JP2003332325A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2003332325A JP2003332325A JP2002135346A JP2002135346A JP2003332325A JP 2003332325 A JP2003332325 A JP 2003332325A JP 2002135346 A JP2002135346 A JP 2002135346A JP 2002135346 A JP2002135346 A JP 2002135346A JP 2003332325 A JP2003332325 A JP 2003332325A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドア開放時に装置外のエアが待機室に流入す
るのを防止する。 【解決手段】 筐体11に形成された待機室28にクリ
ーンエア59を吹き出すサイドクリーンユニット50
と、待機室28に吹き出されたクリーンエア59と窒素
ガス噴出ノズル60から吹き出された窒素ガス62とを
サイドクリーンユニット50に戻す循環ダクト55と、
筐体11に開閉可能に取り付けられたメンテナンス用ド
ア48とを備えている熱処理装置10において、メンテ
ナンス用ドア48の開放時、クリーンエア59がサイド
クリーンユニット50から吹き出されて待機室28が正
圧に維持され、循環ダクト55はダンパ58で閉じられ
る。 【効果】 メンテナンス用ドアの開放時に待機室が正圧
に維持されることにより、熱処理装置外のエアが待機室
に流入するのを防止できるため、パーティクルの待機室
への侵入を防止できる。
るのを防止する。 【解決手段】 筐体11に形成された待機室28にクリ
ーンエア59を吹き出すサイドクリーンユニット50
と、待機室28に吹き出されたクリーンエア59と窒素
ガス噴出ノズル60から吹き出された窒素ガス62とを
サイドクリーンユニット50に戻す循環ダクト55と、
筐体11に開閉可能に取り付けられたメンテナンス用ド
ア48とを備えている熱処理装置10において、メンテ
ナンス用ドア48の開放時、クリーンエア59がサイド
クリーンユニット50から吹き出されて待機室28が正
圧に維持され、循環ダクト55はダンパ58で閉じられ
る。 【効果】 メンテナンス用ドアの開放時に待機室が正圧
に維持されることにより、熱処理装置外のエアが待機室
に流入するのを防止できるため、パーティクルの待機室
への侵入を防止できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、パーティクルによる汚染防止技術に係り、
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の
製造方法において半導体素子を含む半導体集積回路が作
り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に熱
処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnac
e )に利用して有効なものに関する。
関し、特に、パーティクルによる汚染防止技術に係り、
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の
製造方法において半導体素子を含む半導体集積回路が作
り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に熱
処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnac
e )に利用して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】ICの製造方法においてウエハに絶縁膜
や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したり
する熱処理工程には、熱処理装置が広く使用されてい
る。従来のこの種の熱処理装置においては、ウエハの表
面を汚染しICの製造方法の歩留りに悪影響を及ぼすパ
ーティクル(塵埃)を抑えるために、筐体の内部室にク
リーンエアを吹き出すクリーンユニットが設置されてお
り、クリーンユニットから筐体の内部室に吹き出された
クリーンエアは、例えば、ダウンブローに流れるように
設定されている。一般に、クリーンユニットの吸込口は
筐体の上面に配置されており、熱処理装置が設置された
クリーンルームの天井の直下の雰囲気を取り込むように
なっている。
や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したり
する熱処理工程には、熱処理装置が広く使用されてい
る。従来のこの種の熱処理装置においては、ウエハの表
面を汚染しICの製造方法の歩留りに悪影響を及ぼすパ
ーティクル(塵埃)を抑えるために、筐体の内部室にク
リーンエアを吹き出すクリーンユニットが設置されてお
り、クリーンユニットから筐体の内部室に吹き出された
クリーンエアは、例えば、ダウンブローに流れるように
設定されている。一般に、クリーンユニットの吸込口は
筐体の上面に配置されており、熱処理装置が設置された
クリーンルームの天井の直下の雰囲気を取り込むように
なっている。
【0003】ところで、ウエハを収容して搬送するため
のキャリア(搬送治具)としては、互いに対向する一対
の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオ
ープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱
形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着され
ているFOUP(front opening unified pod 。以下、
ポッドという。)とがある。ウエハのキャリアとしてポ
ッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で
搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティク
ル等が存在していたとしてもウエハの清浄度(クリーン
度)は維持することができる。したがって、昨今はウエ
ハに作り込まれる集積回路の微細化が進むにつれ、ポッ
