JP2013214726A - 基板処理装置及びその保守方法、基板移載方法並びにプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】連続バッチ処理実行中において、メンテナンスを行った後に直ちに次バッチに対する処理を実行できるようにすることで、スループット向上を実現可能にする。
【解決手段】基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、反応管および反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、反応管および／または基板保持具のメンテナンス時期になると、操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、を少なくとも備えた基板処理装置を構成する。
【選択図】 図７
【解決手段】基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、反応管および反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、反応管および／または基板保持具のメンテナンス時期になると、操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、を少なくとも備えた基板処理装置を構成する。
【選択図】 図７
Description
本発明は、基板を処理する基板処理装置及びその保守方法、基板移載方法並びにプログラムに関する。
基板を処理する基板処理装置として、縦型の反応管と、基板を多段に保持する基板保持具とを有し、基板保持具を反応管内に装入した状態で、反応管内に処理ガスを供給して、基板保持具が保持する基板に対する処理を行うように構成されたバッチ式のものがある。このような縦型のバッチ式基板処理装置では、クリーニングのためのメンテナンス用レシピの実行により反応管と基板保持具の両方に対して同時に累積膜厚を除去していた。
ところで、近年、一つの反応管に対し、例えば二つの基板保持具を準備し、ある基板保持具に保持されている基板が反応管内で処理されている間に、他の基板保持具に基板を移載して保持させておくことで、スループットを向上させようとする縦型の基板処理装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、従来の基板処理装置では、反応管と基板保持具の両方に対して同時にクリーニングが実行される。そのため、例えば二つの基板保持具を準備した場合であっても、連続バッチ処理実行中に反応管のメンテナンスをするタイミングになると次バッチの基板の基板保持具への移載が禁止されてしまい、メンテナンス終了直後に基板が移載された次バッチの基板保持具がないため直ちに次バッチを実行できず、その結果としてスループットが落ちてしまうという欠点があった。
そこで、本発明の目的は、基板保持具を反応管内に装入して処理した結果、反応管または基板保持具に付着する累積膜厚が閾値を超え、メンテナンスを行う必要が生じた場合に、メンテナンス対象外の基板保持具への基板移載が可能なように構成された基板処理装置を提供することにある。
本発明の一態様によれば、基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、を少なくとも備えた基板処理装置が提供される。
本発明によれば、連続バッチ処理実行中に反応管または基板保持具のメンテナンスをするタイミングになっても、次バッチの基板移載を可能にすることで、メンテナンスを行った後に直ちに次バッチに対する処理を実行することができ、スループットが向上する。
＜本発明の第１の実施形態＞
以下に、本発明の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
以下に、本発明の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（１）基板処理装置の構成
本実施形態に係る基板処理装置は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを実行することで基板に対する処理を行うものであり、複数枚の基板に対して同時に処理を行う縦型のバッチ式基板処理装置として構成されたものである。
本実施形態に係る基板処理装置は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを実行することで基板に対する処理を行うものであり、複数枚の基板に対して同時に処理を行う縦型のバッチ式基板処理装置として構成されたものである。
処理対象となる基板としては、例えば、半導体集積回路装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「ウエハ」という）が挙げられる。また、基板処理装置が行う処理としては、典型的な例として、ウエハの表面に薄膜を形成する処理等の成膜処理が挙げられる。
以下、本実施形態に係る基板処理装置の構成を、図１から図４を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の全体斜視図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の平断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の立断面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１のボート移送部１２の斜視図である。
（装置全体の概略構成）
図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１は、耐圧容器として構成された筐体２を備えている。そして、筐体２の正面前方部には、基板収納容器であるポッド５０を授受するための授受ステージ８が設けられている。
図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１は、耐圧容器として構成された筐体２を備えている。そして、筐体２の正面前方部には、基板収納容器であるポッド５０を授受するための授受ステージ８が設けられている。
ポッド５０は、処理対象となるウエハ７を所定数（例えば２５枚）収納した状態で搬送される密閉式の搬送容器であり、開閉可能な蓋を有している。具体的には、ポッド５０として、例えばＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が使用される。ＦＯＵＰが使用される場合には、ウエハ７が密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしても、ウエハ７の清浄度を維持することができる。したがって、基板処理装置１が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなり、クリーンルームに要するコストを低減することができる。なお、ポッド５０は、例えば、半導体装置の製造工程内で用いられるＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｈｏｉｓｔ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）等の外部搬送装置（図示せず）によって授受ステージ８上に搬送される。
授受ステージ８は、基板処理装置１の外部との間でポッド５０を授受するためのものであり、ポッド５０の蓋（ただし不図示）を開閉するためのドア開閉装置（ただし不図示）を具備している。また、授受ステージ８に対応して、筐体２の正面壁には、ウエハ搬入搬出口（ただし不図示）が、筐体２内外を連通するように開設されている。
筐体２内には、大別すると、ウエハ移載部１１と、ボート移送部１２と、処理炉１３とが配置されている。なお、処理炉１３の構成については後述する。
（ウエハ移載部）
ウエハ移載部１１は、図１または図２に示すように、ウエハ搬入搬出口を挟んで授受ステージ８と対向するように配置されたもので、授受ステージ８上のポッド５０と、後述するボート移送部１２に支持されるボート（基板保持具）２１との間で、ウエハ７の移載を行うように構成されている。より具体的には、ウエハ移載部１１は、送り螺子機構を有するエレベータ４２と、このエレベータ４２により昇降される昇降ベース４３と、この昇降ベース４３に回転可能に設けられた回転テーブル４４と、この回転テーブル４４に進退可能に設けられたウエハ移載ヘッド４６とを具備する。ウエハ移載ヘッド４６には、ウエハ７を保持するウエハ移載プレート４７が、上下方向に所定段（本実施形態では５段）設けられている。そして、ウエハ移載部１１は、昇降、回転、進退の協働により、ウエハ７をボート２１に対して装填（ウエハチャージ）及び脱装（ウエハディスチャージ）することが可能に構成されている。
ウエハ移載部１１は、図１または図２に示すように、ウエハ搬入搬出口を挟んで授受ステージ８と対向するように配置されたもので、授受ステージ８上のポッド５０と、後述するボート移送部１２に支持されるボート（基板保持具）２１との間で、ウエハ７の移載を行うように構成されている。より具体的には、ウエハ移載部１１は、送り螺子機構を有するエレベータ４２と、このエレベータ４２により昇降される昇降ベース４３と、この昇降ベース４３に回転可能に設けられた回転テーブル４４と、この回転テーブル４４に進退可能に設けられたウエハ移載ヘッド４６とを具備する。ウエハ移載ヘッド４６には、ウエハ７を保持するウエハ移載プレート４７が、上下方向に所定段（本実施形態では５段）設けられている。そして、ウエハ移載部１１は、昇降、回転、進退の協働により、ウエハ７をボート２１に対して装填（ウエハチャージ）及び脱装（ウエハディスチャージ）することが可能に構成されている。
なお、ウエハ移載部１１は、後述するコントローラ部２００における機械制御サブコントローラ２０５と電気的に接続されており、当該機械制御サブコントローラ２０５からの指示により昇降、回転、進退等の動作が制御されるように構成されている。
（ボート移送部）
ボート移送部１２は、図１または図２に示すように、ウエハ移載部１１の後方領域（筐体２の正面前方からみた場合の背面側）に配置されたもので、ボート（基板保持具）２１を支持する３つのステージ４，５，６を備えるとともに、各ステージ４，５，６の間でボート２１の移送を行うように構成されている。
ボート移送部１２は、図１または図２に示すように、ウエハ移載部１１の後方領域（筐体２の正面前方からみた場合の背面側）に配置されたもので、ボート（基板保持具）２１を支持する３つのステージ４，５，６を備えるとともに、各ステージ４，５，６の間でボート２１の移送を行うように構成されている。
ボート２１は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ７を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。より具体的には、図３に示すように、ボート２１は、下端板２２と、この下端板２２に立設された複数本（本実施形態では３本）の支柱２４に支持された上端板２３とを具備する。支柱２４には、所定ピッチで基板保持溝２５が刻設されている。この基板保持溝２５にウエハ７が挿入されることで、ボート２１は、ウエハ７を水平姿勢で保持する。ボート２１の下端板２２の下には断熱キャップ部２６が形成されており、この断熱キャップ部２６の下側には脚柱２７を介してベース２９が設けられている。これにより、脚柱２７によって形成されたベース２９と断熱キャップ部２６間の間隙には、後述するボート移送機構３０のアームが嵌合可能となっている。なお、ボート２１は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。
３つのステージ４，５，６としては、最もウエハ移載部１１の側で当該ウエハ移載部１１によりウエハ７の装填または脱装が行われる位置となる移載位置（以下「ＴＲ」と略す）ステージ５と、最もウエハ移載部１１から離れた箇所に位置するエスケープ位置（以下「ＥＳ」と略す）ステージ６と、これらの間で処理炉１３の直下に位置するボートロード位置（以下「ＢＬ」と略す）ステージ４とがある。
また、ボート移送部１２は、ＢＬステージ４に対応して設けられたボートエレベータ２０を備えている。ボートエレベータ２０は、ボート２１を、ＢＬステージ４の位置から処理炉１３内に装入し、また処理炉１３内からＢＬステージ４の位置へ引き出しするように構成されている。より具体的には、ボートエレベータ２０は、図３に示すように、ボート２１が載置されるシールキャップ１９を具備しており、そのシールキャップ１９を送り螺子機構により昇降可能とするように構成されている。なお、シールキャップ１９は、ボート２１を処理炉１３内に装入した状態では、その処理炉１３の炉口部を気密に閉塞するように形成されている。
さらに、ボート移送部１２は、図２に示すように、ボートエレベータ２０とＢＬステージ４を挟んで対向する位置に設けられたボート移送機構３０を備えている。ボート移送機構３０は、ＴＲステージ５、ＢＬステージ４及びＥＳステージ６の間で、ボート２１の移送を行うように構成されている。より具体的には、ボート移送機構３０は、図４に示すように、コの字状をし、筐体２の壁面に沿って立てられたフレーム３５を具備する。フレーム３５には、鉛直のガイドシャフト３６が設けられ、さらにガイドシャフト３６に下スライダ３７、上スライダ３８が摺動自在に設けられている。上スライダ３８は、モータにより螺子ロッドが回転される送り螺子機構３９が連結され、この送り螺子機構３９によって昇降可能となっている。また、上スライダ３８には、回転エアシリンダ、ロータリソレノイド等の回転アクチュエータ４０を介してクランク状に屈曲した上アーム３２が設けられおり、その上アーム３２が回転アクチュエータ４０によって少なくとも１８０°は回転可能となっている。さらに、下スライダ３７についても同様な構成で、送り螺子機構３９が連結され、回転アクチュエータ４０を介してクランク状に下アーム３１が設けられている。なお、下アーム３１と上アーム３２とは、それぞれが回転した場合に相互に干渉しないような形状となっている。また、下アーム３１と上アーム３２とは、ボート２１の脚柱２７が形成する間隙に嵌合可能となるように、いずれも円弧形状に形成されている。
なお、ボート移送部１２は、ボートエレベータ２０やボート移送機構３０等が後述するコントローラ部２００における機械制御サブコントローラ２０５と電気的に接続されており、当該機械制御サブコントローラ２０５からの指示によりボート２１の昇降、移送等の動作が制御されるように構成されている。
（その他）
基板処理装置１の筐体２内には、図２に示すように、筐体２の一側面側に配置されたクリーンユニット３と、そのクリーンユニット３とは対向する側面側に配置された排気ファン９とによって、ＴＲステージ５、ＥＳステージ６からＢＬステージ４を経て流れるクリーンエア１５の一方向流れが形成される。
基板処理装置１の筐体２内には、図２に示すように、筐体２の一側面側に配置されたクリーンユニット３と、そのクリーンユニット３とは対向する側面側に配置された排気ファン９とによって、ＴＲステージ５、ＥＳステージ６からＢＬステージ４を経て流れるクリーンエア１５の一方向流れが形成される。
（２）処理炉の構成
次に、本実施形態にかかる処理炉１３の構成を図面に基づいて説明する。図５は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の処理炉１３の縦断面図である。
次に、本実施形態にかかる処理炉１３の構成を図面に基づいて説明する。図５は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の処理炉１３の縦断面図である。
処理炉１３は、ボート移送部１２におけるＢＬステージ４の直上に配置されており、ボート２１が保持するウエハ７に対する処理を行うように構成されている。
（処理室）
図５に示すように、処理炉１３は、反応管としてのプロセスチューブ１０３を備えている。プロセスチューブ１０３は、内部反応管としてのインナーチューブ１０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ１０５と、を備えている。インナーチューブ１０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ１０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ１０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ７を処理する処理室１０１が形成される。そのために、インナーチューブ１０４は、ボート２１が装入され、その装入されたボート２１を収容可能なように構成されている。アウターチューブ１０５は、インナーチューブ１０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ１０５は、内径がインナーチューブ１０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ１０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。
