JP2009010009A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板処理装置本体内に収納することができる処理容器の数を増やしつつ、装置が大型化することを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ウエハ２００を処理する処理炉２０２と、ウエハ２００が収納されたポッド１１０を筺体１１１内に搬送し、筺体１１１から搬出するために用いられるロードポート１１４と、ロードポート１１４からポッド１１０を搬送するために用いられるポッド搬送機構１１８ｂと、少なくとも一部分が重力方向において処理炉２０２と重なるように上方に配置されている上部収納部２５０とを有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置、及び半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関する。
基板処理装置に関する技術であって、複数の基板が収納される収納容器を基板処理装置本体内に収納するものが知られている。この技術では、基板処理装置内において、基板を処理する処理炉よりも下方や、処理炉の側方に位置するように、収納容器が配置されている（特許文献1）。
特開２０００−２１６２１２号公報
しかしながら、背景技術に示す技術では、基板処理装置本体内に多数の収納容器を収納することできなかったり、多数の収納容器を収納しようとすると基板処理装置が大型化してしまったりするとの問題点があった。
本発明の目的は、基板処理装置本体内に収納することができる収納容器の数を増やしつつ、装置が大型化することを抑制することができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の第１の特徴とするところは、基板を処理する処理炉と、基板が収納された収納容器を基板処理装置本体内に搬入し、前記基板処理装置本体内から搬出するために用いられる搬入搬出部と、少なくとも前記搬入搬出部から前記収納容器を搬送するために用いられる搬送機構と、前記搬送機構との間で前記収納容器を受渡し可能であって、前記収納容器を収納し、少なくとも一部分が重力方向において前記処理炉と重なるように上方に配置されている収納部と、を有する基板処理装置にある。
好適には、前記収納部は、移動の軌跡の少なくとも一部に水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように前記基板収納容器を移動させる水平移動機構を有する。
また、好適には、前記搬送機構は、移動の軌跡の少なくとも一部に鉛直方向成分を有し、回転させるように前記収納容器を移動させる鉛直移動機構を有する。
また、本発明の第２の特徴とするところは、略直方体形状に形成されている基板処理装置本体と、基板が収容された収納容器を、前記基板処理装置本体内に搬入し、前記基板処理装置本体内から搬出するために用いられる搬入搬出部と、移動の軌跡の少なくとも一部に水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように、少なくとも前記基板処理装置本体の長辺方向に前記収納容器を移動させる水平移動機構を有し、前記基板処理装置本体内で前記収納容器を収納する収納部と、前記搬入搬出部と前記前記収納部との間での前記収納容器の搬送に用いられる搬送部と、を有する基板処理装置にある。
また、基板が収納された収納容器を基板処理装置本体内に搬入し前記基板処理装置本体内から搬出する搬入搬出部から、前記収納容器を搬送機構により搬送する工程と、少なくとも一部が重力方向において、基板を処理する処理炉と重なるように上方に配置され前記収納容器を収納する収納部へ、前記搬送機構から前記収納容器を受け渡す工程と、前記収納容器を、前記収納部から前記搬送機構に受け渡す工程と、前記基納容器から基板を取り出す工程と、前記基板を処理炉に搬入する工程と、前記処理炉で基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法にある。
本発明によれば、基板処理装置本体内に収納することができる収納容器の数を増やしつつ、装置が大型化することを抑制することができる基板処理装置を提供することができる。
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本発明が適用される実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１は、本発明が適用される基板処理装置の斜視図として示されている。また、図２は図１に示す基板処理装置の側面透視図である。
図１及び２に示されているように、シリコン等からなる複数のウエハ（基板）２００を収納し、収納容器として用いられるウエハキャリアとしてフープ（以下ポッドという。）１１０が使用されている基板処理装置１００は、基板処理装置本体として用いられる筐体１１１を備えている。筺体１１１は、略直方体形状に形成されていて、長手方向（長辺方向）の長さＬ１が、短辺方向（長手方向と直交する方向）の長さＬ２よりも長い。
筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、搬入搬出部（搬入搬出載置台）として用いられるロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支持部１１６と、支持部１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構として用いられるポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、密閉部材として用いられるポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図１に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理室として用いられる処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
図１に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
図１に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
次に、基板処理装置１００の動作について説明する。
尚、以下の説明において、基板処理装置１００構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。図１及び図２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。 ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、図示しないノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ払い出される。
図３には、処理炉２０２が示されている。
図３に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。尚、本実施形態では、ヒータ２０６の上端には天井部を設けずにアウターチューブ２０５よりも低い位置までしか設けられないように構成されているが、アウターチューブ２０５よりも高い位置にヒータ２０６の天井部をアウターチューブ２０５の上端を覆うように設けても良い。この場合、処理炉２０２の上端は、ヒータ２０６の天井部の上端となる。
後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部（ガス流量コントローラ）２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部（圧力コントローラ）２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５３が設置されている。回転機構２５３の回転軸２５９はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５３及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部（駆動コントローラ）２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。この温度センサ２６３には所定温度以上となると作動する温度スイッチ（図示省略）が設けられている。
また処理室２０１周辺には冷却水本管（図示省略）は配設されており、この冷却水本管には、冷却水が所定量以下となると作動するフロースイッチ（図示省略）、水冷式ラジエタ（図示省略）及び水冷式サイリスタ設けられている。これら水冷式ラジエタ及び水冷式サイリスタには所定温度以上となると作動する温度スイッチ（図示省略）が設けられている。
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部（メインコントローラ）２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図３に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５３により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
なお、一例まで、本実施の形態の処理炉にてウエハを処理する際の処理条件としては、例えば、ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）の成膜においては、処理温度４００〜８００℃、処理圧力１〜５０Ｔｏｒｒ、成膜ガス種ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＮＨ３、成膜ガス供給流量ＳｉＨ２Ｃｌ２：０．０２〜０．３０ｓｌｍ，ＮＨ３：０．１〜２．０ｓｌｍが例示され、また、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜（ポリシリコン膜）の成膜においては、処理温度３５０〜７００℃、処理圧力１〜５０Ｔｏｒｒ、成膜ガス種ＳｉＨ４、成膜ガス供給流量０．０１〜１．２０ｓｌｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ２００に処理がなされる。
図４及び５には、本発明の第１の実施形態が示されている。
