JP2011204735A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置のクリーニングを実施しても、基板を処理するスループットの低下を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明における基板処理装置ＳＴによれば、基板処理装置ＳＴ内に予備室ＰＲＥと隔離された隔離室ＳＰを設け、クリーニングする必要のあるボートを、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介して外部空間へ搬出するように構成している。これにより、本発明における基板処理装置ＳＴでは、予備室ＰＲＥ内の清浄度を保って、基板処理装置ＳＴの稼動状態を維持しながら、クリーニングを必要とするボートを外部空間に搬出することができる。したがって、基板処理装置ＳＴでの処理におけるスループットの低下を抑制することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置および半導体装置の製造技術に関するものである。

特開平０７−２３５５０８号公報（特許文献１）には、予備室（移載室）とは別に、ボートを収納可能な隔離室を備える基板処理装置の構成が記載されている。さらに、特許文献１に記載された基板処理装置では、隔離室の予備室側とは異なる側壁にドアを設けることが記載されている。

国際公開ＷＯ２００６−００６３７７号パンフレット（特許文献２）には、基板処理装置の外部から直接予備室（移載室）内にアクセス可能とするメンテナンス用扉を基板処理装置に設けることが記載されている。

特開２００２−４３３９８号公報（特許文献３）には、基板処理装置内に２つのボートを搭載するための２つの載置台（待機ステージおよび冷却ステージ）を基板処理装置内に設けることが記載されている。

特開平０７−２３５５０８号公報 国際公開ＷＯ２００６−００６３７７号パンフレット 特開２００２−４３３９８号公報

基板の処理工程においては、基板に成膜処理を施す基板処理装置が広く使用されている。この基板処理装置では、例えば、基板処理装置の処理室内に配置された基板を加熱し、かつ、処理室内に原料ガスを導入することにより、基板上に膜を形成する。このとき、基板処理装置では、例えば、基板保持体に複数の基板を搭載することにより、複数の基板に一括して膜を形成することが行われる。このような基板処理装置では、基板上に膜が形成されるだけでなく、処理室の内壁や基板保持体にも膜が形成される。したがって、同一の基板保持体を使用して複数回の成膜処理を実施すると、処理室の内壁や基板保持体に形成される膜の膜厚が厚くなり、処理室の内壁や基板保持体から膜剥がれが生じる。膜剥がれが生じると、剥がれた膜が異物となり、この異物が基板に付着すると基板の歩留まりが低下することになる。

そこで、通常の基板処理装置では、複数回の成膜処理を実施した後、処理室内のクリーニングが実施される。具体的に、このクリーニングは、処理室内にクリーニングガスを導入して堆積した膜をドライエッチングすることにより行われる。ここで、処理室内に基板保持体を配置したままクリーニング（ドライエッチング）を実施すると、このクリーニングによって基板保持体が劣化する。このことから、通常、基板処理装置の稼動を停止し、処理室から基板保持体を取り出した後、処理室内のクリーニングを実施する。そして、取り出した基板保持体は、別途、ダメージが加わりにくいウェットエッチングなどによって付着した膜の除去が行われる。

このように基板処理装置では、処理室の内壁および基板保持体のクリーニングが必要であり、クリーニングを実施するために、従来の基板処理装置では稼動を停止する必要がある。具体的には、基板処理装置の稼動を停止した後、処理室から予備室へ基板保持体を搬送し、さらに、予備室を開放して基板保持体を回収することになる。このため、開放した予備室の清浄度が劣化することから、再び、基板処理装置を稼動するために、予備室の清浄度を回復させる必要があり、基板を処理するスループットが低下する問題点が発生する。つまり、基板処理装置のクリーニングを実施する際、従来技術では、予備室を開放する必要があるため、基板を処理するスループットが低下する問題点が発生する。

本発明の目的は、基板処理装置のクリーニングを実施しても、基板を処理するスループットの低下を抑制できる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

上述した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板保持体に保持された前記基板を処理する処理室と、前記処理室に隣設され、前記基板を保持した前記基板保持体を待機させる予備室と、前記予備室に隣設され、前記基板保持体を収納可能に構成される隔離室とを有する。さらに、前記隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間で前記基板保持体を搬送可能な第一開口部を有する第一隔壁と、前記第一開口部を開閉する第一開閉体とを有する。そして、前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁であって、前記基板処理装置内外に前記基板保持体を搬送可能な第二開口部を有する第二隔壁と、前記第二開口部を開閉する第二開閉体とを有する。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

基板処理装置のクリーニングを実施しても、基板を処理するスループットの低下を抑制できる。

本発明の実施の形態１における基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。 実施の形態１における基板処理装置の構成を示す上面図である。 実施の形態１における基板処理装置の制御システムを示すブロック図である。 実施の形態１における基板処理装置の処理炉と、処理炉周辺の概略構成図である。 ボートにウェハが搭載されたサセプタを装填する様子を示す平面図である。 ウェハが搭載されたサセプタがボートに装填されている様子を示す断面図である。 ウェハが搭載されたサセプタがボートに装填されている他の構成例を示す断面図である。 実施の形態１における基板処理装置の動作を示す上面図である。 図８に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図９に続く基板処理装置の動作を示す図であり、図９の矢印の方向から見た概略構成図である。 図１０に続く基板処理装置の動作を示す図であり、図９の矢印の方向から見た概略構成図である。 図１１に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１２に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１３に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１４に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１５に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１６に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１７に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１８に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図１９に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 実施の形態２における基板処理装置の動作を示す上面図である。 図２１に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図２２に続く基板処理装置の動作を示す図であり、図２２の矢印の方向から見た概略構成図である。 図２３に続く基板処理装置の動作を示す図であり、図２２の矢印の方向から見た概略構成図である。 図２４に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図２５に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図２６に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図２７に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図２８に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図２９に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 図３０に続く基板処理装置の動作を示す上面図である。 実施の形態３における基板処理装置の構成を示す上面図である。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

（実施の形態１）
本発明を実施するための実施の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ等）の製造方法に含まれる様々な処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下の説明では、半導体基板（ウェハ）にエピタキシャル成長法による成膜処理、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法による成膜処理、あるいは、酸化処理や拡散処理などを行なう縦型の基板処理装置に本発明の技術的思想を適用した場合について述べる。特に、本実施の形態では、複数の基板を一度に処理するバッチ方式の基板処理装置を対象にして説明する。

まず、本実施の形態１における基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの概略構成を示す斜視図である。図１において、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴは、直方体形状を有する筐体ＣＳを備えている。この筐体ＣＳの内部に基板処理装置ＳＴの主要な構成要素が配置されている。そして、筐体ＣＳに隣接するようにポッドステージＰＳが配置されており、このポッドステージＰＳ上にポッドＰＤが配置されている。ポッドステージＰＳは、ポッドＰＤを配置するための台座であり、このポッドステージＰＳ上に配置されるポッドＰＤは、ウェハを搬送するための搬送容器である。ポッドＰＤには、例えば、複数枚のウェハが収納されている。

次に、筐体ＣＳの内部に配置されている基板処理装置ＳＴの主要な構成要素について説明する。ポッドステージＰＳ上に配置されたポッドＰＤと相対するように、筐体ＣＳ内にウェハ移載装置ＷＬが配置されている。このウェハ移載装置ＷＬは、ポッドＰＤに収納されているウェハを基板処理装置ＳＴ内へ移載することができるように構成されている。具体的に、ウェハ移載装置ＷＬはエレベータＥＬ１に搭載されており、ウェハ移載装置ＷＬはエレベータＥＬ１によって上下方向に移動可能なようになっている。これにより、ウェハ移載装置ＷＬは、ポッドＰＤに積層して収納されているウェハを順次、取り出せるように構成されている。

このウェハ移載装置ＷＬのさらに内部側には、ボートＢＴを載置するボート載置台ＢＳ１が配置されている。ボートＢＴとは、サセプタに搭載したウェハを複数収納することができる構成要素であり、複数のウェハを搭載したボートＢＴを処理室ＰＵに搬入することにより、ボートＢＴに収納している複数のウェハに対して一括して処理を実施するものである。ボート載置台ＢＳ１は、ボートＢＴを配置するための台座であり、このボート載置台ＢＳ１にボートＢＴを配置した状態で、ボートＢＴへウェハを収納したり、ボートＢＴから処理済みのウェハを取り出すようになっている。

具体的に、ボートＢＴにウェハを搬入する場合は、ボートＢＴをボート載置台ＢＳ１上に配置し、ウェハ移載装置ＷＬによって、ポッドＰＤから取り出したウェハをサセプタに搭載した後、サセプタに搭載されたウェハをウェハ移載装置ＷＬでボートＢＴへ収納する。同様に、ボートＢＴから処理済みのウェハを搬出する場合は、ボートＢＴをボート載置台ＢＳ１に配置し、ウェハ移載装置ＷＬによって、ボートＢＴからウェハが搭載されたサセプタを取り出し、その後、ウェハ移載装置ＷＬによってウェハがポッドＰＤに収納される。

続いて、筐体ＣＳの内部には、Ｅ軸シールキャップＥＳＣが配置されており、このＥ軸シールキャップＥＳＣは、エレベータＥＬ２に搭載されて上下方向に移動可能なように構成されている。このＥ軸シールキャップＥＳＣには、図示しないボート移載装置によってボートＢＴが搭載可能なようになっている。つまり、図示しないボート移載装置によって、ボートＢＴは、Ｅ軸シールキャップＥＳＣとボート載置台ＢＳ１の間を移動できるようになっている。

Ｅ軸シールキャップＥＳＣの上方には、ウェハの処理を実施するための処理室ＰＵが設けられている。この処理室ＰＵは下部（底部）が開口された円柱形状をしている。そして、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上にボートＢＴを搭載した状態で、Ｅ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２で上方に移動させることにより、ボートＢＴを開口されている処理室ＰＵの底部から処理室ＰＵの内部へ搬入することができる。このとき、Ｅ軸シールキャップＥＳＣは、処理室ＰＵの底部を開口している開口部を塞ぐように構成されている。これにより、Ｅ軸シールキャップＥＳＣで封止された処理室ＰＵ内にボートＢＴを配置することができる。このように、Ｅ軸シールキャップＥＳＣは、ボートＢＴを搭載する機能と、処理室ＰＵの底部を密閉する機能を有していることがわかる。

さらに、筐体ＣＳの内部には、隔離室ＳＰが設けられている。ここで、図１に示す基板処理装置ＳＴは、処理室ＰＵと、隔離室ＳＰと、予備室ＰＲＥとから構成されているとする。予備室ＰＲＥとは、筐体ＣＳの内部領域であって、処理室ＰＵや隔離室ＳＰ以外の領域として定義される。具体的に、図１において、予備室ＰＲＥは、エレベータＥＬ１、ＥＬ２、ウェハ移載装置ＷＬおよびボート載置台ＢＳ１が配置されている領域（空間）として定義される。なお、予備室ＰＲＥの隔離室ＳＰが設けられている背面に隣接して、予備室ＰＲＥ内外へ作業者が直接移動できる開口を開閉する開閉扉ＹＭＤが設けられていてもよい。

本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの特徴は、筐体ＣＳの内部に隔離室ＳＰを設けている点にある。この隔離室ＳＰは、予備室ＰＲＥから隔離することができる空間（領域）であり、内部にボート載置台ＢＳ２が配置されている。このボート載置台ＢＳ２は、ボートＢＴを搭載できるようになっている。本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの概略構成は図１に示すようになっており、以下に、さらに詳細な構成について、図２を参照しながら説明する。