ドが使用される場合が増加して来ている。
のキャリア(搬送治具)としては、互いに対向する一対
の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオ
ープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱
形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着され
ているFOUP(front opening unified pod 。以下、
ポッドという。)とがある。ウエハのキャリアとしてポ
ッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で
搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティク
ル等が存在していたとしてもウエハの清浄度(クリーン
度)は維持することができる。したがって、昨今はウエ
ハに作り込まれる集積回路の微細化が進むにつれ、ポッ
ドが使用される場合が増加して来ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポッド
の使用に伴ってクリーンルームのクリーン度が緩和され
た場合には、熱処理装置のメンテナンス用ドアが開放さ
れた際に、クリーン度の低下したクリーンルームの雰囲
気が熱処理装置の筐体の内部室に流入することにより、
クリーン度を高く維持した筐体の内部室のクリーン度が
低下するため、パーティクルのウエハへの付着が発生し
てしまう。
の使用に伴ってクリーンルームのクリーン度が緩和され
た場合には、熱処理装置のメンテナンス用ドアが開放さ
れた際に、クリーン度の低下したクリーンルームの雰囲
気が熱処理装置の筐体の内部室に流入することにより、
クリーン度を高く維持した筐体の内部室のクリーン度が
低下するため、パーティクルのウエハへの付着が発生し
てしまう。
【0005】本発明の目的は、メンテナンス用ドアの開
放時に筐体の外部の雰囲気がメンテナンス用出入口から
筐体の内部室に流入するのを防止することができる半導
体製造装置を提供することにある。
放時に筐体の外部の雰囲気がメンテナンス用出入口から
筐体の内部室に流入するのを防止することができる半導
体製造装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、クリーンルームに設置される半導体製造装置で
あって、筐体の内部室にクリーンエアを吹き出すクリー
ンユニットと、前記筐体の内部室に吹き出されたクリー
ンエアの少なくとも一部を前記クリーンユニットに戻す
循環ダクトと、前記クリーンルームの雰囲気を前記クリ
ーンユニットに導入するインテークダクトと、前記筐体
のメンテナンス用出入口に開閉可能に取り付けられたメ
ンテナンス用ドアとを備えている半導体製造装置におい
て、前記メンテナンス用ドアが開放された時には、前記
インテークダクトから雰囲気を前記クリーンユニットへ
導入するとともに、前記循環ダクトを閉じることを特徴
とする。
装置は、クリーンルームに設置される半導体製造装置で
あって、筐体の内部室にクリーンエアを吹き出すクリー
ンユニットと、前記筐体の内部室に吹き出されたクリー
ンエアの少なくとも一部を前記クリーンユニットに戻す
循環ダクトと、前記クリーンルームの雰囲気を前記クリ
ーンユニットに導入するインテークダクトと、前記筐体
のメンテナンス用出入口に開閉可能に取り付けられたメ
ンテナンス用ドアとを備えている半導体製造装置におい
て、前記メンテナンス用ドアが開放された時には、前記
インテークダクトから雰囲気を前記クリーンユニットへ
導入するとともに、前記循環ダクトを閉じることを特徴
とする。
【0007】前記した手段によれば、メンテナンス用ド
アが開放された時には筐体の内部室が正圧に維持するこ
とができるため、筐体の外部の雰囲気がメンテナンス用
出入口から筐体の内部室に流入するのを防止することが
できる。
アが開放された時には筐体の内部室が正圧に維持するこ
とができるため、筐体の外部の雰囲気がメンテナンス用
出入口から筐体の内部室に流入するのを防止することが
できる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
面に即して説明する。
【0009】本実施の形態において、本発明に係る半導
体製造装置は、図1〜図4に示されているように、熱処
理装置として構成されており、熱処理装置10はICの
製造工場のクリーンルーム(設置空間だけが図示されて
いる。)1に設置される。熱処理装置10は気密室構造
に構築された筐体11を備えており、筐体11のベース
12はクリーンルーム1のグレーチング2の上に設置さ
れている。この熱処理装置10においては、ウエハ3を
収容して搬送するためのキャリアとしては、クリーンル
ーム1のクリーン度を緩和可能なポッド4が使用されて
いる。
体製造装置は、図1〜図4に示されているように、熱処
理装置として構成されており、熱処理装置10はICの
製造工場のクリーンルーム(設置空間だけが図示されて
いる。)1に設置される。熱処理装置10は気密室構造
に構築された筐体11を備えており、筐体11のベース
12はクリーンルーム1のグレーチング2の上に設置さ
れている。この熱処理装置10においては、ウエハ3を
収容して搬送するためのキャリアとしては、クリーンル
ーム1のクリーン度を緩和可能なポッド4が使用されて
いる。
【0010】図1および図4に示されているように、筐
体11の正面の下部にはポッド4を筐体11内に搬入搬
出するためのポッド搬入搬出ポート(以下、ポッドポー
トという。)13が構築されており、ポッドポート13
に対応する筐体11の正面壁にはフロントシャッタ(図
示せず)によって開閉されるポッド搬入搬出口14が開
設されている。ポッドポート13に対してはポッド4が
工程内搬送装置(図示せず)によって搬入搬出されるよ
うになっている。筐体11の内部の正面壁のポッドポー
ト13の上方には複数個のポッド4を保管するバッファ
棚15が、左右方向に一杯に水平に敷設されている。
体11の正面の下部にはポッド4を筐体11内に搬入搬
出するためのポッド搬入搬出ポート(以下、ポッドポー
トという。)13が構築されており、ポッドポート13
に対応する筐体11の正面壁にはフロントシャッタ(図
示せず)によって開閉されるポッド搬入搬出口14が開
