JP2012033619A - 基板処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の搬送方式では、対象スロット間に十分な移載空間が確保できないような構成における基板搬送を可能とした基板処理装置を提供することである。
【解決手段】内部で基板を処理する反応容器と、中央部に収納された前記基板を加熱する第一被誘導体と、複数枚の前記第一被誘導体を前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持する被誘導体保持体と、前記被誘導体保持体の両端に保持される第二被誘導体と、前記反応容器内で少なくとも前記被誘導体保持体に保持された複数枚の前記第一被誘導体および前記第二被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、前記被誘導体保持体の最上段から最下段に順次前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体が移載されるよう制御する制御手段とを有する。
【選択図】 図８

Description

本発明は、シリコンウェーハ等の基板に膜の生成、酸化、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行う基板処理装置、特に基板を搬送する搬送制御に関するものである。

厚膜を形成するための基板処理装置として、誘導加熱方式の基板処理装置の適用が進められている。この誘導加熱方式の基板処理装置は、反応炉の外周に高周波コイルを設置する。そして、この高周波コイルに高周波電力を印加することにより反応炉の内部に配置された被誘導体に渦電流を発生させることができる。この被誘導体を反応炉内に設置し、この被誘導体に半導体基板を配置する。これにより、まず、渦電流が発生した被誘導体が加熱され、この加熱された被誘導体に配置されている半導体基板が熱伝導によって加熱される。このようにして、半導体基板を加熱した状態で、供給用ノズルから反応炉の内部へ原料ガスを供給すると、加熱された半導体基板上に膜が成膜される。

ここで、誘導加熱方式の基板処理装置では、反応炉の外周に設置された高周波コイルに高周波電力を印加することにより、反応炉の内部に配置された被誘導体を加熱する。従って、反応炉の内壁自体はそれほど加熱されないという特徴がある。このことから、反応炉の内部に原料ガスを供給すると、温度の高い半導体基板上には膜が成膜されるが、温度の低い反応炉の内壁には膜が成膜されにくくなる。このため、誘導加熱方式の基板処理装置では、反応炉の内壁に膜が成膜されにくい性質があり、この結果、反応炉の内壁からの異物の発生や膜片が半導体基板上に付着することを抑制できる利点がある。

このような利点を有する誘導加熱方式の基板処理装置で、複数枚の半導体基板上に膜を成膜できる基板処理装置が構成されている。この基板処理装置は、内部で基板を処理する反応容器（反応炉）と、中央部に収納された半導体基板を加熱するための被誘導体と、複数枚の被誘導体を反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持する被誘導体保持体とを備えている。つまり、被誘導体保持体には複数の被誘導体が配置されており、これらの複数の被誘導体のそれぞれに半導体基板が搭載されている。

図４は、半導体基板としてのウェハ２００が搭載された被誘導体としてのサセプタ２１８が被誘導体保持体としてのボート２１７に装填されている様子を示す断面図である。図４に示すように、ボート２１７は、ボート２１７の延在方向（図４の上下方向）に延在する複数の支柱ＰＲと、複数の支柱ＰＲのそれぞれに対して、延在方向に等間隔で設けられた複数の保持部ＨＵ１を有している。そして、この保持部ＨＵ１は、複数の支柱ＰＲで互いに同じ高さに設けられており、互いに同じ高さに設けられた、例えば３つの保持部ＨＵ１でサセプタ２１８の両端を保持している。具体的には、図４に示すように、ボート２１７には、延在方向に所定間隔で配置された保持部ＨＵ１のそれぞれにサセプタ２１８が搭載されている。したがって、ボート２１７には、複数のサセプタ２１８が、ボート２１７の延在方向に所定間隔を置いて積層配置されていることになる。このようにサセプタ２１８は、支柱ＰＲとは独立して設けられており、ボート２１７へのサセプタ２１８の装填、および、ボート２１７からのサセプタ２１８の脱装が可能なように構成されている。

次に、図５を用いて、従来の搬送方式について説明する。ボート２１７への搬送は、ボート２１７の各スロットに対してどの種別のウェハ２００を配置するのかを指定した定義ファイルに従い行われる。この時、搬送効率を優先し、ウェハ２００の種別毎に搬送処理を行う。誘導加熱方式の基板処理装置において、ウェハ２００をボート２１７上のスロットに配置する際は、搬送先の配置状態に合わせて、被処理体移載機構はウェハ２００が装填されたサセプタ２１８を搬送する。この搬送方式では、先に移載されたウェハ２００が装填されたサセプタ２１８がボート２１７上の移載対象スロットの近傍に存在するのが通常である。

しかしながら、この従来の搬送方式にてウェハ２００を移載する場合、移載対象物としての被処理体の厚みとスロット間隔、移載時の上下動作について一定の間隔が確保されないような構成の装置では、移載対象物としての被処理体や搬送機構、ボート２１７との接触により材料（ウェハ２００）や機構(ボート２１７等)を破損してしまう恐れがあった。ここで、本願において、被処理体とは、ウェハ２００が装填されたサセプタ２１８だけでなく後述する前記ウェハ２００が搭載されていないサセプタ２１８(以後、単にダミーサセプタと呼ぶこともある)も含む。よって、単に被処理体という記載は、以後、上記ウェハ２００を装填及び脱装するサセプタ２１８やダミーサセプタとしてのサセプタ２１８の両方を意味する。また、移載対象物とは、上記被処理体搬送機構が移載する対象としている物であるため、被処理体、半導体基板としてのウェハ２００、被誘導体としてのサセプタ２１８のそれぞれを全て含めた表現として使用する。

本発明の目的は、誘導加熱方式を使用した基板処理装置における被処理体の搬送における、被誘導体(サセプタ)の破損を抑止するための最適な成膜条件の一つのパラメータとして定義されるボート２１７のピッチ幅(又はスロット間隔)に対して、材料(ウェハ２００)搬送にサセプタ２１８ごと移動する仕様への変更、及び被処理体搬送機構としての移載機の基板支持部（ツィーザ）の仕様変更に伴い、上述した従来の搬送方式では、対象スロット間に十分な移載空間が確保できないような構成における基板搬送を可能とした基板処理装置を提供することである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

上述した課題を解決するため、本発明に係る第１の基板処理装置は、内部で基板を処理する反応容器と、中央部に収納された前記基板を加熱する第一被誘導体と、複数枚の前記第一被誘導体を前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持する被誘導体保持体と、前記被誘導体保持体の両端に保持される第二被誘導体と、前記反応容器内で少なくとも前記被誘導体保持体に保持された複数枚の前記第一被誘導体および前記第二被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、前記被誘導体保持体の最上段から最下段まで順次前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体が移載されるよう制御する制御手段を有する。また、本発明に係る第２の基板処理装置は、第１の基板処理装置において、前記被誘導体保持体に移載する段の直下の段に前記第一被誘導体及び前記第二被誘導体等の移載対象物が存在する場合に、搬送動作(移載動作)が禁止される。又、本発明に係る基板搬送方法は、中央部にそれぞれ基板を収納した状態の第一被誘導体を被誘導体保持体に複数枚、内部で前記基板を処理する反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持するとともに、第二被誘導体を前記被誘導体保持体の両端に保持しつつ前記反応容器に搬送する工程を有し、前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体を前記被誘導体保持体の最上段から最下段に順次装填する。

基板(ウェハ２００)が保持された状態の被誘導体(サセプタ２１８)等被処理体の被誘導体保持体(ボート２１７)への移載を最上位スロットから最下位スロット方向に一つずつ移載することにより、移載動作時には移載対象スロットの直下のスロットに被処理体が存在する状態が発生しなくなる。よって、スロット間隔の狭いボート２１７使用時や、特殊な熱処理の為に基板又はそれを含めた移載対象物の厚み及びそれら移載対象物を支持するためのツィーザの厚みが増加するような場合も、移載対象物と被処理体搬送機構との衝突を抑えることができる。また、搬送動作前に移載スロット近傍の配置状態を確認し、配置状態に応じて搬送動作禁止を行うことで、ユーザオペレーションにより規定外の動作をさせた場合にも衝突等の危険を事前に回避できる。

