JP2013214726A - 基板処理装置及びその保守方法、基板移載方法並びにプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、反応管および反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、反応管および/または基板保持具のメンテナンス時期になると、操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、を少なくとも備えた基板処理装置を構成する。
【選択図】 図7
Description
以下に、本発明の第1の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態に係る基板処理装置は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを実行することで基板に対する処理を行うものであり、複数枚の基板に対して同時に処理を行う縦型のバッチ式基板処理装置として構成されたものである。
図1に示すように、本実施形態に係る基板処理装置1は、耐圧容器として構成された筐体2を備えている。そして、筐体2の正面前方部には、基板収納容器であるポッド50を授受するための授受ステージ8が設けられている。
ウエハ移載部11は、図1または図2に示すように、ウエハ搬入搬出口を挟んで授受ステージ8と対向するように配置されたもので、授受ステージ8上のポッド50と、後述するボート移送部12に支持されるボート(基板保持具)21との間で、ウエハ7の移載を行うように構成されている。より具体的には、ウエハ移載部11は、送り螺子機構を有するエレベータ42と、このエレベータ42により昇降される昇降ベース43と、この昇降ベース43に回転可能に設けられた回転テーブル44と、この回転テーブル44に進退可能に設けられたウエハ移載ヘッド46とを具備する。ウエハ移載ヘッド46には、ウエハ7を保持するウエハ移載プレート47が、上下方向に所定段(本実施形態では5段)設けられている。そして、ウエハ移載部11は、昇降、回転、進退の協働により、ウエハ7をボート21に対して装填(ウエハチャージ)及び脱装(ウエハディスチャージ)することが可能に構成されている。
ボート移送部12は、図1または図2に示すように、ウエハ移載部11の後方領域(筐体2の正面前方からみた場合の背面側)に配置されたもので、ボート(基板保持具)21を支持する3つのステージ4,5,6を備えるとともに、各ステージ4,5,6の間でボート21の移送を行うように構成されている。
基板処理装置1の筐体2内には、図2に示すように、筐体2の一側面側に配置されたクリーンユニット3と、そのクリーンユニット3とは対向する側面側に配置された排気ファン9とによって、TRステージ5、ESステージ6からBLステージ4を経て流れるクリーンエア15の一方向流れが形成される。
次に、本実施形態にかかる処理炉13の構成を図面に基づいて説明する。図5は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1の処理炉13の縦断面図である。
図5に示すように、処理炉13は、反応管としてのプロセスチューブ103を備えている。プロセスチューブ103は、内部反応管としてのインナーチューブ104と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ105と、を備えている。インナーチューブ104は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ104は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ104内の筒中空部には、基板としてのウエハ7を処理する処理室101が形成される。そのために、インナーチューブ104は、ボート21が装入され、その装入されたボート21を収容可能なように構成されている。アウターチューブ105は、インナーチューブ104と同心円状に設けられている。アウターチューブ105は、内径がインナーチューブ104の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ105は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。
プロセスチューブ103の外側には、プロセスチューブ103の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ106が設けられている。ヒータ106は、ヒータ素線に電力が供給されて発熱するように構成されており、保持板としてのヒータベース151に支持されることにより垂直に据え付けられている。インナーチューブ104とアウターチューブ105との間には、温度検知器としての温度センサ163が設置されている。これらヒータ106と温度センサ163とは、後述のコントローラ部200における温度制御サブコントローラ202に電気的に接続されている。
アウターチューブ105の下方には、アウターチューブ105と同心円状になるように、マニホールド109が配設されている。マニホールド109は、例えばステンレス等により構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド109は、インナーチューブ104の下端部とアウターチューブ105の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド109とアウターチューブ105との間には、シール部材としてのOリング120aが設けられている。図示しないがマニホールド109がヒータベース151に支持されることにより、プロセスチューブ103は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ103とマニホールド109とにより反応容器が形成される。
マニホールド109には、処理室101内にシリコン含有ガスとして例えばジクロロシラン(SiH2Cl2、略称:DCS)ガスを供給するノズル130aが、処理室101内に連通するように設けられている。ノズル130aの上流端には、ガス供給管132aの下流端が接続されている。ガス供給管132aには、上流側から順に、シリコン含有ガス供給源としてのSiH2Cl2ガス供給源171、バルブ162a、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)141a、及びバルブ161aが設けられている。主に、ノズル130a、ガス供給管132a、MFC141a、バルブ161a,162a、SiH2Cl2ガス供給源171により、シリコン含有ガス供給系が構成される。MFC141a、バルブ161a,162aには、後述するコントローラ部200におけるガス制御サブコントローラ204が電気的に接続されている。
