の右側端辺にヒンジ１５ａによって回動自在に支承されており、第二正面メンテナンス扉１４ｂの左側端辺は正面壁１２の正面側の左側端辺にヒンジ１５ｂによって回動自在に支承されている。第一正面メンテナンス扉１４ａはヒンジ１５ａを中心にして反時計回りに開かれるようになっており、第二正面メンテナンス扉１４ｂはヒンジ１５ｂを中心にして時計回りに開かれるようになっている（図１の想像線を参照）。
正面壁１２の中間高さにはポッド搬入搬出口１６が開設されており、正面壁１２のポッド搬入搬出口１６の手前にはポッドステージ１７が構築されている。図１に想像線で示されているように、ポッドステージ１７は時計回りに回動するようになっている。
なお、ポッドステージ１７にはポッド２がＲＧＶ等の工程内搬送装置によって供給および排出されるようになっている。
筐体１１の正面壁１２の後側にはポッド搬送装置１８が設置されており、ポッド搬送装置１８はリニアアクチュエータやエレベータおよびスカラ形ロボット等によって構成されている。
ポッド搬送装置１８は筐体１１の前側空間において左側に偏らされて配置されている。このようにポッド搬送装置１８が左側に偏って配置されることにより、筐体１１の前側空間の右部分にはメンテナンス通路１９が形成されている。
ポッド搬送装置１８はポッドステージ１７と回転式ポッド棚２０とポッドオープナ３０の載置台３１との間でポッド２を搬送するように構成されている。
図２に示されているように、回転式ポッド棚２０は筐体１１内のポッド搬送装置１８の後側上部に配置されており、複数台のポッド２を一時的に保管し得るように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚２０は回転する支柱２１と、複数台のポッド２を保持する複数枚の棚板２２とを備えており、複数枚の棚板２２が支柱２１に複数段に配置されて水平に固定されている。
筐体１１内の回転式ポッド棚２０の下側には移載室筐体２３が構築されており、回転式ポッド棚２０は移載室筐体２３の天井壁２３ａの上に垂直に立設されている。移載室筐体２３はポッド搬送装置１８や回転式ポッド棚２０の設置空間から流体的に隔絶された移載室２４を構成している。
移載室２４にはウエハ１を移載するウエハ移載装置２５が水平に設置されている。ウエハ移載装置２５はスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm 。ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、ウエハ１をツィーザ２５ａによって下から掬いとって三次元方向に搬送するように構成されている。
移載室筐体２３の正面壁２３ｂには上下で一対のウエハ搬入搬出口２６、２６と移載室メンテナンス口２７とが、左右に隣り合わせに配置されてそれぞれ開設されている。正面壁２３ｂは移載室メンテナンス口２７の部分において右端が奥に行くように屈曲されている。
上下のウエハ搬入搬出口２６、２６は左側に偏って配置されており、上下のウエハ搬入搬出口２６、２６はウエハ１を移載室２４に対して搬入搬出し得るように構成されている。移載室メンテナンス口２７は偏りの反対側である右側部分に配置されており、移載室メンテナンス口２７は人が通過可能な大きさに開設されている。移載室メンテナンス口２７はメンテナンス通路１９に連絡するようになっている。
正面壁２３ｂには移載室メンテナンス口２７を開閉する開閉手段としての移載室メンテナンス扉２８が建て付けられている。すなわち、移載室メンテナンス扉２８の右側端辺は正面壁２３ｂの右側端辺にヒンジ２９によって回動自在に支承されており、移載室メンテナンス扉２８はヒンジ２９を中心にして反時計回りに開かれるようになっている（図１の想像線を参照）。
また、移載室メンテナンス扉２８を閉じた際は、充分な気密性を有しており、メンテナンス通路１９側と移載室２４とは充分に隔離されるようになっている。
移載室筐体２３の正面壁２３ｂの上下のウエハ搬入搬出口２６、２６には、上下で一対のポッドオープナ３０、３０が設置されている。
ポッドオープナ３０はウエハ搬入搬出口２６の正面側の下端辺に水平に突設されてポッド２を載置する載置台３１と、載置台３１に載置されたポッド２のキャップを着脱するキャップ着脱機構３２とを備えており、載置台３１に載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構３２によって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
図１に示されているように、移載室２４のウエハ移載装置２５側と反対側である右側端部には、クリーンエア３３を吹き出すクリーンユニット３４が設置されており、ウエハ移載装置２５とクリーンユニット３４との間には、基板整合装置としてのノッチ合わせ装置３５が設置されている。
クリーンユニット３４から吹き出されたクリーンエア３３は、ノッチ合わせ装置３５およびウエハ移載装置２５を流通した後に、筐体１１の右後隅に設置された排気装置３６によって吸い込まれて、筐体１１の外部に排気されるようになっている。
なお、クリーンユニット３４から吹き出された後に、図示しない窒素ガス供給手段により窒素ガスを供給させつつ、ノッチ合わせ装置３５およびウエハ移載装置２５を流通した後に、図示しないウエハ移載装置２５の左側のダクトにより吸い込ませて、筐体１１の外気に排気させるようにしてもよい。
筐体１１内の移載室２４の後側には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な気密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）４０が設置されており、この耐圧筐体４０によりボートを収納可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室４１が形成されている。