尚、上記効果は、移載対象物を被誘導体保持体に移載する場合に関しての効果のみが記載されているが、上記被誘導体保持体から移載対象物を取り出す場合にも同様な効果を奏する。但し、その場合、取り出す動作時に、上記移載動作時の記載と反対方向に(最下位スロットから最上位スロット方向に)被処理体が一つずつ取り出される。また、上記移載動作時と同様に搬送動作禁止を行うことによる上記効果を奏することは言うまでもない。

本発明の実施の形態における基板処理装置の概略構成を示す図である。 実施の形態における基板処理装置の処理炉と、処理炉周辺の概略構成図である。 ボートにウェハが搭載されたサセプタを装填する様子を示す平面図である。 ウェハが搭載されたサセプタがボートに装填されている様子を示す断面図である。 従来の搬送方式を説明するための図である。 本発明の実施の形態における搬送方式の概要を説明するための図である。 本発明の実施の形態における搬送方式を説明するための図である。 実施の形態の基板処理装置において、ウェハが搭載されたサセプタがボートに装填されている様子を示す断面図である。 本発明の実施の形態における搬送動作禁止シーケンスを説明するための図である。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

（実施の形態）
本発明を実施するための実施の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ等）の製造方法に含まれる様々な処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下の説明では、半導体基板（半導体ウェハ）にエピタキシャル成長法による成膜処理、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法による成膜処理、あるいは、酸化処理や拡散処理などを行なう縦型の基板処理装置に本発明の技術的思想を適用した場合について述べる。特に、本実施の形態では、複数の基板を一度に処理するバッチ方式の基板処理装置を対象にして説明する。

まず、本実施の形態における基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態における基板処理装置の概略構成を示す図である。図１に示すように、本実施の形態における基板処理装置１０１は、第二被誘導体としてのサセプタ、及びシリコン等からなる複数のウェハ（半導体基板）２００が載置されたサセプタ(第一被誘導体)である被処理体を収納したウェハキャリアとしてのカセット１１０を使用するように構成されており、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの下方にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が筐体１１１の正面壁１１１ａに設けられている。

正面メンテナンス扉１０４には、カセット搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。カセット搬入搬出口１１２の筐体１１１内側にはカセットステージ（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。カセット１１０は、カセットステージ１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつ、カセットステージ１１４上から搬出されるようになっている。カセットステージ１１４は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウェハ２００が垂直姿勢となり、かつ、カセット１１０のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置されるように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央下部には、カセット棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段および複数列で複数個のカセット１１０を保管し、カセット１１０内の被処理体を出し入れすることが可能なように配置されている。このカセット棚１０５は、スライドステージ（水平移動機構）１０６上に横行可能なように設置されている。また、カセット棚１０５の上方にはバッファ棚（基板収容器保管棚）１０７が設置されており、このバッファ棚にもカセット１１０が保管されるようになっている。

カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降することができるカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂから構成されている。このカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連続動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５およびバッファ棚１０７との間で、カセット１１０を搬送することができるようになっている。

カセット棚１０５の後方には、被処理体移載機構１２５が設置されている。この被処理体移載機構１２５は被処理体（第二被誘導体としてのサセプタ又は第一被誘導体としてのウェハ２００が載置されたサセプタ）を水平方向に回転ないし直動可能な被処理体移載装置１２５ａおよび被処理体移載装置１２５ａを昇降させるための被処理体移載装置エレベータ（被処理体移載装置昇降機構）１２５ｂを備えている。図１に模式的に示すように、被処理体移載装置エレベータ１２５ｂは、筐体１１１左側端部に設置されている。これらの被処理体移載装置エレベータ１２５ｂおよび被処理体移載装置１２５ａの連続動作により、被誘導体保持体としてのボート２１７に対して、被処理体(第一被誘導体又は第二被誘導体)を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するようになっている。又、被処理体移載装置１２５ａにあるツイーザ（被処理体保持部）１２５ｃが、被処理体の載置部として機能する。

本実施の形態における基板処理装置１０１では、上記被処理体移載機構１２５は、被処理体をボート２１７との間で装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)する被処理体搬送機構として構成されている。具体的には、被処理体を搬送する際に、ツイーザ（被処理体保持部）１２５ｃが垂れないような厚さに構成されている。例示すれば、ツィーザ１２５ｃの厚さは６ｍｍ近傍である。

次に、図１に示すように、バッファ棚１０７の後方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを基板処理装置１０１内へ供給するために、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４ａが設けられており、このクリーンユニット１３４ａは、クリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。また、被処理体移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、クリーンエアを供給するように、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット（図示せず）が設置されている。そして、このクリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、被処理体移載装置１２５ａを流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部へ排気されるようになっている。

被処理体移載装置１２５ａの後側には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持することが可能な機密性能を有する耐圧筐体１４０が設置されている。この耐圧筐体１４０により、ボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。

耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウェハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１４２が開設されており、ウェハ搬入搬出口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１へ窒素ガス等の不活性ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管（図示せず）とがそれぞれ接続されている。

ロードロック室１４１上方には、処理炉（反応炉）２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

図１に模式的に示すように、ロードロック室１４１には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（被誘導体保持体昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム（図示せず）には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。

ボート２１７は複数本の支柱（保持部材）を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１００枚程度）のサセプタ２１８をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持することができるように構成されている。基板処理装置１０１を構成する各部は、コントローラ２４０と電気的に接続されており、コントローラ２４０は、基板処理装置１０１を構成する各部の動作を制御するように構成されている。

本実施の形態における基板処理装置１０１は上記のように概略構成されており、以下にその動作について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０１を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。

図１に示すように、カセット１１０がカセットステージ１１４に供給されるのに先立って、カセット搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。その後、カセット１１０はカセット搬入搬出口１１２から搬入され、カセットステージ１１４上に載置される。このとき、カセットステージ１１４上に載置される被処理体は垂直姿勢になっており、かつ、カセット１１０のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。

次に、カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセットステージ１１４から取り上げられるとともに、カセット１１０内の各サセプタ２１８が水平姿勢となり、かつ、カセット１１０のウェハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように、筐体１１１の後方に右周り縦方向へ９０°回転させられる。続いて、カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５あるいはバッファ棚１０７の指定された位置へ自動的に搬送される。そして、カセット１１０は、一時的に保管された後、カセット搬送装置１１８によってカセット棚１０５に移載されるか、あるいは、直接カセット棚１０５に搬送される。

その後、スライドステージ１０６はカセット棚１０５を水平移動させ、移載の対象となるカセット１１０を被処理体移載装置１２５ａに対峙するように位置決めする。被処理体は、カセット１１０から被処理体移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、ウェハ出し入れ口を通じてピックアップされる。

次に、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウェハ搬入搬出口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、被処理体搬送装置１２５ａにより、ウェハ搬入搬出口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へサセプタが装填される。

被処理体移載装置１２５ａはカセット１１０へ戻り、次のウェハ２００が載置されていないダミーサセプタとしてのサセプタ２１８又はウェハ２００が載置されたサセプタ２１８をボート２１７に装填する。具体的には、後述するように、ボート２１７の最上位スロットから最下位スロットの方向へ、ウェハ２００が載置されていないダミーサセプタとしてのサセプタ２１８又はウェハ２００が載置されたサセプタ２１８が、それぞれ装填される。尚、一般的に、ボート２１７の両端(最上位スロットと最下位スロット)には、ダミーサセプタが装填される。又、少なくともウェハ２００が載置されたサセプタ２１８のうち最上段に保持されたサセプタ２１８と所定間隔を成して上側にダミーサセプタがボート２１７に保持され、且つ、ウェハ２００が載置されたサセプタ２１８のうち最下段に保持されたサセプタ２１８と所定間隔を成して下側にダミーサセプタがボート２１７に保持されるのが好ましい。更に、前記最上段に保持されたサセプタ２１８と上側のダミーサセプタとの所定間隔、前記最下段に保持されたサセプタ２１８と下側のダミーサセプタとの所定間隔、ウェハ２００が載置されたサセプタ２１８間の所定間隔は同じ長さであるのが好ましい。尚、例示すれば、上記所定間隔は、５ｍｍ程度である。

