JP2013175641A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を保持しているボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、ボートの破損を防止することのできる技術を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ボート９０の上板９１ａまたは下板９１ｂは、その中央部にそれぞれ開口９３ａまたは９３ｂが形成されているので、ボート９０の上板９１ａまたは下板９１ｂが急速加熱または急速冷却された場合でも、上板９１ａまたは下板９１ｂにおいて、外周部と中央部との温度差を低減することができる。このため、処理室の内部の温度が処理室の外部の温度よりも高い状態で、ボート９０を処理室に対して搬入または搬出する際に、ボート９０の上板９１ａまたは下板９１ｂの破損を防止することができる。
【選択図】図７

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関し、特に、基板上に膜を成膜するための基板処理装置および基板処理方法に適用して有効な技術に関する。

ＳｉＣは、Ｓｉ（シリコン）に比して、絶縁耐圧や熱伝導性が高いこと等から、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。その一方でＳｉＣは、不純物拡散係数が小さいこと等から、Ｓｉに比して結晶基板や半導体装置（半導体デバイス）の製造が難しいことが知られている。例えば、Ｓｉのエピタキシャル膜の成膜温度が９００〜１２００℃程度であるのに対し、ＳｉＣのエピタキシャル膜の成膜温度は１５００〜１８００℃程度となっており、成膜を行うための基板処理装置の耐熱構造や材料の分解抑制等に技術的な工夫が必要となる。

このようなＳｉＣのエピタキシャル膜を成膜するために複数の基板を効率的に処理し得るバッチ式の基板処理装置として、例えば、複数の基板を垂直方向（縦方向）に積層した状態で保持するボートを備えた、所謂バッチ式縦型基板処理装置が知られている。このバッチ式縦型基板処理装置は、複数の基板を保持しているボートを処理炉内の処理室に搬入し、その後、処理室に搬入されたボートに保持されている基板を所定温度に加熱しつつ、処理室内に設けたガスノズルから各基板に向けて反応ガスを供給する。これにより、各基板の成膜面が反応ガスに曝されて、各基板を一度に効率よく成膜処理することができる。

特開２０１１−２９５９７号公報（特許文献１）には、上記したバッチ式縦型基板処理装置において、Ｓｉ（シリコン）原子含有ガスとＣｌ（塩素）原子含有ガスとＣ（炭素）原子含有ガスと還元ガスとを供給して、ＳｉＣ等の基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する気相エピタキシャル成長技術が記載されている。

特開２０１１−２９５９７号公報

ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜するための基板処理装置では、成膜温度が１５００〜１８００℃と高温である。そのため、単位時間に処理される基板の枚数（スループット）の観点で有利なように、処理室の内部の温度が処理室の外部の温度よりも高い状態で、ボートを処理室に搬入するか、あるいは、ボートを処理室から搬出する場合がある。このように、処理室の内部の温度が処理室の外部の温度よりも高い状態で、ボートを処理室に対して搬入または搬出する際には、処理室の内部の温度と処理室の外部の温度との温度差により、ボートにかかる熱負荷が大きくなる。すなわち、ボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、ボートが急速加熱または急速冷却される。

ボートには、ボートの上下両端に、上板（天板）および下板（底板）が設けられている。ボートが急速加熱または急速冷却されると、上板および下板において、外周部と中央部との間に大きな温度差が発生することがある。そして、発生した温度差および例えば熱膨張率などの材質によっては、上板および下板に大きな応力が加えられ、上板および下板が破損するおそれがある。

本発明の目的は、基板を保持しているボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、ボートの破損を防止することのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明における基板処理装置は、基板を処理するための処理室と、前記基板を保持する保持部と、前記基板を保持している前記保持部を前記処理室に対して搬入または搬出する搬入搬出部と、前記保持部が前記搬入搬出部により前記処理室に搬入された状態で、前記保持部に保持されている前記基板を加熱する加熱部と、を有する。ここで、前記保持部は、前記保持部が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記保持部の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有するものである。そして、前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、前記処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記搬入搬出部が前記保持部を前記処理室に対して搬入または搬出する際に、前記一方の板部材の外周部と中央部との温度差を低減するように、前記中央部が開口されたことを特徴とするものである。

また、本発明における基板処理方法は、（ａ）保持部により基板を保持する工程、（ｂ）前記（ａ）工程の後、基板を処理するための処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記基板を保持している前記保持部を前記処理室に搬入する工程、を有する。また、本発明における基板処理方法は、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記保持部に保持されている前記基板を加熱部により加熱しつつ処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記保持部を前記処理室から搬出する工程、を有する。ここで、前記保持部は、前記保持部が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記保持部の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有するものである。そして、前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、前記（ｂ）工程または前記（ｄ）工程において、前記一方の板部材の外周部と中央部との温度差を低減するように、前記中央部が開口されたことを特徴とするものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

基板を保持しているボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、ボートの破損を防止することができる。

実施の形態における基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。 実施の形態における処理炉の概略構成を示す縦断面図である。 実施の形態における処理炉の概略構成を示す水平断面図である。 実施の形態における処理炉周辺の構成を示す図である。 実施の形態における処理炉周辺の構成を示す図である。 実施の形態における基板処理装置を制御するコントローラの構成を示すブロック図である。 実施の形態におけるボートの詳細構造を示す斜視図である。 比較例におけるボートの詳細構造を示す斜視図である。 比較例におけるボートの上板付近の詳細構造を示す断面図である。 図９に示す構造について、ボートを処理室から搬出する際の上板の各点における温度および温度差を計算した結果を示すグラフである。 実施の形態におけるボートの上板付近の詳細構造を示す断面図である。 図１１に示す構造について、ボートを処理室から搬出する際の上板の各点における温度および温度差を計算した結果を示すグラフである。 実施の形態の変形例におけるボートの詳細構造を示す斜視図である。 実施の形態の変形例におけるボートの上板付近の詳細構造を示す断面図である。 実施の形態の基板処理装置を使用した基板処理工程の一部を示すプロセスフロー図である。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

（実施の形態）
＜実施の形態における基板処理装置の概略構成＞
本発明を実施するための実施の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置の製造方法に含まれる基板処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下の説明では、例えば、ＳｉＣからなる半導体基板としての基板（ウェハ）にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いたエピタキシャル成長法による成膜処理を行う縦型の基板処理装置に、本発明の技術的思想を適用した場合について述べる。特に、本実施の形態では、複数の基板を一度に処理するバッチ方式の基板処理装置を対象にして説明する。

まず、本実施の形態における基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、実施の形態における基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。

図１に示すように、本実施の形態における基板処理装置１０は、ＳｉＣからなる複数のウェハ（基板）を収納したウェハキャリアとしてのカセット１１を使用するように構成されており、筐体１２を備えている。筐体１２の正面壁１２ａの下方には、メンテナンス可能なように、正面メンテナンス口１３が開設され、この正面メンテナンス口１３を開閉する正面メンテナンス扉１４が筐体１２の正面壁１２ａに設けられている。

正面メンテナンス扉１４には、カセット搬入搬出口１５が筐体１２の内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１５はフロントシャッタ１６によって開閉されるようになっている。カセット搬入搬出口１５の筐体１２内側にはカセットステージ１７が設置されている。カセット１１は、カセットステージ１７上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつ、カセットステージ１７上から搬出されるようになっている。カセットステージ１７は、工程内搬送装置によって、カセット１１内のウェハが垂直姿勢となり、かつ、カセット１１のウェハ出し入れ口が例えば上方を向いた状態で載置されるように構成されている。

筐体１２内の前後方向の略中央下部には、カセット棚１８が設置されており、カセット棚１８は複数段および複数列で複数個のカセット１１を保管し、カセット１１内のウェハを出し入れすることが可能なように配置されている。また、カセット棚１８に加えてバッファ棚１９が設置されており、このバッファ棚１９にもカセット１１が保管されるようになっている。

カセットステージ１７とカセット棚１８との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０は、カセット１１を保持したまま昇降することができるカセットエレベータ２０ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構２０ｂから構成されている。このカセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続動作により、カセットステージ１７、カセット棚１８およびバッファ棚１９との間で、カセット１１を搬送することができるようになっている。

カセット棚１８の後方には、ウェハ移載機構２１が設置されており、ウェハ移載機構２１は、ウェハを水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置２１ａおよびウェハ移載装置２１ａを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ２１ｂで構成されている。これら、ウェハ移載装置エレベータ２１ｂおよびウェハ移載装置２１ａの連続動作により、ウェハ移載装置２１ａのツイーザ２１ｃがボート９０に対してウェハＷを装填（チャージ）および脱装（ディスチャージ）するように構成されている。

