KR102552110B1 - 처리 장치 - Google Patents

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KR102552110B1
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마사토 가도베
신야 나스카와
히로미 니타도리
가즈유키 기쿠치
히로후미 가네코
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 복수의 프로세스 모듈을 갖는 처리 장치에서의 풋프린트를 저감할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 형태에 의한 처리 장치는, 연접 배치된 복수의 프로세스 모듈과, 상기 복수의 프로세스 모듈에서 열처리하는 기판을 수납한 캐리어를 수용하는 로더 모듈을 구비하고, 상기 복수의 프로세스 모듈 각각은, 복수매의 기판을 수용해서 처리하는 처리 용기를 포함하는 열처리 유닛과, 상기 열처리 유닛의 일측면에 배치되고, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 갖는다.

Description

처리 장치{PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 처리 장치에 관한 것이다.
처리 용기의 배면이나 측면에 가스 공급 박스를 배치한 처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 내지 3 참조).
일본 특허 공개 제2001-156009호 공보 일본 특허 공개 제2002-170781호 공보 일본 특허 공개 제2003-31562호 공보
본 개시는, 복수의 프로세스 모듈을 갖는 처리 장치에서의 풋프린트를 저감할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 의한 처리 장치는, 연접 배치된 복수의 프로세스 모듈과, 상기 복수의 프로세스 모듈에서 열처리하는 기판을 수납한 캐리어를 수용하는 로더 모듈을 구비하고, 상기 복수의 프로세스 모듈 각각은, 복수매의 기판을 수용해서 처리하는 처리 용기를 포함하는 열처리 유닛과, 상기 열처리 유닛의 일측면에 배치되어, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 갖는다.
본 개시에 의하면, 복수의 프로세스 모듈을 갖는 처리 장치에서의 풋프린트를 저감할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태의 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 2는 제1 실시 형태의 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 3은 제1 실시 형태의 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 4는 도 1 내지 도 3의 처리 장치의 측면도이다.
도 5는 제1 실시 형태의 처리 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다.
도 6은 제2 실시 형태의 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 7은 제2 실시 형태의 처리 장치의 다른 구성예를 도시하는 사시도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시 형태에 대해서 설명한다. 첨부의 전체 도면 중, 동일하거나 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일하거나 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
[제1 실시 형태]
제1 실시 형태의 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 1 내지 도 3은, 제1 실시 형태의 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도이며, 각각 상이한 방향에서 처리 장치를 보았을 때의 도면이다. 도 4는, 도 1 내지 도 3의 처리 장치의 측면도이다. 이하에서는, 처리 장치의 좌우 방향을 X 방향, 전후 방향을 Y 방향, 높이 방향을 Z 방향으로 해서 설명한다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 처리 장치(1)는, 로더 모듈(20)과, 처리 모듈(30)을 갖는다.
로더 모듈(20)은, 내부가 예를 들어 대기 분위기 하에 있다. 로더 모듈(20)은, 기판의 일례인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼(W)」라고 함)가 수납된 캐리어(C)를, 처리 장치(1) 내의 후술하는 요소간에서 반송하거나, 외부로부터 처리 장치(1) 내에 반입하거나, 처리 장치(1)로부터 외부에 반출하거나 하는 영역이다. 캐리어(C)는, 예를 들어 FOUP(Front-Opening Unified Pod)이면 된다. 로더 모듈(20)은, 제1 반송부(21)와, 제1 반송부(21)의 후방에 위치하는 제2 반송부(26)를 갖는다.
