JP6091487B2 - 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、基板処理装置の保守方法及びレシピ制御プログラム - Google Patents

基板処理装置、基板処理装置の制御方法、基板処理装置の保守方法及びレシピ制御プログラム Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置におけるレシピ制御に係り、特にメンテナンス用レシピに関するものである。
基板を処理する基板処理装置には、基板を多段に保持する基板保持具を反応炉内に装入した状態で、反応炉内に処理ガスを供給して、基板保持具が保持する基板に対する処理を行うように構成されたバッチ式のものがある。このような縦型のバッチ式基板処理装置では、通常、メンテナンス用レシピを実行することにより、反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)に堆積している累積膜厚を除去している。例えば、特許文献１によれば、反応管内にクリーニングガスを供給して、前記反応管内壁等に付着した薄膜を含む付着物を除去することが開示されている。また、特許文献２によれば、枚葉式の基板処理装置において、処理室内に堆積している累積膜厚が閾値に達したらメンテナンス用レシピを実行して累積膜厚を除去している。
ところで、基板の表面に形成される膜種によっては、反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)に付着している堆積物だけでなく、排気管に付着する堆積物が反応炉内に拡散することによる汚染等が問題となる場合があった。よって、排気管に付着する堆積物を効率的に除去することが行われている。例えば、特許文献３によれば、排気配管のみにエッチング性ガスを流すようにして、排気配管内に付着する副生成物を効率良く除去することが記載されている。
特許第４５４１７３９号公報 特許第３８５４１５７号公報 特開平１１−２４３０５９号公報
本発明は斯かる実情に鑑み、クリーニング対象とする箇所及び部材が異なる、それぞれレシピを少なくとも累積膜厚値で設定されたクリーニング条件で制御し、適切なレシピを選択して実行させる基板処理装置、基板処理装置の制御方法、基板処理装置の保守方法及び記録媒体を提供するものである。
本発明の一態様によれば、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管を処理するレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、設定条件を満たしたレシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置であって、操作部が、記憶部に格納されたレシピのうち、設定条件に基づいて基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと、排気管を処理するレシピのそれぞれの実行を制御するレシピ制御部を備えた基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置の制御方法であって、操作部は、前記記憶部に格納された前記レシピのうち、前記設定条件に基づいて前記基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと、前記排気管を処理するためのレシピのそれぞれの実行を制御するレシピ制御部を備えた基板処理装置の制御方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのレシピと、前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含むメンテナンス用レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置の保守方法であって、制御部は、前記メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件を更新する工程と、更新された条件の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較する工程と、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを選択する工程と、選択された前記メンテナンス用レシピの実行後、前記現在値をクリアする工程と、を有するレシピ制御プログラムを実行する基板処理装置の保守方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件を更新するステップと、更新された条件の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較するステップと、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを実行するステップと、実行された前記メンテナンス用レシピの現在値をクリアするステップと、を有するレシピ制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明によれば、クリーニング対象とする箇所及び部材により個別に作成された、各メンテナンス用レシピの実行を制御することにより、適切なメンテナンス用レシピが実行されるので、メンテナンス効率の向上を図ることができる。
本発明の基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の基板処理装置を示す側断面図である。 本発明の基板処理装置に於ける制御系を示すブロック図である。 本発明の基板処理装置に於ける制御系の詳細を示すブロック図である。 本発明の一実施形態(実施例１)におけるメンテナンス用レシピ制御フローを示す図である。 本発明の一実施形態(実施例１)におけるメンテナンス用レシピを設定する画面の一実施例を示す図である。 本発明の一実施形態(実施例１)におけるメンテナンス用レシピの実行タイミングチャートを示す図である。 本発明の一実施形態における基板処理装置の配管構成を示す図である。 本発明の一実施形態(実施例２)におけるメンテナンス用レシピ制御フローを示す図である。 本発明の一実施形態(実施例２)におけるメンテナンス用レシピを設定する画面である。 本発明の一実施形態(実施例２)におけるメンテナンス用レシピの実行タイミングチャートを示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
先ず、図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置について説明する。
図１、図２は基板処理装置の一例として縦型の基板処理装置を示している。尚、該基板処理装置に於いて処理される基板は、一例としてシリコン等から成るウェーハが示されている。
基板処理装置１は筐体２を備え、該筐体２の正面壁３の下部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。
前記筐体２の前記正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。
該ポッド９は密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。
前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３は前記ポッド９を複数個宛載置した状態で格納する様に構成されている。