設されている。ポッドポート13に対してはポッド4が
工程内搬送装置(図示せず)によって搬入搬出されるよ
うになっている。筐体11の内部の正面壁のポッドポー
ト13の上方には複数個のポッド4を保管するバッファ
棚15が、左右方向に一杯に水平に敷設されている。
【0011】筐体11内の最前部にはポッド移載装置設
置室16が設定されており、この設置室16にはスカラ
形ロボット(selective compliance assembly robot ar
m 。SCARA)によって構成されたポッド移載装置1
7が設置されている。ポッド移載装置17はポッドポー
ト13、バッファ棚15、後記する回転棚19およびウ
エハローディングポート25間でポッド4を搬送するよ
うに構成されている。筐体11の内部空間におけるポッ
ド移載装置設置室16の後方の上部には回転棚設置室1
8が設定されており、この設置室18には回転棚19が
設置されている。回転棚19は複数個のポッド4を保管
するように構成されている。すなわち、回転棚19は棚
板20が複数段、モータ等の間欠回転駆動装置(図示せ
ず)によって一方向にピッチ送り回転される回転軸21
に上下方向に配されて水平に固定されており、棚板20
に保管されたポッド4が正面の位置に回転軸21のピッ
チ送り回転によって順次送られるようになっている。
置室16が設定されており、この設置室16にはスカラ
形ロボット(selective compliance assembly robot ar
m 。SCARA)によって構成されたポッド移載装置1
7が設置されている。ポッド移載装置17はポッドポー
ト13、バッファ棚15、後記する回転棚19およびウ
エハローディングポート25間でポッド4を搬送するよ
うに構成されている。筐体11の内部空間におけるポッ
ド移載装置設置室16の後方の上部には回転棚設置室1
8が設定されており、この設置室18には回転棚19が
設置されている。回転棚19は複数個のポッド4を保管
するように構成されている。すなわち、回転棚19は棚
板20が複数段、モータ等の間欠回転駆動装置(図示せ
ず)によって一方向にピッチ送り回転される回転軸21
に上下方向に配されて水平に固定されており、棚板20
に保管されたポッド4が正面の位置に回転軸21のピッ
チ送り回転によって順次送られるようになっている。
【0012】筐体11の内部空間におけるポッド移載装
置設置室16の後方の下部には、ポッド移載装置設置室
16の後方空間を上下および前後に仕切る水平壁部23
と垂直壁部24とからなる隔壁22が構築されており、
隔壁22の水平壁部23の上には回転棚19が設置され
ている。隔壁22の垂直壁部24における筐体11の回
転棚19の下側には、ウエハ3をローディングおよびア
ンローディングするためのポート(以下、ウエハポート
という。)25が一対、垂直方向上下で対向するように
それぞれ設定されている。垂直壁部24の上下のウエハ
ポート25、25に対応する位置にはウエハ3を出し入
れするためのウエハ搬入搬出口26、26がそれぞれ開
設されており、両ウエハ搬入搬出口26、26にはポッ
ド4のキャップを着脱してポッド4を開閉する一対のポ
ッドオープナ27、27がそれぞれ設置されている。
置設置室16の後方の下部には、ポッド移載装置設置室
16の後方空間を上下および前後に仕切る水平壁部23
と垂直壁部24とからなる隔壁22が構築されており、
隔壁22の水平壁部23の上には回転棚19が設置され
ている。隔壁22の垂直壁部24における筐体11の回
転棚19の下側には、ウエハ3をローディングおよびア
ンローディングするためのポート(以下、ウエハポート
という。)25が一対、垂直方向上下で対向するように
それぞれ設定されている。垂直壁部24の上下のウエハ
ポート25、25に対応する位置にはウエハ3を出し入
れするためのウエハ搬入搬出口26、26がそれぞれ開
設されており、両ウエハ搬入搬出口26、26にはポッ
ド4のキャップを着脱してポッド4を開閉する一対のポ
ッドオープナ27、27がそれぞれ設置されている。
【0013】図1および図4に示されているように、隔
壁22の後方の空間にはボート32がプロセスチューブ
35への搬入搬出に対して待機する待機室28が設定さ
れており、待機室28の前側の空間にはウエハ移載装置
29が設置されている。ウエハ移載装置29はウエハポ
ート25とボート32との間でウエハ3を搬送してポッ
ド4およびボート32に受け渡すように構成されてい
る。待機室28の後側の空間にはボートエレベータ30
が垂直に設置されており、ボートエレベータ30はボー
ト32を支持したシールキャップ31を垂直方向に昇降
させるように構成されている。すなわち、シールキャッ
プ31はマニホールド36を介してプロセスチューブ3
5をシール可能な円盤形状に形成されており、シールキ
ャップ31の上にはボート32が垂直に立脚されてい
る。ボート32は被処理基板としてのウエハ3を多数
枚、中心を揃えて水平に配置した状態で保持するように
構成されており、シールキャップ31のボートエレベー
タ30による昇降によってプロセスチューブ35の処理
室34に対して搬入搬出されるようになっている。
壁22の後方の空間にはボート32がプロセスチューブ
35への搬入搬出に対して待機する待機室28が設定さ
れており、待機室28の前側の空間にはウエハ移載装置
29が設置されている。ウエハ移載装置29はウエハポ
ート25とボート32との間でウエハ3を搬送してポッ
ド4およびボート32に受け渡すように構成されてい
る。待機室28の後側の空間にはボートエレベータ30
が垂直に設置されており、ボートエレベータ30はボー
ト32を支持したシールキャップ31を垂直方向に昇降
させるように構成されている。すなわち、シールキャッ
プ31はマニホールド36を介してプロセスチューブ3
5をシール可能な円盤形状に形成されており、シールキ
ャップ31の上にはボート32が垂直に立脚されてい
る。ボート32は被処理基板としてのウエハ3を多数
枚、中心を揃えて水平に配置した状態で保持するように
構成されており、シールキャップ31のボートエレベー
タ30による昇降によってプロセスチューブ35の処理
室34に対して搬入搬出されるようになっている。
【0014】図1および図3に示されているように、筐
体11の後端部における上部にはプロセスチューブ設置
室33が設定されており、プロセスチューブ設置室33
には処理室34を形成するプロセスチューブ35がマニ