제1 반송부(21)에는, 일례로서 좌우에 2개의 로드 포트(22)가 마련되어 있다. 로드 포트(22)는, 캐리어(C)가 처리 장치(1)에 반입되었을 때, 캐리어(C)를 수용하는 반입용 적재대이다. 로드 포트(22)는, 하우징의 벽이 개방된 개소에 마련되어, 외부로부터 처리 장치(1)에의 액세스가 가능하게 되어 있다. 제1 반송부(21)에는, 캐리어(C)를 보관하는 1개 또는 복수의 스토커(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
제2 반송부(26)에는, FIMS 포트(도시하지 않음)가 배치되어 있다. FIMS 포트는, 예를 들어 상하에 나란히 2개 마련된다. FIMS 포트는, 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)를, 처리 모듈(30) 내의 후술하는 열처리로(411)에 대하여 반입 및 반출할 때, 캐리어(C)를 보유 지지하는 보유 지지대이다. FIMS 포트는, 전후 방향으로 이동 가능하다. 또한, 제2 반송부(26)에도, 제1 반송부(21)와 마찬가지로, 캐리어(C)를 보관하는 1개 또는 복수의 스토커(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
제1 반송부(21)와 제2 반송부(26)의 사이에는, 로드 포트(22), 스토커 및 FIMS 포트의 사이에서 캐리어(C)를 반송하는 캐리어 반송 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
처리 모듈(30)은, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출해서, 웨이퍼(W)에 대하여 각종 처리를 행하는 모듈이다. 처리 모듈(30)의 내부는, 웨이퍼(W)에 산화막이 형성되는 것을 방지하기 위해서, 불활성 가스 분위기, 예를 들어 질소 가스 분위기로 되어 있다. 처리 모듈(30)은, 4개의 프로세스 모듈(40)과, 웨이퍼 반송 모듈(50)을 갖는다.
프로세스 모듈(40)은, 전후 방향으로 연접 배치되어 있다. 각 프로세스 모듈(40)은, 열처리 유닛(41)과, 로드 유닛(42)과, 가스 공급 유닛(43)과, 배기 덕트(44)와, RCU 유닛(45)과, 분류 덕트(46)와, 제어 유닛(47)과, 플로어 박스(48)를 갖는다.
열처리 유닛(41)은, 복수매(예를 들어 25매 내지 150매)의 웨이퍼(W)를 수용해서 소정의 열처리를 행하는 유닛이다. 열처리 유닛(41)은, 열처리로(411)를 갖는다.
열처리로(411)는, 처리 용기(412)와, 히터(413)를 갖는다.
처리 용기(412)는, 기판 보유 지지구의 일례인 웨이퍼 보트(414)를 수용한다. 웨이퍼 보트(414)는, 예를 들어 석영에 의해 형성된 원통 형상을 갖고, 복수매의 웨이퍼(W)를 다단으로 보유 지지한다. 처리 용기(412)에는, 가스 도입 포트(412a) 및 배기 포트(412b)가 마련되어 있다.
가스 도입 포트(412a)는, 처리 용기(412) 내에 가스를 도입하는 포트이다. 가스 도입 포트(412a)는, 가스 공급 유닛(43)측에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 가스 공급 유닛(43)과 가스 도입 포트(412a)의 사이의 배관 길이를 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 배관 부재나 배관 히터의 사용량의 저감, 배관 히터의 소비 전력의 저감, 메인터넌스 시의 퍼지 범위의 저감, 처리 용기(412) 내로의 불순물의 혼입 리스크의 저감 등의 효과가 얻어진다. 또한, 가스 도입 포트(412a)가 마련되는 위치는, 복수의 프로세스 모듈(40)간에 동일한 것이 바람직하다. 이에 의해, 가스 공급 유닛(43)과 가스 도입 포트(412a)의 사이의 배관 길이가 복수의 프로세스 모듈(40)간에 균일하게 할 수 있어, 기기차에 의한 처리의 편차를 작게 할 수 있다.
배기 포트(412b)는, 처리 용기(412) 내의 가스를 배기하는 포트이다. 배기 포트(412b)는, 배기 덕트(44)측에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 가스 도입 포트(412a)와 배기 포트(412b)가 처리 용기(412)를 사이에 두고 대향해서 배치되므로, 처리 용기(412) 내의 가스의 흐름을 단순하게 할 수 있다. 또한, 가스 도입 포트(412a)와 배기 포트(412b)를 서로 떨어진 위치에 마련할 수 있으므로, 처리 용기(412)에 복수의 가스 도입 포트(412a)를 마련하는 경우에 충분한 설치 위치를 확보할 수 있다. 또한, 배기 포트(412b)가 마련되는 위치는, 복수의 프로세스 모듈(40)간에 동일한 것이 바람직하다. 이에 의해, 복수의 프로세스 모듈(40)간에 배기 컨덕턴스를 균일하게 할 수 있어, 기기차에 의한 처리의 편차를 작게 할 수 있다.