耐圧筐体４０の正面壁にはウエハ搬入搬出口４２が開設されており、ウエハ搬入搬出口４２はゲートバルブ４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体４０の一対の側壁にはロードロック室４１へ窒素（Ｎ2 ）ガスを給気するためのガス供給管４４と、ロードロック室４１を負圧に排気するための排気管４５とがそれぞれ接続されている。
図２および図３に示されているように、ロードロック室４１の天井壁にはボート搬入搬出口４６が開設されており、ボート搬入搬出口４６はボート搬入搬出口４６よりも大径の円板形状に形成された炉口ゲートバルブ４７により開閉されるように構成されている。
耐圧筐体４０の前面壁における上端部には炉口ゲートバルブ出入り口４８が、炉口ゲートバルブ４７の直径および厚さよりも大きめの横長の長方形に開設されており、耐圧筐体４０の前面壁の外側には炉口ゲートバルブ４７をボート搬入搬出口４６の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー４９が炉口ゲートバルブ出入り口４８を閉塞するように取り付けられている。
炉口ゲートバルブカバー４９は、厚さおよび横幅が炉口ゲートバルブ出入り口４８の高さおよび間口よりも大きい容積を有する半円形であって、半円形の弦に相当する側壁が開口した筐体形状に形成されている。炉口ゲートバルブカバー４９の開口した側壁の右端は炉口ゲートバルブ出入り口４８の一端に設置されたヒンジ（図示せず）によって水平面内で回動するように支承されている。
炉口ゲートバルブカバー４９は通常の炉口ゲートバルブ出入り口４８の閉鎖時には、シールリングを介して耐圧筐体４０の前面に当接された状態で締結具によって締結されており、耐圧筐体４０の前面から前方に迫り出した状態になっている。
耐圧筐体４０の上方にはヒータユニット設置筐体５０が構築されており、ヒータユニット設置筐体５０のヒータユニット設置室５１には、処理室５３を加熱するヒータユニット５２が垂直方向に設置されている。
図３に示されているように、ヒータユニット５２の内部には処理室５３を形成するプロセスチューブ５４が設置されている。
プロセスチューブ５４は石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されたアウタチューブ５５と、石英または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて上下両端が開口した円筒形状に形成されたインナチューブ５６とを備えており、アウタチューブ５５がインナチューブ５６に同心円に被せられている。
アウタチューブ５５とインナチューブ５６との間には環状の排気路５７が両者の間隙によって形成されている。プロセスチューブ５４は耐圧筐体４０の天井壁の上にマニホールド５８を介して支持されており、マニホールド５８はボート搬入搬出口４６に同心円に配置されている。
図２に示されているように、マニホールド５８にはプロセスチューブ５４の内部を排気するための排気管５９が接続されている。
なお、図示は省略するが、バッチ式ＣＶＤ装置１０は処理室５３に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管と、プロセスチューブ５４の内部の温度を測定してヒータユニット５２をフィードバック制御する熱電対とを備えている。
図１および図３に示されているように、耐圧筐体４０にはボートを昇降させるためのボートエレベータ６０が設置されており、ボートエレベータ６０は送りねじ装置やベローズ等によって構成されている。
ボートエレベータ６０の昇降台６１の側面にはアーム６２が水平に突設されており、アーム６２の先端にはシールキャップ６３が水平に据え付けられている。
シールキャップ６３はプロセスチューブ５４の炉口になる耐圧筐体４０のボート搬入搬出口４６を気密シールするように構成されている。
シールキャップ６３の上には基板保持具としてのボート６４が垂直に支持されている。ボート６４は複数枚（例えば、２５枚、５０枚、１００枚、１２５枚、１５０枚）のウエハ１をその中心を揃えて水平に支持した状態で、ボートエレベータ６０によるシールキャップ６３の昇降に伴ってプロセスチューブ５４の処理室５３に対して搬入搬出するように構成されている。
また、ボート６４はシールキャップ６３に設置されたロータリーアクチュエータ６５によって回転されるように構成されている。
図１に示されているように、ボート６４に保持されたウエハ１の中心とポッドオープナ３０の載置台３１に載置されたポッド２のウエハ１の中心とを結ぶ線分は、筐体１１の幅方向の中心線に対して幅方向の左方側に偏るように、ボート６４およびポッドオープナ３０の載置台３１は配設されている。
また、ウエハ移載装置２５の水平方向の回転中心は、ボート６４の上のウエハ１の中心とポッドオープナ３０の上のポッド２のウエハ１の中心とを結ぶ線分の上に配置されている。
耐圧筐体４０の背面壁にはロードロック室メンテナンス口６６が縦長の長方形に大きく開設されており、背面壁の外面にはロードロック室メンテナンス口６６を閉塞するメンテナンス扉６７が取り付けられている。
メンテナンス扉６７はロードロック室メンテナンス口６６を負圧を維持して閉塞することができるように構成されている。
筐体１１の背面壁には背面メンテナンス口６８が縦長の長方形に大きく開設されており、背面壁の外面には背面メンテナンス口６８を閉塞する背面メンテナンス扉６９が取り付けられている。
移載室筐体２３の天井壁２３ａにおける炉口ゲートバルブカバー４９の前方には、炉口ゲートバルブカバー４９をメンテナンスするための開口部としてのメンテナンス口７０が開設されており、天井壁２３ａにはメンテナンス口７０を開閉可能な開閉手段としてのメンテナンス扉７１が取り付けられている。