図２は、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの構成を示す上面図である。図２に示すように、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴは、筐体ＣＳを有しており、この筐体ＣＳの内部に基板処理装置ＳＴを構成する複数の構成要素が配置されている。まず、筐体ＣＳと隣接するように、ポッドステージＰＳが配置されており、このポッドステージＰＳ上にポッドＰＤが搭載されている。ポッドＰＤには、複数のウェハが収納されている。そして、ポッドＰＤと相対する筐体ＣＳの内部には、ウェハ移載装置ＷＬが配置されている。ウェハ移載装置ＷＬはエレベータＥＬ１によって上下方向に移動できるようになっている。

筐体ＣＳの内部にはボートを配置するボート載置台ＢＳ１が配置され、さらに、ボート載置台ＢＳ１の奥には、ボート載置台ＢＳ１へボートを移動させるためのボート移載装置ＢＣ（搬送機）が配置されている。このボート移載装置ＢＣには、アームＡ１とアームＡ２が設けられており、ボート移載装置ＢＣは、これらのアームＡ１とアームＡ２とを回転させることができるように構成されている。そして、アームＡ１およびアームＡ２は、ボートを保持することができるようになっている。したがって、ボート移載装置ＢＣに設けられているアームＡ１やアームＡ２によってボートを移動させることができる。具体的に、アームＡ１やアームＡ２を有するボート移載装置ＢＣによって、ボートをボート載置台ＢＳ１とＥ軸シールキャップＥＳＣとの間で移動させることができる。なお、Ｅ軸シールキャップＥＳＣは、エレベータＥＬ２によって、上下方向に移動することができる。

続いて、筐体ＣＳのさらに奥には、隔離室ＳＰが形成されている。この隔離室ＳＰは、予備室ＰＲＥと隔壁によって隔離されている。隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間に形成されている隔壁には、開口部が設けられており、この開口部にゲートバルブＧＶが設けられている。すなわち、ゲートバルブＧＶを開閉することにより、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとは、互いに空間を隔離したり、互いに空間を共有することができるようになっている。

この隔離室ＳＰの内部には、ボート載置台ＢＳ２が設けられており、ゲートバルブＧＶを開くと、ボート移載装置ＢＣのアームＡ２を隔離室ＳＰの内部へ入れることができるように構成されている。したがって、隔離室ＳＰのゲートバルブＧＶを開くことにより、隔離室ＳＰに設けられているボート載置台ＢＳ２と、予備室ＰＲＥに配置されているＥ軸シールキャップＥＳＣやボート載置台ＢＳ１との間でボートを移動させることができる。

さらに、隔離室ＳＰには、ゲートバルブが形成されている隔壁と相対する隔壁にメンテナンス扉ＭＤが形成されている。このメンテナンス扉ＭＤは開閉することができるように構成されており、メンテナンス扉ＭＤを開くと、隔離室ＳＰと外部空間とがつながるようになる。つまり、メンテナンス扉ＭＤを開閉することにより、隔離室ＳＰと外部とは、互いに空間を隔離したり、互いに空間を共有することができるようになっている。

隔離室ＳＰには、ガス検知器ＧＤおよび圧力計ＰＧ１が備えられている。ガス検知器ＧＤは、隔離室ＳＰ内に導入されるガスを検知できるように構成されており、圧力計ＰＧ１は、隔離室ＳＰ内の圧力を計測できるように構成されている。したがって、隔離室ＳＰに、ガス検知器ＧＤと圧力計ＰＧ１を設けることにより、隔離室ＳＰ内の圧力を調整することができるようになっていることがわかる。なお、予備室ＰＲＥにも圧力計ＰＧ２が設けられており、この圧力計ＰＧ２により、予備室ＰＲＥ内の圧力を計測することができるようなっている。

また、隔離室ＳＰには、クリーンユニットＣＵＴが配置されている。クリーンユニットＣＵＴは、供給ファンと粉塵や有機物などの汚染物を捕集するフィルタから構成される。このクリーンユニットＣＵＴにより、隔離室ＳＰ内に清浄化された空気を導入することができる。そして、隔離室ＳＰには、排気ファンＥＦが設けられており、クリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦとを組み合わせることで、隔離室ＳＰ内に清浄化された空気を循環させることができるように構成されている。なお、クリーンユニットＣＵＴにより隔離室ＳＰ内を充分に清浄化することができるとともに、空気を充分に循環させることができるのであれば、排気ファンＥＦを設けずに排気口のみを設けるようにしてもよい。

以上のことから、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴは、基板保持体であるボートに保持された基板（ウェハ）を処理する処理室と、処理室に隣設され、ウェハを保持したボートを待機させる予備室と、予備室に隣設され、ボートを収納可能に構成される隔離室とを有していることがわかる。この基板処理装置ＳＴは、隔離室と予備室との間を隔離する隔壁であって、予備室との間でボートを搬送可能な第一開口部を有する第一隔壁と、第一開口部を開閉する第一開閉体であるゲートバルブとを有する。そして、隔離室の第一隔壁とは異なる第二隔壁であって、基板処理装置内外にボートを搬送可能な第二開口部を有する第二隔壁と、第二開口部を開閉する第二開閉体であるメンテナンス扉とを有していることがわかる。

このように構成されている基板処理装置ＳＴは、コンピュータによって制御されている。図３は、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの制御システムを示すブロック図である。この図３に示す制御システムは、例えば、基板処理装置ＳＴに内蔵されているコンピュータによって構成されている。

図３に示すように、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴは、コンピュータによって構築された主制御部２３９を有しており、この主制御部２３９には、圧力制御部１０１、ゲートバルブ制御部１０２、アームＡ１制御部１０３、アームＡ２制御部１０４、および、ウェハ移載制御部１０５が接続されている。主制御部２３９に接続されている各ユニットもコントローラとしてのコンピュータで構成されている。

具体的に、圧力制御部１０１は、圧力計ＰＧ１や圧力計ＰＧ２と接続されており、これらの圧力計ＰＧ１や圧力計ＰＧ２の出力に基づいて、隔離室ＳＰや予備室ＰＲＥ内の圧力を調整することができるように構成されている。また、ゲートバルブ制御部１０２は、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間の隔壁に設けられているゲートバルブＧＶの開閉を制御するように構成されている。

アームＡ１制御部１０３やアームＡ２制御部１０４は、ボート移載装置ＢＣに設けられているアームＡ１やアームＡ２の動作を制御するように構成されており、これらのアームＡ１制御部１０３やアームＡ２制御部１０４による制御によって、ボート載置台ＢＳ１、Ｅ軸シールキャップＥＳＣおよびボート載置台ＢＳ２の間でボートを移動させることができるようになっている。

ウェハ移載制御部１０５は、ウェハ移載装置ＷＬを制御するように構成されており、ウェハ移載制御部１０５の制御によって、ウェハ移載装置ＷＬが動作して、ポッドＰＤとボートの間でウェハのやり取りができる。

なお、図３には図示されていないが、主制御部２３９には、エレベータＥＬ１やエレベータＥＬ２を制御するユニットなども接続されている。このように本実施の形態１における基板処理装置ＳＴでは、主制御部２３９に圧力制御部１０１、ゲートバルブ制御部１０２、アームＡ１制御部１０３、アームＡ２制御部１０４、および、ウェハ移載制御部１０５が接続されており、これらのユニットと主制御部２３９が協働することにより基板処理装置ＳＴが動作する。

次に、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの処理炉２０２（処理室ＰＵ）について、図面を参照しながら説明する。図４は、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの処理炉２０２と、処理炉２０２周辺の概略構成図であり、縦断面図として示されている。

図４に示すように、処理炉２０２は高周波電流を印加することにより加熱するための誘導加熱装置２０６を有する。この誘導加熱装置２０６は円筒状に形成されており、誘導加熱部としてのＲＦコイル２０６１と壁体２０６２と冷却壁２０６３により構成されている。ＲＦコイル２０６１は高周波電源（図示せず）に接続されており、この高周波電源により、ＲＦコイル２０６１には高周波電流が流れるようになっている。

壁体２０６２は、ステンレス材等の金属から構成されている。この壁体２０６２は、円筒形状であり、内壁側にＲＦコイル２０６１が設けられている。ＲＦコイル２０６１は、コイル支持部（図示せず）で支持される。コイル支持部は、ＲＦコイル２０６１と壁体２０６２との間において、半径方向に所定の隙間を持って、壁体２０６２に支持される。

壁体２０６２の外壁側には、この壁体２０６２と同心円状に、冷却壁２０６３が設けられている。壁体２０６２の上端には、その中央に開口部２０６６が形成されている。開口部２０６６の下流側には、ダクトが接続されており、このダクトの下流側には冷却装置としてのラジエータ２０６４と、排気装置としてのブロア２０６５が接続されている。

冷却壁２０６３には、内部に冷却媒体として、例えば、冷却水が流通可能なように冷却壁２０６３のほぼ全域に冷却媒体流路が形成されている。冷却壁２０６３には、冷却媒体（図示せず）を供給する冷却媒体供給部と冷却媒体を排気する冷却媒体排気部とが接続されている。冷却媒体供給部から冷却媒体流路に冷却媒体を供給し、冷却媒体排気部から排気することにより、冷却壁２０６３が冷却され、熱伝導により、壁体２０６２および壁体２０６２の内部が冷却される。

ＲＦコイル２０６１の内側には、誘導加熱装置２０６と同心円状に反応容器を構成する反応管としてのアウターチューブ２０５が設けられている。アウターチューブ２０５は、耐熱材料としての石英（ＳｉＯ_２）材で構成されており、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状をしている。アウターチューブ２０５の内側には、処理室２０１が形成されている。処理室２０１には、半導体基板としてのウェハ２００がボート２１７および被誘導体としてのサセプタ２１８によって、水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収納されている。

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えば、石英（ＳｉＯ_２）若しくはステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状をしている。このマニホールド２０９はアウターチューブ２０５を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング３０９が設けられている。このマニホールド２０９が保持体（図示せず）に支持されることにより、アウターチューブ２０５は垂直に据え付けられた状態となっている。このようにアウターチューブ２０５とマニホールド２０９により反応容器が形成される。ここで、マニホールド２０９は、特に、アウターチューブ２０５と別体で設ける場合に限定されず、アウターチューブ２０５と一体として、個別にマニホールド２０９を設けないようにしてもよい。

アウターチューブ２０５の側内壁には、処理室２０１内に配置されているそれぞれのウェハ２００に側方からガスを供給するために、石英（ＳｉＯ_２）材で形成されたガス供給室２３２１と、処理室２０１内に配置されているそれぞれのウェハ２００を通過したガスを側方から排気する石英（ＳｉＯ_２）材で形成されたガス排気口２３１１が形成されている。

ガス供給室２３２１は、アウターチューブ２０５の側内壁に溶着して設けられており、上端が閉塞し、側壁に多数のガス供給口２３２２が設けられている。このとき、ガス供給室２３２１は、ボート２１７に載置される複数のウェハ２００のそれぞれに均一にガスを供給することができるように、複数個所に設けることが望ましい。さらには、複数設けられたガス供給室２３２１のそれぞれのガス供給口２３２２からのガス供給方向が平行となるように設けることが望ましい。また、ガス供給室２３２１をウェハ２００の中心に対して線対称の位置に複数設けるとよい。ガス供給口２３２２は、ボート２１７に載置される複数のウェハ２００のそれぞれに対して均一にガスを供給することができるように、それぞれのウェハ２００上にある間隙にウェハ２００の上面の高さから所定の高さの位置にそれぞれ設けるとよい。