히터(413)는, 처리 용기(412)의 주위에 마련되고, 예를 들어 원통 형상을 갖는다. 히터(413)는, 처리 용기(412) 내에 수용된 웨이퍼(W)를 가열한다. 처리 용기(412)의 하방에는, 셔터(415)가 마련되어 있다. 셔터(415)는, 웨이퍼 보트(414)가 열처리로(411)로부터 반출되어, 다음의 웨이퍼 보트(414)가 반입될 때까지의 동안에, 열처리로(411)의 하단에 덮개를 덮기 위한 도어이다.
로드 유닛(42)은, 열처리 유닛(41)의 하방에 마련되고, 바닥(F)에 플로어 박스(48)를 개재하여 설치되어 있다. 로드 유닛(42)에는, 웨이퍼 보트(414)가 보온통(416)을 통해 덮개(417) 위에 적재되어 있다. 웨이퍼 보트(414)는, 석영, 탄화규소 등의 내열 재료에 의해 형성되고, 상하 방향으로 소정의 간격을 갖고 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보유 지지한다. 덮개(417)는, 승강 기구(도시하지 않음)에 지지되어 있고, 승강 기구에 의해 웨이퍼 보트(414)가 처리 용기(412)에 대하여 반입 또는 반출된다. 또한, 로드 유닛(42)은, 열처리 유닛(41)에서 처리된 웨이퍼(W)를 냉각하는 공간으로서도 기능한다.
가스 공급 유닛(43)은, 열처리 유닛(41)의 측면에, 바닥(F)으로부터 이격해서 배치되어 있다. 가스 공급 유닛(43)은, 평면으로 보아, 예를 들어 웨이퍼 반송 모듈(50)과 겹치도록 배치되어 있다. 가스 공급 유닛(43)은, 처리 용기(412) 내에 소정의 유량의 처리 가스나 퍼지 가스를 공급하기 위한 압력 조정기, 매스 플로우 컨트롤러, 밸브 등을 포함한다.
배기 덕트(44)는, 열처리 유닛(41)을 사이에 두고 가스 공급 유닛(43)과 대향해서 배치되어 있다. 배기 덕트(44)는, 처리 용기(412) 내와 진공 펌프(도시하지 않음)를 접속하는 배기 배관, 배기 배관을 가열하는 배관 히터 등을 포함한다.
RCU 유닛(45)은, 열처리 유닛(41)의 천장부에 배치되어 있다. RCU 유닛(45)은, 분류 덕트(46)에 공급하는 냉매를 생성하는 유닛이며, 열교환기, 블로어, 밸브, 배관 등을 포함한다.
분류 덕트(46)는, 열처리 유닛(41)의 측면, 예를 들어 열처리 유닛(41)을 사이에 두고 가스 공급 유닛(43)과 대향하는 위치에 마련되어 있다. 분류 덕트(46)는, RCU 유닛(45)으로부터 보내지는 냉매를 분류하여, 처리 용기(412)와 히터(413)의 사이의 공간에 공급한다. 이에 의해, 처리 용기(412)를 단시간에 냉각할 수 있다.
제어 유닛(47)은, 열처리 유닛(41)의 천장부에 배치되어 있다. 제어 유닛(47)은, 프로세스 모듈(40)의 각 부의 동작을 제어하는 제어 기기 등을 포함한다. 제어 기기는, 예를 들어 가스 공급 유닛(43)의 동작을 제어해서 처리 용기(412) 내에 공급되는 처리 가스나 퍼지 가스의 유량을 조정한다.
웨이퍼 반송 모듈(50)은, 기판 반송 모듈의 일례이며, 복수의 프로세스 모듈(40)에 대하여 공통으로 하나 마련되어 있다. 바꾸어 말하면, 복수의 프로세스 모듈(40)은, 공통의 웨이퍼 반송 모듈(50)을 갖는다. 웨이퍼 반송 모듈(50)은, 복수의 프로세스 모듈(40)의 한쪽 측면에 걸쳐 배치되고, 바닥(F)에 플로어 박스(48)를 개재하여 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 모듈(50)에는, 기판 반송 기구의 일례인 웨이퍼 반송 기구(51)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(51)는, FIMS 포트에 적재된 캐리어(C) 내와, 프로세스 모듈(40)의 로드 유닛(42) 내에 적재된 웨이퍼 보트(414)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 웨이퍼 반송 기구(51)는, 예를 들어 복수의 포크를 가져, 복수매의 웨이퍼(W)를 동시에 이동 탑재할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 반송에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 단, 포크는 1개이어도 된다.