図５に示すように、処理炉１３は、反応管としてのプロセスチューブ１０３を備えている。プロセスチューブ１０３は、内部反応管としてのインナーチューブ１０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ１０５と、を備えている。インナーチューブ１０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ１０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ１０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ７を処理する処理室１０１が形成される。そのために、インナーチューブ１０４は、ボート２１が装入され、その装入されたボート２１を収容可能なように構成されている。アウターチューブ１０５は、インナーチューブ１０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ１０５は、内径がインナーチューブ１０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ１０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。
（ヒータ）
プロセスチューブ１０３の外側には、プロセスチューブ１０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ１０６が設けられている。ヒータ１０６は、ヒータ素線に電力が供給されて発熱するように構成されており、保持板としてのヒータベース１５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。インナーチューブ１０４とアウターチューブ１０５との間には、温度検知器としての温度センサ１６３が設置されている。これらヒータ１０６と温度センサ１６３とは、後述のコントローラ部２００における温度制御サブコントローラ２０２に電気的に接続されている。
プロセスチューブ１０３の外側には、プロセスチューブ１０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ１０６が設けられている。ヒータ１０６は、ヒータ素線に電力が供給されて発熱するように構成されており、保持板としてのヒータベース１５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。インナーチューブ１０４とアウターチューブ１０５との間には、温度検知器としての温度センサ１６３が設置されている。これらヒータ１０６と温度センサ１６３とは、後述のコントローラ部２００における温度制御サブコントローラ２０２に電気的に接続されている。
（マニホールド）
アウターチューブ１０５の下方には、アウターチューブ１０５と同心円状になるように、マニホールド１０９が配設されている。マニホールド１０９は、例えばステンレス等により構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド１０９は、インナーチューブ１０４の下端部とアウターチューブ１０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド１０９とアウターチューブ１０５との間には、シール部材としてのＯリング１２０ａが設けられている。図示しないがマニホールド１０９がヒータベース１５１に支持されることにより、プロセスチューブ１０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ１０３とマニホールド１０９とにより反応容器が形成される。
アウターチューブ１０５の下方には、アウターチューブ１０５と同心円状になるように、マニホールド１０９が配設されている。マニホールド１０９は、例えばステンレス等により構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド１０９は、インナーチューブ１０４の下端部とアウターチューブ１０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド１０９とアウターチューブ１０５との間には、シール部材としてのＯリング１２０ａが設けられている。図示しないがマニホールド１０９がヒータベース１５１に支持されることにより、プロセスチューブ１０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ１０３とマニホールド１０９とにより反応容器が形成される。
（シリコン含有ガス供給系）
マニホールド１０９には、処理室１０１内にシリコン含有ガスとして例えばジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガスを供給するノズル１３０ａが、処理室１０１内に連通するように設けられている。ノズル１３０ａの上流端には、ガス供給管１３２ａの下流端が接続されている。ガス供給管１３２ａには、上流側から順に、シリコン含有ガス供給源としてのＳｉＨ２Ｃｌ２ガス供給源１７１、バルブ１６２ａ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ａ、及びバルブ１６１ａが設けられている。主に、ノズル１３０ａ、ガス供給管１３２ａ、ＭＦＣ１４１ａ、バルブ１６１ａ，１６２ａ、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス供給源１７１により、シリコン含有ガス供給系が構成される。ＭＦＣ１４１ａ、バルブ１６１ａ，１６２ａには、後述するコントローラ部２００におけるガス制御サブコントローラ２０４が電気的に接続されている。
マニホールド１０９には、処理室１０１内にシリコン含有ガスとして例えばジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガスを供給するノズル１３０ａが、処理室１０１内に連通するように設けられている。ノズル１３０ａの上流端には、ガス供給管１３２ａの下流端が接続されている。ガス供給管１３２ａには、上流側から順に、シリコン含有ガス供給源としてのＳｉＨ２Ｃｌ２ガス供給源１７１、バルブ１６２ａ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ａ、及びバルブ１６１ａが設けられている。主に、ノズル１３０ａ、ガス供給管１３２ａ、ＭＦＣ１４１ａ、バルブ１６１ａ，１６２ａ、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス供給源１７１により、シリコン含有ガス供給系が構成される。ＭＦＣ１４１ａ、バルブ１６１ａ，１６２ａには、後述するコントローラ部２００におけるガス制御サブコントローラ２０４が電気的に接続されている。
（窒素含有ガス供給系）
マニホールド１０９には、処理室１０１内に窒素含有ガスとして例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスを供給するノズル１３０ｂが、処理室１０１内に連通するように設けられている。ノズル１３０ｂの上流端には、ガス供給管１３２ｂの下流端が接続されている。ガス供給管１３２ｂには、上流側から順に、窒素含有ガス供給源としてのＮＨ３ガス供給源１７２、バルブ１６２ｂ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｂ、及びバルブ１６１ｂが設けられている。主に、ノズル１３０ｂ、ガス供給管１３２ｂ、ＭＦＣ１４１ｂ、バルブ１６１ｂ，１６２ｂ、ＮＨ３ガス供給源１７２により、窒素含有ガス供給系が構成される。ＭＦＣ１４１ｂ、バルブ１６１ｂ，１６２ｂには、後述するコントローラ部２００におけるガス制御サブコントローラ２０４が電気的に接続されている。
マニホールド１０９には、処理室１０１内に窒素含有ガスとして例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスを供給するノズル１３０ｂが、処理室１０１内に連通するように設けられている。ノズル１３０ｂの上流端には、ガス供給管１３２ｂの下流端が接続されている。ガス供給管１３２ｂには、上流側から順に、窒素含有ガス供給源としてのＮＨ３ガス供給源１７２、バルブ１６２ｂ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｂ、及びバルブ１６１ｂが設けられている。主に、ノズル１３０ｂ、ガス供給管１３２ｂ、ＭＦＣ１４１ｂ、バルブ１６１ｂ，１６２ｂ、ＮＨ３ガス供給源１７２により、窒素含有ガス供給系が構成される。ＭＦＣ１４１ｂ、バルブ１６１ｂ，１６２ｂには、後述するコントローラ部２００におけるガス制御サブコントローラ２０４が電気的に接続されている。
（クリーニングガス供給系）
ガス供給管１３２ａのバルブ１６１ａよりも下流側には、処理室１０１内にクリーニングガスとして例えばフッ化窒素（ＮＦ３）ガスを供給するガス供給管１３２ｅが接続されている。ガス供給管１３２ｅには、上流側から順に、クリーニングガス供給源としてのＮＦ３ガス供給源１７４、バルブ１６２ｅ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｅ、及びバルブ１６１ｅが設けられている。
ガス供給管１３２ａのバルブ１６１ａよりも下流側には、処理室１０１内にクリーニングガスとして例えばフッ化窒素（ＮＦ３）ガスを供給するガス供給管１３２ｅが接続されている。ガス供給管１３２ｅには、上流側から順に、クリーニングガス供給源としてのＮＦ３ガス供給源１７４、バルブ１６２ｅ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｅ、及びバルブ１６１ｅが設けられている。
また、ガス供給管１３２ｂのバルブ１６１ｂよりも下流側には、処理室１０１内にクリーニングガスとしてフッ化窒素（ＮＦ３）ガスを供給するガス供給管１３２ｆが接続されている。ガス供給管１３２ｆの上流端は、ガス供給管１３２ｅのバルブ１６２ｅよりも上流側に接続されている。ガス供給管１３２ｆには、上流側から順に、バルブ１６２ｆ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｆ、及びバルブ１６１ｆが設けられている。
主に、ノズル１３０ａ，１３０ｂ、ガス供給管１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｅ，１３２ｆ、ＭＦＣ１４１ｅ，２４２ｆ、バルブ１６１ｅ，１６１ｆ，１６２ｅ，１６２ｆ、ＮＦ３ガス供給源１７４によりクリーニングガス供給系が構成される。
ＭＦＣ１４１ｅ，１４１ｆ、バルブ１６１ｅ，１６１ｆ，１６２ｅ，１６２ｆには、後述するコントローラ部２００におけるガス制御サブコントローラ２０４が電気的に接続されている。
（不活性ガス供給系）
ガス供給管１３２ａのバルブ１６１ａの下流側には、処理室１０１内に不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを供給するガス供給管１３２ｃが接続されている。ガス供給管１３２ｃには、上流側から順に、不活性ガス供給源としてのＮ２ガス供給源１７３、バルブ１６２ｃ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｃ、及びバルブ１６１ｃが設けられている。
ガス供給管１３２ａのバルブ１６１ａの下流側には、処理室１０１内に不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを供給するガス供給管１３２ｃが接続されている。ガス供給管１３２ｃには、上流側から順に、不活性ガス供給源としてのＮ２ガス供給源１７３、バルブ１６２ｃ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｃ、及びバルブ１６１ｃが設けられている。
また、ガス供給管１３２ｂのバルブ１６１ｂの下流側には、処理室１０１内に不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを供給するガス供給管１３２ｄが接続されている。ガス供給管１３２ｄの上流端は、ガス供給管１３２ｃのバルブ１６２ｃよりも上流側に接続されている。ガス供給管１３２ｄには、上流側から順に、バルブ１６２ｄ、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４１ｄ、及びバルブ１６１ｄが設けられている。
主に、ノズル１３０ａ，１３０ｂ、ガス供給管１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄ、ＭＦＣ１４１ｃ，１４１ｄ、バルブ１６１ｃ，１６１ｄ，１６２ｃ，１６２ｄ、Ｎ２ガス供給源１７３により、不活性ガス供給系が構成される。
ＭＦＣ１４１ｃ，１４１ｄ、バルブ１６１ｃ，１６１ｄ，１６２ｃ，１６２ｄには、後述するコントローラ部２００におけるガス制御サブコントローラ２０４が電気的に接続されている。
主に、シリコン含有ガス供給系及び窒素含有ガス供給系により、本実施形態に係る成膜ガス（原料ガス）供給系が構成される。また主に、シリコン含有ガス供給系、窒素含有ガス供給系及びクリーニングガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成される。
（排気系）
マニホールド１０９には、処理室１０１内の雰囲気を排気する排気管１３１が設けられている。排気管１３１は、インナーチューブ１０４とアウターチューブ１０５との隙間によって形成される筒状空間１５０の下端部に配置されており、筒状空間１５０に連通している。排気管１３１の下流側（マニホールド１０９との接続側と反対側）には、圧力検出器としての圧力センサ１４５、及び可変コンダクタンスバルブ、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ等の圧力調整装置１４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置１４６が設けられている。真空排気装置１４６は、処理室１０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう排気するように構成されている。圧力調整装置１４２及び圧力センサ１４５には、後述するコントローラ部２００における圧力制御サブコントローラ２０３が電気的に接続されている。
マニホールド１０９には、処理室１０１内の雰囲気を排気する排気管１３１が設けられている。排気管１３１は、インナーチューブ１０４とアウターチューブ１０５との隙間によって形成される筒状空間１５０の下端部に配置されており、筒状空間１５０に連通している。排気管１３１の下流側（マニホールド１０９との接続側と反対側）には、圧力検出器としての圧力センサ１４５、及び可変コンダクタンスバルブ、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ等の圧力調整装置１４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置１４６が設けられている。真空排気装置１４６は、処理室１０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう排気するように構成されている。圧力調整装置１４２及び圧力センサ１４５には、後述するコントローラ部２００における圧力制御サブコントローラ２０３が電気的に接続されている。
上述のように構成されることで、シリコン含有ガス供給系から供給されたシリコン含有ガス、窒素含有ガス供給系から供給された窒素含有ガス、クリーニングガス供給系から供給されたクリーニングガス、及び不活性ガス供給系から供給された不活性ガスは、それぞれインナーチューブ１０４内（処理室１０１内）を上昇し、インナーチューブ１０４の上端開口から筒状空間１５０に流出し、筒状空間１５０を流下した後、排気管１３１から排気される。主に、排気管１３１、圧力調整装置１４２、真空排気装置１４６により、本実施形態に係る排気系が構成される。
（シールキャップ）
マニホールド１０９の下方は、ボート移送部１２のボートエレベータ２０が具備するシールキャップ１９によって気密に閉塞される。すなわち、シールキャップ１９は、マニホールド１０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体として機能し、マニホールド１０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ１９は、例えばステンレス等の金属により、円盤状に形成されている。シールキャップ１９の上面には、マニホールド１０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング１２０ｂが設けられている。
マニホールド１０９の下方は、ボート移送部１２のボートエレベータ２０が具備するシールキャップ１９によって気密に閉塞される。すなわち、シールキャップ１９は、マニホールド１０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体として機能し、マニホールド１０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ１９は、例えばステンレス等の金属により、円盤状に形成されている。シールキャップ１９の上面には、マニホールド１０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング１２０ｂが設けられている。
（回転機構）
