JP2020113629A - 処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数のプロセスモジュールを有する処理装置におけるフットプリントを低減できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による処理装置は、第1の部屋に連接配置された複数のプロセスモジュールと、前記第1の部屋に配置され、前記複数のプロセスモジュールで処理する基板を収納したキャリアを収容するローダモジュールと、を含む処理部と、前記第1の部屋に隣接する第2の部屋に前記複数のプロセスモジュールの各々に対応して配置される複数のポンプユニットと、を備え、前記複数のポンプユニットの設置面積は、前記処理部の設置面積以下である。【選択図】図1

Description

本開示は、処理装置に関する。
ユーティリティボックスやポンプボックスをクリーンルーム等と隔離して設置することにより、クリーン度の高い部屋の有効利用を図り、処理コストを低減できる処理システムが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開平10−97962号公報
本開示は、複数のプロセスモジュールを有する処理装置におけるフットプリントを低減できる技術を提供する。
本開示の一態様による処理装置は、第1の部屋に連接配置された複数のプロセスモジュールと、前記第1の部屋に配置され、前記複数のプロセスモジュールで処理する基板を収納したキャリアを収容するローダモジュールと、を含む処理部と、前記第1の部屋に隣接する第2の部屋に前記複数のプロセスモジュールの各々に対応して配置される複数のポンプユニットと、を備え、前記複数のポンプユニットの設置面積は、前記処理部の設置面積以下である。
本開示によれば、複数のプロセスモジュールを有する処理装置におけるフットプリントを低減できる。
第1の実施形態の処理装置の構成例を示す斜視図 図1の処理装置の側面図 図1の処理装置の平面図(1) 図1の処理装置の平面図(2) 図1の処理装置のプロセスモジュールを説明する概略図 第2の実施形態の処理装置の構成例を示す斜視図 図6の処理装置の側面図 図6の処理装置の平面図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔第1の実施形態〕
第1の実施形態の処理装置について説明する。図1は、第1の実施形態の処理装置の構成例を示す斜視図である。図2は、図1の処理装置の側面図である。図3及び図4は、図1の処理装置の平面図であり、図3は第1の部屋に設置された処理部の平面図であり、図4は第1の部屋の階下の第2の部屋に設置された排気ユニットの平面図である。なお、図3における領域Mは、メンテナンスのための領域、キャリアCを搬入するための領域等である。また、図4における領域Mは、ポンプユニット61や接続配管631等のメンテナンスのための領域である。以下では、処理装置の左右方向をX方向、前後方向をY方向、高さ方向をZ方向として説明する。
図1から図4では、処理装置が2つ隣接して配置されている場合を示しているが、処理装置は1つが単独で配置されていてもよく、3つ以上が配置されていてもよい。以下では、一方の処理装置を例に挙げて説明する。なお、他方の処理装置についても一方の処理装置1と同様の構成であってよい。
図1から図4に示されるように、処理装置1は、処理部10と、排気部60と、を備える。
処理部10は、第1の部屋R1に設けられている。第1の部屋R1は、例えばクリーンルームである。処理部10は、ローダモジュール20と、処理モジュール30と、を有する。
ローダモジュール20は、第1の部屋R1の床F1に設置されている。ローダモジュール20は、内部が例えば大気雰囲気下にある。ローダモジュール20は、基板の一例である半導体ウエハ(以下「ウエハW」という。)が収納されたキャリアCを、処理装置1内の後述する要素間で搬送したり、外部から処理装置1内に搬入したり、処理装置1から外部へ搬出したりする領域である。キャリアCは、例えばFOUP(Front-Opening Unified Pod)であってよい。ローダモジュール20は、第1の搬送部21と、第1の搬送部21の後方に位置する第2の搬送部26と、を有する。
第1の搬送部21には、一例として左右に2つのロードポート22が設けられている。ロードポート22は、キャリアCが処理装置1に搬入されたときに、キャリアCを受け入れる搬入用の載置台である。ロードポート22は、筐体の壁が開放された箇所に設けられ、外部から処理部10へのアクセスが可能となっている。
第2の搬送部26には、FIMSポート27が配置されている。FIMSポート27は、例えば上下に並んで2つ設けられる。FIMSポート27は、キャリアC内のウエハWを、処理モジュール30内の後述する熱処理炉411に対して搬入及び搬出する際に、キャリアCを保持する保持台である。FIMSポート27は、前後方向に移動自在である。また、第2の搬送部26には、キャリアCを保管する1又は複数のストッカ28が設けられている。
第1の搬送部21と第2の搬送部26との間には、ロードポート22、ストッカ及びFIMSポート27の間でキャリアCを搬送するキャリア搬送機構(図示せず)が設けられている。