이렇게 처리 장치(1)에는, 1개의 로더 모듈(20)에 대하여 복수의 프로세스 모듈(40)이 마련되어 있다. 이에 의해, 1개의 로더 모듈(20)에 대하여 1개의 프로세스 모듈(40)이 마련되어 있는 경우와 비교하여, 처리 장치(1)의 설치 면적을 작게 할 수 있다. 그 때문에, 단위 면적당 생산성이 향상된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태의 처리 장치(1)에 의하면, 1개의 로더 모듈(20)에 대하여 복수의 프로세스 모듈(40)이 연접 배치되어 있다. 또한, 복수의 프로세스 모듈(40) 각각은, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용해서 처리하는 처리 용기(412)를 포함하는 열처리 유닛(41)과, 해당 열처리 유닛(41)의 일측면에 배치되어, 처리 용기(412) 내에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛(43)을 갖는다. 이에 의해, 복수의 프로세스 모듈(40)을 갖는 처리 장치(1)에서의 풋프린트를 저감할 수 있다. 또한, 프로세스 모듈(40)의 메인터넌스를 용이하게 행할 수 있다. 구체적으로는, 웨이퍼 반송 모듈(50)의 상방에는 스페이스가 확보되어 있으므로, 웨이퍼 반송 모듈(50)측으로부터 용이하게 가스 공급 유닛(43)의 메인터넌스를 행할 수 있다. 또한, 배기 덕트(44)측에는 비교적 넓은 공간을 확보할 수 있으므로, 용이하게 열처리 유닛(41)의 메인터넌스를 행할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 처리 장치가 단독으로 배치되어 있는 경우를 설명했지만, 처리 장치는 복수가 인접해서 배치되어 있어도 된다. 도 5는, 제1 실시 형태의 처리 장치의 다른 구성예를 도시하는 도면이다. 도 5의 예에서는, 2개의 처리 장치(1A, 1B)가 좌우 방향으로 인접해서 배치되어 있다. 또한, 2개의 처리 장치(1A, 1B)는, 각각 상술한 처리 장치(1)와 마찬가지의 구성이면 된다.
[제2 실시 형태]
제2 실시 형태의 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 6은, 제2 실시 형태의 처리 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제2 실시 형태의 처리 장치(1C)는, 웨이퍼 반송 모듈(50)에 대하여 양측(도 6의 +X 방향 및 -X 방향)으로 복수의 프로세스 모듈(40-1 내지 40-8)이 배치되어 있는 점에서, 제1 실시 형태의 처리 장치(1)와 상이하다. 이하, 제1 실시 형태와 상이한 점을 중심으로 설명한다.
처리 장치(1C)는, 로더 모듈(20-1, 20-2)과, 처리 모듈(30)을 갖는다.
로더 모듈(20-1, 20-2)은, 각각 제1 실시 형태의 로더 모듈(20)과 동일한 구성이면 된다. 또한, 로더 모듈(20-1, 20-2)은, 어느 한쪽만이어도 된다. 즉, 처리 장치(1C)는, 1개 이상의 로더 모듈(20)을 갖고 있으면 된다.
처리 모듈(30)은, 로더 모듈(20-1, 20-2) 내의 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출해서, 웨이퍼(W)에 대하여 각종 처리를 행하는 모듈이다. 처리 모듈(30)의 내부는, 웨이퍼(W)에 산화막이 형성되는 것을 방지하기 위해서, 불활성 가스 분위기, 예를 들어 질소 가스 분위기로 되어 있다. 처리 모듈(30)은, 8개의 프로세스 모듈(40-1 내지 40-8)과, 1개의 웨이퍼 반송 모듈(50)을 갖는다.
