JP3162623B2

JP3162623B2 - パーティクル検出装置

Info

Publication number: JP3162623B2
Application number: JP03273696A
Authority: JP
Inventors: 修司守谷
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-01-26
Filing date: 1996-01-26
Publication date: 2001-05-08
Anticipated expiration: 2016-01-26
Also published as: JPH09203704A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
処理装置に設けられるパーティクル検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造するため
には、例えばウエハ上に所定の成膜を形成したり、或い
はこの成膜に所定の回路パターンを形成するためにエッ
チング処理を行なうようにしており、これらの成膜とエ
ッチングを多数回繰り返し行なうことにより所望の回路
素子を形成している。回路パターンの線幅は、半導体デ
バイスの高集積化、高密度化につれて非常に微細なもの
となり、例えばサブミクロンのオーダの細幅が要求され
ている。半導体デバイスの歩留まりを向上させるために
は、この微細なパターンを精度良く形成しなければなら
ないが、各種の処理を行なうときには歩留まり劣化の原
因となるパーティクルの発生は避けることができない。

【０００３】例えば、成膜処理においては、成膜がウエ
ハ上の必要箇所に形成されるのは勿論のこと、これが処
理容器内の壁面や載置台等の不要箇所にも付着し、この
付着物が処理途中等において剥がれてパーティクルとな
ったりするし、また、エッチング処理時には、エッチン
グの堆積物が同じく処理容器内の壁面等に付着し、これ
が剥がれてパーティクルとなったりする。このため、各
種の処理を行なうためには、処理中において発生するパ
ーティクルの量や処理容器内の汚れの程度を評価し、こ
の汚れの程度が所定の基準値以上になったところで、処
理容器内のクリーニング処理や汚れの激しい場合には部
品の交換等を行なうようになっている。

【０００４】処理容器内の汚れの程度を評価する従来の
一般的な方法としては、例えば所定の枚数、例えば１ロ
ット２５枚のウエハの処理を完了する毎に検査用のベア
ウエハを流し、この表面に付着するパーティクルの量を
評価する方法が知られている。しかしながら、この方法
は、ベアウエハと製品ウエハとの条件が異なり、正確な
評価を行なうことができないという問題点がある。例え
ばベアウエハはその表面が剥き出し状態であるのに対し
て、製品ウエハの表面にはレジストが塗布されている場
合もあり、パーティクルの正確な評価を行なうことがで
きない場合もある。

【０００５】また、ベアウエハを用いて評価を行なった
時に、過度に汚れた状態の評価が下されるとその直前に
処理を行なった１ロット分の製品ウエハが不良品となる
場合もあり、歩留まりを十分に向上し得ない場合もあっ
た。更には、ベアウエハといえども、それ自体かなり高
価なものであり、特に、今後、主流になると予想される
直径３００ｍｍサイズのベアウエハの場合には一枚、数
十万円もし、評価費用もかなりコスト高になってしま
う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような問題点を解
決するために、レーザ光を用いて処理中のパーティクル
の状態をオンタイムで検出する装置が提案されている。
この装置は、処理容器に接続した排気通路の途中に設け
られており、排気ガス中にレーザ光を照射してガス中の
パーティクルの反射光を検出することによりパーティク
ルの評価を行なうようになっている。これによれば、ベ
アウエハを使用しなくても済み、しかもオンタイムで評
価を行なうことができるので、製品ウエハを無駄にする
こともない。

【０００７】しかしながら、この装置は排気通路に嵌め
込んで測定するようになされた構造のため、パーティク
ルの発生場所と測定箇所との間がかなり離れてしまうこ
とになり、パーティクルの発生場所である処理容器内の
パーティクル状況を正確には把えきれないという問題が
あった。例えば排気通路の途中にて滞っていたパーティ
クルが、何らかの衝撃で突発的に流れ出して処理容器内
のパーティクル数が少ないにもかかわらず多く検出され
たり、或いはその逆の現象が生じたりして、検出精度を
高くすることが困難であることが判明した。

