JP2003007800A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置および半導体装置の製造方法

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pod
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boat
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Tetsuo Yamamoto
哲夫 山本
Makoto Ozawa
誠 小沢
Shuji Yonemitsu
修司 米満
Toshimitsu Miyata
敏光 宮田
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒素ガス消費量を抑制し被処理基板の自然酸
化や汚染を防止する。 【解決手段】 ウエハＷに成膜する処理室へ複数枚のウ
エハＷを保持した状態で搬入するボート２１と、ボート
２１にウエハを移載するウエハ移載装置３０とを備えた
バッチ式ＣＶＤ装置１において、ボート２１が搬入に待
機する待機室３とウエハ移載装置３０の移載が実施され
る移載室２２とが待機室チャンバ４と移載室チャンバ２
３とにより隔絶され、待機室３と移載室２２とに窒素ガ
スＧが流通され、待機室３の酸素濃度が移載室２２のそ
れよりも小さく設定されている。 【効果】 待機室の酸素濃度は低いので、自然酸化膜の
生成を効果的に防止できる。移載室の酸素濃度は緩和で
きるので、窒素ガスの消費量を節約できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
びそれを使用した半導体装置の製造方法に関し、特に、
被処理基板の自然酸化や汚染を防止する技術に係り、例
えば、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込まれる
基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に
絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散
したりするバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置に利用して有
効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】基板処理装置の一例であるバッチ式縦形
拡散・ＣＶＤ装置（以下、基板処理装置という。）にお
いては、未処理のウエハがキャリア（基板収納容器）に
収納された状態で基板処理装置の外部から搬入される。
従来のこの種のキャリアとして、互いに対向する一対の
面が開口された略立方体の箱形状に形成されているカセ
ットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成
され開口面にキャップが着脱自在に装着されているＦＯ
ＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドとい
う。）とがある。
【０００３】ウエハのキャリアとしてポッドが使用され
る場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されること
になるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在して
いたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。
したがって、基板処理装置が設置されるクリーンルーム
内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるため、
クリーンルームに要するコストを低減することができ
る。そこで、最近の基板処理装置においては、ウエハの
キャリアとしてポッドが使用されて来ている。
【０００４】従来のこの種の基板処理装置を述べている
例として、例えば、日本国特許庁公開特許公報の特開平
６−７７１５２号および特開平７−２９７２５７号があ
る。前者には、筐体の内部にプロセスチューブ、ボート
エレベータ、ウエハ移載装置、カセット収納室およびバ
ッファカセット収納室等を収納し、筐体、ボート待機空
間およびバッファカセット収納室を常圧気密構造とし、
この筐体、ボート待機空間およびバッファカセット収納
室の内部を窒素ガスにより置換可能に構成することによ
り、ウエハの移載および待機中での自然酸化を防止した
縦型拡散・ＣＶＤ装置が開示されている。
【０００５】後者には、複数枚のウエハをそれを保持し
たカセットごと収納してウエハの清浄度を維持するＳＭ
ＩＦ（standard mechanical interface ）ポッドを使用
した基板処理装置であって、処理室への搬入に対してボ
ートが待機するボートローディング室と、ＳＭＩＦポッ
ドから取り出されたカセットとボートとの間でウエハを
移載するウエハ移載装置が設置された空間とを独立した
窒素ガス雰囲気室に構成することにより、カセットを使
用しつつクリーンルームの清浄度を緩和することができ
る基板処理装置が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の基板処理装置においては、ウエハの自然酸化膜
の生成状況が充分に究明されていないので、ウエハの自
然酸化膜を完全に防止するためには多量の窒素ガスが必
要になるという問題点がある。
【０００７】本発明の目的は、窒素ガスの消費量を抑制
しつつ被処理基板の自然酸化や汚染を確実に防止するこ
とができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ための手段は、基板に熱処理を施す処理室へ前記基板を
保持した状態で処理室の開口を通して搬入する基板保持
部材と、この基板保持部材に前記基板を移載する基板移
載装置とを備えている基板処理装置であって、前記開口
を通る前記処理室の延長線上に形成されて前記基板保持