前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。
前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送機構（容器搬送機構）１５が設置されており、該ポッド搬送機構１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ（基板）１８を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が一対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。
該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入口を開閉する様に構成されている。
前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送機構１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハ１８を載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート（基板保持体）２６に対してウェーハ１８を装填及び払出しする様に構成されている。
前記移載室２３の後側領域には、前記ボート２６を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。該処理炉２８は内部に処理室２９を形成し、該処理室２９の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）３１により開閉される様になっている。
前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート２６を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３２が設置されている。該ボートエレベータ３２の昇降台に連結されたアーム３３には蓋体としてのシールキャップ３４が水平に取付けられており、該シールキャップ３４は前記ボート２６を垂直に支持し、該ボート２６を前記処理室２９に装入した状態で前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。
前記ボート２６は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１８をその中心に揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。
前記ボートエレベータ３２側と対向した位置にはクリーンユニット３５が配設され、該クリーンユニット３５は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３６を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３５との間には、ウェーハ１８の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。
前記クリーンユニット３５から吹出された前記クリーンエア３６は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３５によって前記移載室２３内に吹出されるように構成されている。
次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。
前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。
この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３６が流通され、充満している。例えば、前記移載室２３には前記クリーンエア３６として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遙かに低く設定されている。
前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。
前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１８は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１８を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１８を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート２６に装填（チャージング）する。
該ボート２６にウェーハ１８を受渡した前記ウェーハ移載機構２４は前記ポッド９に戻り、次のウェーハ１８を前記ボート２６に装填する。
一方（上端又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によりウェーハ１８の前記ボート２６への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウェーハ１８が前記ボート２６に装填されると前記炉口シャッタ３１によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が前記炉口シャッタ３１によって開放される。続いて、前記ボート２６は前記ボートエレベータ３２によって上昇され、前記処理室２９に搬入（ローディング）される。
ローディング後は、前記シールキャップ３４によって炉口部が気密に閉塞される。尚、本実施の形態において、このタイミングで(ローディング後)、前記処理室２９が不活性ガスに置換されるパージ工程(プリパージ工程)を有する。
前記処理室２９が所望の圧力（真空度）となる様にガス排気機構（図示せず）によって真空排気される。又、前記処理室２９が所望の温度分布となる様にヒータ駆動部（図示せず）によって所定温度迄加熱される。
又、ガス供給機構（図示せず）により、所定の流量に制御された処理ガスが供給され、処理ガスが前記処理室２９を流通する過程で、ウェーハ１８の表面と接触し、ウェーハ１８の表面上に所定の処理が実施される。更に、反応後の処理ガスは、前記ガス排気機構により前記処理室２９から排気される。
予め設定された処理時間が経過すると、前記ガス供給機構により不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、前記処理室２９が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室２９の圧力が常圧に復帰される(アフターパージ工程)。そして、前記ボートエレベータ３２により前記シールキャップ３４を介して前記ボート２６が降下される。
処理後のウェーハ１８の搬出については、上記説明と逆の手順で、ウェーハ１８及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。未処理のウェーハ１８が、更に前記ボート２６に装填され、ウェーハ１８のバッチ処理が繰返される。
前記処理炉２８、少なくとも基板を搬送する機構であるポッド搬送機構１５、ウェーハ移載機構２４、ボートエレベータ３２を含む搬送機構、前記処理炉２８に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉２８内を排気するガス排気機構、前記処理炉２８を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉２８、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部をそれぞれ制御する制御装置３７について、図３、図４を参照して説明する。
