JP2005101539A - 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 109
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 54
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 243
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 37
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 29
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims description 12
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001089 thermophoresis Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 67
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 14
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 14
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 11
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- -1 or the like Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N succinonitrile Chemical compound N#CCCC#N IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
【解決手段】 減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、(1)部材に電圧を印加してマクスウェルの応力を利用して微粒子を飛散させる手段、(2)微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、(3)減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、(3)部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は(4)部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。
【選択図】 図13
Description
本発明の第9の態様では、部材を加熱して高温に保持した状態で、減圧処理室を所定の圧力に保ってガスを導入し、部材にガス衝撃波を到達させるステップと、部材に高電圧を印加するステップとを同時にあるいは連続して行うようにした。
本発明の第13の態様では、部材上空を通過するように前記減圧処理室に入射光を入射するための光源と、前記入射光と所定の角度をもって配置され、前記微粒子による散乱光を検出するための光検出器とを備える散乱微粒子検出装置が提供される。
本発明の発明者らは、微粒子とステージとの間に働く吸着力を分析し、吸着力に打ち勝って、微粒子をステージから剥離させ飛散させる手段について検討し、(1)マクスウェルの応力、(2)ガス衝撃波による力、(3)熱応力及び熱泳動力、又はこれらの組合わせを用いることが効果的であることを見出した。すなわち、これらの力をステージ又は微粒子に与えると、微粒子がステージから効果的に剥離飛散する実験結果を得たものである。ここで、飛散微粒子を確認するためには、レーザ光散乱法を利用した。
本発明者らは、静電吸着ステージに電圧を印加すると、ステージ表面にあった微粒子が飛散するという独自の実験結果を得て、これがマクスウェルの応力に起因することを発見した。
したがって、第1項及び第2項が示す力を利用できる。
ステージにガスを吹き付ける実験を行った結果、単にガスを吹き付けるだけでは微粒子を効果的に飛散させることができないが、ある条件の下では効果的に微粒子を飛散させることができた。これは、例えば圧力1.3×10−2Pa(1×10−4Torr)以下の雰囲気で一度に大量のガスを導入することによって、効果的に微粒子を飛散させることができたもので、解析の結果、大きな圧力差をもって一度に大量にガスを導入することによって、圧力差による衝撃波が生じ、これがステージ表面に到達したときに、効果的に微粒子を飛散させることができることがわかった。
したがって、ガス衝撃波による力も、ステージ上の微粒子の飛散除去手段として有効に利用することができる。
ステージの温度を制御する手段を用いて、ステージを通常の使用温度から十分に大きく又は小さくすることによって、熱応力による微粒子の剥離を誘発することが可能である。また、ステージを高温に維持し、所定の圧力を保つことで、発生する熱泳動力によって微粒子をステージから飛散させることができた。このように、ステージを清浄化するために、熱応力又は熱泳動力を利用することができる。
さらに、これらの実験において、レーザ光散乱法を用いたin situ 微粒子計測を行った。この装置は、ステージの清浄度モニタ等にも使用できることがわかった。