アウターチューブ２０５の下方の外側壁には、ガス排気口２３１１と連通するガス排気管２３１と、ガス供給室２３２２と連通するガス供給管２３２とが設けられている。なお、ガス排気管２３１はアウターチューブ２０５の下方の外側壁でなくても、例えば、マニホールド２０９の側壁に設けてもよい。また、ガス供給室２３２２とガス供給管２３２の連通部はアウターチューブ２０５の下方の側壁でなくても、例えば、マニホールド２０９の側壁に設けてもよい。

ガス供給管２３２は、上流側で３つに分かれており、バルブ１７７、１７８、１７９とガス流量制御装置としてのＭＦＣ１８３、１８４、１８５を介して第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２にそれぞれ接続されている。ＭＦＣ１８３、１８４、１８５およびバルブ１７７、１７８、１７９には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、このガス流量制御部２３５によって、供給するガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングにて制御されるようになっている。

ガス排気管２３１の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ（図示せず）および圧力調整器としてのＡＰＣバルブ２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。圧力センサおよびＡＰＣバルブ２４２には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞するための炉口蓋体として、シールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えば、ステンレス等の金属で構成されており、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、ロードロック室１４１の天板２５１の下面と当接するシール部材としてのＯリング３０１が設けられている。なお、ロードロック室１４１の天板２５１の炉口１６１の開口径を大きくして、シールキャップ２１９の上面とマニホールド２０９の下端とをＯリング３０１を介して直接当接するように構成してもよい。

このシールキャップ２１９には、回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウェハ２００を回転させるように構成されている。

シールキャップ２１９は、処理炉２０２の外側に設けられた昇降機構としての昇降モータ２４８によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。

回転機構２５４および昇降モータ２４８には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、駆動制御部２３７は、回転機構２５４および昇降モータ２４８が所望の動作をするように所望のタイミングにて制御するようになっている。

次に、誘導加熱装置２０６には、螺旋状に形成されたＲＦコイル２０６１が上下複数の領域（ゾーン）に分割されて設けられている。例えば、図４に示すように、下方側のゾーンから、ＲＦコイルＬ、ＲＦコイルＣＬ、ＲＦコイルＣ、ＲＦコイルＣＵ、ＲＦコイルＵというように５つのゾーンに区分けして設けられている。これらの５つのゾーンに区分けされたＲＦコイルは独立して制御されるようになっている。

誘導加熱装置２０６の近傍には、処理室２０１内の温度を検出する温度検出体としての放射温度計２６３が、例えば、４箇所に設置されている。この放射温度計２６３は、少なくとも一つ設置されていればよいが、複数個の放射温度計２６３を設置することで温度制御性を向上させることができる。

誘導加熱装置２０６および放射温度計２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、放射温度計２６３により検出された温度情報に基づいて、誘導加熱装置２０６への通電状態を調節することができるようになっている。そして、温度制御部２３８によって、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御されるようになっている。

さらに、ブロア２０６５にも、温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、予め設定された操作レシピに従って、ブロア２０６５の動作を制御するように構成されている。ブロア２０６５が動作することにより、壁体２０６２とアウターチューブ２０５との間隙にある雰囲気を開口部２０６６から排出する。開口部２０６６から雰囲気を排出した後、ラジエータ２０６４を通して冷却し、ブロア２０６５の下流側で設備に排出される。すなわち、温度制御部２３８による制御に基づいて、ブロア２０６５が動作することにより、誘導加熱装置２０６およびアウターチューブ２０５を冷却することができる。

冷却壁２０６３に接続されている冷却媒体供給部と冷却媒体排気部は、冷却壁２０６３への冷却媒体の流量を所望の冷却具合となるように所定のタイミングにてコントローラ２４０にて制御されるように構成されている。なお、冷却壁２０６３を設けたほうが、処理炉２０２外部への放熱を抑制しやすくなり、アウターチューブ２０５がより一層冷却しやすくなるため、より望ましいが、ブロア２０６５の冷却による冷却具合が、所望の冷却具合として制御可能であれば、冷却壁２０６３は設けなくてもよい。

また、壁体２０６２の上端には、開口部２０６６とは別に、爆発放散口と、この爆発放散口を開閉する爆発放散口開閉装置２０６７が設けられている。壁体２０６２内で水素ガスと酸素ガスとが混合して爆発が生じた際、壁体２０６２に所定の大きな圧力が加わることになる。このため、比較的強度の弱い箇所、例えば、壁体２０６２を形成するボルトやネジ、パネル等が破壊や飛散することになり、被害が増大してしまう。この被害を最小限に留めるべく、爆発放散口開閉装置２０６７は、壁体２０６２内で爆発が生じた際の所定の圧力以上で、爆発放散口を開き、内部圧力を放散するように構成されている。

続いて、本実施の形態１における処理炉２０２周辺の構成について、図４を参照しながら説明する。ロードロック室１４１の外面に下基板２４５が設けられる。下基板２４５には昇降台２４９と嵌合するガイドシャフト２６４および昇降台２４９と螺合するボール螺子２４４が設けられる。下基板２４５に立設したガイドシャフト２６４およびボール螺子２４４の上端に上基板２４７が設けられる。ボール螺子２４４は上基板２４７に設けられた昇降モータ２４８により回転される。ボール螺子２４４が回転することにより昇降台２４９が昇降するように構成されている。

昇降台２４９には中空の昇降シャフト２５０が垂直方向に設置され、昇降台２４９と昇降シャフト２５０の連結部は気密となっている。昇降シャフト２５０は昇降台２４９と共に昇降するようになっている。昇降シャフト２５０はロードロック室１４１の天板２５１を貫通する。昇降シャフト２５０が貫通する天板２５１の貫通穴は昇降シャフト２５０に対して接触することがないように充分な余裕がある。ロードロック室１４１と昇降台２４９との間には昇降シャフト２５０の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ２６５がロードロック室１４１を気密に保つために設けられている。ベローズ２６５は昇降台２４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ２６５の内径は昇降シャフト２５０の外形に比べ充分に大きく、ベローズ２６５の伸縮で接触することがないように構成されている。

昇降シャフト２５０の下端には昇降基板２５２が水平に固着される。昇降基板２５２の下面にはＯリング等のシール部材を介して駆動部カバー２５３が気密状態で取付けられている。昇降基板２５２と駆動部カバー２５３とで駆動部収納ケース２５６が構成されている。この構成により、駆動部収納ケース２５６の内部はロードロック室１４１内の雰囲気と隔離される。

また、駆動部収納ケース２５６の内部にはボート２１７の回転機構２５４が設けられており、回転機構２５４の周辺部は、冷却機構２５７により冷却される。

さらに、電力供給ケーブル２５８が昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０の中空部を通って回転機構２５４に導かれて接続されている。そして、冷却機構２５７およびシールキャップ２１９には冷却流路２５９が形成されており、冷却流路２５９には冷却水を供給する冷却水配管２６０が接続され、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０の中空部を通っている。

昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４が回転することにより、昇降台２４９および昇降シャフト２５０を介して駆動部収納ケース２５６が昇降する。

駆動部収納ケース２５６が上昇することにより、昇降基板２５２に気密に設けられるシールキャップ２１９が処理炉２０２の開口部である炉口１６１を閉塞し、ウェハ処理が可能な状態となる。駆動部収納ケース２５６が下降することにより、シールキャップ２１９とともにボート２１７が降下されて、ウェハ２００を外部に搬出できる状態となる。

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、および、温度制御部２３８は、操作部や入出力部を構成し、基板処理装置ＳＴ全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、および、主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。以上のようにして、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴの処理炉２０２と、処理炉２０２周辺の構造体が構成されている。

続いて、ボート２１７にウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８を装填する構成について説明する。図５は、ボート２１７にウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８を装填する様子を示す平面図である。まず、ボート２１７は、サセプタ２１８を保持する保持体として機能し、ボート２１７は、円盤状の底板２１７ａ（図４）と、円盤状の天板２１７ｂ（図４）と、底板と天板とを連結する石英からなる３本あるいは４本の支柱から構成されている。図５に示すように、複数の支柱ＰＲのそれぞれには、ウェハ２００を搭載する支持体としてのサセプタ２１８を保持する保持部ＨＵ１が形成されている。この保持部ＨＵ１は、支柱ＰＲのそれぞれからボート２１７の中心軸側に向けて突き出すように形成されている。

このように構成されているボート２１７に搭載されるサセプタ２１８は、図５に示すように、ウェハ２００よりも大径の円盤状に形成されており、円盤の主面に凹部が形成されている。すなわち、サセプタ２１８には、高さの異なる周縁部２１８ａと中央部２１８ｂが形成されており、周縁部２１８ａの厚みよりも中央部２１８ｂの厚みが小さくなるように形成されている。したがって、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの境界には段差部２１８ｃが形成されている。段差部２１８ｃの内側に形成されている中央部２１８ｂは、ウェハ２００の直径よりも若干大きい直径で形成されており、この中央部２１８ｂ内にウェハ２００が内包されるように搭載される。このように構成されているサセプタ２１８は、炭化シリコン（ＳｉＣ）で表面が被覆された導電性材料（カーボンやカーボングラファイト）から形成されている。好適には、サセプタ２１８は、導電性材料の表面を炭化シリコン（ＳｉＣ）等のコーティング材で被覆してもよい。これにより、導電性材料から不純物が放出することを抑制することができる。

なお、サセプタ２１８は、ウェハ２００を周方向において均一に加熱しやすいため、円盤形状で形成されているほうが望ましいが、サセプタ２１８の主面が楕円で形成された板形状であっても、サセプタ２１８の主面が多角形で形成された板形状であってもよい。

次に、ウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８をボート２１７に装填する側面方向から見た構成について説明する。図６は、ウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８がボート２１７に装填されている様子を示す断面図である。図６に示すように、ボート２１７は、ボート２１７の延在方向（図６の上下方向）に延在する複数の支柱ＰＲと、複数の支柱ＰＲのそれぞれに対して、延在方向に等間隔で設けられた複数の保持部ＨＵ１を有している。そして、この保持部ＨＵ１は、複数の支柱ＰＲで互いに同じ高さに設けられており、互いに同じ高さに設けられた、例えば３つの保持部ＨＵ１でサセプタ２１８の両端を保持している。したがって、３つの保持部ＨＵ１で保持されたサセプタ２１８は、水平状態を維持するように配置される。具体的に、図６に示すように、ボート２１７には、延在方向に所定間隔で配置された保持部ＨＵ１のそれぞれにサセプタ２１８が搭載されている。したがって、ボート２１７には、複数のサセプタ２１８が、ボート２１７の延在方向に所定間隔を置いて積層配置されていることになる。このようにサセプタ２１８は、支柱ＰＲとは独立して設けられており、ボート２１７へのサセプタ２１８の装填、および、ボート２１７からのサセプタ２１８の脱装が可能なように構成されている。

ここで、サセプタ２１８を保持する保持部ＨＵ１は、支柱ＰＲから突き出ている形態に限らず、例えば、図７に示すように、支柱ＰＲのそれぞれに溝ＤＩＴを形成することにより、サセプタ２１８を保持するように構成してもよい。すなわち、支柱ＰＲの延在方向に等間隔で並ぶように複数の溝ＤＩＴを形成する。この溝ＤＩＴは、複数の支柱ＰＲで互いに同じ高さに設けられており、互いに同じ高さに設けられた、例えば３つの溝ＤＩＴでサセプタ２１８の両端を保持するように構成することができる。この場合、３つの溝ＤＩＴで保持されたサセプタ２１８は、水平状態を維持するように配置される。具体的に、図７に示すように、ボート２１７には、延在方向に所定間隔で配置された溝ＤＩＴのそれぞれにサセプタ２１８が搭載されている。したがって、支柱ＰＲに溝ＤＩＴを形成する場合も、複数のサセプタ２１８が、ボート２１７の延在方向に所定間隔を置いて積層配置されるようにボート２１７を構成することができる。