予め指定された枚数のサセプタ２１８がボート２１７に装填されると、ウェハ搬入搬出口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管から真空引きされることにより、減圧される。ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇し、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理炉２０２においてウェハ２００に任意の処理が実施される。ウェハ２００の処理後、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出される。さらに、ロードロック室１４１内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、概ね上述した動作と逆の動作により、処理済みのウェハ２００およびカセット１１０が筐体１１１の外部へ払い出される。以上のようにして、本実施の形態における基板処理装置１０１が動作する。

次に、本実施の形態における基板処理装置１０１の処理炉２０２について、図面を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態における基板処理装置１０１の処理炉２０２と、処理炉２０２周辺の概略構成図であり、縦断面図として示されている。

図２に示すように、処理炉２０２は高周波電流を印加することにより加熱するための誘導加熱装置２０６を有する。この誘導加熱装置２０６は円筒状に形成されており、誘導加熱部としてのＲＦコイル２０６１と壁体２０６２と冷却壁２０６３により構成されている。

壁体２０６２は、ステンレス材等の金属から構成されている。この壁体２０６２は、円筒形状であり、内壁側にＲＦコイル２０６１が設けられている。ＲＦコイル２０６１は高周波電源（図示せず）に接続されており、この高周波電源により、ＲＦコイル２０６１には高周波電流が流れるようになっている。

壁体２０６２の外壁側には、この壁体２０６２と同心円状に、冷却壁２０６３が設けられている。壁体２０６２の上端には、その中央に開口部２０６６が形成されている。開口部２０６６の下流側には、ダクトが接続されており、このダクトの下流側には冷却装置としてのラジエータ２０６４と、排気装置としてのブロア２０６５が接続されている。

冷却壁２０６３には、内部に冷却媒体として、例えば、冷却水が流通可能なように冷却壁２０６３のほぼ全域に冷却媒体流路が形成されている。冷却壁２０６３には、冷却媒体（図示せず）を供給する冷却媒体供給部と冷却媒体を排気する冷却媒体排気部とが接続されている。冷却媒体供給部から冷却媒体流路に冷却媒体を供給し、冷却媒体排気部から排気することにより、冷却壁２０６３が冷却され、熱伝導により、壁体２０６２および壁体２０６２の内部が冷却される。

ＲＦコイル２０６１の内側には、誘導加熱装置２０６と同心円状に反応容器を構成する反応管としてのアウターチューブ２０５が設けられている。アウターチューブ２０５は、耐熱材料としての石英（ＳｉＯ_２）材で構成されており、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状をしている。アウターチューブ２０５の内側には、処理室２０１が形成されている。処理室２０１には、半導体基板としてのウェハ２００がボート２１７および被誘導体としてのサセプタ２１８によって、水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収納されている。

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えば、石英（ＳｉＯ_２）若しくはステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状をしている。このマニホールド２０９はアウターチューブ２０５を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング３０９が設けられている。このマニホールド２０９が保持体（図示せず）に支持されることにより、アウターチューブ２０５は垂直に据え付けられた状態となっている。このようにアウターチューブ２０５とマニホールド２０９により反応容器が形成される。

アウターチューブ２０５の側内壁には、処理室２０１内に配置されているそれぞれのウェハ２００に側方からガスを供給するために、石英（ＳｉＯ_２）材で形成されたガス供給室２３２１と、処理室２０１内に配置されているそれぞれのウェハ２００を通過したガスを側方から排気する石英（ＳｉＯ_２）材で形成されたガス排気口２３１１が形成されている。

ガス供給室２３２１は、アウターチューブ２０５の側内壁に設けられており、上端が閉塞し、側壁に多数のガス供給口２３２２が設けられている。このとき、ガス供給室２３２１は、ボート２１７に載置される複数のウェハ２００のそれぞれに均一にガスを供給することができるように、ウェハ２００の中心に対して線対称の位置に複数個所に設けることが望ましい。ガス供給口２３２２は、ボート２１７に載置される複数のウェハ２００のそれぞれに対して均一にガスを供給することができるように、それぞれのウェハ２００上にある間隙にウェハ２００の上面の高さから所定の高さの位置にそれぞれ設けるとよい。

アウターチューブ２０５の下方の外側壁には、ガス排気口２３１１と連通するガス排気管２３１と、ガス供給室２３２１と連通するガス供給管２３２とが設けられている。

ガス供給管２３２は、上流側で３つに分かれており、バルブ１７７、１７８、１７９とガス流量制御装置としてのＭＦＣ１８３、１８４、１８５を介して第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２にそれぞれ接続されている。ＭＦＣ１８３、１８４、１８５およびバルブ１７７、１７８、１７９には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、このガス流量制御部２３５によって、供給するガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングにて制御されるようになっている。

ガス排気管２３１の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ（図示せず）および圧力調整器としてのＡＰＣバルブ２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。圧力センサおよびＡＰＣバルブ２４２には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞するための炉口蓋体として、シールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えば、ステンレス等の金属で構成されており、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング３０１が設けられている。

このシールキャップ２１９には、回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウェハ２００を回転させるように構成されている。

シールキャップ２１９は、処理炉２０２の外側に設けられた昇降機構としての昇降モータ２４８によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。

回転機構２５４および昇降モータ２４８には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、駆動制御部２３７は、回転機構２５４および昇降モータ２４８が所望の動作をするように所望のタイミングにて制御するようになっている。

次に、誘導加熱装置２０６には、螺旋状に形成されたＲＦコイル２０６１が上下複数の領域（ゾーン）に分割されて設けられている。例えば、図２に示すように、下方側のゾーンから、ＲＦコイルＬ、ＲＦコイルＣＬ、ＲＦコイルＣ、ＲＦコイルＣＵ、ＲＦコイルＵというように５つのゾーンに区分けして設けられている。これらの５つのゾーンに区分けされたＲＦコイルは独立して制御されるようになっている。

誘導加熱装置２０６の近傍には、処理室２０１内の温度を検出する温度検出体としての放射温度計２６３が、例えば、４箇所に設置されている。この放射温度計２６３は、少なくとも一つ設置されていればよいが、複数個の放射温度計２６３を設置することで温度制御性を向上させることができる。

誘導加熱装置２０６および放射温度計２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、放射温度計２６３により検出された温度情報に基づいて、誘導加熱装置２０６への通電状態を調節することができるようになっている。そして、温度制御部２３８によって、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御されるようになっている。

さらに、ブロア２０６５にも、温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、予め設定された操作レシピに従って、ブロア２０６５の動作を制御するように構成されている。ブロア２０６５が動作することにより、壁体２０６２とアウターチューブ２０５との間隙にある雰囲気を開口部２０６６から排出する。開口部２０６６から雰囲気を排出した後、ラジエータ２０６４を通して冷却し、ブロア２０６５の下流側で設備に排出される。すなわち、温度制御部２３８による制御に基づいて、ブロア２０６５が動作することにより、誘導加熱装置２０６およびアウターチューブ２０５を冷却することができる。

冷却壁２０６３に接続されている冷却媒体供給部と冷却媒体排気部は、冷却壁２０６３への冷却媒体の流量を所望の冷却具合となるように所定のタイミングにてコントローラ２４０にて制御されるように構成されている。

続いて、本実施の形態における処理炉２０２周辺の構成について、図２を参照しながら説明する。予備室としてのロードロック室１４１の外面に下基板２４５が設けられる。下基板２４５には昇降台２４９と嵌合するガイドシャフト２６４および昇降台２４９と螺合するボール螺子２４４が設けられる。下基板２４５に立設したガイドシャフト２６４およびボール螺子２４４の上端に上基板２４７が設けられる。ボール螺子２４４は上基板２４７に設けられた昇降モータ２４８により回転される。ボール螺子２４４が回転することにより昇降台２４９が昇降するように構成されている。

