JP2012079907A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012079907A JP2012079907A JP2010223418A JP2010223418A JP2012079907A JP 2012079907 A JP2012079907 A JP 2012079907A JP 2010223418 A JP2010223418 A JP 2010223418A JP 2010223418 A JP2010223418 A JP 2010223418A JP 2012079907 A JP2012079907 A JP 2012079907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer chamber
- substrate
- air
- chamber
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 165
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 251
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 108
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を保持した状態で処理室内に対して搬入出される基板保持体と、未処理基板を基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備えた基板処理装置において、クリーンユニットを、平面多角形状に構成された移載室内における角部に配設する。
【選択図】 図3
Description
一つは、サイドフローの場合、移載室内の角部(コーナー部)にてエアの滞留が発生し易いという点である。移載室内でのエアの滞留は、ウエハをパーティクルによって汚染してしまう原因となり得るため、その発生を抑制すべきである。特に、移載室内では、処理直後のウエハのような熱を発する部材が存在し、その熱によりウエハ移載機等からパーティクルが発生する可能性がある。そのため、移載室内において、パーティクル発生の原因となり得るエアの滞留の発生を抑制することは、非常に重要である。
他の一つは、サイドフローの場合、基板処理装置の設置の省スペース化が困難という点である。クリーンユニットを移載室の側壁に沿って設ける分、装置幅を要してしまうからである。このことは、特にウエハが大径化(例えば300mmから450mm)した場合に、非常に大きな問題となり得る。
る前の基板保持体に未処理基板を保持させるチャージ動作を行う搬入前移載工程と、前記未処理基板を保持した状態の前記基板保持体を前記移載室内から前記処理室内へ搬入する搬入工程と、前記処理室内に搬入された前記基板保持体が保持する前記未処理基板に対して処理を行う処理工程と、前記処理が行われた処理済基板を保持する前記基板保持体を当該処理室内から前記移載室内へ搬出する搬出工程と、前記移載室内にて、前記処理室内から搬出された前記基板保持体が保持する前記処理済基板を当該基板保持体から取り出すディスチャージ動作を行う搬出後移載工程と、を備え、前記搬入前移載工程と前記搬出後移載工程との少なくとも一方では、平面多角形状に構成された前記移載室内における角部に配設されたクリーンユニットが、前記移載室内にクリーンエアを吹き出す半導体装置の製造方法が提供される。
以下に、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
先ず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概要について簡単に説明する。
次に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成例について説明する。
図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す斜透視図である。
基板処理装置10は、内部に処理炉40等の主要部が配置される筐体12を備えている。筐体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されている。ポッドステージ18上には、ウエハ14を収納する基板収納具としてのフープ(以下、「ポッド」という。)16が搬送されて載置される。ポッド16は、その内部に例えば25枚のウエハ14が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ18上に載置されるように構成されている。つまり、基板処理装置10では、ポッド16がウエハキャリアとして使用される。
ポッド搬送装置20は、ポッドステージ18とポッド棚22とポッドオープナ24との間でポッド16を搬送するように構成されている。
ポッド棚22は、ポッドオープナ24の上方に配置され、ポッド16を複数個載置した状態で保持するように構成されている。ポッド棚22は、複数段の棚板を有して、モータ等の図示せぬ間欠回転駆動装置によって一方向にピッチ送り回転される、いわゆる回転棚によって構成することが考えられる。ただし、回転機能は必須ではない。また、ポッド棚22の近傍には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット134aを設け、そのクリーンユニット134aから清浄化した雰囲気であるクリーンエアを流通させるように構成してもよい。
ポッドオープナ24は、ポッド16の蓋を開けるように構成されている。
基板枚数検知器26は、ポッドオープナ24に隣接して配置されており、蓋を開けられたポッド16内のウエハ14の枚数を検知するように構成されている。
基板移載機28は、例えば5枚のウエハ14を取り出すことができるアーム(ツィーザ)32を有している。図示しない駆動手段によりアーム32を上下回転動作させることに
より、ポッドオープナ24の位置に置かれたポッド16とボート30との間にて、ウエハ14を搬送させることが可能なように構成されている。
ボート30は、複数枚(例えば、50枚〜150枚程度)のウエハ14を、水平姿勢で、かつ、その中心を揃えた状態で、鉛直方向に所定間隔を空けて整列積層させて、縦方向に多段保持するように構成されている。ウエハ14を保持したボート30は、図示せぬ昇降機構としてのボートエレベータによって、昇降させることが可能なように構成されている。
続いて、上述した処理炉40について簡単に説明する。
