JP5059320B2 - 基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラム，プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は，基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラム，プログラムを記録した記録媒体に関する。

例えば半導体デバイスを製造するプラズマ処理装置などの基板処理装置は，処理室を備え，この処理室内の載置台に半導体ウエハや液晶基板などの被処理基板を載置して，被処理基板に対してエッチングや成膜などの処理を施すようになっている。

このような基板処理装置では，処理室内で被処理基板を処理する際に発生する反応生成物や処理室内に外部から混入する微粒子などのパーティクル（微細な粒子状の異物）によって，被処理基板が汚染されることを防ぐことが重要となる。

例えば処理室内に配設されるウエハの載置台がパーティクルによって汚染されていると，その載置台上に載置された被処理基板の裏面にパーティクルが付着し，次工程において汚染が拡大する虞がある。また，処理室の内壁がパーティクルによって汚染されていると，次に処理される被処理基板上にパーティクルが付着し，処理に影響を与える虞がある。このように被処理基板がパーティクルで汚染されていると，被処理基板上に最終的に製造される半導体デバイスの歩留まりが低下する等の不具合が発生してしまう。

このため，処理室内のパーティクルを効果的に除去する方法として，例えば載置台に高電圧を印加することによって発生するマックスウエル応力によってパーティクルを飛散させて除去するクリーニング方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。具体的には，処理室内に不活性ガスを導入するとともに処理室内を排気しながら，低圧力雰囲気で載置台へ高電圧を印加させ，続いて高圧力雰囲気で載置台へ印加する高電圧を印加させる２段階のクリーニング処理を実行することによって，パーティクルを効果的に飛散させて処理室内から排出する。

特開２００５−１０１５３９号公報

ところが，処理室は，一般に，その処理室で実行されるウエハ処理の種類，処理条件（例えば処理室内圧力，処理ガスの種類，電極に印加する高周波電力，載置台に対する印加電圧等），処理室内のパーツなどに応じて構成される。このような様々な構成の処理室で実際に上記クリーニング方法を実行してみると，処理室の構成によっては，低圧力雰囲気中で載置台へ電圧を印加する際に異常放電（例えばアーク放電）が発生する場合があることがわかった。このような異常放電が発生すると，基板処理装置全体の緊急停止を招いて基板処理装置全体のスループットが低下したり，載置台などの部品が損傷したりする虞がある。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，処理室内のクリーニング処理時に発生する異常放電を防止しつつ，処理室に応じた適切なクリーニング処理を実行することができる基板処理装置のクリーニング方法等を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え，前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング方法であって，前記処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら，設定情報記憶手段に設定記憶された第１処理用印加電圧情報に基づいて前記処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第１処理工程と，前記処理室内を前記第１処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記設定情報記憶手段に設定記憶された第２処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第２処理工程とを有することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法が提供される。この場合の処理室内の部材は，例えば被処理基板を載置台上に保持する静電保持手段である。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え，前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング処理を行うためのプログラムであって，コンピュータに，前記処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら，設定情報記憶手段に設定記憶された第１処理用印加電圧情報に基づいて前記処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第１処理ステップと，前記処理室内を前記第１処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記設定情報記憶手段に設定記憶された第２処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第２処理ステップとを実行させるためのプログラムが提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え，前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング処理を行うためのプログラムを記録する記録媒体であって，前記コンピュータに，前記処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら，設定情報記憶手段に設定記憶された第１処理用印加電圧情報に基づいて前記処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第１処理ステップと，前記処理室内を前記第１処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記設定情報記憶手段に設定記憶された第２処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第２処理ステップとを実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

このような本発明によれば，第１処理及び第２処理において処理室内の部材に対する電圧印加制御を行うことによって，例えば部材に付着したパーティクルが飛散し，そのパーティクルは処理室内に生じるガスの流れに乗って排気される。この場合，本発明においては，処理室の構成に応じて第１処理と第２処理とで異なる適切な印加電圧でこれらの処理行うことが可能となる。このため，処理室内のクリーニング処理時に発生する異常放電を防止しつつ，処理室に応じた適切なクリーニング処理を実行することができる。これにより，本発明の処理室内のクリーニング処理を様々な構成の処理室に適用することができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理室を備え，前記各処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング方法であって，前記各処理室ごとに設定された第１処理用印加電圧情報と，前記各処理室ごとに設定された第２処理用印加電圧情報とを記憶する設定情報記憶手段を備え，前記複数の処理室のうち，クリーニングする処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と排気系による当該処理室内の排気を行いながら，前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第１処理用印加電圧情報に基づいて当該処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第１処理工程と，当該処理室内を前記第１処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による当該処理室内の排気を行いながら，前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第２処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第２処理工程とを有することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法が提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理室を備え，前記各処理室内をクリーニングする基板処理装置であって，前記各処理室ごとに設定された第１処理用印加電圧情報と，前記各処理室ごとに設定された第２処理用印加電圧情報とを記憶する設定情報記憶手段と，前記複数の処理室のうち，クリーニングする処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と排気系による当該処理室内の排気を行いながら，前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第１処理用印加電圧情報に基づいて当該処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第１処理と，当該処理室内を前記第１処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による当該処理室内の排気を行いながら，前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第２処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第２処理とを行う制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。

このような本発明によれば，基板処理装置が備える複数の処理室ごとに，その処理室の構成に応じて第１処理と第２処理とで異なる適切な印加電圧でクリーニング処理を行うことが可能となる。これにより，各処理室ごとにクリーニング処理時に発生する異常放電を防止しつつ，各処理室に応じた適切なクリーニング処理を実行することができる。

なお，上記第１処理用印加電圧情報及び第２処理用印加電圧情報は，前記部材に印加する電圧を変動させる制御を行うために必要な電圧情報を含むようにしてもよい。これにより，より効果的にパーティクルを飛散させることができる。

また，上記第１処理工程の前に，前記設定情報記憶手段に記憶された第１処理有無設定情報に基づいて前記第１処理工程を実行するか否かを判断する工程を有し，前記第１処理工程を実行すると判断した場合は前記第１処理工程を実行した上で前記第２処理工程を実行し，前記第１処理工程を実行しないと判断した場合は前記第１処理工程を実行せずに前記第２処理工程のみを実行するようにしてもよい。これによれば，第１処理時に異常放電が発生する処理室では，第１処理を実行しないで第２処理だけ実行させることが可能となる。これにより，処理室に応じた適切なクリーニング処理を実行することができる。

また，前記排気系は，前記処理室内を粗引き排気により減圧するための補助ポンプと，前記処理室内を排気して所定の圧力よりもさらに減圧させるための主ポンプとを備え，前記第１処理工程は，前記ガス導入系による所定ガスの導入と前記主ポンプによる排気を行いながら前記部材への電圧印加制御を行い，前記電圧印加制御を終了すると，前記ガス導入系による所定ガスの導入を停止し，少なくとも前記処理室を前記主ポンプにより所定の真空圧力まで減圧し，前記第２処理工程は，前記ガス導入系による所定ガスの導入と前記補助ポンプによる排気を行いながら前記部材への電圧印加制御を行い，前記電圧印加制御を終了すると，前記ガス導入系による所定ガスの導入を停止し，前記補助ポンプによる排気を続行して前記処理室内が前記所定の圧力に達すると，少なくとも前記処理室を前記主ポンプにより所定の真空圧力まで減圧するようにしてもよい。これによれば，第２処理において，部材への電圧印加制御後は，補助ポンプによる排気を主ポンプによる減圧が可能となる所定の圧力になるまで続行するので，第２処理の実行時間を短縮することができる。特に，第２処理を複数回繰返す場合には，上記実行時間の短縮効果も大きくなる。

また，上記第１処理工程は，前記部材への電圧印加制御終了後は，前記主ポンプにより前記処理室と前記ガス導入系の両方を排気して所定の真空圧力まで減圧し，前記第２処理工程は，前記部材への電圧印加制御終了後は，前記主ポンプと前記補助ポンプにより前記処理室のみ排気して所定の真空圧力まで減圧するようにしてもよい。このように，第２処理に必要性の少ないガス導入系の排気を省略することによって，第２処理の実行時間をより短縮することができる。