次に、図３を参照して、基板処理装置１における制御装置としての装置コントローラ３７を中心としたハードウエア構成について説明する。 図３に示されるように、装置コントローラ３７は、基板処理装置本体１１１内に、操作部としての主コントローラ４１と、搬送制御部３９と、プロセス制御部３８とが設けられている。ここで、搬送制御部３９とプロセス制御部３８とは、基板処理装置本体１１１内に設けることに替えて、基板処理装置本体１１１外に設けてもよい。
主操作部としての主コントローラ４１は、入力部と表示部を一体とした入出力部としての主操作装置６１と、例えば、ビデオケーブル、ネットワーク、ＬＡＮ等を用いて接続されている。 また、主コントローラ４１は、図示しない外部操作装置と、例えば、通信ネットワークを介して接続してもよい。この場合、外部操作装置は、基板処理装置１から離間した位置に配置することが可能である。例えば、基板処理装置１がクリーンルーム内に設置されている場合、外部操作装置はクリーンルーム外の事務所等に配置することが可能である。また、主コントローラ４１には、外部記憶装置としての記録媒体であるＵＳＢフラッシュメモリ等の装着及び取外しを行う着脱部としてのポート４０が設けられている。
主操作装置６１は、基板処理装置１（もしくは処理炉２８及び基板処理装置本体１１１）近傍に配置されている。主操作装置６１は、この実施形態のように基板処理装置本体１１１に装着するようにして、基板処理装置１と一体として固定する。ここで、主操作装置６１が、基板処理装置１（もしくは処理炉２８及び基板処理装置本体１１１）近傍に配置されているとは、基板処理装置１の状態を操作者が確認できる位置に主操作装置６１が配置されていることをいう。例えば、基板処理装置本体１１１が設置されているクリーンルーム内に設置される。 主操作装置６１は主表示装置６２を有する。主表示装置６２は、例えば、液晶表示パネルであり、基板処理装置１を操作するための操作画面などが表示される。主操作装置６１は、操作画面を介して、基板処理装置１内で生成される情報を表示させ、表示された情報を、ポート４０に挿入されたＵＳＢフラッシュメモリなどに出力させることができる。
副操作装置７１は副表示装置７２を有する。主表示装置６２と同様、副表示装置７２は、例えば、液晶表示パネルであり、基板処理装置１を操作するための操作画面などが表示される。副表示装置７２で表示される操作画面は、主表示装置６２で表示される操作画面と同様の機能を有する。したがって、副操作装置７１は、操作画面を介して、基板処理装置１内で生成される各種情報が表示させ、表示された情報を、ポート４０に挿入されたＵＳＢフラッシュメモリなどに出力させることができる。
また、図３に示されるように、主操作装置６１内には、主表示装置６２の表示を制御するため等に用いられる主表示制御部６３が設けられている。主表示制御部６３は、例えば、ビデオケーブル等を用いて、主コントローラ４１に接続されている。
また、図３に示されるように、副操作装置７１内には、副表示装置７２の表示を制御するため等に用いられる副表示制御部７３が設けられている。なお、副表示制御部７３は、図示された形態に限らず、通信ネットワーク等を介して、主コントローラ４１に接続されてもよい。
プロセス制御部３８は、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ)等からなるコンピュータによって構築されるプロセス系コントローラ１００を有し、搬送制御部３９は、例えばＣＰＵ等からなるコンピュータによって構築される搬送系コントローラ１１０を有する。搬送系コントローラ１１０とプロセス系コントローラ１００は、スイッチングハブを介して、主コントローラ４１にそれぞれ接続されている。ここでいうコンピュータは、プログラムを実行することでそのプログラムで指示された情報処理を行うものであり、具体的にはＣＰＵ、メモリ、入出力装置等の組み合わせによって構成されたものである。
次に、図４を参照して、本実施形態における装置コントローラ３７を中心とした制御系の詳細について説明する。
図４中、３８はプロセス制御部としてのプロセス制御モジュール、３９は搬送制御部、４１は操作部を示しており、前記プロセス制御部３８は記憶部４２を具備し、該記憶部４２にはプロセスを実行する為に必要なプロセス実行プログラム、入出力制御部としてのシーケンサ４５から取得したバルブ開閉情報及び流量調整部としてのＭＦＣ５８から取得したガス流量情報を少なくとも含むモニタ情報を保存する格納領域や、前記シーケンサ４５からフィードバックされた情報等が格納されている。前記搬送制御部３９は記憶部４３を具備し、該記憶部４３にはウェーハ１８の搬送を実行する為の搬送プログラムが格納され、前記操作部４１はデータ格納部４４を具備し、該データ格納部４４は、例えばＨＤＤ等の外部記憶装置から成る。尚、プロセス実行プログラム、搬送プログラム等の各種プログラムは前記データ格納部４４に格納されている。
又、前記プロセス制御部３８は、入出力制御部としてのシーケンサ４５、加熱制御部４６、圧力制御部４７、流量調整部としてのＭＦＣ５８を含み、各処理工程を実行するアクチュエータの駆動を制御する。例えば、前記プロセス制御部３８は、シーケンサ４５やＭＦＣ５８等の作動を制御して前記処理炉２８への処理ガスの供給流量を制御し、前記加熱制御部４６は前記処理炉２８の加熱制御を行い、前記圧力制御部４７は前記処理炉２８からのガスの排気を制御し、或は前記処理炉２８の圧力制御を行う機能を有している。又、４９は加熱制御部４６によって制御されるヒータを示しており、５１は前記圧力制御部４７によって制御される圧力バルブを示している。４８は、入出力制御部４５によって開閉制御されるバルブを示し、具体的には、バルブ４８はＯＮ／ＯＦＦ制御され、処理ガスの供給及び停止が制御される。５８は前記プロセス制御部３８によって制御されるＭＦＣ（流量調整器）を示している。
又、５３は温度検出部としての温度検出器を示し、５４は圧力検出部としての圧力センサを示しており、前記温度検出器５３は、前記ヒータ４９の状態を検出して検出結果を前記加熱制御部４６にフィードバックし、前記圧力センサ５４は、前記圧力バルブ５１の状態を検出して検出結果を前記圧力制御部４７にフィードバックする機能を有している。尚、前記バルブ４８は処理ガスの供給及び停止を制御する。前記バルブ４８に付随した電磁弁(図示しない)が前記バルブ４８の開閉状態を検出して検出結果を前記入出力制御部４５にフィードバックする。又、前記ＭＦＣ５８は、流量だけでなく種々の情報を含む属性情報を前記プロセス制御部３８へとフィードバックしている。
又、５５はキーボード、マウス等の入力部を示しており、５６はモニタ等の表示部を示している。尚、図では、入力部５５と表示部５６が別体で示されているが、画面上での入力が可能なタッチパネルのような入力部付表示部の形態でもかまわない。
前記入出力制御部４５、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７には、前記プロセス制御部３８から設定値の指示、或は処理シーケンスに従った指令信号が入力され、前記プロセス制御部３８は前記電磁弁、前記温度検出器５３、前記圧力センサ５４が検出した検出結果を基に、前記入出力制御部４５、流量調整部としての前記ＭＦＣ５８、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７を統括して制御する。
