JP4671355B2 - 基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラムを記録した記録媒体 Download PDF

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Description

本発明は，基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラムを記録した記録媒体に関する。
例えば，半導体デバイスを製造するプラズマ処理装置などの基板処理装置は，処理室を備え，この処理室内に半導体ウエハや液晶基板などの基板を搬入して，基板に対してエッチングや成膜などの処理を施すようになっている。
このような基板処理装置では，処理室内で基板を処理する際に発生する反応生成物や処理室内に外部から混入する微粒子などのパーティクル（微細な粒子状の異物）を適切に除去することが重要となる。
例えば処理室内に配設される基板の載置台にパーティクルが残留していると，その載置台上に載置された基板の裏面にパーティクルが付着し，次工程において問題が拡大する虞がある。また，処理室内にパーティクルが残留していると，基板上に付着し，その基板の処理に影響を与える虞があり，基板上に最終的に製造される半導体デバイスの品質が確保できない等の不具合が発生してしまう。
このような処理室内のパーティクルを効果的に除去する方法として，例えば特許文献１には，処理室内にラジカルを発生させ，このラジカルと載置台に堆積した反応生成物との間に化学反応を起こさせて，載置台から反応生成物を離脱させるクリーニング方法が記載されている。また，特許文献２には，２段階に電極間距離を変えてプラズマを発生させて処理室内のパーティクルを除去するクリーニング方法が開示されている。このような処理室内のクリーニングは，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に実行される。
特開２００６−１９６２６号公報 特開平８−１７６８２８号公報
ところで，処理室内で行われる所定の処理としては複数の種類がある場合がある。例えば基板に対してエッチングなどを行うプロセス処理や，このプロセス処理を行う前に，内壁に付着する反応生成物の量や処理室内の温度などの処理室内状態（チャンバコンディション）を調整する処理室内状態調整処理がある。
しかしながら，このような所定の処理の種類（種別）に拘らず，同様の条件（例えばレシピやタイミングなど）で処理室内のクリーニングを実行するようにすれば，クリーニングの過不足が生じる場合がある。例えば処理の種別によっては，クリーニング不足でパーティクルが発生したり，クリーニング過剰で処理室内状態（例えば内壁に付着する反応生成物の量，処理室内の温度）などが最適にならず，プロセス処理に影響を与えたりするなどの不都合がある。これでは，基板上に製造される半導体デバイスの品質劣化にも繋がる虞もある。
また，処理室で行われる処理の種別によっては，クリーニングを毎回行う必要がない場合もあるが，このような処理においても，その処理が終了するごとにクリーニングを毎回行うようにすると，所定枚数の基板に対する処理が完了するまでにかかる時間が長くなり，スループットが低下する。
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，処理の種別に応じたクリーニングを行うことによって，処理の種別ごとに最適なクリーニングを行うことができる基板処理装置のクリーニング方法等を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，前記処理室で行われる処理の種別ごとに予め設定されるクリーニング設定情報に基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置であって，前記処理室で行われる処理の種別ごとに設定可能なクリーニング設定情報が記憶される設定情報記憶手段と，前記クリーニングを行う際，前記設定情報記憶手段からのクリーニング設定情報に基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
このような本発明によれば，処理室内で行われる処理の種別ごとのクリーニング設定情報（例えばクリーニングレシピ，クリーニングタイミング）が用意されるので，これらを最適な値に設定することによって，処理の種別に応じたクリーニングを実行することができる。これにより，処理室内の状態（チャンバコンディション）を最適な状態にすることができ，またスループットを向上させることができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，前記処理室で行われる処理の種別ごとに設定情報記憶手段に予め記憶されるクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じたレシピで前記クリーニングを実行することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
このような本発明によれば，処理室内で行われる処理の種別ごとのクリーニングレシピが用意されるので，各クリーニングレシピを調整することにより，処理の種別に応じた最適なクリーニングを実行することができる。
また，上記処理室で行われる処理の種別としては，例えば処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とがある。この場合には，上記設定情報記憶手段には，少なくとも前記処理の種別ごとにクリーニングレシピが別々に記憶される。
このようなクリーニングレシピは例えば実行時間と処理室内温度を含み，前記処理室内状態調整処理後に行う前記クリーニングの実行時間と処理室内温度のうちの一方又は両方は，前記プロセス処理で必要となる処理室内の状態に応じて設定される。これによれば，処理室内の状態に応じた最適なクリーニングを実行することができる。
例えば上記処理の種別が前記処理室内状態調整処理の場合における前記クリーニングの実行時間は，前記処理の種別が前記プロセス処理の場合における前記クリーニングの実行時間よりも長い時間に設定される。これによれば，処理室内状態調整処理におけるクリーニング不足が生じないように調整することができるので，処理室内の状態を最適な状態にすることができる。
また，上記処理の種別が前記処理室内状態調整処理の場合における前記クリーニングの処理室内温度は，前記処理の種別が前記プロセス処理の場合における前記クリーニングの処理室内温度よりも高い温度に設定される。これによれば，クリーニング時間を長くしなくても，処理室内状態調整処理におけるクリーニング不足が生じないように調整することができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，前記処理室で行われる処理の種別ごとに設定情報記憶手段に予め記憶されるクリーニングタイミングに基づいて，前記処理の種別に応じたタイミングで前記クリーニングを実行することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
このような本発明によれば，処理室内で行われる処理の種別ごとのクリーニングタイミングが用意されるので，各クリーニングタイミングを調整することにより，処理の種別に応じた最適なタイミングでクリーニングを実行することができる。これにより，クリーニングの回数を減らすことができるので，スループットを向上させることができる。
また，上記処理室で行われる処理の種別は少なくとも，前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とがある。この場合，上記設定情報記憶手段には，少なくとも前記処理の種別ごとにクリーニングタイミングが別々に記憶される。