本発明によれば，処理室の構成に応じて処理室内のクリーニング処理を第１処理と第２処理とで異なる適切な印加電圧で行うことができるので，処理室内のクリーニング処理時に発生する異常放電を防止しつつ，処理室に応じた適切なクリーニング処理を実行することができる。これにより，本発明の処理室内のクリーニング処理を様々な構成の処理室に適用することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う処理ユニット１１０と，この処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。

先ず，搬送ユニット１２０の構成例について説明する。搬送ユニット１２０は図１に示すように基板収納容器例えば後述するカセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）と処理ユニット１１０との間でウエハを搬出入する搬送室１３０を有している。搬送室１３０は，断面略多角形（例えば長方形）の箱体状に形成されている。搬送室１３０の一側面には，複数のカセット台１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ）が並設されている。これらカセット台１３１Ａ〜１３１Ｃはそれぞれ，基板収納容器の１例としてのカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃを載置可能に構成されている。

各カセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）には，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ_２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へゲートバルブを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。なお，カセット台１３１とカセット容器１３２の数は，図１に示す場合に限られるものではない。

搬送室１３０の端部には，位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３６が設けられている。このオリエンタ１３６では，例えばウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。

搬送室１３０内には，例えばリニア駆動機構によって長手方向（図１に示す矢印方向）に沿ってウエハＷを搬送する搬送ユニット側搬送機構（搬送室内搬送機構）１７０が設けられている。搬送ユニット側搬送機構１７０は，制御部３００からの制御信号に基づいて駆動するようになっている。なお，搬送ユニット側搬送機構１７０は，図１に示すような２つのピック（エンドエフェクタ）を有するダブルアーム機構であってもよく，１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。

次に，処理ユニット１１０の構成例について説明する。例えばクラスタツール型の基板処理装置の場合には，処理ユニット１１０は図１に示すように断面多角形（例えば六角形）に形成された共通搬送室１５０の周囲に，複数の処理室２００（第１〜第４処理室２００Ａ〜２００Ｄ）及びロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎを気密に接続して構成される。

処理室２００Ａ〜２００Ｄでは，ウエハＷに例えば成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理が施される。各処理室２００Ａ〜２００Ｄはそれぞれ，各処理室２００Ａ〜２００Ｄ内へ処理ガスやパージガスなど所定のガスを導入可能なガス導入系（図１では省略），各処理室２００Ａ〜２００Ｄ内を排気可能な排気系（図１では省略）が接続されている。なお，これら処理室２００Ａ〜２００Ｄの構成例は後述する。また，処理室２００の数は，図１に示す場合に限られるものではない。

上記共通搬送室１５０は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの間，又は各処理室２００Ａ〜２００Ｄと各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間でウエハＷを搬出入する機能を有する。共通搬送室１５０は多角形（例えば六角形）に形成されており，その周りに上記各処理室２００（２００Ａ〜２００Ｄ）がそれぞれゲートバルブを介して接続されているとともに，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの先端がそれぞれゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）を介して接続されている。第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの基端は，それぞれゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）を介して搬送室１３０の他側面に接続されている。

第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有している。各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの内部にはそれぞれ，ウエハＷを載置可能な受渡台が設けられている。

このような処理ユニット１１０では，上述したように共通搬送室１５０と各処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間及び共通搬送室１５０と上記各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され，クラスタツール化されており，必要に応じて共通搬送室１５０内と連通可能になっている。また，上記第１及び第２の各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎと上記搬送室１３０との間も，それぞれ気密に開閉可能に構成されている。

共通搬送室１５０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送機構（共通搬送室内搬送機構）１８０が設けられている。処理ユニット側搬送機構は，各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び各処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間でウエハＷを搬送する。処理ユニット側搬送機構１８０は，制御部３００からの制御信号に基づいて駆動するようになっている。なお，処理ユニット側搬送機構１８０は，図１に示すような２つのピックを有するダブルアーム機構であってもよく，１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。

基板処理装置１００には，上記搬送ユニット側搬送機構１７０，処理ユニット側１８０，各ゲートバルブ，オリエンタ１３６などの制御を含め，基板処理装置全体の動作を制御する制御部３００が設けられている。このような制御部３００の構成例は後述する。

このような構成の基板処理装置１００を稼働すると，ウエハＷの処理が開始される。例えば搬送ユニット側搬送機構１７０によりカセット容器１３２Ａ〜１３２ＣのいずれかからウエハＷが搬出されてオリエンタ１３６まで搬送される。そして，オリエンタ１３６で位置決めされたウエハＷは，オリエンタ１３６から搬出されてロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内へ搬入される。このとき，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハＷがロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎにあれば，処理完了ウエハＷを搬出してから，未処理ウエハＷを搬入する。

ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ搬入されたウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０によりロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎから搬出され，そのウエハＷが処理される処理室２００へ搬入されて所定の処理が実行される。そして，処理室２００での処理が完了した処理済ウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０により処理室２００から搬出される。この場合，そのウエハＷが連続して複数の処理室２００での処理が必要な場合には，次の処理を行う他の処理室２００へウエハＷを搬入し，その処理室２００での処理が実行される。

そして，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハは，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻される。ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻された処理済ウエハＷは，搬送ユニット側搬送機構１７０により元のカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃに戻される。

（処理室の構成例）
ここで，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの構成例について図面を参照しながら説明する。図２は各処理室２００Ａ〜２００Ｄの構成例を示すブロック図である。ここでは，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの構成は同様とし，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの構成要素を示す符号からＡ〜Ｄを省略して代表的に説明する。従って，例えば処理室２００という場合は各処理室２００Ａ〜２００Ｄを示す。

図２に示すように，処理室２００内には，ウエハＷを載置するための載置台２１０が配置されている。載置台２１０内には下部電極２１１が内蔵されており，この下部電極２１１にはバイアス電源としての高周波電源２１２が整合器２１３を介して接続されている。

載置台２１０の上部にはウエハＷを静電吸着力で保持する静電吸着手段の１例としての静電チャック２１４が設けられている。この静電チャック２１４に内蔵された電極板には，正の印加電圧，負の印加電圧が切換え可能な直流電源２１５が可変抵抗２１６及びスイッチ２１７を介して電気的に接続されている。載置台２１０の表面は例えばアルミナやポリイミドなどによって被覆されており，直流電源２１５により例えば正の直流電圧を印加することによってウエハＷが載置台２１０の表面上に吸着される。

可変抵抗２１６及びスイッチ２１７は，制御部３００によって制御される。例えば制御部３００は可変抵抗２１６の抵抗値を変えることによって，静電チャック２１４に印加する正の印加電圧又は負の印加電圧の大きさを制御し，スイッチ２１７を切り換えることによって，静電チャック２１４に印加する電圧を正と負に切り換えることができる。このような静電チャック２１４への印加電圧制御は，後述するクリーニング処理において実行される。

なお，このような静電チャック２１４の構成は，図２に示すものには限られるものではない。静電チャック２１４の上面縁部には，ウエハＷの外周を囲むようにフォーカスリング２１８が配設されている。

処理室２００内には，上部電極２２０が載置台２１０に対向して設けられている。上部電極２２０には，プラズマ励起電源としての高周波電源２２２が整合器２２４を介して接続されている。また，上部電極２２０はガス導入系２３０からのガスを処理室２００内へ導入するシャワーヘッドを構成する。具体的には上部電極２２０には複数のガス導入孔(図示しない)が設けられ，このガス導入孔を介してガスが載置台２１０に載置されるウエハＷに向けて導入される。

処理室２００には，処理室２００内の圧力を検知する圧力センサ２０２が設けられている。圧力センサ２０２は，例えば隔膜真空計（キャパシタンスマノメータなど）によって構成され，この圧力センサ２０２からの圧力に基づいて処理室内圧力の制御が行われる。