ホールド36を介して垂直に立脚され待機室28の上に
設置されている。マニホールド36には処理室34に原
料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管37
と、処理室34を真空排気するための排気管38が接続
されている。プロセスチューブ35の外側にはヒータユ
ニット39が同心円に配されて筐体11に支持されてお
り、ヒータユニット39は処理室34を全体にわたって
均一または所定の温度分布を維持するように加熱するよ
うに構成されている。
体11の後端部における上部にはプロセスチューブ設置
室33が設定されており、プロセスチューブ設置室33
には処理室34を形成するプロセスチューブ35がマニ
ホールド36を介して垂直に立脚され待機室28の上に
設置されている。マニホールド36には処理室34に原
料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管37
と、処理室34を真空排気するための排気管38が接続
されている。プロセスチューブ35の外側にはヒータユ
ニット39が同心円に配されて筐体11に支持されてお
り、ヒータユニット39は処理室34を全体にわたって
均一または所定の温度分布を維持するように加熱するよ
うに構成されている。
【0015】図2および図4に示されているように、回
転棚設置室18の回転棚19の後方の片隅にはクリーン
ユニット40が設置されている。クリーンユニット40
はパーティクルを捕集するフィルタ41とファン42と
ダクト部43とを備えており、フィルタ41が回転棚設
置室18に露出するとともに、ファン42およびダクト
部43の下流側になるように構成されている。ダクト部
43の吸込口は筐体11の上面において開口されてい
る。図1、図3および図4に示されているように、ポッ
ド移載装置設置室16の下部にはフロント排気ファン4
4が一対、左右に並べられて設置されている。図1およ
び図3に示されているように、筐体11のベース12に
おけるポッド移載装置設置室16に接する領域には、多
数個の吹出口45がグレーチング2の下方空間に連通す
るように開設されている。したがって、クリーンユニッ
ト40から回転棚設置室18に吹き出されたクリーンエ
ア46は、ポッド移載装置設置室16を下方に流れて吹
出口45群からグレーチング2の下方空間へ排気される
ようになっている。
転棚設置室18の回転棚19の後方の片隅にはクリーン
ユニット40が設置されている。クリーンユニット40
はパーティクルを捕集するフィルタ41とファン42と
ダクト部43とを備えており、フィルタ41が回転棚設
置室18に露出するとともに、ファン42およびダクト
部43の下流側になるように構成されている。ダクト部
43の吸込口は筐体11の上面において開口されてい
る。図1、図3および図4に示されているように、ポッ
ド移載装置設置室16の下部にはフロント排気ファン4
4が一対、左右に並べられて設置されている。図1およ
び図3に示されているように、筐体11のベース12に
おけるポッド移載装置設置室16に接する領域には、多
数個の吹出口45がグレーチング2の下方空間に連通す
るように開設されている。したがって、クリーンユニッ
ト40から回転棚設置室18に吹き出されたクリーンエ
ア46は、ポッド移載装置設置室16を下方に流れて吹
出口45群からグレーチング2の下方空間へ排気される
ようになっている。
【0016】図1、図3および図5に示されているよう
に、待機室28の背面壁にはメンテナンス用出入口47
が大きく開設されており、メンテナンス用出入口47に
はメンテナンス用ドア48が適宜に開閉し得るように設
置されている。
に、待機室28の背面壁にはメンテナンス用出入口47
が大きく開設されており、メンテナンス用出入口47に
はメンテナンス用ドア48が適宜に開閉し得るように設
置されている。
【0017】図3および図4に示されているように、待
機室28の左側の側面にはサイドクリーンユニット50
が垂直に配置されて、略全面をカバーするように設備さ
れている。サイドクリーンユニット50はパーティクル
を捕集するフィルタ51と複数のファン52とダクト部
53とを備えており、フィルタ51が待機室28に露出
するとともに、ファン52群およびダクト部53の下流
側になるように構成されている。ダクト部53は一方に
おいて、図2および図4に示された導入経路としてのイ
ンテークダクト54に接続されており、インテークダク
ト54は筐体11の上面においてクリーンルーム1に開
口されている。インテークダクト54はダンパ(図示せ
ず)によって適宜に開閉されるように構成されている。
ダクト部53は他方において、循環ダクト55に接続さ
れており、図1および図4に示されているように、循環
ダクト55の吸込口56は待機室28の下部において開
口されている。循環ダクト55の吸込口56には循環フ
ァン57が設置されているとともに、循環ファン57の
上流側にはダンパ58が設置されている。
機室28の左側の側面にはサイドクリーンユニット50
が垂直に配置されて、略全面をカバーするように設備さ
れている。サイドクリーンユニット50はパーティクル
を捕集するフィルタ51と複数のファン52とダクト部
53とを備えており、フィルタ51が待機室28に露出
するとともに、ファン52群およびダクト部53の下流
側になるように構成されている。ダクト部53は一方に
おいて、図2および図4に示された導入経路としてのイ
ンテークダクト54に接続されており、インテークダク
ト54は筐体11の上面においてクリーンルーム1に開
口されている。インテークダクト54はダンパ(図示せ
ず)によって適宜に開閉されるように構成されている。
ダクト部53は他方において、循環ダクト55に接続さ
れており、図1および図4に示されているように、循環
ダクト55の吸込口56は待機室28の下部において開
口されている。循環ダクト55の吸込口56には循環フ
ァン57が設置されているとともに、循環ファン57の
上流側にはダンパ58が設置されている。
【0018】図3に示されているように、待機室28の
後部のサイドクリーンユニット50側の隅には冷却用窒
素ガス62を噴出する噴出ノズル60が複数本、一列に
並べられて垂直に立脚されている。また、図示しない
が、サイドクリーンユニット50の背面側には窒素ガス
62を供給する供給ポートが開設されている。図3、図