【０００８】図６は上述のようにしてパーティクルを評
価した時の状況を示すグラフであり、図６（Ａ）は排気
通路内にレーザ光を照射した時のパーティクルの評価を
示すグラフであり、図６（Ｂ）はベアウエハを用いてパ
ーティクルの評価をした時の状況を示すグラフである。
両グラフから明らかなように処理の積算値に対するパー
ティクル数のピーク値が全く異なっており、両グラフの
相関が余りとれていないことが判明する。従って、排気
通路にレーザ光を照射してパーティクルを評価するよう
にした装置を用いてもクリーニングのタイミングを的確
に把えることはできない。そこで、この嵌め込み型の測
定装置をより処理容器に近い部分に取り付けて処理容器
内のパーティクルの発生状況をより精度よく把えるよう
にすることも考えられるが、処理容器の近傍は一般的に
は各種の部品が密集させて設けられていることからレイ
アウト上問題がある。本発明は、以上のような問題点に
着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであ
る。本発明の目的は真空室内のパーティクル発生状況を
オンタイムで精度良く検出することができるパーティク
ル検出装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、真空室の壁部に形成される排気口に、
前記真空室と反対方向に前記排気口面に対して垂直に延
びる排気予備室の一端を接続し、前記排気予備室の他端
の排出口に排気通路を接続して真空引き可能になされた
真空装置に設けたパーティクル検出装置において、前記
排気予備室内に検査用レーザ光を照射するためこの排気
予備室の壁面に設けたレーザ光照射手段と、前記検査用
レーザ光を臨む位置に設けられてパーティクルからの散
乱光を検出する光検出手段とを備えるように構成したも
のである。

【００１０】このように構成することにより、真空室に
併設された排気予備室にレーザ光照射手段よりレーザ光
を照射してパーティクルからの反射光すなわち散乱光を
光検出手段により検出し、パーティクルの量を検出す
る。この場合、排気予備室は真空室に併設されているの
で、測定箇所がパーティクル発生箇所に非常に近くな
り、真空室内のパーティクルの発生状況をより精度良く
把えることが可能となる。この場合、測定誤差の原因と
なるレーザ光の無用な反射を防止するためにレーザ光の
照射方向にレーザ光吸収手段を設けてレーザ光を吸収す
るのがよい。

【００１１】また、光検出手段は、レーザ光の進行方向
に対して直交する方向に設けて反射光を容易に検出でき
るようにする。また、上記レーザ光線が排気通路の中心
軸の延長線上の一点を通過するようにレーザ光照射手段
を取り付け、且つこの一点を臨むように光検出手段を取
り付けることになり、排気通路に流れ込むパーティクル
を精度良く検出することが可能となる。更には、レーザ
光照射手段を設けるレーザ透過窓の近傍に、この窓を加
熱する成膜防止用ヒータ手段を設けることにより、レー
ザ透過窓に成膜が付着することを極力抑制することが可
能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るパーティク
ル検出装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は真空装置とこれに取り付けた本発明に係るパーテ
ィクル検出装置を示す断面構成図、図２は図１に示すパ
ーティクル検出装置を示す斜視図、図３は図２中のＡ−
Ａ線矢視拡大断面図である。図示するようにこのパーテ
ィクル検出装置２は、真空室４の下部側壁に形成した排
気口６に取り付けた排気予備室８に設けられる。まず、
真空装置５について説明する。この真空装置５として
は、本実施例においては被処理体としての半導体ウエハ
にエッチング処理を施すプラズマエッチング装置に適用
した場合を例にとって説明する。

【００１３】このエッチング装置５の真空室４は、円筒
状或いは四角形の筒状になされた例えばアルマイト製の
気密な処理容器１０を有しており、この底部にはベース
１２に支持された例えばアルマイト製のサセプタ１４が
設けられ、この上面に被処理体としての半導体ウエハＷ
を載置するようになっている。このサセプタ１４の上面
の周辺部には、ウエハＷの周縁部をサセプタ１４側へ押
え付けるためのウエハクランプ１６が図示しない昇降機
構により上下動可能に設けられている。また、このサセ
プタ１４には、複数個、図示例には２個しか記載してい
ないが、実際には３個のリフタピン１８がこれを貫通し
て上下動可能に設けられており、外部とのウエハの受け
渡しの際にこれを押し上げて昇降し得るようになってい
る。このリフタピン１８の下部とサセプタ１４との間
は、伸縮可能になされた金属製のベローズ２０が設けら
れており、リフタピン１８が気密を保持しつつ上下移動
することを許容している。更に、このサセプタ１４内に
は、ウエハＷを所定の温度に冷却するための冷却ジャケ
ット２２が設けられており、これに冷媒が流される。こ
のサセプタ１４及び処理容器１０は、ともに接地されて
グランドの電位になされている。