なお、図４に示すように、ボート２１７の下部には、例えば、耐熱性材料としての石英（ＳｉＯ_２）で構成される円筒形状の断熱筒２１６が配置されており、この断熱筒２１６により、誘導加熱装置２０６による誘導加熱で生じた熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるように構成されている。この断熱筒２１６は、ボート２１７と別体として設けずに、ボート２１７と一体として設けてもよい。また、断熱筒２１６に代えて、ボート２１７の下部に複数枚の断熱板を設けるように構成してもよい。

ボート２１７は、図４に示すように、処理室２０１内でのウェハ２００上への成膜処理時における膜中への不純物の混入を抑制するために、高純度で汚染物を放出しない材料であることが望ましい。また、ボート２１７の材料として、熱伝導率の高い材料を用いた場合、ボート２１７の下部にある石英製の断熱筒２１６を熱劣化させてしまうため、熱伝導率の低い材料であることが望ましい。さらに、サセプタ２１８に載置されるウェハ２００へのボート２１７からの熱影響は抑制したほうがよいので、誘導加熱装置２０６により誘導加熱されない材料であることが望ましい。これらの条件を満足するように、ボート２１７の材料として石英材を使用している。

次に、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴを使用してウェハ２００上に膜を形成する成膜動作について、図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置ＳＴを構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。まず、図４に示すように、処理炉２０２内にはボート２１７が搬入されているものとする。この状態で、誘導加熱装置２０６に高周波電流を流す。すると、処理炉２０２の内部に高周波電磁界が発生し、この高周波電磁界によって、被誘導体であるサセプタ２１８に渦電流が発生する。このサセプタ２１８では、渦電流によって誘導加熱が起こり、サセプタ２１８が加熱される。具体的に、渦電流は、被誘導体であるサセプタ２１８の周縁部で生じるため、誘導加熱装置２０６による誘導加熱では、主にサセプタ２１８の周縁部が加熱される。そして、周縁部が加熱されたサセプタ２１８では、熱伝導によってサセプタ２１８の周縁部からサセプタ２１８の中央部へ熱が流れ、サセプタ２１８の全体（周縁部と中央部）が加熱される。このようにしてサセプタ２１８が加熱されると、サセプタ２１８に搭載されているウェハ２００に熱伝導で熱が伝わり、ウェハ２００が加熱される。

このように本実施の形態１における基板処理装置ＳＴでは、誘導加熱方式でウェハ２００を加熱する方式を採用している。このとき、誘導加熱装置２０６に高周波電流を流すことによって発生する高周波電磁界によって、ウェハ２００を直接誘導加熱しても加熱量が足りないことが多い。したがって、本誘導加熱方式では、効率的に誘導加熱で加熱できるように被誘導体であるサセプタ２１８を使用しているのである。つまり、誘導加熱方式の基板処理装置ＳＴでは、効率的に誘導加熱によって加熱されるようにサセプタ２１８を使用している。そして、このサセプタ２１８を効率的に誘導加熱で加熱処理した後、加熱されたサセプタ２１８上のウェハ２００を、サセプタ２１８からの熱伝導によって加熱しているのである。このことから、サセプタ２１８は、ウェハ２００を搭載する機能を有しているとともに、その重要な機能として、高周波電磁界によって誘導加熱される性質を有していることがわかる。

このようにしてウェハ２００を加熱した後、処理炉２０２内に原料ガスを導入する。具体的に、図４に示すように、第１の処理ガスは、第１のガス供給源１８０から供給され、ＭＦＣ１８３でその流量が調節される。その後、第１の処理ガスは、バルブ１７７を介して、ガス供給管２３２を経て、ガス供給室２３２１へ導入され、ガス供給口２３２２から処理室２０１内に導入される。第２の処理ガスは、第２のガス供給源１８１から供給され、ＭＦＣ１８４でその流量が調節される。その後、第２の処理ガスは、バルブ１７８を介して、ガス供給管２３２を経て、ガス供給室２３２１へ導入され、ガス供給口２３２２から処理室２０１内に導入される。第３の処理ガスは、第３のガス供給源１８２から供給され、ＭＦＣ１８５でその流量が調節される。その後、第３の処理ガスは、バルブ１７９を介して、ガス供給管２３２を経て、ガス供給室２３２１に導入され、ガス供給口２３２２から処理室２０１内に導入される。

以上のようにして、処理室２０１に導入された第１の処理ガス、第２の処理ガス、および、第３の処理ガスは、ボート２１７に装填されたサセプタ２１８上に搭載されているウェハ２００の表面に供給され、加熱されているウェハ２００の表面で反応してウェハ２００上に膜が成膜される。その後、処理室２０１内のガスは、ガス排気口２３１１からガス排気管２３１を経て、真空排気装置２４６によって排気される。

図６は、ウェハ２００が搭載されたサセプタ２１８がボート２１７に装填されている様子を示す断面図である。図６に示すように、処理室２０１内に搬入されているボート２１７には、ウェハ２００を搭載したサセプタ２１８が支柱ＰＲの延在方向に積層して配置されている。このことから、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴでは、複数のウェハ２００に対して一度に膜を成膜することができることがわかる。

ここで、図６に示すように、被誘導体であるサセプタ２１８においては、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間に段差部２１８ｃが形成されており、凹んでいる中央部２１８ｂにウェハ２００が搭載されている。この利点について説明する。

例えば、サセプタの周縁部と中央部との間に段差部がなく、サセプタの周縁部と中央部に渡ってフラットであるサセプタ上にウェハを配置する場合を考える。この場合、サセプタのフラットな主面上に厚みのあるウェハが配置されることになることから、ウェハを配置した分だけサセプタの表面とウェハの表面との間に段差部が形成されることになる。この場合、サセプタの側方から流入するガスがサセプタの表面とウェハの表面との間に形成されている段差部にぶつかって乱流や澱みが発生しやすくなる。すると、ウェハの表面に対して均一にガスが供給されないこととなる結果、ウェハの表面全体に均一な膜を形成することが困難になるおそれがある。

また、ウェハが高温で処理される場合、ウェハ自体の熱変形などの影響や、ボート２１７が回転していることの影響などにより、サセプタ上に配置されているウェハの位置ずれが生じやすくなる。つまり、フラットなサセプタ上に配置されたウェハは固定されていないため、位置ずれを起こしやすくなる。位置ずれが生じると、複数のサセプタに搭載されたウェハごとに位置が多少ずれることになり、複数のウェハ間で成膜された膜の膜厚などにばらつきが生じるおそれがある。

さらに、サセプタの周縁部と中央部に渡ってフラットであるサセプタ上にウェハを配置すると、ウェハの裏面の端部にもガスが導入されやすくなり、ウェハの裏面側へ回り込むように膜が形成されやすくなる。

これに対し、図６に示すように、サセプタ２１８において、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間に段差部２１８ｃを形成し、凹んでいる中央部２１８ｂにウェハ２００が搭載されるように構成する場合は上述した不都合を回避することができる。

好ましくは、サセプタ２１８の周縁部２１８ａと、サセプタ２１８の中央部２１８ｂの間に形成される段差部２１８ｃは、ウェハ２００が載置されると、サセプタ２１８の周縁部２１８ａとウェハ２００の上面とが水平方向にフラットとなるように形成するとよい。これにより、サセプタ２１８の側方から流入するガスが周縁部２１８ａを通り、乱流や澱みの発生を抑制しつつ、スムースにウェハ２００の表面に到達させることができる。この結果、ウェハの表面に対して均一にガスが供給されることになり、ウェハの表面全体に均一な膜を形成することができる。

また、ウェハ２００が高温で処理されると、熱変形などの影響により、ウェハ２００が位置ずれを起こしやすいが、段差部２１８ｃにウェハ２００が保持されているので確実にウェハ２００の位置ずれを抑制することができる。したがって、複数のサセプタ２１８に搭載されたウェハ２００ごとに位置がずれることを抑制することができ、複数のウェハ間で成膜された膜の膜厚などにばらつきが生じることを防止できる。

さらに、サセプタ２１８の周縁部２１８ａの表面よりも低い中央部２１８ｂの表面にウェハ２００の裏面が密着し、かつ、サセプタ２１８の周縁部２１８ａとウェハ２００の上面とが水平方向にフラットとなるように形成する場合には、特に、ガスがウェハ２００の裏面に回りこみにくくなる。このため、ウェハ２００の裏面での膜の堆積を抑制することができる。

以上のことから、被誘導体であるサセプタ２１８においては、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂの間に段差部２１８ｃが形成されており、凹んでいる中央部２１８ｂにウェハ２００が搭載されるように構成されている。

本実施の形態１における基板処理装置ＳＴは上記のように構成されており、以下に、基板処理装置ＳＴの動作について、ボートＢＴの動きに着目した観点から説明する。まず、図８に示すように、隔離室ＳＰと外部空間（クリーンルーム）との間に設けられているメンテナンス扉ＭＤを開ける。そして、このメンテナンス扉ＭＤを介して基板処理装置ＳＴ外である外部空間から隔離室ＳＰの内部へボートＢＴを搬入する。具体的に、搬入されるボートＢＴは新品あるいはクリーニング済みのボートであり、このボートＢＴが隔離室ＳＰ内に設けられているボート載置台ＢＳ２上に配置される。このとき、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間に設けられているゲートバルブＧＶは閉まっており、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとは隔離されている。したがって、この段階では、外部空間と隔離室ＳＰ内は清浄度の低い雰囲気になっているのに対し、隔離室ＳＰから隔離されている予備室ＰＲＥ内は清浄度の高い雰囲気を維持している。

次に、図９に示すように、メンテナンス扉ＭＤを閉じる。これにより、外部空間から隔離室ＳＰが隔離される。この状態で、隔離室ＳＰ内に設けられているクリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦとを稼動させる。これにより、隔離室ＳＰ内には清浄度の高い空気が循環し、隔離室ＳＰ内の清浄度が向上する。クリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦは、隔離室ＳＰ内の清浄度が予備室ＰＲＥ内の清浄度と同程度になるまで充分に稼動させる。このとき、隔離室ＳＰ内の圧力は所定の圧力になるように制御される。具体的に、予備室ＰＲＥに設けられている圧力計ＰＧ２の出力と、隔離室ＳＰに設けられている圧力計ＰＧ１の出力に基づいて、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴは、予備室ＰＲＥ内の圧力＞隔離室ＳＰ内の圧力＞外部空間の圧力となるように制御する。これにより、予備室ＰＲＥ内の圧力が隔離室ＳＰ内の圧力よりも高くなっていることから、隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥへの異物の侵入を防止することができる。同様に、隔離室ＳＰの圧力が外部空間の圧力よりも高くなっていることから、外部空間から隔離室ＳＰへの異物の侵入を防止することができる。つまり、予備室ＰＲＥ内の圧力＞隔離室ＳＰ内の圧力＞外部空間の圧力となるように制御することにより、ボートＢＴを搬入する際、外部空間から隔離室ＳＰを介して予備室ＰＲＥへ異物が侵入して予備室ＰＲＥ内の雰囲気の清浄度が低下することを抑制することができる。