先述の本発明が適用される実施形態においては、筺体１１１内において、ポッド１１０は、回転式ポッド棚１０５を用いて収納されていた。これに対して、この第１の実施形態においては、回転式ポッド棚１０５に加えて、収納部（収納体）として用いられる上部収納部２５０を用いてポッド１１０が収納されている。
上部収納部２５０は、筺体１１１内において、少なくとも一部分が処理炉２０２よりも上部に位置するように配置されている。すなわち、上部収納部２５０の上端部２５０ａが、処理炉２０２の上端部２０２ａよりも重力方向上部に位置するように、上部収納部２５０は筺体１１１内に配置されている。上部収納部２５０は、少なくとも一部が処理炉２０２の上部に位置すれば良い。より好ましくは、上部収納部２５０の下端部２５０ｂが処理炉２０２の上端部２０２ａよりも上方に位置するように上部収納部２５０を配置しても良い。すなわち、重力方向において、上部収納部２５０と処理炉２０２とが一部重なるように上部収納部２５０を配置すれば、よりいっそうポッド１１０の収納数を増やすことができる。上部収納部２５０は、図５に示すように、例えば８個のポッド１１０を収納することができるように構成されている。尚、上部収納部２５０の下端部２５０ｂが処理炉２０２の上端部２０２ａよりも下方に位置するように上部収納部２５０を配置しても良い。
このように、上部収納部２５０の少なくとも一部分が処理炉２０２よりも上方に位置するように配置されているため、この第１の実施形態に係る基板処理装置１００は、筺体１１１が大型化することを抑制しつつ、筺体１１１内に収納できるポッド１１０の数を増やすことができる。すなわち、先述の本発明が適用される実施形態のように、処理炉２０２の側方や下方だけにポッド１１０を収納する場合、筺体１１１内に収納することができるポッド１１０の数を増やそうとすると、基板処理装置１００の設置面積（フットプリント）が広くなってしまうのに対して、この第１の実施形態では、設置面積が広くなり、筺体１１１が大型化することを抑制できる。
上部収納部２５０は、ポッド１１０の移動の軌跡の少なくとも一部が水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように、ポッド１１０を移動させる水平移動機構２５２を有している。水平移動機構２５２は、例えば金属製のチェーンベルト等からなる無端状の回転部材２５４を有する。回転部材２５４としては、金属製のチェーンベルトに替えて、例えばゴム製のベルトを用いても良い。要するに、回転中心を複数として回転させるように構成されていれば良い。回転部材２５４は、複数の、例えば４個の支持部材２５６に回転可能に支持されている。複数の支持部材２５６は、少なくとも１つが、回転部材２５４に回転駆動を伝達する駆動伝達部材として用いられている。
支持部材２５６は、それぞれが例えばプーリ等から構成されていて、図示を省略する回転軸を介して筺体１１１に取り付けられ、それぞれが回転中心２５７を中心として、回転部材２５４とともに回転する。複数の支持部材２５６のうち、回転部材２５４に駆動を伝達する支持部材２５６ａには、例えば駆動伝達ベルト等の駆動伝達部材２５５を介して、例えばモータ等からなる駆動源２６０から駆動が伝達されるようになっている。
また、上部収納部２５０は、水平移動機構側受渡し部として用いられるとともに、上方支持部として用いられる複数の、例えば８個の保持部材２６２を有している。保持部材２６２は、それぞれが回転部材２５４の重力方向下側に等間隔で装着されていて、ポッド１１０を、重力方向上方から吊り下げるように支持するとともに、ポッド搬送機構１１８ｂとの間のポッド１１０の受渡しに用いられる。
また、上部収納部２５０は、筺体１１１の長辺方向（長手方向）の長さが、ポッド１１０を少なくとも２つ配置できるように定められている。この第１の実施形態では、図５に示されるように、筺体１１１は、長手方向の長さがポッド１１０を５個、配置できる長さに定められているものの、筺体１１１の長辺方向の長さは、ポッド１１０を少なくとも２つ配置できる長さであれば他の長さでも良い。
また、上部収納部２５０は、筺体１１１の短辺方向（長手方向と垂直な方向）の長さが、ポッド１１０を、少なくとも１つ収納できる長さに定められている。この第１の実施形態では、図５に示されるように、筺体１１１は、短辺方向の長さがポッド１１０を１個、配置できる長さに定められているものの、筺体１１１の短辺方向の長さは、ポッド１１０を少なくとも１つ配置できる長さであれば他の長さでも良い。
また、上部収納部２５０は、図４に示されるように、処理炉２０２の上方において、筺体１１１の処理炉２０２に対して搬入搬出部として用いられるロードポート１１４が設けられた面である正面壁１１１ａ側から、正面壁１１１ａと対向する面である背面壁１１１ｂ側に、少なくとも処理炉２０２直上まで達するように設けられている。また、好ましくは処理炉２０２直上を跨るように設けられている。
以上のように構成された水平移動機構２５２では、駆動源２６０からの駆動が駆動伝達部材２５５を介して支持部材２５６ａに伝達され、支持部材２５６ａが回転をし、支持部材２５６ａが回転をすることで、支持部材２５６ａに支持される回転部材２５４と、回転部材２５４を支持している他の回転部材２５４が回転する。回転部材２５４が回転することで、保持部材２６２を用いて保持されたポッド１１０が、少なくとも筺体１１１の長手方向に移動する。このように、上部収納部２５０の水平移動機構２５２は、移動軌跡の少なくとも一部が水平成分を有し、複数あるそれぞれの支持部材２５６の回転中心２５７からなる複数の回転中心を中心として、回転するようにポッド１１０を移動させる。