部材が前記搬入に待機する気密な待機室の酸素濃度と、
前記基板移載装置が設置された気密な基板移載室の酸素
濃度とに差が設定されていることを特徴とする。
【０００９】基板に熱処理を施す基板処理装置における
自然酸化膜の生成は、温度と酸素濃度との相関関係に依
存するため、基板が処理室に搬入される際の生成が顕著
になることが本発明者等によって究明された。したがっ
て、自然酸化膜の生成を抑制するためには、基板が処理
室に搬入される直前に待機させられる待機室の酸素濃度
だけを下げればよい。しかし、基板の処理室への搬入の
待機室が大気に開放された後に窒素ガスを供給して酸素
濃度を下げるのでは、多量の窒素ガスが必要になってし
まう。また、大気中の水分の露点現象によって待機室の
壁面に付着した水滴を窒素ガスによって除去することは
困難である。さらに、待機室に侵入した大気は処理室に
流入する蓋然性が高い。そこで、前記した手段におい
て、基板待機室の酸素濃度を基板移載室の酸素濃度より
も小さく設定することにより、窒素ガスの消費量を抑制
しつつ被処理基板の自然酸化や汚染を確実に防止する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
【００１１】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置は、半導体装置の製造方法にあってウエハに不
純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成し
たりする工程に使用されるバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装
置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成さ
れている。なお、このバッチ式ＣＶＤ装置１において
は、ウエハ搬送用のキャリアとしてはポッドＰが使用さ
れている。また、以下の説明において、前後左右は図２
を基準とする。すなわち、ポッドステージ５２側が前
側、その反対側すなわちヒータユニット１３側が後側、
クリーンエアユニット６２側が右側、その反対側すなわ
ちウエハ移載装置３０のエレベータ側が左側とする。
【００１２】図１〜図４に示されているように、バッチ
式ＣＶＤ装置１は型鋼や鋼板等によって直方体の箱形状
に構築された筐体２を備えている。筐体２の内部におけ
る後端部には後記するボートを収容して待機させる待機
空間を構成する待機室３を形成した待機室チャンバ４が
設置されており、待機室３は適度（大気圧程度に耐え得
る常圧気密構造）の気密室に構成されている。待機室チ
ャンバ４の前面壁にはゲート６によって開閉されるウエ
ハ搬入搬出口５が開設されている。待機室チャンバ４の
後面壁には保守点検等に際してボートを待機室チャンバ
４の内部に対して出し入れするための保守点検口７が開
設されており、通常時には、保守点検口７はゲート８に
よって閉塞されている。図２に示されているように、待
機室チャンバ４には給気管９および排気管１０が待機室
３に連通するようにそれぞれ接続されており、給気管９
および排気管１０には窒素ガスＧが待機室３を流通する
ように供給および排気されるようになっている。
【００１３】図１、図３および図４に示されているよう
に、筐体２の後端部の上部にはヒータユニット１３が垂
直方向に据え付けられており、ヒータユニット１３の内
部には上端が閉塞し下端が開口した円筒形状のプロセス
チューブ１４が同心円に配置されている。プロセスチュ
ーブ１４は筐体２にマニホールド１５を介して支持され
ており、マニホールド１５は待機室チャンバ４の天井壁
および筐体２の中間壁にそれぞれ開設されたマニホール
ド挿入口１１、１２に同心円に配置されて筐体２に支持
されている。マニホールド１５にはプロセスチューブ１
４の円筒中空部によって形成された処理室１４ａに、原
料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管１６
とプロセスチューブ１４の内部を真空排気するための排
気管１７とが接続されている。プロセスチューブ１４の
炉口としてのマニホールド１５の下端開口はシャッタ１
８によって開閉されるように構成されている。
【００１４】図１および図２に示されているように、待
機室３にはボートを昇降させるためのボートエレベータ
１９が設置されており、詳細な図示は省略するが、ボー
トエレベータ１９は垂直に立脚されて回転自在に支承さ
れた送りねじ軸と、送りねじ軸を正逆回転させるモータ
と、送りねじ軸に昇降自在に螺合された昇降部材１９ａ
とを備えている。なお、送りねじ軸と昇降部材との螺合
部には、昇降時の動きやバックラッシュを良好なものと
するためにボールねじ機構を使用することが望ましい。
【００１５】ボートエレベータ１９の昇降部材１９ａの
先端部の上面にはシールキャップ２０が水平に据え付け
られている。シールキャップ２０はプロセスチューブ１
４の炉口になるマニホールド１５の下端開口をシールす
るように構成されているとともに、ボート２１を垂直に
支持するように構成されている。ボート２１は複数本
（本実施の形態では三本）のウエハ（基板）保持部材を
備えており、複数枚（例えば、五十枚程度〜百五十枚程
度）のウエハＷをその中心を揃えて水平に支持した状態
で、プロセスチューブ１４の処理室１４ａに対してボー
トエレベータ１９によるシールキャップ２０の昇降に伴
って搬入搬出するように構成されている。
【００１６】図１〜図４に示されているように、筐体２
内の待機室チャンバ４の前側領域にはウエハ移載装置が
設置される設置空間としての設置室（以下、移載室とい
う。）２２を形成した移載室チャンバ２３が設置されて
おり、移載室２２は適度（大気圧程度に耐え得る常圧気
密構造）の気密室に構成されている。図２に示されてい
るように、移載室チャンバ２３には給気管２４および排
気管２５が移載室２２に連通するようにそれぞれ接続さ
れており、給気管２４および排気管２５には窒素ガスＧ
が移載室２２を流通するように供給および排気されるよ
うになっている。
【００１７】移載室２２にはボート２１に対してウエハ
