TW202114026A - 基板處理裝置和半導體裝置的製造方法 - Google Patents

基板處理裝置和半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202114026A
TW202114026A TW109119427A TW109119427A TW202114026A TW 202114026 A TW202114026 A TW 202114026A TW 109119427 A TW109119427 A TW 109119427A TW 109119427 A TW109119427 A TW 109119427A TW 202114026 A TW202114026 A TW 202114026A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
purification unit
wafer boat
wafer
chamber
loading chamber
Prior art date
Application number
TW109119427A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI752520B (zh
Inventor
廣谷博史
高田暢人
Original Assignee
日商國際電氣股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商國際電氣股份有限公司 filed Critical 日商國際電氣股份有限公司
Publication of TW202114026A publication Critical patent/TW202114026A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI752520B publication Critical patent/TWI752520B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明提供一種基板處理裝置、半導體裝置的製造方法，抑制微小顆粒的產生並提高生產率。基板處理裝置具備：裝填室，其與對基板進行處理的處理室連通，且能夠收納兩個以上的保持多個基板的晶舟；升降機，其使前述晶舟在前述處理室與前述裝填室之間出入；晶舟交換裝置，其構成為能夠使從前述處理室取出的搭載於前述升降機的狀態的晶舟向第一待機區域及第二待機區域移動；第一淨化單元，其與前述裝填室內的對搭載於前述升降機的狀態的前述晶舟進行保持的卸載區域相面對，並向第一方向輸送淨化空氣；第二淨化單元，其與前述第一待機區域相面對，並向第二方向輸送淨化空氣；以及第三淨化單元，其與前述第二待機區域相面對，並向第三方向輸送淨化空氣，前述第一淨化單元、前述第二淨化單元、前述第三淨化單元構成為能夠各自獨立地控制風量，在前述裝填室內的配置前述晶舟交換裝置的高度形成預定的氣流。

Description

基板處理裝置和半導體裝置的製造方法
本公開涉及對矽晶圓等基板進行薄膜的生成、氧化、擴散、CVD、退火等熱處理的基板處理裝置和半導體裝置的製造方法。
半導體裝置的製造工藝中，可以採用立式基板處理裝置作為用於在基板(以下稱為晶圓)上形成氧化膜、金屬膜的裝置。另外，有一種雙晶舟式的基板處理裝置，其為了提高生產率而使用兩個保持晶圓的晶舟，並使兩個晶舟交替地相對於處理室搬入搬出。 為了使處理完的晶圓冷卻或者為了除去微小顆粒而在基板處理裝置中設有噴出淨化空氣的淨化空氣單元。但是，在雙晶舟式的基板處理裝置的情況下，需要設置用於交換晶舟的晶舟交換裝置，因此為了避免淨化單元和設置於淨化單元背面的風扇單元與晶舟交換裝置發生干涉而有可能使形狀受到限制。 因此，有可能難以確保淨化空氣的風量，在基板處理裝置的下部、晶舟交換裝置的周邊、晶舟交換裝置的晶圓冷卻位置等發生淨化空氣的滯留，無法充分地除去微小顆粒。此外，當在使晶舟升降的晶舟升降機附近無法可靠地形成淨化空氣流時，則晶圓無法均勻地冷卻，有可能導致生產率降低，因產生微小顆粒而導致品質降低。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本特開2015-167240號公報 專利文獻2：日本特開2012-94805號公報 專利文獻3：日本特開2008-141176號公報 專利文獻4：日本特開2002-175999號公報
[發明所欲解決之問題] 本公開提供一種能夠抑制微小顆粒的產生並提高生產率的結構。 [解決問題之技術手段] 本公開的一方案提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置具備：裝填室，其與對基板進行處理的處理室連通，且能夠收納兩個以上的保持多個基板的晶舟；升降機，其使前述晶舟在前述處理室與前述裝填室之間出入；晶舟交換裝置，其構成為能夠使從前述處理室取出的搭載於前述升降機的狀態的晶舟向第一待機區域及第二待機區域移動；第一淨化單元，其與前述裝填室內的對搭載於前述升降機的狀態的前述晶舟進行保持的卸載區域相面對，並向第一方向輸送淨化空氣；第二淨化單元，其與前述第一待機區域相面對，並向第二方向輸送淨化空氣；以及第三淨化單元，其與前述第二待機區域相面對，並向第三方向輸送淨化空氣，前述第一淨化單元、前述第二淨化單元、前述第三淨化單元構成為能夠各自獨立地控制風量，在前述裝填室內的配置前述晶舟交換裝置的高度形成預定的氣流。 [發明之效果] 根據本公開，能夠發揮如下優異效果，即抑制微小顆粒的產生並且提高生產率。