【００１４】処理容器１０の上部には、Ｏリング等のシ
ール部材２４を介して天井部２６が設けられ、この天井
部２６には、絶縁部材２８を介して上記サセプタ１４に
対して対向させて内部が中空になされたシャワーヘッド
３０が取り付けられている。このシャワーヘッド３０内
には多数の拡散孔を有する拡散板３２が設けられると共
にその下面には多数の噴出孔３４を有する噴出板３６が
形成され、後述するように処理室内に処理ガスを供給し
得るようになっている。そして、このシャワーヘッド３
０には、エッチングガスを供給するために３つに分岐さ
れた分岐管３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃが接続されており、
各分岐管は、それぞれマスフローコントローラ４０及び
開閉弁４２を介してガス源としてＣＨＦ₃ ガス源４４、
ＣＦ₄ ガス源４６及びＡｒガス４８にそれぞれ接続され
ている。

【００１５】また、上記シャワーヘッド３０には、開閉
スイッチ５０及びマッチング回路５２を介して例えば１
３．５６ＭＨｚのプラズマ発生用の高周波電源５４が接
続されており、シャワーヘッド３０を上部電極として機
能させることにより処理空間にプラズマを発生するよう
になっている。処理容器１０の側壁には、ウエハを搬出
入する搬出入口５６が設けられ、この搬出入口５６に
は、これを気密に開閉するゲート弁５８を介してロード
ロック室６０が取り付けられる。また、サセプタ１４の
周囲の下部には容器側壁の下部に設けた排気口６に通じ
るリング状の排気道６２が形成されており、この排気道
６２と処理空間との間には多数の整流孔６４を有する整
流板６６が設けられており、サセプタ１４の周辺部から
均一に処理空間の雰囲気を排気するようになっている。

【００１６】そして、上記処理容器１０の側壁の外側に
は、上記排気孔６に連通するようにマニホールドとして
のアルミニウム製の箱状の排気予備室８がシール部材７
０を介してボルト７２により気密に取り付けられてい
る。この排気予備室８は、図２に示すように排気口６の
反対側が三角形状に狭められており、その先端底部に
は、排出口７４を設けてここに接続フランジ７６が形成
されている。その接続フランジ７６には、例えばステン
レス製のパイプよりなる排気通路７８がボルト８０によ
り気密に接続されると共に、この排気通路７８には、開
閉弁８２及び１つ或いは複数の真空ポンプ８４を介設し
て、処理容器１０内を真空引きできるようになってい
る。

【００１７】さて、このように構成された排気予備室８
に本発明のパーティクル検出装置が設けられる。具体的
には、図３にも示すようにこの排気予備室８の１つの側
壁８６Ａにレーザ照射口８８を形成すると共にこの照射
口８８に臨ませてレーザ取付フランジ９０が形成され
る。そして、このレーザ照射口８８に例えば石英等より
なる板状のレーザ透過窓９２を介して例えば半導体レー
ザを発射するレーザ光照射手段９４をボルト９６により
取り付け固定しており、図中水平方向に向けて検査用レ
ーザ光Ｌを照射し得るようになっている。上記フランジ
９０とレーザ透過窓９２間及びこの窓９２とレーザ光照
射手段９４間には、それぞれＯリング等のシール部材９
８、１００が介在されてシール性を保持している。ま
た、このレーザ光照射手段９４内には、成膜防止用ヒー
タ手段１０２が埋め込まれており、測定時にレーザ透過
窓９２を所定の温度に加熱してこれに成膜や堆積物が付
着することを防止して透明性を維持するようになってい
る。尚、このヒータ手段１０２は、フランジ９０側に設
けるようにしてもよい。

【００１８】上記レーザ光照射手段９４はアルゴンレー
ザに限定されず、またそのレーザ光Ｌの波長は、例えば
直径０．２μｍ程度以上のパーティクルの存在を確認し
得るような波長、例えば０．４μｍから０．８μｍ程度
の範囲のものを用いるのがよい。上記レーザ光Ｌの照射
方向の側壁８６Ｂには、レーザ吸収口１０４が設けられ
て、ここに接続フランジ１０６が形成されている。そし
て、このレーザ吸収口１０４に、例えば石英等よりなる
レーザ透過窓１０８を介して板状のレーザ吸収手段１１
０が押え板１１２及びボルト１１４により取り付け固定
されており、上記フランジ１０６とレーザ透過窓１０８
間及びこの窓１０８とレーザ光吸収手段１１０間にはそ
れぞれＯリング等よりなるシール部材１１６、１１８が
介在されてシール性を保持するようになっている。