回転部材２５４は、図５中に示す矢印方向の回転と、矢印方向と逆方向の回転とを切り換えることができる。回転部材２５４の回転方向は、駆動源２６０に接続された制御部（コントローラ）２７０によって、駆動源２６０の回転方向を制御することにより切り換えることができる。尚、制御部２７０はコントローラ２４０に含ませても良いし、個別に設けるようにしても良い。
以上のように、この第１の実施形態に係る基板処理装置１００では、上部収納部２５０に８個のポッド１１０を収納することができる。このため、前述の本発明が適用される実施形態と比較して、ポッド１１０を１つ収納することができる高さだけ筐体１１１を高くしただけであるにもかかわらず、筺体１１１内に収納することができるポッド１１０の数を８個増やすことができる。尚、先述の本発明が適用される実施形態と構成が同じ部分については、図４及び５に同一番号を付して説明を省略する。
図６には、第１の実施形態に用いられるポッド１１０が示されている。ポッド１１０は複数のウエハ２００を収納することができ、ポッド１１０内を密閉する密閉部材として用いられるキャップ２８０が着脱可能に装着されている。また、ポッド１１０の上向きの面には、先述の上部収納部２５０に設けられた保持部材２６２によって保持される被保持部として用いられる被保持部材２８２が取り付けられている。被保持部材２８２は、前側と後側とにそれぞれ凸部２８４が形成されていて、凸部２８４とポッド１１０の上向きの面との間に隙間２８６がそれぞれ形成される。また、凸部２８４には、複数の切欠き２８８が形成されている。
ポッド１１０は、図６（ｂ）に示すように、隙間２８６、２８６に、保持部材２６２、２６２が入り込むようにして、保持部材２６２によって重力方向上方から支持される。
図７には、保持部材２６２が示されている。
保持部材２６２には、略円形の断面を有する第１貫通孔２９０と、左右方向に長い長孔からなる第２貫通孔２９２とが、左右方向に並べて形成されている。保持部材２６２は、第１貫通孔２９０と第２貫通孔２９２とに、回転部材２５４（図５参照）に装着されたピン（不図示）が挿入されるようにして、回転部材２５４に取り付けられている。また、保持部材２６２は、前側と後側とに、ぞれぞれ下方に回り込むように凸部２９４が形成されている。凸部２９４には、上側の面に位置決め部として用いられる位置決めピン２９６が、上方に突出するように設けられている。
保持部材２６２は、図７（ｂ）に示すように、隙間２８６、２８６に凸部２９４、２９４が入り込むようにして、ポッド１１０を上側から支持する。この際、位置決めピン２９６、２９６が、ぞれぞれ被保持部材２８２に形成された切欠き２８８、２８８に係合に嵌まり込み、ポッド１１０を保持部材２６２に対して固定するとともに、位置決めする。
以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。以上のように構成された第１の実施形態に係る基板処理装置１００においては、ロードポート１１４から、ポッド１１０が搬送機構１１８ｂによって搬送され、搬送機構１１８ｂから上部収納部２５０にポッド１１０が受け渡される。上部収納部２５０に収納されたポッド１１０は、その後、収納されたウエハ２００が利用される際に、上部収納部２５０から搬送機構１１８ｂへと受け渡される。そして、搬送機構１１８ｂがポッドオープナ１２１の載置台１２２へとポッド１１０を移動させ、ポッド１１０をキャップ着脱機構１２３によって取り外すことにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開いた後、ポッド１１０から、ウエハ移載機構１２５を用いウエハ２００が取り出され、取り出されたウエハ２００がボート２１７に移載され、ボート２１７がボートエレベータ１１５によって処理炉２０２内に搬送されるようにして、ウエハ２００が処理炉２０２内に搬送される。そして、処理炉２０２内でウエハ２００の処理がなされる。尚、これらの動作は、先述の本発明が適用される実施形態と同じであるため、詳細な説明は省略する。
図８には、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１００が示されている。
前述の第１の実施形態に係る基板処理装置１００においては、ポッド１１０は、回転式ポッド棚１０５と上部収納部２５０とを用いて、筺体１１１内に収納されていた。これに対して、この第２の実施形態では、回転式ポッド棚１０５に替えて、固定式ポッド棚１０６が用いられている。すなわち、この第２の実施形態では、ポッド１１０は、固定式ポッド棚１０６と上部収納部２５０とを用いて、筺体１１１内に収納されている。
固定式ポッド棚１０６は、回転式ポッド棚１０５と同様に、複数個のポッド１１０を保管するように構成されていて、支持部１１６と、支持部１１６からロードポート１１４の側に張り出すように装着された、例えば５個の棚板（基板収容器載置台）１１７を備えており、複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を重力方向下方から支えるように構成されている。固定式ポッド棚１０６は筺体１１に対して固定されていて回転しない。