以下、前記構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。
なお、本実施の形態においては、一台のポッド２に収納された２５枚以内のプロダクトウエハ１をバッチ処理（一括処理）する場合について説明する。
成膜すべきウエハ１は２５枚以内がポッド２に収納された状態で、バッチ式ＣＶＤ装置１０のポッドステージ１７へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。
搬送されて来たポッド２はポッドステージ１７から回転式ポッド棚２０の指定された場所にポッド搬送装置１８によって搬送されて保管される。
ウエハ１が収納されたポッド２は、ポッドオープナ３０の載置台３１の上へポッド搬送装置１８によって搬送されて載置される。載置されたポッド２の内外へウエハ１が出し入れされるウエハ出し入れ口を蓋するキャップが、ポッドオープナ３０のキャップ着脱機構３２によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口が開放される。
ポッド２がポッドオープナ３０によって開放されると、ロードロック室４１のウエハ搬入搬出口４２がゲートバルブ４３によって開放される。このとき、ロードロック室４１は窒素ガスが充満された所謂窒素ガスパージ雰囲気に維持されており、圧力が略大気圧に維持されている。
ポッド２がポッドオープナ３０により開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置２５によってウエハ搬入搬出口２６を通じてピックアップされ、移載室２４に搬入される。
移載室２４に搬入されたウエハ１はノッチ合わせ装置３５に載置され、ウエハ１のノッチをノッチ合わせ装置３５にて合わせた後に再びウエハ移載装置２５によりピックアップされ、ウエハ搬入搬出口４２を通じてロードロック室４１に搬入され、ボート６４へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。
この移載作業が繰り返されることにより、ポッド２の全てのウエハ１がボート６４にウエハ移載装置２５によって装填される。
空になったポッド２はポッドオープナ３０の載置台３１から回転式ポッド棚２０にポッド搬送装置１８によって一時的に戻される。
ウエハ搬入搬出口４２がゲートバルブ４３によって閉じられると、ロードロック室４１は排気管４５によって真空引きされることにより、減圧される。この際、ロードロック室４１は移載室２４から隔絶されているので、減圧時間は短くて済む。
ロードロック室４１が所定の負圧に減圧されると、ボート搬入搬出口４６が炉口ゲートバルブ４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ４７は炉口ゲートバルブ出入り口４８から炉口ゲートバルブカバー４９の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ６３がボートエレベータ６０の昇降台６１によって上昇されて、シールキャップ６３に支持されたボート６４がプロセスチューブ５４の処理室５３に搬入（ボートローディング）される。
ボート６４が上限に達すると、ボート６４を支持したシールキャップ６３の上面の周辺部がボート搬入搬出口４６をシール状態に閉塞するため、処理室５３は気密に閉じられた状態になる。
ボート６４の処理室５３への搬入に際して、ロードロック室４１は負圧に維持されているため、ボート６４の処理室５３への搬入に伴って外部の酸素や水分が処理室５３に侵入することは確実に防止される。
その後、プロセスチューブ５４の処理室５３は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管５９によって排気され、ヒータユニット５２によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管によって所定の流量だけ供給される。
これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。
ウエハ１に対する成膜ステップについて設定された処理時間が経過すると、処理室５３は窒素ガスによって置換された後に、ボート６４がボートエレベータ６０によって下降されることにより、処理済みウエハ１を保持したボート６４がロードロック室４１に搬出（ボートアンローディング）される。
ボート６４がロードロック室４１に排出されると、ボート搬入搬出口４６が炉口ゲートバルブ４７によって閉鎖され、ロードロック室４１が窒素ガスパージされる。
他方、空のポッド２が回転式ポッド棚２０からポッドオープナ３０の載置台３１にポッド搬送装置１８によって搬送されて移載される。
ロードロック室４１が窒素ガスパージ雰囲気の圧力が略大気圧に維持されると、ウエハ搬入搬出口４２がゲートバルブ４３によって開放される。また、ポッドオープナ３０の載置台３１の上の空のポッド２のキャップがキャップ着脱機構３２によって開放される。
続いて、搬出されたボート６４の処理済みウエハ１がウエハ移載装置２５によって脱装（ディスチャージング）されて、大気圧に維持された移載室２４に搬入される。搬入された処理済みのウエハ１は、ポッドオープナ３０の空のポッド２にウエハ移載装置２５によって収納される。
ボート６４の処理済みウエハ１がポッド２に全て収納されると、ポッド２はポッドオープナ３０のキャップ着脱機構３２によってキャップを装着された後に、載置台３１から回転式ポッド棚２０にポッド搬送装置１８によって搬送される。
その後に、処理済みウエハ１を収納したポッド２は回転式ポッド棚２０からポッドステージ１７に搬送され、ポッドステージ１７から次の処理工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