以下參照附圖對本公開的實施例進行說明。 首先對本公開的實施例的基板處理裝置的概要進行說明。 在本實施例中說明的基板處理裝置用於半導體裝置的製造工藝，即在將作為處理物件的基板收納於處理室的狀態下利用加熱器對基板進行加熱並實施處理。更具體而言，是一種立式的基板處理裝置，其以將多個基板在鉛垂方向上按照預定的間隔層疊的狀態同時對該多個基板進行處理。 對於作為基板處理裝置的處理物件的基板，例如可以舉出形成有半導體積體電路裝置(半導體器件)的半導體晶圓基板(以下簡稱為“晶圓”)。另外，作為基板處理裝置進行的處理，例如可以舉出氧化處理、擴散處理、為了除去缺陷或者進行離子注入後的載流子活化的退火、通過熱CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)反應進行的成膜處理等。 接下來對本實施例的基板處理裝置的概略結構例進行說明。 圖1是表示本實施例的基板處理裝置的結構例的立體圖。基板處理裝置1具備可在內部配置處理爐2等主要部的殼體3。在殼體3的正面側配置有晶盒載台4。在晶盒載台4上對作為收納晶圓5的基板收納具的前開式晶圓傳送盒(以下稱為“晶盒”)6進行搬送、載置。晶盒6在其內部可收納例如25張的晶圓5且構成為在未圖示的蓋關閉的狀態下載置於晶盒載台4上。即，晶盒6在基板處理裝置1中用作晶圓載體。 在比晶盒載台4靠向裡側的殼體3內配置有晶盒搬送裝置7。在晶盒搬送裝置7的近旁分別配置有晶盒擱架8、晶盒開啟器9和基板張數檢測器11。 晶盒搬送裝置7在晶盒載台4與晶盒擱架8之間搬送晶盒6。晶盒擱架8配置於晶盒開啟器9的上方且保持為載置有多個晶盒6的狀態。晶盒擱架8可以由所謂旋轉擱架構成，前述旋轉擱架具有能夠利用未圖示的驅動機構進行旋轉的擱架板。晶盒開啟器9打開晶盒6的蓋而使晶盒6的內部與後述的裝填室12連通。基板張數檢測器11與晶盒開啟器9相鄰配置並對打開了蓋的晶盒6內的晶圓5的張數進行檢測。 在相對於晶盒開啟器9而言的殼體3內的背面側形成有裝填室12，該裝填室12在殼體3內區劃為單室空間。對於該裝填室12的詳情將在後面敘述。 在裝填室12內配置有：基板移載機13、以及作為基板保持體的晶舟14。基板移載機13具有能夠水平地直線運動的末端執行器(夾鉗)15。利用未圖示的驅動裝置使末端執行器15進行上下旋轉動作，從而能夠在置於晶盒開啟器9的位置的晶盒6與晶舟14之間搬送晶圓5。 晶舟14構成為能夠使多張(例如50~150張的程度)的晶圓5以水平姿態且中心一致的狀態在鉛垂方向上空出預定間隔排列層疊，並在縱向上保持為多層。保持有晶圓5的晶舟14構成為能夠利用作為升降機構的晶舟升降機16(後述)進行升降。此外，晶舟14的下部成為圓筒狀的隔熱部14a，該隔熱部14a由Si、SiC等耐熱性材料形成。或者，也可以在晶舟14中裝填預定張數的隔熱板，該隔熱板由Si、SiC等耐熱性材料形成為與晶圓5相同的形狀。 在殼體3內的背面側上部、即裝填室12的上方側配置有處理爐2。在處理爐2內構成為，裝填有多張晶圓5的晶舟14可從下方搬入。 接下來對上述的處理爐2的概要進行說明。圖2示出了本公開的實施例的基板處理裝置1中採用的處理爐2的結構例。 處理爐2具備反應管17。反應管17例如由石英(SiO2 )、碳化矽(SiC)等具有耐熱性的非金屬材料構成。另外，反應管是上端部封閉且下端部開放的圓筒形狀。 在反應管17的筒內形成有處理室18。在處理室18內構成為，作為基板保持體的晶舟14可從下方插入，可將被晶舟14保持為水平姿態的晶圓5以在鉛垂方向上排列為多層的狀態收納。處理室18內所收納的晶舟14構成為能夠利用旋轉機構19使旋轉軸21旋轉，從而能夠在維持處理室18內的氣密的狀態下以搭載有多個晶圓5的狀態進行旋轉。 在反應管17的下方與反應管17呈同心圓狀氣密地配設有歧管22。歧管22例如由不銹鋼等金屬材料構成為上端部和下端部開放的圓筒形狀。反應管17被歧管22從下端部側縱向支撐。即，形成處理室18的反應管17經由歧管22豎立於鉛垂方向而構成處理爐2。 歧管22的下端部構成為當晶舟升降機16上升時被密封蓋23氣密地密封。在歧管22的下端部與密封蓋23之間設有使處理室18氣密地密封的O型環等密封部件24。另外，歧管22分別與氣體導入管25、排氣管26連接，氣體導入管25用於向處理室18內導入原料氣體、清掃氣體等，排氣管26用於對處理室18內的氣體進行排氣。 在反應管17的外周與反應管17呈同心圓狀配設有作為加熱裝置(加熱機構)的加熱器單元27。加熱器單元27對處理室18內進行加熱，以使處理室18內成為包含均熱區域的預定的溫度分佈。 在殼體3內的前表面側下部設有控制器20，控制器20對基板處理裝置1的動作進行控制。圖10示出了控制器20及其周邊的結構。作為控制部(控制單元)的控制器20由計算機構成，該電腦具備CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)20a、RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)20b、存儲裝置20c、I/ O埠20d。這些構成為能夠經由內部匯流排20e與CPU20a進行資料交換。控制器20構成為可與例如由觸控面板等構成的輸入輸出裝置71、外部存儲裝置72連接。此外，還設有與上位裝置75經由網路連接的收發部73。 I/ O埠20d與晶舟升降機16、晶舟交換裝置(後述)、PLC(Programmable Logic Controller：可程式設計邏輯控制器)40等基板處理裝置1的各部連接，指令它們動作並取得狀態。 存儲裝置20c例如由快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive：硬碟驅動器)等構成。在存儲裝置20c內可讀取地存儲有：對基板處理裝置1的動作進行控制的控制程式、記載有後述的基板處理的步驟、條件等的制程處方、維護處方等。當以來自上位裝置75的指令等為觸發並通過控制器20來執行這些處方時，以能夠對基板處理裝置1的各部進行控制而獲得預定的結果的方式進行組合的處方作為程式發揮功能。 PLC40從控制器20接收表示與處方的執行對應的狀態的資訊，並按照狀態資訊對後述的淨化單元的風量進行可變控制。 接下來，對於使用本實施例的基板處理裝置1而作為半導體器件製造的一工序對晶圓5進行處理時的動作步驟進行說明。該動作可通過控制器20的控制而實現。 (晶圓供給工序) 在利用基板處理裝置1對晶圓5進行處理時，首先在晶盒載台4上載置收納有多張晶圓5的晶盒6。然後，利用晶盒搬送裝置7將晶盒6從晶盒載台4移載到晶盒擱架8上。進而，利用晶盒搬送裝置7將載置於晶盒擱架8上的晶盒6向晶盒開啟器9搬送。之後，利用晶盒開啟器9打開晶盒6的蓋，利用基板張數檢測器11對晶盒6所收納的晶圓5的張數進行檢測。 (搬入前移載工序) 晶盒開啟器9打開晶盒6的蓋之後，接下來由裝填室12內配置的基板移載機13將晶圓5從晶盒6取出。