ここでは、一例としてプラズマエッチング装置に関して説明するが、本発明はこれに限定するものではなく、成膜装置など基板を載置するステージを有するあらゆる装置に適用できる。また、ステージは半導体基板を載置するステージに限らず、液晶表示装置の基板等任意の基板を対象にするものでよい。さらに、清浄化の対象であるステージは、単なる一例であって、本発明は、減圧処理室内のどのような部材を清浄化の対象とすることができることはいうまでもない。
本例は、ステージ表面の誘電率と微粒子の誘電率に大きい差がある場合に、マクスウェルの応力の式の第2項を利用し、ステージ表面上に所定の電界を生成して、発生する斥力によって微粒子を飛散させるものである。
図4及び図5に示すように、飛散微粒子は、レーザ光の散乱を利用することによって検出することができる。図4は、CF系ポリマが堆積したベアシリコンに+2500Vを印加した時に飛散した微粒子を撮影したものである。ステージ表面から多数の微粒子が飛散していることを示す。撮影は、図5に示すように、レーザ光をステージ上3〜4mm程度で平板上の光束として照射し、その側面からCCDカメラで画像として撮影したものである。
このように、基板の処理前であって基板がステージ上にないときにこの方法を適用することにより、基板裏面への微粒子の付着を防ぐことができる。
実施形態1で示したようなステージ表面と微粒子との誘電率の違いを利用する場合、この効果を上げるために、付着が予想される微粒子の誘電率に比べて、十分に大きな誘電率をもつ材料でステージ表面を被覆するようにできる。一般的にシリコンの微粒子が付着してステージ表面を汚染するような場合、シリコンの誘電率は11程度であるので、下記に示す誘電率が11より十分大きな材料で、ステージ表面を被覆すれば、より大きい効果を得ることができる。
実施形態1では、微粒子に働く力は電圧印加の間常に働いているが、図3に示したように、電圧が変化する(特に電圧を印加した)タイミングでの微粒子の飛散が非常に多い。これを利用するためには、印加電圧を矩形波として連続的にステージに印加するようにしてもよい。このようにすれば電圧印加時及び停止時に効率よく微粒子を飛散させることができる。微粒子の飛散を促進するのは電圧の変化であるので、矩形波に限らず、パルス波、サイン波など、波の形状は任意でよい。
また、交流電源による交流を用いても同様の効果を得ることができる。交流の周波数は高いほうが、効果は大きくなる。
本例は、クーロン力を利用して微粒子を飛散させるものである。ステージと微粒子の誘電率がほぼ等しい(近接している)場合には、マクスウェルの応力の第2項の力を利用することはできず、第1項によるクーロン力を利用することになる。すなわち、ステージ上の微粒子を意図的に帯電させて、微粒子の帯電と同極性の電圧をステージに印加して、静電的な反発力を利用して飛散させる。ステージ上の微粒子を帯電させるためには、ステージに基板が載置されていない状態で、上空にプラズマを生成する。生成したプラズマの荷電粒子がステージ上に到達し微粒子を帯電させる。この場合プラズマ生成に用いるガスは、アルゴン、ヘリウム、酸素、窒素など適宜用いることができるが、本質的にステージの材質を腐食しない材料でなくてはならず、また、物理スパッタによってステージ表面をエッチングすることのないように制御パラメータ(パワー、圧力、流量など)を選択する必要がある。
実施形態4では、プラズマを用いてステージに付着した微粒子を負に帯電させたが、微粒子を帯電させる方法は、これに限らない。たとえば、紫外光・真空紫外光照射により光電子を放出させることで正帯電させる方法や、イオン照射により正又は負に帯電させる方法、X線・軟X線照射により電子放出させて正帯電させる方法など、その方法は任意である。
このような方法で微粒子を帯電させ、この帯電と同極性の電圧をステージに印加することにより、微粒子を効果的に飛散させることができる。
本発明者らの実験によると、1.3×10−2Pa(1×10−4Torr)程度以下の圧力に保った減圧室に大気圧程度のガスを短時間に大量にガスを導入することで、圧力差によって最大で音速の衝撃波を発生させ、この衝撃をステージ上の微粒子に到達させることで、効率よく微粒子を飛散させることができた。なお、ガス導入中は常に排気ポンプを用いて排気している。
図7は、減圧処理室の圧力6.7×10−2Pa(5.0×10−Torr)における微粒子の飛散を示す。図8は、1.3×102Pa(1.0×10−0Torr)における微粒子の散乱を示す。これらは、N2ガス導入から3秒間のレーザ光の散乱画像を取得したものである。
本例は、熱応力や熱泳動力を利用するもので、ステージの温度を制御する手段を用いて、ステージを通常の使用温度から十分に大きく又は小さくすることによって、熱応力による微粒子の剥離を誘発することができる。また、ステージを高温に維持し、所定の圧力を保つことで、発生する熱泳動力によって微粒子をステージから遠ざけることができる。
本例では、上部電極であるシャワーヘッドに窒素ガスを導入して、温度勾配を増加させたが、他の手段を用いてもよいことは明らかである。
ステージ表面に超音波振動を与えることによって、微粒子の飛散を促すことができる。すなわち、超音波振動によって微粒子の基板に対する付着力を弱めることができる。したがって、実施形態1〜7のものに加えて、超音波振動を与えることによって、さらに効果的に微粒子を飛散させることができる。超音波振動を与える方法は、ステージと硬質の個体で接している部分に圧電素子を接続して電圧を加える方法をはじめ、適宜の方法を採用することができる。