このようなクリーニングタイミングは例えば前記基板の処理枚数によって設定され，前記処理室で行われる処理の種別が前記処理室内状態調整処理の場合には，設定された枚数に相当する調整用基板の処理室内状態調整処理が終了するごとのみに前記クリーニングを実行し，前記処理室で行われる処理の種別が前記プロセス処理の場合には，設定された枚数に相当するプロセス処理用基板のプロセス処理が終了するごとのみに前記クリーニングを実行するようにしてもよい。これにより，処理の種別ごとに最適なタイミングでクリーニングを実行することができ，クリーニングの回数を減らすことができるので，スループットを向上させることができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，前記処理室で行われる処理の種別ごとに設定情報記憶手段に予め記憶されるクリーニングレシピとクリーニングタイミングに基づいて，前記所定の処理の種別に応じたレシピとタイミングで前記クリーニングを実行することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法が提供される。これによれば，処理の種別に応じてクリーニングレシピとクリーニングタイミングとの両方を設定することにより，より適切なレシピとタイミングでクリーニングを実行できるので，処理室内の状態を最適な状態にすることができるとともに，スループットを向上させることができる。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，前記処理室で行われる処理の種別ごとに設定可能なクリーニング設定情報が記憶される設定情報記憶手段を備え，前記処理室で行われた処理の種別を判定する工程と，判定した処理の種別に対応するクリーニング設定情報を前記設定情報記憶手段から取得する工程と，取得したクリーニング設定情報に基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する工程とを備えることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置であって，前記処理室で行われる処理の種別ごとに設定可能なクリーニング設定情報が記憶される設定情報記憶手段と，前記クリーニングを行う際，前記処理室で行われた処理の種別を判定し，判定した処理の種別に対応するクリーニング設定情報を前記設定情報記憶手段から取得し，取得したクリーニング設定情報に基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法を実行するためのプログラムを記録する記録媒体であって，前記基板処理装置は，前記処理室で行われる処理の種別ごとに設定可能なクリーニング設定情報が記憶される設定情報記憶手段を備え，コンピュータに，前記処理室で行われた処理の種別を判定するステップと，判定した処理の種別に対応するクリーニング設定情報を前記設定情報記憶手段から取得するステップと，取得したクリーニング設定情報に基づいて，前記所定の処理の種別に応じた前記クリーニングを実行するステップとを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
このような発明によれば，処理室で行われる処理の種別に応じた最適なクリーニングを実行することができ，これにより，処理室内の状態（チャンバコンディション）を最適な状態にすることができ，またスループットを向上させることができる。
なお，本発明にかかるクリーニングは，処理室内にプラズマを発生させて行うものでもよく，また処理室内にプラズマを発生させないで行うものでもよい。また本発明にかかるクリーニングは，処理室内に基板がない状態で行うものでもよく，また処理室内に基板がある状態で行うものでもよい。
本発明によれば，処理の種別に応じたクリーニングを行うことができるので，処理の種別ごとに最適なクリーニングを行うことができる。これにより，処理室内の状態を最適な状態に保つことができ，またスループットも向上させることができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態）
まず，本発明の第１実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置１００について図面を参照しながら説明する。図１は，プラズマ処理装置１００の概略構成を示している。このプラズマ処理装置１００は，被処理基板としての半導体ウエハ（以下，「ウエハ」という）Ｗにエッチング処理を施すエッチング処理装置として構成されている。プラズマ処理装置１００は，金属製（例えば，アルミニウム製またはステンレス製）の円筒形の処理室（チャンバ）１１０を有しており，この処理室１１０の中に例えば直径が３００ｍｍのウエハＷを載置するステージとしての円柱状のサセプタ１１１を備えている。
処理室１１０の側壁とサセプタ１１１との間には，セサプタ１１１の上方の気体を処理室１１０の外へ排出する流路として機能する排気路１１２が形成されている。この排気路１１２の途中には環状のバッフル板１１３が配設されており，排気路１１２のバッフル板１１３から下の空間は，可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（以下，「ＡＰＣ（Adaptive Pressure Control）バルブ」という）１１４に通じている。ＡＰＣバルブ１１４は，真空引き用の排気ポンプであるターボ分子ポンプ（以下，「ＴＭＰ」という）１１５に接続されており，さらにこのＴＭＰ１１５を介して排気ポンプであるドライポンプ（以下，「ＤＰ」という）１１６に接続されている。これらＡＰＣバルブ１１４，ＴＭＰ１１５，およびＤＰ１１６によって構成される排気流路（以下，「本排気ライン」という）は，処理室１１０内を高真空状態になるまで減圧するためのものである。そして処理室１１０内の圧力は，ＡＰＣバルブ１１４によって調節される。
また，排気路１１２のバッフル板１１３から下の空間は，本排気ラインとは別の排気ライン（以下，「粗引きライン」という）にも接続されている。この粗引きラインは，途中にバルブＶ２を備えた排気管１１７とＤＰ１１６によって構成されている。処理室１１０内の気体は通常，本排気ラインよりも先にこの粗引きラインによって排出されることになる。
下部電極としてのサセプタ１１１には高周波電源１１８が導線１５０を介して接続されており，高周波電源１１８から所定の高周波電力が印加される。導線１５０には，サセプタ１１１からの高周波電力の反射を低減して，この高周波電力のサセプタ１１１への入射効率を最大限とする整合器１１９と，導線１５０の導通および切断を切り替えるスイッチ１５１が備えられている。このスイッチ１５１は，電気的にサセプタ１１１と高周波電源１１８の間に位置しており，サセプタ１１１の電気的状態をフローティング（浮遊）状態と導通状態のいずれかに設定することができる。例えば，ウエハＷがサセプタ１１１の上面に載置されていないとき，スイッチ１５１は，サセプタ１１１を電気的フローティング状態とする。
サセプタ１１１の内部の上方には，ウエハＷを静電吸着するための導電膜からなる円板状の電極板１２０が設けられている。電極板１２０には直流電源１２２が電気的に接続されている。ウエハＷは，直流電源１２２から電極板１２０に印加される直流電圧に応じて発生するクーロン力またはジョンソン・ラーベク（Johnsen-Rahbek）力によってサセプタ１１１の上面に吸着保持される。円環状のフォーカスリング１２４は，シリコン等からなり，サセプタ１１１の上方に発生したプラズマをウエハＷに向けて収束させるものである。
サセプタ１１１の内部には，冷媒室１２５が配置されている。この冷媒室１２５には，チラーユニット（図示せず）から配管１２６を介して所定温度の冷媒（例えば冷却水）が循環供給される。サセプタ１１１に載置されたウエハＷの処理温度は，冷媒室１２５によって温度制御される。
サセプタ１１１の上面においてウエハＷが吸着する部分（以下，「吸着面」という）には，複数の伝熱ガス供給孔１２７と伝熱ガス供給溝（図示せず）が配されている。これら伝熱ガス供給孔１２７と伝熱ガス供給溝は，サセプタ１１１内部に備えられた伝熱ガス供給ライン１２８とバルブＶ３を有する伝熱ガス供給管１２９を経由して伝熱ガス供給部（図示せず）に繋がっており，ここからの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を吸着面とウエハＷの裏面との隙間に供給する。これによってウエハＷとサセプタ１１１との熱伝導性が向上する。なお，伝熱ガス供給孔１２７と伝熱ガス供給溝に対する伝熱ガスの供給量は，バルブＶ３によって調整される。
また，吸着面には，サセプタ１１１の上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン１３０が備えられている。これらのプッシャーピン１３０は，モータ(図示せず)の回転運動がボールねじ等によって直線運動に変換されることにより，図中上下方向に移動する。プッシャーピン１３０は，ウエハＷが吸着面に吸着保持されているときにはサセプタ１１１に収容されており，所定の処理（例えば，エッチング処理）が終了したウエハＷを処理室１１０から搬出するときにはサセプタ１１１の上面から突出してウエハＷをサセプタ１１１から上方へ持ち上げる。
処理室１１０の天井部には，上部電極１３３が配設されている。上部電極１３３には高周波電源１５２が接続されており，所定の高周波電力が印加される。
この上部電極１３３は，処理室内にガスを導入するためのシャワーヘッドの機能も兼ねている。上部電極１３３は，多数のガス通気孔１３４を有する電極板１３５と，この電極板１３５を着脱可能に支持する電極支持体１３６とから構成される。電極支持体１３６の内部には，バッファ室１３７が設けられており，このバッファ室１３７には処理ガス供給部（図示せず）から延びている処理ガス導入管１３８が接続されている。この処理ガス導入管１３８の途中にはバルブＶ１が備えられており，このバルブＶ１によってバッファ室１３７に対するガス供給量が調整される。ここで，下部電極を構成するサセプタ１１１と上部電極１３３との間の距離（電極間距離）Ｄは，例えば３５±１ｍｍ以上に設定される。
