CN114395804A - 一种导电型碳化硅衬底加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种导电型碳化硅衬底加工方法，涉及半导体加工方法技术领域，包括以下步骤：S1、对碳化硅晶体进行粗加工处理，得到待处理碳化硅基片；S2、将待处理碳化硅基片进行退火处理，并通入保护气体或者工艺气体，其中，退火温度为1800～2400℃，退火时间为30～180min；S3、将经过退火处理后的碳化硅基片进行快速冷却，其中，降温速率为100～350℃/s。相比于现有碳化硅衬底加工方法，其冷却时间一般超过10小时，本申请在碳化硅基片退火之后，采用快冷技术迅速降温，可以在较短时间内完成快速降温，确保更高的离化率，有效降低了导电型碳化硅衬底片的电阻率，提高了导电型碳化硅衬底的质量。

Description

一种导电型碳化硅衬底加工方法
技术领域
本发明涉及半导体加工方法技术领域，具体涉及一种导电型碳化硅衬底加工方法。
背景技术
碳化硅(SiC)单晶材料作为第三代新型宽禁带半导体材料的代表，因其具有禁带宽、温度膨胀系数低、热导率高、临界电场强度高、电子迁移率高等出色的物理、化学和电性能特性而在高压高温、高频、大功率等半导体器件及电力电子器件领域有着广阔的应用前景。实际应用中，导电型碳化硅衬底凭借其较低的电阻率可以有效降低功率器件的串联电阻进而降低器件功耗，成为功率器件尤其是功率开关器件的首选材料。
目前，碳化硅(SiC)衬底大多通过物理气相输运(PVT)法生长碳化硅(SiC)单晶晶锭，然后通过切磨抛等工艺将晶锭加工而成。为了使导电型碳化硅(SiC)衬底具有良好的导电性能，往往通过在晶体生长过程中掺杂不同种类、不同数量的掺杂剂进行控制。然而，高浓度的掺杂剂可能会在碳化硅(SiC)单晶中形成沉积；同时，碳化硅(SiC)原料和石墨件的纯度、热场均匀性等都可能对晶体产生影响甚至导致微管缺陷，从而影响衬底的质量，使得导电型碳化硅衬底应用到器件中时很可能因为微管缺陷出现如过高的漏电流、过早击穿等不良特性，进而影响器件的质量。此外，现有的碳化硅衬底加工方法获得的碳化硅衬底，尤其是导电型碳化硅衬底，仍存在较高的电阻率，进而影响应用其作为衬底的器件的质量性能。
发明内容
1、发明要解决的技术问题
针对现有碳化硅衬底加工方法获得的导电型碳化硅衬底，存在电阻率较高，从而影响碳化硅衬底质量的技术问题，本发明提供了一种导电型碳化硅衬底加工方法，它可以在短时间内实现快速降温，有效降低导电型碳化硅衬底的电阻率，并提高导电型碳化硅衬底的质量。
2、技术方案
为解决上述问题，本发明提供的技术方案为：
一种导电型碳化硅衬底加工方法，包括以下步骤：
S1、对碳化硅晶体进行粗加工处理，得到待处理碳化硅基片；
S2、将待处理碳化硅基片进行退火处理，并通入保护气体或者工艺气体，其中，退火温度为1800～2400℃，退火时间为30～180min；
S3、将经过退火处理后的碳化硅基片进行快速冷却，其中，降温速率为100～350℃/s。
通常，碳化硅基片在高温退火过程中，会获得合理的晶格修复率和更高的电激活性以及不同价态的浓度重新分布，而本申请通过将经过退火温度为1800～2400℃的高温退火处理的碳化硅基片进行快速冷却降温，且降温速率为100～350℃/s，使得碳化硅基片可以在30s之内即可完成降温并降至室温，使得碳化硅基片可以确保更高的离化率，有效避免了缓慢降温过程中空穴与电子的重新复合，有效降低了碳化硅基片的电阻率。由此可知，相比于现有碳化硅衬底加工方法，其冷却时间一般超过10小时，本申请在碳化硅基片退火之后，采用快冷技术迅速降温，可以在较短时间内完成快速降温，有效降低了导电型碳化硅衬底片的电阻率，提高了导电型碳化硅衬底的质量。
可选的，待处理碳化硅基片为350～650um的碳化硅衬底片或者经过分割的厚度为2mm～10mm的碳化硅晶锭。