また、超音波振動のような機械的振動を与えるだけでも微粒子の飛散ないし剥離が生じる。図12に、超音波振動による微粒子の飛散効果を示す実験例を示す。これは、走査微粒子検出器(scanning particle detector)による検出結果で、図の横軸は時間で、縦軸は検出器によってカウントされた信号である。図に示されているとおり、検出開始時には排気ラインに乗った残留微粒子が検出されるが、しだいに検出される微粒子が減ってくる。しかしながら、図示の期間(約30秒〜130秒および約150秒〜180秒)で超音波による振動を与えると、検出開始時に得られた微粒子数を超える微粒子が剥離ないし飛散している。超音波を付与している時間は、格別減衰することもなく、間欠的に微粒子が発生していることがわかる。超音波を与えない時間にはほとんど微粒子の発生がみられないことから、超音波付与の効果の大きいことがわかる。
なお、超音波だけでなく、部材の移動により機械的振動を与えることによっても、付着した微粒子を飛散ないし剥離することができる。特にステージは処理室内で上下移動可能に構成されていることが多いが、このステージを移動中、あるいは移動後に停止したときなど、機械的振動が発生して微粒子の飛散ないし剥離効果が高いことが見出された。これについては、後に詳しく説明する。
さらに、今まで説明した方法を組み合わせることによって、微粒子除去の相乗効果を得ることができる。可能なすべての方法を組み合わせてもよいし、いくつかの方法を選択して組み合わせてもよい。組み合わせの方法は任意であり、同時に実施できるものであれば、同時に実施してもよく、また順次実施するようにしてもよい。また、同時に実施できるものでなければ、順次実施するようにすればよい。さらに、それぞれの実施形態を繰り返すようにしても、実施形態の組合せを繰り返すようにしても、高い効果を得ることができる。
実施形態1〜9においては、ステージの清浄化方法として説明したが、例えばフォーカスリングなどのステージに付属する部品に対して適用しても、同様の効果が得られる。さらに、減圧処理室内の清浄化が必要な部材に対して適用しても同様の効果を得ることができる。
本発明方法を実施するに際して、図11に示すような微粒子検出装置を用いて、微粒子の飛散を検出し、ステージの清浄度評価を行うことができる。また、微粒子が所定数以下になったことを検出することにより、ステージのクリーニングの終点検出を行うことができる。
図4,7及び8は、撮影例である。飛散微粒子がはっきりと捉えられていることがわかる。
〔実施形態12〕
チャンバ壁面に付着した微粒子を剥離し、ガス流に乗せて除去する清浄化処理を検討するなかで、微粒子を効果的ガス流に乗せるためには、チャンバ内圧力をある圧力(1.3×103Pa(10Torr))以上に保持する必要があることがわかった。微粒子を剥離する段階では本発明によるどのような手段を用いてもよいが、プロセスチャンバなど静電気的にウェハを吸着する機構を有する真空チャンバでは、高電圧印加によるマクスウェル応力を利用して微粒子を剥離する手段を採用できる。なお、真空チャンバとしては、プロセスチャンバ以外に、例えばロードロックモジュール、トランスファチャンバ、カセットチャンバなどの真空搬送チャンバなどがある。
図13に、本実施形態の清浄化処理を実施する装置の一例を示す。図13は、図1で省略したベントラインと排気系およびウェハ装填用ゲートを付加したプラズマエッチング装置の図であり、図1と共通する符号は同一部分を示す。本実施形態のベントライン13は、窒素などのパージガスを流すための流路であり、配管とバルブから構成され、流量制御装置のようなオリフィス構造を有さないものである。なお、ベントライン13は、反応ガスを導入する流路と兼用することもでき、この場合はシャワーヘッド9からパージガスを導入する。ただしこの場合もベントラインとしての流路にはオリフィス構造を介在させないようにする。これは、オリフィス構造を有すると、ガスの流れを阻害し衝撃波が発生しなくなるおそれがあることによる。排気系は主ポンプとしてターボ分子ポンプ(TMP)14を備え、その背後に粗引き用のポンプであるドライポンプ(DP)15を備える。さらに、ウェハの搬入搬出用のゲート17が設けられている。
図14に、本実施形態の清浄化処理のシーケンスを示す。処理がスタートして、まずステップS1では、自動圧力コントロール弁(APC)(図示せず)を閉じることにより、ターボポンプ14の主排気ラインを閉鎖して、ドライポンプ(DP)15の粗引き用ライン16を開放する。
次に、ステップS2では、ベントライン13から窒素ガスを例えば毎分70000cc程度の大流量で導入する。ベントライン13からの窒素ガスの大量導入により急激な圧力上昇が起こり、チャンバ1内の微粒子が剥離する。剥離した微粒子は、粗引きライン16から排気される。
ステップS3では、粗引き用ポンプ15の性能と窒素ガス流量に応じて、チャンバ内圧力がある値に安定する。ステップS4では、この状態で静電吸着電源5によりステージに正又は負の高電圧を繰り返し印加する。例えば、+3kVと0Vとを繰り返し印加する。ここでは、先に説明したようにマクスウェル応力に従ってチャンバ内壁に付着した微粒子が剥離する。剥離された微粒子は窒素ガスとともに排気される。ステップS5では、直流高電圧の印加が所定回数終了すると、窒素ガスの導入を停止する。粗引き用ラインが開放されているので、引き続き粗引きが実行される。
ステップS6では、粗引きラインのバルブを閉め、APCを開けてメインの真空引きラインでターボポンプ15により所定の圧力例えば1.3×10−2Pa(0.1mTorr)まで引く。このフロー全体は、必要に応じて繰り返される。
この清浄化方法による効果を確認するために、チャンバ内圧力を変化させて、排気ライン(粗引きライン)を通過した微粒子の個数を、実施形態11で説明したレーザ光散乱法により検出した。この結果を図15に示す。