マニホールド109には、処理室101内に窒素含有ガスとして例えばアンモニア(NH3)ガスを供給するノズル130bが、処理室101内に連通するように設けられている。ノズル130bの上流端には、ガス供給管132bの下流端が接続されている。ガス供給管132bには、上流側から順に、窒素含有ガス供給源としてのNH3ガス供給源172、バルブ162b、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)141b、及びバルブ161bが設けられている。主に、ノズル130b、ガス供給管132b、MFC141b、バルブ161b,162b、NH3ガス供給源172により、窒素含有ガス供給系が構成される。MFC141b、バルブ161b,162bには、後述するコントローラ部200におけるガス制御サブコントローラ204が電気的に接続されている。
ガス供給管132aのバルブ161aよりも下流側には、処理室101内にクリーニングガスとして例えばフッ化窒素(NF3)ガスを供給するガス供給管132eが接続されている。ガス供給管132eには、上流側から順に、クリーニングガス供給源としてのNF3ガス供給源174、バルブ162e、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)141e、及びバルブ161eが設けられている。
ガス供給管132aのバルブ161aの下流側には、処理室101内に不活性ガスとして窒素(N2)ガスを供給するガス供給管132cが接続されている。ガス供給管132cには、上流側から順に、不活性ガス供給源としてのN2ガス供給源173、バルブ162c、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)141c、及びバルブ161cが設けられている。
マニホールド109には、処理室101内の雰囲気を排気する排気管131が設けられている。排気管131は、インナーチューブ104とアウターチューブ105との隙間によって形成される筒状空間150の下端部に配置されており、筒状空間150に連通している。排気管131の下流側(マニホールド109との接続側と反対側)には、圧力検出器としての圧力センサ145、及び可変コンダクタンスバルブ、例えばAPC(Auto Pressure Controller)バルブ等の圧力調整装置142を介して、真空ポンプ等の真空排気装置146が設けられている。真空排気装置146は、処理室101内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう排気するように構成されている。圧力調整装置142及び圧力センサ145には、後述するコントローラ部200における圧力制御サブコントローラ203が電気的に接続されている。
マニホールド109の下方は、ボート移送部12のボートエレベータ20が具備するシールキャップ19によって気密に閉塞される。すなわち、シールキャップ19は、マニホールド109の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体として機能し、マニホールド109の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ19は、例えばステンレス等の金属により、円盤状に形成されている。シールキャップ19の上面には、マニホールド109の下端と当接するシール部材としてのOリング120bが設けられている。
シールキャップ19の中心部付近であって処理室101と反対側には、ボート21を回転させる回転機構154が設置されている。回転機構154の回転軸155は、シールキャップ19を貫通してボート21を下方から支持している。回転機構154は、ボート21を回転させることでウエハ7を回転させることが可能に構成されている。
シールキャップ19は、プロセスチューブ103の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ20によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ19を昇降させることにより、ボート21を処理室101内外へ搬送することが可能に構成されている。回転機構154及びボートエレベータ20には、後述するコントローラ部200における機械制御サブコントローラ205が電気的に接続されている。
また、マニホールド109の下方には、マニホールド109の下端開口を気密に閉塞可能な第2の炉口蓋体としての炉口シャッタ147が設けられている。シャッタ147は、昇降及び回動することで処理室101内からボート21を搬出した後のマニホールド109の下端に当接され、ボート21を搬出した後の処理室101内を気密に閉塞するように構成されている。シャッタ147の上面には、マニホールド109の下端と当接するシール部材としてのOリング120cが設けられている。
以上のように構成された基板処理装置1は、その処理動作がコントローラ部200からの指示によって制御される。コントローラ部200は、基板処理装置1の筐体2内に配置されたものであってもよいし、あるいは基板処理装置1の筐体2とは別体で設置されて通信回線等を介して電気的に接続されるものであってもよい。
次に、本実施形態に係る基板処理装置1を用いて実施する基板処理方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一工程である基板処理工程を実施する場合を例に挙げる。また、基板処理工程の実施にあたり、基板処理装置1は、図1に示すように、二つのボート21(以下、これらを「第1ボート21a」、「第2ボート21b」と称して識別可能にする。)を備えており、これがTRステージ5及びESステージ6のそれぞれに載置されているものとする。
TRステージ5上に載置された第1ボート21aが空ボートであると、メインコントローラ201からは、機械制御サブコントローラ205に対して、ウエハ移載部11の駆動指示が発せられる。そして、機械制御サブコントローラ205からの指示に従いつつ、ウエハ移載部11は、授受ステージ8上のポッド50からTRステージ5上の第1ボート21aへのウエハ7の移載処理を開始する。この移載処理は、予定された全てのウエハ7のボート21への装填(ウエハチャージ)が完了するまで行われる。