また，処理室２００には，処理室２００内に処理ガスやパージガスなど所定のガスを導入するガス導入系２３０，処理室２００内を排気するための排気系２７０が設けられている。

上記ガス導入系２３０から処理室２００へ導入されるガスとしては，例えばＣＦ_４，Ｃ_２Ｆ_６，ＮＦ_３，ＳＦ_６，ＮＨ_３，ＮＯ_ｘ，ハロゲン化水素，重金属アルコキシド錯体などのような処理ガスの他，パージガスや圧力調整ガスなどに用いられる不活性ガスが挙げられる。本明細書において不活性ガスとは，広く化学変化を起こしにくい気体をいい，例えばＡｒガス，Ｈｅガスなどの希ガス族元素のみならず，Ｎ_２ガスなども含まれる。なお，本発明にかかる処理室内のクリーニングにおいては，後述するように不活性ガスが使用される。

ガス導入系２３０は，例えば図２に示すように処理ガス導入系２４０と不活性ガス導入系２５０を備える。ここでは，不活性ガス導入系２５０を，処理室２００内のクリーニング処理（例えば後述する２段階のパーティクル低減処理）を行う場合に使用する。なお，不活性ガス導入系２５０は，処理室内２００内のクリーニング処理の他に，処理室２００に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を導入して大気開放を行う大気開放系として使用される。

ガス導入系２３０の具体的構成は以下の通りである。ガス導入系２３０は，処理ガス導入系２４０と不活性ガス導入系２５０の各配管が合流して，主バルブ（主弁）２３２を介して処理室２００へ接続するように構成される。処理ガス導入系２４０は，例えば処理ガス供給源２４２，上流側ガス導入バルブ（上流側ガス導入弁）２４４，流量制御器（例えばマスフローコントローラ）２４６，下流側ガス導入バルブ（下流側ガス導入弁）２４８を備える。なお，処理ガス導入系２４０は処理ガスの種類に応じて複数並列に設け，各処理ガスが合流して処理室２００へ導入されるような配管構成にしてもよい。

不活性ガス導入系２５０は，例えば不活性ガス供給源２５２，上流側ガス導入バルブ２５４を備え，この上流側ガス導入バルブ２５４の下流側に，不活性ガス供給源２５２からの不活性ガスを一定の低流量で処理室２００へ導入可能な低流量導入系（第１導入系）２６５と，不活性ガス供給源２５２からの不活性ガスを低流量導入系２６５よりも大流量で処理室２００へ導入可能な大流量導入系（第２導入系）２５５とを並列に接続して構成される。

低流量導入系２６５は，不活性ガス供給源２５２からの不活性ガスを一定流量に調整する絞り弁２６６と，下流側ガス導入バルブ（下流側ガス導入弁）２６８を備えて構成される。絞り弁２６６としては，例えばオリフィス，チョークなどの固定弁で構成してもよく，また流量の微調整が可能な可変弁で構成してもよい。また，絞り弁２６６と下流側ガス導入バルブ２６８とを１つのオリフィスバルブで構成してもよい。大流量導入系２５５は，下流側ガス導入バルブ（下流側ガス導入弁）２５８を介して上記低流量導入系２６５の下流側に接続して構成される。

処理ガス導入系２４０と不活性ガス導入系２５０とは，連通管２３４を介して接続されている。具体的には，処理ガス導入系２４０の上流側ガス導入バルブ２４４の下流側と不活性ガス導入系２５０の上流側ガス導入バルブ２５４の下流側とが，連通バルブ２３６を備える連通管２３４を介して接続されている。この連通バルブ２３６を開放することにより，不活性ガス導入系２５０からの不活性ガスは，連通管２３４を介して処理ガス導入系２４０の流量調整器２４６，下流側ガス導入バルブ２４８，主バルブ２３２をそれぞれ介して処理室２００へ導入される。これにより，不活性ガス導入系２５０からの不活性ガスを処理ガス導入系２４０の流量調整器２４６によって流量調整しながら処理室２００へ導入させることができる。

上記排気系２７０は，例えば処理室２００に主排気系２８０と補助排気系２９０とを並列に接続して構成される。主排気系２８０と補助排気系２９０は排気側で合流して補助ポンプ２７２に接続している。主排気系２８０には主ポンプ２８２が接続しており，補助排気系２９０には主排気系２８０による排気と補助排気系２９０による排気を切換える切換バルブ（切換弁，補助バルブ）２９２が接続している。なお，主排気系２８０の主ポンプ２８２は，図示しない圧力調整バルブ（例えばＡＰＣバルブ：Adaptive Pressure Controller Valve）を介して処理室２００に接続されている。

補助ポンプ２７２は例えばドライポンプで構成され，この補助ポンプ２７２によって処理室２００内を一定の真空状態まで排気する粗引き排気処理が行われる。主ポンプ２８２は例えばターボポンプなどで構成され，この主ポンプ２８２によって処理室２００内をさらに所望の高真空圧まで排気する本引き排気処理が行われる。このような排気系２７０は，例えば工場の排気設備などに接続されている。なお，排気系２７０は図２に示すような構成に限られるものではない。

上記ガス導入系２３０及び排気系２７０の各バルブはそれぞれ，制御部３００の制御信号によって制御されるようになっている。また，上記圧力センサ２０２からの出力は，制御部３００へ供給されるようになっている。

（処理室の動作例）
このような構成の処理室２００でウエハＷの処理を行う際には，先ずその処理室２００のゲートバルブを閉じた状態で真空引き処理を行って処理室２００内を設定圧力まで減圧する。真空引き処理は，例えば所定圧力まで減圧する粗引き排気処理と，所定圧力からさらに高真空の設定圧力まで減圧する本引き排気処理とにより行われる。

具体的には，先ず切換バルブ２９２を開くことによって排気系２７０を補助排気系２９０にして補助ポンプ２７２を駆動して粗引き排気処理を行う。そして，圧力センサ２０２により所定圧力が検知されると，切換バルブ２９２を閉じることによって排気系２７０を主排気系２８０にして主ポンプ２８２を駆動して圧力センサ２０２により設定圧力が検知されるまで本引き排気処理を行う。

そして，本引き排気処理が終了すると，ゲートバルブを開いてウエハＷを処理室２００に搬入する。ウエハＷが載置台に載置されると，ゲートバルブを閉じてウエハＷの処理工程に移行する。すなわち，処理室２００内の圧力が例えば圧力センサ２０２からの圧力に基づいて所定圧力に維持された状態で，上記ウエハＷの処理を所定時間実行する。

具体的には，上部電極２２０と下部電極２１１にそれぞれ所定の高周波電力を印加し，切換バルブ２９２を閉じて排気系２７０を主排気系２８０にした状態で，ガス導入バルブ２４４，２８８及び主バルブ２３２を開いて，処理ガス供給源２４２からの処理ガスを処理室２００内に導入する。これにより，ガス導入系２３０からの処理ガスは上部電極２２０を介してウエハＷに向けて均一に導入される。上部電極２２０から導入された処理ガスはプラズマ化され，ウエハＷの表面に例えばエッチング処理などが施される。

このような処理室２００におけるウエハＷの処理は，例えば制御部３００のレシピデータ記憶手段に予め記憶された処理工程等を示すプロセス・レシピなどのウエハ処理情報に基づいて行われる。ウエハ処理情報は，ウエハの処理の種類や条件によって異なる。

ウエハＷの処理が完了すると，ガス導入バルブ２４４を閉じて，主排気系２８０から処理室２００内の排気を行い，処理済ウエハＷを処理室２００から搬出する。こうして，１枚のウエハＷの処理が終了する。その後は，次のウエハＷを処理室２００に搬入して，上記と同様の手順でウエハＷを１枚ずつ順次処理して行く。このようなウエハＷの処理を行う際に処理室２００の排気系２７０から排出される排気は，工場の排気設備へ排気される。なお，排気系２７０から排出される排気が有害成分を含む場合には，そのような有害成分を除去する除害装置を介して工場の排気設備へ排気するようにしてもよい。