処理室１１０の側壁には，ウエハＷの搬入出口１３１を開閉するゲートバルブ１３２が取り付けられている。このプラズマ処理装置１００の処理室１１０内に処理ガスが供給され，上部電極１３３に高周波電力が印加されると，空間Ｓに高密度のプラズマが発生し，イオンやラジカルが生成される。
そしてプラズマ処理装置１００には，装置全体の動作を制御する制御部２００が設けられている。制御部２００は，所定のプログラムにより所定の設定情報に基づいて各部を制御することにより，例えば処理室内状態調整処理，プロセス処理など処理室内での所定の処理や，処理室内のクリーニングなどを行うようになっている。
（制御部の構成例）
このような制御部２００の具体的な構成例について図面を参照しながら説明する。制御部２００は，図２に示すように，制御部本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置）２１０，ＣＰＵ２１０が各部を制御するデータなどを格納するＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）２２０，ＣＰＵ２１０が行う各種データ処理のために使用されるメモリエリア等を設けたＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）２３０，操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイなどで構成される表示手段２４０，オペレータによる種々のデータの入出力などを行うことができる入出力手段２５０，例えばブザーのような警報器等で構成される報知手段２６０，基板処理装置１００の各部を制御するための各種コントローラ２７０，基板処理装置１００の処理を行うプログラムデータを格納するプログラムデータ記憶手段２８０，およびプログラムデータに基づく処理を実行するときに使用するレシピデータなどの各種設定情報を記憶する設定情報記憶手段２９０を備える。プログラムデータ記憶手段２８０と設定情報記憶手段２９０は，例えばフラッシュメモリ，ハードディスク，ＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体で構成され，必要に応じてＣＰＵ２１０によってデータが読み出される。
これらのＣＰＵ２１０，ＲＯＭ２２０，ＲＡＭ２３０，表示手段２４０，入出力手段２５０，報知手段２６０，各種コントローラ２７０，プログラムデータ記憶手段２８０，および設定情報記憶手段２９０は，制御バス，システムバス，データバス等のバスラインによって電気的に接続されている。
各種コントローラ２７０には，バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，ＡＰＣバルブ１１４，ＴＭＰ１１５，ＤＰ１１６，高周波電源１１８，１５２，直流電源１２２，スイッチ１５１などを制御するコントローラも含まれる。
プログラムデータ記憶手段２８０には，例えばクリーニングプログラム２８２の他，ウエハ処理プログラムなどが記憶される。設定情報記憶手段２９０には，例えばクリーニング処理により各部を制御する際の印加電圧などのレシピデータからなるクリーニング設定情報２９２の他，プロセス処理において各部を制御する際の処理室内圧力，ガス流量，高周波電力などのレシピデータからなるプロセス処理設定情報などが記憶される。このクリーニング設定情報２９２の詳細については後述する。また，設定情報記憶手段２９０には，各ウエハについての処理の種別を含む処理情報を記憶するようにしてもよい。この各ウエハの処理情報は，例えば処理室内のクリーニングを行う際に各ウエハの処理の種別を判定する際に用いる。
（処理室内で行われる処理の具体例）
次に，本実施形態にかかるプラズマ処理装置１００において処理室１１０内で行われる所定の処理の具体例について図面を参照しながら説明する。すなわち，プラズマ処理装置１００は，処理室１１０内に基板を搬入して所定の処理を行う。このような所定の処理としては処理の段階に応じて複数の種別がある。処理の種別としては例えば図３に示すように，処理室内状態調整処理（処理室内状態安定化処理）３１０と，その後に行うエッチング処理３２０とがある。
処理室内状態調整処理３１０は，例えば処理室内に調整用基板（ダミー基板）を搬入して，エッチング処理３２０とほぼ同様の条件（例えばレシピ，タイミングなど）の処理を実行することにより，処理室内の温度や処理室の内壁などに付着する反応生成物の量を調整し，処理室１１０内を後に続くエッチング処理３２０に適した状態にすることを目的として行われる。この処理室内状態調整処理３１０は，複数枚（例えば３枚）の調整用のウエハ（以下，「ダミーウエハ」という）が処理室１１０内に搬入されるごとに連続して実行される。
処理室内状態調整処理３１０では，例えば処理室１１０に処理室１１０内にダミーウエハＷｄを搬入し，調整用レシピに基づいてダミーウエハＷｄに対して処理を実施する。この調整用レシピは，例えばエッチング処理３２０で用いられるエッチングレシピとほぼ同様の内容に設定される。また，ダミーウエハＷｄは，例えばエッチング処理３２０が施されて最終的に製品となるプロセス処理用のウエハ（以下，「プロセス処理用ウエハ」という）Ｗｐと同様のものが用いられる。こうして例えば３枚のダミーウエハＷｄが順次連続して処理されることによって，処理室１１０内がその後のエッチング処理を行うのに最適な状態に調整され，処理室１１０内を安定化させることができる。
エッチング処理３２０は，複数枚の処理室内状態調整処理３１０が行われた後に実行される。エッチング処理３２０は，処理室１１０内のプロセス処理用ウエハに対して所定のエッチングレシピに基づいてエッチングを行うための処理である。エッチング処理３２０は，複数枚（例えば１ロット２５枚）のプロセス処理用ウエハＷｐが処理室１１０内に搬入されるごとに連続して実行される。
エッチング処理３２０では例えば先ずゲートバルブ１３２を開状態にしてエッチング処理対象であるプロセス処理用ウエハＷｐを処理室１１０内に搬入してサセプタ１１１の上に載置する。ここで，直流電源１２２から直流電圧を電極板１２０に印加してプロセス処理用ウエハＷｐをサセプタ１１１に吸着させる。
次に，上部電極１３３から処理ガス（例えば，Ｃ４Ｆ８ガス，Ｏ２ガス，およびＡｒガスを含む混合ガス）を所定の流量および流量比で処理室１１０内に導入し，ＡＰＣバルブ１１４等を用いて処理室１１０内の圧力を制御する。さらに，高周波電源１１８から高周波電力をサセプタ１１１に印加すると共に，高周波電源１５２から高周波電力を上部電極１３３に印加する。これによって，上部電極１３３から吐出された処理ガスが空間Ｓにおいてプラズマ化する。このプラズマによって生成されるラジカルやイオンは，フォーカスリング１２４によってプロセス処理用ウエハＷｐの表面に収束され，それによりプロセス処理用ウエハＷｐの表面は物理的または化学的にエッチングされる。
このようなエッチング処理が完了すると，その処理済みのプロセス処理用ウエハＷｐを処理室１１０から搬出する。こうして，１ロット例えば２５枚のプロセス処理用ウエハＷｐに対するエッチング処理３２０を連続して行った後，一連の処理を完了する。
ところで，上記のようにエッチング処理３２０が連続して行われると，処理室１１０内にパーティクルが発生する虞がある。また，処理室内状態調整処理３１０においても，エッチング処理３２０と同様の処理が連続して行われるため，処理室１１０内にパーティクルが発生する可能性がある。このため，このような処理室内で行われる処理の後には，パーティクルを除去するために，処理室内をクリーニングする必要がある。
ところが，処理室内状態調整処理３１０においても，例えばエッチング処理３２０と同様の条件で処理室１１０内のクリーニングを実行すると，クリーニングの過不足が生じる場合がある。例えばクリーニング不足の場合にはパーティクルが発生したり，クリーニング過剰の場合には処理室内状態（例えば内壁に付着する反応生成物の量，処理室内の温度）などが最適にならず，製品用ウエハのプロセス処理に影響を与えたりするなどの不都合がある。これでは，製品用ウエハ上に製造される半導体デバイスの品質劣化にも繋がる虞もある。
そこで，本発明にかかる処理室内のクリーニングでは，処理の種別に応じたクリーニングを行うことができるようにした。これによれば，処理の種別ごとに最適なクリーニングを行うことができるので，クリーニングの過不足を防止することができる。これにより，処理室内の状態を最適な状態に保つことができる。
（処理室内クリーニング）
このような本実施形態にかかる処理室１１０内のクリーニングについて説明する。プラズマ処理装置１００において，処理室１１０内のクリーニングは，処理室内状態調整処理３１０やエッチング処理３２０と同様に制御部２００によって制御されるものであり，具体的には制御部２００に備えられたプログラムデータ記憶手段２８０に格納されているクリーニングプログラム２８２が実行されることによって実現されるものである。このときクリーニングプログラム２８２は，設定情報記憶手段２９０に格納されているクリーニング設定情報２９２を参照する。