昇降台２４９には中空の昇降シャフト２５０が垂直方向に設置され、昇降台２４９と昇降シャフト２５０の連結部は気密となっている。昇降シャフト２５０は昇降台２４９と共に昇降するようになっている。昇降シャフト２５０はロードロック室１４１の天板２５１を貫通する。昇降シャフト２５０が貫通する天板２５１の貫通穴は昇降シャフト２５０に対して接触することがないように充分な余裕がある。ロードロック室１４１と昇降台２４９との間には昇降シャフト２５０の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ２６５がロードロック室１４１を気密に保つために設けられている。ベローズ２６５は昇降台２４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ２６５の内径は昇降シャフト２５０の外形に比べ充分に大きく、ベローズ２６５の伸縮で接触することがないように構成されている。

昇降シャフト２５０の下端には昇降基板２５２が水平に固着される。昇降基板２５２の下面にはＯリング等のシール部材を介して駆動部カバー２５３が気密状態で取付けられている。昇降基板２５２と駆動部カバー２５３とで駆動部収納ケース２５６が構成されている。この構成により、駆動部収納ケース２５６の内部はロードロック室１４１内の雰囲気と隔離される。

また、駆動部収納ケース２５６の内部にはボート２１７の回転機構２５４が設けられており、回転機構２５４の周辺部は、冷却機構２５７により冷却される。

さらに、電力供給ケーブル２５８が昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０の中空部を通って回転機構２５４に導かれて接続されている。そして、冷却機構２５７およびシールキャップ２１９には冷却流路２５９が形成されており、冷却流路２５９には冷却水を供給する冷却水配管２６０が接続され、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０の中空部を通っている。

昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４が回転することにより、昇降台２４９および昇降シャフト２５０を介して駆動部収納ケース２５６が昇降する。

駆動部収納ケース２５６が上昇することにより、昇降基板２５２に気密に設けられるシールキャップ２１９が処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞し、ウェハ処理が可能な状態となる。駆動部収納ケース２５６が下降することにより、シールキャップ２１９とともにボート２１７が降下されて、ウェハ２００を外部に搬出できる状態となる。

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、および温度制御部２３８は、操作部や入出力部を構成し、基板処理装置１０１全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、および主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。以上のようにして、本実施の形態における基板処理装置１０１の処理炉２０２と、処理炉２０２周辺の構造体が構成されている。

続いて、ボート２１７にウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８を装填する構成について説明する。図３は、ボート２１７にウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８を装填する様子を示す平面図である。まず、ボート２１７は、サセプタ２１８を保持する保持体として機能し、ボート２１７は、円盤状の底板２１７ａ（図２）と、円盤状の天板２１７ｂ（図２）と、底板と天板とを連結する石英からなる３本あるいは４本の支柱から構成されている。図３に示すように、複数の支柱ＰＲのそれぞれには、ウェハ２００を搭載する支持体としてのサセプタ２１８を保持する保持部ＨＵ１が形成されている。この保持部ＨＵ１は、支柱ＰＲのそれぞれからボート２１７の中心軸側に向けて突き出すように形成されている。

このように構成されているボート２１７に搭載されるサセプタ２１８は、図３に示すように、ウェハ２００よりも大径の円盤状に形成されており、円盤の主面に凹部が形成されている。すなわち、サセプタ２１８には、高さの異なる周縁部２１８ａと中央部２１８ｂが形成されており、周縁部２１８ａの厚みよりも中央部２１８ｂの厚みが小さくなるように形成されている。したがって、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの境界には段差部２１８ｃが形成されている。段差部２１８ｃの内側に形成されている中央部２１８ｂは、ウェハ２００の直径よりも若干大きい直径で形成されており、この中央部２１８ｂ内にウェハ２００が内包されるように搭載される。このように構成されているサセプタ２１８は、導電性材料（カーボンやカーボングラファイト）で形成されている。好適には、サセプタ２
１８は、導電性材料の表面を炭化シリコン（ＳｉＣ）等のコーティング材で被覆してもよい。これにより、導電性材料から不純物が放出することを抑制することができる。

なお、サセプタ２１８は、ウェハ２００を周方向において均一に加熱しやすいため、円盤形状で形成されているほうが望ましいが、サセプタ２１８の主面が楕円で形成された板形状であっても、サセプタ２１８の主面が多角形で形成された板形状であってもよい。

なお、図２に示すように、ボート２１７の下部には、例えば、耐熱性材料としての石英（ＳｉＯ_２）で構成される円筒形状の断熱筒２１６が配置されており、この断熱筒２１６により、誘導加熱装置２０６による誘導加熱で生じた熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるように構成されている。この断熱筒２１６は、ボート２１７と別体として設けずに、ボート２１７と一体として設けてもよい。また、断熱筒２１６に代えて、ボート２１７の下部に複数枚の断熱板を設けるように構成してもよい。

ボート２１７は、図２に示すように、処理室２０１内でのウェハ２００上への成膜処理時における膜中への不純物の混入を抑制するために、高純度で汚染物を放出しない材料であることが望ましい。また、ボート２１７の材料として、熱伝導率の高い材料を用いた場合、ボート２１７の下部にある石英製の断熱筒２１６を熱劣化させてしまうため、熱伝導率の低い材料であることが望ましい。さらに、サセプタ２１８に載置されるウェハ２００へのボート２１７からの熱影響は抑制したほうがよいので、誘導加熱装置２０６により誘導加熱されない材料であることが望ましい。これらの条件を満足するように、ボート２１７の材料として石英材を使用している。

次に、本実施の形態における基板処理装置１０１を使用してウェハ２００上に膜を形成する成膜動作について、図２を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０１を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。まず、図２に示すように、処理炉２０２内にはボート２１７が搬入されているものとする。この状態で、誘導加熱装置２０６に高周波電流を流す。すると、処理炉２０２の内部に高周波電磁界が発生し、この高周波電磁界によって、被誘導体であるサセプタ２１８の周縁部に渦電流が発生する。このサセプタ２１８では、渦電流によって誘導加熱が起こり、サセプタ２１８が加熱される。そして、周縁部が加熱されたサセプタ２１８では、熱伝導によってサセプタ２１８の周縁部からサセプタ２１８の中央部へ熱が流れ、サセプタ２１８の全体（周縁部と中央部）が加熱される。このようにしてサセプタ２１８が加熱されると、サセプタ２１８に搭載されているウェハ２００に熱伝導で熱が伝わり、ウェハ２００が加熱される。

このようにしてウェハ２００を加熱した後、処理炉２０２内に原料ガスを導入する。具体的に、図２に示すように、第１の処理ガスは、第１のガス供給源１８０から供給され、ＭＦＣ１８３でその流量が調節される。その後、第１の処理ガスは、バルブ１７７を介して、ガス供給管２３２を経て、ガス供給室２３２１へ導入され、ガス供給口２３２２から処理室２０１内に導入される。第２の処理ガスは、第２のガス供給源１８１から供給され、ＭＦＣ１８４でその流量が調節される。その後、第２の処理ガスは、バルブ１７８を介して、ガス供給管２３２を経て、ガス供給室２３２１へ導入され、ガス供給口２３２２から処理室２０１内に導入される。第３の処理ガスは、第３のガス供給源１８２から供給され、ＭＦＣ１８５でその流量が調節される。その後、第３の処理ガスは、バルブ１７９を介して、ガス供給管２３２を経て、ガス供給室２３２１に導入され、ガス供給口２３２２から処理室２０１内に導入される。

以上のようにして、処理室２０１に導入された第１の処理ガス、第２の処理ガス、および、第３の処理ガスは、ボート２１７に装填されたサセプタ２１８上に搭載されているウェハ２００の表面に供給され、加熱されているウェハ２００の表面で反応してウェハ２００上に膜が成膜される。その後、処理室２０１内のガスは、ガス排気口２３１１からガス排気管２３１を経て、真空ポンプ２４６によって排気される。