このような構成の処理室２００では，エッチング処理や成膜処理などのウエハ処理によって処理室２００内に発生するパーティクル（微細な粒子状の異物）が発生する。これを処理室内から取り除くため，一定期間ごとに処理室２００内のクリーニング処理を実行する。

ここでの処理室内のクリーニング処理は，処理室２００内を低圧力雰囲気にして実行する第１パーティクル低減処理（第１処理）と，処理室２００内を高圧力雰囲気にして実行する第２パーティクル低減処理（第２処理）とからなる２段階のパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ：Non-Plasma Particle Cleaningともいう。）によって構成される。

第１パーティクル低減処理においては，例えばウエハの処理で使用される圧力程度の低圧力雰囲気にする。このような低圧力雰囲気で静電チャック２１４への印加電圧制御を行うことにより，マクスウェルの応力などを有効に利用してパーティクルを剥離又は飛散させるために効率を高めることができる。

続く第２パーティクル低減処理においては，第１パーティクル低減処理の圧力よりも高い高圧力雰囲気にする。このような高圧力雰囲気にすることにより，静電チャック２１４への印加電圧制御で飛散したパーティクルをガス流に乗せて排気する効率を高めることができる。

このように，処理室内のクリーニング処理として２段階パーティクル低減処理を行うことにより，処理室内のパーティクルを効率よく飛散させて，さらに効率よく排気することができる。

ところが，実際にこのような２段階パーティクル低減処理を様々な構成の処理室に適用してみると，処理室の構成によってはその処理室内に異常放電（例えばアーク放電）が発生する場合があることがわかった。例えば第１パーティクル低減処理において，第２パーティクル低減処理における静電チャック２１４への印加電圧と同様の印加電圧を静電チャック２１４へ印加したときに，処理室内に異常放電が発生する場合があった。

例えば図２に示すような上部電極２２０と下部電極２１１を備える構成の処理室２００では，静電チャック２１４への印加電圧と放電との関係には例えばパッシェンの法則（Ｐａｓｃｈｅｎ’ｓ ｌａｗ）を適用して考えることができる。このパッシェンの法則によれば，放電開始電圧Ｖｓは，処理室２００内のガスの圧力（処理室内圧力）ｐと上部電極２２０と下部電極２１１の電極間距離ｄとの積ｐｄの関数となり，ｐｄが所定の値で放電開始電圧Ｖｓは極小値をとる。

このようなパッシェンの法則に基づく放電開始電圧Ｖｓのグラフを図３に示す。図３では横軸に圧力×電極間距離（Ｘ）をとり，縦軸に静電チャック２１４への印加電圧（Ｙ）をとっている。図３に示すように放電開始電圧Ｖｓのグラフは，下に凸の曲線となるので，この曲線の上側部分（斜線部分）で放電が発生することになる。これによれば，放電開始電圧Ｖｓの極小値近傍では印加電圧（Ｙ）が低くても放電し易く，放電開始電圧Ｖｓの極小値を超えたところでは印加電圧（Ｙ）が高くても圧力×電極間距離（Ｘ）が大きい方が放電し難い。なお，印加電圧が負の場合には，その絶対値を印加電圧（Ｙ）として使うことによって同様に考えることができる。

この圧力×電極間距離（Ｘ）は，処理室の構成によって異なる場合があるので，同じ印加電圧などの条件でクリーニング処理を行ったとしても，処理室の構成によっては異常放電が発生する場合がある。

例えば図３に示すように第１，第２パーティクル低減処理における静電チャック２１４への印加電圧がともにＹ_２の場合，第１処理室では第１，第２パーティクル低減処理の圧力×電極間距離（Ｘ）がそれぞれＸ_１，Ｘ_２であり，第２処理室では第１，第２パーティクル低減処理における圧力×電極間距離（Ｘ）がそれぞれＸ_１′，Ｘ_２であったとする。

この場合，第２処理室ではＸ_１′，Ｘ_２のいずれの場合も印加電圧Ｙ_２で放電開始電圧Ｖｓのグラフの斜線部分に入ることはないので放電は発生しない。これに対して，第１処理室ではＸ_１の場合には印加電圧Ｙ_２で放電開始電圧Ｖｓのグラフの斜線部分に入ってしまうので，第１パーティクル低減処理において放電が発生する虞がある。この場合に，もし第１パーティクル低減処理の方のみの印加電圧を下げてＹ_１にすれば，第１，第２パーティクル低減処理のいずれにおいても放電が発生しないようにすることができる。

そこで，本発明では，第１パーティクル低減処理と第２パーティクル低減処理とで静電チャック２１４へ印加電圧設定を変えることができるようにし，また第１パーティクル低減処理を実行するか否か自体を選択可能とする。これにより，例えば処理室の構成に応じて最適な設定にすることができるので，どのような構成の処理室でも異常放電の発生を防止しつつ，最適なクリーニングを実行することができる。

（クリーニング処理を行う制御部の構成例）
次に，このような本実施形態にかかるクリーニング処理を行う制御部について説明する。このようなクリーニング処理は例えば基板処理装置１００を制御する制御部３００によって行われるので，以下，制御部３００の具体的構成例を図４を参照しながら説明する。

制御部３００は，図４に示すように制御部本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置）３１０，ＣＰＵ３１０が各部を制御するデータなどを格納するＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）３２０，ＣＰＵ３１０が行う各種データ処理のために使用されるメモリエリア等を設けたＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）３３０，操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイなどで構成される表示手段３４０，オペレータによる種々のデータの入出力などを行うことができる入出力手段３５０，例えばブザーのような警報器等で構成される報知手段３６０，基板処理装置１００の各部を制御するための各種コントローラ３７０，基板処理装置１００の処理を行うプログラムデータを格納するプログラムデータ記憶手段３８０，プログラムデータに基づく処理を実行するときに使用するレシピデータなどの各種設定情報を記憶する設定情報記憶手段３９０を備える。プログラムデータ記憶手段３８０，設定情報記憶手段３９０は，例えばメモリ，ハードディスク，ＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体で構成され，必要に応じてＣＰＵ３１０により記録媒体からデータが読み出されて使用される。

上記ＣＰＵ３１０と，ＲＯＭ３２０，ＲＡＭ３３０，表示手段３４０，入出力手段３５０，報知手段３６０，各種コントローラ３７０，プログラムデータ記憶手段３８０，設定情報記憶手段３９０とは，制御バス，システムバス，データバス等のバスラインにより電気的に接続されている。

各種コントローラ３７０には，各搬送機構１７０，１８０，オリエンタ１３６のコントローラの他，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの各部，例えばガス導入系２３０及び排気系２７０の各バルブ，各ポンプ，各高周波電源，静電チャック２１４の印加電圧などを制御するコントローラも含まれる。なお，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの各部の制御は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄごとに制御部を設けて制御するようにしてもよい。この場合には上記制御部３００は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの制御部と接続し，データや信号のやり取りを行いながら基板処理装置１００を制御する。

プログラムデータ記憶手段３８０には，例えばクリーニング処理プログラム３８２の他，ウエハ処理プログラムなどが記憶される。設定情報記憶手段３９０には，例えばクリーニング処理により各部を制御する際の印加電圧などのレシピデータからなるクリーニング処理設定情報３９２の他，ウエハ処理により各部を制御する際の処理室内圧力，ガス流量，高周波電力などのレシピデータからなるウエハ処理設定情報などが記憶される。

上記クリーニング処理設定情報３９２としては，例えばクリーニング処理として上述の２段階パーティクル低減処理を実行する場合の設定情報が記憶される。このような設定情報としては，例えば上記クリーニング処理を実行する場合において第１パーティクル低減処理を実行するか否かを設定するための第１パーティクル低減処理の有無設定情報（第１処理有無設定情報），第１パーティクル低減処理において処理室内の部材例えば静電チャック２１４に対する電圧印加制御を行うための印加電圧情報（第１処理用印加電圧情報），第２パーティクル低減処理において静電チャック２１４に対する電圧印加制御を行うための印加電圧情報（第２処理用印加電圧情報）が記憶される。