ここでクリーニング設定情報２９２の内容について図４を参照しながら説明する。このクリーニング設定情報２９２には，例えば図４（ａ）に示したクリーニングレシピデータテーブルと，図４（ｂ）に示したクリーニングレシピ割付データテーブルで管理されるデータが含まれる。
図４（ａ）のクリーニングレシピデータテーブルは，少なくともクリーニングレシピＡとクリーニングレシピＢが設定できるように構成されており，クリーニングレシピの設定項目としては，例えば，処理室内圧力（ＰＡ，ＰＢ），電極印加電力（ＷＡ，ＷＢ），クリーニングガス種（ＧＡガス，ＧＢガス），クリーニングガス流量（ＱＡ，ＱＢ），クリーニング時間（ｔＡ，ｔＢ），処理室内温度（ＴＡ，ＴＢ）が用意される。このうち，電極印加電力には，上部電極印加電力および下部電極印加電力が含まれ，処理室内温度には，上部電極温度，下部電極温度，および処理室内壁温度が含まれる。以下，クリーニングレシピＡとクリーニングレシピＢの例を挙げる。
［クリーニングレシピＡ］
処理室内圧力（ＰＡ）： １００ｍＴ
上部電極／下部電極印加電力（ＷＡ）： ３００Ｗ／０Ｗ
クリーニングガス種（ＧＡガス）： Ｏ２ガス
クリーニングガス流量（ＱＡ）： ８００ｓｃｃｍ
クリーニング時間（ｔＡ）： ４０ｓｅｃ
上部電極／下部電極／処理室内壁温度（ＴＡ）： ６０℃／６０℃／２０℃
［クリーニングレシピＢ］
処理室内圧力（ＰＢ）： １００ｍＴ
上部電極／下部電極印加電力（ＷＢ）： ３００Ｗ／０Ｗ
クリーニングガス種（ＧＢガス）： Ｏ２ガス
クリーニングガス流量（ＱＢ）： ８００ｓｃｃｍ
クリーニング時間（ｔＢ）： ２０ｓｅｃ
上部電極／下部電極／処理室内壁温度（ＴＢ）： ６０℃／６０℃／２０℃
本実施の形態においては，クリーニングレシピＡとクリーニングレシピＢの違いはクリーニング時間のみであるが，より多様なデータをクリーニングレシピデータテーブルに入力することが可能である。また，さらに多くのレシピを登録することも可能である。
図４（ｂ）のクリーニングレシピ割付データテーブルは，図３に示した処理種別ごとにクリーニングレシピが設定できるように構成されている。ここの例では，処理室内状態調整処理３１０にはクリーニングレシピＡが設定されており，エッチング処理３２０にはクリーニングレシピＢが設定されている。
なお，図４（ａ）のクリーニングレシピデータテーブルと図４（ｂ）のクリーニングレシピ割付データテーブルは，クリーニングレシピをキーとして関連付けされている。したがって，想定されるクリーニングレシピを予めクリーニングレシピデータテーブルにいくつか登録しておくことで，クリーニングレシピ割付データテーブルの更新，すなわち各種処理に対するクリーニングレシピの割付変更が容易となる。
これらクリーニングレシピデータテーブルとクリーニングレシピ割付データテーブルの内容は，例えば上述した入出力手段２５０（図２参照）などからオペレータの操作により更新可能である。また，制御部２００にネットワーク（図示せず）を介して接続されるホスト装置（図示せず）から更新することも可能である。
次に，第１実施形態にかかる処理室内のクリーニングを実行する場合のプラズマ処理装置１００の処理について図面を参照しながら説明する。図５は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置が行う処理を示すブロック図である。ここでは，処理室内で行われる処理として，例えば３枚のダミーウエハＷｄに対して連続してエッチング処理と同様のエッチングレシピで処理室内状態調整処理３１０を行った後，続いて例えば１ロット２５枚のプロセス処理用ウエハＷｐに対して連続してエッチング処理３２０を行う場合を例に挙げる。
このような処理室内で行われるウエハ１枚の処理が終了するごとに，その処理の種別に応じて処理室内のクリーニングを行う。具体的には，図５に示すように，制御部２００は１枚のダミーウエハＷｄによる処理室内状態調整処理３１０が終了するごとに，例えばダミーウエハＷｄを搬出した状態で処理室１１０内のクリーニングを実行し，１枚のプロセス処理用ウエハＷｐに対する処理が終了するごとに，例えばプロセス用ウエハＷｐを搬出した状態で処理室１１０内のクリーニングを実行する。
なお，図５において，“ＳＳ”はダミーウエハＷｄ１枚あたりの処理室内状態調整処理３１０を示し，“Ｅ”はプロセス処理用ウエハＷｐ１枚あたりのエッチング処理３２０を示し，“Ｃ”は処理室１１０内のクリーニングを示している。なお，図５は，処理室内状態調整処理３１０を行う時間の方がエッチング処理３２０を行う時間よりも長い場合の具体例を示す。
この場合の処理室内のクリーニングの具体例を図面を参照しながら説明する。図６は本実施形態にかかる処理室内のクリーニングの具体例を示すフローチャート，図７は図６に示すクリーニング実行内容の具体例を示すフローチャートである。
図６に示すように，先ずステップＳ１１０にて制御部２００は処理室１１０で行われた処理の種別を判定する。具体的には例えば設定情報記憶手段２９０に各ウエハについての処理の種別を含む処理情報を予め記憶しておき，その処理情報に基づいて処理の種別を判定する。なお，処理の種別の判定は，上記の他，例えば設定情報記憶手段２９０にウエハごとの処理履歴情報を記憶しておき，その処理履歴情報に基づいて判定するようにしてもよい。
次いで，ステップＳ１２０にて，制御部２００はクリーニングレシピ割付データテーブル（図４参照）から上記ステップＳ１１０で判定した処理の種別に割り付けられているクリーニングレシピを読み出す。本実施形態では，処理の種別が処理室内状態調整処理３１０であると判断した場合にはクリーニングレシピＡを読み出し，処理の種別がエッチング処理３２０である場合と判定した場合にはクリーニングレシピＢを読み出す。
そして，制御部２００は上記ステップＳ１２０において読み出したクリーニングレシピに基づいてプラズマ処理装置１００の動作を制御して，ステップＳ１３０以降の処理にて処理室１１０内のクリーニングを実行する。
先ず制御部２００は処理室内のクリーニングを実行するのに先立って，ステップＳ１３０にて実行前チェックを行う。この実行前チェックは処理室１１０がクリーニングを正常に実行できる状態にあるかどうかをチェックするものである。
例えばウエハＷのプロセス処理が実行されている場合，処理室１１０内にウエハＷが存在する場合，処理室１１０からウエハＷが搬出されている途中である場合，あるいは処理室１１０のメンテナンスが実行されている場合などには，処理室１１０がクリーニングを正常に実行できる状態にはない。例えば，処理ガスの導入中，ウエハＷの温度調整等のためのバックガスの導入中，ウエハＷを吸着保持する電極板１２０（静電チャック）の制御中，および高周波電源の制御中などは，ウエハＷのプロセス処理中と判断される。また，処理室１１０のゲートバルブ１３２が開いているときは，ウエハＷの搬入出途中であると判断され，処理室１１０の蓋が開放されているときは，メンテナンスが実行されている判断される。なお，この実行前チェックは処理の種別の判定前に行うようにしてもよい。
制御部２００は，この実行前チェックによって処理室１１０の状態がクリーニングに適さないと判断した場合，例えばクリーニングをエラー終了する（図示せず）。これに対して，処理室１１０がクリーニングを正常に実行できる状態にあると判断した場合には，ステップＳ２００にて処理室内のクリーニングを実行する。
ここで，ステップＳ２００におけるクリーニングの実行内容の具体例を図７を参照しながら説明する。まず，制御部２００は，ステップＳ２１０にてＡＰＣバルブ１１４，ＴＭＰ１１５，およびＤＰ１１６を制御して処理室１１０内の圧力を１００ｍＴに調整し，上部電極としての上部電極１３３，下部電極としてのサセプタ１１１，および処理室１１０の内壁の各温度を６０℃，６０℃，２０℃に調整する。また，スイッチ１５１を切り替えることによって，サセプタ１１１を電気的フローティング状態に設定する。同様に，電極板１２０と直流電源１２２との導通を断って，電極板１２０を電気的フローティング状態に設定する。
次いで，制御部２００は，ステップＳ２２０において，上部電極１３３からクリーニングガスとしてのＯ２ガスを処理室１１０内の空間Ｓに供給する。このときの流量は，クリーニングレシピＡまたはクリーニングレシピＢに従って，８００ｓｃｃｍ（ｃｍ３／ｍｉｎ，１ａｔｍ，０℃）に調整される。
そして，ステップＳ２３０において，高周波電源１５２から上部電極１３３に所定の高周波電力，ここではクリーニングレシピＡまたはクリーニングレシピＢに従って３００Ｗの高周波電力が印加される。これによって上部電極１３３の近傍で，クリーニングガスからプラズマが発生し，イオンやラジカルが生成される。
このときサセプタ１１１が電気的フローティング状態に設定されているため，サセプタ１１１に大きなセルフバイアスが発生することはなく，サセプタ１１１へのイオンの引き込み力が緩和される。つまり，サセプタ１１１の上面に到達したイオンはこの上面に小さい運動エネルギーをもって衝突することになるため，サセプタ１１１上面がイオンによって削られてしまうことはなくなる。