この第２の実施形態では、回転式ポッド棚１０５に替えて固定式ポッド棚１０６を用いているため、回転式ポッド棚１０５を用いていた場合には、ポッド１１０の収納に用いられていて処理炉２０２の前側の空間Ｓを開きスペースとすることができ、処理炉２０２のメンテナンスのためのスペースとして利用することができる。
また、この第２の実施形態では、筺体１１１が上部筺体１１１ｃと下部筺体１１１ｄから構成されていて、上部筺体１１１ｃを下部筺体１１１ｄから分割し、取り外すことができるようになっている。上部筺体１１１ｃには、上部収納部２５０を構成する水平移動機構２５２等が装着されている。このため、この第２の実施形態では、上部筺体１１１ｃを水平移動機構２５２等と一体として、下部筺体１１１ｄから取り外すことで、下部筺体１１１ｄの上方に開口部が形成される。
そして、この開口部を用いることで、例えば固定式ポッド棚１０６等の下部筺体１１１ｄに装着された装置のメンテナンスを容易に行うことができるようになる。また、上部筺体１１１ｃを下部筺体１１１ｄから取り外した状態で、陸送時や航空輸送時の荷物高さ規制に対応するように基板処理装置１００を輸送することができ、基板処理装置１００の輸送が容易になる。尚、先述の本発明が適用される実施形態と構成が同じ部分については、図８に同一番号を付して説明を省略する。
図９及び１０には、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置１００が示されている。 先述の第１の実施形態においては、ポッド搬送機構１１８ｂは、ポッド１１０を上下方向に移動させるように構成されていた（図１、２参照）。これに対して、この第３の実施形態に係る基板処理装置１００においては、ポッド搬送機構１１８ｂは鉛直移動機構３００を有していて、鉛直移動機構３００は、ポッド１１０の移動の軌跡の少なくとも一部が鉛直成分を有し、回転させるようにポッド１１０を移動させる。
鉛直移動機構３００は、例えば金属製のチェーンベルト等からなる無端状の回転部材３０２を有する。回転部材３０２としては、金属製のチェーンベルトに替えて、例えばゴム製のベルトを用いても良い。回転部材３０２は、複数の、例えば２個の支持部材３０４に回転可能に支持されている。複数の支持部材３０４は、少なくとも１つが、回転部材２５４に回転駆動を伝達する駆動伝達部材として用いられている。
支持部材３０４は、それぞれが例えばプーリ等から構成されていて、図示を省略する回転軸を介して、筺体１１１内に略延長方向に設けられた壁部材３０６に取り付けられ、それぞれが回転中心３０８を中心として、回転部材３０２とともに回転する。複数の支持部材３０４のうち、回転部材３０２に駆動を伝達する支持部材３０４ａには、例えば駆動伝達ベルト等の図示を省略する駆動伝達部材を介して、例えばモータ等からなる駆動源３１０から駆動が伝達されるようになっている。また、駆動源３１０には、先述の制御部２７０（図５参照）が接続されている。
また、鉛直移動機構３０２は、第１連結部材３１２と第２連結部材３１４とを有する。第１連結部材３１２と第２連結部材３１４とは、それぞれの一端部が連結ピン３１６を用いて載置台１２２に対して回転可能に連結されている。また、第１連結部３１２と第２連結部材３１４との他端部は、それぞれが回転部材３０２に対して回転することができるように連結されている。載置台１２２は、ポッド１１０を重力方向下方から支持する下方支持部として用いられていて、後ろ側、すなわち、壁部材３０６側に突出するように突起３１８が形成されている。突起３１８は、壁部材３０６にポッド１１０及び載置台１１２の移動の軌跡にならって形成され、案内手段として用いられる案内溝３２０に挿入されている。
以上のように構成されたポッド搬送機構１１８ｂは、ロードポート１１４と上部収納部２５０との間でポッド１１０を搬送するために用いられるのみならず、ポッド１１０を筺体１１１内に収納するためにも用いられている。また、ポッド搬送機構１１８ｂの鉛直移動機構３００は、上部収納部２５０との間でポッド１１０の受渡しを行うことができるように構成されている。
尚、以下の説明において基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。以上のように構成された鉛直移動機構３００においては、駆動源３１０からの駆動が支持部材３０４ａに伝達され、支持部材３０４ａが回転をし、支持部材３０４ａが回転をすることで、支持部材３０４ａに支持される回転部材３０２と、回転部材３０２を支持している他の回転部材３０２が回転する。回転部材２５４が回転すると、回転部材２５４に連結されている第１連結部材３１２と第２連結部材３１４とが、回転部材２５４とともに回転するように移動する。そして、第１連結部材３１２と第２連結部材３１４とが回転部材２５４とが移動をすることで、第１連結部材３１２と第２連結部材３１４とが回転部材２５４に連結された載置台１２２を移動させる。
載置台１２２が移動をする際には、突起３１８が案内溝３２０内を摺動するようにして、載置台１２２の移動が案内される。このため、載置台１２２は、移動中であっても水平に保たれる。そして、載置台１２２が移動をすることで、ポッド１１０は、図１０に矢印で示す方向に、又は矢印で示す方向と逆向きに回転するようにして移動する。このように、ポッド搬送機構１１８ｂの鉛直移動機構３００は、移動軌跡の少なくとも一部が鉛直成分を有し、それぞれの支持部材３０４の回転中心３０８からなる複数の回転中心を中心として、回転するようにポッド１１０を移動させる。