処理モジュール30は、キャリアCからウエハWを取り出し、ウエハWに対して各種の処理を行うモジュールである。処理モジュール30の内部は、ウエハWに酸化膜が形成されることを防ぐために、不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガス雰囲気とされている。処理モジュール30は、4つのプロセスモジュール40と、ウエハ搬送モジュール50と、を有する。
プロセスモジュール40は、前後方向に連接配置されている。図5は、図1の処理装置1のプロセスモジュール40を説明する概略図であり、図1の処理部10を後方側から見たときの図である。
図5に示されるように、各プロセスモジュール40は、熱処理ユニット41と、ロードユニット42と、ガス供給ユニット43と、排気ダクト44と、RCUユニット45と、分流ダクト46と、制御ユニット47と、フロアボックス48と、を有する。
熱処理ユニット41は、複数枚(例えば50〜150枚)のウエハWを収容して所定の熱処理を行うユニットである。熱処理ユニット41は、熱処理炉411を有する。熱処理炉411は、処理容器412と、ヒータ413と、を有する。処理容器412は、ウエハボート414を収容する。ウエハボート414は、例えば石英により形成された円筒形状を有し、複数枚のウエハWを多段に保持する。ヒータ413は、処理容器412の周囲に設けられ、例えば円筒形状を有する。ヒータ413は、処理容器412内に収納されたウエハWを加熱する。処理容器412の下方には、シャッタ415が設けられている。シャッタ415は、ウエハボート414が熱処理炉411から搬出され、次のウエハボート414が搬入されるまでの間、熱処理炉411の下端に蓋をするための扉である。
ロードユニット42は、熱処理ユニット41の下方に設けられ、第1の部屋R1の床F1にフロアボックス48を介して設置されている。ロードユニット42には、ウエハボート414が保温筒416を介して蓋体417の上に載置されている。ウエハボート414は、石英、炭化珪素等の耐熱材料により形成され、上下方向に所定の間隔を有してウエハWを略水平に保持する。蓋体417は、昇降機構(図示せず)に支持されており、昇降機構によりウエハボート414が処理容器412に対して搬入又は搬出される。また、ロードユニット42は、熱処理ユニット41において処理されたウエハWを冷却する空間としても機能する。
ガス供給ユニット43は、熱処理ユニット41の側面に、床F1から離間して配置されている。ガス供給ユニット43は、処理容器412内に所定の流量の処理ガスやパージガスを供給するための圧力調整器、マスフローコントローラ、バルブ等を含む。
排気ダクト44は、熱処理ユニット41を挟んでガス供給ユニット43と対向して配置されている。排気ダクト44は、処理容器412内と後述する真空ポンプとを接続する排気配管、排気配管を加熱する配管ヒータ等を含む。
RCUユニット45は、熱処理ユニット41の天井部に配置されている。RCUユニット45は、分流ダクト46に供給する冷媒を生成するユニットであり、熱交換器、ブロア、バルブ、配管等を含む。
分流ダクト46は、熱処理ユニット41の側面、例えば熱処理ユニット41を挟んでガス供給ユニット43と対向する位置に設けられている。分流ダクト46は、RCUユニット45から送り込まれる冷媒を分流し、処理容器412とヒータ413との間の空間に供給する。これにより、処理容器412を短時間で冷却できる。
制御ユニット47は、熱処理ユニット41の天井部に配置されている。制御ユニット47は、プロセスモジュール40の各部の動作を制御する制御機器等を含む。制御機器は、例えばガス供給ユニット43の動作を制御して処理容器412内に供給される処理ガスやパージガスの流量を調整する。
ウエハ搬送モジュール50は、複数のプロセスモジュール40に対して共通で1つ設けられている。ウエハ搬送モジュール50は、複数のプロセスモジュール40の一方の側面にわたって配置され、第1の部屋R1の床F1にフロアボックス48を介して設置されている。ウエハ搬送モジュール50には、ウエハ搬送機構51が設けられている。ウエハ搬送機構51は、FIMSポート27に載置されたキャリアC内と、プロセスモジュール40のロードユニット42内に載置されたウエハボート414との間でウエハWの受け渡しを行う。ウエハ搬送機構51は、例えば複数のフォークを有し、複数枚のウエハWを同時に移載できる。これにより、ウエハWの搬送に要する時間を短縮できる。ただし、フォークは1つであってもよい。
このように処理部10には、1つのローダモジュール20に対して複数のプロセスモジュール40が設けられている。これにより、1つのローダモジュール20に対して1つのプロセスモジュール40が設けられている場合と比較して、処理部10の設置面積を小さくできる。そのため、単位面積当たりの生産性が向上する。
排気部60は、第1の部屋R1に隣接する第2の部屋R2に設けられている。第2の部屋R2は、例えば第1の部屋R1の下方に位置する。排気部60の設置面積は、処理部10の設置面積以下である。排気部60は、複数のポンプユニット61と、複数の排ガス処理装置62と、収納キャビネット63と、を備える。