TRステージ5にて指定枚数のウエハ7が第1ボート21aに装填されると、第1ボート21aは、機械制御サブコントローラ205からの指示に従って動作するボート移送機構30の下アーム31によって、TRステージ5からBLステージ4へ移送され、ボートエレベータ20におけるシールキャップ19の上に移載される。そして、第1ボート21aの移送後に、下アーム31は、TRステージ5に戻る。
その後は、処理室101内は、圧力制御サブコントローラ203からの指示に従いつつ、所定の成膜圧力(真空度)となるように真空排気装置146によって真空排気される。この際、処理室101内の圧力は圧力センサ145で測定され、この測定された圧力情報に基づき圧力調整装置142がフィードバック制御される。また、処理室101内は、温度制御サブコントローラ202からの指示に従いつつ、所定の温度となるようにヒータ106によって加熱される。この際、処理室101内の温度が所定の温度(成膜温度)となるように、温度センサ163が検出した温度情報に基づきヒータ106への通電具合がフィードバック制御される。続いて、機械制御サブコントローラ205からの指示に従いつつ、回転機構154による第1ボート21a及びウエハ7の回転を開始する。
たら、バルブ162a,161a,162b,161bを閉じ、処理室101内への成膜ガス(SiH2Cl2ガス及びNH3ガス)の供給を停止する。
第1ボート21aに対する成膜工程の間には、機械制御サブコントローラ205からの指示に従って、第2ボート21bがESステージ6からTRステージ5の上にボート移送機構30によって移送される。
第1ボート21aに対する成膜工程が完了すると、機械制御サブコントローラ205からの指示に従いつつ、その後、回転機構154による第1ボート21a及びウエハ7の回転を停止させ、ボートエレベータ20によりシールキャップ19を下降させてマニホールド109の下端を開口させるとともに、処理済のウエハ7を保持した第1ボート21aをプロセスチューブ103の外部に搬出(ボートアンロード)する。
上述した成膜工程は、ウエハ7上への膜形成を目的とするが、実際には、ウエハ7以外、例えばインナーチューブ104内壁やボート21等に対しても膜が形成されてしまう。形成された膜が厚く堆積すると、加わる応力が増大して割れが生じ、処理室101内に異物(パーティクル)を発生させることがある。そこで、本実施形態に係る基板処理装置1は、上述の成膜工程を繰り返すことで処理室101内等に堆積した膜の厚さが所定の厚さに到達したら、処理室101内等を保守(メンテナンス)するための保守工程として、以下に述べるようなクリーニング工程を実施する。
クリーニング工程は、処理室101内等に付着した堆積物(累積した薄膜)の厚さが、堆積物に剥離・落下が生じる前の所定の厚さに達した時点で、その実施が開始される。累積膜厚が所定厚さに達したか否かは、例えば、反応管としてのプロセスチューブ103によって形成される処理室101内に設けた膜厚検出器にて検出された累積膜厚値から判断したり、あるいは処理室101を成膜工程に使用した使用回数や使用時間等から類推される膜厚推定値に基づいて判断することが考えられる。つまり、プロセスチューブ103等の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータを用いて、その設定パラメータを所定閾値と比較することにより、メンテナンス時期であるか否かがコントローラ部200によって判断される。
クリーニング工程でガスクリーニングレシピを実行する場合は、例えばシャッタ147により、マニホールド109の下端開口を気密に閉塞しておく。そして、処理室101内が所定のクリーニング圧力(真空度)となるように真空排気装置146によって真空排気するとともに、処理室101内が所定のクリーニング温度となるようにヒータ106によって加熱する。
上記実施形態におけるウエハ7処理方法により、成膜ガス(SiH2Cl2ガス及びNH3ガス)を用い、成膜処理温度は730℃〜800℃の条件で、φ300mmのシリコンウェハにSiN膜(Si3N4膜)を形成し、特に膜厚が1500Å(150nm)以上である場合、パージクリーニングレシピを実行した。尚、コントローラ部200により、メンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピとパージクリーニングレシピが適宜選択されるように構成されている。例えば、累積膜厚、装置構成(例えば、強制冷却機構の有無)、処理室内101のボート21の有無等に応じて選択されても良い。又、メンテナンスを行う必要が生じ、その必要性に応じてクリーニング工程を実施する場合に、コントローラ部200のU/I部206での操作内容に基づいて、どちらのメンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピとパージクリーニングレシピのどちらを使用するか選択できるように構成されている。
ところで、第1ボート21a及び第2ボート21bを備えた基板処理装置1において、上述したクリーニング工程を実施する場合には、既に説明したように、次バッチのためのウエハ7の移載が禁止されてしまうと、第1ボート21a及び第2ボート21bを備えているにもかかわらず、不要な動作や待ち時間等が発生してしまい、その結果としてウエハ7に対する処理のスループットが低下してしまうおそれがある。
図7は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1での基板移載方法を示す説明図である。
本実施形態によれば、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
次に、本発明の第3の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報(アラーム情報またはアラート情報)をU/I部206からユーザ(操作者)に対して出力する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報(アラーム情報またはアラート情報)をU/I部206からユーザ(操作者)に対して出力する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報(アラーム情報またはアラート情報)をU/I部206からユーザ(操作者)に対して出力する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報(アラーム情報またはアラート情報)をU/I部206からユーザ(操作者)に対して出力する。