シールキャップ１９の中心部付近であって処理室１０１と反対側には、ボート２１を回転させる回転機構１５４が設置されている。回転機構１５４の回転軸１５５は、シールキャップ１９を貫通してボート２１を下方から支持している。回転機構１５４は、ボート２１を回転させることでウエハ７を回転させることが可能に構成されている。
シールキャップ１９の中心部付近であって処理室１０１と反対側には、ボート２１を回転させる回転機構１５４が設置されている。回転機構１５４の回転軸１５５は、シールキャップ１９を貫通してボート２１を下方から支持している。回転機構１５４は、ボート２１を回転させることでウエハ７を回転させることが可能に構成されている。
（ボートエレベータ）
シールキャップ１９は、プロセスチューブ１０３の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ２０によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ１９を昇降させることにより、ボート２１を処理室１０１内外へ搬送することが可能に構成されている。回転機構１５４及びボートエレベータ２０には、後述するコントローラ部２００における機械制御サブコントローラ２０５が電気的に接続されている。
シールキャップ１９は、プロセスチューブ１０３の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ２０によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ１９を昇降させることにより、ボート２１を処理室１０１内外へ搬送することが可能に構成されている。回転機構１５４及びボートエレベータ２０には、後述するコントローラ部２００における機械制御サブコントローラ２０５が電気的に接続されている。
（シャッタ）
また、マニホールド１０９の下方には、マニホールド１０９の下端開口を気密に閉塞可能な第２の炉口蓋体としての炉口シャッタ１４７が設けられている。シャッタ１４７は、昇降及び回動することで処理室１０１内からボート２１を搬出した後のマニホールド１０９の下端に当接され、ボート２１を搬出した後の処理室１０１内を気密に閉塞するように構成されている。シャッタ１４７の上面には、マニホールド１０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング１２０ｃが設けられている。
また、マニホールド１０９の下方には、マニホールド１０９の下端開口を気密に閉塞可能な第２の炉口蓋体としての炉口シャッタ１４７が設けられている。シャッタ１４７は、昇降及び回動することで処理室１０１内からボート２１を搬出した後のマニホールド１０９の下端に当接され、ボート２１を搬出した後の処理室１０１内を気密に閉塞するように構成されている。シャッタ１４７の上面には、マニホールド１０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング１２０ｃが設けられている。
（３）コントローラ部の構成
以上のように構成された基板処理装置１は、その処理動作がコントローラ部２００からの指示によって制御される。コントローラ部２００は、基板処理装置１の筐体２内に配置されたものであってもよいし、あるいは基板処理装置１の筐体２とは別体で設置されて通信回線等を介して電気的に接続されるものであってもよい。
以上のように構成された基板処理装置１は、その処理動作がコントローラ部２００からの指示によって制御される。コントローラ部２００は、基板処理装置１の筐体２内に配置されたものであってもよいし、あるいは基板処理装置１の筐体２とは別体で設置されて通信回線等を介して電気的に接続されるものであってもよい。
以下、本実施形態にかかるコントローラ部２００の構成を図面に基づいて説明する。図６は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１のコントローラ部２００を示すブロック図である。
図６に示すように、コントローラ部２００は、いずれもコンピュータによって構築されたメインコントローラ２０１及び複数のサブコントローラ２０２，２０３，２０４，２０５を備えて構成されている。ここでいうコンピュータは、プログラムを実行することでそのプログラムで指示された情報処理を行うものであり、具体的にはＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、メモリ、入出力装置等の組み合わせによって構成されたものである。サブコントローラとしては、温度制御サブコントローラ２０２と、圧力制御サブコントローラ２０３と、ガス制御サブコントローラ２０４と、機械制御サブコントローラ２０５とを有している。
温度制御サブコントローラ２０２は、処理室１０１内の温度が所望の温度分布となるように、温度センサ１６３により検出された温度情報に基づいてヒータ１０６への通電具合を所望のタイミングにて制御するように構成されている。
圧力制御サブコントローラ２０３は、処理室１０１内の圧力が所望の圧力となるように、圧力センサ１４５により検出された圧力情報に基づいて圧力調整装置１４２を所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス制御サブコントローラ２０４は、処理室１０１内に供給されるガス流量を制御するように構成されている。より具体的には、処理室１０１内に供給されるシリコン含有ガスの流量が、それぞれ所定のタイミングで所定の流量となるように、ＭＦＣ１４１ａ、バルブ１６１ａ，１６２ａをそれぞれ制御するように構成されている。また、処理室１０１内に供給される窒素含有ガスの流量が、それぞれ所定のタイミングで所定の流量となるように、ＭＦＣ１４１ｂ、バルブ１６１ｂ，１６２ｂをそれぞれ制御するように構成されている。また、処理室１０１内に供給されるクリーニングガスの流量が、それぞれ所定のタイミングで所定の流量となるように、ＭＦＣ１４１ｅ，１４１ｆ、バルブ１６１ｅ，１６１ｆ，１６２ｅ，１６２ｆをそれぞれ制御するように構成されている。また、処理室１０１内に供給される不活性ガスの流量が、それぞれ所定のタイミングで所定の流量となるように、ＭＦＣ１４１ｃ，１４１ｄ、バルブ１６１ｃ，１６１ｄ，１６２ｃ，１６２ｄをそれぞれ制御するように構成されている。
機械制御サブコントローラ２０５は、ウエハ移載部１１、ボート移送機構３０、ボートエレベータ２０、回転機構１５４等が、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
これらの各サブコントローラ２０２，２０３，２０４，２０５は、いずれも例えば通信回線を介してメインコントローラ２０１に電気的に接続されている。メインコントローラ２０１は、各サブコントローラ２０２，２０３，２０４，２０５の制御、すなわち基板処理装置１の全体の動作制御を行うように構成されている。主に、メインコントローラ２０１及び各サブコントローラ２０２，２０３，２０４，２０５により、本実施形態に係る制御部（制御手段）が構成される。
また、メインコントローラ２０１には、上述した各サブコントローラ２０２，２０３，２０４，２０５の他に、ユーザ・インタフェース（以下「Ｕ／Ｉ」と略す）部２０６と、記憶部２０７とが接続されている。
Ｕ／Ｉ部２０６は、ディスプレイ装置等の出力装置とタッチパネル等の入力装置とを備えており、ユーザ（操作者）に対してレシピの内容（項目名や制御パラメータの数値等）や基板処理の進行状態等を表示出力するとともに、ユーザからの情報入力を受け付けるように構成されている。主に、Ｕ／Ｉ部２０６により、本実施形態に係る操作部（操作手段）が構成される。
記憶部２０７は、ハードディスク装置等の記憶装置を備えており、基板処理装置１の動作に必要となる各種プログラムやレシピ等を記憶するように構成されている。なお、記憶部２０７が記憶するレシピには、基板処理プロセスの処理手順及び処理条件が定義されたレシピの他に、処理室１０１内に対するクリーニングを行うためのメンテナンス用レシピが含まれる。例えば、ガスクリーニングレシピまたはパージクリーニングレシピ等がメンテナンス用レシピとして記憶部２０７に格納されている。
（４）基板処理方法
次に、本実施形態に係る基板処理装置１を用いて実施する基板処理方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一工程である基板処理工程を実施する場合を例に挙げる。また、基板処理工程の実施にあたり、基板処理装置１は、図１に示すように、二つのボート２１（以下、これらを「第１ボート２１ａ」、「第２ボート２１ｂ」と称して識別可能にする。）を備えており、これがＴＲステージ５及びＥＳステージ６のそれぞれに載置されているものとする。
次に、本実施形態に係る基板処理装置１を用いて実施する基板処理方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一工程である基板処理工程を実施する場合を例に挙げる。また、基板処理工程の実施にあたり、基板処理装置１は、図１に示すように、二つのボート２１（以下、これらを「第１ボート２１ａ」、「第２ボート２１ｂ」と称して識別可能にする。）を備えており、これがＴＲステージ５及びＥＳステージ６のそれぞれに載置されているものとする。
基板処理工程の実施にあたって、コントローラ部２００では、先ず、実施すべき基板処理に対応するレシピが記憶部２０７から読み出され、メインコントローラ２０１内のＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のメモリに展開される。そして、必要に応じて、メインコントローラ２０１から各サブコントローラ２０２，２０３，２０４，２０５へ動作指示が与えられる。このようにして実施される基板処理工程は、大別すると、移載工程と、搬入工程と、成膜工程と、ボート移送工程と、搬出工程とを有する。
（移載工程）
ＴＲステージ５上に載置された第１ボート２１ａが空ボートであると、メインコントローラ２０１からは、機械制御サブコントローラ２０５に対して、ウエハ移載部１１の駆動指示が発せられる。そして、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従いつつ、ウエハ移載部１１は、授受ステージ８上のポッド５０からＴＲステージ５上の第１ボート２１ａへのウエハ７の移載処理を開始する。この移載処理は、予定された全てのウエハ７のボート２１への装填（ウエハチャージ）が完了するまで行われる。
ＴＲステージ５上に載置された第１ボート２１ａが空ボートであると、メインコントローラ２０１からは、機械制御サブコントローラ２０５に対して、ウエハ移載部１１の駆動指示が発せられる。そして、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従いつつ、ウエハ移載部１１は、授受ステージ８上のポッド５０からＴＲステージ５上の第１ボート２１ａへのウエハ７の移載処理を開始する。この移載処理は、予定された全てのウエハ７のボート２１への装填（ウエハチャージ）が完了するまで行われる。
（搬入工程）
ＴＲステージ５にて指定枚数のウエハ７が第１ボート２１ａに装填されると、第１ボート２１ａは、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従って動作するボート移送機構３０の下アーム３１によって、ＴＲステージ５からＢＬステージ４へ移送され、ボートエレベータ２０におけるシールキャップ１９の上に移載される。そして、第１ボート２１ａの移送後に、下アーム３１は、ＴＲステージ５に戻る。
ＴＲステージ５にて指定枚数のウエハ７が第１ボート２１ａに装填されると、第１ボート２１ａは、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従って動作するボート移送機構３０の下アーム３１によって、ＴＲステージ５からＢＬステージ４へ移送され、ボートエレベータ２０におけるシールキャップ１９の上に移載される。そして、第１ボート２１ａの移送後に、下アーム３１は、ＴＲステージ５に戻る。
その後、第１ボート２１ａは、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従って動作するボートエレベータ２０によって上昇されて、処理炉１３のインナーチューブ１０４内に形成される処理室１０１に装入（ボートロード）される。第１ボート２１ａが完全に装入されると、ボートエレベータ２０のキャップ１９は、処理炉１３のマニホールド１０９の下端を気密に閉塞する。
このとき、処理室１０１内は、ガス制御サブコントローラ２０４からの指示に従って、Ｎ２ガスの供給によってパージされる。すなわち、バルブ１６２ｃ，１６１ｃ，１６２ｄ，１６１ｄを開くことでＮ２ガス供給源１７３からガス供給管１３２ｃ，１３２ｄ内に供給されたＮ２ガスは、ＭＦＣ１４１ｃ，１４１ｄにて所定の流量となるように制御された後、ガス供給管１３２ａ，１３２ｂを経由して、ノズル１３０ａ、１３０ｂから処理室１０１内に供給される。なお、処理室１０１内へのＮ２ガスの供給は、基板処理工程の全工程が終了するまで継続する。
（成膜工程）
その後は、処理室１０１内は、圧力制御サブコントローラ２０３からの指示に従いつつ、所定の成膜圧力（真空度）となるように真空排気装置１４６によって真空排気される。この際、処理室１０１内の圧力は圧力センサ１４５で測定され、この測定された圧力情報に基づき圧力調整装置１４２がフィードバック制御される。また、処理室１０１内は、温度制御サブコントローラ２０２からの指示に従いつつ、所定の温度となるようにヒータ１０６によって加熱される。この際、処理室１０１内の温度が所定の温度（成膜温度）となるように、温度センサ１６３が検出した温度情報に基づきヒータ１０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従いつつ、回転機構１５４による第１ボート２１ａ及びウエハ７の回転を開始する。
その後は、処理室１０１内は、圧力制御サブコントローラ２０３からの指示に従いつつ、所定の成膜圧力（真空度）となるように真空排気装置１４６によって真空排気される。この際、処理室１０１内の圧力は圧力センサ１４５で測定され、この測定された圧力情報に基づき圧力調整装置１４２がフィードバック制御される。また、処理室１０１内は、温度制御サブコントローラ２０２からの指示に従いつつ、所定の温度となるようにヒータ１０６によって加熱される。この際、処理室１０１内の温度が所定の温度（成膜温度）となるように、温度センサ１６３が検出した温度情報に基づきヒータ１０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従いつつ、回転機構１５４による第１ボート２１ａ及びウエハ７の回転を開始する。
処理室１０１内が所定の成膜温度、所定の成膜圧力に維持された状態になると、ガス制御サブコントローラ２０４からの指示に従いつつ、シリコン含有ガスとしてのＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及び窒素含有ガスとしてのＮＨ３ガスの処理室１０１内への供給が開始される。すなわち、バルブ１６２ａ，１６１ａを開くことでＳｉＨ２Ｃｌ２ガス供給源１７１からガス供給管１３２ａ内に供給されたＳｉＨ２Ｃｌ２ガスは、ＭＦＣ１４１ａにて所定の流量となるように制御された後、ガス供給管１３２ａを通り、ノズル１３０ａから処理室１０１内に供給される。また、バルブ１６２ｂ，１６１ｂを開くことでＮＨ３ガス供給源１７２からガス供給管１３２ｂ内に供給されたＮＨ３ガスは、ＭＦＣ１４１ｂにて所定の流量となるように制御された後、ガス供給管１３２ｂを通り、ノズル１３０ｂから処理室１０１内に供給される。
このとき、処理室１０１内へ供給されるＮ２ガスは、成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス）を希釈する希釈ガスとして、或いは処理室１０１内への拡散を促すキャリアガスとして機能する。Ｎ２ガスの供給流量を制御することで、成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス）の濃度や拡散速度を制御することができる。
処理室１０１内に供給された成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス）は、インナーチューブ１０４内（処理室１０１内）を上昇し、インナーチューブ１０４の上端開口から筒状空間１５０に流出し、筒状空間１５０を流下した後、排気管１３１から排気される。成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス）は、処理室１０１内を通過する際にウエハ７の表面と接触する。この際、熱ＣＶＤ反応によってウエハ７表面上に薄膜、すなわち窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ４膜、以下、単にＳｉＮ膜とも呼ぶ）が堆積（デポジション）される。予め設定された処理時間が経過し、所定の膜厚の窒化シリコン膜が成膜され
たら、バルブ１６２ａ，１６１ａ，１６２ｂ，１６１ｂを閉じ、処理室１０１内への成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス）の供給を停止する。
たら、バルブ１６２ａ，１６１ａ，１６２ｂ，１６１ｂを閉じ、処理室１０１内への成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス）の供給を停止する。