【００１９】このレーザ吸収手段１１０としては、レー
ザ光を反射することなく、効率よく吸収し得るものなら
ばどのような材質でもよく、例えばフィルターガラスを
用いることができる。また、レーザ吸収手段１１０の表
面は、レーザ光Ｌの進行方向に対して直角となるように
取り付けるのがこれよりの反射光を減少させる上から好
ましい。そして、この排気予備室８の天井壁１２０に
は、上記レーザ光Ｌを臨む位置にレーザ検査口１２２が
形成されて、ここに接続フランジ１２３を設けている。
そして、このレーザ検査口１２２に、例えば石英等より
なるレーザ透過窓１２４を介して例えば半導体受光素子
よりなる光検出手段１２６がボルト１２８により取り付
け固定されており、パーティクルからのレーザ反射光或
いは散乱光を検出し得るようになっている。

【００２０】このフランジ１２３とレーザ透過窓１２４
間及びこの窓１２４と光検出手段１２６間にはそれぞれ
Ｏリング等よりなるシール部材１３０、１３２が介在さ
れてシール性を確保している。また、この光検出手段１
２６には、成膜防止用ヒータ１３４が埋め込まれてお
り、測定時にレーザ透過窓１２４を所定の温度に加熱し
てこれに成膜や堆積物が付着することを防止して透明性
を維持するようになっている。ここで、レーザ光Ｌは、
排気通路の軸線７８Ａの延長上の一点Ｐ、すなわち接続
フランジ７６の排出口７４の中心Ｏよりも僅かな距離、
例えば排気予備室６８の高さの略１／２の距離だけ上方
に位置する点Ｐを水平方向に通過するように照射するの
がよい。この理由は、この点Ｐ近傍においては排気コン
ダクタンスを考慮すると処理容器内の雰囲気が平均的に
流れてパーティクルを最も検出し易くなるからである。
従って、この点Ｐにおけるパーティクルによるレーザ散
乱光を最も検出し易くするためには、上記光検出手段１
２６は、上記排気通路７８の軸線７８Ａの延長上に設け
るのがよい。

【００２１】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、エッチング処理されるべ
き被処理体としての半導体ウエハＷをロードロック室６
０からゲートバルブ５８を介して処理容器１０内へ搬入
し、これサセプタ１４上に載置してウエハクランプ１６
で固定する。そして、処理容器１０内を真空引きして所
定の圧力に維持しつつエッチングガスをシャワーヘッド
３０より供給し、これと同時に高周波電源５４より１
３．５６ＭＨｚの高周波をシャワーヘッド３０に印加す
ることにより、これとグランド電位のサセプタ１４との
間にプラズマを立て、ウエハ表面の酸化膜等のエッチン
グ処理を行なう。この時のエッチング条件は、プロセス
圧力が約３００ｍＴｏｒｒ、高周波電力が１３００Ｗ
（ワット）程度、ガス流量はＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 及びＡｒ
ガスがそれぞれ３０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍ及び６００
ｓｃｃｍ程度である。また、シャワーヘッド３０の温度
は２０℃程度、サセプタ１４の温度は冷却ジャケット２
２により−１０℃程度にそれぞれ維持する。尚、これら
のプロセス条件は、一例を示したに過ぎないのは勿論で
ある。

【００２２】さて、エッチング処理中においては、ウエ
ハ表面から削られた物質や成膜物質、或いは処理容器内
の各部に付着していた堆積物等が少しずつ剥がれたりし
てウエハの周辺部から均等に真空引きされる排気ガス中
にパーティクルとなって混入し、この排気ガスはサセプ
タ１４の外周にリング状に設けた排気道６２を流れて排
気口６から排気予備室８内に流入し、更に、これに接続
されている排気通路７８を介して装置外へ排出されてい
く。ここでパーティクルに起因する歩留まり低下を防止
するためには、処理容器１０内に発生するパーティクル
の量を評価する必要がある。そこで、排気予備室８の側
壁８６Ａに設けたレーザ光照射手段９４から所定の周波
数のレーザ光Ｌをレーザ光吸収手段１１０に向けて継続
的に或いは断続的に照射する。排気ガス中にパーティク
ルが存在すると、このレーザ光Ｌの光路途中をパーティ
クルが通った時にレーザ光を反射して反射光（散乱光）
が四方八方に飛散する。この散乱光を天井壁１２０に設
けた光検出手段１２６により検出することによりパーテ
ィクルの存在を確認することができる。