一方，イオンと同様にサセプタ１１１の上面に到達したラジカルは，サセプタ１１１の上面に堆積した反応生成物に接触し，他の揮発性反応生成物を生成する。この揮発性反応生成物は，サセプタ１１１の上面から容易に離脱（揮発）し，本排気ラインや粗引きラインを経由して処理室１１０の外へ排出される。こうして，サセプタ１１１の上面やその他の部位のクリーニングが行われて処理室１１０内の清浄化が進む。
そして，ステップＳ２４０にて所定時間が経過したか否かを判断する。ここでの所定時間は，例えばクリーニングレシピで設定されたクリーニング時間である。ステップＳ２４０にて所定時間が経過したと判断した場合は，ステップＳ２５０にて上部電極１３３への高周波電力の印加を停止し，ステップＳ２６０にてクリーニングガスであるＯ２ガスの処理室１１０内への供給を停止する。そして，スイッチ１５１を切り替えて，サセプタ１１１と高周波電源１１８を電気的に接続させる。こうして，処理室内のクリーニングが終了すると，次の処理室内の処理があればその処理が実行される。
このような本実施形態にかかる処理室内のクリーニングにおいては，例えば処理室内状態調整処理３１０が行われた後の場合は，上記ステップＳ１２０にて，図４（ａ）に示すクリーニングレシピデータテーブルおよび図４（ｂ）に示すクリーニングレシピ割付データテーブルに基づいてクリーニングレシピＡが読み出される。これにより，図５に示すようにダミーウエハＷによる処理室内状態調整処理３１０が行われた後ごとに毎回，実質的に４０ｓｅｃのクリーニングが実施される。
また，エッチング処理３２０の後の場合は，上記ステップＳ１２０において，図４（ａ）に示すクリーニングレシピデータテーブルおよび図４（ｂ）に示すクリーニングレシピ割付データテーブルに基づいてクリーニングレシピＢが読み出される。これにより，図５に示すように１枚の製品用ウエハＷのエッチング処理が行われた後ごとに毎回，実質的に２０ｓｅｃのクリーニングが実施される。
以上のように第１実施形態によれば，処理室１１０内で行われる処理の種別（処理室内状態調整処理３１０とエッチング処理３２０）ごとのクリーニング設定情報２９２（クリーニングレシピ）が用意されるので，これらを最適な値に設定することによって，処理の種別に応じたクリーニングを実行することができる。これにより，処理室１１０内の状態を最適な状態にすることができる。
また，処理室内状態調整処理３１０では，プロセス処理の内容に応じて必要となる処理室内の状態も異なる。このため，処理室内状態調整処理３１０におけるクリーニング時間は，プロセス処理で必要となる処理室の状態に応じて設定することが好ましい。例えば本実施形態では，処理室内状態調整処理３１０の場合におけるクリーニングの実行時間（例えば４０ｓｅｃ）を，エッチング処理３２０（プロセス処理）の場合におけるクリーニングの実行時間（例えば２０ｓｅｃ）よりも長い時間に設定している。これによれば，例えばエッチング処理よりも長い時間がかかるような処理室内状態調整処理３１０におけるクリーニング不足が生じないように調整することができるので，処理室１１０内の状態を最適な状態にすることができる。なお，プロセス処理で必要となる処理室の状態によっては，処理室内状態調整処理３１０の場合におけるクリーニングの実行時間をプロセス処理におけるクリーニング時間よりも短く設定するようにしてもよい。
そして，本実施形態においては，クリーニングレシピＡとクリーニングレシピＢのように，クリーニング時間のみが異なる場合を例に挙げて説明したが，他の設定項目，例えばクリーニングガス流量や処理室内温度を変えたクリーニングレシピを用意するようにしてもよい。例えば処理室内状態調整処理３１０の場合におけるクリーニングの処理室内温度をエッチング処理３２０（プロセス処理）の場合におけるクリーニングの処理室内温度よりも高い温度に設定すれば，本実施形態の具体例のようにクリーニング時間を長くしなくても，処理室内状態調整処理３１０におけるクリーニング不足が生じないように調整することができる。
また，本実施形態では例えば図４（ｂ）に示すようなクリーニングレシピ割付データテーブルを備えるので，処理の数より多くのクリーニングレシピを用意しておけば，所望の処理の種別に対して所望のクリーニングレシピを選択して割付けるようにすることができるので，クリーニングレシピの設定をより簡単に行うことができる。なお，クリーニングレシピＡ，Ｂの設定項目は上記のものに限定されるものではなく，増減可能である。
（第２実施形態）
次に，本発明の第２実施形態にかかるプラズマ処理装置について説明する。第２実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示すブロック図は，図１に示すものと同様であるため，その詳細な説明を省略する。第１実施形態では処理室１１０で行われる処理の種別ごとにクリーニングレシピを変えられる場合について説明したが，第２実施形態では処理室１１０で行われる処理の種別ごとにさらにクリーニングタイミングを変えられる場合について説明する。
具体的には，第２実施形態における制御部２００の設定情報記憶手段２９０には，クリーニング設定情報２９２として，図４に示すようなクリーニングレシピデータテーブルとクリーニングレシピ割付データテーブルの他に，図８に示すようなクリーニングタイミングデータテーブルが記憶される。このクリーニングタイミングデータテーブルは，処理の種類ごとにどのようなタイミングでクリーニングを実行するかについての設定情報である。
ここでは，クリーニングタイミングをウエハの枚数で設定する場合の例を挙げる。具体的には処理室内状態調整処理３１０の場合のクリーニング実行のタイミングは，ダミーウエハＷｄの枚数に基づいて設定される。また，エッチング処理３２０の場合のクリーニング実行のタイミングは，プロセス処理用ウエハＷｐの枚数に基づいて設定される。例えば図８に示すクリーニングタイミングデータテーブルの例によれば，処理室内状態調整処理３１０の場合では，ダミーウエハＷｄが１枚処理されるごとにクリーニングが実行され，エッチング処理３２０の場合では，プロセス処理用ウエハＷｐが２枚処理されるごとにクリーニングが実行される。
（クリーニングの具体例）
次に，第２実施形態にかかる処理室内のクリーニングについて図面を参照しながら説明する。図９は本実施形態にかかるプラズマ処理装置が行う処理を示すブロック図である。ここでは，処理室内で行われる処理として，例えば３枚のダミーウエハＷｄに対して連続してエッチング処理と同様のエッチングレシピで処理室内状態調整処理３１０を行った後，続いて例えば１ロット２５枚のプロセス処理用ウエハＷｐに対して連続してエッチング処理３２０を行う場合を例に挙げる。
このような処理室内で行われるウエハ１枚の処理が終了するごとに，その処理の種別に応じて処理室内のクリーニングを行う。本実施形態ではクリーニングタイミングを設定するので，設定されたクリーニングタイミングによっては，処理室内で行われる処理の後にクリーニングを行わない場合もある。
なお，図９においても，図５に示す場合と同様に，“ＳＳ”はダミーウエハＷｄ１枚あたりの処理室内状態調整処理３１０を示し，“Ｅ”はプロセス処理用ウエハＷｐ１枚あたりのエッチング処理３２０を示し，“Ｃ”は処理室１１０内のクリーニングを示している。
この場合の処理室内のクリーニングの具体例を図面を参照しながら説明する。図１０は本実施形態にかかる処理室内のクリーニングの具体例を示すフローチャートである。図１０に示すように，先ずステップＳ３１０にて制御部２００は処理室１１０で行われた処理の種別を判定する。具体的には例えば設定情報記憶手段２９０に予め記憶されている各ウエハについての処理の種別を含む処理情報に基づいて処理の種別を判定する。
次いで，ステップＳ３２０にて制御部２００は例えば図８に示すようなクリーニングタイミングデータテーブルに基づいて上記ステップＳ３１０で判定した処理の種別に割り付けられているタイミングデータを読み出す。本実施形態においては，処理の種別が処理室内状態調整処理３１０であると判定した場合にはタイミングデータ（１枚）を読み出し，処理の種別がエッチング処理３２０であると判定した場合にはタイミングデータ（２枚）を読み出す。
次いで，ステップＳ３３０にて読出した枚数がクリーニングタイミングの枚数であるか否かを判断する。具体的には例えば各処理が終了するごとにウエハの枚数をカウントし，カウント値を例えばＲＡＭ２３０に一時的に格納しておく。そして，上記ステップＳ３２０で読み出したタイミングデータの枚数とＲＡＭ２３０に格納されているカウント値の枚数とを比較して，クリーニングタイミングの枚数に達していないと判断した場合には，処理室内のクリーニングを実行しないで終了する。
これに対して，ステップＳ３３０にてクリーニングタイミングの枚数に達したと判断した場合は，上記カウント値を０にしてステップＳ３４０以降にて処理室内のクリーニングを実行する。すなわち，ステップＳ３４０にて例えば図４に示すクリーニングレシピ割付データテーブルから上記ステップＳ３１０で判定した処理の種別に割り付けられているクリーニングレシピを読み出し，ステップＳ３５０にて実行前チェックを行う。このステップＳ３５０では図６に示すステップＳ１３０と同様の処理を行うため，その詳細な説明は省略する。なお，この実行前チェックは処理の種別の判定前に行うようにしてもよい。