そして、バルブ１６２ｃ，１６１ｃ，１６２ｄ，１６１ｄを開いたままの状態とし、処理室１０１内へのＮ２ガスの供給を継続しつつ、処理室１０１内を排気することで、処理室１０１内をパージする。処理室１０１内の雰囲気がＮ２ガスに置換されたら、圧力調整装置１４２の開度を調整して処理室１０１内の圧力を常圧に復帰させる。また、ヒータ１０６への通電を停止し、処理室１０１内の温度を所定の温度（ウエハ搬出温度）に降温させる。
（ボート移送工程）
第１ボート２１ａに対する成膜工程の間には、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従って、第２ボート２１ｂがＥＳステージ６からＴＲステージ５の上にボート移送機構３０によって移送される。
第１ボート２１ａに対する成膜工程の間には、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従って、第２ボート２１ｂがＥＳステージ６からＴＲステージ５の上にボート移送機構３０によって移送される。
この際、ＴＲステージ５に移送された第２ボート２１ｂが空ボートであると、その第２ボート２１ｂに対して、移載工程が行われる。すなわち、授受ステージ８上のポッド５０のウエハ７が、ＴＲステージ５上の第２ボート２１ｂへ、ウエハ移載部１１によって移載される。ただし、第２ボート２１ｂに処理済のウエハ７が保持されている場合は、第２ボート２１ｂから処理済のウエハ７を脱装（ウエハディスチャージ）してポッド５０に移載した後に、新たな未処理ウエハ７の第２ボート２１ｂへの移載が行われる。
（搬出工程）
第１ボート２１ａに対する成膜工程が完了すると、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従いつつ、その後、回転機構１５４による第１ボート２１ａ及びウエハ７の回転を停止させ、ボートエレベータ２０によりシールキャップ１９を下降させてマニホールド１０９の下端を開口させるとともに、処理済のウエハ７を保持した第１ボート２１ａをプロセスチューブ１０３の外部に搬出（ボートアンロード）する。
第１ボート２１ａに対する成膜工程が完了すると、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従いつつ、その後、回転機構１５４による第１ボート２１ａ及びウエハ７の回転を停止させ、ボートエレベータ２０によりシールキャップ１９を下降させてマニホールド１０９の下端を開口させるとともに、処理済のウエハ７を保持した第１ボート２１ａをプロセスチューブ１０３の外部に搬出（ボートアンロード）する。
そして、処理済のウエハ７を保持した第１ボート２１ａは、機械制御サブコントローラ２０５からの指示に従いつつ、ＢＬステージ４からＥＳステージ６へボート移送機構３０によって直ちに移送される。この移送後は、ＥＳステージ６上に載置された高温状態の第１ボート２１ａが、クリーンユニット３から吹出されるクリーンエア１５によって極めて効果的に冷却される。そして、例えば１５０℃以下に冷却されると、第１ボート２１ａは、ボート移送機構３０によってＥＳステージ６からＴＲステージ５の上に移送される。なお、このとき既に、ＴＲステージ５上における第２ボート２１ｂに対する未処理ウエハ７の移載は完了し、その第２ボート２１ｂの処理室１０１内への装入（ボートロード）も完了しているものとする。
以上のような各工程を繰り返すことで、本実施形態に係る基板処理装置１は、ウエハ７上への窒化シリコン膜の形成を、高スループットで行うことができる。
（５）基板処理装置の保守方法
上述した成膜工程は、ウエハ７上への膜形成を目的とするが、実際には、ウエハ７以外、例えばインナーチューブ１０４内壁やボート２１等に対しても膜が形成されてしまう。形成された膜が厚く堆積すると、加わる応力が増大して割れが生じ、処理室１０１内に異物（パーティクル）を発生させることがある。そこで、本実施形態に係る基板処理装置１は、上述の成膜工程を繰り返すことで処理室１０１内等に堆積した膜の厚さが所定の厚さに到達したら、処理室１０１内等を保守（メンテナンス）するための保守工程として、以下に述べるようなクリーニング工程を実施する。
上述した成膜工程は、ウエハ７上への膜形成を目的とするが、実際には、ウエハ７以外、例えばインナーチューブ１０４内壁やボート２１等に対しても膜が形成されてしまう。形成された膜が厚く堆積すると、加わる応力が増大して割れが生じ、処理室１０１内に異物（パーティクル）を発生させることがある。そこで、本実施形態に係る基板処理装置１は、上述の成膜工程を繰り返すことで処理室１０１内等に堆積した膜の厚さが所定の厚さに到達したら、処理室１０１内等を保守（メンテナンス）するための保守工程として、以下に述べるようなクリーニング工程を実施する。
（クリーニング工程）
クリーニング工程は、処理室１０１内等に付着した堆積物（累積した薄膜）の厚さが、堆積物に剥離・落下が生じる前の所定の厚さに達した時点で、その実施が開始される。累積膜厚が所定厚さに達したか否かは、例えば、反応管としてのプロセスチューブ１０３によって形成される処理室１０１内に設けた膜厚検出器にて検出された累積膜厚値から判断したり、あるいは処理室１０１を成膜工程に使用した使用回数や使用時間等から類推される膜厚推定値に基づいて判断することが考えられる。つまり、プロセスチューブ１０３等の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータを用いて、その設定パラメータを所定閾値と比較することにより、メンテナンス時期であるか否かがコントローラ部２００によって判断される。
クリーニング工程は、処理室１０１内等に付着した堆積物（累積した薄膜）の厚さが、堆積物に剥離・落下が生じる前の所定の厚さに達した時点で、その実施が開始される。累積膜厚が所定厚さに達したか否かは、例えば、反応管としてのプロセスチューブ１０３によって形成される処理室１０１内に設けた膜厚検出器にて検出された累積膜厚値から判断したり、あるいは処理室１０１を成膜工程に使用した使用回数や使用時間等から類推される膜厚推定値に基づいて判断することが考えられる。つまり、プロセスチューブ１０３等の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータを用いて、その設定パラメータを所定閾値と比較することにより、メンテナンス時期であるか否かがコントローラ部２００によって判断される。
クリーニング工程の実施にあたって、コントローラ部２００では、先ず、実施すべきクリーニングのためのメンテナンス用レシピが記憶部２０７から読み出され、メインコントローラ２０１内のＲＡＭ等のメモリに展開される。そして、必要に応じて、メインコントローラ２０１から各サブコントローラ２０２，２０３，２０４，２０５へ動作指示が与えられる。これにより、クリーニング工程が実施されることになる。尚、クリーニング工程では、ガスクリーニングレシピまたはパージクリーニングレシピ等のメンテナンス用レシピが実行される。
（ガスクリーニングレシピ）
クリーニング工程でガスクリーニングレシピを実行する場合は、例えばシャッタ１４７により、マニホールド１０９の下端開口を気密に閉塞しておく。そして、処理室１０１内が所定のクリーニング圧力（真空度）となるように真空排気装置１４６によって真空排気するとともに、処理室１０１内が所定のクリーニング温度となるようにヒータ１０６によって加熱する。
クリーニング工程でガスクリーニングレシピを実行する場合は、例えばシャッタ１４７により、マニホールド１０９の下端開口を気密に閉塞しておく。そして、処理室１０１内が所定のクリーニング圧力（真空度）となるように真空排気装置１４６によって真空排気するとともに、処理室１０１内が所定のクリーニング温度となるようにヒータ１０６によって加熱する。
その後は、処理室１０１内が所定のクリーニング温度、所定のクリーニング圧力に維持された状態で、クリーニングガスとしてのＮＦ３ガスの処理室１０１内への供給を開始する。バルブ１６２ｅ，１６１ｅ，１６２ｆ，１６１ｆを開くことでＮＦ３ガス供給源１７４からガス供給管１３２ｅ，１３２ｆ内に供給されたＮＦ３ガスは、ＭＦＣ１４１ｅ，１４１ｆにて所定の流量となるように制御された後、ガス供給管１３２ａ，１３２ｂを経由して、ノズル１３０ａ，１３０ｂから処理室１０１内に供給される。
このとき、処理室１０１内へ供給されるＮ２ガスは、クリーニングガスであるＮＦ３ガスを希釈する希釈ガスとして、或いは処理室１０１内への拡散を促すキャリアガスとして機能する。Ｎ２ガスの供給流量を制御することで、ＮＦ３ガスの濃度や拡散速度を制御するこができる。
処理室１０１内に供給されたＮＦ３ガスは、インナーチューブ１０４内（処理室１０１内）を上昇し、インナーチューブ１０４の上端開口から筒状空間１５０内に流出し、筒状空間１５０内を流下した後、排気管１３１から排気される。ＮＦ３ガスは、処理室１０１内を通過する際に、処理室１０１内に累積した窒化シリコン膜等と接触し、熱化学反応により窒化シリコン膜等を除去する。すなわち、加熱されて活性化したＮＦ３ガスはエッチング種となり、処理室１０１内に累積した窒化シリコン膜等をエッチングして除去する。なお、本実施形態では、処理室１０１内へＮＦ３ガスを供給するノズルとして、処理室１０１内へ成膜ガスを供給するノズル１３０ａ，１３０ｂを用いている。係る構成によれば、ノズル１３０ａ，１３０ｂ内に堆積した窒化シリコン膜をも効率的に除去することができる。予め設定された処理時間が経過し、窒化シリコン膜等の除去が完了したら、バルブ１６２ｃ，１６１ｃ，１６２ｄ，１６１ｄを閉じ、処理室１０１内へのＮＦ３ガスの供給を停止する。
そして、バルブ１６２ｃ，１６１ｃ，１６２ｄ，１６１ｄを開いたままの状態とし、処理室１０１内へのＮ２ガスの供給を継続しつつ、処理室１０１内を排気することで、処理室１０１内をパージする。
尚、本実施の形態におけるガスクリーニングレシピは、一種の例示であって、クリーニングガス及び膜種等は、上述した内容に限定されない。また、上記ガスクリーニングレシピは、ボート２１を処理室１０１内に搬入していない状態でも、空のボート２１(ウエハ７が保持されていないボート２１)を処理室１０１内に搬入した状態で実行しても構わない。但し、連続バッチ処理を行う場合、後述するようにウエハ７の移載を行うため、ボート２１を処理室１０１内に搬入していない状態で実行されるのが好ましい。
（パージクリーニングレシピ）
上記実施形態におけるウエハ７処理方法により、成膜ガス(ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス)を用い、成膜処理温度は７３０℃〜８００℃の条件で、φ３００ｍｍのシリコンウェハにＳｉＮ膜(Ｓｉ３Ｎ４膜)を形成し、特に膜厚が１５００Å（１５０ｎｍ）以上である場合、パージクリーニングレシピを実行した。尚、コントローラ部２００により、メンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピとパージクリーニングレシピが適宜選択されるように構成されている。例えば、累積膜厚、装置構成(例えば、強制冷却機構の有無)、処理室内１０１のボート２１の有無等に応じて選択されても良い。又、メンテナンスを行う必要が生じ、その必要性に応じてクリーニング工程を実施する場合に、コントローラ部２００のＵ／Ｉ部２０６での操作内容に基づいて、どちらのメンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピとパージクリーニングレシピのどちらを使用するか選択できるように構成されている。
上記実施形態におけるウエハ７処理方法により、成膜ガス(ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＮＨ３ガス)を用い、成膜処理温度は７３０℃〜８００℃の条件で、φ３００ｍｍのシリコンウェハにＳｉＮ膜(Ｓｉ３Ｎ４膜)を形成し、特に膜厚が１５００Å（１５０ｎｍ）以上である場合、パージクリーニングレシピを実行した。尚、コントローラ部２００により、メンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピとパージクリーニングレシピが適宜選択されるように構成されている。例えば、累積膜厚、装置構成(例えば、強制冷却機構の有無)、処理室内１０１のボート２１の有無等に応じて選択されても良い。又、メンテナンスを行う必要が生じ、その必要性に応じてクリーニング工程を実施する場合に、コントローラ部２００のＵ／Ｉ部２０６での操作内容に基づいて、どちらのメンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピとパージクリーニングレシピのどちらを使用するか選択できるように構成されている。
このウエハ７の冷却及び払出し（ウエハウェハディスチャージ）と並行して、気密に閉塞した処理室１０１内を大気圧状態にて不活性ガスを用いてガスパージが行われる。例えばＮ２ガスによりパージが行なわれる。パージクリーニングを行う(パージクリーニングレシピを実行する)際は、例えばシャッタ１４７により、マニホールド１０９の下端開口を気密に閉塞しておく。そして、処理室１０１内に、例えば２０Ｌ／ｍｉｎ以上の大流量のＮ２ガスを供給しつつ、メイン排気ラインより分岐して設けられた図示しないハイフローベントラインを介して排気するようにするのが好ましい。この場合、メインバルブは閉じられる。
この大気圧状態での炉内パージと同時に、処理室１０１内の温度を、強制冷却機構にて、自然空冷時の降温レート（≒３℃／ｍｉｎ）よりも大きな降温レートにて降下（低下）させ、炉内温度を急激に変動させる。これにより処理室１０１内に付着した堆積膜の応力を自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に処理室１０１外に排出される。強制冷却機構にて、炉内温度を降下させる際には、図示しない排気ブロアで加熱機構周辺の高温の雰囲気ガスを排気すると共に、図示しない導入ブロアにより空気やＮ２等の冷却媒体を図示しない断熱カバー内に導入する。
降温レートは少なくとも１０℃／ｍｉｎ以上、好ましくは、２０℃／ｍｉｎ以上とするのがよい。炉内温度降下については、反応炉１内の温度を少なくとも成膜温度の１／２（５０％）程度以下の温度まで降下させる設定とする。すなわち、温度降下幅（量）を、少なくとも成膜温度の１／２（５０％）程度以上とする。例えば、成膜温度が７３０〜８００℃程度である場合、８００℃から４００℃まで、処理室１０１内の温度を降下させる設定とする。
なお、強制冷却（急速急冷）を行うことなく炉内温度を８００℃からゆっくりと４００℃まで降下させつつパージする実験を行ったところ、炉内に付着した堆積膜には亀裂はあまり発生せず、効果は不十分だった。すなわち温度差（降下温度幅）を大きくするだけでは十分な効果は得られないことが分かった。十分な効果を得るには、（１）温度差（降下温度幅）と、（２）温度降下速度の両方を大きくする必要がある。
炉内の強制冷却と同時に行う処理室１０１内の不活性ガスを用いてのガスパージは、減圧状態で行う場合に比べ、大気圧状態で行う場合の方が、パーティクル除去効果が大きいというメリットがある。また、減圧パージの場合、パージ後に炉内を大気圧に戻す工程が必要となり時間のロスとなるが、大気圧パージの場合、その工程が不要となり、時間の短縮が図れるというメリットもある。また、減圧パージの場合、排気系やその周辺に付着した副生成物が昇華して炉内に逆流することもあるが、大気圧パージの場合、そのような問題も生じない。
なお、炉内を強制冷却するだけでパージしない場合、発生したパーティクルは炉口ゲートバルブ１３上に落下することとなる。炉口ゲートバルブ１３上に落下したパーティクルは、次の成膜を行う際には、炉口ゲートバルブ１３上に保持されたまま炉外の退避位置１４へ退避することとなる。すなわち次の成膜を行う際には、炉内にはパーティクルが存在しない状態とすることができ、次の処理に影響を与えることはない。なお、炉口ゲートバルブ１３の上面には溝（凹部）が設けられており、この溝により落下したパーティクルを収容できるので炉口ゲートバルブ１３を退避位置１４へ移動させる際、パーティクルの落下を防止することができる。なお、退避位置１４にパーティクル除去機構（吸引手段等）を設け、炉口ゲートバルブ１３を退避させている間に炉口ゲートバルブ上のパーティクルを除去するようにしてもよい。
以上のような、処理室１０１からウエハ７をアンロードさせ、処理室１０１を気密に閉塞した状態で、処理室１０１内の温度を少なくとも１０℃／ｍｉｎ以上、好ましくは２０℃／ｍｉｎ以上の降温レートで成膜温度の１／２程度以上降下させつつ、処理室１０１内を大気圧状態にて不活性ガスパージする一連の動作は、メインコントローラ２０１により、ヒータ５や強制冷却装置、ガス供給系、排気系等を制御することにより行う。このようにして行う炉内パージを、低温パージまたはＬＴＰ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｕｒｇｅ）と呼ばれる。
ＬＴＰにおける炉内温度降下前の上昇時における好ましい昇温レートは、本実施の形態において、３℃／ｍｉｎ以上、より好ましくは１０〜１００℃／ｍｉｎ、更に好ましくは３０〜１００℃／ｍｉｎである。また、炉内温度降下時の好ましい降温レートは、３℃／ｍｉｎ以上、より好ましくは１０〜１００℃／ｍｉｎ、更に好ましくは２０〜１００℃／ｍｉｎである。
