JP2011044633A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ1が待機する待機室12を形成した筐体11と、待機室12内に形成されて窒素ガス30が循環する循環路31と、循環路31の途中に設けられて窒素ガス30を循環させる送風機43を有するクリーンユニット41とを備えた熱処理装置10において、筐体11内の送風機43の吸込側空間55に隔離室51を形成する仕切板50を設け、隔離室51を排気する排気ダクト52を設ける。窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止する。
【選択図】図4
【解決手段】ウエハ1が待機する待機室12を形成した筐体11と、待機室12内に形成されて窒素ガス30が循環する循環路31と、循環路31の途中に設けられて窒素ガス30を循環させる送風機43を有するクリーンユニット41とを備えた熱処理装置10において、筐体11内の送風機43の吸込側空間55に隔離室51を形成する仕切板50を設け、隔離室51を排気する排気ダクト52を設ける。窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止する。
【選択図】図4
Description
本発明は、基板処理装置に関する。
特に、自然酸化膜の発生を抑止ないし抑制する技術に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという)の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという)に熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。
特に、自然酸化膜の発生を抑止ないし抑制する技術に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという)の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという)に熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。
ICの製造方法において、ウエハに絶縁膜や金属膜および半導体膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりする熱処理工程には、熱処理装置が広く使用されている。
従来のこの種の熱処理装置としては、複数枚のウエハをボートに保持してバッチ処理する処理室と、ボートが処理室への搬入出前後に待機する待機室と、待機室に清浄雰囲気を供給するフィルタおよび送風機からなるクリーンユニットと、待機室にフィルタに対向するように設けられてボートを待機室と処理室との間で昇降させるボートエレベータとを備えており、不活性ガスとしての窒素ガスをクリーンユニットから待機室に吹き出して循環させることにより、自然酸化膜がウエハに大気中の酸素(O2 )によって形成されるのを防止するように構成したものがある。例えば、特許文献1参照。
従来のこの種の熱処理装置としては、複数枚のウエハをボートに保持してバッチ処理する処理室と、ボートが処理室への搬入出前後に待機する待機室と、待機室に清浄雰囲気を供給するフィルタおよび送風機からなるクリーンユニットと、待機室にフィルタに対向するように設けられてボートを待機室と処理室との間で昇降させるボートエレベータとを備えており、不活性ガスとしての窒素ガスをクリーンユニットから待機室に吹き出して循環させることにより、自然酸化膜がウエハに大気中の酸素(O2 )によって形成されるのを防止するように構成したものがある。例えば、特許文献1参照。
窒素ガスをクリーンユニットから待機室に吹き出して循環させる熱処理装置においては、クリーンユニットの吸込側が陰圧(筐体外部よりも低圧)になることにより、筐体の隙間から外気(酸素を含む)が待機室内のクリーンユニット吸込側に侵入する危惧がある。外気がクリーンユニットの吸込側に侵入(相対的に外気の漏洩)すると、待機室内の酸素濃度が上昇するために、窒素ガスの循環による自然酸化膜防止効果が低下してしまう。
そこで、クリーンユニット吸込側に外気が侵入するのを防止するために、次のような対策(1)(2)が提案されるが、次のような問題点をそれぞれ有する。
(1)筐体内部の隙間をシール材によって埋めることにより、筐体内部の密閉性能を向上させ、外気の侵入を防止する。