図８は、本実施の形態の基板処理装置において、ウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８がボート２１７に装填されている様子を示す断面図である。図８に示すように、ボート２１７は、ボート２１７の延在方向（図８の上下方向）に延在する複数の支柱ＰＲと、複数の支柱ＰＲのそれぞれに対して、延在方向に等間隔で設けられた複数の保持部ＨＵ１を有している。そして、２つの保持部ＨＵ１で保持されたサセプタ２１８は、水平状態を維持するように配置される。具体的に、図８に示すように、ボート２１７には、延在方向に所定間隔で配置された保持部ＨＵ１のそれぞれにサセプタ２１８が搭載されている。したがって、ボート２１７には、複数のサセプタ２１８が、ボート２１７の延在方向に所定間隔を置いて積層配置されていることになる。このようにサセプタ２１８は、支柱ＰＲとは独立して設けられており、ボート２１７へのサセプタ２１８の装填、および、ボート２１７からのサセプタ２１８の脱装が可能なように構成されている。

ここで、図８において、ウェハ２００を搭載しているサセプタ２１８のうち最上段に配置されているサセプタ２１８をサセプタ２１８Ｈと表記し、ウェハ２００を搭載しているサセプタ２１８のうち最下段に配置されているサセプタ２１８をサセプタ２１８Ｌと表記している。このとき、最上段のサセプタ２１８Ｈの上段にさらに、第二被誘導体としてのダミーサセプタＤＭＹ１とダミーサセプタＤＭＹ２が配置され、最下段のサセプタ２１８Ｌの下段に、さらに、第二被誘導体としてのダミーサセプタＤＭＹ３とダミーサセプタＤＭＹ４が配置されている。

すなわち、最上段のサセプタ２１８Ｈよりも一段上段にダミーサセプタＤＭＹ１が配置され、このダミーサセプタＤＭＹ１よりも一段上段にダミーサセプタＤＭＹ２が配置されている。同様に、最下段のサセプタ２１８Ｌよりも一段下段にダミーサセプタＤＭＹ３が配置され、このダミーサセプタＤＭＹ３よりも一段下段にダミーサセプタＤＭＹ４が配置されている。

これらのダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４には、ウェハ２００が搭載されておらず、かつ、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４の表面がフラットになっている。つまり、本実施の形態でいうダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４とは、ウェハ２００を搭載せずに、表面がフラットになっているサセプタとして定義される。さらに、本実施の形態におけるダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４は、ウェハ２００を搭載している通常のサセプタ２１８と同径および同厚（厚さａ）となっている。

本実施の形態では、図８に示すように、最上段のサセプタ２１８Ｈの上段にダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２を設けているので、最上段に配置されているサセプタ２１８Ｈの周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間の温度差を緩和することができる。

すなわち、本実施の形態では、最上段に配置されているサセプタ２１８Ｈの上段にダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２を設けている。これにより、最上段のサセプタ２１８Ｈから放散される熱がダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２に遮られることになるから、最上段のサセプタ２１８Ｈから放散される熱を低減することができる。好適には、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２は、ウェハ２００を搭載するサセプタ２１８と同じ材料で構成するとよい。これにより、熱的特性をウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８と同様とすることができ、温度調整がしやすくなる等の効果を奏することができる。ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２は、被誘導体として機能することから、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２も、誘導加熱装置によって加熱される。したがって、最上段のサセプタ２１８Ｈの中央部２１８ｂにも、誘導加熱されたダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２からの輻射熱が供給される。以上のことから、本実施の形態によれば、最上段のサセプタ２１８Ｈにおいても、中央部２１８ｂからの熱の放散が抑制され、かつ、中央部２１８ｂへのダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２からの輻射熱が供給されることから、最上段のサセプタ２１８Ｈにおいて、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂとの温度差を緩和することができる。

このことは、最上段に配置されるサセプタ２１８Ｈでは、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間に形成される段差部２１８ｃに、周縁部２１８ａの温度と中央部２１８ｂの温度との温度差に起因した応力を緩和できることを意味している。したがって、最上段に配置されるサセプタ２１８Ｈでも、破損が発生しにくくなり、また、サセプタ２１８Ｈがコーティングされている場合には、コーティング材が剥がれにくくなる結果、異物の発生も抑制することができる。つまり、本実施の形態では、最上段に配置されているサセプタ２１８Ｈ自体が破損することを抑制でき、異物発生のポテンシャルも小さくして、ウェハ２００の成膜品質を向上させることができるという顕著な効果を得ることができる。

同様に、本実施の形態では、図８に示すように、最下段のサセプタ２１８Ｌの下段にダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４を設けているので、最下段に配置されているサセプタ２１８Ｌの周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間の温度差を緩和することができる。

すなわち、本実施の形態では、最下段に配置されているサセプタ２１８Ｌの下段にダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４を設けている。これにより、最下段のサセプタ２１８Ｌから放散される熱がダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２に遮られることになるから、最下段のサセプタ２１８Ｌから放散される熱を低減することができる。好適には、ダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４は、ウェハ２００を搭載したサセプタ２１８と同じ材料で構成するとよい。これにより、熱的特性をウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８と同様とすることができ、温度調整がしやすくなる等の効果を奏することができる。ダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４は、被誘導体として機能することから、ダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４も、誘導加熱装置によって加熱される。したがって、最下段のサセプタ２１８Ｌの中央部２１８ｂにも、誘導加熱されたダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４からの輻射熱が供給される。

次に、本実施の形態における基板処理装置を使用した基板の製造工程について説明する。具体的に、本実施の形態では、基板の製造工程の一工程として、ウェハ２００などの基板上に、エピタキシャル成長法を使用してシリコン（Ｓｉ）などの半導体膜を形成する方法について説明する。なお、以下の説明において、本実施の形態１における基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。

ウェハ２００が載置された複数枚のサセプタ２１８がボート２１７に装填されると、図２に示すように、複数枚のサセプタ２１８を保持したボート２１７は、昇降モータ２４８による昇降台２４９および昇降シャフト２５０の昇降動作により処理室２０１内に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリングを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。ここで、ボート２１７に装填されている最上段のサセプタ２１８の上段にはダミーサセプタが装填されているとともに、ボート２１７に装填されている最下段のサセプタ２１８の下段にもダミーサセプタが装填されている。具体的には、ボート２１７の最上段(最上位スロット)から最下段(最下位スロット)の方向へ、上側ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２、ウェハ２００が載置された所定数のサセプタ２１８、下側ダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４が、それぞれこの順番で装填される。より具体的には、ボート２１７の最上段を示すスロット番号を１２０、最下段を示すスロット番号を１が割り当てられた後述する移載情報テーブルに、スロット番号１２０にダミーサセプタＤＭＹ１、スロット番号１１９にダミーサセプタＤＭＹ２、スロット番号１１８にサセプタ２１８Ｈ、・・・スロット番号３にサセプタ２１８Ｌ、スロット番号２にダミーサセプタＤＭＹ３、スロット番号１にダミーサセプタＤＭＹ４が、それぞれ設定される。設定後、コントローラ２４０が後述する搬送シーケンスを実行することで、ダミーサセプタＤＭＹ１、ダミーサセプタＤＭＹ２、サセプタ２１８Ｈの順に、最上段に装填するサセプタ２１８からボート２１７に保持される。このようにして、図８に示すように所定枚数のサセプタ２１８が装填される。従い、本実施の形態によらず、後述する移載情報テーブルの設定に応じてボート２１７へ移載対象物が搬送される。