ポンプユニット61は、処理部10の4つのプロセスモジュール40の各々に対応して設けられ、第2の部屋R2の床F2に設置されている。複数のポンプユニット61は、複数のプロセスモジュール40と同じ方向に並んで配置されている。すなわち、複数のポンプユニット61は、前後方向に並んで配置されている。図示の例では、複数のポンプユニット61のうち中央側のポンプユニット61は連接配置され、両側のポンプユニット61は各々中央側のポンプユニット61と所定の間隔を空けて配置されている。ポンプユニット61は、それぞれ真空ポンプを含む。真空ポンプの種類は、特に限定されないが、例えばドライポンプとメカニカルブースタポンプとを組み合わせたポンプを利用できる。
排ガス処理装置62は、複数のポンプユニット61を挟んで対向して配置され、第2の部屋R2の床F2に設置されている。複数の排ガス処理装置62は、それぞれプロセスモジュール40からポンプユニット61により排気されるガスを無害化する。
収納キャビネット63は、ポンプユニット61の上方に設けられている。収納キャビネット63は、例えばやぐら状に形成されており、複数のポンプユニット61が収納キャビネット63の内側空間に配置される。このように複数のポンプユニット61が収納キャビネット63の内側空間に配置されるので、収納キャビネット63を床置きする場合と比較して、複数のポンプユニット61及び収納キャビネット63を設置するのに要する面積を低減できる。また、複数のポンプユニット61の周囲にスペースができるので、真空ポンプの交換やメンテナンスが容易となる。なお、やぐら状とは、床F2に複数の支柱を立設し、複数の支柱の上部間を支持の対象となる部材で相互に連結することで、上記部材が床面よりも高い位置に支持されている状態をいう。
また、収納キャビネット63は、例えば排ガス処理装置62に固定されることにより、ポンプユニット61の上方に支持されていてもよい。この場合にも、収納キャビネット63を床置きする場合と比較して、複数のポンプユニット61及び収納キャビネット63を設置するのに要する面積を低減できる。また、複数のポンプユニット61の周囲にスペースができるので、真空ポンプの交換やメンテナンスが容易となる。
収納キャビネット63は、排気ダクト44の排気配管と、対応するポンプユニット61の真空ポンプとを接続する接続配管631の一部を収納する。対応する複数のプロセスモジュール40と複数のポンプユニット61とを接続する接続配管631の長さは同一であることが好ましい。これにより、複数のプロセスモジュール40において、処理容器412とポンプユニット61の真空ポンプとの間のコンダクタンスが同一又は略同一となる。そのため、複数のプロセスモジュール40間の機差を低減できる。
また、収納キャビネット63は、希釈ガス配管(図示せず)を収納する。希釈ガス配管は、接続配管631の途中に接続され、接続配管631を流れる排ガスを希釈するための希釈ガスを導入する。また、収納キャビネット63は、ポンプユニット61の真空ポンプと排ガス処理装置62とを接続する配管(図示せず)を収納する。
以上に説明したように、第1の実施形態の処理装置1によれば、連接配置された複数のプロセスモジュール40を含む処理部10が第1の部屋R1に設けられている。また、第1の部屋R1に隣接する第2の部屋R2に複数のプロセスモジュール40の各々に対応して複数のポンプユニット61が配置されている。さらに、複数のポンプユニット61の設置面積は、処理部10の設置面積以下である。これにより、複数のプロセスモジュール40を有する処理装置1におけるフットプリントを低減できる。
〔第2の実施形態〕
第2の実施形態の処理装置について説明する。図6は、第2の実施形態の処理装置の構成例を示す斜視図である。図7は、図6の処理装置の側面図である。図8は、図6の処理装置の平面図であり、第1の部屋の階下の第2の部屋に設置された排気ユニットの平面図である。なお、図8における領域Mは、ポンプユニット61や接続配管631等のメンテナンスのための領域である。以下では、処理装置の左右方向をX方向、前後方向をY方向、高さ方向をZ方向として説明する。
図6から図8では、処理装置が2つ隣接して配置されている場合を示しているが、処理装置は1つが単独で配置されていてもよく、3つ以上が配置されていてもよい。以下では、一方の処理装置を例に挙げて説明する。なお、他方の処理装置についても一方の処理装置と同様の構成であってよい。
図6から図8に示されるように、処理装置1Aは、排気部60のポンプユニット61の各々が、隣り合うポンプユニット61に対して間隔を有して配置されている点で、第1の実施形態の処理装置1と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態の処理装置1と同様の構成であってよい。
第2の実施形態の処理装置1Aによれば、第1の実施形態の処理装置1と同様、連接配置された複数のプロセスモジュール40を含む処理部10が第1の部屋R1に設けられている。また、第1の部屋R1に隣接する第2の部屋R2に複数のプロセスモジュール40の各々に対応して複数のポンプユニット61が配置されている。さらに、複数のポンプユニット61の設置面積は、処理部10の設置面積以下である。これにより、複数のプロセスモジュール40を有する処理装置1におけるフットプリントを低減できる。