図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置に用いられる処理炉の構成例を示す縦断面図である。
マニホールド45の下端部は、図示せぬボートエレベータが上昇した際に、シールキャップ46により気密に封止されるように構成されている。マニホールド45の下端部とシールキャップ46との間には、処理室42内を気密に封止するOリング等の封止部材46aが設けられている。
また、マニホールド45には、処理室42内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管47と、処理室42内のガスを排気するための排気管48とが、それぞれ接続されている。
次に、本実施形態にかかる基板処理装置10を用いて、半導体デバイス製造の一工程として、ウエハ14に対する処理を行う場合の動作手順について説明する。
基板処理装置10にてウエハ14に対する処理を行う場合は、先ず、ポッドステージ18に複数枚のウエハ14を収容したポッド16を載置する。そして、ポッド搬送装置20によりポッド16をポッドステージ18からポッド棚22上に移載する。さらに、ポッド搬送装置20により、ポッド棚22上に載置されたポッド16をポッドオープナ24に搬送する。その後、ポッドオープナ24によりポッド16の蓋を開き、ポッド16に収容されているウエハ14の枚数を基板枚数検知器26により検知する。
ポッドオープナ24がポッド16の蓋を開いたら、次いで、移載室50内に配置された基板移載機28が、ポッド16からウエハ14を取り出す。そして、ポッド16から取り出した未処理状態のウエハ14を、基板移載機28と同じく移載室50内に位置するボート30に移載する。つまり、基板移載機28は、移載室50内にて、処理室42内へ搬入する前のボート30に未処理状態のウエハ14を装填するウエハチャージ動作を行う。これにより、ボート30は、複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成す積層状態で保持することになる。ボート30が積層状態で保持して一括処理するウエハ14の枚数は、例えば25枚〜100枚である。これにより、量産性を高めることができる。
ウエハチャージ動作後は、ボートエレベータの昇降動作により、未処理状態のウエハ14を複数枚保持したボート30を処理室42内へ搬入(ボートローディング)する。つまり、ボートエレベータを動作させて、未処理状態のウエハ14を保持したボート30を、移載室50内から処理室42内へ搬入する。これにより、シールキャップ46は、封止部材46aを介してマニホールド45の下端をシールした状態となる。
ボートローディング後は、処理室42内に搬入されたボート30が保持する未処理状態のウエハ14に対して、所定の処理を行う。具体的には、例えば熱CVD反応による成膜処理を行う場合であれば、排気管48を用いて排気を行い、処理室42内が所望の圧力(真空度)となるようにする。そして、ヒータユニット49を用いて処理室42内に対する加熱を行うとともに、回転機構43を動作させてボート30が回転させ、これに伴いウエハ14も回転させる。ウエハ14の回転は、後述するウエハ14の搬出まで継続する。さらには、ガス導入管47により処理室42内へ原料ガスやパージガス等を供給する。これにより、ボート30に保持された未処理状態のウエハ14の表面には、熱による分解反応や化学反応等を利用した薄膜形成が行われる。
その後は、ボートエレベータの昇降動作により、シールキャップ46を下降させてマニホールド45の下端を開口させるとともに、処理済状態のウエハ14を保持したボート30をマニホールド45の下端から処理室42外へ搬出(ボートアンローディング)する。つまり、ボートエレベータを動作させて、処理済状態のウエハ14を保持したボート30を、処理室42内から移載室50内へ搬出する。そして、ボート30に支持された全てのウエハ14が冷えるまで、ボート30を所定位置で待機させる。
待機させたボート30のウエハ14が所定温度(例えば室温程度)まで冷えた後は、移載室50内に配置された基板移載機28が、ボート30からのウエハ14の脱装を行う。そして、ボート30から脱装した処理済状態のウエハ14を、ポッドオープナ24に載置されている空のポッド16に搬送して収容する。つまり、基板移載機28は、移載室50内にて、処理室42内から搬出されたボート30が保持する処理済状態のウエハ14を、当該ボート30から取り出してポッド16へ移載するウエハディスチャージ動作を行う。
このようにして、本実施形態にかかる基板処理装置10による基板処理工程の一連の処理動作が完了する。
次に、本実施形態にかかる基板処理装置10における特徴的な構成である、移載室50内の構成について、具体例を挙げて詳しく説明する。ここでは、高スループット化のために、2つのボート30を処理室42内に対して交互に搬入出する、いわゆる2ボート装置における移載室を例に挙げて、以下の説明を行う。
図3は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置に用いられる移載室内の構成例を示す斜透視図である。
上述したように、基板処理装置10は、未処理状態のウエハ14をボート30に保持させるチャージ動作、および、処理済状態のウエハ14をボート30から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室50を備える。移載室50は、天井、床および四方を囲う側壁によって、平面四角形状に構成された一つの部屋として区画形成されている。ただし、必ずしも平面四角形状に限定されることはなく、平面多角形状(例えば、平面三角形状、平面五角形状等)に構成されていればよい。ここで、移載室50内は、ロードロック室や窒素パージボックス等を構成している必要はなく、大気雰囲気でよい。
移載室50内に配置されたクリーンユニット52は、当該移載室50内にクリーンエアを吹き出すように構成されている。そのために、クリーンユニット52は、例えばULPA(Ultra Low Penetration Air−filter)から構成されるフィルタと、電動により送風を行うブロアとを内蔵している。
このような構成のクリーンユニット52は、詳細を後述する理由により、平面多角形状に構成された移載室50内における角部に配設されている。
移載室50内に配置された排気部53a,53bは、当該移載室50内のエア(クリー
ンエアの他に、パーティクルが混在するエアを含む。)を、当該移載室50外へ排気するように構成されている。そのために、排気部53a,53bは、移載室50内から移載室50外へ連なるダクトと、そのダクト内に設けられた電動排気ファンとを備えている。