ＬＴＰ後、ボートロード前に炉内温度を６００℃に調整するのは、次の成膜におけるボートロード後の炉内昇温時間を短縮し、トータルでの成膜時間を短縮するためである。仮に、ＬＴＰ後に炉内温度をＬＴＰの降下終点温度である４００℃に保持した場合、次の成膜では４００℃でボートロードし、その後炉内温度を４００℃から７６０℃まで３６０℃昇温させる必要があり、昇温時間が長くなる。ＬＴＰ後に炉内温度を６００℃に保持しておけば、次の成膜では６００℃でボートロードし、その後炉内温度を６００℃から７６０℃まで１６０℃だけ昇温させればよく、昇温時間を短くすることができる。なお、ボートロード時の炉内温度を高くし過ぎると、ウエハ７が跳ねる問題があり、それも考慮し炉内温度を６００℃に保持している。
上記ウエハ７処理に於いて、ボートアンロード後処理室１０１を気密に閉塞した状態で（処理室１０１内にウエハ７がない状態で）、処理室１０１内を大気圧Ｎ２パージの状態にて、大気圧排気する。並行して炉内温度を８００℃から４００℃まで強制冷却機構にて２０℃／ｍｉｎ以上の降温レートで降下（低下）させる。斯かる温度降下処理をすることで、処理室１０１内面に付着した反応副生成物堆積膜の応力を自然空冷（降温レート≒３℃／ｍｉｎ）時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。更に、処理室１０１内を大気圧ガスパージすることで、亀裂発生により飛散した微細パーティクルを強制的に、また効率的に処理室１０１外に排出させる。
成膜時の炉内温度は、ＬＴＰにおける降温終点温度（本実施の形態では、４００℃）よりも、数百度高く、一度降温処理（４００℃）した堆積膜は、応力緩和がなされているため、次バッチ処理のＳｉＮ成膜時に新たな亀裂が発生することが避けられる。更に又、温度が高くなると前記堆積膜の応力は減少することが分かっており、成膜処理時には堆積膜の応力が低減する状態となるので、成膜処理時には新たな亀裂の発生の可能性は更に低くなる。
而して、堆積膜の亀裂を事前に発生させ、亀裂発生に伴う、微細パーティクルをボートロード前に処理室１０１外へ強制的に排出するので、微細パーティクルのない状態でウエハ処理が行われる。また、堆積膜亀裂により発生するパーティクルを効率的に除去することができるので、処理室１０１の洗浄(クリーニング)は、堆積膜が剥離する状態前に行えばよい。また、本発明により堆積膜が剥離する状態となるまでの期間を大幅に延長することができるので、処理室１０１の洗浄時期の間隔を大幅（堆積膜の膜厚が２５μｍとなるまで）に延長することができる。
なお、ＳｉＣはＳｉＮと熱膨張率が近いので、ＳｉＣとＳｉＮとの間には応力差はあまり生じない。よって、アウターチューブ３やインナーチューブ４等の反応管をＳｉＣ製とした場合、ＬＴＰの効果はあまり期待できない。これに対して、ＳｉＯ２（石英）はＳｉＮと熱膨張率の差が大きいので、ＳｉＯ２とＳｉＮとの間の応力差は大きくなる。すなわち、ＬＴＰは石英製の反応管を用い、ＳｉＮ膜の成膜を行う場合に特に有効となる。
以上、本実施の形態によるＬＴＰによれば、成膜処理前に処理室１０１内の生成堆積膜に強制的に亀裂を発生させ、亀裂発生に伴う微細パーティクルを排出するので、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制でき、高品質の成膜処理が行え、又堆積膜が剥離する前に反応炉の洗浄を実施すればよいので洗浄時期の間隔が長くなり、保守性が向上すると共に稼働率が向上する。
尚、本実施の形態におけるパージクリーニングレシピもガスクリーニングレシピと同様に、一種の例示であって、温度差、温度下降速度及びＮ２流量等は、上述した内容に限定されない。また、上記パージクリーニングレシピもガスクリーニングレシピ同様に、ボート２１を処理室１０１内に搬入していない状態でも、空のボート２１(ウエハ７が保持されていないボート２１)を処理室１０１内に搬入した状態で実行しても構わない。但し、本実施の形態におけるパージクリーニングレシピは、ボート２１を処理室１０１内に搬入していない状態で実行されるのが好ましい。
（６）保守時における基板移載方法
ところで、第１ボート２１ａ及び第２ボート２１ｂを備えた基板処理装置１において、上述したクリーニング工程を実施する場合には、既に説明したように、次バッチのためのウエハ７の移載が禁止されてしまうと、第１ボート２１ａ及び第２ボート２１ｂを備えているにもかかわらず、不要な動作や待ち時間等が発生してしまい、その結果としてウエハ７に対する処理のスループットが低下してしまうおそれがある。
ところで、第１ボート２１ａ及び第２ボート２１ｂを備えた基板処理装置１において、上述したクリーニング工程を実施する場合には、既に説明したように、次バッチのためのウエハ７の移載が禁止されてしまうと、第１ボート２１ａ及び第２ボート２１ｂを備えているにもかかわらず、不要な動作や待ち時間等が発生してしまい、その結果としてウエハ７に対する処理のスループットが低下してしまうおそれがある。
このことから、本実施形態に係る基板処理装置１は、処理室１０１内等に対する保守（メンテナンス）を行う必要が生じた場合、すなわち上述したクリーニング工程を実施する場合には、以下に述べるような手順の処理動作を行う。
図７は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１での基板移載方法を示す説明図である。
図７は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１での基板移載方法を示す説明図である。
クリーニング工程を実施する必要が生じる前の段階では、図７（ａ）に示すように、ＴＲステージ５上にウエハチャージがされた第１ボート２１ａがあると、その第１ボート２１ａをＴＲステージ５からＢＬステージ４へ移送する。このとき、ＥＳステージ６上には空ボートである第２ボート２１ｂがあるものとする。
そして、図７（ｂ）に示すように、第１ボート２１ａをＢＬステージ４へ移送した後は、その第１ボート２１ａを反応管としてのプロセスチューブ１０３内に装入して、バッチレシピを開始する。すなわち、メインコントローラ２０１が読み出したバッチレシピに従いつつ、あるバッチについてのウエハ７を保持している第１ボート２１ａをプロセスチューブ１０３内に装入した状態で、そのプロセスチューブ１０３によって形成される処理室１０１内にて、第１ボート２１ａが保持するウエハ７に対する成膜工程を行う。
第１ボート２１ａに対するバッチレシピの実行中には、図７（ｃ）に示すように、ＥＳステージ６上の第２ボート２１ｂがＴＲステージ５へ移送される。ここで、第１ボート２１ａに対するバッチレシピの実行中に、処理室１０１内等に付着した堆積物の累積膜厚が所定厚さに達して、クリーニング工程を実施する必要が生じた場合には、メインコントローラ２０１は「メンテ予約中」である旨のフラグを立てておく。メンテ予約中とは、実行中のバッチレシピが終了した後、直ちにメンテナンス用レシピを実行し得るようにした状態のことをいう。このようなフラグを立てると、メインコントローラ２０１は、メンテ予約中である旨の情報をＵ／Ｉ部２０６に出力させて、その旨をユーザ（操作者）に対して報知する。尚、図示しないが、処理室１０１はシールキャップ１９によって気密に閉塞されている。
ただし、メンテ予約中であっても、メインコントローラ２０１は、ボート２１へのウエハ７の移載を禁止せずに、当該移載を許可する。そのため、バッチレシピの実行中で、かつ、メンテ予約中であっても、図７（ｄ）に示すように、ＴＲステージ５上に空ボートである第２ボート２１ｂがあると、その第２ボート２１ｂに対しては、ウエハ７が移載されて装填される。つまり、現在バッチ終了後に次バッチではなくメンテナンスを行う場合でも、次バッチ用のウエハ７の第２ボート２１ｂへの移載を行うことになる。
その後、第１ボート２１ａに対する成膜工程が終了すると、図７（ｅ）に示すように、処理済のウエハ７を保持した第１ボート２１ａをプロセスチューブ１０３の外部に搬出（ボートアンロード）する。
そして、図７（ｆ）に示すように、処理済のウエハ７を保持した第１ボート２１ａを、ＢＬステージ４からＥＳステージ６へ移送する。これにより、現在実行中のバッチレシピが終了することになる。さらには、メンテ予約中であったので、現在バッチ終了後、直ちに、反応管であるプロセスチューブ１０３等に対するメンテナンスを行う。メンテナンスにあたり、メインコントローラ２０１は、メンテナンス用レシピを読み出し、その読み出したメンテナンス用レシピに従いつつクリーニング工程を実施する。
このときに読み出すメンテナンス用レシピは、主として反応管であるプロセスチューブ１０３をメンテナンスするためのものであり、空ボートの装入を必要としない。そのため、メインコントローラ２０１は、メンテナンス用レシピの実行中であっても、ボート２１の移送を禁止せずに、当該移送を許可する。具体的には、図７（ｇ）に示すように、ＴＲステージ５上にウエハチャージがされた第２ボート２１ｂがあると、その第２ボート２１ｂをＴＲステージ５からＢＬステージ４へ移送する。つまり、メンテナンス終了後、直ちに次バッチを実行できるようにすべく、第２ボート２１ｂをＢＬステージ４へ移送しておく。なお、このときに行うクリーニング工程は、空ボートの装入を必要とせず、図示しないが、マニホールド１０９の下端開口がシャッタ１４７によって気密に閉塞されることになる。
その後、プロセスチューブ１０３に対するクリーニング工程が終了すると、図７（ｈ）に示すように、次バッチについてのウエハ７を保持している第２ボート２１ｂを、反応管としてのプロセスチューブ１０３内に装入する。
そして、図７（ｉ）に示すように、第２ボート２１ｂをプロセスチューブ１０３内に装入した状態で、バッチレシピの実行を開始する。すなわち、メインコントローラ２０１が読み出したバッチレシピに従いつつ、プロセスチューブ１０３によって形成される処理室１０１内にて、第２ボート２１ｂが保持する次バッチ用のウエハ７に対する成膜工程を行う。
（７）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
本実施形態によれば、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
（ａ）本実施形態によれば、メンテ予約中で現在バッチ終了後にメンテナンスを行う場合でも、ＴＲステージ５上の空ボート２１へのウエハ７の移載を禁止することなく、当該空ボート２１へのウエハ７の装填を行う。そして、現在バッチが終了しメンテナンスを行うタイミングになったら、空ボート２１をプロセスチューブ１０３内にロードすることなく、直ちにプロセスチューブ１０３に対するメンテナンスを行う。また、メンテナンスが終了したら直ちに次バッチを実行できるように、メンテナンスの実行中に次バッチのウエハ７が装填されたボート２１をボートロード位置であるＢＬステージ４へ移送しておく。つまり、連続バッチ処理実行中にプロセスチューブ１０３のメンテナンスをするタイミングになっても次バッチのウエハ移載を行い、現在バッチ終了後に空ボート２１をロードすることなくプロセスチューブ１０３のメンテナンスを行った後、直ちに次バッチを実行する。したがって、連続バッチ処理実行中にメンテナンスを行う必要が生じた場合であっても、メンテナンスを行った後に直ちに次バッチに対する処理を実行することができ、不要な動作や待ち時間等が発生してしまうことないので、メンテナンス実行中に基板移載が禁止される場合に比べてスループットが向上する。
（ｂ）本実施形態によれば、メンテナンスを行うタイミングになったら、空ボート２１をプロセスチューブ１０３内にロードすることなく、プロセスチューブ１０３に対するメンテナンスを行う。したがって、一つのプロセスチューブ１０３に対して第１ボート２１ａ及び第２ボート２１ｂの二つを用いてスループット向上を図る場合、すなわちボート２１の数がプロセスチューブ１０３の数より多い場合であっても、各ボート２１ａ，２１ｂに対する不要な（すなわち過剰な）メンテナンスの実行を省くことができ、常に空ボート２１のロードを必要とする場合に比べると、各ボート２１ａ，２１ｂの寿命を延ばすことが実現可能となる。
＜本発明の第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
本実施形態に係る基板処理装置１は、上述した第１の実施形態の場合と比べると、コントローラ部２００が以下に述べる点で異なる。
コントローラ部２００は、クリーニング工程を行うためのメンテナンス用レシピとして、チューブメンテナンス用レシピと、ボートメンテナンス用レシピとの両方を、記憶部２０７が保持している。チューブメンテナンス用レシピは、上述した第１の実施形態で説明したように、空ボート２１をプロセスチューブ１０３内にロードすることなく、プロセスチューブ１０３をメンテナンスするためのレシピである。一方、ボートメンテナンス用レシピは、従来から用いられているもので、空ボート２１をプロセスチューブ１０３内にロードした状態で、プロセスチューブ１０３と空ボート２１との両方をメンテナンスするためのレシピである。又、これら、チューブメンテナンス用レシピ及びボートメンテナンス用レシピは、ガスクリーニングレシピとパージクリーニングレシピの両方を、記憶部２０７が保持している。
また、コントローラ部２００は、記憶部２０７がチューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとの両方を保持していることから、メンテナンスを行う必要が生じ、その必要性に応じてクリーニング工程を実施する場合に、どちらのメンテナンス用レシピを使用するか選択できるように構成されている。更に、コントローラ部２００は、前記ガスクリーニングレシピと前記パージクリーニングレシピから選択されるメンテナンス用レシピを選択して実行するように構成されている。
メンテナンスの必要性についての判断、すなわちメンテナンス時期であるか否かの判断は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方につき、それぞれの部分の累積膜厚を監視し、どちらかの累積膜厚値が所定厚さに達したか否かによって行えばよい。詳しくは、メンテナンス時期は、プロセスチューブ１０３またはボート２１の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータを用いて、その少なくとも一つの設定パラメータを所定閾値と比較することにより、判断することが考えられる。
また、どちらのメンテナンス用レシピを使用するかの選択は、コントローラ部２００のＵ／Ｉ部２０６での操作内容に基づいて行えばよい。詳しくは、どちらのメンテナンス用レシピを使用するかの選択情報がＵ／Ｉ部２０６から入力されて記憶部２０７に記憶されていれば、メンテナンス時期になったときに、その記憶された選択情報を記憶部２０７から読み出すことで、どちらのメンテナンス用レシピを使用するかを決定する。
ただし、コントローラ部２００は、メンテナンス時期になると、どちらのメンテナンス用レシピを使用するかの選択を、切り替えられるように構成されていてもよい。具体的には、コントローラ部２００は、プロセスチューブ１０３とボート２１とのそれぞれについて累積膜厚値等を監視し、その監視結果をＵ／Ｉ部２０６で表示出力させ、表示出力されたそれぞれの部分の累積膜厚値等に応じて、チューブメンテナンス用レシピからボートメンテナンス用レシピへ、あるいはボートメンテナンス用レシピからチューブメンテナンス用レシピへ、切り替え制御を可能にする。
この場合、プロセスチューブ１０３とボート２１とのそれぞれについて累積膜厚値等を監視することになるが、当該累積膜厚値等の設定パラメータについては、プロセスチューブ１０３とボート２１とのそれぞれで個別に選択可能なように構成されていてもよい。具体的には、例えば、プロセスチューブ１０３については設定パラメータとして累積膜厚値を用いるが、ボート２１については設定パラメータとして使用回数や使用時間等を用いて、それぞれにおけるメンテナンス時期を判断することが考えられる。また、それぞれで同一の設定パラメータを用いる場合であっても、例えば、プロセスチューブ１０３とボート２１とで異なる値に設定された閾値を用いて、メンテナンス時期であるか否かを判断することも考えられる。いずれの場合においても、どのような設定パラメータとするかについては、Ｕ／Ｉ部２０６での操作により個別に選択し得るものとする。
以上のような構成の基板処理装置１では、上述した第１の実施形態の場合において説明した効果に加えて、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
（ｃ）本実施形態によれば、チューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとの両方を保持しておき、メンテナンスを行う場合にどちらのメンテナンス用レシピを使用するか選択できる。したがって、連続バッチ処理実行中にプロセスチューブ１０３とボート２１との累積膜厚値等が異なる場合でも適切なメンテナンス用レシピが実行されることになり、クリーニング工程の際のオーバーエッチによる部品（プロセスチューブ１０３またはボート２１）の損傷によるパーティクル発生が抑えられる。
（ｄ）本実施形態によれば、メンテナンス時期になると、どちらのメンテナンス用レシピを使用するかの選択内容を切り替えることができる。したがって、どの部分で累積膜厚値等の異常が発生したかについての監視情報を参照したユーザ（操作者）が、その監視情報の内容に応じて、実行するメンテナンス用レシピを切り替えることが可能となり、その結果として適切なメンテナンス用レシピの実行が確実なものとなる。