このようにして、隔離室ＳＰ内の雰囲気の清浄度が予備室ＰＲＥ内の雰囲気の清浄度と同程度になると、隔離室ＳＰ内に配置されているボートＢＴを予備室ＰＲＥ内に搬入する動作を開始する。具体的に、図１０と図１１とを使用して説明する。図１０と図１１は、例えば、図９の矢印の方向から見た概略構成図である。まず、図１０に示すように、ボート移載装置ＢＣに取り付けられているアームＡ２を上昇させて、アームＡ２の高さとボート載置台ＢＳ２上に配置されているボートＢＴの底部の高さとを合わせる。その後、図１１に示すように、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間に設けられているゲートバルブＧＶを開く。そして、アームＡ２を水平方向に所定角度として、例えば、９０度回転させて、アームＡ２を予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰの内部に移動させる。隔離室ＳＰ内に移動させたアームＡ２により、隔離室ＳＰのボート載置台ＢＳ２に搭載されたボートＢＴを支持する。さらに、ボートＢＴを掴んだ状態を維持してアームＡ２を再び９０度回転させる。つまり、ボートＢＴを掴んだアームＡ２を、開いているゲートバルブＧＶを介して、隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥ内に移動させる。このとき、ゲートバルブＧＶが開いているので、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとは雰囲気を共有することになるが、隔離室ＳＰ内の清浄度はクリーンユニットＣＵＴで予備室ＰＲＥ内と同程度に清浄化されているので、ゲートバルブＧＶを開いても、予備室ＰＲＥ内の清浄度が低下することはない。

以上のように、ボート移載装置ＢＣのアームＡ２によって支持された状態でボートＢＴを隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥ内へ搬入することができる。そして、図１２に示すように、予備室ＰＲＥ内に搬入されたボートＢＴは、アームＡ２で支持された状態で、ボート載置台ＢＳ１へ運ばれる。これにより、ボートＢＴを予備室ＰＲＥ内のボート載置台ＢＳ１上に配置することができる。なお、ボートＢＴを予備室ＰＲＥ内のボート載置台ＢＳ１上に配置した後、予備室ＰＲＥと隔離室ＳＰとの間に設けられているゲートバルブＧＶを閉じる。

次に、ボート載置台ＢＳ１上に配置されているボートＢＴ内にウェハを収納する。具体的に、ポッドＰＤからウェハ移載装置ＷＬによってウェハを取り出し、取り出したウェハをサセプタに搭載した後、ウェハを搭載したサセプタをボート載置台ＢＳ１上に配置されているボートＢＴ内に収納する。この動作を繰り返すことにより、ボートＢＴ内に複数のウェハが収納されることになる。

続いて、ボートＢＴへのウェハの収納が完了すると、図１３に示すように、アームＡ２によってボートＢＴを支持して移動させることにより、ボートＢＴをＥ軸シールキャップＥＳＣ上に配置する。その後、図１４に示すように、アームＡ２をＥ軸シールキャップＥＳＣからボート載置台ＢＳ１へ移動させる。

次に、Ｅ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２によって上昇させる。これにより、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上に配置されているボートＢＴもＥ軸シールキャップＥＳＣとともに上昇する。Ｅ軸シールキャップＥＳＣの上方には、ウェハの処理を実施するための処理室が設けられているので、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上にボートＢＴを搭載した状態で、Ｅ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２で上方に移動させることにより、ボートＢＴを開口されている底部から処理室の内部へ搬入することができる。このとき、Ｅ軸シールキャップＥＳＣは、処理室の底部を開口している開口部を塞ぐ。以上のようにして、Ｅ軸シールキャップＥＳＣで封止された処理室内にボートＢＴを配置することができる。

その後、ボートＢＴを搬入した処理室内で、ボートＢＴに収納されているウェハに対してエピタキシャル成長処理が実施される。以下に、このウェハに対して行われるエピタキシャル成長処理について、図４を参照しながら説明する。

まず、処理室２０１内が所望の圧力となるように真空排気装置２４６によって排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ（圧力調節器）２４２がフィードバック制御される。例えば、１３３００Ｐａから０．１ＭＰａ付近までの圧力のうちの所定の圧力が選択される。そして、ブロア２０６５が動作され、誘導加熱装置２０６とアウターチューブ２０５との間でガス若しくはエアが流通し、アウターチューブ２０５の側壁、ガス供給室２３２１、ガス供給口２３２２、および、ガス排気口２３１１が冷却される。ラジエータ２０６４、冷却壁２０６３には、冷却媒体として冷却水が流通し壁体２０６２を介して、誘導加熱装置２０６内が冷却される。また、ウェハ２００が所望の温度となるように誘導加熱装置２０６に高周波電流を印加し、サセプタ２１８に誘導電流（渦電流）を生じさせる。

具体的に、誘導加熱装置２０６にて処理炉２０２内の少なくともボート２１７に保持された複数枚のサセプタ２１８を誘導加熱して、サセプタ２１８に収納されたウェハ２００を加熱する。

この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように放射温度計２６３が検出した温度情報に基づき誘導加熱装置２０６への通電具合がフィードバック制御される。なお、この際、ブロア２０６５は、アウターチューブ２０５の側壁、ガス供給室２３２１、ガス供給口２３２２、ガス排気口２３１１の温度がウェハ２００上で膜成長させる温度より遥かに低い例えば６００℃以下に冷却されるように予め設定された制御量で制御される。ウェハ２００は、例えば１１００℃に加熱される。また、ウェハ２００は、７００℃〜１２００℃内で選択される処理温度のうち、一定の温度で加熱されるが、その際、いずれの処理温度においても、ブロア２０６５は、アウターチューブ２０５の側壁、ガス供給室２３２１、ガス供給口２３２２、ガス排気口２３１１の温度がウェハ２００上で膜成長させる温度より遥かに低い、例えば６００℃以下に冷却されるように予め設定された制御量にて制御される。

続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転することで、サセプタ２１８、および、このサセプタ２１８に載置されているウェハ２００が回転する。

次に、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２には、Ｓｉ系およびＳｉＧｅ系の処理ガスとして、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４等と、ドーピングガスとしては、Ｂ_２Ｈ_６、ＢＣl_３、ＰＨ_３等と、キャリアガスとして、水素（Ｈ_２）がそれぞれ封入されている。ウェハ２００の温度が安定したところで、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２からそれぞれの処理ガスが供給される。そして、所望の流量となるようにＭＦＣ１８３、１８４、１８５の開度が調節された後、バルブ１７７、１７８、１７９が開かれる。これにより、それぞれの処理ガスがガス供給管２３２を流通して、ガス供給室２３２１に流入される。ガス供給室２３２１の流路断面積は、複数あるガス供給口２３２２の開口面積に比べて十分に大きいため、処理室２０１より大きい圧力となり、それぞれのガス供給口２３２２から噴出されるガスが均一な流量、流速で処理室２０１に供給される。処理室２０１に供給されたガスは、処理室２０１内を通り、ガス排気口２３１１に排出され、その後、ガス排気口２３１１からガス排気管２３１へ排気される。処理ガスは、サセプタ２１８間の間隙を通過する際に上下に隣接するそれぞれのサセプタ２１８から加熱されるとともに、加熱されたウェハ２００と接触し、ウェハ２００の表面上にエピタシャル成長によってシリコン（Ｓｉ）などの半導体膜が形成される。

予め設定された時間が経過すると、不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスで置換されると共に、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。

以上のようにして、ウェハへの処理が完了すると、図１５に示すように、Ｅ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２によって下降させる。これにより、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上に配置されているボートＢＴもＥ軸シールキャップＥＳＣとともに下降する。そして、ボート載置台ＢＳ１に配置されているアームＡ２をＥ軸シールキャップＥＳＣ上に移動させて、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上に配置されているボートＢＴを支持する。

その後、図１６に示すように、ボートＢＴを支持しているアームＡ２をＥ軸シールキャップＥＳＣからボート載置台ＢＳ１へ移動させて、処理済みのウェハが収納されているボートＢＴをボート載置台ＢＳ１上に配置する。そして、ボート載置台ＢＳ１上に配置されたボートＢＴから処理済みのウェハを回収する。具体的には、ウェハ移載装置ＷＬによって、ボートＢＴから処理済みのウェハが搭載されたサセプタを取り出し、さらに、このサセプタに搭載されている処理済のウェハを取り出す。取り出されたウェハは、ウェハ移載装置ＷＬによってポッドＰＤへ収納される。このようにして、ウェハ移載装置ＷＬにより、ボートＢＴに収納されているウェハをすべて回収し、回収したウェハをポッドＰＤに収納する。

その後は、ボートＢＴへ未処理のウェハを再び収納した後、アームＡ２によって、ボートＢＴをボート載置台ＢＳ１からＥ軸シールキャップＥＳＣ上に移動させる。そして、ボートＢＴを搭載したＥ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２により上昇させて、処理室内にボートＢＴを搬入する。ボートＢＴが処理室内に搬入されると、処理室内でウェハに対する処理が実施される。処理室内でのウェハの処理が終了すると、Ｅ軸シールキャップＥＳＣを下降させて、処理済のウェハが収納されているボートＢＴをアームＡ２によって、Ｅ軸シールキャップＥＳＣからボート載置台ＢＳ１上に移動させる。そして、ボート載置台ＢＳ１上に配置されたボートＢＴから処理済みのウェハを回収する。

このような動作を繰り返すことにより、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴを稼動させることができる。上述した基板処理装置ＳＴでは、１つのボートＢＴをウェハの処理で何回も使用するが、ウェハの成膜処理を実施する場合、ウェハ上に膜が成膜されるだけでなく、ボートＢＴにも膜が形成される。したがって、同一のボートＢＴを使用して複数回の成膜処理を実施すると、処理室の内壁やボートＢＴに形成される膜の膜厚が厚くなり、処理室の内壁やボートＢＴから膜剥がれが生じる。膜剥がれが生じると、剥がれた膜が異物となり、この異物が基板に付着すると基板の歩留まりが低下することになる。

そこで、基板処理装置ＳＴでは、複数回の成膜処理を実施した後、処理室内のクリーニングが実施される。具体的に、このクリーニングは、処理室内にクリーニングガスを導入して堆積した膜をドライエッチングすることにより行われる。ここで、処理室の内壁に付着した膜とボートＢＴに付着した膜とを一度に除去するため、処理室内にボートＢＴを搬入した状態でドライエッチングを実施することが考えられる。ところが、処理室内にボートＢＴを配置したままクリーニング（ドライエッチング）を実施すると、このクリーニングによってボートＢＴが劣化してしまうのである。つまり、ボートＢＴおよびボートＢＴに挿入されているサセプタに対してドライエッチングを施すと、ボートＢＴおよびサセプタの寿命が短くなってしまう。ボートＢＴやサセプタは高価であるため、コスト低減の観点から、なるべく、クリーニングによるボートＢＴやサセプタの劣化を抑制する必要がある。

このことから、従来の基板処理装置では、基板処理装置の稼動を停止し、処理室からボートを取り出した後、処理室内のクリーニングを実施する。そして、取り出したボートは、さらに予備室から基板処理装置の外部へ取り出され、別途、ダメージが加わりにくいウェットエッチングなどによって付着した膜の除去が行われる。

このように基板処理装置では、処理室の内壁およびボートのクリーニングが必要であり、クリーニングを実施するために、従来の基板処理装置では稼動を停止する必要がある。具体的には、基板処理装置の稼動を停止した後、処理室から予備室へボートを搬送し、さらに、予備室を開放してボートを回収することになる。このため、開放した予備室の清浄度が劣化することから、再び、基板処理装置を稼動するために、予備室の清浄度を回復させる必要があり、ウェハを処理するスループットが低下する問題点が発生する。つまり、基板処理装置のクリーニングを実施する際、従来技術では、予備室を開放する必要があるため、ウェハを処理するスループットが低下する問題点が発生する。