又、前記プロセス制御部３８は、前記操作部４１を介した前記入力部５５からの指令により、基板処理を実行し、又基板処理の実行は前記プロセス制御部３８が、前記記憶部４２に格納されたプログラムに従って、他の制御系とは独立して実行する。従って、前記搬送制御部３９、前記操作部４１に問題が発生しても、ウェーハ１８の搬送は中断されることなく完遂される。
前記搬送制御部３９は、前記操作部４１を介した前記入力部５５からの指令によって前記ポッド搬送機構１５、前記ウェーハ移載機構２４、前記ボートエレベータ３２を駆動して、ウェーハ１８の搬送を実行する。ウェーハ１８の搬送は、前記記憶部４３に格納された搬送プログラムによって他の制御系とは独立して実行する。従って、前記プロセス制御部３８、前記操作部４１に問題が発生しても、ウェーハ１８の搬送は中断されることなく完遂される。
前記データ格納部４４には、上述したプログラムに加え、基板処理進行を統括するプログラム、処理条件を設定する為の設定プログラム、前記プロセス制御部３８、前記搬送制御部３９とＬＡＮ等の通信部を介してデータの送受信を行う通信プログラム、前記流量制御部４５、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７の状態を前記表示部５６に表示する為の表示プログラム、又前記流量調整部５８、前記入出力制御部４５、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７を駆動制御する為に必要なパラメータの編集を行う操作プログラム等の各種プログラムがファイルとして格納されている。また、基板処理の為のレシピ(プロセスレシピ)、クリーニングレシピを含むメンテナンス用レシピ、アラームが発生したら実行されるアラームレシピ等やこれら各種レシピに包含される各種パラメータもファイルとして適宜格納されている。
又、前記データ格納部４４はデータ格納領域を有し、該データ格納領域には基板処理に必要とされるパラメータが格納され、前記バルブ４８、前記温度検出器５３、前記圧力センサ５４の設定値、検出結果、処理の状態等の情報が経時的に格納される。
(基板処理方法)次に、本実施形態に係る基板処理装置１を用いて実施する基板処理方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一工程である基板処理工程を実施する場合を例に挙げる。
基板処理工程の実施にあたって、先ず、実施すべき基板処理に対応するレシピが記憶部４２から読み出され、主コントローラ４１内のＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のメモリに展開される。そして、必要に応じて、主コントローラ４１からプロセス系コントローラ１００や搬送系コントローラ１１０へ動作指示が与えられる。このようにして実施される基板処理工程は、大別すると、移載工程と、搬入工程と、成膜工程と、ボート移送工程と、搬出工程とを有する。
（移載工程） 主コントローラ４１からは、搬送系コントローラ１１０に対して、ウェーハ移載機構２４の駆動指示が発せられる。そして、搬送系コントローラ１１０からの指示に従いつつ、ウェーハ移載機構２４は載置台としての授受ステージ２１上のポッド９からボート２６へのウェーハ１８の移載処理を開始する。この移載処理は、予定された全てのウェーハ１８のボート２６への装填（ウエハチャージ）が完了するまで行われる。
（搬入工程） 指定枚数のウェーハ１８がボート２６に装填されると、ボート２６は、搬送系コントローラ１１０からの指示に従って動作するボートエレベータ３２によって上昇されて、処理炉２８のインナーチューブ１０４内に形成される処理室２９に装入（ボートロード）される。ボート２６が完全に装入されると、ボートエレベータ３２のシールキャップ３４は、処理炉２８のマニホールドの下端を気密に閉塞する。
（成膜工程） その後は、処理室１０１内は、圧力制御部４７からの指示に従いつつ、所定の成膜圧力（真空度）となるように真空排気装置によって真空排気される。この際、処理室２９内の圧力は圧力センサ５４で測定され、この測定された圧力情報に基づき圧力調整装置がフィードバック制御される。また、処理室２９内は、加熱制御部４６からの指示に従いつつ、所定の温度となるようにヒータ４９によって加熱される。この際、処理室１０１内の温度が所定の温度（成膜温度）となるように、温度検出器としての温度センサ５３が検出した温度情報に基づきヒータ４９への通電具合がフィードバック制御される。続いて、搬送系コントローラ１１０からの指示に従いつつ、回転機構によるボート２６及びウェーハ１８の回転を開始する。
処理室２９内が所定の成膜温度、所定の成膜圧力に維持された状態で、例えば、シリコン含有ガスとしてのＳｉＨ２Ｃｌ２ガスの処理室２９内への供給が開始される。
このとき、処理室２９内へ供給されるＮ２ガスは、成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス）を希釈する希釈ガスとして、或いは処理室１０１内への拡散を促すキャリアガスとして機能する。Ｎ２ガスの供給流量を制御することで、成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス）の濃度や拡散速度を制御することができる。
処理室２９内に供給された成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス）は、処理室２９内を通過する際にウェーハ１８の表面と接触する。この際、熱ＣＶＤ反応によってウェーハ１８表面上に薄膜、すなわちポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜、以下、単にＳｉ膜とも呼ぶ）が堆積（デポジション）される。予め設定された処理時間が経過し、所定の膜厚のシリコン膜が成膜されたら、バルブが閉じられ、処理室２９内への成膜ガス（ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス）の供給が停止される。
そして、処理室２９内へのＮ２ガスの供給を継続しつつ、処理室２９内を排気することで、処理室２９内をパージする。処理室２９内の雰囲気がＮ２ガスに置換されたら、圧力調整装置としての圧力バルブ５１の開度を調整して処理室２９内の圧力を常圧に復帰させる。また、ヒータ４９への通電を停止し、処理室２９内の温度を所定の温度（ウエハ搬出温度）に降温させる。
（搬出工程） ボート２６に対する成膜工程が完了すると、搬送系コントローラ１１０からの指示に従いつつ、その後、回転機構によるボート２６及びウェーハ１８の回転を停止させ、ボートエレベータ３２によりシールキャップ３４を下降させてマニホールドの下端を開口させるとともに、処理済のウェーハ１８を保持したボート２６を処理炉２８の外部に搬出（ボートアンロード）する。
そして、処理済のウェーハ１８を保持したボート２６は、クリーンユニット３５から吹出されるクリーンエア３６によって極めて効果的に冷却される。そして、例えば１５０℃以下に冷却されると、ボート２６から処理済のウェーハ１８を脱装（ウエハディスチャージ）してポッド９に移載した後に、新たな未処理ウェーハ１８のボート２６への移載が行われる。
以上のような各工程を繰り返すことで、本実施形態に係る基板処理装置１は、ウェーハ１８上へのシリコン膜の形成を、高スループットで行うことができる。
(基板処理装置の保守方法) 上述した成膜工程は、ウェーハ１８上への膜形成を目的とするが、実際には、ウェーハ１８以外、例えば処理室２９を構成する反応管やボート２６等に対しても膜が形成されてしまう。形成された膜が厚く堆積すると、加わる応力が増大して割れが生じ、処理室２９内に異物（パーティクル）を発生させることがある。そこで、本実施形態に係る基板処理装置１は、上述の成膜工程を繰り返すことで処理室２９内等に堆積した膜の厚さが所定の厚さに到達したら、処理室２９内等を保守（メンテナンス）するための保守工程として、以下に述べるようなクリーニング工程を実施する。