第１パーティクル低減処理の有無設定情報は例えば図５に示すようなデータテーブルからなる。図５に示すデータテーブルには，各処理室（第１処理室２００Ａ〜第４処理室２００Ｄ）ごとに，第１パーティクル低減処理を実行するか否かを設定できるようになっている。なお，この第１パーティクル低減処理の有無設定情報は，例えば上述した入出力手段３５０などからオペレータの操作により設定するようにしてもよく，また制御部３００にネットワークを介して接続されるホスト装置から必要なデータを受信して設定するようにしてもよい。

第１パーティクル低減処理についての印加電圧情報は，例えば図６（ａ）に示すようなデータテーブルからなり，第２パーティクル低減処理についての印加電圧情報は，例えば図６（ｂ）に示すようなデータテーブルからなる。図６（ａ），（ｂ）に示すデータテーブルには，各処理室（第１処理室２００Ａ〜第４処理室２００Ｄ）ごとに，印加電圧情報を設定することができるようになっている。なお，これら第１，第２パーティクル低減処理についての印加電圧情報はそれぞれ，例えば入出力手段３５０などからオペレータの操作により設定するようにしてもよく，また制御部３００にネットワークを介して接続されるホスト装置から必要なデータを受信して設定するようにしてもよい。

図６（ａ），（ｂ）に示す印加電圧情報は，例えば印加電圧を変動させる電圧印加制御を行う場合の設定情報である。例えば図６（ａ），（ｂ）には，印加電圧の極性を変えて変動させる電圧印加制御を行う場合の印加電圧情報を設定できるようになっている。具体的には正の印加電圧Ｐ，負の印加電圧Ｑ，印加電圧保持時間Ｔ，繰返し回数Ｒの設定情報である。これらＰ，Ｑ，Ｔ，Ｒにはそれぞれ，パーティクル低減処理を区別するための第１の添字及び処理室を区別するための第２の添字をつけている。具体的には第１パーティクル低減処理についてのものは第１の添字を１とし，第２パーティクル低減処理についてのものは第１の添字を２としている。また，第１処理室２００Ａ〜第４処理室２００Ｄについてのものはそれぞれ第２の添字を１〜４としている。

ここでいう印加電圧保持時間Ｔは正の印加電圧Ｐおよび／または負の印加電圧Ｑを保持する時間を示し，繰返し回数Ｒは１サイクルの印加電圧パターン（例えば正，０，負，０）を繰返す回数を示す。このような印加電圧パターンを静電チャック２１４に印加することによって，マクスウエルの応力の原理などによって効果的にパーティクルを飛散させることができる。上記の印加電圧パターンによれば，例えば正の印加電圧Ｐは略１５００Ｖ以上の範囲で設定し，負の印加電圧Ｑは略−１５００Ｖ以下の範囲で設定すると，パーティクルを飛散させる効果も高くなる。

このようなパーティクルに働く力は電圧を印加している間は常に働いているものの，電圧が変化する（特に電圧を印加した）タイミングでパーティクルの飛散が非常に多くなる。この点，上記印加電圧パターンでは印加電圧を切り換えて変動させるので，パーティクルをより多く飛散させることができる。特に，上記印加パターンでは，印加電圧の極性を変えることにより，正の印加電圧を印加したときに飛散しなかったパーティクルも，負の印加電圧を印加したときに飛散する機会が与えられるものと考えられるので，パーティクルを飛散させる効果も大きい。

なお，印加電圧パターンとしては上記のものに限定されるものではなく，例えば正の印加電圧と０を繰返すパターン，負の印加電圧と０を繰返すパターンであってもよい。また，静電チャック２１４に交流電圧を印加させて，交流波形のパターンにしてもよい。

このような図６（ａ），（ｂ）に示すデータテーブルによれば，各処理室（第１処理室２００Ａ〜第４処理室２００Ｄ）についての静電チャック２１４に印加する印加電圧情報を第１パーティクル低減処理と第２パーティクル低減処理に分けて設定することができる。これにより，各処理室ごとに第１パーティクル低減処理と第２パーティクル低減処理とで異なる印加電圧を設定することが可能となる。例えば処理室の構成に応じて，低圧力雰囲気中で実行される第１パーティクル低減処理における静電チャック２１４への印加電圧を，高圧力雰囲気中で実行される第２パーティクル低減処理よりも低く設定することも可能である。これにより，各処理室において異常放電を防止しつつ，適切な印加電圧を設定することができる。

上述したパッシェンの法則に基づいて複数種類の構成の処理室を用いた実験結果によれば，例えばウエハ上のポリシリコン膜などをエッチング可能に構成された処理室においては，第１パーティクル低減処理では例えば低圧雰囲気として１．２×１０^２Ｐａ（９００ｍＴｏｒｒ）で±２５００Ｖ以上の印加電圧を与えることが好ましく，第２パーティクル低減処理では例えば高圧雰囲気として２．７×１０^２Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）で±２５００Ｖ以上の印加電圧を与えることが好ましいことがわかった。また，ウエハ上の酸化膜などをエッチング可能に構成された処理室においては，第１パーティクル低減処理では例えば低圧雰囲気として３３Ｐａ（２５０ｍＴｏｒｒ）で±２５００Ｖ以上の印加電圧を与えることが好ましく，第２パーティクル低減処理では例えば高圧雰囲気として２．７×１０^３Ｐａ（２０Ｔｏｒｒ）で±２５００Ｖ以上の印加電圧を与えることが好ましいことがわかった。

（クリーニング処理の具体例）
次に，本実施形態にかかる処理室内のクリーニング処理の具体例について説明する。ここでのクリーニング処理としては，上述したような２段階のパーティクル低減処理を実行する。このようなクリーニング処理は，制御部３００によって読み出されるクリーニング処理プログラムにより，クリーニング処理設定情報に基づいて実行される。

このようなクリーニング処理の具体例を図面を参照しながら説明する。図７はクリーニング処理の具体例を示すフローチャートである。クリーニング処理は，第１パーティクル低減処理（ステップＳ３００）と，第２パーティクル低減処理（ステップＳ４００）とを有する。第１パーティクル低減処理は処理室内を低圧力雰囲気（例えばウエハに対してプラズマエッチング処理などのプロセス処理を実行する場合と同様の圧力）にして実行する低圧処理であり，第２パーティクル低減処理は上記低圧処理の場合よりも高い高圧力雰囲気にして実行する高圧処理である。

ここでの第２パーティクル低減処理では，大気圧程度のガスを短時間に大量に処理室内に導入する処理も行う。これにより，圧力差によって最大で音速の衝撃波（Shock Wave）を発生させることができるので，この衝撃波によって載置台上や処理室内の側壁に付着するパーティクルを効率よく飛散させることができる。

図７に示すクリーニング処理では，これら第１パーティクル低減処理及び第２パーティクル低減処理を実行するに先立って，ステップＳ１００にて実行前チェックを行う。実行前チェックは処理室２００がパーティクル低減処理を正常に実行できる状態にあるかどうかをチェックするものである。

例えばウエハのプロセス処理が実行されている場合，処理室内にウエハが存在する場合又は処理室からウエハが搬出されている途中である場合，メンテナンスが実行されている場合などには，処理室２００がパーティクル低減処理を正常に実行できる状態ではない。ウエハの処理が実行されている場合としては，例えば処理ガスの導入中，ウエハの温度調整等のためのバックガスの導入中，ウエハを吸着保持する静電チャック２１４の制御中，高周波電源の制御中などが挙げられる。ウエハの搬出途中である場合としては，例えば処理室のゲートが開放中が挙げられる。メンテナンスが実行されている場合としては，例えば処理室の蓋の開放中が挙げられる。

このような場合には，処理室２００がパーティクル低減処理を正常に実行できる状態ではないので，これらの事項を事前にチェックして，処理室２００がパーティクル低減処理を正常に実行できる状態ではないと判断した場合は例えばパーティクル低減処理をエラー終了する。

ステップＳ１００にて処理室２００がパーティクル低減処理を正常に実行できる状態であると判断した場合はステップＳ２００にて第１パーティクル低減処理を実行するか否かを判断する。第１パーティクル低減処理を実行するか否かは，例えば図５に示す第１パーティクル低減処理の有無設定情報に基づいて各処理室ごとに判断する。