回転部材３０２の回転方向は、駆動源３１０に接続された制御部２７０によって、駆動源２６０の回転方向を制御することにより切り換えることができる。尚、先述の本発明が適用される実施形態と構成が同じ部分については、図９及び１０に同一番号を付して説明を省略する。
図１１には、本発明の第３の実施形態において、鉛直移動機構３００から、水平移動機構２５２にポッド１１０の受渡しがなされる際の動作が説明されている。図１１（ａ）、図１１（ｂ）、及び図１１（ｃ）において、上側に示す図は水平移動機構２５２の平面図であり、下側に示す図は、鉛直移動機構３００の正面図である。
図１１（ａ）に示すように、ポッド１１０の受渡しに先立ち、制御部２７０は、駆動源３１０を制御して、ポッド１１０を鉛直移動機構３００の最も高い位置へと移動させる。この際、回転部材３０２は、図１１（ａ）に示されるように時計回り方向に回転する。図１１（ｂ）には、ポッド１１０が受渡しがなされる位置に移動した状態が示されている。
ポッド１１０の受渡しがなされる位置に移動すると、制御部２７０は、駆動源２６０を制御して、保持部材２６２ｂを、ポッド１１０の被保持部材２８２に係合するように移動させる。この際、被保持部材２８２に形成された切欠き２８８（図６（ａ）参照）に、保持部材２６２ｂに形成された凸部２９４が嵌まり込むようにして、被保持部材２８２が保持部材２６２ｂに保持される。また、この際、回転部材３０２は、図１１（ｂ）に示すように図１１（ｂ）における時計回り方向に回転する。この回転部材３０２の回転方向は、図１１（ａ）に示す回転部材２５４の回転方向と逆方向となっている。尚、本実施形態では、回転部材３０２は時計回り方向に回転するように構成しているが、反時計回りに回転するように構成し、回転部材２５４を逆方向に回転させることで、回転部材２５４の回転方向と逆方向になるようにしても良い。
被保持部材２８２が保持部材２６２ｂに保持される状態となると、制御部２７０は、駆動源３１０、駆動源２６０を制御して、ポッド１１０が保持部材２６２ａによって水平移動機構２５２に上方から支持されつつ、載置台１２２に下側から支えられるようにして鉛直移動機構３００にも支持される状態で、ポッド１１０を図１１（ｃ）中における右側に移動させる。この際、回転部材２５４と回転部材３０２とは、回転する方向が同じであり、移動する速度が同じとなっている。そして、図１１（ｃ）に示す状態から、回転部材２５４及び回転部材３０２が図中に矢印で示す方向にそれぞれ移動することで、載置台１２２がポッド１１０の底部から離間して、鉛直移動機構３００から水平移動機構２５２へのポッド１１０の受渡しが完了する。
図１２及び１３には、本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置１００が示されている。この第４の実施形態に係る基板処理装置１００は、先述の第２の実施形態に係る基板処理装置１００が有する構成に加えて、筺体１１１内からの排気に用いられ、排熱ダクトとして用いられるダクト３３０を有している。
ダクト３３０は、下端部が処理炉２０２を囲うように設けられた加熱ユニット３３２に接続されている。また、ダクト３３０は、筺体１１１を貫通するように筺体１１１から突出していて、加熱ユニット３３２に接続された側の端部と逆側の端部が、冷却手段として用いられるラジエタ３３４に接続されている。また、ダクト３３０は、筺体１１１内において、上部収納部２５０を避けるように配置されている。
この第４の実施形態では、加熱ユニット３３２から生じた熱がダクト３３０を介してラジエタ３３４へと上昇するように移動し、ラジエタ３３４で冷却された空気がラジエタ３３４から排出される。また、この第４の実施形態では、ダクト３３０を上部収納部２５０を避けるように配置することで、ダクト３３０を加熱ユニット３３２の直上に直線状に配置することができ、効率良く熱を筺体１１１外へ排出できるため、加熱ユニット３３２内を効率よく冷却することができる。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
（付記１）
基板を処理する処理炉と、
基板が収納された収納容器を前記基板処理装置本体内に搬入し、基板処理装置本体内から搬出するために用いられる搬入搬出部と、
少なくとも前記搬入搬出部から前記収納容器を搬送するために用いられる搬送機構と、 前記搬送機構との間で前記収納容器を受渡し可能であって、前記収納容器を収納し、少なくとも一部分が重力方向において前記処理炉と重なるように上方に配置されている収納部と、
を有する基板処理装置。
（付記２）
前記収納部は、移動の軌跡の少なくとも一部に水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように前記基板収納容器を移動させる水平移動機構を有する付記１記載の基板処理装置。
（付記３）
前記搬送機構は、移動の軌跡の少なくとも一部に鉛直方向成分を有し、回転させるように前記収納容器を移動させる鉛直移動機構を有する付記１記載の基板処理装置。
（付記４）
前記水平移動機構は、少なくとも前記基板処理装置本体の長手方向に前記基板収納容器を移動させる付記２記載の基板処理装置。
（付記５）