可选的，步骤S2和步骤S3通过快速冷却退火装置进行操作，所述快速冷却退火装置包括：加热室，所述加热室用于对待处理碳化硅基片进行退火处理；过渡室，所述过渡室设于所述加热室的下方，所述过渡室与所述加热室相连通，所述过渡室内设有载样架和升降机构，所述升降机构用于带动载样架进入或者退出所述加热室；所述载样架具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与所述第二侧壁之间设有夹持组件，所述夹持组件包括可同步伸缩的第一夹持件和第二夹持件，所述第一夹持件设于所述第一侧壁上，所述第二夹持件设于所述第二侧壁上，所述第一夹持件和第二夹持件配合实现待处理碳化硅基片的夹持与释放；冷却室，所述冷却室设于所述过渡室的下方，所述冷却室与所述过渡室相连通。
可选的，所述第一夹持件和所述第二夹持件均包括伸缩机构和夹爪，所述伸缩机构与所述夹爪相连接。
可选的，所述伸缩机构包括变压容器和伸缩杆，所述变压容器设于所述第一侧壁或者第二侧壁内，所述伸缩杆的一端与所述变压容器连接，所述伸缩杆的另一端与所述夹爪连接，所述变压容器用于带动伸缩杆进行伸缩。
可选的，所述伸缩杆和所述夹爪均采用石墨材料。
可选的，靠近待处理碳化硅基片的所述夹爪的端面为圆弧形面，所述圆弧形面上设有耐火弹性材料。
可选的，所述载样架内部与所述冷却室相连通，所述载样架的底部为圆筒结构，所述第一侧壁和所述第二侧壁均为圆弧形结构，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的中心线与载样架的底部中心线重合。
可选的，所述夹持组件具有多组，多组所述夹持组件在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间由上到下依次间隔设置，相邻夹持组件之间平行设置。
可选的，还包括供气装置，所述供气装置与所述加热室相连通。
3、有益效果
采用本发明提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：
(1)本申请实施例提出的一种导电型碳化硅衬底加工方法，通过将经过退火温度为1800～2400℃的高温退火处理的碳化硅基片进行快速冷却降温，且降温速率为100～350℃/s，使得碳化硅基片可以在30s之内即可完成降温并降至室温，使得碳化硅基片可以确保更高的离化率，有效避免了缓慢降温过程中空穴与电子的重新复合，有效降低了碳化硅基片的电阻率。由此可知，相比于现有碳化硅衬底加工方法，其冷却时间一般超过10小时，本申请在碳化硅基片退火之后，采用快冷技术迅速降温，可以在较短时间内完成快速降温，有效降低了导电型碳化硅衬底片的电阻率，提高了导电型碳化硅衬底的质量。
(2)本申请实施例提出的一种导电型碳化硅衬底加工方法，通过采用上述快速冷却退火装置进行碳化硅基片的退火以及快速冷却，可以实现短时间内将待处理碳化硅基片从高温的退火环境中直接快速的放置于低温环境中进行冷却降温，冷却速率大幅提高，有效避免了缓慢降温过程中空穴与电子的重新复合，有效降低了碳化硅衬底的电阻率，提高了碳化硅衬底的质量。同时，该快速冷却退火装置也可以实现连续无间断的退火及快速冷却，有效改善了退火过程中频繁升温降温的过程，提高了退火效率。
(3)本申请实施例提出的一种导电型碳化硅衬底加工方法，通过设置圆弧形面以及在圆弧形面上设有耐火弹性材料，可以有效避免夹爪对待处理碳化硅基片造成损坏以及在高温退火中夹爪发生变形。
(4)本申请实施例提出的一种导电型碳化硅衬底加工方法，通过设置载样架的结构，便于待处理碳化硅基片位置的调整与固定，同时，便于保证由第一夹持件和第二夹持件释放后的待处理碳化硅基片可以顺利的进入到冷却室内进行快速冷却。
(5)本申请实施例提出的一种导电型碳化硅衬底加工方法，通过设置多组所述夹持组件由上向下依次放置待处理碳化硅基片，释放待处理碳化硅基片时，多组所述夹持组件由下向上依次释放待处理碳化硅基片，释放的间隔可以为1秒，使得待处理碳化硅基片依次进入到冷却室内。该设置可以根据需求更改，同时进行多个待处理碳化硅基片的退火以及快速冷却，提高碳化硅衬底的加工效率。
附图说明