図12は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置1でのコントローラ部300を示すブロック図である。分散システムを構成する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置が提供される。
好ましくは、
付記1の基板処理装置であって、
前記メンテナンス時期になると、前記操作部での選択内容を切り替えられるように構成されている基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記2の基板処理装置であって、
前記メンテナンス時期は、前記反応管または前記基板保持具の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータにより判断される基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記3の基板処理装置であって、
前記設定パラメータは、前記反応管または前記基板保持具のそれぞれで個別に選択可能なように構成されている基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
前記基板保持具の数が前記反応管の数より多い付記1乃至付記4のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具が装入される反応管を有し、当該反応管内に前記基板保持具が装入された状態で当該基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す処理炉と、
前記基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを実行する
基板処理装置が提供される。
好ましくは、
更に、前記レシピの内容を編集する操作部を有し、
前記操作部は、前記制御部に実行させるレシピを切替可能なように構成されている
付記6に記載の基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記6または付記7の基板処理装置であって、
前記反応管または前記基板保持具の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータによりメンテナンス時期と判断されると、前記制御部が選択されたレシピを実行する基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記8の基板処理装置であって、
前記設定パラメータは、前記反応管または前記基板保持具のそれぞれで個別に設定できる基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
前記基板保持具の数が前記反応管の数より多い付記6乃至付記9のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に搬入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置の保守方法であって、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される
基板移載方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置の基板移載方法であって、
前記基板を処理するためのレシピを実行する基板処理工程と、
処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される
基板移載方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理するためのレシピを実行する基板処理工程と、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程
を少なくとも備えた半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部とを備えたコントローラが提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を処理するためのレシピを実行させるとともに、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピとから選択されるレシピを実行する
プログラムが提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を実現させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が装入される反応管を有し、当該反応管内に前記基板保持具が装入された状態で当該基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す処理炉と、
を少なくとも備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を処理するためのレシピを実行するとともに、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピとから選択されるレシピを実行する
プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
7 ウエハ(基板)
21 ボート(基板保持具)
103 プロセスチューブ(反応管)
201 メインコントローラ
202 温度制御サブコントローラ
203 圧力制御サブコントローラ
204 ガス制御サブコントローラ
205 機械制御サブコントローラ
206 U/I部(操作部)
Claims (4)
- 基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置。 - 基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法。 - 処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される基板移載方法。 - 基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および/または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置で実行されるプログラム。
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