以降、前述した作用が繰り返されて、ウエハ１が２５枚ずつ、バッチ式ＣＶＤ装置１０によってバッチ処理されて行く。
ところで、例えば、ウエハ移載装置２５のセラミック製のツィーザ２５ａが破損した場合には、ツィーザ２５ａを交換する必要がある。
このように移載室２４におけるメンテナンスを実施する場合には、図１に想像線で示されているように、まず、第一正面メンテナンス扉１４ａがヒンジ１５ａを中心にして前方に水平に回動されることにより、正面メンテナンス口１３の右側が開放される。
次に、図１に想像線で示されているように、移載室メンテナンス扉２８がヒンジ２９を中心に前方に回動されることにより、移載室メンテナンス口２７が開かれる。
その後に、移載室２４のウエハ移載装置２５のツィーザ２５ａの交換作業が、正面メンテナンス口１３、メンテナンス通路１９および移載室メンテナンス口２７を通じて実施される。
炉口ゲートバルブカバー４９のメンテナンスは、正面メンテナンス口１３、メンテナンス通路１９、炉口ゲートバルブカバー用のメンテナンス口７０を通じて実施される。
ボート６４やプロセスチューブ５４のフルクリーニング（ウエットエッチングによる洗浄）等を実施する場合には、まず、筐体１１の背面壁の背面メンテナンス口６８がメンテナンス扉６９によって開放される。
続いて、耐圧筐体４０の背面壁のロードロック室メンテナンス口６６がメンテナンス扉６７によって開放される。
その後に、ボート６４やプロセスチューブ５４の交換作業がロードロック室メンテナンス口６６および６８を通じて実施される。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) 移載室の正面壁に移載室メンテナンス口を開設するとともに、移載室メンテナンス口を開閉するメンテナンス扉を配設することにより、移載室内のメンテナンス作業を移載室メンテナンス口を通じて実施することができるので、メンテナンス扉が移載室の側面に設置された場合に移載室の側方に必要であるメンテナンスエリアと、作業者が出入りするための通路部分とを省略することができる。その結果、バッチ式ＣＶＤ装置のフットプリントを減少させることができる。
2) ボートに保持されたウエハの中心とポッドオープナに載置されたポッドのウエハの中心とを結ぶ線分を筐体の幅方向の中心線に対して幅方向の一方側（左側）に偏らせ、移載室の正面壁の反対側（右側）にメンテナンス扉によって開閉される移載室メンテナンス口を配設することにより、ロードロック室と移載室とポッドオープナとが筐体内に背面側から順に配設されたバッチ式ＣＶＤ装置であっても、無駄にフットプリントを増やすことなく、かつ、移載室に内部に設置されたウエハ移載装置やノッチ合わせ装置等をロードロック室を通らずにメンテナンスすることができるので、それらのメンテナンス作業を容易に実施することができる。
3) また、移載室をメンテナンスする際にロードロック室を外気にさらす必要がないため、その際にロードロック室内が汚染するのを防止することができる。さらに、ロードロック室を通路とする必要がないため、ロードロック室のサイズを小さくすることができ、減圧および窒素ガス置換における時間を短縮することができる。
4) 筐体の正面壁を開閉するように構成することにより、ポッド搬送装置やポッドオープナ等のメンテナンスを容易に実施することができるとともに、その奥に設けられた移載室メンテナンス口へのアクセス通路を確保することができる。
5) 正面メンテナンス扉を幅方向に二つに分け、片側をポッドステージと略同じ幅とし、他方側をメンテナンス通路と略同じ幅に設定することにより、移載室や炉口ゲートバルブ等のメンテナンスをする際に、他方側のみを開くだけでメンテナンスすることができるので、作業効率を向上させることができる。
6) 移載室にクリーンユニットとノッチ合わせ装置とウエハ移載装置とをクリーンエアの流れ方向に順に配設することにより、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置をクリーンエアによって効果的にクリーニングすることができるので、ウエハおよびバッチ式ＣＶＤ装置の清浄度を向上させることができる。すなわち、ノッチ合わせ装置とウエハ移載装置とを比較したとき、ウエハ移載装置の方が遥かに大きく動作するため、パーティクルを発生し巻き上げることが多く、それ故、ウエハ移載装置をクリーンユニットから見て下流側とすることにより、クリーンエアによって効果的にクリーニングすることができる。
7) 移載室メンテナンス口および移載室メンテナンス扉を水平方向から見てクリーンユニット側に近くなるに従って移載室の空間を漸次小さくするように配置することにより、クリーニングするスペース（容積）を小さく抑制することができるとともに、クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアの淀みの発生等を防止してクリーンエアを移載室全体に拡散することができるので、クリーンエアのクリーニング効果を向上させることができる。
8) クリーンユニットの近傍に移載室メンテナンス口を配設することにより、クリーンユニットのメンテナンス作業を簡単に実施することができる。
9) 処理室を開閉する炉口ゲートバルブを囲う炉口ゲートバルブカバーを移載室の上に突設するとともに、移載室の上方に炉口ゲートバルブカバーをメンテナンスするためのメンテナンス口およびメンテナンス扉を配設することにより、炉口ゲートバルブカバーおよび炉口ゲートバルブのメンテナンス作業を移載室やロードロック室を通らずに実施することができる。