Ｗを装填（チャージング）および脱装（ディスチャージ
ング）するウエハ移載装置３０が設置されている。ウエ
ハ移載装置３０はロータリーアクチュエータ３１を備え
ており、ロータリーアクチュエータ３１は上面に設置さ
れた第一リニアアクチュエータ３２を水平面内で回転さ
せるように構成されている。第一リニアアクチュエータ
３２の上面には第二リニアアクチュエータ３３が設置さ
れており、第一リニアアクチュエータ３２は第二リニア
アクチュエータ３３を水平移動させるように構成されて
いる。第二リニアアクチュエータ３３の上面には移動台
３４が設置されており、第二リニアアクチュエータ３３
は移動台３４を水平移動させるように構成されている。
移動台３４にはウエハＷを下から支持するツィーザ３５
が複数枚（本実施の形態においては五枚）、等間隔に配
置されて水平に取り付けられている。ウエハ移載装置３
０は送りねじ装置等によって構成されたエレベータ３６
によって全体的に昇降されるようになっている。
【００１８】図１〜図４に示されているように、移載室
チャンバ２３の正面壁にはウエハを移載室２２に対して
搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口４０が一対、垂直
方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段の
ウエハ搬入搬出口４０、４０には一対のポッドオープナ
４１、４１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ
４１はいずれもポッドＰを載置する載置台４２と、載置
台４２に載置されたポッドＰのキャップを着脱するキャ
ップ着脱機構４３とを備えており、載置台４２に載置さ
れたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構４３によっ
て着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し入れ口を
開閉するようになっている。ポッドオープナ４１の載置
台４２に対してはポッドＰが、後記するポッド搬送装置
５６によって搬入および搬出されるようになっている。
【００１９】筐体２の正面壁にはポッド搬入搬出口５０
が筐体２の内外を連通するように開設されており、ポッ
ド搬入搬出口５０はフロントシャッタ５１によって開閉
されるようになっている。筐体２の正面壁のポッド搬入
搬出口５０の手前にはポッドステージ５２が設置されて
おり、ポッドステージ５２はポッドＰを載置されて位置
合わせを実行するように構成されている。ポッドＰはポ
ッドステージ５２の上に工程内搬送装置（図示せず）に
よって搬入され、かつまた、ポッドステージ５２の上か
ら搬出されるようになっている。
【００２０】図１、図３および図４に示されているよう
に、筐体２内の前後方向の略中央部における上部には回
転式ポッド棚５３が設置されており、回転式ポッド棚５
３は複数個のポッドＰを保管するように構成されてい
る。すなわち、回転式のポッド棚５３は移載室チャンバ
２３の上に垂直に立設されて水平面内で間欠回転される
支柱５４と、支柱５４に上中下段の各位置において放射
状に支持された複数枚の棚板５５とを備えており、複数
枚の棚板５５はポッドＰを一個宛それぞれ載置した状態
で保持するように構成されている。
【００２１】図１〜図４に示されているように、筐体２
内のポッドステージ５２と回転式ポッド棚５３およびポ
ッドオープナ４１の載置台４２との間にはポッド搬送装
置５６が設置されており、ポッド搬送装置５６はポッド
ステージ５２と回転式ポッド棚５３との間および回転式
ポッド棚５３とポッドオープナ４１の載置台４２との間
でポッドＰを搬送するように構成されている。すなわ
ち、ポッド搬送装置５６は筐体２の底面の上に左右方向
に敷設されたリニアアクチュエータ５７と、リニアアク
チュエータ５７によって左右方向に移動されるポッドエ
レベータ５８と、ポッドエレベータ５８の昇降台５９に
よって支持されたロボットアーム６０と、ロボットアー
ム６０の最終段に取り付けられたポッド保持部材６１と
を備えており、ロボットアーム６０の操作によるポッド
保持部材６１の三次元の移動によってポッドＰを下から
掬い取って下から支えた状態で搬送するようになってい
る。
【００２２】また、図２に示されているように、筐体２
内におけるポッド搬送装置５６のポッドエレベータ５８
と反対側にはクリーンエアユニット６２が設置されてお
り、クリーンエアユニット６２はクリーンエアを筐体２
の内部に流通させるように構成されている。
【００２３】次に、本発明の一実施の形態に係る半導体
装置の製造方法の特徴工程である成膜工程を、前記構成
に係るバッチ式ＣＶＤ装置を使用して実施する場合につ
いて説明する。
【００２４】図１〜図４に示されているように、ポッド
Ｐがポッドステージ５２に供給されると、ポッド搬入搬
出口５０がフロントシャッタ５１によって開放され、ポ
ッドステージ５２の上のポッドＰはポッド搬送装置５６
のポッド保持部材６１によって掬い取られ、筐体２の内
部へポッド搬入搬出口５０から搬入される。搬入された
ポッドＰは回転式ポッド棚５３の指定された棚板５５へ
ポッド搬送装置５６によって自動的に搬送されて受け渡
され、その棚板５５に一時的に保管される。
【００２５】回転式ポッド棚５３の指定の棚板５５に一
時的に保管されたポッドＰはポッド搬送装置５６によっ
て掬い取られ、一方のポッドオープナ４１に搬送されて
載置台４２に移載される。この際、ポッドオープナ４１
のウエハ搬入搬出口４０はキャップ着脱機構４３によっ
て閉じられており、移載室２２には窒素ガスＧが給気管
２４および排気管２５によって流通されることによって
充満されている。すなわち、移載室２２の酸素濃度は２
０ｐｐｍ以下と、筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃
度よりも遙に低く設定されている。
【００２６】載置台４２に載置されたポッドＰはその開
口側端面が移載室チャンバ２３の正面におけるウエハ搬