然後，將從晶盒6取出的未處理狀態的晶圓5向與基板移載機13同樣地位於裝填室12內的晶舟14移載。即，基板移載機13在裝填室12內進行將未處理狀態的晶圓5向搬入處理室18內前的晶舟14裝填的晶圓載入動作。由此，晶舟14將多張晶圓5保持為在鉛垂方向上分別形成間隔的層疊狀態。晶舟14以層疊狀態保持並一起進行處理的晶圓5的張數例如是25~100張。由此可提高量產性。 (搬入工序) 在進行晶圓載入動作後，通過晶舟升降機16的升降動作，將保持有多張未處理狀態的晶圓5的晶舟14搬入處理室18內(晶舟裝載)。即，使晶舟升降機16動作，將保持有未處理狀態的晶圓5的晶舟14從裝填室12內搬入處理室18內。由此，密封蓋23成為經由密封部件24使歧管22的下端密封的狀態。 (處理工序) 在進行晶舟裝載後，對搬入處理室18內的晶舟14所保持的未處理狀態的晶圓5進行預定的處理。具體而言，例如在基於熱CVD反應進行成膜處理時，利用排氣管26進行排氣，使處理室18內成為所需的壓力(真空度)。並且，使用加熱器單元27對處理室18內進行加熱，並且使旋轉機構19動作而使晶舟14旋轉，從而使晶圓5也進行旋轉。晶圓5的旋轉持續進行，直到後述的晶圓5的搬出為止。此外，利用氣體導入管25向處理室18內供給原料氣體、清掃氣體等。由此，可在晶舟14所保持的未處理狀態的晶圓5的表面通過基於熱的分解反應、化學反應等形成薄膜。 當在晶圓5的表面形成薄膜之後，停止利用加熱器單元27進行的加熱，使處理完的狀態的晶圓5的溫度降低至預定的溫度為止。並且，在經過了預先設定的時間之後，停止向處理室18內供給氣體，並且開始向處理室18內供給惰性氣體。由此，在處理室18內以惰性氣體進行置換，並且使處理室18內的壓力恢復為常壓。 (搬出工序) 之後，通過晶舟升降機16的升降動作，使密封蓋23下降而使歧管22的下端開口，並且將保持有處理完的狀態的晶圓5的晶舟14從歧管22的下端向處理室18外搬出(晶舟卸載)。即，使晶舟升降機16動作，將保持有處理完的狀態的晶圓5的晶舟14從處理室18內向裝填室12內搬出。並且，使晶舟14在預定的位置待機，直到晶舟14所支撐的全部晶圓5冷卻為止。 (搬出後的移載工序) 在待機的晶舟14的晶圓5冷卻至預定溫度(例如室溫的程度)之後，裝填室12內配置的基板移載機13從晶舟14卸載晶圓5。並且，將從晶舟14卸載的處理完的狀態的晶圓5向載置於晶盒開啟器9的晶盒6搬送並收納。即，基板移載機13在裝填室12內進行將從處理室18內搬出的晶舟14所保持的處理完的狀態的晶圓5從晶舟14取出並向晶盒6移載的晶圓卸載動作。 之後，利用晶盒搬送裝置7將收納有處理完的狀態的晶圓5的晶盒6向晶盒擱架8或者晶盒載台4上搬送。這樣完成了採用本實施例的基板處理裝置1進行的基板處理工序的一系列處理動作。 接下來，以具體例來對本實施例的基板處理裝置1中的特徵性的結構即裝填室12內的結構進行說明。這裡舉出為了提高生產率而將兩個晶舟14相對於處理室18內交替地搬入搬出的所謂雙晶舟裝置中的裝填室的例子來進行以下的說明。 圖3示出了本公開的實施例的基板處理裝置1的側視圖，圖4示出了本公開的實施例的基板處理裝置1中採用的裝填室12的俯視圖。如上所述，基板處理裝置1具備裝填室12，裝填室12可進行使未處理狀態的晶圓5保持於晶舟14的載入動作、以及將處理完的狀態的晶圓5從晶舟14取出的卸載動作。裝填室12區劃形成為單室空間，該單室空間由頂部、底部、四方包圍的側面構成為俯視呈四邊形狀。但是，裝填室12不限於俯視呈四邊形狀，只要構成為俯視呈多邊形狀(例如俯視呈三角形狀、俯視呈五邊形狀等)。這裡，裝填室12內不必構成載入鎖定室、氮氣清掃箱等而可以是大氣環境。 在裝填室12的設置有晶盒開啟器9的一側的側面(前表面)設有為了搬送晶圓5而能夠通過門進行開閉的晶圓搬入搬出口10，前述晶圓5處於置於晶盒開啟器9的位置的晶盒6與裝填室12內的晶舟14之間。另外，在裝填室12的頂部設有與處理室18內連通的連通口(未圖示)，該連通口為能夠使保持有晶圓5的晶舟14通過的形狀和大小。 在上述的裝填室12內配置有：基板移載機13、晶舟14、晶舟升降機16、晶舟交換裝置31、第一淨化單元32、第二淨化單元33、第三淨化單元34、排氣部35。 首先參照圖4、圖5對晶舟交換裝置31進行說明。此外，為了方便而在圖5中省略了第一淨化單元32、第二淨化單元33、第三淨化單元34的圖示。在使用兩個晶舟14的雙晶舟裝置中，為了將兩個晶舟14相對於處理室18內交替地搬入搬出而在裝填室12內具備晶舟交換裝置31。 晶舟交換裝置31具有裝置主體30、第一臂36、第二臂37，且配置在沿著與裝填室12的前表面相鄰的第二側面設置的晶舟升降機16對置的位置。 第一臂36和第二臂37能夠以與裝置主體30同心設置的旋轉軸(未圖示)為中心在水平方向上獨立地旋轉並進行升降。晶舟交換裝置31能夠在位於圖4中圓弧右端的晶舟冷卻位置(第一待機區域)a、位於圖4中圓弧左端的晶圓移載位置(第二待機區域)b、位於圖4中圓弧中央的晶舟裝載/ 卸載位置(卸載區域)c之間對晶舟14進行搬送並且進行保持。在晶舟冷卻位置a和晶圓移載位置b分別地設置冷卻用晶舟載置台38和移載用晶舟載置台39，在冷卻用晶舟載置台38和移載用晶舟載置台39分別能夠載置晶舟14。第一臂36和第二臂37的至少一方能夠在晶舟冷卻位置a和晶圓移載位置b之間搬送晶舟14，其中另一方能夠向相對於其自身的待機位置更遠離晶舟裝載/ 卸載位置c的方向後退。在本例中，第二臂37能夠回轉到晶圓移載位置b。 此外，雖然在圖4、圖5中為了方便而在晶舟冷卻位置a、晶圓移載位置b、晶舟裝載/ 卸載位置c全部載置有晶舟14，但實際上晶舟14載置於晶舟冷卻位置a、晶圓移載位置b、晶舟裝載/ 卸載位置c中的兩處(在晶舟14裝入處理爐2時為一處)。即，在裝填室12內能夠同時收納兩個晶舟14。 晶舟交換裝置31如以下所述發揮功能。預先將兩個空的晶舟14分別地載置於冷卻用晶舟載置台38和移載用晶舟載置台39。將從晶盒6取出並通過未圖示的缺口對準機進行了缺口對準的晶圓5向移載用晶舟載置台39(晶圓移載位置b)上載置的晶舟14裝填。之後，利用第一臂36將處於晶圓移載裝置b的被進行了缺口對準的晶圓5裝滿的晶舟14向晶舟裝載/ 卸載位置c搬送。 