図４は本発明の他の実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、ポッドオープナ３０上のウエハ１の中心とウエハ移載装置２５上のウエハの中心とボート６４上のウエハ１の中心とを通る線分が、筐体１１の幅方向の中心線に対して右側に偏っており、移載室メンテナンス口２７Ａおよび移載室メンテナンス扉２８Ａが移載室２４の背面壁の左端部において外部に面して配設されている点、である。
本実施の形態においても、移載室２４へは移載室メンテナンス口２７Ａを通じて直接的にアクセスすることができるので、前記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、開口部としてのメンテナンス口を開閉する開閉手段は、扉構造に構成するに限らず、カバー等の構造に構成してもよい。
ポッドオープナの設置箇所と移載室メンテナンス口の開設箇所とは、図１に示すように同じ面とするのみならず、上下にずらしてもよい。
ボートが待機する待機室はロードロック室に構成するに限らず、大気圧を維持可能な気密室に構成してもよい。
なお、移載室内に設置されているノッチ合わせ装置やウエハ移載装置、耐圧筐体のウエハ搬入搬出口を開閉するゲートバルブ等は、取り付け取り外し可能となっており、これらは変換や移載室外でメンテナンスする際には、ノッチ合わせ装置やウエハ移載装置およびゲートバルブ等を取り外して、移載室メンテナンス口から移載室外へ持ち出すことができるような移載室メンテナンス口および移載室メンテナンス扉のサイズとするとより、メンテナンス作業が有効にし易くなる。
前記実施の形態ではバッチ式ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。
本発明の好ましい態様を付記する。
（１）ロードロック室と移載室とが筐体内に背面側から順に配設されており、前記移載室の背面側であって前記ロードロック室の配設されない箇所には、開口部とこの開口部を開閉する開閉手段とが配設されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記開口部は前記移載室内をメンテナンスするために設けられていることを特徴とする（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記開口部は人が通過可能な大きさに設定されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記開閉手段は前記筐体外と面していることを特徴とする（１）、（２）または（３）に記載の基板処理装置。
（５）ロードロック室と、基板を移載する基板移載装置が設置された移載室とが筐体内に背面側から順に配設されており、前記移載室の背面側であって前記ロードロック室の配設されない箇所には、前記基板移載装置をメンテナンスするための開口部と、この開口部を開閉する開閉手段が配設されていることを特徴とする基板処理装置。
（６）基板を基板保持具に保持しつつ待機させる待機室と、移載室と、前記基板を収容するキャリアを載置するキャリア載置手段とが筐体内に背面側から順に配設されており、前記基板保持具に保持された前記基板の中心と、前記キャリア載置手段に載置された前記キャリアの前記基板の中心を結ぶ線分とが、前記筐体の幅方向の中心線に対して幅方向の一方側に偏っており、偏っていない他方側の前記移載室の正面側または背面側には、開口部とこの開口部を開閉する開閉手段が配設されていることを特徴とする基板処理装置。
（７）前記移載室内の前記一方側には前記基板を移載する基板移載装置が配置され、前記他方側には前記基板を整合する基板整合装置が配置されていることを特徴とする（６）に記載の基板処理装置。
（８）前記基板移載装置の水平方向の回転中心は、前記線分上に配置されていることを特徴とする（６）または（７）に記載の基板処理装置。
（９）前記開口部は前記移載室内をメンテナンスするために設けられていることを特徴とする（６）に記載の基板処理装置。
（１０）前記開口部は前記基板移載装置および前記基板整合装置をメンテナンスするために設けられていることを特徴とする（６）ないし（９）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１１）前記開口部は人が通過可能な大きさに設定されていることを特徴とする（６）ないし（１０）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１２）前記待機室はロードロック室であることを特徴とする（６）ないし（１１）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１３）待機室と移載室とが筐体内に背面側から順に配設されており、前記移載室には前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットと、基板を整合する基板整合装置と、前記基板を移載する基板移載装置とが、前記クリーンユニットから吹き出される雰囲気の流れ方向に順に配設されていることを特徴とする基板処理装置。
（１４）前記移載室の正面または背面の前記クリーンユニットの近傍には、開口部とこの開口部を開閉する開閉手段とが配設されていることを特徴とする（１３）に記載の基板処理装置。
（１５）前記開口部は前記移載室内をメンテナンスするために設けられていることを特徴とする（１３）または（１４）に記載の基板処理装置。
（１６）前記開口部は前記基板移載装置および前記基板整合装置をメンテナンスするために設けられていることを特徴とする（１３）ないし（１５）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１７）前記開口部は人が通過可能な大きさに設定されていることを特徴とする（１３）ないし（１６）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１８）前記待機室はロードロック室であることを特徴とする（１３）ないし（１７）のいずれかに記載の基板処理装置。