このような構成の排気部53a,53bは、詳細を後述する理由により、クリーンユニット52が配設された角部とは別の移載室50内における角部に設けられている。
以上のような内部構成の移載室50の上方側には、処理炉40が配置されている。ただし、移載室50の上方側における筐体12内の空間の全てが処理炉40によって占められているわけではなく、処理炉40の周囲に位置する空間にはエアフロー循環路55が形成されている。
図4は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置に用いられるボート交換装置の概要を示す平面図である。
2ボート装置では、2つのボート30を処理室42内に対して交互に搬入出するために、移載室50内にボート交換装置54を備えている。ここで、図4を参照しながら、移載室50内におけるボート交換装置54の動きを説明する。
図示せぬノッチ合せ機によりノッチ合せを行ったウエハを装填する。そして、位置Aにあるノッチ合せ済みのウエハで満たされたボート30を旋回アームにより位置Cに搬送する。位置Cにあるボート30は、処理室42内に搬入され、所定の処理が行われる。処理室42内での処理の間、位置Bにある空のボート30を旋回アームにより位置Aに搬送し、別なノッチ合せ前のウエハをポッド16から取り出し、ノッチ合せ機によりノッチ合せを行い、位置Aにあるボート30に移載してウエハで満たす。そして、下記の動作(a)〜(d)を繰り返す。
(c)処理室42内で処理している間、位置Bで冷却されたボート30を旋回アームにより位置Aに搬送して、位置Aで処理済ウエハをボート30から脱装して、ポッド16内へ戻す。
(d)処理済ウエハを取り出して空になったボート30に対し、新規にポッド16より取り出してノッチ合せを行った後のウエハを装填して、当該ボート30を未処理ウエハで満たす。
次に、以上のような構成の移載室50内において形成されるエアフロー(クリーンエアの流れ)について、詳しく説明する。
ここで、本実施形態における移載室50内のエアフロー形成の説明に先立ち、その比較例となる従来構成によるエアフロー形成について説明する。
既に説明したように、従来構成の基板処理装置における移載室50内では、フィルタとブロアを内蔵したクリーンユニット61を、当該移載室50の一側の側壁に沿って設けている。そして、移載室50のウエハ搬入出口51が設けられた側の側壁の下部には、移載室50内のエアをクリーンユニット61により当該移載室50内へ再供給するための循環経路62を配している。このような構成により、移載室50内に形成されるエアフローは、クリーンユニット61からのサイドフローとなる。
とになる。そのため、その熱によりウエハ移載機等からパーティクルが発生する可能性がある。つまり、同じ筐体内であっても、例えばポッド棚が配置される空間(回転棚設置室)等では問題とならない程度のエアの滞留が、移載室50内では熱によるパーティクル発生の可能性があるために非常に大きな問題となり得るのである。
以上のような状況下にある移載室50内においても最適なエアフロー形成を行うために鋭意研究を重ねた結果、本願発明者は、移載室50の角部からクリーンエアを循環させることがよいのではないかという知見に至った。そして、本願発明者は、移載室50内における角部にクリーンユニット52を配設し、当該クリーンユニット52から移載室50内に向けてクリーンエアを吹き出す、という従来とは異なる構成に想到したのである。
これに対して、本願発明者は、移載室50内の限られたスペースを利用するという既成概念に囚われず、移載室50の上方側における筐体12内の空間を利用してエアフロー循環路55を形成するという従来にはない着想を得て、これにより排気部53a,53bからクリーンユニット52までのエア循環経路を構築しつつ、クリーンユニット52を移載室50内の角部に配設するという構成を実現可能にしているのである。
図6(a)に示すように、移載室50内の角部にクリーンユニット52を配設した構成の場合、クリーンユニット52からクリーンエアを吹き出すとともに、クリーンユニット52と対面する角部に設置した各排気部53a,53bが積極的に排気を行うことで、クリーンユニット52と各排気部53a,53bとの間にエアフローが形成される(図中矢
印参照)。つまり、移載室50内の一つの角部から他の角部に向けてエアフローが形成されることになる。したがって、従来構成によるサイドフローの場合に比べると、移載室50内の角部におけるエアの滞留が発生し難くなり、確実にエアフローを形成することができる。さらには、エアの滞留が発生し難いので、ウエハ14に対する冷却効果も十分に得ることができる。
処理対象となるウエハ14が300mm径であれば従来構成によるサイドフローであっても構成可能であったが、ウエハ14が450mm径の場合には、移載室50内に確保可能なスペースが極端に狭くなり(装置幅方向に細くなり)、従来のような設置は非常に困難である。
用して装置幅を可能な限り狭くすることを可能にしつつ、移載室50内での確実なエアフロー形成を行って当該移載室50内のクリーン度を好適に保つことが可能になる。
各排気部53a,53bが移載室50内から排気したエアは、移載室50の上方側に設けられたエアフロー循環路55によって循環され、クリーンユニット52または第2のクリーンユニット56へ戻る。このように、移載室50の上方側における筐体12内の空間を利用してエアフロー循環路55を形成すれば、移載室50内の限られたスペースを利用してエアを循環させていた従来構成に比べて、スペース上の制限が緩和されるので、循環させるエア流量を増大させることが容易に実現可能となる。また、移載室50内に複数の排気部53a,53bが配されている場合であっても、それぞれの排気部53a,53bから(具体的には2箇所から)エアを循環させることが可能となる。したがって、クリーンユニット52または第2のクリーンユニット56に対して、十分な流量のエアを循環させることができる。つまり、クリーンユニット52または第2のクリーンユニット56の風量不足が生じてしまうのを未然に解消することができる。
さらに、移載室50内の角部にクリーンユニット52を配し、かつ、移載室50の上方側における筐体12内の空間を利用してエアフロー循環路55を形成した場合は、従来構成においてクリーンユニット61および循環経路62があった部分が空きスペースとなる。したがって、従来構成に比べると、移載室50内での各構成要素の配置に関する自由度が増大する。