ステップＳ２００にて第１パーティクル低減処理を実行すると判断した場合は，ステップＳ３００にて第１パーティクル低減処理を実行し，続いてステップＳ４００にて第２パーティクル低減処理を実行する。これに対して，ステップＳ２００にて第１パーティクル低減処理を実行しないと判断した場合は，ステップＳ３００の第１パーティクル低減処理を行わずに，ステップＳ４００にて第２パーティクル低減処理を実行する。

ここで，第１パーティクル低減処理（ステップＳ３００）の具体例について図８を参照しながら説明する。第１パーティクル低減処理は，図８に示すように先ずステップＳ３１２にて本引き排気処理を行う。具体的には主ポンプ２８２によって処理室２００内を所定の高真空圧まで排気する。この場合，本引き排気処理が可能な所定の圧力まで達していない場合には，補助ポンプ２７２によって粗引き排気処理を実行し，本引き排気処理が可能な所定の圧力まで達してから，主ポンプ２８２によって本引き排気処理を行う。なお，例えば所定時間が経過しても所定の高真空圧に達しない場合はタイムアウトによりエラー終了する。次いで，ステップＳ３１４にて処理室２００内が所定の低圧力（例えばウエハにエッチングなどのプロセス処理を施す際の圧力）になるように例えば主排気系２８０の図示しない圧力調整バルブによる圧力制御を開始する。

次いで，ステップＳ３１６に処理室２００内に不活性ガス（例えばＮ_２ガス）を導入する。ここでは，不活性ガスを連通管２３４を介して処理ガス導入系２４０から導入する。具体的には例えば不活性ガス導入系２５０の下流側ガス導入バルブ２６８，２５８を閉じたまま，上流側ガス導入バルブ２５４，連通バルブ２３６を開放するとともに，処理ガス導入系２４０の上流側ガス導入バルブ２４４を閉じたまま，下流側ガス導入バルブ２４８，主バルブ２３２を開放する。これにより，不活性ガス供給源２５２からの不活性ガス（例えばＮ_２ガス）は，連通管２３４を介して処理ガス導入系２４０から処理室２００内へ導入される。

そして，ステップＳ３１８にて処理室２００内の圧力が安定したか否かを判断し，処理室２００内の圧力が安定したと判断すると，ステップＳ３２０にて印加電圧制御を行う。これにより，処理室２００内のパーティクルが飛散し易くなるため，パーティクルを効果的に除去することができる。ここでは，例えば図６（ａ）に示す印加電圧情報に設定された第１パーティクル低減処理についての正の印加電圧Ｐ_１，負の印加電圧Ｑ_１，印加電圧保持時間Ｔ_１繰返し回数Ｒ_１を取出し，これらに基づいて静電チャック２１４への印加電圧を制御する。例えば第１処理室２００Ａについての第１パーティクル低減処理では，静電チャック２１４に正の印加電圧Ｐ_１１を印加して印加電圧保持時間Ｔ_１１（例えば２秒）経過後にオフ（０）にし，次いで静電チャック２１４に負の印加電圧Ｑ_１１を印加して印加電圧保持時間Ｔ_１１（例えば２秒）経過後にオフ（０）にする極性変換制御の印加パターンを１サイクルとし，このサイクルを繰返し回数Ｒ_１１だけ繰返す。

このような印加電圧の制御が終了すると，ステップＳ３２２にて処理室内圧力制御を停止する。例えば主排気系２８０の図示しない圧力調整バルブを全開にする。次に，ステップＳ３２４にて不活性ガス導入系２５０の上流側ガス導入バルブ２５４を閉じて不活性ガスの導入を停止する。このとき，連通バルブ２３６，処理ガス導入系２４０の下流側ガス導入バルブ２４８，主バルブ２３２は開放したままにしておく。この状態で，ステップＳ３２６にて真空引き処理を行うことにより，処理ガス導入系２４０及び連通管２３４内の残留ガスを排気する。

次いで，ステップＳ３２８にて再び本引き排気処理を行う。具体的には主ポンプ２８２によって処理室２００内を所定の高真空圧に到達するまで排気する。そして，例えば所定時間内に所定の高真空圧に到達すると，例えば主排気系２８０の図示しない圧力調整バルブを閉じて本引き排気処理を停止する。なお，所定時間が経過しても所定の高真空圧に達しない場合はタイムアウトによりエラー終了する。こうして，一連の第１パーティクル低減処理を終了する。なお，この第１パーティクル低減処理は，所定回数繰返し実行するようにしてもよい。

次に，第２パーティクル低減処理（ステップＳ４００）の処理の具体例について図９を参照しながら説明する。第２パーティクル低減処理は，図９に示すように先ずステップＳ４１２にて粗引き排気処理を開始する。具体的には補助ポンプ２７２を駆動して補助排気系２９０を介して処理室２００内を排気する。なお，第２パーティクル低減処理を実行するに当って真空圧力計を保護するために，第２パーティクル低減処理の最初に真空圧力計の保護バルブを閉じておくことが好ましい。

続いて，ステップＳ４１４にて大気開放系である不活性ガス導入系２５０により不活性ガスを処理室２００内に導入する。ここでは，低流量導入系２６５及び大流量導入系２５５の両方を利用して不活性ガスを導入する。具体的には例えば上流側ガス導入バルブ２５４を開放するとともに，下流側ガス導入バルブ２６８，２５８，主バルブ２３２を開放して不活性ガスを導入する。そして，ステップＳ４１６にて所定時間（例えば５秒）の経過待ちとなる。所定時間が経過すると，ステップＳ４１８にて大流量導入系２５５の下流側ガス導入バルブ２５８を閉じて低流量導入系２６５からのみ不活性ガスを導入する。

次いで，ステップＳ４２０にて印加電圧制御を行う。ここでは，例えば図６（ｂ）に示す印加電圧情報に設定された第２パーティクル低減処理についての正の印加電圧Ｐ_２，負の印加電圧Ｑ_２，印加電圧保持時間Ｔ_２，繰返し回数Ｒ_２を取出し，これらに基づいて静電チャック２１４への印加電圧を制御する。例えば第１処理室２００Ａについての第２パーティクル低減処理では，静電チャック２１４に正の印加電圧Ｐ_２１を印加して，印加電圧保持時間Ｔ_２１（例えば２秒）経過後にオフ（０）にし，次いで静電チャック２１４に負の印加電圧Ｑ_２１を印加して，印加電圧保持時間Ｔ_２１（例えば２秒）経過後にオフ（０）にする極性変換制御の印加パターンを１サイクルとし，このサイクルを繰返し回数Ｒ_２１だけ繰返す。

次に，ステップＳ４２２にて不活性ガスの導入を停止して，ステップＳ４２４にて粗引き排気処理を終了する。具体的には先ず粗引き排気処理を実行したまま，主バルブ２３２は開放した状態で，不活性ガス導入系２５０の上流側ガス導入バルブ２５４及び下流側ガス導入バルブ２５８を閉じて不活性ガスの導入を停止し，所定時間経過を待つ。これにより，残留するパーティクルを除去することができる。そして，所定時間経過すると，補助ポンプ２７２を停止して粗引き排気処理を終了する。

以降の処理（ステップＳ４２６〜Ｓ４３４）で，処理室内を所定の真空圧力にする。先ずステップＳ４２６にて再び粗引き排気処理を開始し，ステップＳ４２８にて本引き処理が可能な所定圧力になったか否かを判断する。これは，上記ステップＳ４２４にて粗引き排気処理を終了した時点では，処理室内が未だ本引き処理が可能な所定圧力になっていないので，所定圧力になるまで再び粗引き排気処理を実行するためである。