（ｅ）本実施形態によれば、メンテナンス時期であるか否かの判断に用いられる設定パラメータについて、プロセスチューブ１０３とボート２１とのそれぞれで個別に選択することが可能である。したがって、プロセスチューブ１０３とボート２１とで異なる設定パラメータを用いることが可能となるので、チューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するかについて、その選択基準に設定自由度が与えられることになり、その結果として適切なメンテナンス用レシピの実行がより一層確実なものとなる。
＜本発明の第３の実施形態＞
次に、本発明の第３の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明の第３の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態に係る基板処理装置１は、上述した第２の実施形態の場合と同様に、チューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するか選択し得るように構成されているが、第２の実施形態の場合とは異なり、その選択をコントローラ部２００が自動で行うように構成されている。
図８は、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置１でのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行手順を示すシーケンスフロー図である。
コントローラ部２００では、基板処理をするためのレシピに代表される各種レシピが実行されると、これに合わせてメインコントローラ２０１が記憶部２０７からメンテナンス用レシピ監視プログラムを読み出し、そのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行を開始する。メンテナンス用レシピ監視プログラムを開始すると、図８に示すように、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方につき、それぞれの部分の累積膜厚値等を監視する。そして、監視の結果、いずれかが所定閾値に到達すると、累積膜厚値等についてのエラー（異常）処理を行う（ステップ３０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。すなわち、メインコントローラ２０１は、クリーニング工程を実
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
その後、クリーニング工程を実施可能なタイミングになると、メインコントローラ２０１は、アラームまたはアラートの発生箇所がどこであるかを判定する（Ｓ３０２）。
アラームまたはアラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３であれば（Ｓ３０３）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３に対するメンテナンスは必要であるが、ボート２１に対するメンテナンスは不要と判断する。そして、空ボート２１をロードすることなくプロセスチューブ１０３に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からチューブメンテナンス用レシピを読み出して、そのチューブメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０４）。
アラームまたはアラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３とボート２１との両方であれば（Ｓ３０５）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、空ボート２１をロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該空ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピを読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０６）。
アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１であれば（Ｓ３０７）、メインコントローラ２０１は、少なくともボート２１に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、アラームまたはアラートが発生したボート２１について、これをロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピを読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０８）。なお、アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１である場合に（Ｓ３０７）、プロセスチューブ１０３とボート２１との間で累積膜厚値等が大きく離れていると、メインコントローラ２０１は、ボート２１に対するメンテナンスではなく、当該ボート２１の交換が必要と判断し、その旨のエラー情報をＵ／Ｉ部２０６から出力して、ユーザ（操作者）に対して報知する。
以上のような構成の基板処理装置１では、上述した第２の実施形態の場合において説明した効果に加えて、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
（ｆ）本実施形態によれば、メンテナンス用レシピ監視プログラムの実行により、メンテナンスを行う場合にチューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するかが、累積膜厚値の異常発生箇所に応じて自動的に選択される。したがって、人為的な選択ミス等が生じることなく、累積膜厚の異常発生態様に応じて適切なメンテナンス用レシピが実行されるとともに、そのメンテナンス用レシピの選択を迅速かつ確実に行うことが可能となる。
図９は、本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置１でのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行手順を示すシーケンスフロー図である。
本実施形態に係る基板処理装置１は、上述した第２または第３の実施形態の場合と同様に、チューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するか選択し得るように構成されているが、第２または第３の実施形態の場合とは異なり、更に、ガスクリーニングレシピを実行するか、パージクリーニングレシピを実行するか、その選択をコントローラ部２００が自動で行うように構成されている。
コントローラ部２００では、基板処理をするためのレシピに代表される各種レシピが実行されると、これに合わせてメインコントローラ２０１が記憶部２０７からメンテナンス用レシピ監視プログラムを読み出し、そのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行を開始する。メンテナンス用レシピ監視プログラムを開始すると、図９に示すように、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方につき、それぞれの部分の累積膜厚値等を監視する。そして、監視の結果、いずれかが所定閾値に到達すると、累積膜厚値等についてのエラー（異常）処理を行う（ステップ３０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。すなわち、メインコントローラ２０１は、クリーニング工程を実
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
その後、クリーニング工程を実施可能なタイミングになると、メインコントローラ２０１は、アラームまたはアラートの発生箇所がどこであるかを判定する（Ｓ３０２）。
アラームまたはアラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３であれば（Ｓ３０３）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３に対するメンテナンスは必要であるが、ボート２１に対するメンテナンスは不要と判断する。そして、空ボート２１をロードすることなくプロセスチューブ１０３に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からチューブメンテナンス用レシピを読み出して、そのチューブメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０４）。そして、次にステップへ移行する。
アラームまたはアラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３とボート２１との両方であれば（Ｓ３０５）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、空ボート２１をロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該空ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピを読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０６）。そして、次にステップへ移行する。
アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１であれば（Ｓ３０７）、メインコントローラ２０１は、少なくともボート２１に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、アラームまたはアラートが発生したボート２１について、これをロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピを読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０８）。そして、次にステップへ移行する。なお、アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１である場合に（Ｓ３０７）、プロセスチューブ１０３とボート２１との間で累積膜厚値等が大きく離れていると、メインコントローラ２０１は、ボート２１に対するメンテナンスではなく、当該ボート２１の交換が必要と判断（Ｓ３１０）し、その旨のエラー情報をＵ／Ｉ部２０６から出力して、ユーザ（操作者）に対して報知する。最後に、ステップ（３０４）、ステップ３０６(Ｓ３０６)、ステップ３０８（Ｓ３０８）の次にステップでガスクリーニングレシピかパージクリーニングレシピのどちらか一方が選択される（Ｓ３０９）。
以上のような構成の基板処理装置１では、上述した第２または第３の実施形態の場合において説明した効果に加えて、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
（ｇ）本実施形態によれば、メンテナンス用レシピ監視プログラムの実行により、メンテナンスを行う場合にチューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するかが、累積膜厚値の異常発生箇所に応じて自動的に選択され、次にガスクリーニングレシピにするかパージクリーニングレシピにするか、例えば、アラームまたはアラートの発生箇所に応じて自動的に選択される。したがって、人為的な選択ミス等が生じることなく、累積膜厚の異常発生態様及びアラームまたはアラートの発生箇所に応じて適切なメンテナンス用レシピが実行されるとともに、そのメンテナンス用レシピの選択を迅速かつ確実に行うことが可能となる。
図１０は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る基板処理装置１でのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行手順を示すシーケンスフロー図である。
本実施形態に係る基板処理装置１は、上述した第４の実施形態の場合と同様に、チューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するか選択し得るように構成されているが、第４の実施形態の場合とは異なり、更に、ボートメンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピを実行し、チューブメンテナンス用レシピとしてパージクリーニングレシピを実行するように、コントローラ部２００が自動で選択するように構成されている。そして、メンテナンスレシピ用レシピとして、ガスクリーニングレシピ(ボートメンテナンス用レシピ)を実行するか、パージクリーニングレシピ(チューブメンテナンス用レシピ)を実行するか、その選択をコントローラ部２００が自動で行うように構成されている。
コントローラ部２００では、基板処理をするためのレシピに代表される各種レシピが実行されると、これに合わせてメインコントローラ２０１が記憶部２０７からメンテナンス用レシピ監視プログラムを読み出し、そのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行を開始する。メンテナンス用レシピ監視プログラムを開始すると、図１０に示すように、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方につき、それぞれの部分の累積膜厚値等を監視する。そして、監視の結果、いずれかが所定閾値に到達すると、累積膜厚値等についてのエラー（異常）処理を行う（ステップ３０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。すなわち、メインコントローラ２０１は、クリーニング工程を実
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
その後、クリーニング工程を実施可能なタイミングになると、メインコントローラ２０１は、アラームまたはアラートの発生箇所がどこであるかを判定する（Ｓ３０２）。
アラームまたはアラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３であれば（Ｓ３０３）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３に対するメンテナンスは必要であるが、ボート２１に対するメンテナンスは不要と判断する。そして、空ボート２１をロードすることなくプロセスチューブ１０３に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からチューブメンテナンス用レシピ(パージクリーニングレシピ)を読み出して、そのチューブメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３１４）。
アラームまたはアラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３とボート２１との両方であれば（Ｓ３０５）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、空ボート２１をロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該空ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピ(ガスクリーニングレシピ)を読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３１６）。
アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１であれば（Ｓ３０７）、メインコントローラ２０１は、少なくともボート２１に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、アラームまたはアラートが発生したボート２１について、これをロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピを読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０８）。そして、次にステップへ移行する。なお、アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１である場合に（Ｓ３０７）、プロセスチューブ１０３とボート２１との間で累積膜厚値等が大きく離れていると、メインコントローラ２０１は、ボート２１に対するメンテナンスではなく、当該ボート２１の交換が必要と判断（Ｓ３１０）し、その旨のエラー情報をＵ／Ｉ部２０６から出力して、ユーザ（操作者）に対して報知する。次に、ステップ３０８（Ｓ３０８）の次にステップで、メンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピかメンテナンレシピのどちらか一方が選択される（Ｓ３０９）。
以上のような構成の基板処理装置１では、上述した第４の実施形態の変形例の場合において説明した効果に加えて、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