本実施形態によれば、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
いに異なる少なくとも3方向とする風向板57を設置することで、各方向へ異なる役割をもってクリーンエアを供給することが可能となる。したがって、風向板57を設置することによって、移載室50内のクリーン度をより保ち易くなる。
また、エアフロー循環路55のエア経路中にエアの流量調整を行うエアダンパ58を設けることで、そのエアダンパ58での流量調整によって移載室50内へのクリーンエアの風圧調整を行うことが可能になる。つまり、エア経路中にエアダンパ58が設けることで、従来はクリーンユニット風量で制御していた移載室50内の風圧調整を、排気側から調節できるようになる。
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
図例では、1ボート装置における移載室50内のエアフローを示している。
1ボート装置では、2ボート装置の場合に比べて移載室50内に配置すべき構成要素が少ないため、当該移載室50内にスペース的な余裕ができる可能性がある。
の角部に他のクリーンユニット52aを配設し、それぞれのクリーンユニット52,52aを併用する。このようにすることで、移載室50内においては、角部でのエア滞留を抑制しつつ、ボート30の位置近辺にきれいな(整然と流れる)サイドフローを形成することができる。
図例では、2ボート装置における移載室50内のエアフローを示しているが、1ボート装置の場合であっても同様に適用可能であることは勿論である。
図9に示す構成例では、移載室50内におけるクリーンエア経路上の特定箇所に、エアフロー循環路55への局所的な排気を行う局所排気部59を設けている。特定箇所としては、例えば特に温度が上がり易い箇所のように、移載室50内の環境(クリーン度や温度等)を好適に保つ上で支障を来すおそれのある箇所が挙げられる。特定箇所の数については、特に限定されることはない。このような特定箇所に局所排気部59を設けて、移載室50内のエアをエアフロー循環路55へ流すようにすれば、当該局所排気部59がない場合に比べて移載室50内の環境を好適に保つことが容易となり、なお一層好ましい。
以下に、本実施形態にかかる好ましい形態を付記する。
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持した状態で前記処理室内に対して搬入出される基板保持体と、
未処理基板を前記基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を前記基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、
前記移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備え、
前記クリーンユニットは、平面多角形状に構成された前記移載室内における角部に配設される基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記クリーンユニットが配設された前記角部とは別の前記移載室内における角部に、当該移載室内のエアを排気する排気部を設ける。
また好ましくは、
前記クリーンユニットが吹き出すクリーンエアの風向を少なくとも互いに異なる3方向とする風向板を備える。
また好ましくは、
前記移載室内から排気されたエアを当該移載室内へ前記クリーンユニットを介して再供給するためのエアフロー循環路と、
前記エアフロー循環路を流れるエアの流量調整を行うエアダンパと、を備え、
前記エアダンパでの流量調整によって前記移載室内への風圧調整を行うように構成する。
また好ましくは、
前記移載室における基板収容具側連通口の近傍にて局所的なクリーンエアのダウンフローを発生させる第2のクリーンユニットを備える。
また好ましくは、
前記移載室内における複数の角部のそれぞれに前記排気部を設け、
それぞれの角部における各排気部による総風量と前記クリーンユニットによる風量とが同等となる風量バランスにするよう構成する。
また好ましくは、
前記クリーンユニットが配設された前記移載室内の前記角部とは別の角部、または当該移載室における前記平面多角形状の構成辺に沿った位置に、当該クリーンユニットとは別に他のクリーンユニットを配設し、
前記クリーンユニットと前記他のクリーンユニットとを併用するように構成する。
また好ましくは、
前記移載室内におけるクリーンエア経路上の特定箇所に前記エアフロー循環路への局所的な排気を行う局所排気部を設ける。
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持した状態で前記処理室内に対して搬入出される基板保持体と、
未処理基板を前記基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を前記基板保
持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、
前記移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備え、
前記クリーンユニットは、平面多角形状に構成された前記移載室内で、少なくとも当該平面多角形状の対角線に沿った方向に前記クリーンエアの流れを生じさせる基板処理装置が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
処理室内に連通する移載室内にて、前記処理室内へ搬入する前の基板保持体に未処理基板を保持させるチャージ動作を行う搬入前移載工程と、
前記未処理基板を保持した状態の前記基板保持体を前記移載室内から前記処理室内へ搬入する搬入工程と、
前記処理室内に搬入された前記基板保持体が保持する前記未処理基板に対して処理を行う処理工程と、
前記処理が行われた処理済基板を保持する前記基板保持体を当該処理室内から前記移載室内へ搬出する搬出工程と、
前記移載室内にて、前記処理室内から搬出された前記基板保持体が保持する前記処理済基板を当該基板保持体から取り出すディスチャージ動作を行う搬出後移載工程と、を備え、
前記搬入前移載工程と前記搬出後移載工程との少なくとも一方では、平面多角形状に構成された前記移載室内における角部に配設されたクリーンユニットが、前記移載室内にクリーンエアを吹き出す半導体装置の製造方法が提供される。
14 ウエハ(基板)
30 ボート(基板保持体)
42 処理室
50 移載室
52 クリーンユニット
Claims (5)
- 基板を処理する処理室と、
前記基板を保持した状態で前記処理室内に対して搬入出される基板保持体と、