しかし、筐体の製作上、完全な密閉は不可能であり、外気の侵入を完全に防止することはできない。また、シール材を多用することにより、有機汚染の蓋然性が高まる。
(2)筐体内を窒素ガスによって陽圧(筐体内が筐体外よりも高圧)状態に維持することにより、外気の侵入を防止する。
しかし、筐体内を陽圧に維持するためには、大量の窒素ガスが必要になる。
そこで、クリーンユニット吸込側に外気が侵入するのを防止するために、次のような対策(1)(2)が提案されるが、次のような問題点をそれぞれ有する。
(1)筐体内部の隙間をシール材によって埋めることにより、筐体内部の密閉性能を向上させ、外気の侵入を防止する。
しかし、筐体の製作上、完全な密閉は不可能であり、外気の侵入を完全に防止することはできない。また、シール材を多用することにより、有機汚染の蓋然性が高まる。
(2)筐体内を窒素ガスによって陽圧(筐体内が筐体外よりも高圧)状態に維持することにより、外気の侵入を防止する。
しかし、筐体内を陽圧に維持するためには、大量の窒素ガスが必要になる。
本発明の目的は、シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる基板処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段は、次の通りである。
基板が待機する待機室を形成する筐体と、
前記待機室内に形成されて気体が循環する循環路と、
前記循環路の途中に設けられて前記気体を循環させる送風機と、
前記筐体内の前記送風機の吸込側に設けられた仕切板と、
前記仕切板と前記筐体の壁とが形成する空間を排気する排気ダクトと、
を備えている基板処理装置。
基板が待機する待機室を形成する筐体と、
前記待機室内に形成されて気体が循環する循環路と、
前記循環路の途中に設けられて前記気体を循環させる送風機と、
前記筐体内の前記送風機の吸込側に設けられた仕切板と、
前記仕切板と前記筐体の壁とが形成する空間を排気する排気ダクトと、
を備えている基板処理装置。
この手段によれば、シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる。
以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
図1〜図4は本発明の第一実施形態を示している。
本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、熱処理装置10として図1〜図4に示されているように構成されている。
本実施形態において、ウエハ1を収容して搬送するためのキャリア(搬送治具)としてはFOUP(front opening unified pod :以下、ポッドという)2が使用されている。
本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、熱処理装置10として図1〜図4に示されているように構成されている。
本実施形態において、ウエハ1を収容して搬送するためのキャリア(搬送治具)としてはFOUP(front opening unified pod :以下、ポッドという)2が使用されている。
本実施形態に係る熱処理装置10は、筐体11を備えている。筐体11は大気圧程度の気密性能を発揮する気密構造に構築されている。筐体11は基板保持具が処理室への搬入に対して待機する待機室12を構成している。
筐体11はフレームおよびパネルを組み合わせて構築されている。これらパネル同士の召し合わせ面間または重ね合わせ面間等は、漏洩源となる極微小の隙間を形成する可能性がある。
筐体11の正面壁には取付板13が当接されて締結されている。この筐体11と取付板13との当接面は、漏洩源となる極微小の隙間を形成する可能性がある。
取付板13にはウエハ1をローディングおよびアンローディング(搬入搬出)するためのポート(以下、ウエハローディングポートという)14が、上下で一対開設されている。ウエハローディングポート14、14に対応する位置には、ポッド2のキャップ3(図1参照)を着脱してポッド2を開閉するポッドオープナ15が設置されている。
筐体11はフレームおよびパネルを組み合わせて構築されている。これらパネル同士の召し合わせ面間または重ね合わせ面間等は、漏洩源となる極微小の隙間を形成する可能性がある。
筐体11の正面壁には取付板13が当接されて締結されている。この筐体11と取付板13との当接面は、漏洩源となる極微小の隙間を形成する可能性がある。