（ｈ）本実施形態によれば、メンテナンス用レシピ監視プログラムの実行により、メンテナンスを行う場合にチューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するかが、累積膜厚値の異常発生箇所に応じて自動的に選択され、次にガスクリーニングレシピにするかパージクリーニングレシピにするか、例えば、アラームまたはアラートの発生箇所に応じて自動的に選択される。したがって、人為的な選択ミス等が生じることなく、累積膜厚の異常発生態様及びアラームまたはアラートの発生箇所に応じて適切なメンテナンス用レシピが実行されるとともに、そのメンテナンス用レシピの選択を迅速かつ確実に行うことが可能となる。
図１２は、本発明の第５の実施形態に係る基板処理装置１でのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行手順を示すシーケンスフロー図である。
本実施形態に係る基板処理装置１は、上述した第４の実施形態の場合と同様に、チューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するか選択し得るように構成されているが、第４の実施形態の場合とは異なり、更に、ボートとチューブとの両方で累積膜厚エラーが発生した場合、この累積膜厚エラーのそれぞれの重要度に応じてメンテナンスが必要かどうかを判定して、その後、チューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するか、コントローラ部２００が自動で選択するように構成されている。具体的には、ボート交換が必要な場合、メンテナンスレシピ用レシピとして、パージクリーニングレシピ(チューブメンテナンス用レシピ)をコントローラ部２００が自動で行うように構成され、ボート交換が不要な場合、メンテナンスレシピ用レシピとして、ガスクリーニングレシピ(ボートメンテナンス用レシピ)をコントローラ部２００が自動で行うように構成されている。チューブ交換が必要な場合は、ボートの累積膜厚に関連無く、メンテナンス作業を行う必要があるため、メンテナンス用レシピは実行されないように構成される。
コントローラ部２００では、基板処理をするためのレシピに代表される各種レシピが実行されると、これに合わせてメインコントローラ２０１が記憶部２０７からメンテナンス用レシピ監視プログラムを読み出し、そのメンテナンス用レシピ監視プログラムの実行を開始する。メンテナンス用レシピ監視プログラムを開始すると、図１１に示すように、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方につき、それぞれの部分の累積膜厚値等を監視する。そして、監視の結果、いずれかが所定閾値に到達すると、累積膜厚値等についてのエラー（異常）処理を行う（ステップ３０１、以下ステップを「Ｓ」と略す。）。すなわち、メインコントローラ２０１は、クリーニング工程を実
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
施する必要が生じたと判断し、メンテ予約中である旨のフラグを立てるとともに、その旨のエラー情報（アラーム情報またはアラート情報）をＵ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して出力する。
その後、クリーニング工程を実施可能なタイミングになると、メインコントローラ２０１は、アラームまたはアラートの発生箇所がどこであるかを判定する（Ｓ３０２）。
アラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３であれば（Ｓ３０３）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３に対するメンテナンスは必要であるが、ボート２１に対するメンテナンスは不要と判断する。そして、空ボート２１をロードすることなくプロセスチューブ１０３に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からチューブメンテナンス用レシピを読み出して、そのチューブメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０４）、更に、ガスクリーニングレシピを実行するか、パージクリーニングレシピを実行するか、その選択をコントローラ部２００が自動で行うように構成されている（Ｓ３０９）。一方、アラームの発生箇所がプロセスチューブ１０３であれば（Ｓ３０３）、メインコントローラ２０１は、メンテナンス用レシピ実行不可と判断し、プロセスチューブ１０３の交換を促す。例えば、Ｕ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して交換を促すエラーメッセージを出力する。このとき、ユーザ（操作者）は、ボート２１の交換も同時に行うのが望ましい。
アラートの発生箇所がプロセスチューブ１０３とボート２１との両方であれば（Ｓ３０５）、メインコントローラ２０１は、プロセスチューブ１０３とボート２１との両方に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、空ボート２１をロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該空ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピ(ガスクリーニングレシピ)を読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３１６）。この場合、アラームの発生箇所がプロセスチューブ１０３の場合（Ｓ３０５）、メインコントローラ２０１は、メンテナンス用レシピ実行不可と判断し、プロセスチューブ１０３及びボート２１の交換を促す。例えば、Ｕ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して交換を促すエラーメッセージを出力する（Ｓ３１２）。アラームの発生箇所がボート２１、且つ、アラートの発生がプロセスチューブ１０３の場合（Ｓ３０５）、メインコントローラ２０１は、メンテナンス用レシピ実行不可と判断し、ボート２１の交換を促す。例えば、Ｕ／Ｉ部２０６からユーザ（操作者）に対して交換を促すエラーメッセージを出力する（Ｓ３１０）。一方でプロセスチューブ１０３に対してはメンテナンスが必要と判断する。そして、空ボート２１をロードしない状態でプロセスチューブ１０３に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピを読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０６）。更に、ガスクリーニングレシピを実行するか、パージクリーニングレシピを実行するか、その選択をコントローラ部２００が自動で行うように構成されている（Ｓ３０９）。
アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１であれば（Ｓ３０７）、メインコントローラ２０１は、少なくともボート２１に対するメンテナンスが必要と判断する。そして、アラームまたはアラートが発生したボート２１について、これをロードした状態でプロセスチューブ１０３と当該ボート２１との両方に対するメンテナンスを行うべく、記憶部２０７からボートメンテナンス用レシピを読み出して、そのボートメンテナンス用レシピを実行する（Ｓ３０８）。そして、次にステップへ移行する。なお、アラームまたはアラートの発生箇所がボート２１である場合に（Ｓ３０７）、プロセスチューブ１０３とボート２１との間で累積膜厚値等が大きく離れていると、メインコントローラ２０１は、ボート２１に対するメンテナンスではなく、当該ボート２１の交換が必要と判断（Ｓ３１０）し、その旨のエラー情報をＵ／Ｉ部２０６から出力して、ユーザ（操作者）に対して報知する。次に、ステップ３０８（Ｓ３０８）の次にステップで、メンテナンス用レシピとしてガスクリーニングレシピかメンテナンレシピのどちらか一方が選択される（Ｓ３０９）。この場合、第４の実施形態と同様である。
以上のような構成の基板処理装置１では、上述した第４の実施形態の場合において説明した効果に加えて、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を奏する。
（ｉ）本実施形態によれば、メンテナンス用レシピ監視プログラムの実行により、メンテナンスを行う場合にチューブメンテナンス用レシピとボートメンテナンス用レシピとのどちらを使用するかが、異常の重要度及び累積膜厚値の異常内容に応じて自動的に選択され、例えば、アラームまたはアラートの発生箇所に応じて、ガスクリーニングレシピにするかパージクリーニングレシピにするか、自動的に選択される。従って、人為的な選択ミス等が生じることなく、累積膜厚の異常発生態様及びアラームまたはアラートの発生箇所に応じて適切なメンテナンス作業及びメンテナンス用レシピが実行されるとともに、そのメンテナンス用レシピの選択を迅速かつ確実に行うことが可能となる。
例えば、上述した実施形態(第１の実施形態から第５の実施形態まで)では、基板処理装置１での処理動作をコントローラ部２００が制御する場合を例にあげたが、コントローラ部２００における制御機能は、コンピュータを上述した実施形態で説明した制御部（制御手段）および操作部（操作手段）として機能させる所定プログラムによって実現することが可能である。その場合に、所定プログラムは、例えばコントローラ部２００の記憶部２０７にインストールされて用いられるが、そのインストールに先立ち、コントローラ部２００と接続する通信回線を通じて提供されるものであってもよいし、あるいはコントローラ部２００で読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであってもよい。
＜本発明の他の実施形態＞
図１２は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置１でのコントローラ部３００を示すブロック図である。分散システムを構成する。
図１２は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置１でのコントローラ部３００を示すブロック図である。分散システムを構成する。
次に、図１２を参照して、主制御部としてのコントローラ部３００を中心とした制御装置３４０の構成について説明する。図１２に示すように、制御装置としての装置コントローラ３４０は、コントローラ部３００と、コントローラ部３００に接続されるスイッチングハブ３１５と、コントローラ部３００に接続される表示制御部３１６と、スイッチングハブ３１５を介してコントローラ部３００に接続される副操作部としての副表示制御部３１７と、搬送制御部としての搬送系コントローラ３１１と、処理制御部としてのプロセス系コントローラ３１２と、を備えている。コントローラ部３００には、スイッチングハブ３１５を介して例えば１００ＢＡＳＥ−Ｔ等のＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）により搬送系コントローラ３１１及びプロセス系コントローラ３１２が電気的に接続されている。
コントローラ部３００には、外部記憶装置としての記録媒体であるＵＳＢメモリ等が挿脱される装着部としてのポート３１３が設けられている。コントローラ部３００には、ポート３１３に対応するＯＳがインストールされている。また、コントローラ部３００は、図示しない外部の上位コンピュータと、例えば通信ネットワークを介して接続される。このため、基板処理装置１がクリーンルーム内に設置されている場合であっても上位コンピュータがクリーンルーム外の事務所等に配置されることが可能である。
表示制御部３１６は、例えばビデオケーブルにより表示装置３１８に接続されている。表示装置３１８は、例えば液晶表示パネルである。表示部としての表示装置３１８には基板処理装置１を操作するための各操作画面が表示されるように構成されている。そして、表示制御部３１６は、操作画面を介して基板処理装置１内で生成される情報を表示部に表示させる。また、表示部に表示された情報を主コントローラ２０１に挿入されたＵＳＢメモリなどのデバイスに出力させる。表示制御部３１６は、表示装置３１８に表示される操作画面からの作業者の入力データ（入力指示）を受け付け、入力データをコントローラ部３００に送信する。また、表示制御部３１６は、後述のメモリ(ＲＡＭ)等に展開されたレシピ若しくは後述する記憶部に格納された複数のレシピのうち任意の基板処理レシピ（プロセスレシピともいう）を実行させる指示（制御指示）を受け付け、コントローラ部３００に送信するようになっている。なお、表示制御部３１６及び入力部と表示装置３１８はタッチパネルにより構成されていてもよい。又、副表示制御部３１７及び副表示装置３１９も上記表示制御部３１６及び表示装置３１８と同様な構成である。ここで、表示制御部３１６と副表示制御部３１７は主コントローラ２０１と別体で記載されているが、コントローラ部３００に含む構成でもよい。また、本発明の実施形態における操作部は、コントローラ部３００と、表示制御部３１６と、表示装置３１８とで少なくとも構成されている。
搬送系コントローラ２１１は、主に回転式ポッド棚，ボートエレベータ、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）、ウェーハ移載機構（基板移載機構）、ボート２１及び回転機構(図示せず)により構成される基板搬送系２１１Ａに接続されている。搬送系コントローラ２１１は、回転式ポッド棚，ボートエレベータ、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）、ウェーハ移載機構（基板移載機構）、ボート２１及び回転機構の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。
プロセス系コントローラ２１２は、温度コントローラ２１２ａ、圧力コントローラ２１２ｂ及びガス供給流量コントローラ２１２ｃ、シーケンサ２１２ｄを備えている。温度コントローラ２１２ａ、圧力コントローラ２１２ｂ及びガス供給流量コントローラ２１２ｃ、シーケンサ２１２ｄ、はサブコントローラを構成し、プロセス系コントローラ２１２と電気的に接続されているため、各データの送受信や各ファイルのダウンロード及びアップロード等が可能となっている。尚、プロセス系コントローラ２１２とサブコントローラは、別体で図示されているが、一体構成でも構わない。
温度コントローラ２１２ａには、主にヒータ及び温度センサにより構成される加熱機構２１２Ａが接続されている。温度コントローラ２１２ａは、処理室１０１のヒータの温度を制御することで処理室１０１内の温度を調節するように構成されている。なお、温度コントローラ２１２ａは、サイリスタのスイッチング（オンオフ）制御を行い、ヒータ素線に供給する電力を制御するように構成されている。
圧力コントローラ２１２ｂには、主に圧力センサ、圧力バルブとしてのＡＰＣバルブ及び真空ポンプにより構成されるガス排気機構２１２Ｂが接続されている。圧力コントローラ２１２ｂは、圧力センサにより検知された圧力値に基づいて、処理室１０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣバルブの開度及び真空ポンプのスイッチング(オンオフ)を制御するように構成されている。
ガス流量コントローラ２１２ｃは、ＭＦＣ(Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ)により構成される。シーケンサ２１２ｄは、処理ガス供給管，パージガス供給管からのガスの供給や停止を、バルブ２１２Ｄを開閉させることにより制御するように構成されている。また、プロセス系コントローラ２１２は、処理室２９内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ガス流量コントローラ２１２ｃ（ＭＦＣ）、シーケンサ２１２ｄ（バルブ２１２Ｄ）を制御するように構成されている。
このように、本実施の形態において、コントローラ部３００と、搬送系コントローラ３１１と、プロセス系コントローラ３１２は、それぞれの機能毎に分散したコントローラ構成となっている。これにより、仮に、例えば、搬送系コントローラ３１１が異常になっても、コントローラ部３００及びプロセス系コントローラ３１２は独立した体系となっているので、例えば、プロセス系コントローラ３１２により制御が行われていても停止することが無く、そのまま実行できる。従い、基板処理中に搬送エラーが生じても、装置停止することが無いためロットアウトすることが無い。これまでは、コントローラ部２００で基板の搬送及び基板の処理を制御していたので、負荷が大きく、大量なデータを扱うことができなかった。しかしながら、現在のプロセスの微細化により、データ量は年々増加しており、このトレンドに対応するには、むしろ、本実施の形態における分散型コントローラが望ましい。
尚、本実施の形態にかかるコントローラ部３００、搬送系コントローラ３１１、プロセス系コントローラ３１２は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢなど）から当該プログラムをインストールすることにより、所定の処理を実行する各コントローラを構成することができる。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、所定の処理を実行することができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述した本発明の実施形態では、処理対象となる基板が半導体ウエハ基板である場合を例にあげたが、本発明はこれに限定されることなく、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。