周縁部の厚みよりも厚みが小さく形成された中央部にそれぞれウェハ２００を収納した状態のサセプタ２１８をボート２１７に複数枚、内部で前記基板を処理する処理炉２０２の延在方向に所定の間隔を成して保持するとともに、中央部の厚みが周縁部の厚みと同等であるダミーサセプタを、ボート２１７に支持された複数枚のサセプタ２１８のうちの最上段もしくは最下段に配置されるサセプタと処理炉２０２の延在方向に所定の間隔を成して保持しつつ処理炉２０２内にボート２１７を搬送する。

続いて、処理室２０１内が所望の圧力となるように真空排気装置２４６によって排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ（圧力調節器）２４２がフィードバック制御される。例えば、１３３００Ｐａから０．１ＭＰａ付近までの圧力のうちの所定の圧力が選択される。そして、ブロア２０６５が動作され、誘導加熱装置２０６とアウターチューブ２０５との間でガス若しくはエアが流通し、アウターチューブ２０５の側壁、ガス供給室２３２１、ガス供給口２３２２、および、ガス排気口２３１１が冷却される。ラジエータ２０６４、冷却壁２０６３には、冷却媒体として冷却水が流通し壁体２０６２を介して、誘導加熱装置２０６内が冷却される。また、ウェハ２００が所望の温度となるように誘導加熱装置２０６に高周波電流を印加し、サセプタ２１８に誘導電流（渦電流）を生じさせる。

具体的に、誘導加熱装置２０６にて処理炉２０２内の少なくともボート２１７に保持された複数枚のサセプタ２１８およびダミーサセプタを誘導加熱して、サセプタ２１８に収納されたウェハ２００を加熱する。

このとき、通常、ボート２１７の中央部に配置されているサセプタ２１８よりも放熱量の大きい、ボート２１７の最上段もしくは最下段に配置されているサセプタ２１８においても、ダミーサセプタによる誘導加熱により、最上段あるいは最下段に配置されているサセプタ２１８への熱供給が補完される。このため、ボート２１７の中央部に配置されているか、あるいは、最上段や最下段に配置されているかに関わらず、サセプタ２１８の温度均一性を向上させることができる。

この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように放射温度計２６３が検出した温度情報に基づき誘導加熱装置２０６への通電具合がフィードバック制御される。なお、この際、ブロア２０６５は、アウターチューブ２０５の側壁、ガス供給室２３２１、ガス供給口２３２２、ガス排気口２３１１の温度がウェハ２００上で膜成長させる温度より遥かに低い例えば６００℃以下に冷却されるように予め設定された制御量で制御される。ウェハ２００は、例えば１１００℃に加熱される。また、ウェハ２００は、７００℃〜１２００℃内で選択される処理温度のうち、一定の温度で加熱されるが、その際、いずれの処理温度においても、ブロア２０６５は、アウターチューブ２０５の側壁、ガス供給室２３２１、ガス供給口２３２２、ガス排気口２３１１の温度がウェハ２００上で膜成長させる温度より遥かに低い、例えば６００℃以下に冷却されるように予め設定された制御量にて制御される。

続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転することで、サセプタ２１８、および、このサセプタ２１８に載置されているウェハ２００が回転する。

次に、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２には、Ｓｉ系およびＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）系の処理ガスとして、ＳｉＨ_４（シラン）、Ｓｉ_２Ｈ_６（ジシラン）、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２（ジクロロシラン）、ＳｉＨＣｌ_３（トリクロロシラン）、ＳｉＣｌ_４（テトラクロロシラン）等と、ドーピングガスとしては、Ｂ_２Ｈ_６（ジボラン）、ＢＣl_３（三塩化ホウ素）、ＰＨ_３（ホスフィン）等と、キャリアガスとして、水素（Ｈ_２）がそれぞれ封入されている。ウェハ２００の温度が安定したところで、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２からそれぞれの処理ガスが供給される。そして、所望の流量となるようにＭＦＣ１８３、１８４、１８５の開度が調節された後、バルブ１７７、１７８、１７９が開かれる。これにより、それぞれの処理ガスがガス供給管２３２を流通して、ガス供給室２３２１に流入される。ガス供給室２３２１の流路断面積は、複数あるガス供給口２３２２の開口面積に比べて十分に大きいため、処理室２０１より大きい圧力となり、それぞれのガス供給口２３２２から噴出されるガスが均一な流量、流速で処理室２０１に供給される。処理室２０１に供給されたガスは、処理室２０１内を通り、ガス排気口２３１１に排出され、その後、ガス排気口２３１１からガス排気管２３１へ排気される。処理ガスは、サセプタ２１８間の間隙を通過する際に上下に隣接するそれぞれのサセプタ２１８から加熱されると
共に、加熱されたウェハ２００と接触し、ウェハ２００の表面上にエピタシャル成長によってシリコン（Ｓｉ）などの半導体膜が形成される。

予め設定された時間が経過すると、不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスで置換されると共に、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。

その後、昇降モータ２４８によりシールキャップ２１９が下降して、マニホールド２０９の下端が開口されると共に、処理済のウェハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からアウターチューブ２０５の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウェハ２００は、ボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。具体的に、ウエハディスチャージ工程では、後述する移載パラメータによる設定を行った後、コントローラ２４０が後述する搬送シーケンスを実行することで、ダミーサセプタＤＭＹ４、ダミーサセプタＤＭＹ３、サセプタ２１８Ｌの順に、最下段に装填するサセプタ２１８から順次ボート２１７から取出される。

以上のようにして、ウェハ２００上に半導体膜を形成することができる。

(本実施の形態における搬送方式)
ここで、図６を用いて、本願発明におけるサセプタ２１８に保持されるウェハ２００を搬送する処理についての概要を説明する。

先ず、被処理体を対象スロットに対して十分な空間が確保できないことを明示する移載パラメータを用意する。そして、この移載パラメータが有効な場合、コントローラ２４０により、被処理体のボート２１７への移載をウェハ２００の種別とは無関係に最上位スロットから最下位スロット方向に一個ずつ移載動作を行うよう制御される。

これにより、移載時には、常に下位スロットには被処理体が存在しない状態となり、図５に示されるように被処理体を保持したツィーザ１２５ｃのボートスロットへの挿入や、下降動作により被処理体と被処理体搬送機構１２５が接触することが無くなる。同様に、被処理体のボート２１７からの取り出しは最下位スロットから最上位スロット方向に一個ずつ動作することで、ツィーザ１２５ｃのボート方向への動作時に被処理体と搬送機構(被処理体移載機構)１２５が接触することは無い。

加えて、搬送動作開始前に移載対象スロットの状態を確認し、対象スロットの直下のスロットに被処理体が存在する場合は安全の為に搬送動作を禁止するよう構成してもよい。

(本実施の形態における搬送シーケンス)
図７は、設定された移載パラメータに応じた移載情報テーブルを示す。移載対象物チャージ要求には搬送後のボート上の移載対象物の配置情報が含まれており、これを元に装置では（コントローラ２４０は）、移載対象物チャージ要求受付時に実際の搬送動作を決定する移載情報テーブルを作成する。この移載情報テーブルには、搬送元となるキャリアスロットと搬送先となるボートスロット、同時搬送枚数を実際に移載を行う順番で記録される。通常(移載パラメータが無効の場合)は、移載対象物としてのウェハ２００の配置としてボートスロットの上部と下部にはダミーウェーハを配置し、それ以外の中央部に処理対象となる製品ウェハまたは検査用のモニタウェーハを配置するように指定される。ここで、ダミーキャリアからダミーウェーハを配置した後に製品ウェハまたはモニタウェーハの搬送を順次行うように搬送順番を決定し、またこのときに対象のウェハ２００がキャリア上及び搬送後のボート２１７上でも連続して配置されるような場合は複数枚を同時に搬送機構にて移動させるような搬送方式を指定して移載情報テーブルに格納する。

一方、本願の実施の形態のように、当該機能の移載パラメータが有効な場合には、ウェハの種別に無関係にボート２１７の上部から下部に順次搬送され、たとえ同一種別のウェハ２００がキャリア上及び搬送後のボート２１７上でも連続して配置される場合でも1枚ずつ移動するように指定してウェハ移載情報テーブルに格納する。実際の搬送動作はこの移載情報テーブルに従い行われる為、当該機能のパラメータが有効な場合は、すべてのウェハ２００などの移載対象物が上位スロットから下位スロット方向に1枚ずつ搬送されるよう構成される。