프로세스 모듈(40-1 내지 40-4)은, 웨이퍼 반송 모듈(50)의 한쪽측(도 6의 -X 방향의 측)에 배치되어 있다. 프로세스 모듈(40-1 내지 40-4)은, 로더 모듈(20-1)측으로부터 이 순서대로 전후 방향(도 6의 Y 방향)으로 연접 배치되어 있다. 프로세스 모듈(40-1 내지 40-4) 각각은, 프로세스 모듈(40)과 마찬가지로, 열처리 유닛(41), 로드 유닛(42), 가스 공급 유닛(43), 배기 덕트(44), RCU 유닛(45), 분류 덕트(46), 제어 유닛(47) 및 플로어 박스(48)를 갖는다.
프로세스 모듈(40-5 내지 40-8)은, 웨이퍼 반송 모듈(50)의 다른 쪽측(도 6의 +X 방향의 측)에 배치되어 있다. 프로세스 모듈(40-5 내지 40-8)은, 로더 모듈(20-2)측으로부터 이 순서대로 전후 방향(도 6의 Y 방향)으로 연접 배치되어 있다. 프로세스 모듈(40-5 내지 40-8) 각각은, 프로세스 모듈(40)과 마찬가지로, 열처리 유닛(41), 로드 유닛(42), 가스 공급 유닛(43), 배기 덕트(44), RCU 유닛(45), 분류 덕트(46), 제어 유닛(47) 및 플로어 박스(48)를 갖는다.
프로세스 모듈(40-1 내지 40-4)과 프로세스 모듈(40-5 내지 40-8)은, 웨이퍼 반송 모듈(50)을 사이에 두고 대향 배치되어 있다. 즉, 프로세스 모듈(40-1 내지 40-4)에 포함되는 가스 공급 유닛(43)은, 열처리 유닛(41)에서의 프로세스 모듈(40-5 내지 40-8)측의 측면에 배치되어 있다. 또한, 프로세스 모듈(40-5 내지 40-8)에 포함되는 가스 공급 유닛(43)은, 열처리 유닛(41)에서의 프로세스 모듈(40-1 내지 40-4)측의 측면에 배치되어 있다.
웨이퍼 반송 모듈(50)은, 기판 반송 모듈의 일례이며, 8개의 프로세스 모듈(40-1 내지 40-8)에 대하여 공통으로 하나 마련되어 있다. 바꾸어 말하면, 8개의 프로세스 모듈(40-1 내지 40-8)은, 공통의 웨이퍼 반송 모듈(50)을 갖는다. 웨이퍼 반송 모듈(50)은, 프로세스 모듈(40-1 내지 40-4)과 프로세스 모듈(40-5 내지 40-8)의 사이에 배치되고, 바닥(F)에 플로어 박스(48)을 개재해서 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 모듈(50)에는, 기판 반송 기구의 일례인 웨이퍼 반송 기구(51)(도 4 참조)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(51)는, FIMS 포트에 적재된 캐리어(C) 내와, 프로세스 모듈(40-1 내지 40-8)의 로드 유닛(42) 내에 적재된 웨이퍼 보트(414)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 웨이퍼 반송 기구(51)는, 예를 들어 복수의 포크를 가져, 복수매의 웨이퍼(W)를 동시에 이동 탑재할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 반송에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 단, 포크는 1개이어도 된다.
제2 실시 형태의 처리 장치(1C)에 의하면, 로더 모듈(20-1)에 대하여 4개의 프로세스 모듈(40-1 내지 40-4)이 연접 배치되고, 로더 모듈(20-2)에 대하여 4개의 프로세스 모듈(40-5 내지 40-8)이 연접 배치되어 있다. 또한, 프로세스 모듈(40-1 내지 40-8) 각각은, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용해서 처리하는 처리 용기(412)를 포함하는 열처리 유닛(41)과, 해당 열처리 유닛(41)의 일측면에 배치되고, 처리 용기(412) 내에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛(43)을 갖는다. 이에 의해, 복수의 프로세스 모듈(40-1 내지 40-8)을 갖는 처리 장치(1C)에서의 풋프린트를 저감할 수 있다.