また例えば、上述した本発明の実施形態では、基板処理装置１が行う処理としてＳｉ系の成膜を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
また例えば、本発明の実施形態において、ボートメンテナンス用レシピを実行する場合には、ウエハ７を装填していない空ボート２１をプロセスチューブ１０３内に装入した状態で実施しているが、本発明は係る形態に限らず、例えばダミー用ウエハを装填したボート２１をプロセスチューブ１０３内に装入した状態で実施するようにしても構わない。また、その他、ガスを供給するノズル等の供給管やガスを排気する排気管用のクリーニングレシピを実行する場合も適用できる。
また例えば、上述の本発明の実施形態に係るクリーニング工程では、フッ化窒素（ＮＦ３）ガスを処理室１０１内に連続的に供給しているが、本発明は係る形態に限らず、ＮＦ３ガスを断続的に複数回供給するようにしてもよい。
また例えば、シリコン含有ガスとしてＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスを例示したが、本発明は係る形態に限らず、例えば、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）等の他のクロロシラン系や、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８、略称：ＴＳ）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）、モノシラン（ＳｉＨ４、略称：ＭＳ）等の無機原料や、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）などの有機原料を用いることができる。
また例えば、窒素含有ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガスを例示したが、これに限らず、例えば、一酸化窒素（ＮＯ）ガスや二酸化窒素（ＮＯ２）ガス等を用いても良く、またこれらの組み合わせて用いてもよい。
また、例えば、クリーニングガスとして三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスを例示したが、これに限らず、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガス、フッ素（Ｆ２）ガス等のフッ素（Ｆ）や塩素（Ｃｌ）等のハロゲンを含むハロゲン含有ガスを用いても良く、またこれらを組み合わせて用いても良い。
また、例えば不活性ガスとして窒素（Ｎ２）ガスを例示したが、これに限らず、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガス等を用いても良く、また窒素ガスとこれらの希ガスとを組み合わせて用いても良い。
また、例えば上述したように、本発明に係る処理炉１３の構成では、ウエハ７を多数処理するバッチ式装置として構成されているが、これに限らず、ウエハ７を１枚毎に処理する枚様式装置に本発明を適用してもよい。
また、例えば上述したように、本発明に係る処理炉１３の構成では、熱ＣＶＤ反応によってウエハ７の表面上に窒化シリコン（ＳｉＮ膜）を成膜する構成としているが、これに限らず、プラズマを用いてウエハ７の表面上に窒化シリコン（ＳｉＮ膜）を成膜する構成に本発明を適用してもよい。
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
［付記１］
本発明の一態様によれば、基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置が提供される。
本発明の一態様によれば、基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置が提供される。
［付記２］
好ましくは、
付記１の基板処理装置であって、
前記メンテナンス時期になると、前記操作部での選択内容を切り替えられるように構成されている基板処理装置が提供される。
好ましくは、
付記１の基板処理装置であって、
前記メンテナンス時期になると、前記操作部での選択内容を切り替えられるように構成されている基板処理装置が提供される。
［付記３］
また好ましくは、
付記２の基板処理装置であって、
前記メンテナンス時期は、前記反応管または前記基板保持具の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータにより判断される基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記２の基板処理装置であって、
前記メンテナンス時期は、前記反応管または前記基板保持具の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータにより判断される基板処理装置が提供される。
［付記４］
また好ましくは、
付記３の基板処理装置であって、
前記設定パラメータは、前記反応管または前記基板保持具のそれぞれで個別に選択可能なように構成されている基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記３の基板処理装置であって、
前記設定パラメータは、前記反応管または前記基板保持具のそれぞれで個別に選択可能なように構成されている基板処理装置が提供される。
［付記５］
また好ましくは、
前記基板保持具の数が前記反応管の数より多い付記１乃至付記４のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
前記基板保持具の数が前記反応管の数より多い付記１乃至付記４のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
［付記６］
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具が装入される反応管を有し、当該反応管内に前記基板保持具が装入された状態で当該基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す処理炉と、
前記基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを実行する
基板処理装置が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具が装入される反応管を有し、当該反応管内に前記基板保持具が装入された状態で当該基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す処理炉と、
前記基板を処理するためのレシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを実行する
基板処理装置が提供される。
［付記７］
好ましくは、
更に、前記レシピの内容を編集する操作部を有し、
前記操作部は、前記制御部に実行させるレシピを切替可能なように構成されている
付記６に記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
更に、前記レシピの内容を編集する操作部を有し、
前記操作部は、前記制御部に実行させるレシピを切替可能なように構成されている
付記６に記載の基板処理装置が提供される。
［付記８］
また好ましくは、
付記６または付記７の基板処理装置であって、
前記反応管または前記基板保持具の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータによりメンテナンス時期と判断されると、前記制御部が選択されたレシピを実行する基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記６または付記７の基板処理装置であって、
前記反応管または前記基板保持具の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータによりメンテナンス時期と判断されると、前記制御部が選択されたレシピを実行する基板処理装置が提供される。
［付記９］
また好ましくは、
付記８の基板処理装置であって、
前記設定パラメータは、前記反応管または前記基板保持具のそれぞれで個別に設定できる基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
付記８の基板処理装置であって、
前記設定パラメータは、前記反応管または前記基板保持具のそれぞれで個別に設定できる基板処理装置が提供される。
［付記１０］
また好ましくは、
前記基板保持具の数が前記反応管の数より多い付記６乃至付記９のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
また好ましくは、
前記基板保持具の数が前記反応管の数より多い付記６乃至付記９のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
［付記１１］
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法が提供される。
［付記１２］
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に搬入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置の保守方法であって、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に搬入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置の保守方法であって、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法が提供される。
［付記１３］
本発明の他の一態様によれば、
処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される
基板移載方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される
基板移載方法が提供される。
［付記１４］
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置の基板移載方法であって、
前記基板を処理するためのレシピを実行する基板処理工程と、
処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される
基板移載方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置の基板移載方法であって、
前記基板を処理するためのレシピを実行する基板処理工程と、
処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される
基板移載方法が提供される。
［付記１５］
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理するためのレシピを実行する基板処理工程と、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程
を少なくとも備えた半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理するためのレシピを実行する基板処理工程と、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと、前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピと、から選択されるレシピを、前記制御部が実行する保守工程
を少なくとも備えた半導体装置の製造方法が提供される。
［付記１６］
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部とを備えたコントローラが提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部とを備えたコントローラが提供される。
［付記１７］
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を処理するためのレシピを実行させるとともに、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピとから選択されるレシピを実行する
プログラムが提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が反応管内に装入された状態で、前記基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を処理するためのレシピを実行させるとともに、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピとから選択されるレシピを実行する
プログラムが提供される。
［付記１８］
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を実現させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を実現させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
［付記１９］
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が装入される反応管を有し、当該反応管内に前記基板保持具が装入された状態で当該基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す処理炉と、
を少なくとも備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を処理するためのレシピを実行するとともに、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピとから選択されるレシピを実行する
プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具が装入される反応管を有し、当該反応管内に前記基板保持具が装入された状態で当該基板保持具が保持する基板に所定の処理を施す処理炉と、
を少なくとも備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を処理するためのレシピを実行するとともに、
前記反応管をメンテナンスするためのレシピと前記基板保持具および前記反応管の両方をメンテナンスするためのレシピとから選択されるレシピを実行する
プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
１ 基板処理装置
７ ウエハ（基板）
２１ ボート（基板保持具）
１０３ プロセスチューブ（反応管）
２０１ メインコントローラ
２０２ 温度制御サブコントローラ
２０３ 圧力制御サブコントローラ
２０４ ガス制御サブコントローラ
２０５ 機械制御サブコントローラ
２０６ Ｕ／Ｉ部（操作部）
７ ウエハ（基板）
２１ ボート（基板保持具）
１０３ プロセスチューブ（反応管）
２０１ メインコントローラ
２０２ 温度制御サブコントローラ
２０３ 圧力制御サブコントローラ
２０４ ガス制御サブコントローラ
２０５ 機械制御サブコントローラ
２０６ Ｕ／Ｉ部（操作部）
Claims (4)
- 基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置。 - 基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備えた基板処理装置の保守方法。 - 処理対象の基板を基板保持具へ移載する移載工程と、
基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択する選択工程と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記選択工程で選択されたメンテナンス用レシピを実行する保守工程と、
を少なくとも備え、
前記保守工程で実行するメンテナンス用レシピとして前記反応管のメンテナンス用レシピが選択されていれば、前記保守工程の実行中でも前記移載工程の実行が許可される基板移載方法。 - 基板処理に用いられる反応管のメンテナンス用レシピと、前記反応管および当該反応管内に装入される基板保持具の両方のメンテナンス用レシピと、を選択するように構成されている操作部と、
前記反応管を用いた基板処理の実行中に前記反応管および／または前記基板保持具のメンテナンス時期になると、実行中の基板処理の終了後に、前記操作部で選択されたメンテナンス用レシピを実行する制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置で実行されるプログラム。
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