4および図5に示されているように、待機室28の後側
の右隅にはリア排気ファン61が垂直に設置されてい
る。
後部のサイドクリーンユニット50側の隅には冷却用窒
素ガス62を噴出する噴出ノズル60が複数本、一列に
並べられて垂直に立脚されている。また、図示しない
が、サイドクリーンユニット50の背面側には窒素ガス
62を供給する供給ポートが開設されている。図3、図
4および図5に示されているように、待機室28の後側
の右隅にはリア排気ファン61が垂直に設置されてい
る。
【0019】次に、前記構成に係る熱処理装置の作用を
説明する。
説明する。
【0020】図1に示されているように、ポッドポート
13に供給されたポッド4はポッド搬入搬出口14から
ポッド移載装置設置室16へポッド移載装置17によっ
て搬入される。図1および図2に示されているように、
搬入されたポッド4は回転棚19の指定された位置にポ
ッド移載装置17によって適宜に搬送されて一時的に保
管される。回転棚19に保管されたポッド4はポッド移
載装置19によって適宜にピックアップされて、上下の
うちの指定されたウエハポート25に搬送され、図1お
よび図3に示されているように、載置台に移載される。
13に供給されたポッド4はポッド搬入搬出口14から
ポッド移載装置設置室16へポッド移載装置17によっ
て搬入される。図1および図2に示されているように、
搬入されたポッド4は回転棚19の指定された位置にポ
ッド移載装置17によって適宜に搬送されて一時的に保
管される。回転棚19に保管されたポッド4はポッド移
載装置19によって適宜にピックアップされて、上下の
うちの指定されたウエハポート25に搬送され、図1お
よび図3に示されているように、載置台に移載される。
【0021】ウエハポート25の載置台に移載されたポ
ッド4はポッドオープナ27によってキャップを外され
て開放される。この一方のウエハポート25におけるポ
ッドオープナ27による開放作業の間に、他方のウエハ
ポート25には別のポッド4がポッド移載装置17によ
って回転棚19からピックアップされて移載される。し
たがって、ポッド移載装置17は上下のウエハポート2
5と回転棚19との間、並びに、回転棚19とポッドポ
ート13との間をきわめて効率よく移動して稼働するこ
とになる。
ッド4はポッドオープナ27によってキャップを外され
て開放される。この一方のウエハポート25におけるポ
ッドオープナ27による開放作業の間に、他方のウエハ
ポート25には別のポッド4がポッド移載装置17によ
って回転棚19からピックアップされて移載される。し
たがって、ポッド移載装置17は上下のウエハポート2
5と回転棚19との間、並びに、回転棚19とポッドポ
ート13との間をきわめて効率よく移動して稼働するこ
とになる。
【0022】ウエハポート25においてポッド4が開放
されると、ポッド4に収納された複数枚のウエハ3はウ
エハ移載装置29によってボート32に移載されて装填
(チャージング)される。この際、ボート32がバッチ
処理するウエハ3の枚数(例えば、百枚〜百五十枚)は
一台のポッド4に収納されたウエハ3の枚数(例えば、
二十五枚)よりも何倍も多いため、複数台のポッド4が
上下のウエハポート25、25にポッド移載装置17に
よって交互に繰り返し供給されることになる。
されると、ポッド4に収納された複数枚のウエハ3はウ
エハ移載装置29によってボート32に移載されて装填
(チャージング)される。この際、ボート32がバッチ
処理するウエハ3の枚数(例えば、百枚〜百五十枚)は
一台のポッド4に収納されたウエハ3の枚数(例えば、
二十五枚)よりも何倍も多いため、複数台のポッド4が
上下のウエハポート25、25にポッド移載装置17に
よって交互に繰り返し供給されることになる。
【0023】予め指定された枚数のウエハ3が上下のウ
エハポート25、25からボート32に移載されると、
ボート32はボートエレベータ30によって上昇されて
プロセスチューブ35の処理室34に搬入される。ボー
ト32が上限に達すると、ボート32を保持したシール
キャップ31の上面の周辺部がプロセスチューブ35を
シール状態に閉塞するため、処理室34は気密に閉じら
れた状態になる。
エハポート25、25からボート32に移載されると、
ボート32はボートエレベータ30によって上昇されて
プロセスチューブ35の処理室34に搬入される。ボー
ト32が上限に達すると、ボート32を保持したシール
キャップ31の上面の周辺部がプロセスチューブ35を
シール状態に閉塞するため、処理室34は気密に閉じら
れた状態になる。
【0024】プロセスチューブ35の処理室34が気密
に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管38によっ
て真空排気され、ヒータユニット39によって所定の温
度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管37によっ
て所定の流量だけ供給される。これにより、所定のCV
D膜がウエハ3に形成される。ちなみに、取り扱う膜種
によって異なるが、例えば、処理時間は約1時間〜2時
間になる。
に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管38によっ
て真空排気され、ヒータユニット39によって所定の温
度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管37によっ
て所定の流量だけ供給される。これにより、所定のCV
D膜がウエハ3に形成される。ちなみに、取り扱う膜種
によって異なるが、例えば、処理時間は約1時間〜2時
間になる。
【0025】そして、予め設定された処理時間が経過す
ると、ボート32がボートエレベータ30によって下降
されることにより、処理済みウエハ3を保持したボート
32が待機室28における元の待機位置に搬出(ボート
アンローディング)される。ボート32のプロセスチュ
ーブ35の処理室34への搬入搬出作業および処理作業
の間に、ポッドポート13や回転棚19においてはポッ
ド4の搬入搬出作業や移送作業が同時に進行される。
ると、ボート32がボートエレベータ30によって下降
されることにより、処理済みウエハ3を保持したボート
32が待機室28における元の待機位置に搬出(ボート
アンローディング)される。ボート32のプロセスチュ
ーブ35の処理室34への搬入搬出作業および処理作業