搬送到晶舟裝載/ 卸載位置c的晶舟14被晶舟升降機16搬入處理室18內並進行預定的處理。在處理室18內進行處理的期間，利用第二臂37將處於晶舟冷卻位置a的空的晶舟14向晶圓移載位置b搬送，並將其它的缺口對準前的晶圓5從晶盒6取出，利用缺口對準機進行缺口對準，向晶舟14移載並裝滿晶圓5。 當處理室18內的處理結束後，將保持有處理完的晶圓5的晶舟14從處理室18內搬出，並在下降到晶舟裝載/ 卸載位置c之後，利用第二臂37將晶舟14向空出的晶舟冷卻位置a搬送，使處理完的晶圓5冷卻。 在處理完的晶圓5的冷卻過程中，利用第一臂36將處於晶圓移載位置b的裝滿進行了缺口對準的晶圓5的晶舟14向晶舟裝載/ 卸載位置c搬送，並搬入處理室18內進行預定的處理。 在處理室18內的處理過程中，利用第二臂37將在晶舟冷卻位置a進行了冷卻的晶舟14向晶圓移載位置b搬送，並使處理完的晶圓5從晶舟14卸載而回到晶盒6內。 將新從晶盒6取出並進行了缺口對準後的晶圓5向取出了處理完的晶圓5而空出的晶舟14裝填，使晶舟14裝滿未處理的晶圓5。通過重複進行這些處理，從而對未處理的晶圓5依次進行預定的處理，並且將處理完的晶圓5依次向裝填室12外搬出。此外，也可以在晶圓移載位置b以外的位置(例如晶舟裝載/ 卸載位置c)進行晶圓5相對於晶舟14的裝填、卸載。 接下來，對第一淨化單元32、第二淨化單元33、第三淨化單元34進行說明。 第一淨化單元32沿著與第二側面對置的第一側面設置，並與晶舟裝載/ 卸載位置c接近、面對。第三淨化單元34沿著第一側面且與第一淨化單元32相鄰設置，並與晶圓移載位置b接近、面對。第二淨化單元33設置在與前表面對置的側面(背面)和第一側面的角部。另外，第二淨化單元33的背面側的端部以朝向裝填室12的中心側的方式從第一側面遠離，且第二淨化單元33與晶舟冷卻位置a接近、面對，並且還與晶舟裝載/ 卸載位置c對置。 第一淨化單元32在裝填室12內延伸於晶舟14的長度方向(上下方向)，且下端相對於第一臂36和第二臂37的各旋轉軸位於上方，並且上端位於裝填室12的頂部近旁。另外，第一淨化單元32構成為包括：具有第一軸流風扇的第一風扇單元42、與晶舟14的長度方向平行地沿著全長延伸的第一吹出口43、以及在第一風扇單元42與第一吹出口43之間形成的第一緩衝區域44。 第一風扇單元42由沿著上下方向分為兩部分的第一風扇單元42a、42b構成，第一風扇單元42a、42b分別具有第一軸流風扇41a、41b。另外，第一吹出口43沿著全長設有用於防塵的過濾器。此外，雖然在本實施例中，第一風扇單元42a、42b分別設有一個軸流風扇，但是也可以設置兩個以上。 第二淨化單元33在裝填室12內延伸於晶舟14的長度方向(上下方向)，且上端位於頂部的近旁，並且下端相對於第一淨化單元32的下端位於下方且相對於裝置主體30的上端位於下方。另外，第二淨化單元33構成為包括：具有第二軸流風扇的第二風扇單元46、與晶舟14的長度方向平行地沿著全長延伸的第二吹出口47、以及在第二風扇單元46與第二吹出口47之間形成的第二緩衝區域48。 第二風扇單元46由沿著上下方向分為兩部分的第二風扇單元46a、46b構成。第二風扇單元46a具有沿著上下方向相鄰設置的第二軸流風扇45a、45b，第二風扇單元46b具有沿著上下方向相鄰設置的第二軸流風扇45c、45d。 另外，第二吹出口47和第三吹出口52的上下方向的長度比第一淨化單元32長，第二吹出口47和第三吹出口52的下端比晶舟交換裝置31的上端低且比臂36、37的上升時的高度高，在第二吹出口47沿著全長設有用於防塵的過濾器。此外，如果沒有與臂37接觸的問題，則第二吹出口47的下端可以延伸至裝填室12的底部附近。 第三淨化單元34在裝填室12內延伸於晶舟14的長度方向(上下方向)，且上端位於頂部的近旁，並且下端相對於第一淨化單元32的下端位於下方。另外，第三淨化單元34構成為包括：具有第三軸流風扇的第三風扇單元51、與晶舟14的長度方向平行地沿著全長延伸的第三吹出口52、以及在第三風扇單元51與第三吹出口52之間形成的第三緩衝區域53。 第三風扇單元51由沿著上下方向分為兩部分的第三風扇單元51a、51b構成，且第三風扇單元51a、51b分別具有第三軸流風扇49a、49b。另外，在第三吹出口52沿著全長設有用於防塵的過濾器。此外，雖然在本實施例中，第三風扇單元51a、51b分別設有一個軸流風扇，但是也可以設置兩個以上。 此外，第一風扇單元42a、42b、第二風扇單元46a、46b、第三風扇單元51a、51b分別與PLC40連接，並構成為能夠利用作為風量控制部的PLC40分別對第一軸流風扇41a、41b、第二軸流風扇45a~45d、第三軸流風扇49a、49b的轉速或風量任意地進行控制。 在第一淨化單元32、第三淨化單元34與第一側面之間設有使淨化空氣流通的主吸氣管道54，第一淨化單元32和第三淨化單元34與主吸氣管道54直接地連接。即，第一淨化單元32和第三淨化單元34共用淨化空氣的供給源。主吸氣管道54中流通的淨化空氣從第一淨化單元32向晶舟裝載/ 卸載位置c(第一方向)輸送，並從第三淨化單元34向晶圓移載位置b(第三方向)輸送。 在第二淨化單元33與角部、即第二淨化單元33與第一側面、背面之間形成吸氣區域55。另外，淨化空氣流通的副吸氣管道56設置於裝填室12的底面之下，吸氣區域55與副吸氣管道56能夠連通地連接。 另外，在第一淨化單元32與第二淨化單元33之間設置有輔助管道57，輔助管道57從第一緩衝區域44沿著第一淨化單元32的側面向裝填室12的第一側面延伸，並沿著第一側面延伸至吸氣區域55。即，輔助管道57形成使第一緩衝區域44與吸氣區域55連通的折彎成曲柄狀的流路。此外，可以在輔助管道57與第一緩衝區域44連接的部位設置用於調節風量的風門58。風門58可以在通過手動調整開度後固定開度進行使用，或者也可以設置電動驅動單元並構成為能夠經由PLC40調整開度。 而且，在吸氣區域55從副吸氣管道56供給淨化空氣，並且經由輔助管道57從第一緩衝區域44供給淨化空氣，向吸氣區域55供給的淨化空氣從第二淨化單元33向晶舟冷卻位置a(第二方向)輸送。此外，晶舟裝載/ 卸載位置c的晶舟14處於將第二淨化單元33與晶舟冷卻位置a連結的延長線上，向第二方向輸送的淨化空氣在晶舟冷卻位置上、晶舟裝載/ 卸載位置c上流通。 