そこで、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴでは、上述した問題点を解決する工夫を施している。具体的に、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴでは、基板処理装置ＳＴ内に、予備室ＰＲＥと隔離できる隔離室ＳＰを設けている。そして、ボートＢＴのクリーニングを実施するために、基板処理装置ＳＴの予備室ＰＲＥ内から外部へボートＢＴを搬出する際、本実施の形態１では、隔離室ＳＰを介してボートＢＴを搬出することに特徴がある。本実施の形態１では、このように構成することにより、基板処理装置ＳＴにおいてウェハを処理するスループットが低下することを抑制することができるのである。

以下に、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴにおいて、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介してボートＢＴを外部空間へ搬出する動作について説明する。図１６に示すように、ボート載置台ＢＳ１に搭載されたボートＢＴから処理済みのウェハを回収する。このボート載置台ＢＳ１上に配置されたボートＢＴは、何回もウェハの成膜処理に使用されていると仮定する。したがって、ボートＢＴにはかなりの膜が付着しており、クリーニングする必要があるため、外部空間へ搬出する必要がある。

まず、図１６において、隔離室ＳＰ内に設けられているクリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦを稼動させることにより、隔離室ＳＰ内の清浄度を予備室ＰＲＥ内の清浄度と同程度とする。その後、図１７に示すように、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間に設けられているゲートバルブＧＶを開く。これにより、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥは雰囲気を共有することになるが、隔離室ＳＰの雰囲気は既にクリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦによって清浄化されているので、ゲートバルブＧＶを開いても予備室ＰＲＥの清浄度が低下することはない。

さらに、予備室ＰＲＥに設けられている圧力計ＰＧ２の出力と、隔離室ＳＰに設けられている圧力計ＰＧ１の出力に基づいて、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴは、予備室ＰＲＥ内の圧力＞隔離室ＳＰ内の圧力＞外部空間の圧力となるように制御する。これにより、予備室ＰＲＥ内の圧力が隔離室ＳＰ内の圧力よりも高くなっていることから、隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥへの異物の侵入を防止することができる。

次に、図１８に示すように、アームＡ２を移動させることにより、ボートＢＴを予備室ＰＲＥに設けられているボート載置台ＢＳ１から、隔離室ＳＰに設けられているボート載置台ＢＳ２へ移動させる。つまり、予備室ＰＲＥと隔離室ＳＰの間に設けられているゲートバルブＧＶを開くことにより、アームＡ２は、隔離室ＳＰ内へ移動することができるので、アームＡ２により、ボートＢＴを、隔離室ＳＰ内に設けられているボート載置台ＢＳ２上に配置することができる。

続いて、図１９に示すように、アームＡ２を隔離室ＳＰ内に設けられているボート載置台ＢＳ２から予備室ＰＲＥ内のＥ軸シールキャップＥＳＣの配置位置まで退避させた後、ゲートバルブＧＶを閉じる。これにより、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとは隔離されることになる。その後、図２０に示すように、隔離室ＳＰと外部空間との間に設けられているメンテナンス扉ＭＤを開けて、隔離室ＳＰ内のボート載置台ＢＳ２上に配置されているボートＢＴを搬出する。以上のようにして、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介してボートＢＴを外部空間へ搬出することができる。

本実施の形態１における基板処理装置ＳＴによれば、基板処理装置ＳＴ内に予備室ＰＲＥと隔離された隔離室ＳＰを設け、クリーニングする必要のあるボートＢＴを、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介して外部空間へ搬出するように構成している。このため、予備室ＰＲＥ内の清浄度を維持しながら、クリーニングする必要のあるボートＢＴを外部空間へ搬出することができる。このことは、基板処理装置ＳＴにある予備室ＰＲＥ内の雰囲気を開放することなく、ボートＢＴを搬出することができることを意味している。つまり、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴでは、予備室ＰＲＥ内の清浄度を保って、基板処理装置ＳＴの稼動状態を維持しながら、クリーニングを必要とするボートＢＴを外部空間に搬出することができるので、基板処理装置ＳＴでの処理におけるスループットの低下を抑制することができるのである。

例えば、隔離室ＳＰを設けない場合、直接予備室ＰＲＥから外部空間へクリーニングを必要とするボートＢＴを搬出することになる。このとき、予備室ＰＲＥは開放されるため、予備室ＰＲＥの雰囲気は、外部空間の雰囲気（外気）と接触することになる。したがって、予備室ＰＲＥの雰囲気の清浄度は低下することになる。このことは、クリーニングを必要とするボートＢＴを搬出した後、再び、予備室ＰＲＥの清浄度を向上する処理を実施する必要があることを意味している。つまり、ボートＢＴを搬出した後、再び、基板処理装置ＳＴ内で処理を開始する前に、予備室ＰＲＥの清浄度を向上させる必要がある。このことから、ボートＢＴを搬出した後、基板処理装置ＳＴを再稼動させるための時間が長くなる。すなわち、隔離室ＳＰを設けない場合には、基板処理装置ＳＴのスループットが低下するのである。

これに対し、本実施の形態１における基板処理装置ＳＴでは、基板処理装置ＳＴ内に予備室ＰＲＥと隔離された隔離室ＳＰを設け、クリーニングする必要のあるボートＢＴを、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介して外部空間へ搬出するように構成している。このため、予備室ＰＲＥ内の清浄度を維持しながら、クリーニングする必要のあるボートＢＴを外部空間へ搬出することができる。このことから、本実施の形態１によれば、予備室ＰＲＥ内の清浄度を保って、基板処理装置ＳＴの稼動状態を維持しながら、クリーニングを必要とするボートＢＴを外部空間に搬出することができるので、基板処理装置ＳＴでの処理におけるスループットの低下を抑制することができるという顕著な効果を得ることができる。

なお、本実施の形態１では、エピタキシャル成長法を使用して膜を形成する例について説明しているが、本発明の技術的思想は、これに限らず、例えば、ＡＬＤ法やＣＶＤ法を使用して膜を形成する場合などにも適用することができる。例えば、膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で形成する場合、原料ガスとして、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）などを用いることができるし、ドーパントガスとして、例えば、ボロン含有ガスであるジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスなどを用いることができる。さらに、キャリアガスとして、水素（Ｈ_２）を使用することができる。

また、本実施の形態１では、隔離室ＳＰ内のボート載置台ＢＳ２を、外部空間と隔離室ＳＰとの間でのボートＢＴの搬入搬出に使用する形態として説明したが、特開２００２−４３３９８号公報に開示されているように冷却台として用いるようにしてもよい。この場合、外部空間と隔離室ＳＰとの間でのボートＢＴの搬入搬出に関する上述した工程以外では、ゲートバルブＧＶを開いた状態により、予備室ＰＲＥおよび隔離室ＳＰを１つの共有空間にし、ボートＢＴを２つ用いて基板を処理するように構成してもよい。

また、予備室ＰＲＥおよび隔離室ＳＰを通し、１つのボートＢＴのみを用いる場合には、ボート載置台ＢＳ１およびアームＡ１を設けないように構成してもよい。この場合、ウェハ移載装置ＷＬは、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上にあるボートＢＴに対してサセプタないしウェハを移載すればよい。

また、本実施の形態１では、本発明の技術的思想を誘導加熱方式の基板処理装置ＳＴに適用する例について説明しているが、本発明の技術的思想は、これに限らず、例えば、抵抗加熱方式の基板処理装置にも適用することができる。抵抗加熱方式の基板処理装置の場合には、サセプタ２１８を設けずに、ボート２１７へ直接ウェハ２００を載置するようにし、誘導加熱装置２０６を抵抗加熱装置に代えるように構成するとよい。

（実施の形態２）
本実施の形態２では、誘導加熱方式の基板処理装置内に設けられている処理室内をクリーニングする例について説明する。

基板処理装置では、１つのボートをウェハの処理で何回も使用するが、ウェハの成膜処理を実施する場合、ウェハ上に膜が成膜されるだけでなく、ボートにも膜が形成される。したがって、同一のボートを使用して複数回の成膜処理を実施すると、処理室の内壁やボートに形成される膜の膜厚が厚くなり、処理室の内壁やボートから膜剥がれが生じる。膜剥がれが生じると、剥がれた膜が異物となり、この異物が基板に付着すると基板の歩留まりが低下することになる。

そこで、基板処理装置では、複数回の成膜処理を実施した後、処理室内のクリーニングが実施される。具体的に、このクリーニングは、処理室内にクリーニングガスを導入して堆積した膜をドライエッチングすることにより行われる。ここで、処理室の内壁に付着した膜とボートに付着した膜とを一度に除去するため、処理室内にボートを搬入した状態でドライエッチングを実施することが考えられる。ところが、処理室内にボートを配置したままクリーニング（ドライエッチング）を実施すると、このクリーニングによってボートが劣化してしまうのである。

このため、前記実施の形態１で説明したように、膜が付着したボートは、隔離室を介して予備室から基板処理装置の外部空間へ取り出された後、別途、ダメージが加わりにくいウェットエッチングなどによって付着した膜の除去が行われる。

一方、基板処理装置内の処理室では、処理室の内壁に付着した膜をドライエッチングで除去することが行われる。このドライエッチングでは、処理室を加熱することが要求される。ここで、誘導加熱方式の基板処理装置では、ボートに搭載されているサセプタが被誘導体となって加熱されることにより、サセプタ上に配置されているウェハが加熱される。つまり、誘導加熱方式の基板処理装置では、ボートに搭載されているサセプタが熱源となってウェハの処理が実施される。これに対し、処理室のクリーニングは、処理室の内部にボートやサセプタが存在しない状態で行われる。このことは、処理室をクリーニングする際、熱源となる被誘導体（サセプタ）が存在しないことを意味し、この状態では、処理室を加熱することができなくなる。しかし、処理室のクリーニングは、加熱状態でのドライエッチングで行われるので、処理室を何らかの方法で加熱する必要がある。

そこで、処理室のクリーニングを実施する際、処理室内に被誘導体から構成されるクリーニング用治具を配置することが行われる。クリーニング用治具は被誘導体から構成されているので、誘導加熱により加熱される。したがって、クリーニング用治具は、処理室をドライエッチングでクリーニングする際の熱源として機能する。以上のように、誘導加熱方式の基板処理装置においては、処理室のクリーニングを実施するために、被誘導体から構成されるクリーニング用治具を処理室内に搬入する必要があることがわかる。

ここで、例えば、基板処理装置内に隔離室を設けない場合、直接外部空間から予備室内へクリーニング用治具を搬入することになる。このとき、予備室は開放されるため、予備室の雰囲気は、外部空間の雰囲気（外気）と接触することになる。したがって、予備室の雰囲気の清浄度は低下することになる。このことは、予備室内にクリーニング用治具を搬入した後、再び、予備室の清浄度を向上する処理を実施する必要があることを意味している。つまり、クリーニング用治具を搬入した後、基板処理装置の処理室内でクリーニングを開始する前に、予備室の清浄度を向上させる必要がある。このことから、隔離室を設けない場合には、基板処理装置のスループットが低下してしまう。

そこで、本実施の形態２における基板処理装置ＳＴでは、基板処理装置ＳＴ内に予備室ＰＲＥと隔離された隔離室ＳＰを設け、クリーニング用治具を、外部空間から隔離室ＳＰを介して予備室ＰＲＥへ搬入するように構成している。以下に、本実施の形態２における基板処理装置ＳＴにおいて、外部空間から隔離室ＳＰを介してクリーニング用治具を予備室ＰＲＥ内へ搬入する動作、および、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介してクリーニング用治具を外部空間へ搬出する動作について図面を参照しながら説明する。