（クリーニング工程） クリーニング工程は、処理室２９内等に付着した堆積物（累積した薄膜）の厚さが、堆積物に剥離・落下が生じる前の所定の厚さに達した時点で、その実施が開始される。累積膜厚が所定厚さに達したか否かは、例えば、反応管としてのプロセスチューブによって形成される処理室２９内に設けた膜厚検出器にて検出された累積膜厚値から判断したり、あるいは処理室２９を成膜工程に使用した使用回数や使用時間等から類推される膜厚推定値に基づいて判断することが考えられる。つまり、プロセスチューブ等の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータを用いて、その設定パラメータを所定閾値と比較することにより、メンテナンス時期であるか否かが操作部４１によって判断される。
クリーニング工程の実施にあたって、操作部４１では、先ず、実施すべきクリーニングのためのメンテナンス用レシピが記憶部４３から読み出され、主コントローラ４１内のＲＡＭ等のメモリに展開される。そして、必要に応じて、主コントローラ４１からプロセス系コントローラ１００や搬送系コントローラ１１０へ動作指示が与えられる。これにより、クリーニング工程が実施されることになる。
クリーニング工程を実施する場合は、例えば炉口シャッタ３１により、マニホールドの下端開口を気密に閉塞しておく。そして、処理室２９内が所定のクリーニング圧力（真空度）となるように真空排気装置によって真空排気するとともに、処理室２９内が所定のクリーニング温度となるようにヒータ４９によって加熱する。
その後は、処理室２９内が所定のクリーニング温度、所定のクリーニング圧力に維持された状態で、クリーニングガスとしてのフッ素含有ガス(例えば、Ｆ２ガス)の処理室２９内への供給を開始する。
このとき、処理室２９内へ供給されるＮ２ガスは、クリーニングガスであるＦ２ガスを希釈する希釈ガスとして、或いは処理室２９内への拡散を促すキャリアガスとして機能する。Ｎ２ガスの供給流量を制御することで、Ｆ２ガスの濃度や拡散速度を制御することができる。
処理室２９内に供給されたＦ２ガスは、処理室２９内を上昇し、インナーチューブの上端開口から筒状空間内に流出し、筒状空間内を流下した後、排気管から排気される。Ｆ２ガスは、処理室２９内を通過する際に、処理室２９内に累積したシリコン膜等と接触し、熱化学反応によりシリコン膜等を除去する。すなわち、加熱されて活性化したＦ２ガスはエッチング種となり、処理室２９内に累積したシリコン膜等をエッチングして除去する。予め設定された処理時間が経過し、シリコン膜等の除去が完了したら、バルブ４８を閉じ、処理室２９内へのＦ２ガスの供給を停止する。
図８は、本実施形態における基板処理装置のガス供給および排気配管系統の詳細を示したものである。図８において、ガス供給系は、クリーニングガスとしてのＦ２ガス供給ラインと、成膜ガスとしてのＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス供給ラインで少なくとも構成される。各ガス供給ラインは、所定数のバルブと、ＭＦＣと、希釈用Ｎ２ガスラインと、処理炉２８内にガスを流す前に流量安定するまでに排気側へ供給するためのバイパスラインと、を含む構成となっている。後述するメンテナンス用レシピ実行制御の説明において、特に必要としないため図示されていないが、更に、図示しない不活性ガス供給系も接続されているのは言うまでもない。また、排気側ラインは、排気管と、圧力バルブ(Ｍａｉｎ Ｖａｌｖｅ)５１と、を少なくとも含む構成となっている。また、真空排気装置(Ｍａｉｎ Ｐｕｍｐ)も排気側ラインに含むようにしてもよい。尚、図８において、領域Ａが処理炉２８内、領域Ｂ及び領域Ｃが排気側ラインを示し、領域Ｂは圧力バルブ(Ｍａｉｎ Ｖａｌｖｅ)５１の上流側で所定の圧力に圧力調整されており、領域Ｃは圧力バルブ(Ｍａｉｎ Ｖａｌｖｅ)５１の下流側であり、更に下流側に設けられた真空排気装置(Ｍａｉｎ Ｐｕｍｐ)により真空排気されている。上記Ｆ２ガス供給ライン及びＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス供給ラインはそれぞれバイパスラインを設け、図示しない原料ボンベから処理炉２８を介さずに領域Ｃに所定のガスを供給できるように構成されている。
図８は、処理炉２８内にクリーニングガスを供給して処理炉２８内を構成する部材に付着する堆積物を除去するクリーニングレシピと排気側ラインに付着する堆積物を効率的に除去する排気管用クリーニングレシピについて、それぞれ名称を変えてクリーニングレシピ(Ｍａｉｎｔｅ０１,Ｍａｉｎｔｅ０２)が作成された一例を示す。
図８にそれぞれのメンテナンスレシピ名が掲載されているように、Ｍａｉｎｔｅ０１が実行されると、処理炉(Ｒｅａｃｔｏｒ)２８（つまり、領域Ａ）にクリーニングガスが供給されるように構成されている。また、Ｍａｉｎｔｅ０２が実行されると、ガス供給系から処理炉(Ｒｅａｃｔｏｒ)２８を介さずに直接圧力バルブ(ＭａｉｎＶａｌｖｅ)５１の下流(排気)側にクリーニングガスが供給されるように構成されている。Ｍａｉｎｔｅ０１の実行により、処理炉(Ｒｅａｃｔｏｒ)２８（つまり、領域Ａ）に供給されたクリーニングガスは、処理炉２８と圧力バルブ(ＭａｉｎＶａｌｖｅ)５１との間の排気管(つまり、領域Ｂ)を通り、圧力バルブ(ＭａｉｎＶａｌｖｅ)５１と真空排気装置(Ｍａｉｎ Ｐｕｍｐ)との間の排気管(つまり、領域Ｃ)を通り、真空排気装置(Ｍａｉｎ Ｐｕｍｐ)より排気される。一方、Ｍａｉｎｔｅ０２の実行により、ガス供給系から処理炉(Ｒｅａｃｔｏｒ)２８を介さずに直接領域Ｃにクリーニングガスが供給され、真空排気装置(Ｍａｉｎ Ｐｕｍｐ)より排気されるようになっている。
（実施例１）次に、図５及び図６を用いてメンテナンス用レシピ実行制御について説明する。 図５は、本実施の形態(実施例１)におけるメンテナンス用レシピの一般的な処理フローを示す。実施例１における本処理フローは、先ず、プロセスレシピが終了すると、累積膜厚の現在値が更新される。尚、この現在値の更新は、プロセスレシピ終了する前であっても、プロセスレシピの成膜ステップが実行された後であれば構わない。次に、累積膜厚値がメンテナンス用レシピを実行する閾値に到達したかどうか判断される。そして、まだ閾値に到達していない場合、メンテナンス用レシピの処理フローは終了する。一方、更新された累積膜厚値が閾値に到達したと判断されると、クリーニングのためのメンテナンス用レシピ(以後、クリーニングレシピと称する場合がある)が実行される。そして、前記クリーニングレシピが終了すると、累積膜厚の現在値がクリアされる。このように、本処理フローを実行するメンテナンスプログラムは、プロセスレシピが実行されるたびに実行され、メンテナンス用レシピの実行制御が行われる。
図６は、本実施の形態(実施例１)におけるメンテナンス用レシピ実行制御において使用される設定テーブルを示す。ここで、Ｍａｉｎｔｅ０２が、反応炉内から排気されるガスが流れる排気側ラインに、反応炉を介さずに直接クリーニングガスを供給して前記排気管に付着する堆積物を除去できるクリーニングレシピである。この設定テーブルは、設定されているメンテナンスレシピに付加された番号を示す項目番号「Ｎｏ．」と、それぞれ設定されているメンテナンスレシピを実行する実行条件と、それぞれの実行条件に対する閾値を示すリミット値と、それぞれのメンテナンスレシピの名称を示すメンテナンスレシピ名を含む構成になっている。そして、本設定テーブルは、プロセスレシピ実行後、図５に示すフローの実行開始(メンテナンスレシピ制御処理工程)時に操作部４１により読込まれる。本実施の形態(実施例１)において、メンテナンスレシピを実行する条件は、累積膜厚値の他、使用回数及び使用時間などが挙げられる。