カセット棚１８およびバッファ棚１９の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを基板処理装置１０内へ供給するために、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット２２が設けられている。このクリーンユニット２２は、クリーンエアを筐体１２の内部に流通させるように構成されている。すなわち、このクリーンユニット２２から吹き出されたクリーンエアは、筐体１２の内部を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１２の外部へ排気されるようになっている。

ウェハ移載装置２１ａの後側には、基板保持具としてのボート９０を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室（移載室）２３が形成されている。

ロードロック室２３上方には、処理炉（反応炉）３０が設けられている。処理炉３０の下端部は炉口シャッタ２５により開閉されるように構成されている。なお、処理炉３０の構成については後述する。

ロードロック室２３には、ボート９０を昇降させるためのボートエレベータ２４が設置されている。ボートエレベータ２４は、ボート９０を垂直方向（縦方向）に移動（昇降）させることで、ボート９０を、後述する処理室３４に対して搬入または搬出する搬入搬出部として機能する。ボートエレベータ２４に連結された連結具としてのアーム２６（図４を用いて後述する駆動部収納ケース７４）には蓋体としてのシールキャップ２７が水平に据え付けられており、シールキャップ２７はボート９０を垂直に支持し、処理炉３０の下端部を閉塞可能なように構成されている。

基板処理装置１０を構成する各部は、コントローラ８０と電気的に接続されており、コントローラ８０は、基板処理装置１０を構成する各部の動作を制御するように構成されている。

＜処理炉の構成＞
次に、本実施の形態における処理炉の構成について、図面を参照しながら説明する。図２は、実施の形態における処理炉３０の概略構成を示す縦断面図である。図３は、実施の形態における処理炉３０の概略構成を示す水平断面図である。

図２および図３において、本実施の形態における処理炉３０は、最も外側に筐体３１を有しており、この筐体３１の内部に反応管３２が配置されている。反応管３２は、例えば、石英などから構成されている。

反応管３２の開口側（図２下方側）には、マニホールド３３が設けられている。このマニホールド３３は、例えば、ステンレス材料などからなり、上方側および下方側が開口した形状に形成されている。また、マニホールド３３の内周側面の一部には、石英からなるウォール３３ａが設けられている。マニホールド３３は、反応管３２を支持し、マニホールド３３と反応管３２との間には、シール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。これにより、反応管３２、およびマニホールド３３の内部に充填された反応ガスが外部に漏洩するのを防止している。マニホールド３３は、その下方側に設けられた保持体（図示せず）に支持されており、これにより反応管３２は、地面（図示せず）に対して垂直に据え付けられた状態となっている。ここで、反応管３２、およびマニホールド３３により、処理室（反応室）３４を形成している。

処理室３４の内部には、ウェハＷを保持しているボート９０が搬入され、処理室３４において、ボート９０に保持されているウェハＷへの成膜処理が行われるようになっている。ボート９０はシールキャップ２７上に配置され、このシールキャップ２７によって処理室３４が密閉されるように構成されている。また、図４を用いて後述するように、シールキャップ２７には、回転機構６１が設けられており、この回転機構６１の回転軸６２はシールキャップ２７を貫通してボート９０に接続されている。

ボート９０は、図７を用いて後述するように、ウェハＷまたはウェハホルダ（図示せず）に搭載されたウェハＷを、各々のウェハの主面が水平になるように、かつ、各々のウェハの中心が平面視で一致するように、垂直方向（縦方向）に積層した状態で保持するようになっている。すなわち、ボート９０は、ウェハＷを保持する保持部として機能する。なお、ボート９０の下方側には、たとえば、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により円柱形状に形成された断熱部材としてのボート断熱部６０が設けられ、後述する加熱体３５からの熱が、処理室３４の下方側に伝達し難くなっている。

処理室３４の内部には、加熱体（被誘導体）３５が形成されている。加熱体３５は、上方側が閉塞されて下方側が開口された円筒形状に形成されている。これにより、加熱体３５内に供給される反応ガスを封止でき、かつ処理室３４の上方側への放熱を抑制できる。加熱体３５は、例えば、ＳｉＣをコートとしたグラファイトから形成されている。この加熱体３５は、ボート９０を囲むように設けられている。

また、反応管３２の外側には、円筒形状の支持部材３６の内周側に誘導コイル３７が巻かれている。誘導コイル３７は高周波電源（図示せず）に接続されており、この高周波電源により、誘導コイル３７には例えば３０ｋＨｚの高周波電流が流れるようになっている。つまり、本実施の形態では、誘導コイル３７に高周波電流を流すと、処理炉３０の内部に高周波電磁界が発生し、この高周波電磁界により被誘導体である加熱体３５に渦電流が流れる。この加熱体３５は、渦電流が流れることで発生するジュール熱による加熱、すなわち誘導加熱が起こり昇温され、その後、加熱体３５からの輻射熱により、処理室３４の内部が加熱され、結果的に、処理室３４内でボート９０に垂直方向（縦方向）に積層された状態で保持されているウェハＷが周囲から加熱されるように構成されている。すなわち、ボート９０がボートエレベータ２４により処理室３４に搬入された状態で、ボート９０に保持されているウェハＷは、加熱部として機能する誘導コイル３７および加熱体３５により周囲から加熱される。

例えば加熱体３５と反応管３２との間など、加熱体３５の近傍には、処理室３４内の温度を検出する温度検出体としての熱電対３８が設けられている。また、シールキャップ２７には、処理室３４内の温度を検出する温度検出体としての放射温度計３９が設けられている。この放射温度計３９は、図２に示すように、例えば加熱体３５と一体に設けられた被測定部４０の温度をマニホールド３３に設けられたビューポート４１を通して測定することで、処理室３４内の温度を検出することができる。

誘導コイル３７、熱電対３８および放射温度計３９には、コントローラ８０（図１参照）の温度制御部８２（後述する図６参照）が電気的に接続されており、熱電対３８または放射温度計３９により検出された温度情報に基づいて、誘導コイル３７への通電状態を調節することができるようになっている。そして、温度制御部８２によって、処理室３４内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御されるようになっている。

反応管３２と加熱体３５との間には、たとえば、誘導加熱され難いカーボンフェルトなどで形成された断熱材４２が設けられている。断熱材４２は、反応管３２および加熱体３５と同様に、上方側が閉塞され下方側が開口された円筒形状に形成されている。断熱材４２は、例えば１５００〜１８００℃に加熱された加熱体３５からの熱が、断熱材４２の外側に配置された部材に熱伝達されることを抑制するためのものである。このように、断熱材４２を設けることで、加熱体３５が例えば１５００〜１８００℃に加熱されている場合に、反応管３２の温度を１０００℃以下に下げることができる。

誘導コイル３７の外周側には、処理室３４内の熱が外部に伝達されるのを抑制するために、例えば水冷構造の外側断熱壁４３が設けられている。外側断熱壁４３は円筒形状に形成され、処理室３４および支持部材３６を包囲するよう配置されている。さらに、外側断熱壁４３の外周側には、誘導コイル３７へ通電することで発生する磁場が、外部に漏洩するのを防止するための磁気シール４４が設けられている。磁気シール４４においても、上方側が閉塞され下方側が開口された円筒形状に形成されている。図２に示す例では、筐体３１が磁気シール４４を兼ねた構造としている。

加熱体３５と各ウェハＷとの間には、複数の第１ガス供給口４５ａを備えた第１ガス供給ノズル（ガスノズル）４５が設けられている。また、反応管３２と断熱材４２の間には、第２ガス供給口４６ａを備えた第２ガス供給ノズル４６が設けられている。

第１ガス供給ノズル４５は、例えば、カーボングラファイト等で中空パイプ状に形成され、その先端側は加熱体３５の上方側まで延在しており、第１ガス供給ノズル４５の各第１ガス供給口４５ａは各ウェハＷの側面に向けられている。第１ガス供給ノズル４５の基端側は、マニホールド３３を貫通しつつ、当該マニホールド３３に溶接等により固定されている。第１ガス供給ノズル４５は、少なくとも、Ｓｉ原子含有ガスとして例えばモノシラン（ＳｉＨ_４）ガス、Ｃｌ原子含有ガスとして例えば塩化水素（ＨＣｌ）ガス、Ｃ原子含有ガスとして例えばプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガス、還元ガスとして例えば水素（Ｈ_２）ガスとをそれぞれ混合した状態とし、この反応ガスを各ウェハＷに向けて供給するようになっている。

第１ガス供給ノズル４５は、第１ガスライン４７に接続されている。第１ガスライン４７は、流量制御器（流量制御手段）としての各ＭＦＣ（Mass Flow Controller）４９ａ、４９ｂ、４９ｃ、４９ｄおよび各バルブ５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄを介して、各ガス源５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄに接続されている。なお、各ガス源５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄには、例えば、ＳｉＨ_４ガス、ＨＣｌガス、Ｃ_３Ｈ_８ガス、Ｈ_２ガスがそれぞれ充填されている。