在裝填室12的第二側面設有向裝填室12的中心側凸出的排氣罩59。排氣罩59從裝填室12的底部到頂部為止沿著上下方向全長形成，基板移載機13的升降軸61、晶舟14的升降軸62和作為排氣部的排氣管道63位於排氣罩59和第二側壁之間。排氣管道63延伸於上下方向，從側面的孔吸入的淨化空氣向下方或上方流動。另外，在排氣罩59的與晶舟裝載/ 卸載位置c對置的部位形成有沿著上下方向具有預定的寬度的排氣口64。在使晶舟14升降時，晶舟14的臂65在排氣口64中移動。 而且，基板移載機13的升降軸61、晶舟14的升降軸62被排氣罩59不完全地覆蓋，主吸氣管道54與排氣罩59內側的空間經由第一軸流風扇41a、41b、第三軸流風扇49a、49b以及排氣口64連通，並且副吸氣管道56與排氣罩59內側的空間經由第二軸流風扇45a~45d和排氣口64連通。 另外，主吸氣管道54的上流側的端在裝填室12的底部附近開口。在主吸氣管道54的途中設置能夠控制開度的電動風門60。從第一淨化單元32、第二淨化單元33、第三淨化單元34輸送的淨化空氣，在通過晶舟冷卻位置a、晶圓移載位置b、晶舟裝載/ 卸載位置c之後，其一部分流入主吸氣管道54且另一部分通過排氣口64、排氣罩59流入排氣管道63。流入排氣管道63的淨化空氣利用未圖示的排氣風扇先向裝填室12外排氣。 從裝填室12排放的淨化空氣可以在處理爐2周圍的空間流通並向基板處理裝置1的外部排出。或者也可以構成為，經由副吸氣管道56再次作為淨化空氣進行供給並從第三淨化單元34送風。另外，主吸氣管道54具有從外部補給淨化空氣的流路。 這裡，在對本實施例中的裝填室12內的氣流形成進行說明之前，先對作為其比較例的現有結構的氣流形成進行說明。 圖6的(A)是作為本實施例的比較例的現有結構的裝填室的一例，示出了氣流形成的概要。在圖6的(A)中的裝填室12'沿著第一側壁設有三個淨化單元。在該結構的裝填室12'中為了避免與晶舟交換裝置31'發生干涉而無法在第二淨化單元33'設置風扇單元。因此，通過擴大第一緩衝區域44'而使第一緩衝區域44'成為第一淨化單元32'和第二淨化單元33'共同的緩衝區域，從而確保了氣流的面積。 另外，圖6的(B)是作為本實施例的比較例的現有結構的裝填室的另一例。第二淨化單元33''在第一側面與背面的角部傾斜地設置為能夠向裝填室12''的中心送風。在該結構的裝填室12''中使第二淨化單元33''傾斜，從而確保了設置風扇單元的空間。另一方面，第一淨化單元32''、第二淨化單元33''、第三淨化單元34''均構成為對從主吸氣管道54''供給的淨化空氣進行輸送。 在裝填室12'、裝填室12''的任一情況下，都是經由各淨化單元輸送的淨化空氣全部為在主吸氣管道54'、主吸氣管道54''中流通的淨化空氣。因此，所需的吸氣量不足，尤其是從第二淨化單元33'、第二淨化單元33"輸送的淨化空氣的風量難以確保。因此，容易導致空氣流動發生紊亂，尤其是在裝填室12'、裝填室12"的晶舟冷卻位置a及其附近容易發生淨化空氣的滯留。 另外，各淨化單元的各風扇單元不具備風量調整功能，在處理中以恒定的風量進行送風，因此難以應對微小顆粒的產生等起因於氣流的問題。 此外，就現有的裝填室12'、裝填室12''而言，必須採用避免淨化單元與晶舟交換裝置31'發生干涉的形狀，因此無法在晶舟升降機16'、晶舟升降機16''附近形成可靠的氣流。因此會導致晶圓的冷卻不均，並因品質的偏差而導致生產率降低。 針對上述問題，本案申請人等研究發現：通過將第二淨化單元33設置於第一側面和背面的角部，確保設置第二風扇單元46a、46b的空間，並且不僅從主吸氣管道54而且也從副吸氣管道56向第二淨化單元33供給淨化空氣，從而能夠確保向裝填室12內輸送的淨化空氣的風量。此外，本案申請人等發現：通過利用PLC40對各軸流風扇獨立地進行控制，從而能夠改善淨化空氣的氣流形成。 以下對如圖7所示在上述結構的裝填室12內形成的氣流(淨化空氣的流動)進行說明。 如圖7所示，可由從第一淨化單元32輸送的淨化空氣在晶舟升降機16上形成氣流，並由從第三淨化單元34輸送的淨化空氣在晶圓移載位置b上形成氣流。此外，使第二淨化單元33在角部傾斜設置，從而利用從第二淨化單元33輸送的淨化空氣在晶舟冷卻位置a上可靠地形成氣流。 在晶舟冷卻位置a、晶圓移載位置b、晶舟裝載/ 卸載位置c分別形成氣流的淨化空氣經由排氣口64流入排氣罩59內並利用排氣管道63向裝填室12外排氣。 圖8的(A)、(B)、圖9的(A)~(D)示出了對裝填室12的預定高度的本實施例與圖6的(A)所示的現有例進行比較的風速分佈。另外，圖8的(A)、(B)中的各高度是以在晶舟冷卻位置a、晶圓移載位置b、晶舟裝載/ 卸載位置c載置晶舟14時的晶舟14的位置為基準的高度。 圖8的(A)示出了對現有的裝填室12'中的隔熱板區域(形成隔熱部14a的高度)、BTM區域(裝填最下層的晶圓5的高度)、CTR區域(晶舟的中央附近的高度)的風速分佈。另外，圖8的(B)示出了本實施例的裝填室12中的隔熱板區域、BTM區域、CTR區域的風速分佈。 對圖8的(A)和(B)進行對比可知：就現有的裝填室12'而言，不論任何高度，在晶舟冷卻位置a及其周邊，淨化空氣的風量都較弱，並沿著裝填室12'的背面發生滯留。另外，在BTM區域和隔熱板區域、即裝填室12'的下部，晶舟裝載/ 卸載位置c的風量弱。 另一方面，就本實施例的裝填室12而言，不論任何高度，尤其是晶舟冷卻位置a的淨化空氣的風速可維持於預定程度以上，消除了滯留。並且在背面等壁面近旁，如果沿著與壁面垂直的軸的風速的梯度(剪切速度)為預定程度以上，則不會發生滯留。 另外，圖9的(A)示出了裝填室12'的晶舟裝載/ 卸載位置c的圖8的(A)的A-A箭頭方向視圖，圖9的(B)的示出了裝填室12的晶舟裝載/ 卸載位置c的圖8的(B)的A-A箭頭方向視圖，圖9的(C)示出了裝填室12'的晶舟冷卻位置a的圖8的(A)的B-B箭頭方向視圖，圖9的(D)示出了裝填室12的晶舟冷卻位置a的圖8的(B)的B-B箭頭方向視圖。 如圖9的(A)、(B)所示，就現有的裝填室12'和本實施例的裝填室12而言，沿著全長、尤其是在下部改善了晶舟裝載/ 卸載位置c和第二側壁側的近旁的淨化空氣的氣流，消除了晶舟交換裝置31附近的淨化空氣的滯留。