(実施例１における効果)このように、本実施の形態(実施例１)においては、Ｍａｉｎｔｅ０１とＭａｉｎｔｅ０２の両方を独立して制御することにより、反応炉内の累積膜厚が閾値に達する前であっても、Ｍａｉｎｔｅ０２を実行することにより、排気側ラインのクリーニングを行うことができる。これにより、反応炉内にクリーニングガスを供給すること無く、直接排気側ラインにクリーニングガスを供給することができるので、排気側ラインに付着したＳｉ化合物の組成を変更させる処理(失活処理)を行うことができる。例えば、Ｓｉ化合物が残存したまま、真空ポンプ(真空排気装置)により排気され、大気雰囲気に晒されたり、また、メンテナンス作業で排気側ラインが分解されて、大気に晒されたりしてしまうとＳｉ系化合物が爆発する恐れがあり、非常に危険であるが、その危険を回避できる。また、Ｓｉ系化合物が排気側ラインに付着及び残存していると、安全のために真空ポンプ(真空排気装置)のインターロックが発生して停止することがある。このインターロックが発生しても、Ｍａｉｎｔｅ０２を実行することにより失活処理を行うことで、再度真空ポンプ(真空排気装置)を安全に運転させることができる。
図７は、メンテナンス用レシピの実行タイミングチャートを示す図である。図７に示されるように、Ｍａｉｎｔｅ０１とＭａｉｎｔｅ０２の実行条件が同時に満たされる場合がある。この場合、Ｍａｉｎｔｅ０１が実行されると、そのレシピに規定されているクリーニングガスがクリーニングガス供給ラインから反応炉２８を経て排気側ラインへ流れるため、実際は、排気側ラインのクリーニングも同時に行われている。その後、更にＭａｉｎｔｅ０２が、Ｍａｉｎｔｅ０１に引き続き実行される。これにより、排気側の配管の材質によっては、過度のエッチングにより配管の損傷を引き起こす場合がある。このように、累積膜厚を効率よく除去するために、メンテナンス用レシピのクリーニング条件(例えば、クリーニングする場所やタイミング等)が異なる場合に応じて、それぞれ個別に作成されていることが、却って基板処理装置の信頼性を低下させる要因と成りうる。
（実施例２）次に、Ｍａｉｎｔｅ０１とＭａｉｎｔｅ０２(それぞれのクリーニングレシピ)の実行条件が同時に満たされる場合があっても、適切なメンテナンス用レシピ実行制御を行うことができるように改良された実施例２について、以下、図９乃至図１０を用いて説明する。
図９は本実施の形態（実施例２）におけるメンテナンス用レシピの処理フローを示す。また、図１０は本実施の形態（実施例２）における設定画面の一例を示す図である。レシピ制御プログラムとしてのメンテナンスプログラムが図１０に設定されたテーブルを読込むことにより、図９で示された処理フローが実行される。
まず、累積膜厚が閾値に到達しているかはチェックし、到達していない場合、処理フローを終了させるのは、実施例１の処理フローと同じである。累積膜厚が閾値に到達している場合、メンテナンス用レシピ(クリーニングレシピ)を実行し、終了すると累積膜厚の現在値をクリアするところまでは、実施例１の処理フローと同じである。
次に、実行されたメンテナンス用レシピ(クリーニングレシピ)の関連性のあるメンテナンス用レシピが指定されているかチェックを行い、指定されているメンテナンス用レシピがあると、その指定されているメンテナンス用レシピも累積膜厚の現在値がクリアされる。
例えば、Ｍａｉｎｔｅ０１の累積膜厚の現在値が閾値に到達した場合、Ｍａｉｎｔｅ０１が実行される。そして、現在値がクリアされる。次に、関連のあるメンテナンス用レシピが指定されているかチェックをし、この場合、Ｍａｉｎｔｅ０２が指定されている。よって、Ｍａｉｎｔｅ０２の累積膜厚の現在値もクリアされる。尚、関連のあるメンテナンスレシピが特に指定されていなければ、図示されていないが図１０で次のレコードの情報を読込む。このように指定されたメンテナンス条件を満たされていないクリーニングレシピの現在値をゼロクリアすることにより、図１１にあるように、各累積膜厚の閾値の最小公倍数の値になったときでも両方のクリーニングレシピが実行されることがない。
(実施例２における効果)本実施の形態(実施例２)によれば、上述した実施例１における効果を奏するのに加え、以下の効果を奏する。
このように本実施の形態(実施例２)によれば、Ｍａｉｎｔｅ０１が実行されると、そのレシピに規定されているクリーニングガスがクリーニングガス供給ラインから反応炉を経て排気側ラインへ流れるため、実際は、排気側ラインのクリーニングも同時に行われているので、更に、Ｍａｉｎｔｅ０２が連続して実行されると、排気側の配管の材質によっては、配管の損傷を引き起こす恐れがあったが、Ｍａｉｎｔｅ０１が実行されるとＭａｉｎｔｅ０２の現在値がゼロクリアされるようになっているので、配管の損傷が抑えられ、パーティクルが低減できる。また、反応炉内を構成する部材を処理するメンテナンス用レシピ(Ｍａｉｎｔｅ０１)と排気側ラインをクリーニングするメンテナンス用レシピ(Ｍａｉｎｔｅ０２)が、累積膜厚を効率よく除去するために選択されるので、最適なメンテナンス用レシピが実行される。また、クリーニング条件(例えば、クリーニングする場所やタイミング等)が異なる場合に応じて、それぞれ個別に作成されていることによる基板処理装置の信頼性の低下を抑えられる。
例えば、上述した本実施形態では、基板処理装置１での処理動作を装置コントローラ３７が制御する場合を例にあげたが、主コントローラ４１における制御機能は、コンピュータを上述した実施形態で説明した制御部（制御手段）および操作部４１（操作手段）として機能させる所定プログラムによって実現することが可能である。また、本実施形態におけるプロセス実行プログラム、搬送プログラム等の各種プログラムは、例えば主コントローラ４１の記憶部にインストールされて用いられるが、そのインストールに先立ち、主コントローラ４１と接続する通信回線を通じて提供されるものであってもよいし、あるいはポート４０を介して主コントローラ４１で読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであってもよい。
また例えば、上述の実施形態において、ウェーハ１８を装填していない空ボートを処理炉２８内に装入した状態で実施するメンテナンス用レシピを実行する場合や、ダミー用ウェーハ１８を装填したボートを処理炉２８内に装入した状態で実施するメンテナンス用レシピを実行する場合にも適用される。
＜本発明の他の実施形態＞ また例えば、シリコン含有ガスとしてジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガスを例示したが、本発明は係る形態に限らず、例えば、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）等の他のクロロシラン系や、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８、略称：ＴＳ）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）、モノシラン（ＳｉＨ４、略称：ＭＳ）等の無機原料や、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）などの有機原料を用いることができる。