また、第2の実施形態の処理装置1Aによれば、複数のポンプユニット61の各々が、隣り合うポンプユニット61に対して間隔を有して配置されている。これにより、ポンプユニット61の交換、メンテナンス等のためのスペースを十分に確保できる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、上記の実施形態では、4つのプロセスモジュール40が連接配置されている場合を説明したが、プロセスモジュール40の数はこれに限定されない。例えば、2つ又は3つのプロセスモジュール40が連接配置されていてもよく、5つ以上のプロセスモジュール40が連接配置されていてもよい。
1、1A 処理装置
10 処理部
20 ローダモジュール
30 処理モジュール
40 プロセスモジュール
60 排気部
61 ポンプユニット
62 排ガス処理装置
63 収納キャビネット
R1 第1の部屋
R2 第2の部屋
W ウエハ

Claims (10)

  1. 第1の部屋に連接配置された複数のプロセスモジュールと、前記第1の部屋に配置され、前記複数のプロセスモジュールで処理する基板を収納したキャリアを収容するローダモジュールと、を含む処理部と、
    前記第1の部屋に隣接する第2の部屋に前記複数のプロセスモジュールの各々に対応して配置される複数のポンプユニットと、
    を備え、
    前記複数のポンプユニットの設置面積は、前記処理部の設置面積以下である、
    処理装置。
  2. 前記第2の部屋は、前記第1の部屋の下方に位置する、
    請求項1に記載の処理装置。
  3. 前記複数のポンプユニットは、前記複数のプロセスモジュールと同じ方向に並んで配置される、
    請求項1又は2に記載の処理装置。
  4. 前記第2の部屋に前記複数のポンプユニットの各々に対応して配置される複数の排ガス処理装置を備え、
    前記複数のポンプユニットと前記複数の排ガス処理装置の合計の設置面積は、前記処理部の設置面積以下である、
    請求項1乃至3のいずれか一項に記載の処理装置。
  5. 前記第2の部屋における前記複数のポンプユニットの上方に配置され、対応する前記複数のプロセスモジュールと前記複数のポンプユニットとを接続する接続配管の一部を収納する収納キャビネットを備える、
    請求項4に記載の処理装置。
  6. 前記収納キャビネットは、やぐら状に形成されており、
    前記複数のポンプユニットは、前記収納キャビネットの内側空間に配置される、
    請求項5に記載の処理装置。
  7. 前記収納キャビネットは、前記排ガス処理装置に固定される、
    請求項5に記載の処理装置。
  8. 対応する前記複数のプロセスモジュールと前記複数のポンプユニットとを接続する前記接続配管の長さは同一である、
    請求項5乃至7のいずれか一項に記載の処理装置。
  9. 前記複数のポンプユニットの少なくとも一部は、隣接して配置される、
    請求項1乃至8のいずれか一項に記載の処理装置。
  10. 前記複数のポンプユニットの各々は、隣り合う前記ポンプユニットに対して間隔を有して配置される、
    請求項1乃至8のいずれか一項に記載の処理装置。
JP2019002944A 2019-01-10 2019-01-10 処理装置 Active JP7175201B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220133779A (ko) 2021-03-25 2022-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 배관 구조 및 처리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2610156A (en) * 2021-04-29 2023-03-01 Edwards Ltd Semiconductor processing system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097962A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理システム
JP2005150173A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
WO2018003072A1 (ja) * 2016-06-30 2018-01-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5642978A (en) * 1993-03-29 1997-07-01 Jenoptik Gmbh Device for handling disk-shaped objects in a handling plane of a local clean room
JPH09320997A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Ebara Corp ポリッシング装置と洗浄装置の配管構造
JPH10116758A (ja) * 1996-10-08 1998-05-06 Hitachi Ltd 半導体製造工場