の間に、ポッドポート13や回転棚19においてはポッ
ド4の搬入搬出作業や移送作業が同時に進行される。
【0026】待機室28に搬出されたボート32の処理
済みウエハ3はボート32からウエハ移載装置29によ
ってピックアップされてウエハポート25に搬送され、
ウエハポート25に予め搬送されてキャップを外されて
開放された空のポッド4に収納される。続いて、ポッド
4がポッドオープナ27によって閉じられた後に、処理
済みのウエハ3が収納されたポッド4は回転棚19の指
定された位置にポッド移載装置17によって搬送されて
一時的に保管される。処理済みウエハ3を収納したポッ
ド4は回転棚19からポッドポート13へポッド移載装
置17によって搬送される。ポッドポート13に移載さ
れたポッド4は次工程へ搬送される。
済みウエハ3はボート32からウエハ移載装置29によ
ってピックアップされてウエハポート25に搬送され、
ウエハポート25に予め搬送されてキャップを外されて
開放された空のポッド4に収納される。続いて、ポッド
4がポッドオープナ27によって閉じられた後に、処理
済みのウエハ3が収納されたポッド4は回転棚19の指
定された位置にポッド移載装置17によって搬送されて
一時的に保管される。処理済みウエハ3を収納したポッ
ド4は回転棚19からポッドポート13へポッド移載装
置17によって搬送される。ポッドポート13に移載さ
れたポッド4は次工程へ搬送される。
【0027】以降、前述した作用が繰り返されてウエハ
3が熱処理装置10によってバッチ処理されて行く。
3が熱処理装置10によってバッチ処理されて行く。
【0028】以上のバッチ処理が実施されている際にお
いては、図4に示されているように、筐体11の回転棚
設置室18にはクリーンエア46がクリーンユニット4
0から吹き出されて、ポッド移載装置設置室16にダウ
ンブローに流される。このダウンブローに流れるクリー
ンエア46により、ポッド4の表面に付着したパーティ
クルやポッド移載装置17の稼働によって発生するパー
ティクル等がクリーンエア46によって吹き落とされ
て、吹出口45からクリーンルーム1のグレーチング2
の下方空間に排出される。
いては、図4に示されているように、筐体11の回転棚
設置室18にはクリーンエア46がクリーンユニット4
0から吹き出されて、ポッド移載装置設置室16にダウ
ンブローに流される。このダウンブローに流れるクリー
ンエア46により、ポッド4の表面に付着したパーティ
クルやポッド移載装置17の稼働によって発生するパー
ティクル等がクリーンエア46によって吹き落とされ
て、吹出口45からクリーンルーム1のグレーチング2
の下方空間に排出される。
【0029】他方、筐体11の待機室28には不活性ガ
スとしての窒素ガス62が窒素ガス噴出ノズル60やサ
イドクリーンユニット50の背面側の図示しない供給ポ
ートから供給される。待機室28に供給された窒素ガス
62は、サイドクリーンユニット50によって待機室2
8の下部に開設された吸込口56から循環ダクト55に
吸い込まれ、サイドクリーンユニット50に戻され、待
機室28に循環される。この窒素ガス62の循環によ
り、待機室28における熱処理済みのウエハ3や装脱作
業中のウエハ3の自然酸化が防止されるとともに、熱処
理済みのウエハ3が冷却される。
スとしての窒素ガス62が窒素ガス噴出ノズル60やサ
イドクリーンユニット50の背面側の図示しない供給ポ
ートから供給される。待機室28に供給された窒素ガス
62は、サイドクリーンユニット50によって待機室2
8の下部に開設された吸込口56から循環ダクト55に
吸い込まれ、サイドクリーンユニット50に戻され、待
機室28に循環される。この窒素ガス62の循環によ
り、待機室28における熱処理済みのウエハ3や装脱作
業中のウエハ3の自然酸化が防止されるとともに、熱処
理済みのウエハ3が冷却される。
【0030】ところで、前述した熱処理が繰り返して実
施されると、ボート32や処理室34の表面に反応生成
物等が堆積するため、メンテナンス作業がボート32や
プロセスチューブ35等について定期または不定期に実
施される。このメンテナンス作業に際して、図5に示さ
れているように、メンテナンス用ドア48が開かれる
と、窒素ガス62の待機室28への供給は停止される
が、クリーンルーム1の雰囲気がサイドクリーンユニッ
ト50に取り込まれて浄化されたクリーンエア59が待
機室28にサイドクリーンユニット50によって吹き出
される。この際、循環ファン57が停止されるととも
に、循環ダクト55の吸込口56がダンパ58によって
閉じられる。このサイドクリーンユニット50からのク
リーンエア59の吹き出しによって待機室28はクリー
ンルーム1の内圧よりも高い正圧になるため、クリーン
エア59はメンテナンス用出入口47から緩やかに吹き
出す。したがって、クリーンルーム1の雰囲気はメンテ
ナンス用出入口47からは待機室28に流入しないた
め、待機室28のクリーン度がクリーンルーム1の雰囲
気のクリーン度に影響されることはない。
施されると、ボート32や処理室34の表面に反応生成
物等が堆積するため、メンテナンス作業がボート32や
プロセスチューブ35等について定期または不定期に実
施される。このメンテナンス作業に際して、図5に示さ
れているように、メンテナンス用ドア48が開かれる
と、窒素ガス62の待機室28への供給は停止される
が、クリーンルーム1の雰囲気がサイドクリーンユニッ
ト50に取り込まれて浄化されたクリーンエア59が待
機室28にサイドクリーンユニット50によって吹き出
される。この際、循環ファン57が停止されるととも
に、循環ダクト55の吸込口56がダンパ58によって
閉じられる。このサイドクリーンユニット50からのク
リーンエア59の吹き出しによって待機室28はクリー
ンルーム1の内圧よりも高い正圧になるため、クリーン
エア59はメンテナンス用出入口47から緩やかに吹き
出す。したがって、クリーンルーム1の雰囲気はメンテ
ナンス用出入口47からは待機室28に流入しないた
め、待機室28のクリーン度がクリーンルーム1の雰囲
気のクリーン度に影響されることはない。
【0031】ここで、メンテナンス作業に際して、循環
ファン57が停止されると、循環ダクト55によるクリ
ーンエア59の循環は抑制されるが、サイドクリーンユ
ニット50のファン52の吸引力が循環ダクト55の吸
込口56に作用することにより、クリーンルーム1の雰