図15は、横軸にチャンバ内圧力をとり、縦軸に微粒子すなわちパーティクルのカウント数を取った図である。この図からわかるように、チャンバ内圧力が約1333.22Pa(10Torr)未満では、微粒子は排気ラインにおいてまったくカウントされていない。約1333.2Paを超えてから微粒子がカウントされており、それ以降はチャンバ内圧力が高くなるのにつれて除去される微粒子が多くなっている。
約1333.22Pa(10Torr)未満では微粒子が排気ラインを通過しないのは、圧力が低い場合には微粒子に与えられるガス粘性力が小さいからであるということが判明した。したがって、微粒子を排出するにはチャンバ内圧力を高めるほどその効果が高く、たとえば6.7×103Pa(50Torr)あるいはそれ以上の圧力帯で実施するのが好ましい。
なお、ステップS4で実施された微粒子を剥離させる手段は、マクスウェルの応力を利用する高電圧印加であったが、これに代えて、先に説明した微粒子剥離方法の何れを使用してもよい。すなわち、クーロン力を利用しても、ガスの急激な導入による衝撃波を利用するようにしても、ステージの温度を制御して熱応力あるいは熱泳動力を利用するようにしても、さらに機械的振動を与えるようにしてもよい。
〔実施形態13〕
実施形態12では、微粒子をガス流に乗せて排気することを優先しているため、微粒子を剥離させる高電圧印加は比較的高圧力雰囲気で行われることになる。しかしながら、高電圧印加によって発生するマクスウェル応力を有効に利用して微粒子を剥離ないし飛散させるためには、低圧力雰囲気で行なわれるのが効率がよいことが判明している。また、実施形態6で説明したように、ガス衝撃波による微粒子の飛散も、より低圧力で行なわれるほうが効率がよい。
そこで本実施形態では、前処理として予め低圧でパージガスの導入や高電圧印加を行った後、実施形態12の清浄化工程を実施するようにした。すなわち、前処理段階では、低圧雰囲気で微粒子をチャンバ内壁から剥離し、その後圧力を高めて剥離した微粒子を排気するようにした。このようにすると、微粒子の剥離効果も高く、剥離した微粒子の除去効果も高い。
図16に、本実施形態の前処理のフローを示す。前処理をスタートすると、まずステップS11で、チャンバ内圧力を実際のプロセス時に使用する圧力(例えば0.2Pa(150mTorr))に制御して、窒素ガスを導入する。なお、この状態は、主排気ラインが使用され、ターボポンプ14により真空排気されて、所定圧力に維持されている。この場合も衝撃力による微粒子剥離がより大きく起こる。
次にステップS12で、チャンバ内壁に付着した微粒子を剥離させるために、マクスウェルの応力を利用する高電圧印加を実行する。高電圧印加の方法は、図13のステップS4と同一である。ただし、チャンバ内圧力が、図13のステップS4で6.7×103Pa(50Torr)であるのに対して、今回の前処理では2.0Pa(0.15Torr)である。
ステップS13では、窒素ガスの導入を停止して、ターボポンプで1.3×10−2Pa(0.1mTorr)程度まで真空引きする。そして、必要に応じて再度この処理が繰り返される。所定回数繰り返された後、前処理が終了すると、図14(実施形態12)のフローに移行する。このような前処理をしてから、実施形態12の本処理に入ると、前処理を行わないものより多数の微粒子を剥離ないし飛散させることができ、より多くの微粒子を除去できる。
なお、この前処理段階での微粒子を剥離させる手段として、マクスウェルの応力を利用する高電圧印加を説明したが、これに代えて、クーロン力を利用しても、ガスの急激な導入による衝撃波を利用するようにしても、ステージの温度を制御して熱応力あるいは熱泳動力を利用するようにしても、さらに機械的振動を与えるようにしてもよい。
図17は、前処理を行った場合と行わない場合とで、微粒子数がどのように変化するかをみたグラフである。図の横軸は、実際のエッチング処理の回数であり、縦軸はウェハ上に残存するパーティクル数すなわち微粒子数を表す。回数1は、チャンバの初期状態を示し、微粒子が3000個近くあったことを示している。その後回数7までは、前処理なしの微粒子除去処理を行いながら、実際のエッチング処理を行い、回数7から回数8までの間には微粒子除去をおこなわず、回数8から回数11までは前処理つきの微粒子除去処理を行なった。
図17によると、前処理なしの微粒子除去処理が繰り返されると、微粒子の数は1000個程度にまで減少するが、処理の回数を増やしてもこれ以上減少することはない。その後同一チャンバでの一連の実験で回数7から回数8まで微粒子除去処理を行わずに、回数8に示す初期状態に戻った後、前処理つきの微粒子除去処理を行ったところ、500個以下まで微粒子数を減少させることができた。なお、図17の例は、微粒子の多い状態で実施したので、前処理つきの微粒子除去処理を行った後でも残存する微粒子数が多くなっている。
図18に、通常の量産装置で、本発明による前処理つきの微粒子除去を行って量産プロセスを実施した際の、ウェハ上の微粒子数と微粒子除去の回数との相関を示す。横軸が、前処理つきの微粒子除去(NPPC:Non-Plasma Particle Cleaning)の回数であり、縦軸が微粒子のカウント数である。装置立ち上げ直後に直径200nm以上の微粒子(≧200nmφ)が140個弱あったのが、プロセスを実施して前処理つきの微粒子クリーニングが3回行なわれると、10個程度にまで減少して、一般にパーティクルスペックといわれる20個以内を達成している。
このように、装置立ち上げ直後などで微粒子汚染が発生しているとき、従来のダミーランまたはシーズニングやポンプアンドパージに代えて、本実施形態を行うことによって、微粒子汚染を大幅に減少させることができる。
〔実施形態14〕