図２１に示すように、処理室内で処理されたウェハが搭載されたボートＢＴをボート載置台ＢＳ１に移動させる。そして、ボート載置台ＢＳ１に搭載されたボートＢＴから処理済みのウェハを回収する。このとき、処理室内では、何度もウェハへの成膜処理が実施されていると仮定する。したがって、処理室の内壁には厚い膜が付着していると考えられるため、処理室のクリーニングを実施する。このため、まず、基板処理装置ＳＴ内にクリーニング用治具を搬入する必要がある。

図２１に示すように、隔離室ＳＰと外部空間（クリーンルーム）との間に設けられているメンテナンス扉ＭＤを開ける。そして、このメンテナンス扉ＭＤを介して外部空間から隔離室ＳＰの内部へクリーニング用治具ＤＣＴを搬入する。具体的に、搬入されるクリーニング用治具ＤＣＴは中空円筒形の形状をしており、このクリーニング用治具ＤＣＴが隔離室ＳＰ内に設けられているボート載置台ＢＳ２上に配置される。好ましくは、クリーニング用治具ＤＣＴは、天板を設けた有天中空円筒形の形状とするとよい。これにより、アウターチューブ２０５の側内壁を均一に加熱することができる。このとき、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間に設けられているゲートバルブＧＶは閉まっており、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとは隔離されている。したがって、この段階では、外部空間と隔離室ＳＰ内は清浄度の低い雰囲気になっているのに対し、隔離室ＳＰから隔離されている予備室ＰＲＥ内は清浄度の高い雰囲気を維持している。

次に、図２２に示すように、メンテナンス扉ＭＤを閉じる。これにより、外部空間から隔離室ＳＰが隔離される。この状態で、隔離室ＳＰ内に設けられているクリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦとを稼動させる。これにより、隔離室ＳＰ内には清浄度の高い空気が循環し、隔離室ＳＰ内の清浄度が向上する。クリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦは、隔離室ＳＰ内の清浄度が予備室ＰＲＥ内の清浄度と同程度になるまで充分に稼動させる。このとき、隔離室ＳＰ内の圧力は所定の圧力になるように制御される。具体的に、予備室ＰＲＥに設けられている圧力計ＰＧ２の出力と、隔離室ＳＰに設けられている圧力計ＰＧ１の出力に基づいて、本実施の形態２における基板処理装置ＳＴは、予備室ＰＲＥ内の圧力＞隔離室ＳＰ内の圧力＞外部空間の圧力となるように制御する。これにより、予備室ＰＲＥ内の圧力が隔離室ＳＰ内の圧力よりも高くなっていることから、隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥへの異物の侵入を防止することができる。同様に、隔離室ＳＰの圧力が外部空間の圧力よりも高くなっていることから、外部空間から隔離室ＳＰへの異物の侵入を防止することができる。つまり、予備室ＰＲＥ内の圧力＞隔離室ＳＰ内の圧力＞外部空間の圧力となるように制御することにより、クリーニング用治具ＤＣＴを搬入する際、外部空間から隔離室ＳＰを介して予備室ＰＲＥへ異物が侵入して予備室ＰＲＥ内の雰囲気の清浄度が低下することを抑制することができる。

このようにして、隔離室ＳＰ内の雰囲気の清浄度が予備室ＰＲＥ内の雰囲気の清浄度と同程度になると、隔離室ＳＰ内に配置されているクリーニング用治具ＤＣＴを予備室ＰＲＥ内に搬入する動作を開始する。具体的に、図２３と図２４とを使用して説明する。図２３と図２４は、例えば、図２２の矢印の方向から見た概略構成図である。まず、図２３に示すように、ボート移載装置ＢＣに取り付けられているアームＡ２を上昇させて、アームＡ２の高さとボート載置台ＢＳ２上に配置されているクリーニング用治具ＤＣＴの底部の高さとを合わせる。その後、図２４に示すように、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間に設けられているゲートバルブＧＶを開く。そして、アームＡ２を水平方向に、所定角度として、例えば、９０度回転させて、アームＡ２を予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰの内部に移動させる。隔離室ＳＰ内に移動させたアームＡ２により、隔離室ＳＰのボート載置台ＢＳ２に搭載されたクリーニング用治具ＤＣＴを支持する。さらに、クリーニング用治具ＤＣＴを掴んだ状態を維持してアームＡ２を再び９０度回転させる。つまり、クリーニング用治具ＤＣＴを掴んだアームＡ２を、開いているゲートバルブＧＶを介して、隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥ内に移動させる。このとき、ゲートバルブＧＶが開いているので、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとは雰囲気を共有することになるが、隔離室ＳＰ内の清浄度はクリーンユニットＣＵＴで予備室ＰＲＥ内と同程度に清浄化されているので、ゲートバルブＧＶを開いても、予備室ＰＲＥ内の清浄度が低下することはない。

以上のように、ボート移載装置ＢＣのアームＡ２によって支持された状態でクリーニング用治具ＤＣＴを隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥ内へ搬入することができる。そして、図２５に示すように、予備室ＰＲＥ内に搬入されたクリーニング用治具ＤＣＴは、アームＡ２で支持された状態で、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上へ運ばれる。これにより、クリーニング用治具ＤＣＴを予備室ＰＲＥ内のＥ軸シールキャップＥＳＣ上に配置することができる。なお、クリーニング用治具ＤＣＴを予備室ＰＲＥ内のＥ軸シールキャップＥＳＣ上に配置した後、予備室ＰＲＥと隔離室ＳＰとの間に設けられているゲートバルブＧＶを閉じる。その後、図２６に示すように、アームＡ２をＥ軸シールキャップＥＳＣから、Ｅ軸シールキャップＥＳＣとボート載置台ＢＳ１との間の位置へ移動させる。

次に、図２７に示すように、Ｅ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２によって上昇させる。これにより、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上に配置されているクリーニング用治具ＤＣＴもＥ軸シールキャップＥＳＣとともに上昇する。Ｅ軸シールキャップＥＳＣの上方には、ウェハの処理を実施するための処理室が設けられているので、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上にクリーニング用治具ＤＣＴを搭載した状態で、Ｅ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２で上方に移動させることにより、クリーニング用治具ＤＣＴを開口されている底部から処理室の内部へ搬入することができる。このとき、Ｅ軸シールキャップＥＳＣは、処理室の底部を開口している開口部を塞ぐ。以上のようにして、Ｅ軸シールキャップＥＳＣで封止された処理室内にクリーニング用治具ＤＣＴを配置することができる。

その後、クリーニング用治具ＤＣＴを搬入した処理室内で、処理室内のクリーニング（ドライエッチング）が実施される。以下に、この処理室に対して行われるドライエッチングについて説明する。まず、処理室の外側にある誘導加熱装置により、被誘導体であるクリーニング用治具ＤＣＴを誘導加熱する。このとき、クリーニング用治具ＤＣＴは円筒形状をしているため、処理室の内部を均一に加熱することができる。特に、最も膜が堆積しやすいアウターチューブ２０５の内壁（側面）を均一に加熱することができる。そして、処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガス（ＣｌＦ_３、ＮＦ_３、Ｆ_２など）を供給する。すると、処理室の内壁に付着している膜とクリーニングガスが反応して、処理室の内壁から膜が除去される。これにより、処理室内のクリーニングが実施される。

以上のようにして、処理室のクリーニングが完了すると、図２８に示すように、Ｅ軸シールキャップＥＳＣをエレベータＥＬ２によって下降させる。これにより、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上に配置されているクリーニング用治具ＤＣＴもＥ軸シールキャップＥＳＣとともに下降する。そして、ボート載置台ＢＳ１に配置されているアームＡ２をＥ軸シールキャップＥＳＣ上に移動させて、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上に配置されているボートＢＴを支持する。

次に、隔離室ＳＰ内に設けられているクリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦを稼動させることにより、隔離室ＳＰ内の清浄度を予備室ＰＲＥ内の清浄度と同程度とする。その後、図２８に示すように、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとの間に設けられているゲートバルブＧＶを開く。これにより、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥは雰囲気を共有することになるが、隔離室ＳＰの雰囲気は既にクリーンユニットＣＵＴと排気ファンＥＦによって清浄化されているので、ゲートバルブＧＶを開いても予備室ＰＲＥの清浄度が低下することはない。

さらに、予備室ＰＲＥに設けられている圧力計ＰＧ２の出力と、隔離室ＳＰに設けられている圧力計ＰＧ１の出力に基づいて、本実施の形態２における基板処理装置ＳＴは、予備室ＰＲＥ内の圧力＞隔離室ＳＰ内の圧力＞外部空間の圧力となるように制御する。これにより、予備室ＰＲＥ内の圧力が隔離室ＳＰ内の圧力よりも高くなっていることから、隔離室ＳＰから予備室ＰＲＥへの異物の侵入を防止することができる。

次に、図２９に示すように、アームＡ２を移動させることにより、クリーニング用治具ＤＣＴを予備室ＰＲＥに設けられているＥ軸シールキャップＥＳＣから、隔離室ＳＰに設けられているボート載置台ＢＳ２へ移動させる。つまり、予備室ＰＲＥと隔離室ＳＰの間に設けられているゲートバルブＧＶを開くことにより、アームＡ２は、隔離室ＳＰ内へ移動することができるので、アームＡ２により、クリーニング用治具ＤＣＴを、隔離室ＳＰ内に設けられているボート載置台ＢＳ２上に配置することができる。

続いて、図３０に示すように、アームＡ２を隔離室ＳＰ内に設けられているボート載置台ＢＳ２から、予備室ＰＲＥ内のＥ軸シールキャップＥＳＣとゲートバルブＧＶの間の位置まで退避させた後、ゲートバルブＧＶを閉じる。これにより、隔離室ＳＰと予備室ＰＲＥとは隔離されることになる。その後、図３１に示すように、隔離室ＳＰと外部空間との間に設けられているメンテナンス扉ＭＤを開けて、隔離室ＳＰ内のボート載置台ＢＳ２上に配置されているクリーニング用治具ＤＣＴを搬出する。このとき、予備室ＰＲＥ内では、ボート載置台ＢＳ１に配置されているボートＢＴに、ウェハ移載装置ＷＬにより、ウェハが収納され、さらに、アームＡ１によって、ウェハが収納されたボートＢＴは、ボート載置台ＢＳ１からＥ軸シールキャップＥＳＣ上に移動される。その後、Ｅ軸シールキャップＥＳＣ上に配置されているボートＢＴを処理室に搬入してウェハの処理が行われる。以上のようにして、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介してクリーニング用治具ＤＣＴを外部空間へ搬出することができる。

本実施の形態２における基板処理装置ＳＴによれば、基板処理装置ＳＴ内に予備室ＰＲＥと隔離された隔離室ＳＰを設け、クリーニング用治具ＤＣＴを、外部空間から隔離室ＳＰを介して予備室ＰＲＥへ搬入したり、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介して外部空間へ搬出するように構成している。このため、予備室ＰＲＥ内の清浄度を維持しながら、クリーニング用治具ＤＣＴを搬入出することができる。このことは、基板処理装置ＳＴにある予備室ＰＲＥ内の雰囲気を開放することなく、クリーニング用治具ＤＣＴを搬入出することができることを意味している。つまり、本実施の形態２における基板処理装置ＳＴでは、予備室ＰＲＥ内の清浄度を保って、基板処理装置ＳＴの稼動状態を維持しながら、クリーニング用治具ＤＣＴを搬入出することができるので、基板処理装置ＳＴでの処理におけるスループットの低下を抑制することができる。

特に、図３１に示すように、隔離室ＳＰからクリーニング用治具ＤＣＴを搬出しながら、予備室ＰＲＥ内でボートＢＴを処理室内へ移動させることができるので、基板処理装置ＳＴでのスループットを向上させることができる。

