JP2007165648A - 基板処理装置のクリーニング方法,基板処理装置,プログラム,プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる基板処理装置は,複数の処理室を備え,ある処理室200をクリーニングする場合には,先ずその処理室内を低圧力雰囲気にして不活性ガスの導入と排気を行いながら,その処理室の第1処理用印加電圧情報に基づいて静電チャック214に対する電圧印加制御を行う第1処理を実行した後,その処理室内を高圧力雰囲気にして不活性ガスの導入と排気を行いながら,その処理室の第2処理用印加電圧情報に基づいて静電チャックに対する電圧印加制御を行う第2処理を実行する。これにより,処理室内のクリーニング処理を処理室の構成に応じて適切な印加電圧で行うことが可能となる。
【選択図】図2
Description
先ず,本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置100は,被処理基板例えば半導体ウエハ(以下,単に「ウエハ」ともいう。)Wに対して成膜処理,エッチング処理等の各種の処理を行う処理ユニット110と,この処理ユニット110に対してウエハWを搬出入させる搬送ユニット120とを備える。
ここで,各処理室200A〜200Dの構成例について図面を参照しながら説明する。図2は各処理室200A〜200Dの構成例を示すブロック図である。ここでは,各処理室200A〜200Dの構成は同様とし,各処理室200A〜200Dの構成要素を示す符号からA〜Dを省略して代表的に説明する。従って,例えば処理室200という場合は各処理室200A〜200Dを示す。
このような構成の処理室200でウエハWの処理を行う際には,先ずその処理室200のゲートバルブを閉じた状態で真空引き処理を行って処理室200内を設定圧力まで減圧する。真空引き処理は,例えば所定圧力まで減圧する粗引き排気処理と,所定圧力からさらに高真空の設定圧力まで減圧する本引き排気処理とにより行われる。
次に,このような本実施形態にかかるクリーニング処理を行う制御部について説明する。このようなクリーニング処理は例えば基板処理装置100を制御する制御部300によって行われるので,以下,制御部300の具体的構成例を図4を参照しながら説明する。
次に,本実施形態にかかる処理室内のクリーニング処理の具体例について説明する。ここでのクリーニング処理としては,上述したような2段階のパーティクル低減処理を実行する。このようなクリーニング処理は,制御部300によって読み出されるクリーニング処理プログラムにより,クリーニング処理設定情報に基づいて実行される。
110 処理ユニット
120 搬送ユニット
130 搬送室
131(131A〜131C) カセット台
132(132A〜132C) カセット容器
136 オリエンタ
150 共通搬送室
160(160M,160N) ロードロック室
170 搬送ユニット側搬送機構
180 処理ユニット側搬送機構
200(200A〜200D) 各処理室
202 圧力センサ
210 載置台
211 下部電極
212 高周波電源
213 整合器
214 静電チャック
215 直流電源
216 可変抵抗
217 スイッチ
218 フォーカスリング
220 上部電極
222 高周波電源
224 整合器
230 ガス導入系
232 主バルブ
234 連通管
236 連通バルブ
240 処理ガス導入系
242 処理ガス供給源
244 上流側ガス導入バルブ
246 流量調整器
248 下流側ガス導入バルブ
250 不活性ガス導入系
252 不活性ガス供給源
254 上流側ガス導入バルブ
255 大流量導入系
258 下流側ガス導入バルブ
265 低流量導入系
266 絞り弁
268 下流側ガス導入バルブ
270 排気系
272 補助ポンプ
280 主排気系
282 主ポンプ
290 補助排気系
292 切換バルブ
300 制御部
310 CPU
320 ROM
330 RAM
340 表示手段
350 入出力手段
360 報知手段
370 各種コントローラ
380 プログラムデータ記憶手段
382 クリーニング処理プログラム
390 設定情報記憶手段
392 クリーニング処理設定情報
W ウエハ
Claims (14)
- 被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え,前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング方法であって,
前記処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら,設定情報記憶手段に設定記憶された第1処理用印加電圧情報に基づいて前記処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第1処理工程と,
前記処理室内を前記第1処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら,前記設定情報記憶手段に設定記憶された第2処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第2処理工程と,
を有することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。 - 前記第1処理用印加電圧情報及び前記第2処理用印加電圧情報は,前記部材に印加する電圧を変動させる制御を行うために必要な電圧情報を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
- 前記第1処理工程の前に,前記設定情報記憶手段に記憶された第1処理有無設定情報に基づいて前記第1処理工程を実行するか否かを判断する工程を有し,
前記第1処理工程を実行すると判断した場合は前記第1処理工程を実行した上で前記第2処理工程を実行し,前記第1処理工程を実行しないと判断した場合は前記第1処理工程を実行せずに前記第2処理工程のみを実行することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 前記部材は,前記被処理基板を載置台上に保持する静電保持手段であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
- 前記排気系は,前記処理室内を粗引き排気により減圧するための補助ポンプと,前記処理室内を排気して所定の圧力よりもさらに減圧させるための主ポンプとを備え,
前記第1処理工程は,前記ガス導入系による所定ガスの導入と前記主ポンプによる排気を行いながら前記部材への電圧印加制御を行い,前記電圧印加制御を終了すると,前記ガス導入系による所定ガスの導入を停止し,少なくとも前記処理室を前記主ポンプにより所定の真空圧力まで減圧し,
前記第2処理工程は,前記ガス導入系による所定ガスの導入と前記補助ポンプによる排気を行いながら前記部材への電圧印加制御を行い,前記電圧印加制御を終了すると,前記ガス導入系による所定ガスの導入を停止し,前記補助ポンプによる排気を続行して前記処理室内が前記所定の圧力に達すると,少なくとも前記処理室を前記主ポンプにより所定の真空圧力まで減圧することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 前記第1処理工程は,前記部材への電圧印加制御終了後は,前記主ポンプにより前記処理室と前記ガス導入系の両方を排気して所定の真空圧力まで減圧し,