この構成により、例えば、ＳｉＨ_４ガス、ＨＣｌガス、Ｃ_３Ｈ_８ガス、Ｈ_２ガスのそれぞれの供給流量、濃度、分圧等を制御することができる。各バルブ５０ａ〜５０ｄおよび各ＭＦＣ４９ａ〜４９ｄは、コントローラ８０（図１参照）のガス流量制御部８３（後述する図６参照）に電気的に接続されている。ガス流量制御部８３は、供給すべきそれぞれの反応ガスの流量を所定流量とするよう、所定のタイミングで制御するようになっている。

ここで、第１ガス供給ノズル４５は、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを混合して供給するプレミックス方式によるものとして記載したが、これらのガスが独立したノズルによって供給されるセパレート方式によるものとしてもよい。具体的には、第１ガス供給ノズル４５を複数本設け、ノズル内でのガス反応を防止するために、Ｓｉ原子含有ガスを供給するガスラインと、Ｃ原子含有ガスを供給するガスラインとを異なるものとし、複数本設けた第１ガス供給ノズル４５のそれぞれに、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスを分けて供給するようにしてもよい。

このとき、Ｓｉ原子含有ガスを供給するガスラインと、Ｃ原子含有ガスを供給するガスラインについては、Ｃｌ原子含有ガスを、Ｓｉ原子含有ガスを供給するガスラインから供給し、還元ガスを、Ｃ原子含有ガスを供給するガスラインから供給するように、設けてもよい。

また、第１ガス供給ノズル４５については、不活性ガスとしてのＡｒを供給するように設けてもよい。

反応管３２と断熱材４２との間に配置された第２ガス供給ノズル４６の基端側は、マニホールド３３を貫通して当該マニホールド３３に溶接等により固定されている。第２ガス供給ノズル４６は、第２ガスライン４８に接続され、当該第２ガスライン４８は、ＭＦＣ４９ｅおよびバルブ５０ｅを介して、ガス源５１ｅに接続されている。なお、ガス源５１ｅには、例えば不活性ガスとして、希ガスのＡｒ（アルゴン）ガスが充填されている。ガス源５１ｅからの不活性ガスが第２ガス供給口４６ａから反応管３２と断熱材４２との間に供給されることにより、ＳｉＣエピタキシャル膜の成長に寄与する反応ガスが、反応管３２と断熱材４２との間に進入するのを防止し、反応管３２の内壁や断熱材４２の外壁に不要な生成物が付着するのを抑制できる。バルブ５０ｅおよびＭＦＣ４９ｅも、コントローラ８０（図１参照）のガス流量制御部８３（後述する図６参照）に電気的に接続されている。

なお、図２に示すように、第２ガス供給ノズル４６は、２本に分岐され、１本目の第２ガス供給ノズル４６が反応管３２と断熱材４２との間に配置され、２本目の第２ガス供給ノズル４６ｂが断熱材４２と加熱体３５との間に配置されていてもよい。第２ガス供給ノズル４６ｂには第２ガス供給口４６ｃが形成されている。ガス源５１ｅからの不活性ガスが第２ガス供給口４６ｃから断熱材４２と加熱体３５との間に供給されることにより、ＳｉＣエピタキシャル膜の成長に寄与する反応ガスが、断熱材４２と加熱体３５との間に進入するのを防止し、断熱材４２の内壁や加熱体３５の外壁に不要な生成物が付着するのを抑制できる。

反応管３２と断熱材４２との間および処理室３４内の雰囲気を排気するために、マニホールド３３の下側には、ガス排気口５２が設けられている。ガス排気口５２は、ガス排気管５３に接続されている。ガス排気管５３の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ（図示せず）および圧力調整器としてのＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ５４を介して、真空ポンプ等の真空排気装置５５が接続されている。

圧力センサおよびＡＰＣバルブ５４には、コントローラ８０（図１参照）の圧力制御部８４（後述する図６参照）が電気的に接続されている。圧力制御部８４は、圧力センサにより検出された圧力に基づき、所定のタイミングでＡＰＣバルブ５４の開度を調節（制御）するようになっている。これにより、処理室３４内のガスを、ガス排気口５２、ガス排気管５３およびＡＰＣバルブ５４を介して真空排気装置５５から外部に所定量排気することで、処理室３４内の圧力が所定圧力に調整される。

＜処理炉周辺の構成＞
次に、本処理炉周辺の構成について、図面を参照しながら説明する。図４および図５は、実施の形態における処理炉３０周辺の構成を示す図である。図４は、ボート９０が処理室３４に搬入されている状態を示し、図５は、ボート９０が処理室３４から搬出されている状態を示す。

図４に示すように、処理炉３０の下方には、処理炉３０の下端部を気密封止するための炉口蓋体としてシールキャップ２７が設けられている。シールキャップ２７の上面には、処理炉３０の下端部と当接するシール材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。前述したように、シールキャップ２７には、回転機構６１が設けられており、この回転機構６１の回転軸６２はシールキャップ２７を貫通してボート９０に接続されている。これにより、回転機構６１は、回転軸６２を介してボート９０を回転させることで、ボート９０に保持されているウェハＷを回転させるようになっている。

シールキャップ２７は、ボートエレベータ２４に設けられた昇降モータ６３により、垂直方向（縦方向）に移動（昇降）されるように構成されており、シールキャップ２７上に搭載されたボート９０も、ボートエレベータ２４に設けられた昇降モータ６３により、処理室３４に対して搬入または搬出されるようになっている。上述した回転機構６１およびボートエレベータ２４を動作させる昇降モータ６３は、後述するコントローラ８０（図１参照）の駆動制御部８５（後述する図６参照）と電気的に接続されており、駆動制御部８５は、回転機構６１や昇降モータ６３が所定動作をするように制御する。

ボートエレベータ２４は、昇降モータ６３の他、下基板６４、昇降台６５、ガイドシャフト６６、ボール螺子６７および上基板６８を有する。

ロードロック室２３の外面には、下基板６４が設けられている。この下基板６４には、昇降台６５とスライド自在になっているガイドシャフト６６および昇降台６５と螺合するボール螺子６７が設けられている。そして、下基板６４に設けられたガイドシャフト６６およびボール螺子６７の上端には、上基板６８が設けられている。ボール螺子６７は、上基板６８に設けられた昇降モータ６３によって回転され、ボール螺子６７が回転することにより、昇降台６５が昇降するようになっている。

昇降台６５には中空の昇降シャフト６９が設けられ、昇降台６５と昇降シャフト６９の連結部は気密となっており、この昇降シャフト６９は昇降台６５とともに昇降するように構成されている。昇降シャフト６９は、ロードロック室２３の天板７０を貫通している。ロードロック室２３と昇降台６５との間には、昇降シャフト６９の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてベローズ７１が設けられており、このベローズ７１によりロードロック室２３が気密に保たれるようになっている。

昇降シャフト６９の下端には、昇降基板７２が水平に固着され、この昇降基板７２の下面にはＯリングなどのシール部材を介して駆動部カバー７３が気密に取り付けられている。昇降基板７２と駆動部カバー７３により駆動部収納ケース７４が構成され、この構成により、駆動部収納ケース７４の内部は、ロードロック室２３内の雰囲気と隔離される。

駆動部収納ケース７４の内部には、ボート９０の回転機構６１が設けられており、この回転機構６１の周辺は、冷却機構７５によって冷却されるようになっている。回転機構６１には、回転機構６１に電力を供給するための電力ケーブル７６が、昇降シャフト６９の上端から中空部を通り、回転機構６１に導かれて接続されている。また、冷却機構７５およびシールキャップ２７には、冷却水流路７７が形成されている。さらに、冷却水配管７８が昇降シャフト６９の上端から中空部を通り、冷却水流路７７に導かれて接続されている。

処理炉周辺が上記したように構成されている場合において、ボートエレベータ２４は、昇降モータ６３が駆動されて、ボール螺子６７が回転することにより、昇降台６５および昇降シャフト６９を介して駆動部収納ケース７４を垂直方向（縦方向）に移動（昇降）させる。そして、ボートエレベータ２４が、駆動部収納ケース７４とともにボート９０を上昇させることにより、図４に示すように、ボート９０が処理室３４に搬入（ロード）され、昇降基板７２に気密に設けられているシールキャップ２７が処理炉３０の開口部である炉口７９を閉塞し、搬入（ロード）されたボート９０に搭載されているウェハＷの成膜処理が可能な状態となる。一方、ボートエレベータ２４が、駆動部収納ケース７４とともにボート９０を下降させることにより、図５に示すように、ボート９０が処理室３４から搬出（アンロード）され、搬出（アンロード）されたボート９０に搭載されているウェハＷを外部に搬出できる状態となる。