入搬出口４０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、
そのキャップがキャップ着脱機構４３によって取り外さ
れ、ウエハ出し入れ口を開放される。この際、移載室２
２と待機室３との間を仕切る隔壁に開設されたウエハ搬
入搬出口５はゲート６によって閉じられており、移載室
２２には窒素ガスＧが給気管２４および排気管２５によ
って流通されることによって充満され、待機室３には窒
素ガスＧが給気管９および排気管１０によって流通され
ることによって充満されている。そして、待機室３の酸
素濃度（１ｐｐｍ以下）は移載室２２の酸素濃度（２０
ｐｐｍ以下）よりも低く維持されている。なお、ゲート
６を開放した際、移載室２２から待機室３へ雰囲気が流
入することによる待機室３の酸素濃度の影響を低減する
ため、待機室３に対する窒素ガスＧの流量を移載室２２
に対する窒素ガスＧの流量よりも多く設定し、待機室３
の内部の圧力を移載室２２の内部の圧力よりも高く維持
しても良い。
【００２７】次いで、ポッドＰに収納された複数枚のウ
エハＷはウエハ移載装置３０のツィーザ３５によって掬
い取られ、ウエハ搬入搬出口４０から移載室２２に搬入
される。続いて、移載室２２と待機室３とを仕切る隔壁
に開設されたウエハ搬入搬出口５がゲート６によって開
放され、ツィーザ３５によって保持されたウエハＷがウ
エハ搬入搬出口５から待機室３へ搬入され、ボート２１
に装填（チャージング）される。
【００２８】この際、待機室３の内部の圧力が移載室２
２の内部の圧力よりも高く維持されているため、移載室
２２の雰囲気（大気を不純物として含む窒素ガスＧ）が
待機室３に流入することは防止されている。すなわち、
待機室３の酸素濃度は移載室２２の酸素濃度よりも低く
維持されるようになっている。また、この際、プロセス
チューブ１４の炉口はシャッタ１８によって閉じられて
いるため、プロセスチューブ１４の処理室の輻射熱がウ
エハＷに及ぼす影響は小さい。したがって、ウエハＷに
自然酸化膜が生成される蓋然性はきわめて低い。
【００２９】ボート２１にウエハＷを受け渡して装填し
たツィーザ３５は、ウエハ搬入搬出口５から移載室２２
にウエハ移載装置３０の作動によって引き戻される。以
降、前記ウエハ移載装置３０の作動が繰り返されること
により、一方のポッドオープナ４１の載置台４２の上の
ポッドＰの全てのウエハＷがボート２１に順次装填され
て行く。
【００３０】この一方（上段または下段）のポッドオー
プナ４１におけるウエハ移載装置３０によるウエハのボ
ートへの装填作業中に、他方（下段または上段）のポッ
ドオープナ４１には回転式ポッド棚５３から別のポッド
Ｐがポッド搬送装置５６によって搬送されて移載され、
ポッドオープナ４１によるポッドＰの開放作業が同時進
行される。このように他方のポッドオープナ４１におい
て開放作業が同時進行されていると、一方のポッドオー
プナ４１におけるウエハのボートへの装填作業の終了と
同時に、他方のポッドオープナ４１にセットされたポッ
ドＰについてのウエハ移載装置３０によるウエハのボー
トへの装填作業を開始することができる。すなわち、ウ
エハ移載装置３０はポッドＰの入替え作業についての待
ち時間を浪費することなくウエハのボートへの装填作業
を連続して実施することができるため、バッチ式ＣＶＤ
装置１のスループットを高めることができる。
【００３１】以上のようにして予め指定された枚数のウ
エハＷがボート２１に装填されると、ボート２１はボー
トエレベータ１９によって上昇されてプロセスチューブ
１４の処理室１４ａに搬入（ボートローディング）され
る。この際、移載室２２と待機室３との間を仕切る隔壁
に開設されたウエハ搬入搬出口５はゲート６によって閉
じられており、待機室３には窒素ガスＧが給気管９およ
び排気管１０によって流通されることによって充満され
ている。この待機室３はきわめて限定された空間であり
容積が小さいため、待機室３への窒素ガスＧの流通量を
小さく抑制しても酸素濃度を低く維持することができ
る。したがって、搬入に際して、プロセスチューブ１４
の炉口がシャッタ１８によって開放されることにより、
ウエハＷがプロセスチューブ１４の処理室１４ａからの
高温輻射熱に晒されても、自然酸化膜がウエハＷに生成
するのを防止することができる。
【００３２】また、このようにして待機室３に新鮮な窒
素ガスＧを給気管９および排気管１０によって常に流通
させることより、ボートエレベータ１９からの発塵を押
し流すことができるため、発塵による悪影響を防止する
ことができる。
【００３３】ところで、ボートエレベータ１９の送りね
じ軸等にはグリースが塗布されており、このグリースの
耐熱温度は大気圧下で２６０℃であるため、２６０℃以
上になると、グリースは蒸発（原子構造が分解されて原
子が飛び出す現象）することによって有機物質を発生
し、ウエハの有機汚染の原因になる。本実施の形態にお
いては、待機室３に冷えた窒素ガスＧを給気管９および
排気管１０によって常に流通させることにより、ボート
エレベータ１９を効果的に冷却することができるため、
グリースからの有機物質の発生を抑止し有機汚染の発生
を未然に防止することができる。
【００３４】ボート２１が上限に達すると、ボート２１
を保持したシールキャップ２０の上面の周辺部がマニホ
ールド１５の炉口をシール状態に閉塞するため、プロセ
スチューブ１４の処理室１４ａは気密に閉じられた状態
になる。
【００３５】プロセスチューブ１４の処理室１４ａが気
密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管１７によ
って真空排気され、ヒータユニット１３によって所定の
温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管１６によ
って所定の流量だけ供給される。これにより、所定の膜
がウエハＷに形成される。
【００３６】予め設定された処理時間が経過すると、ボ
ート２１がボートエレベータ１９によって下降されるこ
とにより、処理済みウエハＷを保持したボート２１が待
機室３に搬出（ボートアンローディング）される。この
際、待機室３には窒素ガスＧが給気管９および排気管１