前記処理炉、前記搬送機構、及び前記収納部は、前記基板処理装置本体の長手方向において、前記搬入搬出部、前記搬送機構、前記処理室の順で配置されている付記４記載の基板処理装置。
（付記６）
前記収納部は、前記搬送機構との間で前記収納容器を受け渡すために用いられる受渡し部を有し、この受渡し部は、前記収納容器が移動する際の、互いに隣り合う回転中心の間の位置で前記収容容器の受渡しを行う付記１記載の基板処理装置。
（付記７）
前記収納部は、前記基板処理装置本体の長手方向における長さが、前記収納容器を少なくとも２つ配置可能な長さに設定されている付記１記載の基板処理装置。
（付記８）
前記収納部は、前記基板処理装置本体の長手方向と直交する方向における長さが、前記収納容器を少なくとも１つ配置可能な長さに設定されている付記１記載の基板処理装置。
（付記９）
前記収納部は、前記処理炉の上方において、前記基板処理装置本体の、前記処理炉室に対して前記搬入搬出部が設けられた面側から該面と対向する面側に跨るように設けられている付記１記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記鉛直移動機構は、前記基板収容納容器を、回転中心を複数として回転させるように移動させる付記３記載の基板処理装置。
（付記１１）
略直方体形状に形成されている基板処理装置本体と、
基板が収容された収納容器を、前記基板処理装置本体内に搬入し、前記基板処理装置本体内から搬出するために用いられる搬入搬出部と、
移動の軌跡の少なくとも一部が水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように、少なくとも前記基板処理装置本体の長辺方向に前記基板収納容器を移動させる水平移動機構を有し、前記基板処理装置本体内で前記収納容器を収納する収納部と、
前記搬入搬出部と前記前記収納部との間での前記収納容器の搬送に用いられる搬送部と、
を有する基板処理装置。
（付記１２）
基板を処理する処理室をさらに有し、
前記収納部は、少なくとも一部分が重力方向において前記処理室と重なるように上方に配置されている付記１１記載の基板処理装置。
（付記１３）
前記処理炉からの排気に用いられるダクトを有し、
前記収納部は、前記ダクトを避けるように設けられている付記１又は１１記載の基板処理装置。
（付記１４）
前記ダクトは、前記処理炉内で熱せられたガスを排気する熱排気ダクトである付記１３記載の基板処理装置。
（付記１５）
前記収納部又は前記搬送部のいずれか一方は、前記収納容器を重力方向下方から支持する下方支持部を、他方は前記収納容器を重力方向上方から支持する上方支持部を有する付記１又は１１記載の基板処理装置。
（付記１６）
前記収納部は、移動の軌跡の少なくとも一部が水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように前記基板収納容器を移動させる水平移動機構を有し、
前記搬送機構は、移動の軌跡の少なくとも一部が鉛直方向成分を有し、回転させるように前記収納容器を移動させる鉛直移動機構を有し、
前記水平移動機構及び前記鉛直移動機構の双方に前記収納容器が支持されている際には、前記水平移動機構及び前記鉛直移動機構が前記収容容器を移動させる方向を一致させるように、前記水平移動機構及び前記鉛直移動機構を制御する制御部（コントローラ）をさらに有する付記１又は１１記載の基板処理装置。
（付記１７）
前制御部（コントローラ）は、前記水平移動機構及び前記鉛直移動機構の一方から他方に、前記収納容器を引き渡す際に、前記水平移動機構及び前記鉛直移動機構が収容容器を移動させる方向が逆方向となるように、前記水平移動機構及び前記鉛直移動機構を制御する付記１又は１１記載の基板処理装置。
（付記１８）
前記収容容器は、複数枚の基板を収容可能であり、前記収容容器内を密閉する密閉部材が設けられた付記１又は１１記載の基板処理装置。
（付記１９）
前記収納部は、前記基板処理装置本体に対して着脱可能である付記１又は１１記載に基板処理装置。
（付記２０）
複数の基板が収納された収納容器を基板処理装置本体内に搬入し前記基板処理装置本体内から搬出する搬入搬出部から、前記収納容器を搬送機構により搬送する工程と、
少なくとも一部が重力方向において基板を処理する処理炉と重なるように上方に配置され前記収納容器を収納する収納部へ、前記搬送機構から前記収納容器を受け渡す工程と、
前記収納容器を、前記収納部から前記搬送機構に受け渡す工程と、
前記基納容器から基板を取り出す工程と、
前記基板を処理炉に搬入する工程と、
前記処理炉で基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
（付記２１）
付記１記載の基板処理装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記搬入搬出部から、前記収容容器を前記搬送機構により搬送する工程と、
前記収容容器を前記搬送機構から前記収納部へ受け渡す工程と、
前記収容容器を前記収納部から前記搬送機構へ受け渡す工程と、
前記収容容器から基板を取り出す工程と、
前記処理炉で基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
以上述べたように、本発明は、半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置、及び半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に利用することができる。