実施形態8で説明したように、機械的振動を与えることによって、微粒子の飛散が起きる。本発明者らは、ウェハステージを移動中または移動停止時にも、機械的振動が原因と見られる微粒子の飛散が生じることを見出した。微粒子の飛散はウェハステージのみならずウェハステージに対向する上部電極等の他の内壁からの剥離も見られた。ウェハステージの移動による振動は、チャンバ内に残存する気体を介しても伝達可能である。本実施形態では、実施形態12で説明した微粒子除去工程にウェハステージの駆動シーケンスを導入して、剥離効果を高めるものである。
本実施形態のフローは、実施形態13(図13)のフローにおいて、ステップS3とステップS4との間にステップS35を追加するもので、その他は同一である。
図19に、ステップS35を示す。ステップS3(図13)で、窒素ガスを導入して約6.7×103Pa(50Torr)に圧力が維持された後、ステップS4で高電圧印加が行なわれるまでに、ステップS35として、ウェハステージが繰り返し駆動され、ウェハステージが複数回移動を繰り返す。ここで、引き起こされる振動がチャンバ内壁に付着した微粒子を剥離しあるいは剥離しやすくし、その後の高電圧印加による微粒子の剥離を容易にする。
レーザ光散乱法(実施形態11)により、ウェハステージ移動させて観測すると、ウェハステージが上昇して停止した瞬間に飛散する微粒子が観測された。これは、ウェハステージの停止した瞬間の機械的振動により微粒子の付着力が一時的に低下することによるもので、ウェハステージに付着していた微粒子は、慣性力で上方へ飛散し、上部電極に付着していた微粒子は、重力で落下する。このときの微粒子剥離効果は高電圧印加より大きく、剥離した微粒子は1.3×103Pa(10Torr)以上の圧力で窒素などのガスを流すことによって効果的に排出される。
図20に、ウェハステージを上昇させたときのパーティクル数と移動速度との関係を示す。図20の横軸は、ウェハステージの移動速度で、左の縦軸は微粒子観測率、右の縦軸は加速度センサの値である。微粒子観測率は、ステージの駆動回数に対する微粒子が観測された回数の比であり、剥離した粒子数に比例する。また、加速度センサの値は、ウェハステージの停止時の振動を表わす。図からわかるように、本実施形態の効果を得るためには、移動速度は速いほうが望ましい。これはウェハステージの運動エネルギーが、微粒子を剥離させるエネルギーになるためで、運動エネルギーは、運動する物体の質量に比例し、またその速度の2乗にも比例するから、質量の大きいウェハステージを高速で移動して停止させるほうが効果が高い。図20の加速度センサの値が示すように、移動停止時の移動速度が高いほど振動も大きい。
本例では、ウェハステージ駆動の際の振動を利用したが、ウェハステージのみならず、チャンバに付属する移動部材があれば、その移動時の振動を利用することができる。例えば、プラズマに与える磁場の調整のための磁石の回転機構、ウェハ搬送用にウェハステージに設けられたピンの上下機構、ウェハの搬入搬出するためのゲートに配置されたシャッタの開閉機構を駆動する際の振動を利用することもできる。もし、チャンバに振動を発生するような駆動部材がなければ、振動を発生させるユニット例えばインパクトドライバのような構造のものを設置して、振動を発生するようにしてもよい。
また、駆動部材の機械的振動の利用は、ここで説明した実施形態14に限らず、実施形態13の前処理にも適用できる。また、機械的振動を与えると微粒子の飛散ないし剥離を容易にするので、本発明のどのような微粒子飛散ないし剥離手段と組み合わせて使用してもよい。
2,110 ステージ
5 静電吸着電源
9 シャワーヘッド
13 ベントライン
14 ターボ分子ポンプ
15 ドライポンプ
20 レーザ光源
40 CCDカメラ
Claims (50)
- 減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法であって、
前記部材に電圧を印加して、前記部材の誘電率と前記微粒子の誘電率との差に応じて、前記部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法。 - 前記電圧は、オンオフを繰り返す電圧である請求項1に記載の部材清浄化方法。
- 前記電圧は、交流電圧である請求項2に記載の部材清浄化方法。
- 前記部材は、前記被処理基板を載置するステージである請求項1に記載の部材清浄化方法。
- 前記電圧は、前記ステージに接続された静電吸着電源を用いて印加する請求項4に記載の部材清浄化方法。
- 減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法であって、
前記部材に付着した前記微粒子を帯電させるステップと、
前記微粒子の帯電電荷と同極性の電圧を前記部材に印加するステップとを備え、
前記部材に付着した前記微粒子を飛散させる部材清浄化方法。 - 前記帯電させるステップは、部材上空にプラズマを発生させるステップである請求項6に記載の部材清浄化方法。
- 前記帯電させるステップは、部材表面に紫外光又は真空紫外光を照射するステップである請求項6に記載の部材清浄化方法。
- 前記帯電させるステップは、部材表面に電子、陽電子又はイオンを照射するステップである請求項6に記載の部材清浄化方法。
- 前記帯電させるステップは、部材表面にX線又は軟X線を照射するステップである請求項6に記載の部材清浄化方法。
- 減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法であって、
前記減圧処理室を所定の圧力に保ってガスを導入し、前記減圧処理室内の部材にガス衝撃波を到達させ、前記部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法。 - 前記所定の圧力は、1.3×10-2Pa程度以下である請求項11に記載の部材清浄化方法。