０によって流通されることにより充満されて酸素濃度が
低く抑えられているため、高温になったウエハＷが待機
室３に搬出されても、ウエハＷに自然酸化膜が生成され
るのは防止されることになる。
【００３７】待機室３に搬出されたボート２１の処理済
みウエハＷは待機室３を流通する冷えた窒素ガスＧによ
って冷却される。ウエハＷが所定の温度に冷えると、待
機室３と移載室２２とを仕切る隔壁に開設されたウエハ
搬入搬出口５がゲート６によって開放される。続いて、
ウエハ移載装置３０のツィーザ３５がウエハ搬入搬出口
５に挿入され、ボート２１に保持されたウエハＷがツィ
ーザ３５によって掬い取られて、ボート２１から脱装
（ディスチャージング）される。ツィーザ３５によって
保持されたウエハＷはウエハ搬入搬出口５から移載室２
２へ搬出され、ポッドオープナ４１において開放されて
いるポッドＰに挿入されて収納される。この際にも、待
機室３の内部の圧力が移載室２２の内部の圧力よりも高
く維持されているため、移載室２２の雰囲気（大気を不
純物として含む窒素ガスＧ）が待機室３に流入すること
は防止される。すなわち、待機室３の酸素濃度は移載室
２２の酸素濃度よりも低く維持されている。したがっ
て、自然酸化膜が処理済みのウエハＷに生成するのを防
止することができる。
【００３８】以上のようにして所定枚数の処理済みのウ
エハＷが収納されると、ポッドＰはポッドオープナ４１
によってキャップを装着されて閉じられる。続いて、処
理済みのウエハＷが収納されたポッドＰはポッドオープ
ナ４１の載置台４２から回転式ポッド棚５３の指定され
た棚板５５にポッド搬送装置５６によって搬送されて一
時的に保管される。
【００３９】以上の処理済みウエハＷのボート２１から
の脱装（ディスチャージング）作業の際も、ボート２１
がバッチ処理したウエハＷの枚数は一台の空のポッドＰ
に収納するウエハＷの枚数よりも何倍も多いため、複数
台のポッドＰが上下のポッドオープナ４１、４１に交互
にポッド搬送装置５６によって繰り返し供給されること
になる。この場合にも、一方（上段または下段）のポッ
ドオープナ４１へのウエハ移載作業中に、他方（下段ま
たは上段）のポッドオープナ４１への空のポッドＰへの
搬送や準備作業が同時進行されることにより、ウエハ移
載装置３０はポッドＰの入替え作業についての待ち時間
を浪費することなく脱装作業を連続して実施することが
できるため、バッチ式ＣＶＤ装置１のスループットを高
めることができる。
【００４０】その後、処理済みのウエハＷを収納したポ
ッドＰは回転式ポッド棚５３からポッド搬入搬出口５０
へポッド搬送装置５６により搬送され、ポッド搬入搬出
口５０から筐体２の外部に搬出されてポッドステージ５
２の上に載置される。ポッドステージ５２の上に載置さ
れたポッドＰは次工程へ工程内搬送装置によって搬送さ
れる。
【００４１】なお、新旧のポッドＰについてのポッドス
テージ５２への搬入搬出作業およびポッドステージ５２
と回転式ポッド棚５３との間の入替え作業は、プロセス
チューブ１４におけるボート２１の搬入搬出作業や成膜
処理の間に同時に進行されるため、バッチ式ＣＶＤ装置
１の全体としての作業時間が延長されるのを防止するこ
とができる。
【００４２】以降、前述した作用が繰り返されてウエハ
Ｗがバッチ式ＣＶＤ装置１によってバッチ処理されて行
く。
【００４３】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
【００４４】1) 待機室の酸素濃度（１ｐｐｍ以下。好
ましくは、０．１ｐｐｍ以上、１ｐｐｍ以下で制御）を
移載室の酸素濃度（２０ｐｐｍ以下。好ましくは、１ｐ
ｐｍ以上、２０ｐｐｍ以下に制御）よりも低く維持する
ことにより、ウエハがプロセスチューブの処理室からの
高温雰囲気に晒された時であっても、自然酸化膜がウエ
ハに生成するのを防止することができるため、バッチ式
ＣＶＤ装置および半導体装置の製造方法の成膜工程の品
質および信頼性を高めることができ、ひいては半導体装
置の製造方法の歩留りを高めることができる。
【００４５】2) 待機室と移載室とを仕切るとともに、
両室に窒素ガスを常に充満させているので、たとえ、ポ
ッドから移載室へウエハを投入する際に移載室に大気雰
囲気（酸素）が混入したとしても、移載室にて酸素濃度
の上昇がある程度抑えられ、待機室への影響を抑えるこ
とができる。さらにこれに加え、本発明では、待機室の
酸素濃度（１ｐｐｍ以下）を移載室の酸素濃度（２０ｐ
ｐｍ以下）よりも低く維持しているので、たとえ、移載
室から待機室へウエハを搬入する際に、移載室の比較的
高い酸素濃度の雰囲気が待機室に混入したとしても、待
機室の酸素濃度は元々低い濃度なので、処理室からの高
温雰囲気に晒された際に生じる自然酸化膜の生成に影響
のない濃度に抑えられ（または、少ない量の窒素ガス量
により容易に影響のない酸素濃度に低減が可能）、窒素
ガスのランニングコストを抑えつつ成膜工程の品質およ
び信頼性を高めることができる。
【００４６】3) 待機室と移載室とを仕切ることによっ
て待機室の容積を小さく設定することにより、窒素ガス
の消費量を大幅に低減しつつ、待機室の酸素濃度を低く
維持することができるため、バッチ式ＣＶＤ装置および
成膜工程のランニングコストを大幅に低減することがで
きる。
【００４７】4) 待機室と移載室とを仕切るとともに待
機室に窒素ガスを常に充満させておくことにより、待機
室を大気雰囲気から窒素ガス雰囲気に置換させるステッ
プを省略することができるため、バッチ式ＣＶＤ装置お
よび半導体装置の製造方法の成膜工程のスループットを
向上させることができる。
【００４８】5) 待機室の内部の圧力を移載室の内部の
圧力よりも高く維持することにより、移載室の雰囲気が
待機室に流入するのを防止することができるため、待機
室の酸素濃度を移載室の酸素濃度よりも低く維持するこ
とができる。
【００４９】6) 待機室に新鮮な窒素ガスを常に流通さ
せることにより、ボートエレベータやウエハ移載装置お
よびボート等からの発塵を押し流すことができるため、
発塵による悪影響を防止することができる。
【００５０】7) 待機室に冷えた窒素ガスを常に流通さ