本発明が適用される基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の適用される基板処理装置を示す透視側面図である。 本発明が適用される基板処理装置が有する処理炉を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を示す透視側面図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を示し、図４におけるＡ−Ａ線断面を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に示すポッドを示し、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は側面図です。 本発明の第１の実施形態に用いられる〜を示し、図７（a）は平面図であり、図７（ｂ）は側面図である。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置を示す透視側面図である。 本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置を示す側面図である。 本発明の第３の実施形態に用いられる基板処理装置を示し、図９のB−B線断面を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態に用いられる鉛直移動機構、及び水平移動機構を示し、図１１（ａ）は、ポッドが鉛直移動機構から水平移動機構への受渡し位置に搬送されている状態を示し、図１１（ｂ）はポッドが鉛直移動機構から水平移動機構へ受け渡されている状態を示し、図１１（ｃ）はポッドが鉛直移動機構から水平移動機構へ受け渡された後の状態を示す説明図である。 本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置を示す透視側面図である。 本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置を示し、図１２におけるＣ−Ｃ線断面を示す断面図である。
符号の説明
１００ 基板処理装置
１０５ 回転式ポッド棚
１０６ 固定式ポッド棚
１１０ ポッド
１１１ 筐体
１１２ 載置台
１１４ ロードポート
１１８ ポッド搬送装置
１１８ｂ ポッド搬送機構
１２２ 載置台
２００ ウエハ
２０２ 処理炉
２４０ コントローラ
２５０ 上部収納部
２５２ 水平移動機構
２５７ 回転中心
２７０ 制御部
２８２ 被保持部材
３０２ 鉛直移動機構
３０８ 回転中心
３３０ ダクト

Claims (5)

  1. 基板を処理する処理炉と、
    基板が収納された収納容器を基板処理装置本体内に搬入し、前記基板処理装置本体内から搬出するために用いられる搬入搬出部と、
    少なくとも前記搬入搬出部から前記収納容器を搬送するために用いられる搬送機構と、 前記搬送機構との間で前記収納容器を受渡し可能であって、前記収納容器を収納し、少なくとも一部分が重力方向において前記処理炉と重なるように上方に配置されている収納部と、
    を有する基板処理装置。
  2. 前記収納部は、移動の軌跡の少なくとも一部に水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように前記基板収納容器を移動させる水平移動機構を有する請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記搬送機構は、移動の軌跡の少なくとも一部に鉛直方向成分を有し、回転させるように前記収納容器を移動させる鉛直移動機構を有する請求項１記載の基板処理装置。
  4. 略直方体形状に形成されている基板処理装置本体と、
    基板が収容された収納容器を、前記基板処理装置本体内に搬入し、前記基板処理装置本体内から搬出するために用いられる搬入搬出部と、
    移動の軌跡の少なくとも一部に水平成分を有し、回転中心を複数として回転させるように、少なくとも前記基板処理装置本体の長辺方向に前記収納容器を移動させる水平移動機構を有し、前記基板処理装置本体内で前記収納容器を収納する収納部と、
    前記搬入搬出部と前記前記収納部との間での前記収納容器の搬送に用いられる搬送部と、
    を有する基板処理装置。
  5. 基板が収納された収納容器を基板処理装置本体内に搬入し前記基板処理装置本体内から搬出する搬入搬出部から、前記収納容器を搬送機構により搬送する工程と、
    少なくとも一部が重力方向において、基板を処理する処理炉と重なるように上方に配置され前記収納容器を収納する収納部へ、前記搬送機構から前記収納容器を受け渡す工程と、
    前記収納容器を、前記収納部から前記搬送機構に受け渡す工程と、
    前記基納容器から基板を取り出す工程と、
    前記基板を処理炉に搬入する工程と、
    前記処理炉で基板を処理する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
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