取付板13にはウエハ1をローディングおよびアンローディング(搬入搬出)するためのポート(以下、ウエハローディングポートという)14が、上下で一対開設されている。ウエハローディングポート14、14に対応する位置には、ポッド2のキャップ3(図1参照)を着脱してポッド2を開閉するポッドオープナ15が設置されている。
筐体11の背面壁にはメンテナンス口16が開設されており、メンテナンス口16にはメンテナンス扉17が開閉可能に取り付けられている。メンテナンス口16の開口縁辺部の筐体11の背面とメンテナンス扉17との当接面は、漏洩源となる極微小の隙間を形成する可能性がある。
待機室12の前側の空間にはエレベータ18が設置されている。エレベータ18はウエハ移載装置(wafer transfer equipment )18Aを昇降させる。ウエハ移載装置18Aはエレベータ(以下、ウエハ移載装置エレベータという)18によって昇降されることにより、ウエハローディングポート14とボート21との間でウエハ1を搬送する。この搬送により、ウエハ移載装置18Aはウエハ1をポッド2およびボート21に受け渡す。
待機室12の後側の空間にはボートエレベータ19が垂直に設置されている。ボートエレベータ19はシールキャップ20を垂直方向に昇降させる。
シールキャップ20は円盤形状に形成されており、シールキャップ20の中心線上には基板保持具としてのボート21が垂直に立脚されている。
ボート21は多数枚のウエハ1を、中心を揃えて水平に配置した状態で保持する。
シールキャップ20は円盤形状に形成されており、シールキャップ20の中心線上には基板保持具としてのボート21が垂直に立脚されている。
ボート21は多数枚のウエハ1を、中心を揃えて水平に配置した状態で保持する。
筐体11の後端部における上部にはヒータユニット22が同心円に配されており、ヒータユニット22は筐体11に支持されている。
ヒータユニット22内にはアウタチューブ23およびインナチューブ24が同心円に設置されている。アウタチューブ23は石英または炭化シリコン等の耐熱性材料から形成されており、内径がインナチューブ24の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。
インナチューブ24は石英または炭化シリコン等の耐熱性材料から形成されており、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。
インナチューブ24の筒中空部には、ボート21を収納可能の処理室25が形成されている。
ヒータユニット22内にはアウタチューブ23およびインナチューブ24が同心円に設置されている。アウタチューブ23は石英または炭化シリコン等の耐熱性材料から形成されており、内径がインナチューブ24の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。
インナチューブ24は石英または炭化シリコン等の耐熱性材料から形成されており、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。
インナチューブ24の筒中空部には、ボート21を収納可能の処理室25が形成されている。
アウタチューブ23の下方には、アウタチューブ23と同心円状にマニホールド26が配設されている。マニホールド26はステンレス等から形成されており、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド26はアウタチューブ23とインナチューブ24とに係合することにより、これらを支持する。
マニホールド26の下端部開口(炉口)はシャッタ27によって開閉される。
マニホールド26の下端部開口(炉口)はシャッタ27によって開閉される。
マニホールド26の側壁部には排気管28がアウタチューブ23とインナチューブ24との間の空間に連通するように接続されている。排気管28は処理室25を排気する。
シールキャップ20にはガス導入部としてのガス供給管29が、処理室25内に連通可能に接続されている。
シールキャップ20にはガス導入部としてのガス供給管29が、処理室25内に連通可能に接続されている。
筐体11には待機室12に不活性ガスとしての窒素ガス30を循環させる循環路31を構成した循環ダクト32が、図1〜図4に示されているように敷設されている。