另外，如圖9的(C)、(D)所示，就現有的裝填室12'和本實施例的裝填室12而言，沿著高度方向全長大幅地改善了晶舟冷卻位置a及其周邊的淨化空氣的氣流。 如上所述，在本實施例中，相對於第二淨化單元33的吸氣區域55分別供給：經由輔助管道57流通於主吸氣管道54的淨化空氣、以及流通於副吸氣管道56的淨化空氣。因此，能夠解決對於現有技術而言尤其突出的第二淨化單元33的風量不足的問題。 另外，由於解決了風量不足的問題，從而能夠在待機時間長的晶舟冷卻位置a和晶舟裝載/ 卸載位置c沿著全長可靠地形成淨化空氣的氣流，不易發生淨化空氣的滯留。因此，例如在從處理室18內搬出的晶圓5發生熱的情況下，也能夠抑制由於產生微小顆粒而引起的淨化空氣滯留的問題，避免微小顆粒對晶圓5造成污染。 另外，在本實施例中，在需要使晶圓5冷卻的晶舟冷卻位置a，能夠沿著全長可靠地形成淨化空氣的氣流，從而能夠在冷卻時使晶圓5接觸充分的淨化空氣，縮短晶圓5的冷卻時間。 另外，在本實施例中，能夠利用PLC40對各軸流風扇獨立地進行控制。由此，例如在晶舟冷卻位置a能夠沿著高度方向全長形成均勻的氣流，從而能夠使晶舟14中裝填的晶圓5均勻地冷卻，減小品質的偏差並提高生產率。 另外，由於能夠對各軸流風扇獨立地進行控制，從而能夠對從各淨化單元輸送的淨化空氣的風量進行控制，實現風量均衡的優化。 此外，即使發生由氣流引起的問題，也能夠對各軸流風扇獨立地進行控制，容易對氣流進行微調來解決問題。 此外，對各軸流風扇的控制不僅是為了形成可靠的氣流，也是為了在各處理工序所需的部位形成必要的氣流。 例如，當晶舟冷卻位置a、晶圓移載位置b、晶舟裝載/ 卸載位置c不存在晶舟14時，則使從對應的淨化單元進行的淨化空氣輸送停止或者減小送風量。或者是在晶圓移載位置b需要進行冷卻時增大第二淨化單元33的送風量。 具體而言，是以隨著晶舟升降機16的升降而在晶舟14不與第一淨化單元32面對時停止輸送淨化空氣或者減小風量的方式來控制各軸流風扇。另外，當從處理室18搬出的晶舟14向晶舟冷卻位置a移載時，則能夠以晶圓5的溫度越高從第二淨化單元33輸送的淨化空氣的風量越大的方式來控制各軸流風扇。通常，越趨向晶舟14的上側則溫度越高。 如上所述，按照各制程對各軸流風扇進行控制，並能對淨化空氣的風量進行調整，從而能夠改善氣流的形成(優化風量的均衡)並且節省電能。 另外，本公開包含以下的實施態樣。 將前述風扇單元控制為在各自伴隨著前述升降機的升降而不與前述晶舟相面對時減小風量。 將前述風扇單元控制為各自所面對的基板的溫度越高則風量越大。 前述裝填室具備：基板移載機，其沿著前述第二側面配置升降軸；排氣罩，其將該基板移載機的升降軸和前述升降機的升降軸不完全地覆蓋；空間，其夾在前述第二側面和前述排氣罩之間；主吸氣管道，其能夠連通地連接前述第一淨化單元和前述第三淨化單元的吸氣側；以及副吸氣管道，其與前述主吸氣管道獨立，能夠連通地連接夾在前述第二側面和前述排氣罩之間的空間與前述第二淨化單元的吸氣側。
1:基板處理裝置 5:晶圓 12:裝填室 14:晶舟 18:處理室 31:晶舟交換裝置 32:第一淨化單元 33:第二淨化單元 34:第三淨化單元 42:第一風扇單元 44:第一緩衝區域 46:第二風扇單元 48:第二緩衝區域 51:第三風扇單元 53:第三緩衝區域 54:主吸氣管道 56:副吸氣管道
[圖1]是本公開的實施例的基板處理裝置的立體圖。 [圖2]是本公開的實施例的基板處理裝置的處理爐的縱剖視圖。 [圖3]是本公開的實施例的基板處理裝置的側視圖。 [圖4]是基板處理裝置的裝填室的俯視圖。 [圖5]是表示進行移載的基板保持體的配置的基板處理裝置的側視圖。 [圖6]中的(A)是表示作為本公開的比較例示出的現有例的一例的裝填室的俯視圖，(B)是表示作為本公開的比較例示出的現有例的另一例的裝填室的俯視圖。 [圖7]是說明本公開的實施例的淨化空氣的氣流的說明圖。 [圖8]中的(A)示出了作為現有例的一例的裝填室中的預定高度的風速分佈，(B)示出了本公開的實施例的裝填室中的預定高度的風速分佈。 [圖9]中的(A)是圖8的(A)的A-A箭頭方向視圖，(B)是圖8的(B)的A-A箭頭方向視圖，(C)是圖8的(A)的B-B箭頭方向視圖，(D)是圖8的(B)的B-B箭頭方向視圖。 [圖10]是基板處理裝置的控制器的功能框圖。
1:基板處理裝置
2:處理爐
3:殼體
4:晶盒載台
5:晶圓
6:晶盒
7:晶盒搬送裝置
8:晶盒擱架
9:晶盒開啟器
11:基板張數檢測器
12:裝填室
13:基板移載機
14:晶舟
15:末端執行器
20:控制器

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於，具備： 裝填室，其與對基板進行處理的處理室連通，且能夠收納兩個以上的保持多個基板的晶舟； 升降機，其使前述晶舟在前述處理室與前述裝填室之間出入； 晶舟交換裝置，其構成為能夠使從前述處理室取出的搭載於前述升降機的狀態的晶舟向第一待機區域及第二待機區域移動； 第一淨化單元，其與前述裝填室內的對搭載於前述升降機的狀態的前述晶舟進行保持的卸載區域相面對，並向第一方向輸送淨化空氣； 第二淨化單元，其與前述第一待機區域相面對，並向第二方向輸送淨化空氣；以及 第三淨化單元，其與前述第二待機區域相面對，並向第三方向輸送淨化空氣， 前述第一淨化單元、前述第二淨化單元、前述第三淨化單元構成為能夠各自獨立地控制風量，在前述裝填室內的配置前述晶舟交換裝置的高度形成預定的氣流。
  2. 如請求項1的基板處理裝置，其中， 前述裝填室具有大致長方體狀的內部空間，在上表面形成有與前述處理室連通的連通口，在前表面形成有基板搬入搬出口，沿著第一側面並排設置前述第一淨化單元和前述第三淨化單元，在前述第一側面與背面的角部配置前述第二淨化單元，沿著與前述第一側面相向的第二側面配置前述升降機，前述晶舟交換裝置的兩個回轉軸與前述第一側面接近並配置於前述第一淨化單元的下方。
  3. 如請求項1的基板處理裝置，其中， 在前述第二方向上存在前述第一待機區域和前述卸載區域，前述第二淨化單元構成為能夠彌補前述卸載區域中的從前述第一淨化單元供給的風量的不足。
  4. 如請求項2或3的基板處理裝置，其中， 前述第一淨化單元、前述第二淨化單元、前述第三淨化單元具有與前述晶舟的長度方向平行地延伸的吹出口，前述第二淨化單元和前述第三淨化單元的吹出口的長度比前述第一淨化單元的長度長，前述第二淨化單元的吹出口的下端比前述晶舟交換裝置的上端低。