また、例えば、クリーニングガスとしてフッ素（Ｆ２）ガスを例示したが、これに限らず、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガス、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス等のフッ素（Ｆ）や塩素（Ｃｌ）等のハロゲンを含むハロゲン含有ガスを用いても良く、またこれらを組み合わせて用いても良い。
また、例えば上述したように、本発明に係る処理炉２８の構成では、ウェーハ２６を多数処理するバッチ式装置として構成されているが、これに限らず、ウェーハ２６を１枚毎に処理する枚様式装置に本発明を適用してもよい。
例えば、上述した実施形態では、処理対象となる基板が半導体ウェーハ基板である場合を例にあげたが、本発明はこれに限定されることなく、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。
また例えば、上述した実施形態では、基板処理装置１が行う処理として成膜処理を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、処理としては、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
次に、本発明の好ましい他の実施形態を付記するが、本発明が以下の記載に限定されないことはいうまでもない。
［付記１］本発明の一態様によれば、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)を処理するためのレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置であって、 前記操作部は、前記記憶部に格納された前記レシピのうち、前記設定条件に基づいて前記基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと前記排気管を処理するためのレシピのうちどちらか一方を選択し、選択されたレシピの実行を制御するレシピ制御部を備えた基板処理装置が提供される。
［付記２］ 更に、前記設定条件は、前記レシピ同士の関連性の有無を示す項目が規定され、前記レシピ制御部は、前記選択されたレシピの実行後、前記項目にレシピ指定がある場合、前記指定されたレシピが前記設定条件を満たさなくても、前記設定条件に規定されている条件の値をクリアする付記１の基板処理装置が提供される。
［付記３］前記レシピは、基板を処理するためのプロセスレシピと、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)を処理するためのメンテナンス用レシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのメンテナンス用レシピと、を少なくとも含んでいる付記１または付記２の基板処理装置が提供される。
［付記４］ 本発明の他の態様によれば、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)を処理するためのレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置の制御方法であって、前記操作部は、前記記憶部に格納された前記レシピのうち、前記設定条件に基づいて前記基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと、前記排気管を処理するためのレシピのそれぞれの実行を制御するレシピ制御部を備えた基板処理装置の制御方法が提供される。
［付記５］ 本発明の更に他の態様によれば、基板を処理するためのプロセスレシピと、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)を処理するためのメンテナンス用レシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのメンテナンス用レシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記メンテナンス用レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置であって、 前記操作部は、前記プロセスレシピの実行の終了後、前記設定条件に規定されている更新された条件（累積膜厚値）の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較した結果、前記記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを実行し、実行された前記メンテナンス用レシピの前記現在値をクリアするレシピ制御部を備えた基板処理装置が提供される。
［付記６］更に、前記設定条件は、前記メンテナンス用レシピ同士の関連性の有無を示す項目が規定され、前記レシピ制御部は、前記閾値に達したメンテナンス用レシピの実行後、前記項目に指定がある場合、前記指定されたメンテナンス用レシピに対して、閾値に到達していなくても前記設定条件に規定されている条件(累積膜厚値)の現在値をクリアする付記５の基板処理装置が提供される。
［付記７］本発明の更に他の態様によれば、メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件（累積膜厚値）を更新するステップと、更新された条件（累積膜厚値）の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較するステップと、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを実行するステップと、実行された前記メンテナンス用レシピの現在値をクリアするステップと、を有するレシピ制御プログラムが提供される。
［付記８］更に、現在値をクリアするステップでは、前記実行された前記メンテナンス用レシピとの関連性を指定されたメンテナンス用レシピに対して、閾値に到達していなくても前記設定条件に規定されている条件(累積膜厚値)の現在値をクリアされる付記７のレシピ制御プログラムが提供される。
［付記９］本発明の更に他の態様によれば、プロセスレシピを実行して基板を処理する基板処理工程と、メンテナンス用レシピを実行する保守工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記保守工程は、前記メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件（累積膜厚値）を更新する工程と、更新された条件（累積膜厚値）の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較する工程と、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを選択する工程と、選択された前記メンテナンス用レシピの実行後、前記現在値をクリアする工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記１０］本発明の更に他の態様によれば、少なくともメンテナンス用レシピを実行してクリーニングする保守工程を有する基板処理装置の保守方法であって、前記保守工程は、前記メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件（累積膜厚値）を更新する工程と、更新された条件（累積膜厚値）の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較する工程と、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを選択する工程と、選択された前記メンテナンス用レシピの実行後、前記現在値をクリアする工程と、を有する基板処理装置の保守方法が提供される。