せることにより、ボートエレベータを効果的に冷却する
ことができるため、ボートエレベータに使用されたグリ
ースからの有機物質の発生を抑止し有機汚染の発生を未
然に防止することができる。
【００５１】8) 待機室に冷えた窒素ガスを常に流通さ
せることにより、処理済みのウエハおよびボートを迅速
に冷却することができるため、ウエハのボートからの脱
装待ち時間を短縮することができる。
【００５２】図５は本発明の第二の実施の形態であるバ
ッチ式ＣＶＤ装置を示す一部切断側面図である。
【００５３】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、待機室チャンバ４と移載室チャンバ２３とが所謂魔
法瓶構造に構成されている点である。すなわち、待機室
チャンバ４が移載室チャンバ２３の内部に収納されてい
る。ちなみに、移載室チャンバ２３の後面壁には待機室
チャンバ４の後面壁の保守点検口７に対向して保守点検
口７Ａが開設されており、この保守点検口７Ａはゲート
８Ａによって閉塞されている。
【００５４】本実施の形態によれば、待機室チャンバ４
と筐体２との間にバッファ空間２６が移載室チャンバ２
３によって形成されるため、筐体２の外部の大気が待機
室３の内部の酸素濃度へ及ぼす影響を抑制することがで
きる。
【００５５】図６は本発明の第三の実施の形態であるバ
ッチ式ＣＶＤ装置を示す一部省略平面断面図である。
【００５６】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、待機室３の内部にボート２１の存在空間とボートエ
レベータ１９の設置空間とを流体的に隔てる隔壁７０が
介設されている点である。すなわち、隔壁７０は待機室
３のボート２１とボートエレベータ１９との間に両者の
空間を仕切るように垂直に立脚されており、隔壁７０の
中間部には昇降板１９ａを挿通させるための挿通口７１
が昇降板１９ａのストロークに対応する長さをもって垂
直方向に長く開設されている。隔壁７０の内部には窒素
ガス流通路７２が敷設されており、窒素ガス流通路７２
は隔壁７０の挿通口７１の側壁面に開設された吹出口７
３に接続されている。また、待機室３に窒素ガスＧを供
給する給気管９は待機室チャンバ４のボート２１の存在
空間側に接続されており、待機室３から窒素ガスＧを排
出する排気管１０はボートエレベータ１９の設置空間側
に接続されている。
【００５７】本実施の形態によれば、ボート２１の存在
空間とボートエレベータ１９の設置空間とが隔壁７０に
よって隔絶されているため、ボートエレベータ１９の発
塵や有機物質によるボート２１のウエハＷの汚染をより
一層確実に防止することができる。すなわち、待機室３
に窒素ガスＧを供給する給気管９が待機室チャンバ４の
ボート２１の存在空間側に接続され、待機室３から窒素
ガスＧを排出する排気管１０がボートエレベータ１９の
設置空間側に接続されていることにより、窒素ガスＧの
流れはボート２１側からボートエレベータ１９側の方向
になるため、ボートエレベータ１９の発塵や有機物質が
ボート２１側に流れ込むのを防止することができる。ち
なみに、昇降板挿通口７１におけるボートエレベータ１
９側からボート２１側への漏洩は、吹出口７３から吹き
出される窒素ガスＧのエアカーテンによって抑止され
る。なお、窒素ガス流通路７２をボート２１側とボート
エレベータ１９側との間に多層（すなわち、図６の左右
方向に多層配置）に設けて、エアカーテン効率をより向
上させてもよい。
【００５８】図７は本発明の第四の実施の形態であるバ
ッチ式ＣＶＤ装置を示す一部省略平面断面図である。
【００５９】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、待機室チャンバ４がロードロックチャンバ構造に構
成されている点である。すなわち、待機室チャンバ４は
大気圧以下の真空度にも耐える気密構造に形成されてい
るとともに、待機室チャンバ４には待機室３に窒素ガス
Ｇを流通させる給気管９および待機室３を真空排気し、
窒素ガスを排気するための排気管７４が接続されてい
る。
【００６０】本実施の形態によれば、待機室３を大気圧
以下の真空に排気することにより、待機室３の酸素濃度
を確実に低減することができ、かつまた、待機室３に窒
素ガスを充満させることにより、待機室３の壁面に付着
した水滴を窒素ガスによって除去することができる。し
たがって、ウエハＷに自然酸化膜が生成するのをより一
層確実に防止することができる。
【００６１】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【００６２】例えば、前記実施の形態においては一台の
ボートが設置された場合について説明したが、二台以上
のボートが設置される場合についても、本発明は適用す
ることができる。
【００６３】また、ポッドオープナは上下二段設置する
に限らず、一段または上中下三段のように三段以上設置
してもよいし、複数のポッドオープナを横並びに設置し
てもよい。
【００６４】基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリ
ント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび
磁気ディスク等であってもよい。
【００６５】バッチ式ＣＶＤ装置は成膜処理に使用する
に限らず、酸化膜形成処理や拡散処理等の熱処理にも使
用することができる。
【００６６】前記実施の形態ではバッチ式縦形拡散・Ｃ
ＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限
らず、バッチ式横形拡散・ＣＶＤ装置等のＣＶＤ装置全
般に適用することができる。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
窒素ガスの消費量を抑制しつつ被処理基板の自然酸化や
汚染を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装
置を示す概略斜視図である。
【図２】その平面断面図である。