＜本実施の形態における基板処理装置の制御部の構成＞
続いて、本実施の形態における基板処理装置１０の制御部であるコントローラ８０の構成について、図面を参照しながら説明する。図６は、実施の形態における基板処理装置１０を制御するコントローラ８０の構成を示すブロック図である。

図６において、本実施の形態におけるコントローラ８０は、主制御部８１、温度制御部８２、ガス流量制御部８３、圧力制御部８４、および、駆動制御部８５を有している。そして、主制御部８１は、温度制御部８２、ガス流量制御部８３、圧力制御部８４、および、駆動制御部８５と電気的に接続されており、主制御部８１は、温度制御部８２、ガス流量制御部８３、圧力制御部８４、および、駆動制御部８５を制御するように構成されている。

温度制御部８２は、例えば、図２に示す誘導コイル３７、熱電対３８および放射温度計３９と電気的に接続されている。そして、温度制御部８２は、熱電対３８または放射温度計３９によって検出された温度情報に基づき、誘導コイル３７への通電具合を調節することで、処理室３４内の温度が所望の温度分布となるように制御するように構成されている。

ガス流量制御部８３は、例えば、図２に示すＭＦＣ４９ａ〜４９ｅおよびバルブ５０ａ〜５０ｅと電気的に接続されている。そして、ガス流量制御部８３は、それぞれ供給するガスの流量が所定の流量となるよう、ＭＦＣ４９ａ〜４９ｅおよびバルブ５０ａ〜５０ｅを制御可能に構成されている。

圧力制御部８４は、例えば、ＡＰＣバルブ５４および圧力センサ（図示せず）と電気的に接続されている。そして、圧力制御部８４は、圧力センサ（図示せず）によって検出された圧力に基づいて、ＡＰＣバルブ５４の開閉度を調節し、処理室３４内の圧力が所定圧力となるように制御可能に構成されている。

駆動制御部８５は、例えば、図４に示す回転機構６１および昇降モータ６３と電気的に接続されている。そして、駆動制御部８５は、回転機構６１および昇降モータ６３が所定動作をするように制御可能に構成されている。

以上のようにして、本実施の形態における基板処理装置１０がコントローラ８０によって制御される。

＜本実施の形態におけるボートの構成＞
続いて、本実施の形態におけるボート９０の構成について、図面を参照しながら説明する。図７は、実施の形態におけるボート９０の詳細構造を示す斜視図である。

図７に示すように、ボート９０は、上板（天板、第１の板部材）９１ａと、下板（底板、第２の板部材）９１ｂと、上板９１ａと下板９１ｂとの間に設けられ、両者を水平状態で支持する支柱としての第１ボート柱９２ａ、第２ボート柱９２ｂおよび第３ボート柱９２ｃとを備えている。上板９１ａ、下板９１ｂおよび各ボート柱９２ａ〜９２ｃは、何れもカーボングラファイトやＳｉＣ等の耐熱材料により形成され、これらは互いに嵌め込みやネジ止め等の接続手段により一体に組み付けられている。

なお、以下では、ボート９０がウェハを保持するものである例について説明するが、ウェハに代え、ウェハを搭載したウェハホルダ（図示せず）を保持するものでもよい。

各ボート柱９２ａ〜９２ｃは、何れも同じ形状に形成され、ボート９０を組み立てた状態のもとで、各ボート柱９２ａ〜９２ｃが対向する側には、切り欠きよりなる複数の保持溝ＨＳが設けられている。各保持溝ＨＳは、ウェハを取り外し可能に保持するもので、各ボート柱９２ａ〜９２ｃの長手方向に沿って所定間隔で、例えば３０段設けられている。ボート９０は、３０枚のウェハを、各々のウェハの主面が水平になるように、かつ、各々のウェハの中心が平面視で一致するように、垂直方向（縦方向）に積層した状態で保持するよう構成されている。そして、上板９１ａおよび下板９１ｂは、ボート９０が処理室３４に対して搬入または搬出される方向である垂直方向（縦方向）に沿って、ボート９０の両端に設けられている。すなわち、上板９１ａおよび下板９１ｂは、ボート９０の上下両端に設けられている。上板９１ａおよび下板９１ｂは、その断熱効果によりボート９０に保持されているウェハの温度を安定させるため、または、反応ガスの流れが乱れることを防止するために、設けられている。

第１ボート柱９２ａおよび第２ボート柱９２ｂは、上板９１ａおよび下板９１ｂの周方向に沿って９０度間隔となるよう配置されている。また、第２ボート柱９２ｂおよび第３ボート柱９２ｃは、上板９１ａおよび下板９１ｂの周方向に沿って１８０度間隔となるよう配置されている。つまり、第１ボート柱９２ａと第２ボート柱９２ｂとの間隔は、第２ボート柱９２ｂと第３ボート柱９２ｃとの間隔よりも狭くなっている。なお、第１ボート柱９２ａおよび第３ボート柱９２ｃは、第１ボート柱９２ａおよび第２ボート柱９２ｂの関係と同様に、上板９１ａおよび下板９１ｂの周方向に沿って９０度間隔となっている。各ボート柱９２ａ〜９２ｃの間隔のうちの最も広く開口した開口部分、つまり第２ボート柱９２ｂと第３ボート柱９２ｃとの間の開口部分は、ウェハを移載するための開口部となっている。

後述する基板処理工程では、ウェハＷの処理を開始する前に、処理室３４の内部の温度が処理室３４の外部の温度よりも高い状態で、ウェハＷを保持しているボート９０をボートエレベータ２４により上方に移動させ、ボート９０を処理室３４に搬入する（図４参照）。一方、ウェハＷの処理が終了した後は、処理室３４の内部の温度が処理室３４の外部の温度よりも高い状態で、ウェハＷを保持しているボート９０をボートエレベータ２４により下方に移動させ、ボート９０を処理室３４から搬出する（図５参照）。このように、処理室３４の内部の温度が処理室３４の外部の温度よりも高い状態で、ボート９０を処理室３４に対して搬入または搬出する際には、処理室３４の内部の温度と処理室３４の外部の温度との温度差により、ボート９０にかかる熱負荷が大きくなる。すなわち、ボート９０を処理室３４に対して搬入または搬出する際に、ボート９０が急速加熱または急速冷却される。ボート９０が急速加熱または急速冷却されると、上板９１ａおよび下板９１ｂの例えば熱伝導率などの材質または形状によっては、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、外周部と中央部との間に温度差が発生する。

ここで、外周部と中央部との温度差が大きいと、例えば熱膨張率などの材質によっては、上板９１ａおよび下板９１ｂに応力が加えられることで、上板９１ａおよび下板９１ｂが、割れるか、または、欠けること、すなわち破損することがある。

しかし、本実施の形態では、処理室３４の内部の温度が処理室３４の外部の温度よりも高い状態で、ボート９０を処理室３４に対して搬入または搬出する際に、上板９１ａおよび下板９１ｂにおける外周部と中央部との温度差を低減するように、上板９１ａの中央部および下板９１ｂの中央部が開口されたことを特徴とする。すなわち、上板９１ａの中央部に開口９３ａが形成され、下板９１ｂの中央部に開口９３ｂが形成されることで、ボート９０を処理室３４に対して搬入または搬出する際に、ボート９０が急速加熱または急速冷却された場合でも、上板９１ａおよび下板９１ｂにおける外周部と中央部との温度差を低減させることができる。これにより、外周部と中央部との温度差により上板９１ａおよび下板９１ｂに加えられる応力を低減させることができ、ボート９０を処理室３４に対して搬入または搬出する際に、上板９１ａおよび下板９１ｂが破損することを防止できる。また、上板９１ａの中央部に開口９３ａが形成されたことにより、処理室３４の上部における反応ガスの滞留も防止できる。

図７に示すように、上板９１ａおよび下板９１ｂは、好適には、円環状に形成されている。すなわち、上板９１ａは、好適には、円板状の板部材の中央部に円形状の開口９３ａが形成されたものであり、下板９１ｂは、好適には、円板状の板部材の中央部に円形状の開口９３ｂが形成されたものである。これにより、後述する基板処理工程において、上板９１ａおよび下板９１ｂの水平面内における温度分布を周方向に沿って均一にすることができ、ウェハに成膜される膜のウェハ面内における膜質の均一性の低下を抑制できる。

なお、図７に示すように、上板９１ａの上面側において、開口９３ａの内周面の全周にわたり段差部９４ａが設けられていてもよく、または、下板９１ｂの上面側において、開口９３ｂの内周面の全周にわたり段差部９４ｂが設けられていてもよい。