そして，ステップＳ４２８にて処理室内が所定圧力になったと判断した場合はステップＳ４３０にて粗引き排気処理を停止し，ステップＳ４３２にて本引き排気処理を実行する。すなわち，主ポンプ２８２を駆動して処理室内の真空引きを行う。この場合，主バルブ２３２は開放した状態で処理室内の真空引きを行うことにより，処理ガス導入系２４０についても同時に真空引きを行う。そして，所定の真空圧力状態になると，主バルブ２３２を閉じて本引き排気処理を停止し，一連の第２パーティクル低減処理を終了する。なお，この第２パーティクル低減処理は所定回数繰返し実行するようにしてもよい。

このような本実施形態にかかるクリーニング処理によれば，第１パーティクル低減処理と第２パーティクル低減処理とで異なる印加電圧を設定することができ，また処理室２００Ａ〜２００Ｄごとに印加電圧を変えて設定することもできる。これにより，各処理室２００Ａ〜２００Ｄでクリーニング処理を実行する際の異常放電を防止しつつ，各処理室に応じた印加電圧を設定することができる。

また，第１パーティクル低減処理のみで異常放電が生じる場合には，第１パーティクル低減処理を実行しないように設定することもできる。これによっても，クリーニング処理を実行する際の異常放電を防止することができる。

また，低圧力雰囲気中で実行される第１パーティクル低減処理と高圧力雰囲気中で実行される第２パーティクル低減処理との２段階の処理を実行する場合には，処理室２００内のパーティクル等をより効率よく除去することができる。さらに，本実施形態にかかる第２パーティクル低減処理によれば，所定時間（例えば５秒）に，すなわち一時的に大流量の不活性ガス（例えばＮ_２ガス）が処理室２００に導入されることによってガス衝撃波が発生するので，処理室２００の内壁や載置台上などに付着したパーティクルを効率よく剥離させることができる。

なお，上記第２パーティクル低減処理では，ステップＳ４２４（粗引き排気処理停止）を省略するようにしてもよい。その場合には例えば図１０に示すように，ステップＳ４２２にて不活性ガス導入を停止した後は粗引き排気処理を停止せずに続行したまま，ステップＳ４４０にて本引き排気処理が可能な所定圧力になったか否かを判断し，所定圧力になったと判断した場合にステップＳ４４２にて粗引き排気処理を停止して，ステップＳ４４４にて本引き排気処理を実行するようにしてもよい。これにより，粗引き排気処理の停止や開始を必要なときにだけ行うことによって，粗引き排気処理を繰返すことなく処理室内を所定の真空圧力にすることができるので，その分だけ第２パーティクル低減処理の実行時間を短縮することができる。特に，第２パーティクル低減処理を複数回繰返す場合には，上記実行時間の短縮効果も大きくなる。

また，図９におけるステップＳ４３２又は図１０におけるステップＳ４４４の本引き排気処理では，処理室内の本引き排気処理だけを実行することにより，本引き排気処理の時間を短縮することができる。このようにすることができるのは，第２パーティクル低減処理では，不活性ガス導入系まで本引き排気処理を行う必要性も少なく，さらに第１パーティクル低減処理におけるステップＳ３２６にて不活性ガス導入系まで真空引きする場合には，第２パーティクル低減処理で再度本引き排気処理を行う必要がないからである。

また，上記実施形態では，不活性ガス導入系２５０を低流量導入系２６５及び大流量導入系２５５の２系統で構成し，第２パーティクル低減処理において最初の短時間だけ大流量で不活性ガスを導入することによるガス衝撃波を発生させる場合について説明したが，必ずしもガス衝撃波を利用しなくてもよい。すなわち，第２パーティクル低減処理において一定流量で不活性ガスを導入するようにしてもよい。この場合には，不活性ガス導入系２５０を１系統で構成してもよい。処理室の構成によっては，ガス衝撃波が発生するほどの大流量を導入できないものもあるので，そのような場合にはガス衝撃波を発生させることなく，静電チャックへの印加電圧制御を最適にすることによってパーティクルを効率的に飛散させることが好ましい。

ところで，上記クリーニング処理は，例えばメンテナンス処理のときに実行するようにしてもよい。また，クリーニング処理は，自動検査処理（オートチェック処理）により所定時間ごと又はウエハの所定処理枚数ごとに実行するようにしてもよい。この場合には，第１パーティクル低減処理の本引き排気処理（ステップＳ３１２）を実行する前に，不活性ガス（例えばＮ_２ガス）によるパージ処理を停止して，例えば表示手段３４０にパーティクル低減処理実行中などの表示を行うとともに，第２パーティクル低減処理の本引き排気処理（図９に示すステップＳ４３２又は図１０に示すステップＳ４４４）の実行後に表示手段３４０にパーティクル低減処理実行中などの表示を消して，不活性ガス（例えばＮ_２ガス）によるパージ処理を再開するようにしてもよい。

例えば自動検査処理（オートチェック処理）で所定時間ごと又はウエハの所定処理枚数ごとに上記クリーニング処理を実行するように設定した場合には，例えば１ロット２５枚ずつウエハ処理を実行するバッチ処理の途中でクリーニング処理に移行する場合も考えられる。このような場合には，不活性ガス（例えばＮ_２ガス）によるパージ処理の実行中にクリーニング処理に移行する場合も考えられるので，不活性ガスによるパージ処理を停止してから，クリーニング処理に移行させる必要がある。これに対してメンテナンス処理の場合には，メンテナンス処理に移行されるのに先立って，パージ処理は完了しているはずなので，不活性ガスによるパージ処理を停止して再開する処理は必要がない。

なお，上記実施形態では，第１パーティクル低減処理と第２パーティクル低減処理とで載置台への印加電圧の設定を変えることができるようにした場合について説明したが，圧力の設定を変えることができるようにしてもよい。上述したパッシェンの法則によれば圧力を変えることにより，異常放電の発生を防止でき，さらに放電が発生しない印加電圧の範囲を広くすることができる。

具体的には図３に示すような放電開始電圧のグラフによれば，放電開始電圧Ｖｓの極小値を超える前では圧力が低い方が放電し難く，放電開始電圧Ｖｓの極小値を超えた後では圧力が高い方が放電し難い。これによれば，圧力は，放電開始電圧Ｖｓの極小値を超えない範囲では低い方に変更し，放電開始電圧Ｖｓの極小値を超える範囲では高い方に変更することにより，異常放電の発生を防止することができ，さらに放電が発生しない印加電圧の範囲を広くすることができる。

また，上記実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し，そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成されることは言うまでもない。

この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭ，或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。

なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。

さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば，上記実施形態では，本発明にかかるクリーニング処理を処理室に対して実行する場合について説明したが，ロードロック室に対して実行するようにしてもよい。この場合には，クリーニング処理を複数回繰返し実行するようにしてもよい。

また，上記実施形態では，プラズマエッチング装置の処理室内をクリーニングする場合を例に挙げて説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，例えば成膜装置などあらゆる基板処理装置の処理室内のクリーニングに適用できる。

さらに，上記実施形態では，クリーニング処理において電圧印加制御を行う処理室内の部材としては，被処理基板を載置する載置台を例に挙げて説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，処理室内のどのような部材に対して電圧印加制御を行うようにしてもよい。例えばフォーカスリングなどの載置台に付属する部品に電圧印加制御を行うようにしてもよい。

本発明は，基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラム，プログラムを記録した記録媒体に適用可能である。

本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す断面図である。 図１に示す処理室の構成例を説明する図である。 静電チャックへの印加電圧と放電との関係を説明する図である。 同実施形態にかかる制御部の構成を示すブロック図である。 第１パーティクル低減処理の有無設定情報のデータテーブルの具体例を示す図である。 印加電圧情報のデータテーブルの具体例であって，同図（ａ）は第１パーティクル低減処理についてのものであり，同図（ｂ）は第２パーティクル低減処理についてのものである。 本実施形態におけるクリーニング処理の具体例を示すフローチャートである。 図７に示す第１パーティクル低減処理の具体例を示すフローチャートである。 図７に示す第２パーティクル低減処理の具体例を示すフローチャートである。 図７に示す第２パーティクル低減処理の変形例を示すフローチャートである。