循環ダクト32は吸込口33を有する吸込側ダクト部34を備えており、吸込側ダクト部34には、排出ガスをクリーンルームへ排出させることなく工場等の排気処理系へ全て排出させる排出ダクト34Aが接続されている。すなわち、吸込側ダクト部34は窒素ガス30やクリーンエア(大気を清浄化したエア)40を排気するガス排出部を構成している。吸込側ダクト部34は、待機室12における一方の側面である右側面にウエハ移載装置エレベータ18およびボートエレベータ19を移載室から隔離するように、かつ、略全体面にわたって垂直に延在するように敷設されている。吸込側ダクト部34は吸込口33を、ボートエレベータ19のアーム19dおよびウエハ移載装置エレベータ18のアームの昇降移動範囲にそれぞれ開設されている。
循環ダクト32は吸込口33を有する吸込側ダクト部34を備えており、吸込側ダクト部34には、排出ガスをクリーンルームへ排出させることなく工場等の排気処理系へ全て排出させる排出ダクト34Aが接続されている。すなわち、吸込側ダクト部34は窒素ガス30やクリーンエア(大気を清浄化したエア)40を排気するガス排出部を構成している。吸込側ダクト部34は、待機室12における一方の側面である右側面にウエハ移載装置エレベータ18およびボートエレベータ19を移載室から隔離するように、かつ、略全体面にわたって垂直に延在するように敷設されている。吸込側ダクト部34は吸込口33を、ボートエレベータ19のアーム19dおよびウエハ移載装置エレベータ18のアームの昇降移動範囲にそれぞれ開設されている。
吸込側ダクト部34の下端部における前端にはメイン連絡ダクト部35の吸込側端が接続されており、メイン連絡ダクト部35は待機室12の外部においてポッドオープナ15の下方を横切るように水平に敷設されている。メイン連絡ダクト部35の待機室12に面する側壁には吸込口36が横長に大きく開設されている。
吸込側ダクト部34の下端部における略中央位置には、サブ連絡ダクト部37の吸込側端が接続されており、サブ連絡ダクト部37は待機室12内の底面上で左右方向に横切るように敷設されている。
吸込側ダクト部34の下端部における略中央位置には、サブ連絡ダクト部37の吸込側端が接続されており、サブ連絡ダクト部37は待機室12内の底面上で左右方向に横切るように敷設されている。
メイン連絡ダクト部35およびサブ連絡ダクト部37の各吹出側端には、吹出側ダクト部39の下端部がそれぞれ接続されており、吹出側ダクト部39には吹出口38が略全面にわたって大きく開設されている。吹出側ダクト部39は待機室12における吸込側ダクト部34の反対側である左側面に垂直に敷設されている。
吹出側ダクト部39の吹出口38には、クリーンユニット41が建て込まれている。クリーンユニット41は窒素ガス30およびクリーンエア40を供給するガス供給手段としてのガス供給部を構成している。
クリーンユニット41は、パーティクルを捕集するフィルタ42と、清浄化した窒素ガス30およびクリーンエア40を送風する複数の送風機43とを備えている。クリーンユニット41は、フィルタ42が待機室12に露出し、かつ、送風機43群の下流側になるように、構成されている。
クリーンユニット41は、パーティクルを捕集するフィルタ42と、清浄化した窒素ガス30およびクリーンエア40を送風する複数の送風機43とを備えている。クリーンユニット41は、フィルタ42が待機室12に露出し、かつ、送風機43群の下流側になるように、構成されている。
図2に示されているように、吹出側ダクト部39のクリーンユニット41よりも上流側には、クリーンエア40を供給するクリーンエア供給管44が接続されており、クリーンエア供給管44には開閉弁としてのダンパ45が介設されている。
また、吹出側ダクト部39には窒素ガス供給管46が接続されており、窒素ガス供給管46は循環路31に不活性ガスを供給する不活性ガス供給路を構成している。窒素ガス供給管46には流量制御弁としてのダンパ47が介設されている。
また、吹出側ダクト部39には窒素ガス供給管46が接続されており、窒素ガス供給管46は循環路31に不活性ガスを供給する不活性ガス供給路を構成している。窒素ガス供給管46には流量制御弁としてのダンパ47が介設されている。
図2に示されているように、吹出側ダクト部39の下端部には冷却器48が前後方向に延在するように敷設されている。冷却器48はメイン連絡ダクト部35およびサブ連絡ダクト部37から吹出側ダクト部39に回収された雰囲気(窒素ガス30)を冷却する。
本実施の形態において、冷却器48は水冷式熱交換器によって構成されている。
冷却器48の下流側には流量制御弁としてのダンパ49が介設されており、ダンパ49はメイン連絡ダクト部35およびサブ連絡ダクト部37から吹出側ダクト部39のクリーンユニット41の上流側に循環させる循環路31を開閉する。
本実施の形態において、冷却器48は水冷式熱交換器によって構成されている。
冷却器48の下流側には流量制御弁としてのダンパ49が介設されており、ダンパ49はメイン連絡ダクト部35およびサブ連絡ダクト部37から吹出側ダクト部39のクリーンユニット41の上流側に循環させる循環路31を開閉する。
図2〜図4に示されているように、筐体11内の送風機43の吸込側には仕切板50が、仕切板50と筐体11の壁11aとが形成する空間(以下、隔離室という)51を隔離するように垂直に敷設されている。筐体11の壁11aには隔離室51を排気するための排気ダクト52が隔離室51に連通するように接続されており、排気ダクト52は排出ダクト34Aに接続されている。仕切板50には開口53が開設されており、開口53には筐体11内の送風機43の吸込側空間55から隔離室51への流通だけを許容する逆止弁54が設置されている。
図2に示されているように、熱処理装置10は制御手段としてのコントローラ70を備えている。コントローラ70は通信配線71を経由して熱処理装置10全体を制御する。すなわち、コントローラ70は、ウエハ移載装置エレベータ18、ボートエレベータ19、ウエハ移載装置18A、ポッドオープナ15等の搬送部を制御したり、ヒータユニット22等の加熱部を制御したり、送風機43、ダンパ45、47、49等を制御したり、処理室25へのガスの供給、排気、圧力等を制御する。
次に、前記構成に係る熱処理装置の作用を説明する。
図1〜図3に示されているように、ウエハ搬入ステップでは、ポッドオープナ15の載置台に移載されたポッド2は、ポッドオープナ15によってキャップ3(図1参照)を外されることにより開放される。
ポッドオープナ15によってポッド2が開放されると、ポッド2に収納された複数枚のウエハ1はウエハ移載装置18Aによってボート21に移載されて装填(チャージング)される。
予め指定された枚数のウエハ1が装填されると、ボート21はボートエレベータ19によって上昇されることにより、処理室25に搬入(ボートローディング)される。
ボート21が上限に達すると、ボート21を保持したシールキャップ20の上面の周辺部がマニホールド26の下面にシール状態に当接するために、処理室25は気密に閉じられた状態になる。
ポッドオープナ15によってポッド2が開放されると、ポッド2に収納された複数枚のウエハ1はウエハ移載装置18Aによってボート21に移載されて装填(チャージング)される。
予め指定された枚数のウエハ1が装填されると、ボート21はボートエレベータ19によって上昇されることにより、処理室25に搬入(ボートローディング)される。
ボート21が上限に達すると、ボート21を保持したシールキャップ20の上面の周辺部がマニホールド26の下面にシール状態に当接するために、処理室25は気密に閉じられた状態になる。
処理室25は気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管28によって排気されるとともに、ヒータユニット22によって所定の温度に加熱される。
次いで、所定の処理ガスが処理室25にガス供給管29から供給される。
これにより、所望の熱処理がウエハ1に施される(熱処理ステップ)。
次いで、所定の処理ガスが処理室25にガス供給管29から供給される。
これにより、所望の熱処理がウエハ1に施される(熱処理ステップ)。
このウエハ搬入ステップに先立って、待機室12および循環路31は窒素ガス30雰囲気に置換しておく。その後、ウエハ搬入ステップおよび熱処理中に、窒素ガス30が待機室12に循環路31によって循環される。
すなわち、窒素ガス供給管46から循環路31に供給された窒素ガス30は、図2に示されているように、循環ダクト32における吹出側ダクト部39に建て込まれたクリーンユニット41から待機室12に吹き出し、循環路31の一部である待機室12を流通して吸込口33から吸込側ダクト部34に吸い込まれる。
吸込側ダクト部34に吸い込まれた窒素ガス30は、メイン連絡ダクト部35およびサブ連絡ダクト部37を経由して吹出側ダクト部39に戻り、クリーンユニット41から待機室12に再び吹き出す。
この窒素ガス30の循環ステップにおいては、クリーンエア供給管44のダンパ45は閉じられており、窒素ガス供給管46のダンパ47およびダンパ49は開かれている。
以降、窒素ガス30は以上の流れを繰り返すことにより、待機室12と循環路31とを循環する。