（１９）前記ロードロック室の上方には前記基板を処理する処理室が配置されていることを特徴とする（１）ないし（５）、（１２）のいずれかに記載の基板処理装置。
（２０）前記待機室の上方には前記基板を処理する処理室が配置されていることを特徴とする（６）ないし（１１）、（１３）〜（１７）のいずれかに記載の基板処理装置。
（２１）前記処理室よりも正面側には前記処理室を開閉する炉口ゲートバルブを囲う炉口ゲートバルブカバーが突設されており、前記移載室の上方には前記炉口ゲートバルブカバーをメンテナンスするための開口部と、この開口部を開閉可能な開閉手段とが設けられていることを特徴とする（１９）または（２０）に記載の基板処理装置。
（２２）前記開口部および開閉手段は水平方向から見て前記クリーンユニット側に近くなるに従って前記移載室の空間を漸次小さくするように配置されていることを特徴とする（１）ないし（２１）のいずれかに記載の基板処理装置。
（２３）ロードロック室と移載室とが筐体内に背面側から順に配設されているとともに、前記ロードロック室の上方に配設され基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータユニットと、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管とを備えており、前記移載室の背面側であって前記ロードロック室の配設されない箇所には、開口部とこの開口部を開閉する開閉手段が配設されていることを特徴とする基板処理装置。
（２４）ロードロック室と移載室とが筐体内に背面側から順に配設されているとともに、前記ロードロック室の上方に配設され基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱するヒータユニットと、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管とを備えており、前記移載室の背面側であって前記ロードロック室の配設されない箇所には、開口部とこの開口部を開閉する開閉手段が配設されている基板処理装置を用いて前記基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記ヒータユニットによって前記処理室を加熱するステップと、
前記処理室に前記ガス供給管から前記ガスを供給するステップと、
前記基板を処理するステップと、
前記処理室を排気管によって排気するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２５）ロードロック室と移載室とが筐体内に背面側から順に配設されており、前記ロードロック室が前記筐体の幅方向の中心線に対して幅方向の一方側に偏っており、この一方側と反対側の他方側の前記移載室の背面側には開口部と、この開口部を開閉する開閉手段とが配設されていることを特徴とする基板処理装置。
（２６）前記ロードロック室の背面側には前記開口部と、この開口部を開閉する開閉手段とが配設されていることを特徴とする（２５）に記載の基板処理装置。
１…ウエハ（基板）、２…ポッド（キャリア）、１０…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面壁、１３…正面メンテナンス口、１４ａ、１４ｂ…正面メンテナンス扉、１５ａ、１５ｂ…ヒンジ、１６…ポッド搬入搬出口、１７…ポッドステージ、１８…ポッド搬送装置、１９…メンテナンス通路、２０…回転式ポッド棚、２１…支柱、２２…棚板、２３…移載室筐体、２３ａ…天井壁、２３ｂ…正面壁、２４…移載室、２５…ウエハ移載装置、２５ａ…ツィーザ、２６…ウエハ搬入搬出口、２７、２７Ａ…移載室メンテナンス口（開口部）、２８、２８Ａ…移載室メンテナンス扉（開閉手段）、２９…ヒンジ、３０…ポッドオープナ、３１…載置台、３２…キャップ着脱機構、３３…クリーンエア、３４…クリーンユニット、３５…ノッチ合わせ装置（基板整合装置）、３６…排気装置、４０…耐圧筐体、４１…ロードロック室、４２…ウエハ搬入搬出口、４３…ゲートバルブ、４４…ガス供給管、４５…排気管、４６…ボート搬入搬出口、４７…炉口ゲートバルブ、４８…炉口ゲートバルブ出入り口、４９…炉口ゲートバルブカバー、５０…ヒータユニット設置筐体、５１…ヒータユニット設置室、５２…ヒータユニット、５３…処理室、５４…プロセスチューブ、５５…アウタチューブ、５６…インナチューブ、５７…排気路、５８…マニホールド、５９…排気管、６０…ボートエレベータ、６１…昇降台、６２…アーム、６３…シールキャップ、６４…ボート（基板保持具）、６５…ロータリーアクチュエータ、６６…ロードロック室メンテナンス口（開口部）、６７…メンテナンス扉（開閉手段）、６８…背面メンテナンス口（開口部）、６９…背面メンテナンス扉（開閉手段）、７０…炉口ゲートバルブカバーメンテナンス口（開口部）、７１…メンテナンス扉（開閉手段）。

Claims (3)

  1. 基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、
    前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記移載室、前記待機室および前記処理室は、筐体内に備えられており、
    前記基板移載装置は、該移載室内における前記筐体の幅方向の中心線に対して該幅方向一方側に偏って配設され、