［付記１１］本発明の更に他の態様によれば、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含むメンテナンス用レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置の保守方法であって、前記制御部は、前記メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件を更新する工程と、更新された条件（累積膜厚値）の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較する工程と、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを選択する工程と、選択された前記メンテナンス用レシピの実行後、前記現在値をクリアする工程と、を有するレシピ制御プログラムを実行する基板処理装置の保守方法が提供される。
［付記１２］本発明の更に他の態様によれば、メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件（累積膜厚値）を更新するステップと、更新された条件（累積膜厚値）の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較するステップと、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを実行するステップと、実行された前記メンテナンス用レシピの現在値をクリアするステップと、を有するレシピ制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
尚、この出願は、２０１２年３月３０日に出願された日本出願特願２０１２−０８２１２８を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
本発明は、基板を処理する基板処理装置全般に適用できる。
１ 基板処理装置 １８ ウェーハ ４１ 操作部 ４４ データ格納部 ５５ 入力部 ５６ 表示部

Claims (8)

  1. 基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管を処理するレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、
    前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、前記記憶部に格納された前記レシピのうち、前記設定条件に基づいて前記基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと、前記排気管を処理するレシピのうちどちらか一方を選択し、選択されたレシピの実行を制御するレシピ制御部と、を備え、
    前記設定条件は、前記レシピ同士の関連性の有無を示す項目が規定され、
    前記レシピ制御部は、前記選択されたレシピの実行後、前記項目にレシピ指定がある場合、前記指定されたレシピが前記設定条件を満たさなくても、前記設定条件に規定されている条件の値をクリアするよう構成されている基板処理装置。
  2. 前記設定条件に規定されている条件の値は累積膜厚値である請求項１の基板処理装置。
  3. 前記レシピは、基板を処理するためのプロセスレシピと、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのメンテナンス用レシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのメンテナンス用レシピと、を少なくとも含んでいる請求項１の基板処理装置。
  4. 前記メンテナンス用レシピは、前記反応炉内を構成する部材または前記排気管に堆積した累積膜厚を除去するためのクリーニングレシピである請求項３の基板処理装置。
  5. 基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置の制御方法であって、 前記操作部は、前記記憶部に格納された前記レシピのうち、前記設定条件に基づいて前記基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと、前記排気管を処理するレシピのうち、どちらか一方を選択し、選択されたレシピの実行を制御するレシピ制御部と、を備え、
    前記設定条件は、前記レシピ同士の関連性の有無を示す項目が規定され、
    前記レシピ制御部は、前記選択されたレシピの実行後、前記項目にレシピ指定がある場合、前記指定されたレシピが前記設定条件を満たさなくても、前記設定条件に規定されている条件の値をクリアするよう構成されている基板処理装置の制御方法。
  6. 基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのレシピと、前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含むメンテナンス用レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置の保守方法であって、前記制御部は、前記メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件を更新する工程と、更新された条件の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較する工程と、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを選択する工程と、選択された前記メンテナンス用レシピの実行後、前記現在値をクリアする工程と、を有し、
    前記現在値をクリアする工程では、実行された前記メンテナンス用レシピとの関連性を指定されたメンテナンス用レシピに対して、前記閾値に到達していなくても前記設定条件に設定されている条件の現在値をクリアするレシピ制御プログラムを実行する基板処理装置の保守方法。
  7. メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件を更新するステップと、更新された条件の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較するステップと、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを実行するステップと、実行された前記メンテナンス用レシピの現在値をクリアするステップと、を基板処理装置に実行させる機能を有するレシピ制御プログラムにおいて、
    更に、前記実行された前記メンテナンス用レシピとの関連性を指定されたメンテナンス用レシピに対して、前記閾値に到達していなくても前記設定条件に規定されている条件の現在値をクリアするステップを有するレシピ制御プログラム。
  8. 前記メンテナンス用レシピは、前記基板を装填していないボート、または、ダミー用基板を装填したボートを前記反応炉内に装入した状態で実行されるよう構成されている請求項３記載の基板処理装置。
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