【００２３】この場合、前述のように粒径が０．２μｍ
以上のパーティクルの存在を確認するためにはレーザ光
の波長は０．４μｍから０．８μｍ程度の範囲内が良
い。また、レーザ光Ｌは、排気通路７８の軸線７８Ａの
延長線上であって、排気予備室８の高さの略１／２の点
Ｐを通過させ、しかもその点Ｐを臨むように光検出手段
１２６を設置することにより排気ガスが最も円滑に流れ
る部分を通過するパーティクルを検出するようにしてい
るので、排気ガス中のパーティクルの存在を精度良く検
出することが可能となる。しかも、レーザ光を用いて排
気通路でパーティクルの評価を行なった従来方法とは異
なり、処理容器１０に併設した排気予備室８内にて測定
を行なうようにしたので、パーティクル発生箇所（処理
容器内）と測定箇所が非常に近くなり、精度の高いパー
ティクル評価を行なうことができる。尚、処理容器１０
内にこの検出装置を設けることも考えられるが、この場
合にはプラズマ光が外乱となるので採用することはでき
ない。

【００２４】また、レーザ光Ｌの照射方向にレーザ光吸
収手段１１０を設けて照射されたレーザ光Ｌを反射させ
ることなく吸収するようにしているので、光検出手段１
２６に外乱光が侵入することがほとんどなく、検出精度
を高めることが可能となる。更には、レーザ光照射手段
９４のレーザ透過窓９２の近傍や光検出手段１２６のレ
ーザ光透過窓１２４の近傍には、これらを加熱するため
の成膜防止用ヒータ手段１０２や成膜防止用ヒータ１３
４を設けて各透過窓を所定の温度、例えば８０℃程度に
加熱しているので、各透過窓９２、１２４にレーザ光の
透過を阻害する成膜や堆積物が付着することを防止で
き、検出精度を高く維持することが可能となる。この加
熱温度は、上記数値に限定されず、成膜や堆積物が付着
することを防止できればよいので、処理態様に応じてそ
の加熱温度も異なり、また、過度に温度を上げるとレー
ザ光照射手段や光検出手段の電子回路等が熱的ダメージ
を受けるので、加熱温度はそれ以下の温度とする。

【００２５】また、各部材のメンテナンスを行なう場合
には、それらを固定しているボルトを取り外すことによ
り、容易にメンテナンス作業も行なうことが可能とな
る。更には、このパーティクル検出装置２は、既存の装
置に設けられている排気予備室８、すなわちマニホール
ドに比較的簡単に設けることができるので、レイアウト
上の問題を生ずることなく取り付けることが可能とな
る。また、処理を行いながらオンタイムでパーティクル
の評価を行なうようにしたので、処理後にパーティクル
の評価が定まる従来の評価方法（ベアウエハ使用）と比
較して、パーティクルが限度以上多いにもかかわらず処
理を行なうといった無駄な処理を行なうこともなく歩留
まりを向上できるのみならず、ベアウエハを不要にでき
ることからコストも削減することができる。

【００２６】図４はベアウエハを用いてパーティクルの
評価を行なった時と本発明装置によりパーティクルの評
価を行なった時の相関関係を示すグラフであり、図４
（Ａ）はベアウエハを用いた時の評価を示し、図４
（Ｂ）は本発明装置による評価を示す。パーティクル数
がクリーニング閾値を越えるとクリーニングを行なうの
であるが、両グラフから明らかなように処理回数とパー
ティクル数との間には強い相関関係が存在し、従来のベ
アウエハを用いたパーティクル評価方法に代えて本発明
装置によりパーティクルの評価を行なうことができるこ
とが判明した。