次に、上板および下板の中央部が開口されたことで、ボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、外周部と中央部との温度差を低減できる効果について、実施の形態の基板処理装置と比較例の基板処理装置とを比較しながら説明する。

まず、上板の中央部が開口されていないボートを有する基板処理装置を比較例の基板処理装置とし、この比較例について、ボートを処理室から搬出する際の上板の各点における温度、および、各点のうち最も外周部側の点における温度とそれ以外の点における温度との温度差を計算した。図８は、比較例におけるボート１９０の詳細構造を示す斜視図である。図９は、比較例におけるボート１９０の上板１９１ａ付近の詳細構造を示す断面図である。図１０は、図９に示す構造について計算した結果を示すグラフである。

図８に示すように、比較例のボート１９０は、上板（板部材）１９１ａと、下板（板部材）１９１ｂと、上板１９１ａと下板１９１ｂとの間に設けられ、両者を水平状態で支持する支柱としての第１ボート柱１９２ａ、第２ボート柱１９２ｂおよび第３ボート柱１９２ｃとを備えている。上板１９１ａの中央部が開口されていない点で、上板１９１ａは、実施の形態のボート９０の上板９１ａと異なる。また、下板１９１ｂの中央部が開口されていない点で、下板１９１ｂは、実施の形態のボート９０の下板９１ｂと異なる。その他、ボート柱１９２ａ〜１９２ｃは、実施の形態のボート９０のボート柱９２ａ〜９２ｃのそれぞれと同一である。さらに、比較例では、基板処理装置のうちボート１９０以外の各部分については、実施の形態の基板処理装置の各部分と同一であるものとする。

図９に示すように、中心軸ＣＡを中心とした円板状の上板１９１ａを同心円状に６分割し、６分割した各部分の点として、外周部側から中央部側に向かって、径方向に沿って、各点にＣＰ１０１〜ＣＰ１０６の番号を付している。図９に示す例では、各点ＣＰ１０１〜ＣＰ１０６の径方向に沿った間隔Ｌ１０１を１５ｍｍとし、最も中央部側の点ＣＰ１０６と中心軸ＣＡとの距離Ｌ１０２を１０ｍｍとした。

図１０では、ボート１９０を、内部の温度が８００℃である処理室３４から、温度が室温である処理室３４の外部すなわちロードロック室２３に搬出したときの、ＣＰ１０１〜ＣＰ１０６の各点における温度Ｔ１０１〜Ｔ１０６の時間変化を左側の縦軸と横軸のグラフで示し、ＣＰ１０２〜ＣＰ１０６の各点における温度と点ＣＰ１０１における温度との温度差Ｄ１０２〜Ｄ１０６の時間変化を右側の縦軸と横軸のグラフで示している。点ＣＰ１０１における温度をＴ１０１とし、点ＣＰ１０２における温度をＴ１０２とし、点ＣＰ１０３における温度をＴ１０３とし、点ＣＰ１０４における温度をＴ１０４とし、点ＣＰ１０５における温度をＴ１０５とし、点ＣＰ１０６における温度をＴ１０６とする。また、温度Ｔ１０２と温度Ｔ１０１との温度差をＤ１０２とし、温度Ｔ１０３と温度Ｔ１０１との温度差をＤ１０３とし、温度Ｔ１０４と温度Ｔ１０１との温度差をＤ１０４とし、温度Ｔ１０５と温度Ｔ１０１との温度差をＤ１０５とし、温度Ｔ１０６と温度Ｔ１０１との温度差をＤ１０６とする。

図１０に示すように、温度Ｔ１０１〜Ｔ１０６は、冷却開始後、時間経過に伴って単調に減少する。しかし、温度差Ｄ１０２〜Ｄ１０６は０ではなく、冷却開始後、時間経過に伴っていったん増加して最大となり、その後、時間経過に伴って単調に減少する。また、同時間（同時刻）において、Ｄ１０２〜Ｄ１０６のうち最も大きい値を示すのはＤ１０６である。すなわち、最も外周部側の点ＣＰ１０１との温度差が最も大きくなる点は、最も中央部側の点ＣＰ１０６であり、このことは、外周部との温度差が最も大きい部分が中央部であることを意味する。また、Ｄ１０６が最も大きくなるときに、約３２℃の値を示す。すなわち、外周部と中央部との温度差の最大値は、約３２℃となる。

一方、上板の中央部が開口されたボートを有する実施の形態の基板処理装置について、ボートを処理室から搬出する際の上板の各点における温度、および、各点のうち最も外周部側の点における温度とそれ以外の点における温度との温度差を計算した。図１１は、実施の形態におけるボート９０の上板９１ａ付近の詳細構造を示す断面図である。図１２は、図１１に示す構造について計算した結果を示すグラフである。

なお、図７では、上板９１ａの開口９３ａに段差部９４ａが設けられた例を示しているが、以下の計算では、計算を簡単にするために、上板９１ａの開口９３ａに段差部が設けられていない例を、計算用の構造（図１１参照）として用いた。

図１１に示すように、中心軸ＣＡを中心とした円板状の上板９１ａの中央部に開口９３ａを形成し、円環状の形状とした例について、円環状の部分を同心円状に３分割し、３分割した各部分の点として、外周部側から中央部側に向かって、径方向に沿って、各点にＣＰ１〜ＣＰ３の番号を付している。図１１に示す例では、各点ＣＰ１〜ＣＰ３の径方向に沿った間隔Ｌ１を１５ｍｍとし、最も中央部側の点ＣＰ３と中心軸ＣＡとの距離Ｌ２を５５ｍｍとした。

図１２では、ボート９０を、内部の温度が８００℃である処理室３４から、温度が室温である処理室３４の外部すなわちロードロック室２３に搬出したときの、ＣＰ１〜ＣＰ３の各点における温度Ｔ１〜Ｔ３の時間変化を左側の縦軸と横軸のグラフで示し、ＣＰ２およびＣＰ３の各点における温度と点ＣＰ１における温度との温度差Ｄ２およびＤ３の時間変化を右側の縦軸と横軸のグラフに示している。点ＣＰ１における温度をＴ１とし、点ＣＰ２における温度をＴ２とし、点ＣＰ３における温度をＴ３とする。また、温度Ｔ２と温度Ｔ１との温度差をＤ２とし、温度Ｔ３と温度Ｔ１との温度差をＤ３とする。

図１２に示すように、温度Ｔ１〜Ｔ３は、冷却開始後、時間経過に伴って単調に減少する。しかし、温度差Ｄ２およびＤ３は０ではなく、冷却開始後、時間経過に伴っていったん増加して最大となり、その後、時間経過に伴って単調に減少する。また、同時間（同時刻）において、Ｄ２およびＤ３のうちより大きい値を示すのはＤ３である。すなわち、最も外周部側の点ＣＰ１との温度差が最も大きくなる点は、最も中央部側の点ＣＰ３であり、このことは、外周部との温度差が最も大きい部分が最も中央部側の部分であることを意味する。しかし、Ｄ３が最も大きくなるときでも、その最大値は約８℃であり、中央部が開口されていない場合（比較例）の各点と外周部との温度差の最大値である３２℃の略４分の１である。

上記した図１０および図１２の計算結果より、同一の温度条件では、本実施の形態の上板の方が、比較例の上板に比べ、外周部と中央部側の部分との温度差が小さくなることが分かった。また、ボートを処理室に搬入する際についても同様の計算結果が得られた。さらに、下板についても、上板についての計算結果と同様の計算結果が得られた。したがって、本実施の形態では、比較例に比べ、ボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、ボートが急速加熱または急速冷却された場合でも、上板および下板における外周部と中央部との温度差を低減させることができる。これにより、外周部と中央部との温度差により上板および下板に加えられる応力を低減させることができ、上板および下板が破損することを防止できる。

なお、図９から図１２を用いて説明した計算の条件は一例であり、例えば冷却開始時のボートの温度（設定温度）、または、例えば熱伝導率などの材質が異なる場合には、上板（または下板）の中央部が開口されていないとき、外周部と中央部との温度差がさらに大きくなる。あるいは、例えばボートの冷却速度を増加させるために、ボートまたはボートに保持されているウェハに冷却ガスを吹き付けて冷却する場合には、上板（または下板）の中央部が開口されていないとき、外周部と中央部との温度差がさらに大きくなる。これらの場合には、本実施の形態により上板および下板が破損することを防止する効果はさらに大きくなる。

また、上板および下板は、それらの一方のみの中央部が開口されたものでもよい。この場合、上板および下板のいずれの中央部も開口された場合よりは効果は少ないものの、上板および下板のいずれの中央部も開口されていない場合に比べ、ボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、ボートが急速加熱または急速冷却された場合でも、上板または下板が破損することを防止できる。