그런데, 소 로트화 요구, 예를 들어 1개의 프로세스 모듈당 웨이퍼 처리 매수가 25매 정도의 요구가 있었을 경우에는, 처리 장치의 생산성을 유지하기 위해서, 처리 장치가 구비하는 프로세스 모듈의 수를 증가시키는 것이 바람직하다. 프로세스 모듈의 수를 증가시킬 경우, 모든 프로세스 모듈을 전후 방향(도 6의 Y 방향)으로 연접 배치하면 설치 면적이 증대된다.
그래서, 제2 실시 형태의 처리 장치(1C)에 의하면, 웨이퍼 반송 모듈(50)을 사이에 두고 양측에, 각각 복수의 프로세스 모듈을 전후 방향으로 연접 배치한다. 이에 의해, 웨이퍼 반송 모듈(50)의 설치 면적이 증대되지 않으므로, 모든 프로세스 모듈을 전후 방향으로 연접 배치하는 것보다도 풋프린트를 저감할 수 있다.
이어서, 제2 실시 형태의 처리 장치의 변형예에 대해서 설명한다. 도 7은, 제2 실시 형태의 처리 장치의 다른 구성예를 도시하는 사시도이다.
도 7에 도시되는 처리 장치(1D)는, 가스 공급 유닛(43)이 열처리 유닛(41)의 상방, 예를 들어 RCU 유닛(45) 및 제어 유닛(47)의 상면에 배치되어 있는 점에서, 도 6에 도시되는 처리 장치(1C)와 상이하다. 또한, 그 밖의 점에 대해서는, 처리 장치(1C)와 동일해도 된다.
도 7에 도시되는 처리 장치(1D)에 의하면, 가스 공급 유닛(43)이 열처리 유닛(41)의 상방에 배치되어 있으므로, 열처리 유닛(41)의 측면을 가스 배관만이 통과하는 에어리어로 할 수 있다. 그 때문에, 열처리 유닛(41)의 측방이며, 웨이퍼 반송 모듈(50)의 상방에 메인터넌스를 위한 스페이스를 확보할 수 있다. 그 결과, 메인터넌스성의 확보와 공간 절약화를 양립시킬 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 4개의 프로세스 모듈(40)이 연접 배치되어 있는 경우를 설명했지만, 프로세스 모듈(40)의 수는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 2개 또는 3개의 프로세스 모듈(40)이 연접 배치되어 있어도 되고, 5개 이상의 프로세스 모듈(40)이 연접 배치되어 있어도 된다.

Claims (8)

  1. 연접 배치된 복수의 프로세스 모듈과,
    상기 복수의 프로세스 모듈에서 처리하는 복수매의 기판을 수납한 캐리어를 수용하는 로더 모듈,
    상기 로더 모듈과, 상기 복수의 프로세스 모듈 각각에 마련된 로드 유닛의 사이에서 기판을 전달하는 기판 반송 기구를 포함하는 기판 반송 모듈
    을 포함하고,
    상기 복수의 프로세스 모듈 각각은,
    상기 복수매의 기판을 수용해서 열처리하는 처리 용기를 포함하는 열처리 유닛과,
    상기 열처리 유닛의 일측면에 배치되고, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛
    을 포함하고,
    상기 로드 유닛은 상기 열처리 유닛의 하방에 배치되고, 상기 열처리 유닛과의 사이에서 복수매의 기판을 전달하기 위한 기판 보유 지지구를 수용하고,
    상기 복수의 프로세스 모듈은, 상기 기판 반송 모듈을 사이에 두고 양측에서 상기 로더 모듈측으로부터 연접 배치되어 있는
    처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급 유닛은, 바닥으로부터 이격해서 배치되어 있는, 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리 유닛은, 상기 가스 공급 유닛측에 배치되고, 상기 처리 용기 내에 가스를 도입하는 가스 도입 포트를 갖는, 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 프로세스 모듈 각각은, 상기 열처리 유닛을 사이에 두고 상기 가스 공급 유닛과 대향해서 배치되고, 상기 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 배관을 포함하는 배기 덕트를 포함하는, 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 열처리 유닛은, 상기 배기 덕트측에 배치되고, 상기 처리 용기 내의 가스를 배기하는 배기 포트를 갖는, 처리 장치.
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  7. 삭제
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