- 前記部材は、被処理基板を載置するステージである請求項11に記載の部材清浄化方法。
- 前記ガスは、前記減圧処理室に設けられたガス導入管から導入される請求項13に記載の部材清浄化方法。
- 前記ガスの導入は、連続して複数回行なわれる請求項11に記載の部材清浄化方法。
- 減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法であって、
前記部材の温度を制御して、熱応力及び熱泳動力により前記部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法。 - 前記部材は、被処理基板を載置するステージである請求項16に記載の部材清浄化方法。
- 前記温度は、通常の使用温度から十分高くする請求項16に記載の部材清浄化方法。
- 前記部材の上空の温度勾配を強めるように制御する請求項16に記載の部材清浄化方法。
- 前記部材の上空の温度勾配を強めるために、クールガスを導入する請求項19に記載の部材清浄化方法。
- 前記クールガスは、ガス導入管から導入する請求項20に記載の部材清浄化方法。
- 減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法であって、
前記部材に機械的振動を与えて、微粒子を飛散させる部材清浄化方法。 - 前記部材に、超音波振動が付与される請求項22に記載の部材清浄化方法。
- 前記減圧処理室に設けた移動可能部材を移動させることによって、前記機械的振動が付与される請求項22に記載の部材清浄化方法。
- 前記減圧処理室に設けられた移動可能部材は、被処理基板を載置するステージである請求項24に記載の部材清浄化方法。
- 減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させ、ガス流を用いて微粒子を除去する部材清浄化方法であって、
減圧処理室を排気しながらガスを導入するステップと、
前記減圧処理室の圧力を1.3×103Pa以上の所定圧力に維持するステップと
を有する部材清浄化方法。 - 前記減圧処理室の圧力を6.7×103Pa以上の圧力に維持する請求項26に記載の部材清浄化方法。
- さらに、前記所定圧力の下で前記微粒子を飛散させるステップを有する請求項26に記載の部材清浄化方法。
- 前記微粒子を飛散させるステップは、前記部材に電圧を印加して前記部材の誘電率と前記微粒子の誘電率との差に応じて前記微粒子を飛散させるステップを含む請求項28に記載の部材清浄化方法。
- 前記微粒子を飛散させるステップは、前記部材に付着した前記微粒子を帯電させるステップと、前記微粒子の帯電電荷と同極性の電圧を前記部材に印加するステップとを含む請求項28に記載の部材清浄化方法。
- 前記微粒子を飛散させるステップは、前記部材にガス衝撃波を到達させるステップを含む請求項28に記載の部材清浄化方法。
- 前記微粒子を飛散させるステップは、前記部材の温度を制御して熱応力及び熱泳動力により前記部材に付着した微粒子を飛散させるステップを含む請求項28に記載の部材清浄化方法。
- 前記微粒子を飛散させるステップは、前記部材に機械的振動を与えるステップを有する請求項28に記載の部材清浄化方法。
- 前記部材に機械的振動を与えるステップは、前記減圧処理室の可能部材を駆動するステップを有する請求項33に記載の部材清浄化方法。
- 前記可動部材は、前記減圧処理室において被処理部材を載置するステージである請求項34に記載の部材清浄化方法。
- 前記部材清浄化方法は、前記減圧処理室を1.3×102Paより低い圧力に維持して微粒子を飛散させるステップを有する前段階のステップを有する請求項26に記載の部材清浄化方法。
- 前記前段階のステップは、前記部材に電圧を印加して前記部材の誘電率と前記微粒子の誘電率との差に応じて前記微粒子を飛散させるステップを含む請求項36に記載の部材清浄化方法。
- 前記前段階のステップは、前記部材に付着した前記微粒子を帯電させるステップと、前記微粒子の帯電電荷と同極性の電圧を前記部材に印加するステップとを含む請求項36に記載の部材清浄化方法。
- 前記前段階のステップは、前記部材にガス衝撃波を到達させるステップを含む請求項36に記載の部材清浄化方法。
- 前記前段階のステップは、前記部材に機械的振動を与えるステップを含む請求項36に記載の部材清浄化方法。
- 減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法であって、
前記部材を加熱して高温に保持した状態で、
前記減圧処理室を所定の圧力に保ってガスを導入し、前記部材にガス衝撃波を到達させるステップと、前記部材に高電圧を印加するステップとを同時にあるいは連続して行う前記部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法。 - 減圧処理室内の部材の清浄度を評価する清浄度評価方法であって、
前記部材上空を通過するように前記減圧処理室に入射光を入射させるステップと、
前記微粒子による散乱光を検出するステップとを有する清浄度評価方法。 - 前記部材は、被処理基板を載置するステージであって、前記入射光は、前記ステージに平行に入射する請求項42に記載の清浄度評価方法。
- 減圧処理室内の部材の清浄化の終点を検出する清浄化終点検出方法であって、
前記部材上空を通過するように前記減圧処理室に入射光を入射させるステップと、
前記微粒子による散乱光を検出するステップとを有し、