囲気のメンテナンス用出入口47から待機室28への流
入現象を招いてしまう。本実施の形態においては、メン
テナンス作業に際しては、循環ダクト55の吸込口56
がダンパ58によって閉じられるため、サイドクリーン
ユニット50のファン52の吸引力によるクリーンルー
ム1の雰囲気の待機室28への流入現象は防止される。
ファン57が停止されると、循環ダクト55によるクリ
ーンエア59の循環は抑制されるが、サイドクリーンユ
ニット50のファン52の吸引力が循環ダクト55の吸
込口56に作用することにより、クリーンルーム1の雰
囲気のメンテナンス用出入口47から待機室28への流
入現象を招いてしまう。本実施の形態においては、メン
テナンス作業に際しては、循環ダクト55の吸込口56
がダンパ58によって閉じられるため、サイドクリーン
ユニット50のファン52の吸引力によるクリーンルー
ム1の雰囲気の待機室28への流入現象は防止される。
【0032】ちなみに、メンテナンス作業の前に、待機
室28で循環する窒素ガス62は図示しない開放バルブ
から待機室28の外部へ排気される。
室28で循環する窒素ガス62は図示しない開放バルブ
から待機室28の外部へ排気される。
【0033】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
れる。
【0034】1) メンテナンス作業に際して、待機室を
正圧に維持することにより、待機室の外部のエアが待機
室に流入するのを防止することができるため、待機室に
パーティクルが侵入するのを防止することができ、パー
ティクルによるウエハの汚染を防止することができる。
正圧に維持することにより、待機室の外部のエアが待機
室に流入するのを防止することができるため、待機室に
パーティクルが侵入するのを防止することができ、パー
ティクルによるウエハの汚染を防止することができる。
【0035】2) メンテナンス作業時のパーティクルに
よるウエハの汚染を防止することにより、ICの製造方
法の歩留りの低下を防止することができるため、ICの
製造方法のスループットを高めることができる。
よるウエハの汚染を防止することにより、ICの製造方
法の歩留りの低下を防止することができるため、ICの
製造方法のスループットを高めることができる。
【0036】3) メンテナンス作業時のパーティクルに
よるウエハの汚染を防止することにより、クリーンルー
ムのクリーン度の厳格性を相対的に緩和することができ
るため、熱処理装置のランニングコストを大幅に低減す
ることができ、ひいてはICの製造コストを大幅に低減
することができる。
よるウエハの汚染を防止することにより、クリーンルー
ムのクリーン度の厳格性を相対的に緩和することができ
るため、熱処理装置のランニングコストを大幅に低減す
ることができ、ひいてはICの製造コストを大幅に低減
することができる。
【0037】4) 待機室に窒素ガスを循環させることに
より、待機室におけるウエハの自然酸化を防止すること
ができるため、熱処理装置およびICの製造方法のスル
ープットを高めることができる。
より、待機室におけるウエハの自然酸化を防止すること
ができるため、熱処理装置およびICの製造方法のスル
ープットを高めることができる。
【0038】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【0039】例えば、待機室への窒素ガスの循環は省略
してもよい。
してもよい。
【0040】前記実施の形態ではバッチ式縦形熱処理装
置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、
バッチ式縦形拡散装置等の半導体製造装置全般に適用す
ることができる。
置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、
バッチ式縦形拡散装置等の半導体製造装置全般に適用す
ることができる。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
メンテナンス用ドアの開放時に筐体外部の雰囲気がメン
テナンス用出入口から筐体の内部に流入するのを防止す
ることができるため、パーティクルの侵入を防止するこ
とができる。
メンテナンス用ドアの開放時に筐体外部の雰囲気がメン
テナンス用出入口から筐体の内部に流入するのを防止す
ることができるため、パーティクルの侵入を防止するこ
とができる。
【図1】本発明の一実施の形態である熱処理装置を示す
一部省略側面断面図である。
一部省略側面断面図である。
【図2】回転棚を通る平面断面図である。
【図3】ウエハポートを通る平面断面図である。
【図4】クリーンエアの流れを示す模式的な斜視図であ
る。
る。
【図5】ドア開放時のエアの流れを示す模式的な一部省
略斜視図である。
略斜視図である。
1…クリーンルーム、2…グレーチング、3…ウエハ
(基板)、4…ポッド(ウエハキャリア)、10…熱処
理装置(半導体製造装置)、11…筐体、12…ベー
ス、13…ポッドポート(ポッド搬入搬出ポート)、1
4…ポッド搬入搬出口、15…バッファ棚、16…ポッ
ド移載装置設置室、17…ポッド移載装置、18…回転
棚設置室、19…回転棚、20…棚板、21…回転軸、
22…隔壁、23…水平壁部、24…垂直壁部、25…
ウエハポート、26…ウエハ搬入搬出口、27…ポッド
オープナ、28…待機室、29…ウエハ移載装置、30
…ボートエレベータ、31…シールキャップ、32…ボ
ート、33…プロセスチューブ設置室、34…処理室、
35…プロセスチューブ、36…マニホールド、37…
ガス導入管、38…排気管、39…ヒータユニット、4
0…クリーンユニット、41…フィルタ、42…ファ
ン、43…ダクト部、44…排気ファン、45…吹出
口、46…クリーンエア、47…メンテナンス用出入
口、48…メンテナンス用ドア、50…サイドクリーン
ユニット、51…フィルタ、52…ファン、53…ダク
ト部、54…インテークダクト(導入経路)、55…循
環ダクト、56…吸込口、57…循環ファン、58…ダ
ンパ、59…クリーンエア、60…窒素ガス噴出ノズ
ル、61…リア排気ファン、62…窒素ガス。
(基板)、4…ポッド(ウエハキャリア)、10…熱処
理装置(半導体製造装置)、11…筐体、12…ベー
ス、13…ポッドポート(ポッド搬入搬出ポート)、1
4…ポッド搬入搬出口、15…バッファ棚、16…ポッ