图1为本发明实施例提出的一种导电型碳化硅衬底加工方法的流程示意图。
图2为本发明实施例提出的快速冷却退火装置的结构示意图。
图3为本发明实施例提出的快速冷却退火装置的剖面示意图。
图4为本发明实施例提出的升降机构与载样架组装在一起的俯视图。
图5为本发明实施例提出的升降机构与载样架组装在一起的剖面图。
具体实施方式
为进一步了解本发明的内容，结合附图及实施例对本发明作详细描述。
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。本发明中所述的第一、第二等词语，是为了描述本发明的技术方案方便而设置，并没有特定的限定作用，均为泛指，对本发明的技术方案不构成限定作用。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1
结合附图1，本实施例提供一种导电型碳化硅衬底加工方法，包括以下步骤：
S1、对碳化硅晶体进行粗加工处理，得到待处理碳化硅基片；
S2、将待处理碳化硅基片进行退火处理，并通入保护气体或者工艺气体，其中，退火温度为1800～2400℃，退火时间为30～180min；
S3、将经过退火处理后的碳化硅基片进行快速冷却，其中，降温速率为100～350℃/s。
碳化硅基片在高温退火过程中，会获得合理的晶格修复率和更高的电激活性以及不同价态的浓度重新分布，本申请通过将经过退火温度为1800～2400℃的高温退火处理的碳化硅基片进行快速冷却降温，且降温速率为100～350℃/s，使得碳化硅基片可以在30s之内即可完成降温并降至室温，使得碳化硅基片可以确保更高的离化率，有效避免了缓慢降温过程中空穴与电子的重新复合，有效降低了碳化硅基片的电阻率。由此可知，相比于现有碳化硅衬底加工方法，其冷却时间一般超过10小时，本申请在碳化硅基片退火之后，采用快冷技术迅速降温，可以在较短时间内完成快速降温，有效降低了导电型碳化硅衬底片的电阻率，提高了导电型碳化硅衬底的质量。
一般，在n型碳化硅衬底中，其导电性主要依赖于在衬底材料中掺杂V族元素。现有技术一般选择氮掺杂，氮原子替位于C亚晶格格点，同时提供自由电子，其离化率一般可以达到90％，而采用本申请导电型碳化硅衬底加工方法处理之后，其离化率可以达到99％以上，碳化硅衬底电阻率显著降低。同时，在p型碳化硅衬底中，其导电性主要依赖于在衬底材料中掺杂III族元素。现有技术一般选择铝掺杂，铝原子替位于Si亚晶格格点，同时提供空穴，其离化率一般可以达到60％，而采用本申请导电型碳化硅衬底加工方法处理之后，其离化率可以达到90％以上，碳化硅衬底电阻率显著降低。
为了更好的说明本申请中导电型碳化硅衬底加工方法获得的碳化硅衬底的效果，申请人分别对本申请方法获得的碳化硅衬底和现有技术获得的碳化硅衬底的电阻率以及其他性能进行了检测，检测结果发现：本申请方法获得的碳化硅衬底，其电阻率可以降低至0.001
Ω.cm，且普遍可以达到0.0015Ω.cm及以下，同时其他性能也均达标；而现有技术获得的碳化硅衬底，其电阻率在0.027Ω.cm以上。
由此可知，本申请导电型碳化硅衬底加工方法可以很明显的缩减碳化硅基片高温退火处理时间、加快退火之后的碳化硅基片降温速率、提高退火效率、改善基片缺陷、降低基片电阻率，有效优化了现有技术中的缺陷，具有较高的实际应用价值。
实际运用中，所述保护气体为惰性气体，如采用Ar作为保护气体形成保护气氛，同时也可以选择通入SiH4以防止高温退火过程中，碳化硅基片表面Si析出从而导致碳化硅基片表面石墨化以及严重粗糙化。
实际运用中，粗加工处理属于现有技术，故不在做此赘述。
实施例2
本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例1的技术方案相比，待处理碳化硅基片22为350～650um的碳化硅衬底片或者经过分割的厚度为2mm～10mm的碳化硅晶锭。
实施例3