この実行前チェックによって処理室１１０の状態がクリーニングに適さないと判断した場合，例えばクリーニングをエラー終了する（図示せず）。これに対して，処理室１１０がクリーニングを正常に実行できる状態にあると判断した場合，ステップＳ２００にて上記クリーニングレシピに従って処理室１１０内のクリーニングを実行する。こうして，処理室内のクリーニングが終了すると，次の処理室内の処理があればその処理が実行される。
このような本実施形態にかかる処理室内のクリーニングにおいては，例えば処理室内状態調整処理３１０が行われた後の場合は，上記ステップＳ３２０にて図８に示すクリーニングタイミングデータテーブルに基づいてタイミングデータ“１枚”が読み出されるとともに，上記ステップＳ３４０にて図４（ａ）に示すクリーニングレシピデータテーブルおよび図４（ｂ）に示すクリーニングレシピ割付データテーブルに基づいてクリーニングレシピＡが読み出される。これにより，図９に示すようにダミーウエハＷｄによる処理室内状態調整処理３１０が行われた後ごとに毎回，実質的に４０ｓｅｃのクリーニングが実施される。
また，エッチング処理３２０の後の場合は，上記ステップＳ３２０にて，図８に示すクリーニングタイミングデータテーブルに基づいてタイミングデータ“２枚”が読み出され，上記ステップＳ３４０にて図４（ａ）に示すクリーニングレシピデータテーブルおよび図４（ｂ）に示すクリーニングレシピ割付データテーブルに基づいてクリーニングレシピＢが読み出される。これにより，図９に示すように，プロセス処理用ウエハＷｐ２枚のエッチング処理が連続して行われた後ごとに，実質的に２０ｓｅｃのクリーニングが実施される。
以上のように第２実施形態によれば，処理室１１０内で行われる処理の種別（処理室内状態調整処理３１０とエッチング処理３２０）ごとのクリーニング設定情報２９２（クリーニングレシピとクリーニングタイミング）が用意されるので，これらを最適な値に設定することによって，処理の種別に応じたクリーニングを実行することができる。これにより，処理室１１０内の状態（チャンバコンディション）を最適な状態にすることができ，またスループットを向上させることができる。
なお，第２実施形態では，クリーニングタイミングはダミーウエハＷｄおよびプロセス処理用ウエハＷｐの枚数に基づいて設定される場合を例に挙げたが，必ずしもこれに限定されるものではなく，経過時間に基づいてクリーニングタイミングを設定するようにしてもよい。また，処理の種別ごとにクリーニング回数を設定して，各処理において，ほぼ均等な時間間隔で所定の回数のクリーニングが実行されるようにしてもよい。なお，例えばプロセス処理の連続回数が多くなるに従って処理室１１０内のパーティクルが増加していくと考えられるケースでは，最初は長い間隔をおいてクリーニングが実行され，次第に短い間隔でクリーニングが実行されるようにしてもよい。
また，クリーニングタイミングデータとしては，さらに処理室１１０での処理に先立って各ウエハについての処理情報（処理の種別を含む）に付加されるデータであってもよい。この付加データは，例えば図８に示すようなクリーニングタイミングデータテーブルに基づいてそのウエハの処理情報に付加する。
例えば複数のウエハを収容するウエハカセットから１枚ずつウエハを取出して処理室１１０へ搬送し，そのウエハの処理を実行するような基板処理装置の場合には，ウエハカセットからウエハを取出すごとにそのウエハの処理情報に付加データを付加するようにしてもよい。
具体的にはウエハカセットからウエハを取出すごとに枚数をカウントし，そのカウント値を例えばＲＡＭ２３０に各ウエハの処理の種別ごとに一時的に記憶しておく。そして，そのウエハ枚数のカウント値が例えば図８に示すようなクリーニングタイミングのウエハ枚数に達していないと判断した場合には処理室内のクリーニングを行わないとする付加データ（クリーニング無データ）を付加する。また，クリーニングタイミングのウエハ枚数に達したと判断した場合にはカウント値を０にして処理室内のクリーニングを行う付加データ（クリーニング有データ）を付加する。
ここで，上記のようにクリーニングタイミングをウエハの処理情報に付加される付加データに基づいて判断する場合の処理室内のクリーニングの具体例を図１１に示す。図１１に示すように，ステップＳ４１０にて処理の種別を判定し，ステップＳ４２０にてクリーニングタイミングデータを読み出し，ステップＳ４３０にてクリーニングするか否かを判断する。ここでは，ウエハについての処理情報（処理の種別を含む）に基づいて処理の種別を判定し，その処理情報に付加されている付加データをクリーニングタイミングデータとして読出して，この付加データに基づいて処理室内のクリーニングをするか否かを判断する。
ステップＳ４３０にて付加データが処理室内のクリーニングを実行しないクリーニング無データの場合には，処理室内のクリーニングを実行しないで終了する。これに対して，ステップＳ４３０にて処理室内のクリーニングを実行するクリーニング有データの場合には，ステップＳ４４０以降にて処理室内のクリーニングを実行する。
すなわち，ステップＳ４４０にて例えば図４に示すクリーニングレシピ割付データテーブルから上記ステップＳ４１０で判定した処理の種別に割り付けられているクリーニングレシピを読み出し，ステップＳ４５０にて実行前チェックを行う。このステップＳ４５０では図６に示すステップＳ１３０と同様の処理を行うため，その詳細な説明は省略する。なお，この実行前チェックは処理の種別の判定前に行うようにしてもよい。
この実行前チェックによって処理室１１０の状態がクリーニングに適さないと判断した場合，例えばクリーニングをエラー終了する（図示せず）。これに対して，処理室１１０がクリーニングを正常に実行できる状態にあると判断した場合，ステップＳ２００にて上記クリーニングレシピに従って処理室１１０内のクリーニングを実行する。こうして，処理室内のクリーニングが終了すると，次の処理室内の処理があればその処理が実行される。
このように，図１１に示すような処理室内のクリーニングによれば，ウエハの処理情報の付加データだけでクリーニングを実行するか否かを簡単に判断することができる。しかも，処理室内のクリーニングを実行するごとにクリーニングタイミングに達したか否かを判断しなくて済むので，スループットを向上させることができる。
なお，本発明を適用する基板処理装置としては，複数の処理室を備え，ウエハカセットから取出したウエハを各処理室に順番に搬送して連続処理するものであってもよい。このような基板処理装置に本発明を適用する場合には，各処理室１１０ごとに図６，図１０，図１１に示すフローチャートによりクリーニングを実行するようにしてもよい。これにより，各処理室１１０を処理の種別に応じて所望のタイミングでクリーニングすることができる。
さらに，各処理室１１０ごとに図１１に示すフローチャートによりクリーニングを実行する場合には，各処理室での処理の前，例えばウエハカセットからウエハを取出す際に，各処理室ごとにウエハ枚数で設定されるクリーニングタイミングに基づいて，そのウエハの処理情報に各処理室ごとの付加データを付加するようにしてもよい。これにより，各処理室１１０でクリーニングを実行するか否かを簡単に判断することができる。
なお，上記第１，第２実施形態においては，処理室で行われる処理の種別として，処理室内に調整用ウエハＷｄを搬入して行う処理室内状態調整処理と，処理室内にプロセス処理用ウエハＷｐを搬入して行うエッチング処理を例に挙げて説明したが，その他，例えば１ロット（例えば２５枚）のプロセス処理用ウエハＷｐのエッチング処理が終了した後に，処理室内にクリーニング用ウエハＷｃを搬入して他のクリーニング処理を行う場合には，このクリーニング処理も処理の種別の１つとしてもよい。
このような他のクリーニング処理は，１ロット（例えば２５枚）のプロセス処理用ウエハＷｐのエッチング処理を実行する前や，そのエッチング処理の途中で行う場合もある。そのような他のクリーニング処理の後にさらに本発明にかかる処理室内のクリーニングを行う場合には，図４（ａ），（ｂ）に示すクリーニングレシピのデータ，図８に示すクリーニングタイミングのデータを追加して，他の処理の種別とは別個にレシピとタイミングを設定できるようにしてもよい。なお，他のクリーニング処理の代用として本発明にかかる処理室内のクリーニングを行うことも可能である。
上記第１，第２実施形態における処理室内のクリーニングは，処理室で行われる処理が終了してウエハが搬出された後に，処理室１１０内にウエハが存在しない状態で行うクリーニング（いわゆる，ウエハレスクリーニング）である場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，処理室１１０で行われる処理が終了してウエハが搬出された後に，さらに別のクリーニング用ウエハを処理室１１０内に搬入して，そのクリーニング用ウエハが存在する状態で行うクリーニングであってもよい。