すなわち、窒素ガス供給管46から循環路31に供給された窒素ガス30は、図2に示されているように、循環ダクト32における吹出側ダクト部39に建て込まれたクリーンユニット41から待機室12に吹き出し、循環路31の一部である待機室12を流通して吸込口33から吸込側ダクト部34に吸い込まれる。
吸込側ダクト部34に吸い込まれた窒素ガス30は、メイン連絡ダクト部35およびサブ連絡ダクト部37を経由して吹出側ダクト部39に戻り、クリーンユニット41から待機室12に再び吹き出す。
この窒素ガス30の循環ステップにおいては、クリーンエア供給管44のダンパ45は閉じられており、窒素ガス供給管46のダンパ47およびダンパ49は開かれている。
以降、窒素ガス30は以上の流れを繰り返すことにより、待機室12と循環路31とを循環する。
予め設定された処理時間が経過すると、ボート21がボートエレベータ19によって下降されることにより、処理済みウエハ1を保持したボート21が待機室12における元の待機位置に搬出(ボートアンローディング)される。
ボート21が処理室25から搬出されると、シャッタ27は処理室25を閉じる。
処理済みのウエハ1を保持したボート21が搬出される際(ボートアンローディングステップ時)にも、窒素ガス30が循環する。待機室12を流通する間に、窒素ガス30は熱処理されて高温になったウエハ1群およびこれを保持したボート21に接触して熱交換することにより、これらを冷却する。
ボート21が処理室25から搬出されると、シャッタ27は処理室25を閉じる。
処理済みのウエハ1を保持したボート21が搬出される際(ボートアンローディングステップ時)にも、窒素ガス30が循環する。待機室12を流通する間に、窒素ガス30は熱処理されて高温になったウエハ1群およびこれを保持したボート21に接触して熱交換することにより、これらを冷却する。
待機室12に搬出されたボート21の処理済みウエハ1は、ボート21からウエハ移載装置18Aによってピックアップされて、空のポッド2に収納される。空のポッド2はウエハローディングポート14に予め搬送されてキャップ3を外されて開放されている。
ポッド2が処理済みウエハ1によって満たされると、ポッド2はポッドオープナ15によってキャップ3を装着されて閉じられる。その後に、ポッド2はウエハローディングポート14から他の場所へ移送される。
ポッド2が処理済みウエハ1によって満たされると、ポッド2はポッドオープナ15によってキャップ3を装着されて閉じられる。その後に、ポッド2はウエハローディングポート14から他の場所へ移送される。
以降、前述した作用が繰り返されることにより、ウエハ1が熱処理装置10によってバッチ処理されて行く。
ところで、窒素ガス30が循環路31を循環する際には、クリーンユニット41すなわち送風機43の吸込側が陰圧(筐体11外部よりも低圧)になるので、筐体11の隙間から酸素を含む外気が筐体11内のクリーンユニット41の吸込側に侵入する危惧がある。外気が筐体11内に侵入すると、待機室12内の酸素濃度が上昇するために、窒素ガスの循環による自然酸化膜防止効果が低下してしまう。
本実施形態においては、次のようにして外気の侵入を防止することができる。
筐体11外の圧力(クリーンルームの圧力であり、略一定である)をP0 、待機室12内の圧力をP1 、吸込側空間55内の圧力をP2 、隔離室51内の圧力P3 と仮定すると、これらの圧力が次式(1)を満足するように、循環路31の各ダンパおよび送風機等を制御する。
P3 <P0 <P2 <P1 ・・・(1)
待機室12の圧力P1 が筐体11外の圧力P0 よりも高くなっているために、外気(筐体11外の酸素を含むクリーンエア)は待機室12内に侵入しない。待機室12内の圧力P1 が吸込側空間55の圧力P2 よりも高くなっているので、循環路31の窒素ガス30の循環を維持することができる。
吸込側空間55内の圧力P2 が隔離室51内の圧力P3 よりも高くなっているので、隔離室51内に筐体11の隙間から侵入したクリーンエア(酸素を含む)が吸込側空間55内に侵入することはない。万一、隔離室51内の圧力P3 が吸込側空間55内の圧力P2 よりも高くなったとしても、逆止弁54が開口53を閉じるので、隔離室51内に侵入したクリーンエアが吸込側空間55内に逆流するのを防止することができる。