さらに、クリーニング用治具ＤＣＴを使用して処理室内のクリーニング（ドライエッチング）を実施する場合、隔離室ＳＰが設けられていないと、処理済みのウェハが外気に触れて汚染されることを防止するため、予備室ＰＲＥ内からポッドＰＤなどへすべての処理済みウェハを搬送した後に、クリーニング用治具ＤＣＴを予備室ＰＲＥへ搬送しなければならず、スループットが低下する。

しかし、本実施の形態２では、隔離室ＳＰが設けられているため、予備室ＰＲＥが外気にさらされることがなく、予備室ＰＲＥにある処理済みのウェハが外気に触れることはない。したがって、本実施の形態２によれば、処理済みのウェハが予備室ＰＲＥ内に存在する状態であっても、クリーニング用治具ＤＣＴを搬入出することができる。このことから、クリーニング用治具ＤＣＴの搬入出とウェハの搬送とを同時に実施することができるため、本実施の形態２によれば、基板処理装置ＳＴでのスループットを向上させることができる。

なお、クリーニング用治具ＤＣＴは、好ましくは、天板を設けるように構成するとよい。すなわち、有天中空円筒形の形状とすることで、アウターチューブ２０５の天井側の内壁の加熱を促進することができる。

（実施の形態３）
前記実施の形態１では、図２に示すように、隔離室ＳＰを筐体ＣＳの一角に設けるように構成しているが、本実施の形態３では、隔離室ＳＰを筐体ＣＳの背面側（奥側）全面に設けるように構成してもよい。図３２は、本実施の形態３における基板処理装置ＳＴの構成を示す上面図である。図３２に示すように、本実施の形態３における基板処理装置ＳＴでは、隔離室ＳＰを筐体ＣＳの背面側（奥側）全面に設けている。このように隔離室ＳＰを構成する場合、予備室ＰＲＥにあるウェハ移載装置ＷＬ等をメンテナンスする際に、作業者が隔離室ＳＰを通って予備室ＰＲＥに入らなければならないものの、前記実施の形態１と一定レベルにおいて、同様の効果を得ることができる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

前記実施の形態ではエピタキシャル装置を例示して説明したが、ＣＶＤ装置、ＡＬＤ装置、酸化装置、拡散装置、あるいは、アニール装置などその他の基板処理装置においても本発明における技術的思想を適用することができる。

本発明は少なくとも以下の実施の形態を含む。

〔付記１〕
基板を処理する基板処理装置であって、
基板保持体に保持された前記基板を処理する処理室と、
前記処理室に隣設され、前記基板を保持した前記基板保持体を待機させる予備室と、
前記予備室に隣設され、前記基板保持体を収納可能に構成される隔離室と、
前記隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間で前記基板保持体を搬送可能な第一開口部を有する第一隔壁と、
前記第一開口部を開閉する第一開閉体と、
前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁であって、前記基板処理装置内外に前記基板保持体を搬送可能な第二開口部を有する第二隔壁と、
前記第二開口部を開閉する第二開閉体と、
を有する基板処理装置。

〔付記２〕
基板を処理する基板処理装置であって、
第一被誘導体および前記基板を保持する基板保持体を収納して前記第一被誘導体にて前記基板を加熱処理する処理室と、
前記処理室に隣設され、前記第一被誘導体および前記基板を保持した前記基板保持体を待機させる予備室と、
前記第一被誘導体および前記基板を保持した前記基板保持体を前記処理室から前記予備室に搬送した状態で前記処理室内に収納されて前記処理室を加熱する第二被誘導体を収納可能に構成される隔離室と、
前記隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間で前記基板保持体を搬送可能な第一開口部を有する第一隔壁と、
前記第一開口部を開閉する第一開閉体と、
前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁であって、前記基板処理装置内外に前記基板保持体を搬送可能な第二開口部を有する第二隔壁と、
前記第二開口部を開閉する第二開閉体と、
を有する基板処理装置。

〔付記３〕
処理室にて基板保持体に保持された基板を処理する工程と、
前記処理室から前記基板保持体を前記処理室に隣設された予備室に搬送し、前記基板保持体に保持された前記基板を搬送する工程と、
前記予備室に隣設された隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間の第一隔壁にある第一開口部を第一開閉体にて開き、前記基板保持体を前記隔離室へ搬送する工程と、
前記第一開口部を前記第一開閉体にて閉じ、前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁にある第二開口部を第二開閉体にて開く工程と、を有する半導体装置の製造方法。

〔付記４〕
処理室にて基板保持体に保持された基板を処理する工程と、
前記処理室にて前記基板保持体を前記処理室に隣設された予備室に搬送する工程と、
前記予備室に隣設された隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間の第一隔壁にある第一開口部を第一開閉体にて閉じた状態で、前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁にある第二開口部を第二開閉体にて開き、処理室クリーニング用治具を前記隔離室へ搬送する工程と、
前記第二開閉体にて前記第二開口部を閉じる工程と、
前記第一開口部を前記第一開閉体にて開き、処理室クリーニング用治具を、前記予備室を経由して前記処理室に搬送し、前記処理室内に堆積した堆積物を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

〔付記５〕
前記隔離室に少なくとも前記基板保持体を載置可能な載置台を備える付記１の基板処理装置。

〔付記６〕
前記隔離室に少なくとも前記基板保持体若しくは前記第二被誘導体（処理室クリーニング用治具）を設置可能な載置台を備える付記２の基板処理装置。

〔付記７〕
前記予備室と前記隔離室との間で前記基板保持体を搬送可能な搬送機を備える付記１の基板処理装置。

〔付記８〕
前記予備室と前記隔離室との間で前記第二被誘導体（処理室クリーニング用治具）を搬送可能な搬送機を備える付記２の基板処理装置。

〔付記９〕
前記搬送機は、前記予備室内にある前記基板保持体を保持しつつ前記処理室へ搬送する保持台と前記隔離室にある前記基板保持体を載置可能な載置台との間で前記基板保持体を搬送する付記８の基板処理装置。

〔付記１０〕
前記搬送機は、前記予備室内にある前記基板保持体を保持しつつ前記処理室へ搬送する保持台と前記隔離室にある前記第二被誘導体（処理室クリーニング用治具）を載置可能な載置台との間で前記第二被誘導体（処理室クリーニング用治具）を搬送する付記９の基板処理装置。

本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。

１０１ 圧力制御部
１０２ ゲートバルブ制御部
１０３ アームＡ１制御部
１０４ アームＡ２制御部
１０５ ウェハ移載制御部
１６１ 炉口
１７７ バルブ
１７８ バルブ
１７９ バルブ
１８０ 第１のガス供給源
１８１ 第２のガス供給源
１８２ 第３のガス供給源
１８３ ＭＦＣ
１８４ ＭＦＣ
１８５ ＭＦＣ
２００ ウェハ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０５ アウターチューブ
２０６ 誘導加熱装置
２０９ マニホールド
２１６ 断熱筒
２１７ ボート
２１８ サセプタ
２１８ａ 周縁部
２１８ｂ 中央部
２１８ｃ 段差部
２１９ シールキャップ
２３１ ガス排気管
２３２ ガス供給管
２３５ ガス流量制御部
２３６ 圧力制御部
２３７ 駆動制御部
２３８ 温度制御部
２３９ 主制御部
２４０ コントローラ
２４２ ＡＰＣバルブ
２４４ ボール螺子
２４５ 下基板
２４６ 真空排気装置
２４７ 上基板
２４８ 昇降モータ
２４９ 昇降台
２５０ 昇降シャフト
２５１ 天板
２５２ 昇降基板
２５３ 駆動部カバー
２５４ 回転機構
２５５ 回転軸
２５６ 駆動部収納ケース
２５７ 冷却機構
２５８ 電力供給ケーブル
２５９ 冷却流路
２６０ 冷却水配管
２６３ 放射温度計
２６４ ガイドシャフト
２６５ ベローズ
３０１ Ｏリング
３０９ Ｏリング
２０６１ ＲＦコイル
２０６２ 壁体
２０６３ 冷却壁
２０６４ ラジエータ
２０６５ ブロア
２０６６ 開口部
２０６７ 爆発放散口開閉装置
２３１１ ガス排気口
２３２１ ガス供給室
２３２２ ガス供給口
Ａ１ アーム
Ａ２ アーム
ＢＣ ボート移載装置
ＢＳ１ ボート載置台
ＢＳ２ ボート載置台
ＢＴ ボート
Ｃ ＲＦコイル
ＣＬ ＲＦコイル
ＣＳ 筐体
ＣＵ ＲＦコイル
ＣＵＴ クリーンユニット
ＤＣＴ クリーニング用治具
ＤＩＴ 溝
ＥＦ 排気ファン
ＥＬ１ エレベータ
ＥＬ２ エレベータ
ＥＳＣ Ｅ軸シールキャップ
ＧＤ ガス検知器
ＧＶ ゲートバルブ
ＨＵ１ 保持部
ＨＵ２ 保持部
Ｌ ＲＦコイル
ＭＤ メンテナンス扉
ＰＤ ポッド
ＰＧ１ 圧力計
ＰＧ２ 圧力計
ＰＲ 支柱
ＰＲＥ 予備室
ＰＳ ポッドステージ
ＰＵ 処理室
ＳＰ 隔離室
ＳＴ 基板処理装置
Ｕ ＲＦコイル
ＷＬ ウェハ移載装置
ＹＭＤ 開閉扉

Claims (3)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   基板保持体に保持された前記基板を処理する処理室と、
   前記処理室に隣設され、前記基板を保持した前記基板保持体を待機させる予備室と、
   前記予備室に隣設され、前記基板保持体を収納可能に構成される隔離室と、
   前記隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間で前記基板保持体を搬送可能な第一開口部を有する第一隔壁と、
   前記第一開口部を開閉する第一開閉体と、
   前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁であって、前記基板処理装置内外に前記基板保持体を搬送可能な第二開口部を有する第二隔壁と、
   前記第二開口部を開閉する第二開閉体と、
   を有する基板処理装置。
2. 基板を処理する基板処理装置であって、
   第一被誘導体および前記基板を保持する基板保持体を収納して前記第一被誘導体にて前記基板を加熱処理する処理室と、
   前記処理室に隣設され、前記第一被誘導体および前記基板を保持した前記基板保持体を待機させる予備室と、
   前記第一被誘導体および前記基板を保持した前記基板保持体を前記処理室から前記予備室に搬送した状態で前記処理室内に収納されて前記処理室を加熱する第二被誘導体を収納可能に構成される隔離室と、
   前記隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間で前記基板保持体を搬送可能な第一開口部を有する第一隔壁と、
   前記第一開口部を開閉する第一開閉体と、
   前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁であって、前記基板処理装置内外に前記基板保持体を搬送可能な第二開口部を有する第二隔壁と、
   前記第二開口部を開閉する第二開閉体と、
   を有する基板処理装置。
3. 処理室にて基板保持体に保持された基板を処理する工程と、
   前記処理室から前記基板保持体を前記処理室に隣設された予備室に搬送し、前記基板保持体に保持された前記基板を搬送する工程と、
   前記予備室に隣設された隔離室と前記予備室との間を隔離する隔壁であって、前記予備室との間の第一隔壁にある第一開口部を第一開閉体にて開き、前記基板保持体を前記隔離室へ搬送する工程と、
   前記第一開口部を前記第一開閉体にて閉じ、
   前記隔離室の前記第一隔壁とは異なる第二隔壁にある第二開口部を第二開閉体にて開く工程と、を有する半導体装置の製造方法。

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