また，上記第１，第２実施形態における処理室内のクリーニングは，処理室内にプラズマを発生させて行うクリーニングの場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，処理室内にプラズマを発生させないで行うクリーニング（いわゆるプラズマレスクリーニング）であってもよい。
なお，プラズマを発生させて行うクリーニングでは，発生したプラズマによる電極板１２０の静電除去作用があるので，電極板１２０の静電除去処理を別途行う必要がない。これに対して，プラズマレスクリーニングを行う場合にはプラズマが発生しないため，電極板１２０の静電除去処理を別途行う必要がある。
上記第１，第２実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステムあるいは装置に供給し，そのシステムあるいは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成され得る。
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭなどが挙げられる。また，媒体に対してプログラムを，ネットワークを介してダウンロードして提供することも可能である。
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば，上記第１，第２実施形態では，ウエハに対してエッチング処理を行うプラズマ処理装置に本発明を適用した場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，ウエハに対して成膜処理を行う例えばプラズマＣＶＤ装置，スパッタリング装置，熱酸化装置などの成膜装置に本発明を適用してもよい。さらに本発明は，基板としてウエハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板処理装置やＭＥＭＳ(マイクロエレクトロメカニカルシステム)製造装置にも適用できる。
本発明は，基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラムを記録した記録媒体に適用可能である。
本発明の第１実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。 図１に示す制御部の構成例を示すブロック図である。 同実施形態にかかる処理室内で行われる処理の具体例を示すブロック図である。 図２に示すクリーニング設定情報の具体例を示す図である。 同実施形態にかかるプラズマ処理装置の処理を示すブロック図である。 同実施形態にかかるクリーニングの具体例を示すフローチャートである。 図６に示すクリーニング実行内容の具体例を示すフローチャートである。 図２に示すクリーニング設定情報の具体例を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかるプラズマ処理装置の処理を示すブロック図である。 同実施形態にかかるクリーニングの具体例を示すフローチャートである。 同実施形態にかかるクリーニングの他の具体例を示すフローチャートである。
符号の説明
１００ プラズマ処理装置
１１０ 処理室
１１１ サセプタ
１１２ 排気路
１１３ バッフル板
１１４ ＡＰＣバルブ
１１５ ＴＭＰ
１１６ ＤＰ
１１７ 排気管
１１８ 高周波電源
１１９ 整合器
１２０ 電極板
１２２ 直流電源
１２４ フォーカスリング
１２５ 冷媒室
１２６ 配管
１２７ 伝熱ガス供給孔
１２８ 伝熱ガス供給ライン
１２９ 伝熱ガス供給管
１３０ プッシャーピン
１３１ 搬入出口
１３２ ゲートバルブ
１３３ 上部電極
１３４ ガス通気孔
１３６ 電極支持体
１３７ バッファ室
１３８ 処理ガス導入管
１４２ 上部電極
１４４ 真空排気口
１５０ 導線
１５１ スイッチ
１５２ 高周波電源
２００ 制御部
２１０ ＣＰＵ
２２０ ＲＯＭ
２３０ ＲＡＭ
２４０ 表示手段
２５０ 入出力手段
２６０ 報知手段
２７０ 各種コントローラ
２８０ プログラムデータ記憶手段
２８２ クリーニングプログラム
２９０ 設定情報記憶手段
２９２ クリーニング設定情報
３１０ 処理室内状態調整処理
３２０ エッチング処理
Ｗ ウエハ
Ｗｄ 調整用ウエハ（ダミーウエハ）
Ｗｐ プロセス処理用ウエハ（製品用ウエハ）

Claims (12)

  1. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとに設定情報記憶手段に予め記憶されたクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じたレシピで前記処理室内クリーニングを実行し，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内クリーニングの実行時間を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間よりも長い時間に設定したことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
  2. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとに設定情報記憶手段に予め記憶されたクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じたレシピで前記処理室内クリーニングを実行し，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内の温度を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度よりも高い温度に設定したことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
  3. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段を備え，
    前記処理室で行われた処理の種別を判定する工程と，
    判定した処理の種別に対応するクリーニングレシピを前記設定情報記憶手段から取得する工程と，
    取得したクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する工程と，を有し，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内クリーニングの実行時間を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間よりも長い時間に設定したことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
  4. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段を備え，
    前記処理室で行われた処理の種別を判定する工程と，
    判定した処理の種別に対応するクリーニングレシピを前記設定情報記憶手段から取得する工程と，
    取得したクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する工程と，を有し，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内の温度を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度よりも高い温度に設定したことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
  5. 前記クリーニングは，前記処理室内にプラズマを発生させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置のクリーニング方法。
  6. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段と，
    前記クリーニングを行う際，前記設定情報記憶手段から取得したクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する制御部と，を備え，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内クリーニングの実行時間を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間よりも長い時間に設定したことを特徴とする基板処理装置。
  7. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段と，
    前記クリーニングを行う際，前記設定情報記憶手段から取得したクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する制御部と，を備え，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内の温度を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度よりも高い温度に設定したことを特徴とする基板処理装置。