尚、移載時について上記詳細な説明を実施したが、移載対象物をボート２１７から取り出す際にも、同様にウェハ移載情報テーブルを作成するように構成されるのは言うまでもない。但し、この場合、移載パラメータが有効にされた場合には、ウェハ２００が下位スロットから上位スロット方向に一枚ずつ取出されるように構成される。具体的には、図７の下側に示す移載情報テーブルのデータをボートスロットの番号が昇順となるようにデータの並び替えが行われる。

(本実施の形態における搬送禁止処理シーケンス)
図９は、本実施の形態における搬送禁止処理シーケンスを示す図である。被処理体搬送機構は搬送要求を受け、指定キャリアからのウェハ２００などの移載対象物の取り出し、ボート２１７の指定スロットへの移載対象物の移載を行う。キャリア内の移載対象物の配置及びボート上の移載対象物の配置は移載情報として管理されており、対象スロットの移載対象物の有無情報が参照可能である。搬送要求を受けた時、搬送元(キャリア)からの被処理体の取り出しの場合は、上記移載情報を確認し、指定スロットにウェハ２００等の移載対象物が存在する場合は処理を続行する。この時、当該機能の移載パラメータが有効な場合はさらに指定スロットの直下のスロットの移載情報を確認し、ウェハ２００等移載対象物が存在する場合は動作を停止する。同様に搬送先(ボート２１７)への移載対象物の移動開始前には移動先(ボート２１７)の指定スロットにウェハ２００等の移載対象物が存在しないことを確認し、当該機能の移載パラメータが有効な場合はさらに指定スロットの直下のスロットの移載情報を確認し、ウェハ２００等の移載対象物が存在する場合は動作を停止する。尚、本実施の形態においては、キャリア内の移載対象物をボート２１７へ移載する場合について記載したが、反対に、ボート２１７に保持された移載対象物をキャリア内に移載する場合についても同様に搬送禁止処理シーケンスを行うようにしても良い。

以上のことから、本実施の形態によれば、以下に示す効果のうち少なくとも１つ以上の効果を奏する。

（１）本実施の形態における搬送方式によれば、サセプタ２１８Ｈ、２１８Ｌ及びウェハ２００が装填されたサセプタ２１８については、最適な成膜条件の一つのパラメータとして定義されるボート２１７のピッチ幅(又はスロット間隔)で搬送される。ウェハ２００を搭載する通常のサセプタ２１８やダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４を下方からすくいあげることで、ボート２１７から搬入出する場合も、ダミーサセプタ間、ダミーサセプタと上記通常のサセプタ間、および、上記通常のサセプタ間が、同じ隙間で形成されているので、上記通常のサセプタ２１８と同様に、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４も同じ要領でボート２１７から搬入出することができる。よって、一度に処理できるウェハ２００枚数を稼ぐことができるため、生産効率が向上する。

（２）本実施の形態では、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４の厚みを通常のサセプタ２１８の厚みと同じ厚みにしているので、ボート２１７の支柱ＰＲに等間隔で設けられている保持部ＨＵ１をそのまま利用して、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４をボート２１７に装填することができる。このことは、ウェハ２００が搭載される通常のサセプタ２１８の処理枚数が変更になった場合でも、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４を等間隔で設けられている保持部ＨＵ１で支えることができるので、ボート２１７を交換せずに対応することができる。つまり、本実施の形態１におけるダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４は、汎用性の高い構成部材となっていることがわかる。

（３）一般的に、上側あるいは下側に被誘導体(サセプタ２１８)が存在しない、最上段もしくは最下段に配置される被誘導体では、被誘導体の中央部から放熱される放熱量が、被誘導体の周縁部から熱伝導で伝わる熱量以上に大きくなる。さらに、上側あるいは下側に被誘導体が存在しないため、隣接する被誘導体から輻射熱も小さくなる。したがって、最上段もしくは最下段に配置される被誘導体は、周縁部の温度よりも中央部の温度が著しく低くなる。そして、被誘導体は、中央部に半導体基板（ウェハ２００）を搭載するために、周縁部の厚みよりも中央部の厚みが小さく形成されている。この結果、最上段もしくは最下段に配置される被誘導体では、周縁部と中央部の間に形成される段差部に、周縁部の温度と中央部の温度との温度差に起因した応力が集中しやすくなる。このような応力集中が生じると、最上段もしくは最下段に配置される被誘導体の破損が発生するという問題点が生じる。なお、上側あるいは下側に被誘導体が存在する場合であっても、被誘導体保持体に反応容器の延在方向へ所定の間隔を成して複数保持された被誘導体のうちの最上段もしくは最下段に配置された被誘導体から相当程度離間している場合、例えば、前記所定の間隔よりも３倍以上の間隔がある場合には、同様の趣旨の問題点が生じる。さらには、上側あるいは下側に被誘導体が存在する場合であっても、被誘導体保持体に１つ以上保持された被誘導体から相当程度離間している場合には、同様の趣旨の問題点が生じる。

しかしながら、本実施の形態では、通常、ボート２１７の中央部に配置されているサセプタ２１８よりも放熱量の大きい、ボート２１７の最上段もしくは最下段に配置されているサセプタ２１８Ｈ、２１８Ｌにおいても、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４による誘導加熱により、最上段あるいは最下段に配置されているサセプタ２１８Ｈ、２１８Ｌへの熱供給が補完される。このため、ボート２１７の中央部に配置されているか、あるいは、最上段や最下段に配置されているかに関わらず、サセプタ２１８の温度均一性を向上させることができる。このことは、一度に成膜処理されるウェハ２００間の温度ばらつきを抑制できることを意味し、この結果、複数のウェハ２００に形成される膜の膜厚や品質の均一性を向上させることができる。

（４）ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４は、上下段にサセプタが設けられていないため、特に、誘導加熱の際、渦電流が発生しにくいダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４の中央部２１８ｂからの放熱量や加熱量不足が大きくなり、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４の中央部２１８ｂの温度低下も大きくなると考えられる。しかし、本実施の形態では、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４に段差部２１８ｃが形成されずにフラットになるように構成している。つまり、本実施の形態におけるダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４では、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間にザグリが形成されておらず、中央部２１８ｂの厚みが厚くなっているので、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４自体の中央部２１８ｂの温度を上昇させることができる。このため、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４に隣接する最上段のサセプタ２１８Ｈの中央部２１８ｂや、最下段のサセプタ２１８Ｌの中央部２１８ｂの温度低下をよりいっそう抑制することができる。

（５）本実施の形態では、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４に段差部２１８ｃが形成されずにフラットになるように構成しているので、形状的に応力集中が起こりやすいサセプタ２１８のコーナー部２１８ｄがない分、応力集中によるダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４の破損の発生を抑制することができる。また、上述したように、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４自体の中央部２１８ｂの温度を上昇させることができるため、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間の温度差に起因する応力集中の発生を抑制することができ、その結果、ダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ４の破損の発生を抑制することができる。

なお、本実施の形態では、最上段に配置されているサセプタ２１８の上段に２つのダミーサセプタＤＭＹ１〜ＤＭＹ２を配置し、かつ、最下段に配置されているサセプタ２１８の下段に２つのダミーサセプタＤＭＹ３〜ＤＭＹ４を配置する例を説明している。しかし、本実施の形態における技術的思想は、これに限られず、少なくとも、最上段に配置されているサセプタ２１８の上段に、１つ以上のダミーサセプタを配置する場合や、最下段に配置されているサセプタ２１８の下段に、１つ以上のダミーサセプタを配置する場合や、最上段に配置されているサセプタ２１８の上段に、１つ以上のダミーサセプタを配置し、かつ、少なくとも、最下段に配置されているサセプタ２１８の下段に、１つ以上のダミーサセプタを配置する場合においても、本実施の形態における顕著な効果を得ることができる。