未処理基板を前記基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を前記基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、
前記移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備え、
前記クリーンユニットは、平面多角形状に構成された前記移載室内における角部に配設される
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記クリーンユニットが配設された前記角部とは別の前記移載室内における角部に、当該移載室内のエアを排気する排気部を設ける
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記クリーンユニットが吹き出すクリーンエアの風向を少なくとも互いに異なる3方向とする風向板を備える
ことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記移載室内から排気されたエアを当該移載室内へ前記クリーンユニットを介して再供給するためのエアフロー循環路と、
前記エアフロー循環路を流れるエアの流量調整を行うエアダンパと、を備え、
前記エアダンパでの流量調整によって前記移載室内への風圧調整を行うように構成されている
ことを特徴とする請求項1、2または3記載の基板処理装置。 - 処理室内に連通する移載室内にて、前記処理室内へ搬入する前の基板保持体に未処理基板を保持させるチャージ動作を行う搬入前移載工程と、
前記未処理基板を保持した状態の前記基板保持体を前記移載室内から前記処理室内へ搬入する搬入工程と、
前記処理室内に搬入された前記基板保持体が保持する前記未処理基板に対して処理を行う処理工程と、
前記処理が行われた処理済基板を保持する前記基板保持体を当該処理室内から前記移載室内へ搬出する搬出工程と、
前記移載室内にて、前記処理室内から搬出された前記基板保持体が保持する前記処理済基板を当該基板保持体から取り出すディスチャージ動作を行う搬出後移載工程と、を備え、
前記搬入前移載工程と前記搬出後移載工程との少なくとも一方では、平面多角形状に構成された前記移載室内における角部に配設されたクリーンユニットが、前記移載室内にクリーンエアを吹き出す
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010223418A JP5806811B2 (ja) | 2010-10-01 | 2010-10-01 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
KR1020110075684A KR101290980B1 (ko) | 2010-10-01 | 2011-07-29 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US13/210,978 US20120083120A1 (en) | 2010-10-01 | 2011-08-16 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
CN201110241510.4A CN102446796B (zh) | 2010-10-01 | 2011-08-17 | 衬底处理设备和制造半导体器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010223418A JP5806811B2 (ja) | 2010-10-01 | 2010-10-01 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015084899A Division JP5923197B2 (ja) | 2015-04-17 | 2015-04-17 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012079907A true JP2012079907A (ja) | 2012-04-19 |
JP2012079907A5 JP2012079907A5 (ja) | 2013-11-14 |
JP5806811B2 JP5806811B2 (ja) | 2015-11-10 |
Family
ID=45890175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010223418A Active JP5806811B2 (ja) | 2010-10-01 | 2010-10-01 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120083120A1 (ja) |
JP (1) | JP5806811B2 (ja) |
KR (1) | KR101290980B1 (ja) |
CN (1) | CN102446796B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014188580A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | ヤマハ発動機株式会社 | プリント基板用作業装置 |
JP2015146349A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem |
JP2016100498A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送システム及びこれを用いた熱処理装置 |
KR20180016294A (ko) | 2016-08-04 | 2018-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 프로그램, 유체 순환 기구 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2021009872A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US11694907B2 (en) | 2016-08-04 | 2023-07-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10375901B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-08-13 | Mtd Products Inc | Blower/vacuum |