GB9625916D0 (en) * 1996-12-13 1997-01-29 Gencoa Limited Low friction coating
JP3678563B2 (ja) * 1997-11-19 2005-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH11204449A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
US6451272B1 (en) * 1999-12-21 2002-09-17 Ethicon, Inc. Monitoring of sterilant apparatus and method for monitoring sterilant
JP2004044089A (ja) * 2002-07-08 2004-02-12 Solar System Kk 災害支援システム
JP4133208B2 (ja) * 2002-10-22 2008-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4115331B2 (ja) * 2003-05-09 2008-07-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP4000174B2 (ja) * 2006-11-13 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 処理システム
WO2011090717A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Gvd Corporation Coating methods, systems, and related articles
CN103155133A (zh) * 2010-08-06 2013-06-12 东京毅力科创株式会社 基板处理系统、搬送模块、基板处理方法和半导体元件的制造方法
US9580834B2 (en) * 2013-03-11 2017-02-28 William Marsh Rice University Growth methods for controlled large-area fabrication of high-quality graphene analogs
US9527062B2 (en) * 2013-05-09 2016-12-27 North Carolina State University Process for scalable synthesis of molybdenum disulfide monolayer and few-layer films
US20150345010A1 (en) * 2013-09-30 2015-12-03 University Of Dayton Methods of magnetically enhanced physical vapor deposition
US20150118487A1 (en) * 2013-10-25 2015-04-30 Colin A. Wolden Plasma-assisted nanofabrication of two-dimensional metal chalcogenide layers
US20160093491A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 University Of North Texas LARGE SCALE AND THICKNESS-MODULATED MoS2 NANOSHEETS
US9543144B2 (en) * 2014-12-31 2017-01-10 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Vapor deposition of chalcogenide-containing films
US9859115B2 (en) * 2015-02-13 2018-01-02 National Taiwan University Semiconductor devices comprising 2D-materials and methods of manufacture thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097962A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理システム
JP2005150173A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
WO2018003072A1 (ja) * 2016-06-30 2018-01-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220133779A (ko) 2021-03-25 2022-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 배관 구조 및 처리 장치

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