＜変形例＞
続いて、本実施の形態の変形例におけるボート９０ａの構成について、図面を参照しながら説明する。図１３は、実施の形態の変形例におけるボート９０ａの詳細構造を示す斜視図である。図１４は、実施の形態の変形例におけるボート９０ａの上板９１ａ付近の詳細構造を示す断面図である。

本変形例でも、実施の形態と同様に、処理室３４の内部の温度が処理室３４の外部の温度よりも高い状態で、ボート９０ａを処理室３４に対して搬入または搬出する際に、上板９１ａおよび下板９１ｂにおける外周部と中央部との温度差を低減するように、上板９１ａの中央部および下板９１ｂの中央部が開口されたことを特徴とする。すなわち、上板９１ａの中央部には開口９３ａが形成され、下板９１ｂの中央部には開口９３ｂが形成されており、これにより、ボート９０ａを処理室３４に対して搬入または搬出する際に、ボート９０ａが急速加熱または急速冷却された場合でも、上板９１ａおよび下板９１ｂが破損することを防止できる。また、上板９１ａの中央部に開口９３ａが形成されたことにより、処理室３４の上部における反応ガスの滞留も防止できる。

ただし、本変形例では、ボート９０ａは、実施の形態とは異なり、開口９３ａおよび９３ｂの各々を塞ぐように設けられた、蓋部材９５ａおよび９５ｂを有する。これにより、後述する基板処理工程において、上板９１ａおよび下板９１ｂの中央部が開口されたことによる上板９１ａおよび下板９１ｂの断熱効果の低減を補償することができ、ウェハ間およびウェハ面内におけるウェハの温度の均一性の低下を抑制することができる。また、後述する基板処理工程において、上板９１ａの開口９３ａを通って、反応ガスが、ウェハ周辺からボート９０ａの上方に流出、または、ボート９０ａの上方からウェハ周辺に流入するなどして、反応ガスの流れが乱れることを防止でき、ウェハに成膜される膜のウェハ間およびウェハ面内における膜質の均一性の低下を抑制できる。

蓋部材９５ａおよび９５ｂの材質は、上板９１ａおよび下板９１ｂの材質と同一でなくてもよい。蓋部材９５ａおよび９５ｂの材質として、例えば上板９１ａおよび下板９１ｂの材質よりも熱伝導率の高い材質が、好適に用いられる。蓋部材９５ａおよび９５ｂの材質の熱伝導率が、上板９１ａおよび下板９１ｂの材質の熱伝導率よりも高いときは、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、例えば周方向に沿った温度の均一性を向上させることができ、ボート９０ａを処理室３４に対して搬入または搬出する際に、ボート９０ａが急速加熱または急速冷却された場合でも、上板９１ａおよび下板９１ｂが破損することをより確実に防止できる。

また、蓋部材９５ａおよび９５ｂの厚さは、上板９１ａおよび下板９１ｂの厚さと同一でなくてもよい。蓋部材９５ａおよび９５ｂの厚さとして、上板９１ａおよび下板９１ｂの中央部が開口されたことによる上板９１ａおよび下板９１ｂの断熱効果の低減を所望量補償するために必要な最低限の厚さを有しているものが、好適に用いられる。

実施の形態と同様に、図１３および図１４に示すように、上板９１ａおよび下板９１ｂは、好適には、円環状に形成されている。すなわち、上板９１ａは、好適には、円板状の板部材の中央部に円形状の開口９３ａが形成されたものであり、下板９１ｂは、好適には、円板状の板部材の中央部に円形状の開口９３ｂが形成されたものである。これにより、後述する基板処理工程において、上板９１ａおよび下板９１ｂの水平面内における温度分布を周方向に沿って均一にすることができ、ウェハに成膜される膜のウェハ面内における膜質の均一性の低下を抑制できる。

上記したように、上板９１ａが円環状に形成されているとき、好適には、図１３に示すように、上板９１ａの上面側において、開口９３ａの内周面の全周にわたり段差部９４ａが設けられている。このような構造を有するとき、図１４に示すように、上板９１ａの開口９３ａの径方向に沿った縦断面形状は、Ｌ字形状を有する。その結果、開口９３ａのうち上面側の部分９３ｃの開口径ＤＩ１は、開口９３ａのうち下面側の部分９３ｄの開口径ＤＩ２よりも大きくなる。そして、蓋部材９５ａの外径をＤＩ３とするとき、ＤＩ３がＤＩ２よりも大きく、かつ、ＤＩ１よりも小さくなるようにする。このような形状を有する蓋部材９５ａが段差部９４ａにより保持されることで、蓋部材９５ａは、開口９３ａを塞ぐとともに、開口９３ａに嵌め込まれる。これにより、ボート９０ａを処理室３４に対して搬入または搬出する際、あるいは、ボート９０ａを回転させる際に、蓋部材９５ａが開口９３ａから外れることを防止できる。

さらに、好適には、図１４に示すように、蓋部材９５ａの外周面のうち下面側の部分が全周にわたり切り欠かれることで、蓋部材９５ａの外周面に全周にわたり庇部９６が設けられており、蓋部材９５ａの外周部の径方向に沿った縦断面形状も、上下反転したＬ字形状を有する。その結果、蓋部材９５ａのうち上面側の部分９５ｃの外径ＤＩ３は、蓋部材９５ａのうち下面側の部分９５ｄの外径ＤＩ４よりも大きくなる。そして、ＤＩ４がＤＩ２よりも小さくなるようにする。このような形状を有する蓋部材９５ａについては、庇部９６が段差部９４ａにより保持されることで、庇部９６が開口９３ａを塞ぎ、蓋部材９５ａのうち上面側の部分９５ｃが開口９３ａのうち上面側の部分９３ｃに嵌め込まれるとともに、蓋部材９５ａのうち下面側の部分９５ｄが開口９３ａのうち下面側の部分９３ｄに嵌め込まれる。これにより、ボート９０ａを処理室３４に対して搬入または搬出する際、あるいは、ボート９０ａを回転させる際に、蓋部材９５ａが開口９３ａから外れることをさらに確実に防止できる。また、上板９１ａおよび下板９１ｂの断熱効果の低減をさらに確実に補償することができ、上板９１ａの開口９３ａを通って、反応ガスが、ウェハ周辺からボート９０ａの上方に流出、または、ボート９０ａの上方からウェハ周辺に流入するなどして、反応ガスの流れが乱れることをさらに確実に防止できる。

さらに、下板９１ｂが円環状に形成されているときも、好適には、図１３に示すように、下板９１ｂの上面側において、開口９３ｂの内周面の全周にわたり段差部９４ｂが設けられており、このとき、上板９１ａの上面側において、開口９３ａの内周面の全周にわたり段差部９４ａが設けられている場合と同様の効果を有する。

なお、本変形例においても、実施の形態と同様に、上板および下板は、それらの一方のみの中央部が開口されたものでもよい。この場合、上板および下板のいずれの中央部も開口された場合よりは効果は少ないものの、上板および下板のいずれの中央部も開口されない場合に比べ、ボートを処理室に対して搬入または搬出する際に、ボートが急速加熱または急速冷却された場合でも、上板または下板が破損することを防止できる。

また、上板および下板のいずれの中央部にも開口が形成された場合には、上板および下板は、上板の開口および下板の開口のうち一方のみに蓋部材が設けられたものでもよい。この場合、上板の開口および下板の開口のいずれにも蓋部材が設けられた場合よりは効果は少ないものの、上板の開口および下板の開口のいずれにも蓋部材が設けられていない場合に比べ、断熱効果の低減を補償することができ、ウェハに成膜される膜のウェハ間およびウェハ面内における膜質の均一性の低下を抑制できる。

＜本実施の形態における基板処理装置を使用した基板処理工程＞
続いて、この基板処理装置１０を使用した基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。具体的に、本実施の形態では、基板処理工程の一工程として、ＳｉＣ等で構成されるウェハ等の基板上に、例えば、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する方法について説明する。図１５は、実施の形態の基板処理装置１０を使用した基板処理工程の一部を示すプロセスフロー図である。

図１に示すように、カセット搬入搬出口１５がフロントシャッタ１６によって開放される。その後、カセット１１はカセット搬入搬出口１５から搬入され、カセットステージ１７上に載置される。このとき、カセットステージ１７上に載置されるウェハＷは垂直姿勢になっており、かつ、カセット１１のウェハ出し入れ口が上方を向くように載置される。