【００２７】尚、上記実施例においては、処理容器の側
部に排気予備室を設けた形式のプラズマ処理装置を例に
とって説明したが、これに限定されず、図５に示すよう
に処理容器の底部に排気予備室８を単数或いは複数個設
け、それぞれにパーティクル検出装置２を設けるように
してもよい。また、前述のように上部電極（シャワーヘ
ッド等）に高周波電源５４を接続した形式の装置に限ら
れず、図５に示すように下部電極（サセプタ）に高周波
電源を印加するようにした形式の装置、或いは両電極に
高周波電源を印加するようにした形式の装置等にも適用
することができる。更には、上記したようなプラズマエ
ッチング装置に限定されず、ＣＶＤ装置、スパッタ装
置、イオン注入装置、クロスコンタミネーションを非常
に嫌うクラスタツール装置等の処理装置のみならず、パ
ーティクル量を抑制した真空状態を必要とする真空室、
例えばロードロック室等にも適用することができる。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のパーティ
クル検出装置によれば、次のように優れた作用効果を発
揮することができる。排気予備室にパーティクル検出装
置を設けるようにしたので、処理を行いながらパーティ
クルの評価を行なうことができ、しかも排気通路に装置
を設けた従来の装置と比較してパーティクルの評価の精
度を大幅に向上させることができる。また、レーザ光の
照射方向にレーザ光吸収手段を設けるようにすることに
より、反射による外乱光の影響をなくすことができ、パ
ーティクルの評価精度を更に向上させることができる。

【００２９】更に、検査用レーザ光の照射方向に対して
直交する方向に光検出手段を設けるようにしたので、パ
ーティクルからの反射光（散乱光）をより正確に捕らえ
ることができ、検出精度を上げることができる。また、
成膜防止用ヒータ手段によりレーザ透過窓を加熱してこ
れに成膜や堆積物が付着することを防止することによ
り、レーザ光の透過を阻害することがなく、更に検出精
度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】真空装置とこれに取り付けた本発明に係るパー
ティクル検出装置を示す断面構成図である。

【図２】図１に示すパーティクル検出装置を示す斜視図
である。

【図３】図２中のＡ−Ａ線矢視拡大断面図である。

【図４】ベアウエハを用いた従来のパーティクルの評価
結果と本発明装置によるパーティクルの評価結果との相
関関係を示すグラフである。

【図５】本発明装置を適用した他の形式のプラズマ処理
装置を示す概略構成図である。

【図６】排気通路にレーザ光を照射することによりパー
ティクルの評価をした従来方法とベアウエハを用いてパ
ーティクルの評価をした従来方法との相関関係を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

２パーティクル検出装置４真空室５真空装置（プラズマエッチング装置）６排気口８排気予備室１０処理容器１４サセプタ７８排気通路７８Ａ軸線８８レーザ照射口９２レーザ透過窓９４レーザ光照射手段１０２成膜防止用ヒータ手段１１０レーザ吸収手段１２６光検出手段Ｌ検査用レーザ光Ｗ被処理体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01N 15/14 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 21/3065

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】真空室の壁部に形成される排気口に、前
記真空室と反対方向に前記排気口面に対して垂直に延び
る排気予備室の一端を接続し、前記排気予備室の他端の
排出口に排気通路を接続して真空引き可能になされた真
空装置に設けたパーティクル検出装置において、前記排
気予備室内に検査用レーザ光を照射するためこの排気予
備室の壁面に設けたレーザ光照射手段と、前記検査用レ
ーザ光を臨む位置に設けられてパーティクルからの散乱
光を検出する光検出手段とを備えたことを特徴とするパ
ーティクル検出装置。
【請求項２】前記排気予備室は、前記排気口より前記
排出口に向かって狭められていることを特徴とする請求
項１記載のパーティクル検出装置。
【請求項３】前記検査用レーザ光の照射方向には、こ
のレーザ光を吸収して反射を阻止するためのレーザ光吸
収手段を設けるように構成したことを特徴とする請求項
１又は２記載のパーティクル検出装置。
【請求項４】前記光検出手段は、前記検査用レーザ光
の進行方向と直交する方向に設けられていることを特徴
とする請求項１乃至３のいずれかに記載のパーティクル
検出装置。
【請求項５】前記レーザ光照射手段は、これより放射
されるレーザ光が前記排気通路の中心軸の延長線上の一
点を通過するように取り付けられると共に、前記光検出
手段は前記一点を臨むように取り付けられることを特徴
とする請求項１乃至４記載のパーティクル検出装置。
【請求項６】前記排気予備室に対する前記レーザ光照
射手段の取付部には、気密に取り付けられたレーザ透過
窓が設けられ、このレーザ透過窓の近傍にはこれに成膜
が付着することを防止する成膜防止用ヒータ手段が設け
られることを特徴とする請求項１乃至５記載のパーティ
クル検出装置。
【請求項７】前記真空室は、被処理体に所定の処理を
行なうための真空処理室であることを特徴とする請求項
１乃至６記載のパーティクル検出装置。