以上のように、窒素ガス30が循環路31を循環する際に、クリーンユニット41すなわち送風機43の吸込側が陰圧(筐体11外部よりも低圧)になることによって筐体11の隙間から酸素を含む外気が筐体11内のクリーンユニット41の吸込側空間55に侵入する現象を防止することができるので、外気の筐体11内への侵入による酸素濃度の上昇を防止することができ、窒素ガスの循環による自然酸化膜防止効果が低下を防止することができる。
筐体11外の圧力(クリーンルームの圧力であり、略一定である)をP0 、待機室12内の圧力をP1 、吸込側空間55内の圧力をP2 、隔離室51内の圧力P3 と仮定すると、これらの圧力が次式(1)を満足するように、循環路31の各ダンパおよび送風機等を制御する。
P3 <P0 <P2 <P1 ・・・(1)
待機室12の圧力P1 が筐体11外の圧力P0 よりも高くなっているために、外気(筐体11外の酸素を含むクリーンエア)は待機室12内に侵入しない。待機室12内の圧力P1 が吸込側空間55の圧力P2 よりも高くなっているので、循環路31の窒素ガス30の循環を維持することができる。
吸込側空間55内の圧力P2 が隔離室51内の圧力P3 よりも高くなっているので、隔離室51内に筐体11の隙間から侵入したクリーンエア(酸素を含む)が吸込側空間55内に侵入することはない。万一、隔離室51内の圧力P3 が吸込側空間55内の圧力P2 よりも高くなったとしても、逆止弁54が開口53を閉じるので、隔離室51内に侵入したクリーンエアが吸込側空間55内に逆流するのを防止することができる。
以上のように、窒素ガス30が循環路31を循環する際に、クリーンユニット41すなわち送風機43の吸込側が陰圧(筐体11外部よりも低圧)になることによって筐体11の隙間から酸素を含む外気が筐体11内のクリーンユニット41の吸込側空間55に侵入する現象を防止することができるので、外気の筐体11内への侵入による酸素濃度の上昇を防止することができ、窒素ガスの循環による自然酸化膜防止効果が低下を防止することができる。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) 筐体内における送風機の吸込側に仕切板を仕切板と筐体の壁とが形成する隔離室を仕切るように敷設し、隔離室を排気する排気ダクトを接続することにより、窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止することができるので、外気の筐体内への侵入による酸素濃度の上昇を防止することができ、窒素ガスの循環による自然酸化膜防止効果が低下を防止することができる。
2) 隔離室に侵入した外気を排気ダクトによって排気することにより、筐体を完全な密閉構造に構築せずに済むので、筐体ひいては熱処理装置の製造コストを低減することができるばかりでなく、シール材による有機汚染を低減することができる。
3) 循環路の流通での澱みが発生し易い筐体内の隅部に、排気ダクトを有する隔離室を設けることにより、澱みに蓄積された塵埃(パーティクル)を筐体外へ排出することができるので、筐体内の清浄度を維持することができる。
4) 仕切板に隔離室から送風機吸込側空間への逆流を防止する逆止弁を設けることにより、筐体の隙間から隔離室に侵入した外気の送風機吸込側空間への侵入防止効果をより一層高めることができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、逆止弁は省略してもよい。
前記実施の形態ではバッチ式縦形熱処理装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式縦形拡散装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
好ましい実施の態様を付記する。
(1)基板が待機する待機室を形成する筐体と、
前記待機室内に形成されて気体が循環する循環路と、
前記循環路の途中に設けられて前記気体を循環させる送風機と、
前記筐体内の前記送風機の吸込側に設けられた仕切板と、
前記仕切板と前記筐体の壁とが形成する空間を排気する排気ダクトと、
を備えている基板処理装置。
(2)前記空間から前記送風機吸込側空間への逆流を防止する逆止弁が前記仕切板に設けられている前記(1)の基板処理装置。
(1)基板が待機する待機室を形成する筐体と、
前記待機室内に形成されて気体が循環する循環路と、
前記循環路の途中に設けられて前記気体を循環させる送風機と、
前記筐体内の前記送風機の吸込側に設けられた仕切板と、
前記仕切板と前記筐体の壁とが形成する空間を排気する排気ダクトと、
を備えている基板処理装置。