次に、カセット１１は、カセット搬送装置２０によって、カセットステージ１７から取り上げられるとともに、カセット１１内のウェハが水平姿勢となり、かつ、カセット１１のウェハ出し入れ口が筐体１２の後方を向くように、筐体１２の後方に右周り縦方向へ９０°回転させられる。続いて、カセット１１は、カセット搬送装置２０によって、カセット棚１８あるいはバッファ棚１９の指定された位置へ自動的に搬送される。また、バッファ棚１９へ搬送されたカセット１１は、バッファ棚１９で一時的に保管された後、カセット搬送装置２０によってカセット棚１８に移載される。

カセット１１がカセット棚１８に移載されると、ウェハＷはカセット１１からウェハ移載装置２１ａのツイーザ２１ｃによりピックアップされる。ピックアップされたウェハＷは、ロードロック室２３に搬入され、ボート９０へ移載されて装填（チャージ）される。すなわち、ボート９０により、ウェハＷを保持する（図１５のステップＳ１１）。

予め指定された枚数のウェハＷをボート９０に装填（保持）した状態で、処理炉３０（処理室３４）の下端部を炉口シャッタ２５により開放する。続いて、図４に示すように、シールキャップ２７をボートエレベータ２４により上昇させ、シールキャップ２７に支持されたボート９０を処理室３４に搬入（ロード）する（図１５のステップＳ１２）。具体的には、ボートエレベータ２４を構成する昇降モータ６３を上昇方向に回転駆動（正転駆動）させることにより、昇降台６５および昇降シャフト６９を上昇させる。これにより、ボート９０はロードロック室２３から処理室３４に向けて搬入（ロード）され、シールキャップ２７はＯリングを介して天板７０をシールし、炉口７９が閉じた状態となる。

本実施の形態では、ボート９０の上板９１ａの中央部および下板９１ｂの中央部が開口されている（図７参照）。したがって、スループットの観点で有利なように、あるバッチ処理の後、次のバッチ処理をすぐ行う場合など、処理室３４の内部の温度が処理室３４の外部の温度よりも高い状態で、ボート９０を処理室３４に搬入する際に、ボート９０が急速加熱された場合でも、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、外周部と中央部側の部分との温度差を低減することができ、上板９１ａおよび下板９１ｂが破損することを防止することができる。

また、実施の形態のボート９０に代え、実施の形態の変形例のボート９０ａを用いる場合には、ボート９０ａには、上板９１ａの中央部に形成された開口９３ａおよび下板９１ｂの中央部に形成された開口９３ｂを塞ぐように、蓋部材９５ａおよび９５ｂが設けられている（図１３参照）。このときも、ボート９０ａを処理室３４に搬入する際に、ボート９０ａが急速加熱された場合でも、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、外周部と中央部側の部分との温度差を低減することができ、上板９１ａおよび下板９１ｂが破損することを防止することができる。また、蓋部材９５ａおよび９５ｂの材質の熱伝導率が、上板９１ａおよび下板９１ｂの材質の熱伝導率よりも高いときは、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、例えば周方向に沿った温度の均一性を向上させることができる。

一方、ボート９０を処理室３４に搬入した後、処理室３４の内部圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気装置５５が駆動され、処理室３４が真空排気（真空引き）される。このとき、処理室３４の内部圧力は、圧力センサによって測定され、測定された圧力に基づいてガス排気口５２に連通するＡＰＣバルブ５４がフィードバック制御される。その結果、処理室３４の内部圧力は、１６０００〜９３３１０Ｐａの範囲から選択される処理圧力のうち、一定の処理圧力に調整される。

そして、冷却水配管７８に冷却水を流通させるなど冷却機構７５を動作させた状態で、処理炉３０内の少なくとも加熱体３５を誘導加熱し、加熱体３５からの輻射熱によって、処理室３４内のボート９０に保持された各ウェハＷを加熱する。つまり、誘導コイル３７に高周波電流を流すと、処理炉３０内に高周波電磁界が発生し、この高周波電磁界により被誘導体である加熱体３５に渦電流が発生する。そして、加熱体３５は、渦電流によって誘導加熱が起こって昇温され、その後、加熱体３５からの輻射熱により、処理室３４に搬入されたボート９０に保持されているウェハが加熱される。

加熱体３５を誘導加熱する際、温度制御部８２は、処理炉３０（処理室３４）内が所望の温度分布となるように熱電対３８または放射温度計３９により検出した温度情報を監視し、この温度情報に基づいて誘導コイル３７への通電具合をフィードバック制御するようにしている。

このとき、回転機構６１を回転駆動してボート９０を回転させ、各ウェハＷを処理室３４内で回転させる。そして、ＭＦＣ４９ａ〜４９ｄおよびバルブ５０ａ〜５０ｄを制御し、これにより、ＳｉＣエピタキシャル膜の成膜に寄与するＳｉ原子含有ガス（ＳｉＨ_４ガス）、Ｃｌ原子含有ガス（ＨＣｌガス）、Ｃ原子含有ガス（Ｃ_３Ｈ_８ガス）および還元ガス（Ｈ_２ガス）を、各ガス源５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄから供給する。すると、これらのガスは第１ガスライン４７内で混合されて、その後、反応ガスとして、第１ガスライン４７を介して第１ガス供給ノズル４５の各第１ガス供給口４５ａから、処理室３４内の各ウェハＷに向けて噴射される。各第１ガス供給口４５ａから噴射された反応ガスは、各ウェハＷに接触する。これにより、各ウェハＷの表面上等に、ＳｉＣエピタキシャル膜が成膜される。すなわち、ウェハＷを加熱しつつ処理する（図１５のステップＳ１３）。各ウェハＷに接触した後、反応ガスは、ガス排気口５２からガス排気管５３を介して外部に排気される。

このとき、ＭＦＣ４９ｅおよびバルブ５０ｅが制御され、ガス源５１ｅからの不活性ガスとしてのＡｒガス（希ガス）が所定の流量となるように調整される。そして、Ａｒガスは、第２ガスライン４８、第２ガス供給口４６ａおよび４６ｃを介して反応管３２と断熱材４２との間、および、断熱材４２と加熱体３５との間に供給される。第２ガス供給口４６ａおよび４６ｃを介して供給された後、Ａｒガスは、ガス排気口５２からガス排気管５３を介して外部に排気される。

なお、実施の形態のボート９０に代え、実施の形態の変形例のボート９０ａ（図１３参照）を用いる場合には、ボート９０ａに蓋部材９５ａおよび９５ｂが設けられたことで、上板９１ａおよび下板９１ｂの中央部が開口されたことによる上板９１ａおよび下板９１ｂの断熱効果の低減を補償することができ、ウェハ間およびウェハ面内におけるウェハの温度の均一性の低下を抑制することができる。また、上板９１ａの開口９３ａを通って、反応ガスが、ウェハ周辺からボート９０ａの上方に流出、または、ボート９０ａの上方からウェハ周辺に流入するなどして、反応ガスの流れが乱れることを防止でき、ウェハに成膜される膜のウェハ間およびウェハ面内における膜質の均一性の低下を抑制できる。

一方、成膜処理の後、予め設定された時間が経過すると、誘導コイル３７への高周波電流の印加を停止させる等して、処理室３４内の温度の下降を開始する。そして、処理室３４内の圧力を所望の圧力とするため、真空排気装置５５を作動させて、処理室３４内の雰囲気をガス排気口５２から外部へ排気（真空引き）しつつ、処理室３４の内部圧力を減圧する。続いて、不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスとして、例えば、Ｎ_２ガスを処理室３４内に供給して処理室３４内を不活性ガスに置換し、処理室３４内の圧力を常圧に復帰させる。

続いて、図５に示すように、シールキャップ２７をボートエレベータ２４により下降させ、シールキャップ２７に支持されたボート９０を処理室３４から搬出（アンロード）する（図１５のステップＳ１４）。具体的には、ボートエレベータ２４を構成する昇降モータ６３を下降方向に回転駆動（逆転駆動）させることにより、昇降台６５および昇降シャフト６９を下降させる。これにより、シールキャップ２７が下降して炉口７９が開くとともに、処理済の各ウェハＷがボート９０に保持された状態で、ボート９０が処理室３４からロードロック室２３に向けて搬出（アンロード）される。

本実施の形態では、ボート９０の上板９１ａの中央部および下板９１ｂの中央部が開口されている（図７参照）。したがって、スループットの観点で有利なように、あるバッチ処理の後、処理室３４の内部の温度が処理室３４の外部の温度よりも高い状態で、ボート９０を処理室３４から搬出する際に、ボート９０が急速冷却された場合でも、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、外周部と中央部側の部分との温度差を低減することができ、上板９１ａおよび下板９１ｂが破損することを防止することができる。