【図３】その側面断面図である。
【図４】ボート搬入時を示す側面断面図である。
【図５】本発明の第二の実施の形態であるバッチ式ＣＶ
Ｄ装置を示す一部切断側面図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態であるバッチ式ＣＶ
Ｄ装置を示す一部省略平面断面図である。
【図７】本発明の第四の実施の形態であるバッチ式ＣＶ
Ｄ装置を示す一部省略平面断面図である。
【符号の説明】
１…バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、２…筐体、
３…待機室（待機空間）、４…待機室チャンバ、５…ウ
エハ搬入搬出口、６…ゲート、７、７Ａ…保守点検口、
８、８Ａ…ゲート、９…給気管、１０…排気管、１１、
１２…マニホールド挿入口、１３…ヒータユニット、１
４…プロセスチューブ、１４ａ…処理室、１５…マニホ
ールド、１６…ガス導入管、１７…排気管、１８…シャ
ッタ、１９…ボートエレベータ、１９ａ…昇降部材、２
０…シールキャップ、２１…ボート（基板保持部材）、
２２…移載室（ウエハ移載装置設置空間）、２３…移載
室チャンバ、２４…給気管、２５…排気管、２６…バッ
ファ空間、３０…ウエハ移載装置、３１…ロータリーア
クチュエータ、３２…第一リニアアクチュエータ、３３
…第二リニアアクチュエータ、３４…移動台、３５…ツ
ィーザ、３６…エレベータ、４０…ウエハ搬入搬出口、
４１…ポッドオープナ、４２…載置台、４３…キャップ
着脱機構、５０…ポッド搬入搬出口、５１…フロントシ
ャッタ、５２…ポッドステージ、５３…回転式ポッド
棚、５４…支柱、５５…棚板、５６…ポッド搬送装置、
５７…リニアアクチュエータ、５８…ポッドエレベー
タ、５９…昇降台、６０…ロボットアーム、６１…ポッ
ド保持部材、６２…クリーンエアユニット、７０…隔
壁、７１…昇降板挿通口、７２…窒素ガス流通路、７３
…吹出口、７４…排気管。
フロントページの続き (72)発明者 米満 修司 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 宮田 敏光 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 GA02 GA13 JA06 KA49 LA15 5F031 CA02 DA09 DA17 FA01 FA03 FA12 FA14 GA49 GA50 MA02 MA28 NA10 NA20 PA26 PA30 5F045 AA06 BB08 BB15 DP19 EB02 EB08 EB10 EM10 EN05

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に熱処理を施す処理室へ前記基板を
    保持した状態で処理室の開口を通して搬入する基板保持
    部材と、この基板保持部材に前記基板を移載する基板移
    載装置とを備えている基板処理装置であって、前記開口
    を通る前記処理室の延長線上に形成されて前記基板保持
    部材が前記搬入に待機する気密な待機室の酸素濃度と、
    前記基板移載装置が設置された気密な基板移載室の酸素
    濃度とに差が設定されていることを特徴とする基板処理
    装置。
  2. 【請求項２】 前記待機室の酸素濃度が前記基板移載室
    の酸素濃度よりも小さく設定されていることを特徴とす
    る請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 前記待機室は前記基板移載室の空間内に
    配置されており、前記基板移載室と前記待機室とが筐体
    によって外部と隔絶されており、かつ、前記待機室が前
    記基板移載室によって前記筐体内の雰囲気に対して隔絶
    されていることを特徴とする請求項１または２に記載の
    基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記待機室と前記基板移載室とは隣接し
    て設置されており、前記待機室と前記基板移載室のうち
    前記待機室の内部のみが真空排気されるように構成され
    ていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板
    処理装置。
  5. 【請求項５】 前記基板移載室の酸素濃度が２０ｐｐｍ
    以下で、前記待機室の酸素濃度が前記基板移載室の酸素
    濃度よりも低い１ｐｐｍ以下に設定されている請求項２
    に記載の基板処理装置。
  6. 【請求項６】 基板に熱処理を施す処理室へ前記基板を
    保持した状態で処理室の開口を通して搬入する基板保持
    部材と、この基板保持部材に前記基板を移載する基板移
    載装置とを備えている基板処理装置を使用する熱処理工
    程を含む半導体装置の製造方法であって、前記開口を通
    る前記処理室の延長線上に形成されて前記基板保持部材
    が前記搬入に待機する気密な待機室の酸素濃度と、前記
    基板移載装置が設置された気密な基板移載室の酸素濃度
    とに差が設定されていることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006006377A1 (ja) * 2004-07-13 2006-01-19 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN110998817A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 Asm Ip私人控股有限公司 用以存储用于基底的盒的存储设备及配备其的处理设备
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311306A (ja) * 2004-03-25 2005-11-04 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法