ド移載装置設置室、17…ポッド移載装置、18…回転
棚設置室、19…回転棚、20…棚板、21…回転軸、
22…隔壁、23…水平壁部、24…垂直壁部、25…
ウエハポート、26…ウエハ搬入搬出口、27…ポッド
オープナ、28…待機室、29…ウエハ移載装置、30
…ボートエレベータ、31…シールキャップ、32…ボ
ート、33…プロセスチューブ設置室、34…処理室、
35…プロセスチューブ、36…マニホールド、37…
ガス導入管、38…排気管、39…ヒータユニット、4
0…クリーンユニット、41…フィルタ、42…ファ
ン、43…ダクト部、44…排気ファン、45…吹出
口、46…クリーンエア、47…メンテナンス用出入
口、48…メンテナンス用ドア、50…サイドクリーン
ユニット、51…フィルタ、52…ファン、53…ダク
ト部、54…インテークダクト(導入経路)、55…循
環ダクト、56…吸込口、57…循環ファン、58…ダ
ンパ、59…クリーンエア、60…窒素ガス噴出ノズ
ル、61…リア排気ファン、62…窒素ガス。
フロントページの続き
(72)発明者 梅川 純史
東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式
会社日立国際電気内
Fターム(参考) 5F045 BB14 DP19 EB05 EB08 EE14
EE20 EG09 EG10
Claims (2)
- 【請求項1】 クリーンルームに設置される半導体製造
装置であって、筐体の内部室にクリーンエアを吹き出す
クリーンユニットと、前記筐体の内部室に吹き出された
クリーンエアの少なくとも一部を前記クリーンユニット
に戻す循環ダクトと、前記クリーンルームの雰囲気を前
記クリーンユニットに導入する導入経路と、前記筐体の
メンテナンス用出入口に開閉可能に取り付けられたメン
テナンス用ドアとを備えている半導体製造装置におい
て、前記メンテナンス用ドアが開放された時には前記導
入経路からクリーンルームの雰囲気を前記クリーンユニ
ットへ導入するとともに、前記循環ダクトを閉じること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 前記メンテナンス用ドアの閉鎖時には、
不活性ガスが前記筐体の内部室に供給され、前記循環ダ
クトが開かれることを特徴とする請求項1に記載の半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002135346A JP3856726B2 (ja) | 2002-05-10 | 2002-05-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002135346A JP3856726B2 (ja) | 2002-05-10 | 2002-05-10 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332325A true JP2003332325A (ja) | 2003-11-21 |
JP3856726B2 JP3856726B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=29697695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002135346A Expired - Fee Related JP3856726B2 (ja) | 2002-05-10 | 2002-05-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3856726B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012079907A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015167240A (ja) * | 2015-04-17 | 2015-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016207746A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体製造装置 |
US11404291B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-08-02 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5527624B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2014-06-18 | 株式会社ダイフク | 保管棚用の不活性ガス注入装置 |
-
2002
- 2002-05-10 JP JP2002135346A patent/JP3856726B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012079907A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
CN102446796A (zh) * | 2010-10-01 | 2012-05-09 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理设备和制造半导体器件的方法 |
JP2015167240A (ja) * | 2015-04-17 | 2015-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016207746A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体製造装置 |
US11404291B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-08-02 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
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---|---|
JP3856726B2 (ja) | 2006-12-13 |
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