また、実施の形態のボート９０に代え、実施の形態の変形例のボート９０ａを用いる場合には、ボート９０ａには、上板９１ａの中央部に形成された開口９３ａおよび下板９１ｂの中央部に形成された開口９３ｂを塞ぐように、蓋部材９５ａおよび９５ｂが設けられている（図１３参照）。このときも、ボート９０ａを処理室３４から搬出する際に、ボート９０ａが急速冷却された場合でも、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、外周部と中央部側の部分との温度差を低減することができ、上板９１ａおよび下板９１ｂが破損することを防止することができる。また、蓋部材９５ａおよび９５ｂの材質の熱伝導率が、上板９１ａおよび下板９１ｂの材質の熱伝導率よりも高いときは、上板９１ａおよび下板９１ｂにおいて、例えば周方向に沿った温度の均一性を向上させることができる。

一方、ボート９０が処理室３４から搬出された後は、概ね上述した動作と逆の動作により、処理済みのウェハおよびカセット１１が筐体１２の外部へ払い出される。

以上のようにして、基板処理装置１０を動作させ、各ウェハの表面上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成することができる。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

前記実施の形態では、高周波誘導加熱方式によって加熱体を加熱する基板処理装置を例に挙げて説明したが、本発明の技術的思想は、これに限らず、例えば、抵抗加熱方式の基板処理装置や、ランプ加熱方式の基板処理装置などの他の加熱方式の基板処理装置にも幅広く適用することができる。

また、前記実施の形態では、ウェハにＳｉＣエピタキシャル膜を形成する基板処理装置を例にして説明したが、本発明の技術的思想は、これに限らず、ウェハにＳｉＣ以外の膜を高温で成膜する基板処理装置およびウェハを高温で酸化処理する基板処理装置その他のウェハを高温で処理する基板処理装置にも幅広く適用することができる。

また、前記実施の形態では、ウェハを垂直方向（縦方向）に積層した状態で保持する基板処理装置を例にして説明したが、本発明の技術的思想は、これに限らず、例えば、ウェハを水平方向（横方向）に積層した状態で保持する基板処理装置にも適用することができる。本発明の技術的思想を、ウェハを水平方向（横方向）に積層した状態で保持する基板処理装置に適用するときは、ボートエレベータは、ボートを水平方向に移動させることで、ボートを処理室に対して搬入または搬出する搬入搬出部として機能する。また、ボートは、ボートが処理室に対して搬入または搬出される方向である水平方向（横方向）に沿って、ボートの両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有するものであり、第１の板部材または第２の板部材は、外周部と中央部との温度差を低減するように、中央部が開口されたものである。

最後に本発明の好ましい主な態様を以下に付記する。

〔付記１〕
基板を処理するための処理室と、
前記基板を保持する保持部と、
前記基板を保持している前記保持部を前記処理室に対して搬入または搬出する搬入搬出部と、
前記保持部が前記搬入搬出部により前記処理室に搬入された状態で、前記保持部に保持されている前記基板を加熱する加熱部と、
を有し、
前記保持部は、前記保持部が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記保持部の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有し、
前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、中央部に開口が形成されており、
形成された前記開口を塞ぐように、蓋部材が設けられたことを特徴とする基板処理装置。

〔付記２〕
（ａ）保持部により基板を保持する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、基板を処理するための処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記基板を保持している前記保持部を前記処理室に搬入する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記保持部に保持されている前記基板を加熱部により加熱しつつ処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記保持部を前記処理室から搬出する工程、
を有する基板処理方法であって、
前記保持部は、前記保持部が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記保持部の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有し、
前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、中央部に開口が形成されており、
形成された前記開口を塞ぐように、蓋部材が設けられたことを特徴とする基板処理方法。

〔付記３〕
基板を処理するための処理室を有する基板処理装置に備えられ、前記基板を保持し、前記処理室に対して搬入または搬出される基板保持具において、
前記基板保持具が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記基板保持具の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有し、
前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、中央部に開口が形成されており、
形成された前記開口を塞ぐように、蓋部材が設けられており、
前記基板処理装置は、前記基板を保持している前記基板保持具が前記処理室に搬入された状態で、前記基板保持具に保持されている前記基板を加熱するものであることを特徴とする基板保持具。

〔付記４〕
（ａ）保持部により基板を保持する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、基板を処理するための処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記基板を保持している前記保持部を前記処理室に搬入する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記保持部に保持されている前記基板を加熱部により加熱しつつ処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記保持部を前記処理室から搬出する工程、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記保持部は、前記保持部が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記保持部の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有し、
前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、中央部に開口が形成されており、
形成された前記開口を塞ぐように、蓋部材が設けられたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。

１０…基板処理装置、１１…カセット、１２…筐体、１２ａ…正面壁、１３…正面メンテナンス口、１４…正面メンテナンス扉、１５…カセット搬入搬出口、１６…フロントシャッタ、１７…カセットステージ、１８…カセット棚、１９…バッファ棚、２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウェハ移載機構、２１ａ…ウェハ移載装置、２１ｂ…ウェハ移載装置エレベータ、２１ｃ…ツイーザ、２２…クリーンユニット、２３…ロードロック室（移載室）、２４…ボートエレベータ、２５…炉口シャッタ、２６…アーム、２７…シールキャップ、３０…処理炉（反応炉）、３１…筐体、３２…反応管、３３…マニホールド、３３ａ…ウォール、３４…処理室（反応室）、３５…加熱体（被誘導体）、３６…支持部材、３７…誘導コイル、３８…熱電対、３９…放射温度計、４０…被測定部、４１…ビューポート、４２…断熱材、４３…外側断熱壁、４４…磁気シール、４５…第１ガス供給ノズル、４５ａ…第１ガス供給口、４６…第２ガス供給ノズル、４６ａ…第２ガス供給口、４６ｂ…第２ガス供給ノズル、４６ｃ…第２ガス供給口、４７…第１ガスライン、４８…第２ガスライン、４９ａ〜４９ｅ…ＭＦＣ、５０ａ〜５０ｅ…バルブ、５１ａ〜５１ｅ…ガス源、５２…ガス排気口、５３…ガス排気管、５４…ＡＰＣバルブ、５５…真空排気装置、６０…ボート断熱部、６１…回転機構、６２…回転軸、６３…昇降モータ、６４…下基板、６５…昇降台、６６…ガイドシャフト、６７…ボール螺子、６８…上基板、６９…昇降シャフト、７０…天板、７１…ベローズ、７２…昇降基板、７３…駆動部カバー、７４…駆動部収納ケース、７５…冷却機構、７６…電力ケーブル、７７…冷却水流路、７８…冷却水配管、７９…炉口、８０…コントローラ、８１…主制御部、８２…温度制御部、８３…ガス流量制御部、８４…圧力制御部、８５…駆動制御部、９０…ボート、９０ａ…ボート、９１ａ…上板（板部材）、９１ｂ…下板（板部材）、９２ａ…第１ボート柱、９２ｂ…第２ボート柱、９２ｃ…第３ボート柱、９３ａ…開口、９３ｂ…開口、９３ｃ…部分、９３ｄ…部分、９４ａ…段差部、９４ｂ…段差部、９５ａ…蓋部材、９５ｂ…蓋部材、９５ｃ…部分、９５ｄ…部分、９６…庇部、ＣＡ…中心軸、ＣＰ１〜ＣＰ３…点、ＨＳ…保持溝、Ｗ…ウェハ

Claims (2)

1. 基板を処理するための処理室と、
   前記基板を保持する保持部と、
   前記基板を保持している前記保持部を前記処理室に対して搬入または搬出する搬入搬出部と、
   前記保持部が前記搬入搬出部により前記処理室に搬入された状態で、前記保持部に保持されている前記基板を加熱する加熱部と、
   を有し、
   前記保持部は、前記保持部が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記保持部の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有し、
   前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、前記処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記搬入搬出部が前記保持部を前記処理室に対して搬入または搬出する際に、前記一方の板部材の外周部と中央部との温度差を低減するように、前記中央部が開口されたことを特徴とする基板処理装置。
2. （ａ）保持部により基板を保持する工程、
   （ｂ）前記（ａ）工程の後、基板を処理するための処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記基板を保持している前記保持部を前記処理室に搬入する工程、
   （ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記保持部に保持されている前記基板を加熱部により加熱しつつ処理する工程、
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記処理室の内部の温度が前記処理室の外部の温度よりも高い状態で、前記保持部を前記処理室から搬出する工程、
   を有する基板処理方法であって、
   前記保持部は、前記保持部が前記処理室に対して搬入または搬出される方向に沿って、前記保持部の両端に設けられた、第１の板部材および第２の板部材を有し、
   前記第１の板部材および前記第２の板部材のうち一方の板部材は、前記（ｂ）工程または前記（ｄ）工程において、前記一方の板部材の外周部と中央部との温度差を低減するように、前記中央部が開口されたことを特徴とする基板処理方法。

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