    前記開口部、前記開閉手段および前記クリーンユニットは、該移載室における前記中心線に対して前記幅方向他方側に偏って配設されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 移載室内の幅方向一方側に配置された基板移載装置が基板を移載するとともに、前記基板移載装置よりも前記移載室内の前記幅方向他方側に配置されたクリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている開口部を開閉手段が閉じた状態で、前記クリーンユニットにより前記移載室の雰囲気を清浄するステップと、
    前記移載室の背面に配置された待機室へ前記移載室から基板を移載し、前記待機室から、前記待機室の上方に配設された処理室に基板を搬入するステップと、
    前記処理室を加熱し、前記処理室にガスを供給し、排気し、基板を処理するステップと、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012169534A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20180054788A (ko) 2016-06-30 2018-05-24 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP2020043361A (ja) * 2016-06-30 2020-03-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4606388B2 (ja) 2006-06-12 2011-01-05 川崎重工業株式会社 基板移載装置の搬送系ユニット
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8895943B2 (en) * 2010-12-14 2014-11-25 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system and method of processing substrates in such a lithography system
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8888434B2 (en) 2011-09-05 2014-11-18 Dynamic Micro System Container storage add-on for bare workpiece stocker
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9997384B2 (en) * 2011-12-01 2018-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for transporting wafers between wafer holders and chambers
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
KR20150060086A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 주식회사 테라세미콘 클러스터형 배치식 기판처리 시스템
US9287151B2 (en) * 2014-01-10 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Systems and method for transferring a semiconductor substrate
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
CN107851597B (zh) * 2015-08-04 2021-10-01 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) * 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
JP7442349B2 (ja) * 2020-03-09 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよびロードロックモジュール
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
JP2023159478A (ja) * 2020-09-25 2023-11-01 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269299A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JP2001291673A (ja) * 2000-04-11 2001-10-19 Koyo Thermo System Kk 半導体ウェハの熱処理装置
JP2002203892A (ja) * 2000-09-27 2002-07-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2003092329A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003203961A (ja) * 2002-01-04 2003-07-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277579A (en) * 1991-03-15 1994-01-11 Tokyo Electron Sagami Limited Wafers transferring method in vertical type heat treatment apparatus and the vertical type heat treatment apparatus provided with a wafers transferring system