(2)前記空間から前記送風機吸込側空間への逆流を防止する逆止弁が前記仕切板に設けられている前記(1)の基板処理装置。
1…ウエハ(基板)、2…ポッド(ウエハキャリア)、3…キャップ、
10…熱処理装置(基板処理装置)、11…筐体、12…待機室、13…取付板、14…ウエハローディングポート、15…ポッドオープナ、16…メンテナンス口、17…メンテナンス扉、
18…ウエハ移載装置エレベータ、18A…ウエハ移載装置、19…ボートエレベータ、20…シールキャップ、21…ボート(基板保持台)、22…ヒータユニット、23…アウタチューブ、24…インナチューブ、25…処理室、26…マニホールド、27…シャッタ、28…排気管、29…ガス供給管、
30…窒素ガス(不活性ガス)、31…循環路、32…循環ダクト、33…吸込口、34…吸込側ダクト部、35…メイン連絡ダクト部、36…吸込口、37…サブ連絡ダクト部、38…吹出口、39…吹出側ダクト部、40…クリーンエア、41…クリーンユニット、42…フィルタ、43…送風機、44…クリーンエア供給管、45…ダンパ、46…窒素ガス供給管、47…ダンパ、48…冷却器、49…ダンパ、
50…仕切板、51…隔離室(筐体の壁とが形成する空間)、52…排気ダクト、53…開口、54…逆止弁、55…吸込側空間、
70…コントローラ(制御手段)、71…通信配線。
10…熱処理装置(基板処理装置)、11…筐体、12…待機室、13…取付板、14…ウエハローディングポート、15…ポッドオープナ、16…メンテナンス口、17…メンテナンス扉、
18…ウエハ移載装置エレベータ、18A…ウエハ移載装置、19…ボートエレベータ、20…シールキャップ、21…ボート(基板保持台)、22…ヒータユニット、23…アウタチューブ、24…インナチューブ、25…処理室、26…マニホールド、27…シャッタ、28…排気管、29…ガス供給管、
30…窒素ガス(不活性ガス)、31…循環路、32…循環ダクト、33…吸込口、34…吸込側ダクト部、35…メイン連絡ダクト部、36…吸込口、37…サブ連絡ダクト部、38…吹出口、39…吹出側ダクト部、40…クリーンエア、41…クリーンユニット、42…フィルタ、43…送風機、44…クリーンエア供給管、45…ダンパ、46…窒素ガス供給管、47…ダンパ、48…冷却器、49…ダンパ、
50…仕切板、51…隔離室(筐体の壁とが形成する空間)、52…排気ダクト、53…開口、54…逆止弁、55…吸込側空間、
70…コントローラ(制御手段)、71…通信配線。
Claims (1)
- 基板が待機する待機室を形成する筐体と、
前記待機室内に形成されて気体が循環する循環路と、
前記循環路の途中に設けられて前記気体を循環させる送風機と、
前記筐体内の前記送風機の吸込側に設けられた仕切板と、
前記仕切板と前記筐体の壁とが形成する空間を排気する排気ダクトと、
を備えている基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009192899A JP2011044633A (ja) | 2009-08-24 | 2009-08-24 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009192899A JP2011044633A (ja) | 2009-08-24 | 2009-08-24 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011044633A true JP2011044633A (ja) | 2011-03-03 |
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ID=43831819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009192899A Pending JP2011044633A (ja) | 2009-08-24 | 2009-08-24 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011044633A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2009
- 2009-08-24 JP JP2009192899A patent/JP2011044633A/ja active Pending
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