结合附图2-5，本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例1或2的技术方案相比，步骤S2和步骤S3通过快速冷却退火装置进行操作，所述快速冷却退火装置包括：加热室1，所述加热室1用于对待处理碳化硅基片22进行退火处理；过渡室2，所述过渡室2设于所述加热室1的下方，所述过渡室2与所述加热室1相连通，所述过渡室2内设有载样架3和升降机构4，所述升降机构4用于带动载样架3进入或者退出所述加热室1；所述载样架3具有相对设置的第一侧壁5和第二侧壁6，所述第一侧壁5与所述第二侧壁6之间设有夹持组件，所述夹持组件包括可同步伸缩的第一夹持件7和第二夹持件8，所述第一夹持件7设于所述第一侧壁5上，所述第二夹持件8设于所述第二侧壁6上，所述第一夹持件7和第二夹持件8配合实现待处理碳化硅基片22的夹持与释放；冷却室9，所述冷却室9设于所述过渡室2的下方，所述冷却室9与所述过渡室2相连通。
在过渡室2内，控制第一夹持件7和第二夹持件8分别朝着靠近载样架3中心方向进行水平移动并夹持固定待处理碳化硅基片22，进而使得待处理碳化硅基片22固定在载样架3上；控制升降机构4带动载有待处理碳化硅基片22的载样架3做上升运动，由过渡室2进入加热室1内进行待处理碳化硅基片22的退火处理；退火完成后，控制第一夹持件7和第二夹持件8分别朝着远离载样架3中心方向进行水平移动实现待处理碳化硅基片22的释放，释放后的待处理碳化硅基片22在重力的作用下直接由加热室1快速通过过渡室2进入到冷却室9内进行冷却；然后，控制升降机构4带动空的载样架3进行下降运动，由加热室1回到到过渡室2内。由此可知，采用上述快速冷却退火装置进行碳化硅基片的退火以及快速冷却，可以实现短时间内将待处理碳化硅基片22从高温的退火环境中直接快速的放置于低温环境中进行冷却降温，冷却速率大幅提高，有效避免了缓慢降温过程中空穴与电子的重新复合，有效降低了碳化硅衬底的电阻率，提高了碳化硅衬底的质量。同时，本申请的快速冷却退火装置也可以实现连续无间断的退火及快速冷却，有效改善了退火过程中频繁升温降温的过程，提高了退火效率。
实际运用中，还包括等离子体发生器，所述等离子体发生器设于所述加热室1上，所述等离子体发生器与所述加热室1之间设有隔板阀。设置等离子体发生器用于对待处理碳化硅基片22进行等离子体工艺处理；所述隔板阀用于所述等离子体发生器与所述加热室1之间的连通与隔断，使得加热室1和等离子体发生器之间既可以配合工作，也可以单独工作，避免各室之间的相互干扰。
实际运用中，所述加热室1上设有加热器线圈10，设置加热器线圈10用于对加热室1进行加热，提供高温的退火环境。所述冷却室9内设有冷却容器11，所述冷却容器11内设有制冷剂12。所述冷却容器11上设有制冷剂进口和制冷剂出口。所述制冷剂进口设于所述冷却容器11的底部，所述制冷剂出口设于所述冷却容器11的顶部。实际运用中，制冷剂12可以为液氮或者甲基硅油。
实际运用中，载样架3的下降速度为80r/min。
实施例4
结合附图4，本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例3的技术方案相比，所述第一夹持件7和所述第二夹持件8均包括伸缩机构和夹爪13，所述伸缩机构与所述夹爪13相连接，设置所述伸缩机构用于带动夹爪13做往复直线运动，所述夹爪13用于夹持碳化硅基片。
实施例5
结合附图5，本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例4的技术方案相比，所述伸缩机构包括变压容器14和伸缩杆15，所述变压容器14设于所述第一侧壁5或者第二侧壁6内，所述伸缩杆15的一端与所述变压容器14连接，所述伸缩杆15的另一端与所述夹爪13连接，所述变压容器14用于带动伸缩杆15进行伸缩。
实际运用中，还包括充气装置(图中未示出)和排气装置(图中未示出)，所述充气装置和所述排气装置均与所述变压容器14相连通，所述变压容器14通过充气和排气实现容器内压力的变化，进而实现伸缩杆15的伸缩，进而带动夹爪13的运动，实现待处理碳化硅基片22的夹持与释放。