  5. 如請求項2或3的基板處理裝置，其中， 前述第一淨化單元具有：第一軸流風扇，其向前述第一方向送風；第一過濾器，其設置在該第一軸流風扇的下游側；及第一緩衝區域，其設置在前述第一軸流風扇與前述第一過濾器之間， 前述第二淨化單元具有：第二軸流風扇，其向前述第二方向送風；第二過濾器，其設置在該第二軸流風扇的下游側；及第二緩衝區域，其設置在前述第二軸流風扇與前述第二過濾器之間， 前述第三淨化單元具有：第三軸流風扇，其向前述第三方向送風；第三過濾器，其設置在該第三軸流風扇的下游側；及第三緩衝區域，其設置在前述第三軸流風扇與前述第三過濾器之間， 前述第二淨化單元包含將前述第一緩衝區域和前述第二軸流風扇的吸氣側折彎成曲柄狀的流路，並通過使流體連通的管道而吸入前述淨化空氣。
  6. 一種基板處理裝置，其特徵在於，具備： 裝填室，其與對基板進行處理的處理室連通，並收納從該處理室取出的晶舟； 升降機，其使前述晶舟在前述處理室與前述裝填室之間出入；以及 淨化單元，其與利用前述裝填室內的前述升降機而下降的狀態的前述晶舟相面對，並輸送淨化空氣， 前述淨化單元具有多個風扇單元，該多個風扇單元各自包含一個以上的風扇且在前述晶舟的長度方向上並排設置， 各風扇單元構成為能夠任意地控制前述風扇的轉速或風量。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，其具有以下工序： 從與對基板進行處理的處理室連通且能夠收納兩個以上的晶舟的裝填室，將保持有基板的前述晶舟裝入前述處理室並對前述基板進行處理的工序；以及 在對前述基板進行處理之後將前述晶舟從前述處理室搬出的工序， 該半導體裝置的製造方法的特徵在於， 在搬出前述晶舟的工序中，升降機使前述晶舟從前述處理室向卸載區域下降，之後，在晶舟交換裝置使前述晶舟從前述卸載區域向第一待機區域及第二待機區域中的空出的一方移動的期間，對從與前述卸載區域相面對的第一淨化單元向第一方向輸送的淨化空氣、從與前述第一待機區域相面對的第二淨化單元向第二方向輸送的淨化空氣、以及從與前述第二待機區域相面對的第三淨化單元向第三方向輸送的淨化空氣的風量獨立地進行控制，在前述裝填室內的配置前述晶舟交換裝置的高度形成預定的氣流。
TW109119427A 2019-06-28 2020-06-10 基板處理裝置和半導體裝置的製造方法 TWI752520B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019121536A JP6980719B2 (ja) 2019-06-28 2019-06-28 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2019-121536 2019-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202114026A true TW202114026A (zh) 2021-04-01
TWI752520B TWI752520B (zh) 2022-01-11

Family

ID=73888523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109119427A TWI752520B (zh) 2019-06-28 2020-06-10 基板處理裝置和半導體裝置的製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11404291B2 (zh)
JP (1) JP6980719B2 (zh)
KR (1) KR102452122B1 (zh)
CN (1) CN112151411A (zh)
SG (1) SG10202006103PA (zh)
TW (1) TWI752520B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11380564B2 (en) * 2018-09-19 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Processing system having a front opening unified pod (FOUP) load lock
US11915960B2 (en) * 2019-07-31 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5221201A (en) 1990-07-27 1993-06-22 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus
JP2000286175A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JP4374133B2 (ja) * 2000-12-05 2009-12-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置および基板処理方法
JP3856726B2 (ja) 2002-05-10 2006-12-13 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP5027430B2 (ja) * 2006-03-07 2012-09-19 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5224679B2 (ja) 2006-11-01 2013-07-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法
KR100825967B1 (ko) * 2006-11-03 2008-04-29 (주)리드 인터페이스 유닛과 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판의온도 조절 방법