前記第2処理工程は,前記部材への電圧印加制御終了後は,前記主ポンプと前記補助ポンプにより前記処理室のみを排気して所定の真空圧力まで減圧することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理室を備え,前記各処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング方法であって,
前記各処理室ごとに設定された第1処理用印加電圧情報と,前記各処理室ごとに設定された第2処理用印加電圧情報とを記憶する設定情報記憶手段を備え,
前記複数の処理室のうち,クリーニングする処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と排気系による当該処理室内の排気を行いながら,前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第1処理用印加電圧情報に基づいて当該処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第1処理工程と,
当該処理室内を前記第1処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による当該処理室内の排気を行いながら,前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第2処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第2処理工程と,
を有することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。 - 前記設定情報記憶手段は,さらに前記各処理室ごとに設定された第1処理有無設定情報を記憶し,
前記第1処理工程の前に,前記設定情報記憶手段から取得した第1処理有無設定情報に基づいて前記第1処理工程を実行するか否かを判断する工程を有し,
前記第1処理工程を実行すると判断した場合は前記第1処理工程を実行した上で前記第2処理工程を実行し,前記第1処理工程を実行しないと判断した場合は前記第1処理工程を実行せずに前記第2処理工程のみを実行することを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理室を備え,前記各処理室内をクリーニングする基板処理装置であって,
前記各処理室ごとに設定された第1処理用印加電圧情報と,前記各処理室ごとに設定された第2処理用印加電圧情報とを記憶する設定情報記憶手段と,
前記複数の処理室のうち,クリーニングする処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と排気系による当該処理室内の排気を行いながら,前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第1処理用印加電圧情報に基づいて当該処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第1処理と,
当該処理室内を前記第1処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による当該処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による当該処理室内の排気を行いながら,前記設定情報記憶手段から取得した当該処理室の第2処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第2処理とを行う制御部と,
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は,前記第1処理の前に,前記設定情報記憶手段に前記各処理室ごとに記憶された第1処理有無設定情報に基づいて前記第1処理を実行するか否かを判断し,前記第1処理を実行すると判断した場合は前記第1処理を実行した上で前記第2処理を実行し,前記第1処理を実行しないと判断した場合は前記第1処理を実行せずに前記第2処理のみを実行することを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え,前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング処理を行うためのプログラムであって,
コンピュータに,
前記処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら,設定情報記憶手段に設定記憶された第1処理用印加電圧情報に基づいて前記処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第1処理ステップと,
前記処理室内を前記第1処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら,前記設定情報記憶手段に設定記憶された第2処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第2処理ステップと,
を実行させるためのプログラム。 - 前記第1処理ステップの前に,前記設定情報記憶手段に記憶された第1処理有無設定情報に基づいて前記第1処理ステップを実行するか否かを判断するステップを有し,
前記第1処理ステップを実行すると判断した場合は前記第1処理ステップを実行した上で前記第2処理ステップを実行し,前記第1処理ステップを実行しないと判断した場合は前記第1処理ステップを実行せずに前記第2処理ステップのみを実行することを特徴とする請求項11に記載のプログラム。 - 被処理基板に対して所定の処理を施す処理室を備え,前記処理室内をクリーニングする基板処理装置のクリーニング処理を行うためのプログラムを記録する記録媒体であって,
前記コンピュータに,
前記処理室内を低圧力雰囲気にしてガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と排気系による前記処理室内の排気を行いながら,設定情報記憶手段に設定記憶された第1処理用印加電圧情報に基づいて前記処理室内の部材に対する電圧印加制御を行う第1処理ステップと,
前記処理室内を前記第1処理における圧力よりも高い高圧力雰囲気にして前記ガス導入系による前記処理室内への所定ガスの導入と前記排気系による前記処理室内の排気を行いながら,前記設定情報記憶手段に設定記憶された第2処理用印加電圧情報に基づいて前記部材に対する電圧印加制御を行う第2処理ステップと,
を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - 前記第1処理ステップの前に,前記設定情報記憶手段に記憶された第1処理有無設定情報に基づいて前記第1処理ステップを実行するか否かを判断するステップを有し,
前記第1処理ステップを実行すると判断した場合は前記第1処理ステップを実行した上で前記第2処理ステップを実行し,前記第1処理ステップを実行しないと判断した場合は前記第1処理ステップを実行せずに前記第2処理ステップのみを実行することを特徴とするプログラムを記録した請求項13に記載の記録媒体。
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