所定数の微粒子以下になったことを検出して、前記部材の清浄化の終点を判断する清浄化終点検出方法。 - 前記部材は、被処理基板を載置するステージであって、前記入射光は、前記ステージに平行に入射する請求項44に記載の清浄化終点検出方法。
- 被処理基板に対して処理を行う減圧処理室と、
前記減圧処理室内で前記被処理基板を載置するステージと、
前記ステージに接続され、前記被処理基板を静電的に保持するための電圧を与える静電吸着電源とを有する基板処理装置であって、
前記被処理基板が載置されていない前記ステージに前記静電吸着電源から電圧を与えることにより、微粒子を飛散させる基板処理装置。 - 被処理基板に対して処理を行う減圧処理室と、
前記減圧処理室内で前記被処理基板を載置するステージと、
前記ステージ上面にガスを導入するガス導入菅を備える基板処理装置であって、
前記減圧処理室を所定の圧力に保持しながら、前記被処理基板を載置していないステージに対して前記ガス導入菅からガスを導入し、該ガスの衝撃波を前記ステージに到達させることにより、微粒子を飛散させる基板処理装置。 - 被処理基板に対してプラズマによる処理を行う減圧処理室と、
前記減圧処理室内で前記被処理基板を載置するステージと、
前記ステージを加熱する加熱手段と、
前記ステージ上面にガスを導入するガス導入菅を備える基板処理装置であって、
前記ガス導入菅からガスを導入し、前記被処理基板が載置されていない前記ステージを前記加熱手段により所定温度まで加熱して、微粒子を飛散させる基板処理装置。 - 減圧処理室内の部材から飛散する微粒子を検出するための飛散微粒子検出装置であって、
前記部材上空を通過するように前記減圧処理室に入射光を入射するための光源と、
前記入射光と所定の角度をもって配置され、前記微粒子による散乱光を検出するための光検出器とを備える飛散微粒子検出装置。 - 前記部材は、被処理基板を載置するステージであって、前記入射光は、前記ステージに平行に入射する請求項49に記載の飛散微粒子検出装置。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004218939A JP4754196B2 (ja) | 2003-08-25 | 2004-07-27 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
US10/921,947 US8137473B2 (en) | 2003-08-25 | 2004-08-20 | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
KR1020040066689A KR100625099B1 (ko) | 2003-08-25 | 2004-08-24 | 감압 처리실내의 부재 청정화 방법과, 청정도 평가방법과, 청정화 종점 검출 방법과, 기판 처리 장치 및비산 미립자 검출 장치 |
CNB2004100570321A CN100485859C (zh) | 2003-08-25 | 2004-08-25 | 减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置 |
CN 200610151435 CN1931453B (zh) | 2003-08-25 | 2004-08-25 | 减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置 |
CN2008101280502A CN101320677B (zh) | 2003-08-25 | 2004-08-25 | 减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置 |
TW100116321A TWI490937B (zh) | 2003-08-25 | 2004-08-26 | A cleanliness evaluation method, a clean end point detection method and a flying fine particle detection apparatus |
TW093125563A TWI412074B (zh) | 2003-08-25 | 2004-08-26 | A cleaning method for a component in a vacuum chamber, and a substrate processing device |
US12/131,803 US8206513B2 (en) | 2003-08-25 | 2008-06-02 | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
US12/131,818 US20080245389A1 (en) | 2003-08-25 | 2008-06-02 | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
US12/131,827 US20080245388A1 (en) | 2003-08-25 | 2008-06-02 | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
US13/495,404 US8337629B2 (en) | 2003-08-25 | 2012-06-13 | Method for cleaning elements in vacuum chamber and apparatus for processing substrates |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003300427 | 2003-08-25 | ||