  8. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段と，
    前記クリーニングを行う際，前記処理室で行われた処理の種別を判定し，判定した処理の種別に対応するクリーニングレシピを前記設定情報記憶手段から取得し，取得したクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する制御部と，を備え，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内クリーニングの実行時間を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間よりも長い時間に設定したことを特徴とする基板処理装置。
  9. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置であって，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段と，
    前記クリーニングを行う際，前記処理室で行われた処理の種別を判定し，判定した処理の種別に対応するクリーニングレシピを前記設定情報記憶手段から取得し，取得したクリーニングレシピに基づいて，前記処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する制御部と，を備え，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内の温度を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度よりも高い温度に設定したことを特徴とする基板処理装置。
  10. 前記クリーニングは，前記処理室内にプラズマを発生させることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
  11. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって，
    前記基板処理装置は，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段を備え，
    前記クリーニング方法は，
    前記処理室で行われた処理の種別を判定する工程と，
    判定した処理の種別に対応するクリーニングレシピを前記設定情報記憶手段から取得する工程と，
    取得したクリーニングレシピに基づいて，前記所定の処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する工程と，を有し，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内クリーニングの実行時間を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングの実行時間よりも長い時間に設定したことを特徴とする記録媒体。
  12. 処理室内に基板を搬入して所定の処理を行った後に，前記処理室内のクリーニングを行う基板処理装置のクリーニング方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって，
    前記基板処理装置は，
    前記処理の種別として少なくとも前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とを含み，その処理の種別ごとにクリーニングレシピを予め記憶する設定情報記憶手段を備え，
    前記クリーニング方法は，
    前記処理室で行われた処理の種別を判定する工程と，
    判定した処理の種別に対応するクリーニングレシピを前記設定情報記憶手段から取得する工程と，
    取得したクリーニングレシピに基づいて，前記所定の処理の種別に応じた前記クリーニングを実行する工程と，を有し，
    前記クリーニングレシピは，少なくとも前記処理室内の温度を含み，前記処理室内状態調整処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度は，前記プロセス処理後の前記処理室内クリーニングにおける前記処理室内温度よりも高い温度に設定したことを特徴とする記録媒体。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5220447B2 (ja) * 2008-03-17 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムの洗浄方法、記憶媒体及び基板処理システム
JP5294681B2 (ja) 2008-04-28 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその基板搬送方法
JP5463066B2 (ja) 2009-04-30 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 ロット処理開始判定方法及び制御装置
WO2013146595A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、基板処理装置の保守方法及び記録媒体
JP6094148B2 (ja) 2012-10-29 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6877200B2 (ja) * 2017-03-15 2021-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置及び基板処理表示方法
JP6586443B2 (ja) 2017-10-10 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
CN114277361B (zh) * 2021-12-16 2024-03-15 华虹半导体(无锡)有限公司 Hdp-cvd设备的控制方法、设备和存储介质

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249488A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004140096A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Seiko Epson Corp プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体
JP2004515066A (ja) * 2000-11-29 2004-05-20 ライトウィンド　コーポレイション リアルタイム・ガス・サンプリングに対してプラズマ・ソースを利用する方法及びデバイス

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173932A (ja) 1998-12-08 2000-06-23 Sony Corp 反応炉の洗浄方法
KR100602080B1 (ko) * 2003-12-31 2006-07-14 동부일렉트로닉스 주식회사 식각 챔버의 세정 방법
US7803230B2 (en) * 2004-04-06 2010-09-28 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium for recording program used for the method
US20050279384A1 (en) 2004-06-17 2005-12-22 Guidotti Emmanuel P Method and processing system for controlling a chamber cleaning process

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004515066A (ja) * 2000-11-29 2004-05-20 ライトウィンド　コーポレイション リアルタイム・ガス・サンプリングに対してプラズマ・ソースを利用する方法及びデバイス
JP2003249488A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004140096A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Seiko Epson Corp プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体

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