符号の説明

１００ 基板処理装置
１１０ 処理ユニット
１２０ 搬送ユニット
１３０ 搬送室
１３１(１３１Ａ〜１３１Ｃ) カセット台
１３２(１３２Ａ〜１３２Ｃ) カセット容器
１３６ オリエンタ
１５０ 共通搬送室
１６０（１６０Ｍ，１６０Ｎ） ロードロック室
１７０ 搬送ユニット側搬送機構
１８０ 処理ユニット側搬送機構
２００（２００Ａ〜２００Ｄ） 各処理室
２０２ 圧力センサ
２１０ 載置台
２１１ 下部電極
２１２ 高周波電源
２１３ 整合器
２１４ 静電チャック
２１５ 直流電源
２１６ 可変抵抗
２１７ スイッチ
２１８ フォーカスリング
２２０ 上部電極
２２２ 高周波電源
２２４ 整合器
２３０ ガス導入系
２３２ 主バルブ
２３４ 連通管
２３６ 連通バルブ
２４０ 処理ガス導入系
２４２ 処理ガス供給源
２４４ 上流側ガス導入バルブ
２４６ 流量調整器
２４８ 下流側ガス導入バルブ
２５０ 不活性ガス導入系
２５２ 不活性ガス供給源
２５４ 上流側ガス導入バルブ
２５５ 大流量導入系
２５８ 下流側ガス導入バルブ
２６５ 低流量導入系
２６６ 絞り弁
２６８ 下流側ガス導入バルブ
２７０ 排気系
２７２ 補助ポンプ
２８０ 主排気系
２８２ 主ポンプ
２９０ 補助排気系
２９２ 切換バルブ
３００ 制御部
３１０ ＣＰＵ
３２０ ＲＯＭ
３３０ ＲＡＭ
３４０ 表示手段
３５０ 入出力手段
３６０ 報知手段
３７０ 各種コントローラ
３８０ プログラムデータ記憶手段
３８２ クリーニング処理プログラム
３９０ 設定情報記憶手段
３９２ クリーニング処理設定情報
Ｗ ウエハ

Claims (10)

1. 被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え，前記被処理基板を搬出した後に前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング方法であって，
   前記処理室内を所定の真空圧力による低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記被処理基板を載置台に静電保持する静電保持手段に対して設定情報記憶手段に設定された第１処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第１処理工程と，
   前記処理室内を前記第１処理工程よりも高い圧力による高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記静電保持手段に対して前記設定情報記憶手段に設定された第２処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第２処理工程とによって前記処理室内のクリーニングを行い，
   前記設定情報記憶手段に設定された前記第１処理用印加電圧は，前記処理室において前記静電保持手段に印加する印加電圧と放電との関係を示す放電開始電圧曲線に基づいて前記第１処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであり，
   前記設定情報記憶手段に設定された前記第２処理用印加電圧は，前記放電開始電圧曲線に基づいて前記第２処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
2. 前記設定情報記憶手段に設定された前記第１処理用印加電圧は，前記第２処理用印加電圧よりも低い電圧に設定されたものであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
3. 前記設定情報記憶手段には，前記第１処理工程の圧力及び前記第２処理工程の圧力が設定され，
   前記設定情報記憶手段に設定された前記第１処理工程の圧力又は前記第２処理工程の圧力を変更する際には，それらの圧力が，前記放電開始電圧曲線の極小値を超えない範囲ではより低い方に変更し，前記放電開始電圧曲線の極小値を超える範囲ではより高い方に変更することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
4. 前記設定情報記憶手段に設定された前記第１処理用印加電圧及び前記第２処理用印加電圧は，電圧変動制御を行うための電圧を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置のクリーニング方法。
5. 前記排気系は，前記処理室内を粗引き排気により減圧するための補助ポンプと，前記処理室内を排気して所定の圧力よりもさらに減圧させるための主ポンプとを備え，
   前記第１処理工程は，前記ガス導入系による所定ガスの導入と前記主ポンプによる排気を行いながら前記静電保持手段への電圧印加制御を行い，前記電圧印加制御を終了すると，前記ガス導入系による所定ガスの導入を停止し，少なくとも前記処理室を前記主ポンプにより所定の真空圧力まで減圧し，
   前記第２処理工程は，前記ガス導入系による所定ガスの導入と前記補助ポンプによる排気を行いながら前記静電保持手段への電圧印加制御を行い，前記電圧印加制御を終了すると，前記ガス導入系による所定ガスの導入を停止し，前記補助ポンプによる排気を続行して前記処理室内が前記所定の圧力に達すると，少なくとも前記処理室を前記主ポンプにより所定の真空圧力まで減圧することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置のクリーニング方法。
6. 前記第１処理工程は，前記静電保持手段への電圧印加制御終了後は，前記主ポンプにより前記処理室と前記ガス導入系の両方を排気して前記所定の真空圧力まで減圧し，
   前記第２処理工程は，前記静電保持手段への電圧印加制御終了後は，前記主ポンプと前記補助ポンプにより前記処理室のみを排気して前記所定の真空圧力まで減圧することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
7. 前記処理室を複数備え，
   前記第１処理用印加電圧と前記第２処理用印加電圧は，前記各処理室ごとに前記設定情報記憶手段に設定されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置のクリーニング方法。
8. 被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え，前記被処理基板を搬出した後に前記処理室内をクリーニングする基板処理装置であって，
   前記載置台の電圧印加制御に用いる第１処理用印加電圧と第２処理用印加電圧とを設定する設定情報記憶手段と，
   前記処理室内を所定の真空圧力による低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記被処理基板を載置台に静電保持する静電保持手段に対して設定情報記憶手段に設定された第１処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第１処理工程と，前記処理室内を前記第１処理よりも高い圧力による高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記静電保持手段に対して前記設定情報記憶手段に設定された第２処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第２処理工程とによって前記処理室内のクリーニングを行う制御部と，
   前記設定情報記憶手段に設定された前記第１処理用印加電圧は，前記処理室において前記静電保持手段に印加する印加電圧と放電との関係を示す放電開始電圧曲線に基づいて前記第１処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであり，
   前記設定情報記憶手段に設定された前記第２処理用印加電圧は，前記放電開始電圧曲線に基づいて前記第２処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであることを特徴とする基板処理装置。
9. 被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え，前記被処理基板を搬出した後に前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって，
   前記クリーニング方法は，
   前記処理室内を所定の真空圧力による低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記被処理基板を載置台に静電保持する静電保持手段に対して設定情報記憶手段に設定された第１処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第１処理工程と，
   前記処理室内を前記第１処理工程よりも高い圧力による高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記静電保持手段に対して前記設定情報記憶手段に設定された第２処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第２処理工程とによって前記処理室内のクリーニングを行い，
   前記設定情報記憶手段に設定された前記第１処理用印加電圧は，前記処理室において前記静電保持手段に印加する印加電圧と放電との関係を示す放電開始電圧曲線に基づいて前記第１処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであり，
   前記設定情報記憶手段に設定された前記第２処理用印加電圧は，前記放電開始電圧曲線に基づいて前記第２処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであることを特徴とするプログラム。
10. 被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え，前記被処理基板を搬出した後に前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって，
    前記クリーニング方法は，
    前記処理室内を所定の真空圧力による低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記被処理基板を載置台に静電保持する静電保持手段に対して設定情報記憶手段に設定された第１処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第１処理工程と，
    前記処理室内を前記第１処理工程よりも高い圧力による高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら，前記静電保持手段に対して前記設定情報記憶手段に設定された第２処理用印加電圧による電圧印加制御を行う第２処理工程とによって前記処理室内のクリーニングを行い，
    前記設定情報記憶手段に設定された前記第１処理用印加電圧は，前記処理室において前記静電保持手段に印加する印加電圧と放電との関係を示す放電開始電圧曲線に基づいて前記第１処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであり，
    前記設定情報記憶手段に設定された前記第２処理用印加電圧は，前記放電開始電圧曲線に基づいて前記第２処理工程の圧力によって求められる放電開始電圧よりも低い電圧に設定されたものであることを特徴とする記録媒体。
    

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