JP3118681B2 (ja) * 1993-10-29 2000-12-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3543996B2 (ja) * 1994-04-22 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3150620B2 (ja) * 1995-08-05 2001-03-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP3192988B2 (ja) * 1997-02-28 2001-07-30 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP2002246445A (ja) * 2001-02-16 2002-08-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003007800A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003077974A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4369159B2 (ja) * 2003-05-26 2009-11-18 株式会社日立製作所 真空処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269299A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JP2001291673A (ja) * 2000-04-11 2001-10-19 Koyo Thermo System Kk 半導体ウェハの熱処理装置
JP2002203892A (ja) * 2000-09-27 2002-07-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2003092329A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003203961A (ja) * 2002-01-04 2003-07-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012169534A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20180054788A (ko) 2016-06-30 2018-05-24 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20180107305A (ko) 2016-06-30 2018-10-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20180107301A (ko) 2016-06-30 2018-10-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20180107306A (ko) 2016-06-30 2018-10-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20180107303A (ko) 2016-06-30 2018-10-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20180107304A (ko) 2016-06-30 2018-10-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20190045410A (ko) 2016-06-30 2019-05-02 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP2020043361A (ja) * 2016-06-30 2020-03-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US10636681B2 (en) 2016-06-30 2020-04-28 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US11062918B2 (en) 2016-06-30 2021-07-13 Kokusai Electric Corpotation Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR20220078725A (ko) 2016-06-30 2022-06-10 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US11456190B2 (en) 2016-06-30 2022-09-27 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR20240017095A (ko) 2016-06-30 2024-02-06 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP7429747B2 (ja) 2019-11-28 2024-02-08 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

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