JP4266197B2 (ja) * 2004-10-19 2009-05-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US7611124B2 (en) * 2004-12-22 2009-11-03 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US9230838B2 (en) * 2006-07-26 2016-01-05 Tec-Sem Ag Apparatus for storage of objects from the field of manufacture of electronic components
US9460945B2 (en) * 2006-11-06 2016-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus for semiconductor devices
US8128333B2 (en) * 2006-11-27 2012-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and manufacturing method for semiconductor devices
US8814488B2 (en) * 2007-04-02 2014-08-26 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP5050761B2 (ja) * 2007-10-03 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理システム及び被処理体の熱処理方法
US8870512B2 (en) * 2007-10-27 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
JP5318005B2 (ja) * 2010-03-10 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法
JP5779957B2 (ja) * 2011-04-20 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 ローディングユニット及び処理システム
JP5598734B2 (ja) * 2012-01-06 2014-10-01 株式会社ダイフク 物品保管設備
EP3787016B1 (en) 2013-12-26 2023-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
KR102458181B1 (ko) 2014-01-21 2022-10-21 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
KR101963489B1 (ko) 2014-04-30 2019-07-31 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
KR20180082498A (ko) 2015-11-16 2018-07-18 카티바, 인크. 기판을 열처리하기 위한 시스템 및 방법
WO2019212651A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 Applied Materials, Inc Substrate tilt control in high speed rotary sorter
US11915960B2 (en) * 2019-07-31 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11569102B2 (en) 2020-02-14 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006006377A1 (ja) * 2004-07-13 2006-01-19 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JPWO2006006377A1 (ja) * 2004-07-13 2008-04-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4559427B2 (ja) * 2004-07-13 2010-10-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US9111972B2 (en) 2004-07-13 2015-08-18 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and manufacturing method for a semiconductor device
CN110998817A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 Asm Ip私人控股有限公司 用以存储用于基底的盒的存储设备及配备其的处理设备
JP2020529740A (ja) * 2017-08-09 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材用のカセットを保管するための保管装置、およびそれを備える処理装置
JP7187536B2 (ja) 2017-08-09 2022-12-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材用のカセットを保管するための保管装置、およびそれを備える処理装置
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
CN110998817B (zh) * 2017-08-09 2023-11-10 Asm Ip私人控股有限公司 用以存储用于基底的盒的存储设备及配备其的处理设备

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