JP2003300427 | 2003-08-25 | ||
JP2004218939A JP4754196B2 (ja) | 2003-08-25 | 2004-07-27 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010270689A Division JP5314659B2 (ja) | 2003-08-25 | 2010-12-03 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005101539A true JP2005101539A (ja) | 2005-04-14 |
JP4754196B2 JP4754196B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=34467134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004218939A Active JP4754196B2 (ja) | 2003-08-25 | 2004-07-27 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8137473B2 (ja) |
JP (1) | JP4754196B2 (ja) |
KR (1) | KR100625099B1 (ja) |
CN (1) | CN100485859C (ja) |
TW (2) | TWI490937B (ja) |
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JP2015012141A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び処理装置 |
US10490392B2 (en) | 2016-07-14 | 2019-11-26 | Tokyo Electron Limited | Focus ring replacement method and plasma processing system |
US11990323B2 (en) | 2016-07-14 | 2024-05-21 | Tokyo Electron Limited | Focus ring replacement method and plasma processing system |
WO2020110858A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 |
JPWO2020110858A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2021-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 |
US11504751B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-11-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, processing container cleaning method, and substrate processing device |
JP7179083B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 |
US11865590B2 (en) | 2018-11-30 | 2024-01-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, processing container cleaning method, and substrate processing device |
KR20230065897A (ko) | 2021-11-05 | 2023-05-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 반송을 실시하는 장치, 및 기판을 반송하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8337629B2 (en) | 2012-12-25 |
US8206513B2 (en) | 2012-06-26 |
TW200514159A (en) | 2005-04-16 |
US20120247502A1 (en) | 2012-10-04 |
US8137473B2 (en) | 2012-03-20 |
TWI490937B (zh) | 2015-07-01 |
TWI412074B (zh) | 2013-10-11 |
US20080245387A1 (en) | 2008-10-09 |
TW201140683A (en) | 2011-11-16 |
CN100485859C (zh) | 2009-05-06 |
US20050082000A1 (en) | 2005-04-21 |
CN1591777A (zh) | 2005-03-09 |
KR100625099B1 (ko) | 2006-09-20 |
US20080245388A1 (en) | 2008-10-09 |
KR20050022359A (ko) | 2005-03-07 |
US20080245389A1 (en) | 2008-10-09 |
JP4754196B2 (ja) | 2011-08-24 |
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