实际运用中，伸缩机构可以为气缸。
实施例6
本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例4的技术方案相比，所述伸缩杆15和所述夹爪13均采用石墨材料。通常，退火环境中的温度均属于高温环境，而石墨材料具有耐高温的特点，故采用石墨材料制成的夹爪13和伸缩杆15具有耐高温的特点，可以保证在退火环境中正常工作。
实施例7
结合附图4，本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例6的技术方案相比，靠近待处理碳化硅基片22的所述夹爪13的端面为圆弧形面，所述圆弧形面上设有耐火弹性材料。设置圆弧形面(图中未标出)以及在圆弧形面上设有耐火弹性材料，可以有效避免夹爪13对待处理碳化硅基片22造成损坏以及在高温退火中夹爪13发生变形。实际运用中，耐火弹性材料的高度要求大于待处理碳化硅基片22的厚度，便于将待处理碳化硅基片22稳定夹住；耐火弹性材料可以为石墨硬毡和石墨软毡，所述圆弧形面上由内向外依次设有石墨硬毡和石墨软毡，石墨硬毡可以用于防止夹爪13高温发生形变，石墨软毡用于防止所述夹爪13对待处理碳化硅基片22造成损伤。
实施例8
结合附图5，本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例3的技术方案相比，所述载样架3内部与所述冷却室9相连通，所述载样架3的底部为圆筒结构，所述第一侧壁5和所述第二侧壁6均为圆弧形结构，所述第一侧壁5和所述第二侧壁6之间的中心线与载样架3的底部中心线重合。该结构的载样架3，便于待处理碳化硅基片22位置的调整与固定，同时，便于保证由第一夹持件7和第二夹持件8释放后的待处理碳化硅基片22可以顺利的进入到冷却室9内进行快速冷却。
实施例9
结合附图5，本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例3的技术方案相比，所述夹持组件具有多组，多组所述夹持组件在所述第一侧壁5和所述第二侧壁6之间由上到下依次间隔设置，相邻夹持组件之间平行设置。
在夹持待处理碳化硅基片22时，多组所述夹持组件由上向下依次放置待处理碳化硅基片22，释放待处理碳化硅基片22时，多组所述夹持组件由下向上依次释放待处理碳化硅基片22，释放的间隔可以为1秒，使得待处理碳化硅基片22依次进入到冷却室9内。该设置不仅可以根据需求，同时进行多个待处理碳化硅基片22的退火以及快速冷却，提高碳化硅衬底的加工效率。
实施例10
本实施例的一种导电型碳化硅衬底加工方法，与实施例3的技术方案相比，还包括供气装置，所述供气装置与所述加热室1相连通。
解决的技术问题和效果
所述供气装置用于向加热室1内提供退火气氛，退火气氛为惰性气体或反应气氛。反应气氛可以为N2、H2、CH4、SiH4。实际运用中，所述加热室1上设有进气口21，所述进气口21与所述供气装置相连通。
实际运用中，所述加热室1顶部设有隔板阀(图中未标出)，该隔板阀关闭时，可以作为加热室1的上端盖起到封闭的作用，同时，隔板阀打开时，可以连通所述加热腔1和所述等离子体发生器18，用于对所述加热腔1内的碳化硅样品22进行等离子体工艺处理。
实际运用中，还包括真空管道20，所述真空管道20与所述过渡室2相连通。真空管道20用于对装置腔室进行抽真空，由于加热室1和冷却室9均与过渡室2相连通，因此，真空管道20可以实现整个加工装置内腔室的抽真空操作，提供真空环境，保证整个碳化硅衬底加工装置的清洁度。
实际运用中，所述过渡室2与所述冷却室9之间设有导向通道16，所述过渡室2与所述冷却室9之间通过导向通道16相连通，导向通道16的设置可以让释放的待处理碳化硅基片22顺利的进入到冷却室9内。同时，所述导向通道16上设有插板阀17，所述加热室1与所述过渡室2之间设有隔板阀。通过设置插板阀17和隔板阀，可以实现过渡室2与冷却室9以及加热室1之间的连通与隔断，使得过渡室2、冷却室9以及加热室1之间既可以配合工作，也可以单独工作，避免各室工艺之间的相互干扰。
实际运用中，隔板阀和插板阀17均属于现有技术，故不再做此赘述。
以上示意性的对本发明及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对碳化硅晶体进行粗加工处理，得到待处理碳化硅基片；
S2、将待处理碳化硅基片进行退火处理，并通入保护气体或者工艺气体，其中，退火温度为1800～2400℃，退火时间为30～180min；
S3、将经过退火处理后的碳化硅基片进行快速冷却，其中，降温速率为100～350℃/s。
2.根据权利要求1所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，待处理碳化硅基片为350～650um的碳化硅衬底片或者经过分割的厚度为2mm～10mm的碳化硅晶锭。
3.根据权利要求1或2所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，步骤S2和步骤S3通过快速冷却退火装置进行操作，所述快速冷却退火装置包括：
加热室，所述加热室用于对待处理碳化硅基片进行退火处理；
过渡室，所述过渡室设于所述加热室的下方，所述过渡室与所述加热室相连通，所述过渡室内设有载样架和升降机构，所述升降机构用于带动载样架进入或者退出所述加热室；所述载样架具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与所述第二侧壁之间设有夹持组件，所述夹持组件包括可同步伸缩的第一夹持件和第二夹持件，所述第一夹持件设于所述第一侧壁上，所述第二夹持件设于所述第二侧壁上，所述第一夹持件和第二夹持件配合实现待处理碳化硅基片的夹持与释放；
冷却室，所述冷却室设于所述过渡室的下方，所述冷却室与所述过渡室相连通。
4.根据权利要求3所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，所述第一夹持件和所述第二夹持件均包括伸缩机构和夹爪，所述伸缩机构与所述夹爪相连接。
5.根据权利要求4所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，所述伸缩机构包括变压容器和伸缩杆，所述变压容器设于所述第一侧壁或者第二侧壁内，所述伸缩杆的一端与所述变压容器连接，所述伸缩杆的另一端与所述夹爪连接，所述变压容器用于带动伸缩杆进行伸缩。
6.根据权利要求4所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，所述伸缩杆和所述夹爪均采用石墨材料。
7.根据权利要求6所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，靠近待处理碳化硅基片的所述夹爪的端面为圆弧形面，所述圆弧形面上设有耐火弹性材料。
8.根据权利要求3所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，所述载样架内部与所述冷却室相连通，所述载样架的底部为圆筒结构，所述第一侧壁和所述第二侧壁均为圆弧形结构，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的中心线与载样架的底部中心线重合。
9.根据权利要求3所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，所述夹持组件具有多组，多组所述夹持组件在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间由上到下依次间隔设置，相邻夹持组件之间平行设置。
10.根据权利要求3所述的导电型碳化硅衬底加工方法，其特征在于，还包括供气装置，所述供气装置与所述加热室相连通。
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