KR101985370B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2019-06-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치 |
US9786536B2 (en) * | 2015-12-07 | 2017-10-10 | Microchip Technology Incorporated | Reticle rack system |
JP6441244B2 (ja) | 2016-02-02 | 2018-12-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置 |
TWI709163B (zh) | 2017-09-26 | 2020-11-01 | 日商國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 |
JP6876020B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2021-05-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置および半導体装置の製造方法並びにプログラム |
KR102197719B1 (ko) | 2020-05-07 | 2021-01-04 | 곽태진 | 갑오징어 양식 시스템 |
CN113838731B (zh) * | 2020-06-08 | 2023-02-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体刻蚀设备 |
CN111725105B (zh) * | 2020-06-22 | 2024-04-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552405A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 風向変更装置 |
JP2002175999A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003332325A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH071796Y2 (ja) * | 1990-12-28 | 1995-01-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 浸漬型基板処理装置 |
JP3108459B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3309416B2 (ja) * | 1992-02-13 | 2002-07-29 | 松下電器産業株式会社 | 連結式クリーン空間装置 |
JPH0689837A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Fujitsu Ltd | 基板処理装置 |
JP3425592B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2003-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
TW522482B (en) * | 2000-08-23 | 2003-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Vertical heat treatment system, method for controlling vertical heat treatment system, and method for transferring object to be treated |
JP4100466B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP3950299B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2007-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその方法 |
JP2004014981A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US9460945B2 (en) * | 2006-11-06 | 2016-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus for semiconductor devices |
KR100901493B1 (ko) * | 2007-10-11 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 세정 설비 및 기판의 이면 세정 방법 |
JP5356732B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP2010153480A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-10-01 JP JP2010223418A patent/JP5806811B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-29 KR KR1020110075684A patent/KR101290980B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-16 US US13/210,978 patent/US20120083120A1/en not_active Abandoned
- 2011-08-17 CN CN201110241510.4A patent/CN102446796B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0552405A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 風向変更装置 |