また、前記実施の形態では、サセプタ２１８をボート２１７に複数段配置する例を説明している。しかし、前記実施の形態における技術的思想は、これに限らず、少なくとも、１つ以上のサセプタ２１８をボート２１７に配置する場合においても、前記実施の形態と同様に顕著な効果を得ることができる。

前記実施の形態で説明した半導体膜の形成条件は一例に過ぎず、適宜変更することができる。例えば、半導体膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で形成する場合、原料ガスとして、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）などを用いることができるし、ドーパントガスとして、例えば、ボロン含有ガスであるジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスなどを用いることができる。さらに、キャリアガスとして、水素（Ｈ_２）を使用することができる。

また、前記実施の形態では、移載パラメータと移載情報テーブルを設け、通常の搬送(移載対象物の種別毎の搬送)方式と本実施の搬送(ボート２１７のボートスロットの降順又は昇順を優先させる搬送)方式とを区別してコントローラ２４０により制御していたが、通常の搬送用と本実施の形態における搬送用の搬送プログラムをコントローラ２４０により実行するように構成しても良い。但し、本実施の形態による上記移載パラメータや上記移載情報テーブルを設ける方法が、搬送プログラムを一つだけ用意するだけでよいので効率が良い。つまり、本実施の形態によれば、プログラムの構築に時間を費やすことと比較し、上記移載パラメータや上記移載情報テーブル等の修正だけでよいので、急な仕様変更に対しても時間をかけずに対応することができる。例えば、ダミーサセプタ、ウェハ２００を搭載する通常のサセプタの繰り返し搬送などが、特にボート２１７を交換することなく容易に行える。

また、前記実施の形態ではエピタキシャル装置を例示して説明したが、ＣＶＤ装置、ＡＬＤ装置、酸化装置、拡散装置、あるいは、アニール装置などその他の基板処理装置においても本発明における技術的思想を適用することができる。

本発明は少なくとも以下の実施の形態を含む。

〔付記１〕
内部で基板を処理する反応容器と、
周縁部の厚みよりも中央部の厚みが小さく形成されており、前記中央部に収納された前記基板を加熱する第一被誘導体と、
複数枚の前記第一被誘導体を前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持する被誘導体保持体と、
前記被誘導体保持体に支持された複数枚の前記第一被誘導体のうちの最上段もしくは最下段に配置される第一被誘導体と、前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して前記被誘導体保持体に保持される、中央部の厚みが周縁部の厚みと同等であるか若しくは大きく形成される第二被誘導体と、
前記反応容器内で少なくとも前記被誘導体保持体に保持された複数枚の前記第一被誘導体および前記第二被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、を有する基板処理装置。

〔付記２〕
前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体を前記被誘導体保持体へ移載する際は前記被誘導体保持体の最上段から最下段に順次配置(装填)し、前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体を前記被誘導体保持体から取り出す(脱装する)際は前記被誘導体保持体の最下段から最上段に順次取り出す(脱装する)よう制御する制御手段を有する付記１の基板処理装置。

〔付記３〕
前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体の前記被誘導体保持体への移載(装填)動作前、又は前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体の前記被誘導体保持体からの移載(脱装)動作前に、移載対象の段(スロット)の直下の段(スロット)に前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体等の移載対象物が存在する場合、前記移載(装填)動作を禁止する付記２の基板処理装置。

〔付記３〕
周縁部の厚みよりも厚みが小さく形成された中央部にそれぞれ基板を収納した状態の第一被誘導体を被誘導体保持体に複数枚、内部で前記基板を処理する反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持するとともに、中央部の厚みが周縁部の厚みと同等であるか若しくは大きく形成された第二被誘導体を前記被誘導体保持体に支持された複数枚の前記第一被誘導体のうちの最上段もしくは最下段に配置される第一被誘導体と前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持しつつ前記反応容器に搬送する搬送工程と、誘導加熱装置にて前記反応容器内の少なくとも前記被誘導体保持体に保持された複数枚の前記第一被誘導体および前記第二被誘導体を誘導加熱して、前記第一被誘導体に収納された前記基板を加熱する加熱工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記搬送工程では、前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体を前記被誘導体保持体の最上段から最下段に順次配置(装填)する半導体装置の製造方法。

〔付記４〕
周縁部の厚みよりも厚みが小さく形成された中央部にそれぞれ基板を収納した状態の第一被誘導体を被誘導体保持体に複数枚、内部で前記基板を処理する反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持するとともに、中央部の厚みが周縁部の厚みと同等であるか若しくは大きく形成された第二被誘導体を前記被誘導体保持体に支持された複数枚の前記第一被誘導体のうちの最上段もしくは最下段に配置される第一被誘導体と前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持しつつ前記反応容器に搬送する工程を有する基板搬送方法であって、前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体を前記被誘導体保持体の最上段から最下段に順次配置(装填)する基板搬送方法。

〔付記５〕
前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体の前記被誘導体保持体への移載動作前に、移載対象の段(スロット)の直下の段(スロット)に前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体等の移載対象物が存在する場合、前記移載動作を禁止する付記４の基板搬送方法。

〔付記６〕
周縁部の厚みよりも厚みが小さく形成された中央部にそれぞれ基板を収納した状態の第一被誘導体を被誘導体保持体に複数枚、内部で前記基板を処理する反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持するとともに、中央部の厚みが周縁部の厚みと同等であるか若しくは大きく形成された第二被誘導体を前記被誘導体保持体に支持された複数枚の前記第一被誘導体のうちの最上段もしくは最下段に配置される第一被誘導体と前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持しつつ前記反応容器から搬出する工程と、前記搬出後、前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体を前記被誘導体保持体から取り出す際は、前記被誘導体保持体の最下段から最上段に順次脱装する工程と、を有する基板搬送方法。

〔付記７〕
前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体の前記被誘導体保持体からの取り出し動作前に、移載対象の段(スロット)の直下の段(スロット)に前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体等の移載対象物が存在する場合、前記移載動作を禁止する付記６の基板搬送方法。

１０１ 基板処理装置
２００ ウェハ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０６ 誘導加熱装置
２１７ ボート
２１８ サセプタ
２１８Ｈ サセプタ
２１８Ｌ サセプタ
２４０ コントローラ
Ｃ ＲＦコイル
ＣＬ ＲＦコイル
ＣＵ ＲＦコイル
ＤＭＹ１ ダミーサセプタ
ＤＭＹ２ ダミーサセプタ
ＤＭＹ３ ダミーサセプタ
ＤＭＹ４ ダミーサセプタ
ＨＵ１ 保持部
ＨＵ２ 保持部
Ｌ ＲＦコイル
ＰＲ 支柱
Ｕ ＲＦコイル

Claims (3)

1. 内部で基板を処理する反応容器と、中央部に収納された前記基板を加熱する第一被誘導体と、複数枚の前記第一被誘導体を前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持する被誘導体保持体と、前記被誘導体保持体の両端に前記第一被誘導体と同様に保持される第二被誘導体と、前記反応容器内で少なくとも前記被誘導体保持体に保持された複数枚の前記第一被誘導体および前記第二被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、前記被誘導体保持体の最上段から順に最下段まで、前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体が順次装填されるよう制御する制御手段と、を有する基板処理装置。
2. 前記被誘導体保持体に搬送する段の直下の段に前記第一被誘導体及び前記第二被誘導体等の移載対象物が存在する場合、搬送動作(移載動作)が禁止される請求項１の基板処理装置。
3. 中央部にそれぞれ基板を収納した状態の第一被誘導体を被誘導体保持体に複数枚、内部で前記基板を処理する反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持するとともに、第二被誘導体を前記被誘導体保持体の両端に保持しつつ前記反応容器に搬送する工程を有する基板搬送方法であって、前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体を前記被誘導体保持体の最上段から最下段に順次装填する基板搬送方法。