JP5144207B2 (ja) * 2006-11-06 2013-02-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4928368B2 (ja) * 2007-06-26 2012-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2010219228A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5796972B2 (ja) 2010-06-14 2015-10-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP2011018908A (ja) * 2010-07-15 2011-01-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5806811B2 (ja) * 2010-10-01 2015-11-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
TWI562204B (en) * 2010-10-26 2016-12-11 Hitachi Int Electric Inc Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and computer-readable recording medium
JP6287089B2 (ja) * 2013-11-13 2018-03-07 村田機械株式会社 基板浮上装置、基板移載装置、および基板搬送装置
CN111463118B (zh) * 2015-01-21 2024-04-30 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法
JP5923197B2 (ja) * 2015-04-17 2016-05-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
WO2017098823A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
JP6441244B2 (ja) * 2016-02-02 2018-12-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置
JP6600408B2 (ja) * 2016-03-24 2019-10-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
CN107305855B (zh) * 2016-04-19 2021-05-07 株式会社国际电气 衬底处理装置、装置管理控制器及装置管理方法
KR20220078725A (ko) * 2016-06-30 2022-06-10 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
WO2019043919A1 (ja) * 2017-09-01 2019-03-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
CN112151411A (zh) 2020-12-29
JP2021009872A (ja) 2021-01-28
KR102452122B1 (ko) 2022-10-06
US20200411335A1 (en) 2020-12-31
JP6980719B2 (ja) 2021-12-15
SG10202006103PA (en) 2021-01-28
TWI752520B (zh) 2022-01-11
KR20210001987A (ko) 2021-01-06
US11404291B2 (en) 2022-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11512392B2 (en) Substrate processing apparatus
US7198447B2 (en) Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device
JP6047228B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
TWI709163B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
US20120083120A1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
JPWO2018167846A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
TWI752520B (zh) 基板處理裝置和半導體裝置的製造方法
JP5923197B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US11694907B2 (en) Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism
JP6992156B2 (ja) 処理装置、排気システム、半導体装置の製造方法
JP2018026535A (ja) 基板処理装置、プログラム及び流体循環機構並びに半導体装置の製造方法
US12018373B2 (en) Substrate processing apparatus
US20240047233A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
JP4456727B2 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
WO2004057656A1 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2005093928A (ja) 基板処理装置