JP2002175999A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003332325A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014188580A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | ヤマハ発動機株式会社 | プリント基板用作業装置 |
JP2015146349A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem |
JP2016100498A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送システム及びこれを用いた熱処理装置 |
KR20180016294A (ko) | 2016-08-04 | 2018-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 프로그램, 유체 순환 기구 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US11694907B2 (en) | 2016-08-04 | 2023-07-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism |
JP2021009872A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US11404291B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-08-02 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102446796B (zh) | 2015-09-30 |
KR101290980B1 (ko) | 2013-07-30 |
KR20120034551A (ko) | 2012-04-12 |
JP5806811B2 (ja) | 2015-11-10 |
CN102446796A (zh) | 2012-05-09 |
US20120083120A1 (en) | 2012-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5806811B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
JP6347560B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4560575B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4634495B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
US7731797B2 (en) | Substrate treating apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP2009010009A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5923197B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
CN112151411B (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质 | |
JP2020113746A (ja) | 処理装置 | |
JP2020113629A (ja) | 処理装置 | |
JP2009004642A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5224679B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
JP3856726B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2004119627A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP6710154B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2009224457A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008227201A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014067979A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
WO2004057656A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004128003A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2005142478A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008258268A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010056403A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008078218A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130927 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140725 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140905 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150420 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150901 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5806811 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |