JP3298785B2 - 半導体製造装置および発塵評価方法 - Google Patents

半導体製造装置および発塵評価方法

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JP3298785B2 JP06845296A JP6845296A JP3298785B2 JP 3298785 B2 JP3298785 B2 JP 3298785B2 JP 06845296 A JP06845296 A JP 06845296A JP 6845296 A JP6845296 A JP 6845296A JP 3298785 B2 JP3298785 B2 JP 3298785B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
並びに発塵評価装置および発塵評価方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法で成膜したタングステン
（Ｗ）は優れた段差被覆性を示すため、半導体集積回路
装置の配線膜として利用されている。図８は例えば特開
平６−１８８１９３号公報に示された従来のタングステ
ンＣＶＤ装置を模式的に示す断面構成図である。図にお
いて、１はシリコンなどの半導体から成るウェハ、２は
ウェハ１を載置して支持するサセプタ、３はウェハ１を
サセプタ２に密着させるとともに、成膜時にウェハ１外
周部をマスキングして未成膜部を形成するためのシャド
ウリングである。４は成膜チャンバ、５は成膜チャンバ
４と外部との間で真空を破らずにウェハ１の受け渡しを
行うために設けられた予備室、６は成膜チャンバ４と外
部との間でウェハ１の受け渡しを行うウェハ搬送ロボッ
トアーム、７は成膜チャンバ４内にガスを導入する、表
面に多数の孔が形成された多孔ノズルヘッド、８は多孔
ノズルヘッド７までガスを供給するガス供給系、９は所
定枚数のウェハ１を収納して運搬可能にしたウェハカセ
ット、１０はサセプタ２を加熱するランプ、１１はラン
プ１０とサセプタ２との間の成膜チャンバ４の壁部に設
けられたランプウインドウである。
【０００３】１２は成膜チャンバ４内のガスを装置外へ
排気する排気管、１３はプラズマクリーニングのエンド
ポイント（終点）を検出するエンドポイント検出器、１
４は成膜チャンバ４のエンドポイント検出器１３が装着
される壁部に形成された窓、１５はパーティクルモニタ
であり、レーザ照射系１５ａ、検出器１５ｂ、および窓
１５ｃ，１５ｄから構成されている。１６は成膜チャン
バ４と予備室５との間の気密性を保つために設けられ、
ウェハ１の搬出入時に開けられるスリットバルブであ
る。３３はエンドポイント検出器１３が検出するプラズ
マクリーニングのエンドポイント検出信号に基づいてプ
ラズマクリーニングの終了を制御する制御信号を出力す
る終点検出制御装置である。
【０００４】次に動作について説明する。ウェハカセッ
ト９を予備室５に装着し、予備室５を外気から遮断した
のち、スリットバルブ１６を開いて予備室５と成膜チャ
ンバ４とを同気圧にしたのち、ウェハ搬送ロボットアー
ム６を用いてウェハカセット９からウェハ１を１枚取り
出しサセプタ２上に載置する。次いでサセプタ２を上昇
させてシャドウリング３をウェハ１の外周部に被着させ
る。サセプタ２はランプ１０の輻射熱により予め昇温さ
れているから、サセプタ２上に載置されたウェハ１はサ
セプタ２からの熱伝導により速やかに所定の温度に到達
する。この状態で多孔ノズルヘッド７から反応ガスをウ
ェハ１表面に吹き付けてタングステン薄膜を形成する。
反応ガスとしては例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）と６フ
ッ化タングステン（ＷＦ6 ）との混合ガスを用いる。ウ
ェハ１表面に所定の膜厚のタングステン薄膜の成膜が終
了したのち、ウェハ搬送ロボットアーム６を用いてウェ
ハ１をサセプタ２から外して予備室５に戻すことにより
一連の処理が終了する。
【０００５】図８に示した従来のタングステンＣＶＤ装
置では、ウェハ１以外にシャドウリング３やサセプタ２
の側面および成膜チャンバ４の内壁など装置の構成部材
のうち温度の高い部分の表面でもＷＦ6 ガスが熱分解し
てタングステン膜が付着する。このタングステン膜を除
去するために通常、プラズマクリーニングを行ってい
る。プラズマクリーニングは、ウェハ１を１枚処理した
直後に成膜チャンバ４内にＮＦ3 ガスを導入してプラズ
マを発生させ、このプラズマにより装置の構成部材に付
着したタングステン膜をエッチングして除去するもので
ある。具体的には、多孔ノズルヘッド７を通して成膜チ
ャンバ４内にＮＦ3 ガスを導入し、多孔ノズルヘッド７
とサセプタ２との間に高周波電圧を印加してプラズマを
発生させる。このプラズマ放電によりＮＦ3 ガスが分解
されてＦラジカル（活性種）が形成され、このＦラジカ
ルがタングステンと反応して揮発性のタングステンフッ
化物を生成することによりタングステン膜をエッチング
する。生成されたタングステンフッ化物は排気管１２を
通って成膜チャンバ４外へ排出される。
【０００６】また図８に示したタングステンＣＶＤ装置
では、プロセス条件の変動に起因してプロセスガスが予
定外の気相成長を起こして微小粒子が発生したり、プラ
ズマクリーニング不良に起因してタングステン膜のはが
れが発生するなどして装置内に微小粒子が発生したりす
る。これらの微小粒子がウェハ１に付着すると製造中の
集積回路装置に動作異常を発生させ、歩留まり低下の原
因になる。装置内での微小粒子の発生を速やかに検知し
て製品不良の発生を最小限に止めるために、パーティク
ルモニタ１５が用いられている。パーティクルモニタ１
５はプロセスガスの流れに乗って排気管１２内を通過す
る微小粒子を検出できるので、装置内で微小粒子が発生
したことを知ることができる。パーティクルモニタ１５
が微小粒子を検出し、それにより装置内での発塵が発見
された場合には、直ちに製品処理を中止し、成膜チャン
バ４を大気開放して内部をウェットクリーニングして装
置内の発塵源を除去する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されているので、プラズマクリーニ
ングの終点検出をエンドポイント検出器１３を用いてプ
ラズマ中のＦラジカルの発光の変化を検出することによ
り行っていたが、ウェハ１の処理枚数が増えるとエンド
ポイント検出器１３の窓１４に堆積するタングステンの
膜厚が増大するなどして窓１４が曇り、プラズマからの
発光が十分にエンドポイント検出器１３に入射しなくな
るため、エンドポイントの検出不良が生じるという課題
があった。
【０００８】また、パーティクルモニタ１５に関して
は、ウェハ１の処理枚数が増えると、窓１５ｃ，１５ｄ
に堆積するタングステンの膜厚が増大するなどして窓が
曇り、レーザ照射系１５ａから排気管１２内を通過する
微小粒子に照射されるレーザ光強度が低下する、あるい
は微小粒子からの散乱光の検出率が低下するという課題
があった。
【０００９】さらに、従来の装置では微小粒子の検出精
度を高めるためにパーティクルモニタ１５はできるだけ
成膜チャンバ４に近付けて設置しているので、パーティ
クルモニタ１５の窓１５ｃ，１５ｄが曇った場合、装置
の運転を停止して成膜チャンバ４を大気開放してクリー
ニングしなければならない。したがってクリーニング中
は成膜処理ができないので、装置の稼働率が低下すると
いう課題があった。
【００１０】さらに、パーティクルモニタ１５は装置内
で発塵があったことを検知するだけで、発塵個所を特定
するのは困難であった。具体的には、装置内のどの部分
で発塵が発生したかという情報を得ることができないた
め、例えばウェハ１の搬送路の位置ずれが発生している
場合でもその位置ずれの方向を特定できないので、対策
を講じられないという課題があった。
【００１１】さらに、パーティクルモニタ１５の検出精
度の較正は通常、大気圧状態において標準粒子発生源を
用いて行っているため、パーティクルモニタ１５を実際
に使用する真空中あるいは低圧のプロセスガス中とは屈
折率などが異なるから、実使用条件でのパーティクルモ
ニタ１５の検出精度の較正ができないという課題があっ
た。
【００１２】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、エッチングやプラズマクリーニン
グのエンドポイント検出が長期間にわたり安定して可能
な半導体製造装置並びに発塵評価装置および発塵評価方
法を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、内部に半導体ウェハを収納し、該半導体ウェ
ハ上に堆積された薄膜をプラズマを用いてエッチング
し、あるいは内部に付着した堆積物をプラズマを用いて
クリーニングするプロセスチャンバと、該プロセスチャ
ンバ内のガスを排気する排気管と、該排気管に設けら
れ、上記プラズマエッチング時またはプラズマクリーニ
ング時に発生する粒子数を計測するパーティクルモニタ
と、該パーティクルモニタが計測する粒子数を時系列で
観測して、上記プラズマエッチングまたはプラズマクリ
ーニングの終点を検出して、上記プラズマエッチングま
たはプラズマクリーニングを終了させる終点検出制御装
置とを備え、パーティクルモニタを設置した複数の排気
管をプロセスチャンバに設け、 信号処理装置は上記複数
のパーティクルモニタからの発塵時刻検出信号を基に発
塵場所を算出するものである。
【００１４】 この発明に係る発塵評価方法は、請求項１
の半導体製造装置のプロセスチャンバ内に、所定の粒径
のブラスト材を用いて表面をブラスト処理した磁性を有
する部材と、該部材を変形させて残留ブラスト材を放出
させる部材変形手段とを備えた発塵評価装置を少なくと
も１台設置し、該発塵評価装置を真空中または所定のプ
ロセスガス雰囲気中で動作させて多数の粒子を発生さ
せ、パーティクルモニタによってこれらの粒子を検出す
ることにより、粒子の飛行速度の較正を行うものであ
る。
【００１５】 この発明に係る発塵評価方法は、発塵評価
装置が、表面をブラスト処理した磁性を有する部材の材
料にステンレスを用い、部材変形手段を磁性を有するス
テンレス板を片持ち梁状に支持する支持台と、ステンレ
ス板の自由端を吸引・反発させる電磁石とで構成したも
のである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１． 図１はこの発明の実施の形態１による半導体製造装置を
示す図であり、この発明をＣＶＤ装置に適用した例を示
す。図において、１はシリコンなどの半導体から成るウ
ェハ、２はウェハ１を載置して支持するサセプタ、３は
ウェハ１をサセプタ２に密着させるとともに、成膜時に
ウェハ１の外周部をマスキングして未成膜部を形成する
ためのシャドウリングである。４は成膜チャンバ（プロ
セスチャンバ）、５は成膜チャンバ４と外部との間で真
空を破らずにウェハ１の受け渡しを行うために設けられ
た予備室、６は成膜チャンバ４と外部との間でウェハ１
の受け渡しを行うウェハ搬送ロボットアーム、７は成膜
チャンバ４内にガスを導入する、表面に多数の孔が形成
された多孔ノズルヘッドであり、反応ガスをウェハ１の
全面に吹き付ける。
【００１７】 ８はガス供給源（図示せず）から多孔ノズ
ルヘッド７までガスを供給するガス供給系、９は所定枚
数のウェハ１を収納して運搬可能にするウェハカセッ
ト、１０はサセプタ２を加熱するためのランプ、１１は
ランプ１０とサセプタ２との間の成膜チャンバ４の壁部
に設けられたランプウインドウ、１２は成膜チャンバ４
内のガスを装置外へ排気する排気管、１３は成膜の終了
時点を検出するエンドポイント検出器、１４はエンドポ
イント検出器１３が装着される成膜チャンバ４の壁部に
形成された窓、１５はパーティクルモニタであり、レー
ザ照射系１５ａ、検出器１５ｂ、および窓１５ｃ，１５
ｄから構成されている。１６は成膜チャンバ４と予備室
５との間の気密性を保つために設けられ、ウェハ１の搬
出入時に開けられるスリットバルブである。３１はパー
ティクルモニタ１５が出力する微小粒子カウント数信号
を入力し、プラズマクリーニングのエンドポイントを検
出するとともに、検出結果に基づいて装置各部に制御信
号を出力する終点検出制御装置である。
【００１８】次に動作について説明する。まずウェハカ
セット９を予備室５に装着し、予備室５を外気から遮断
したのち、スリットバルブ１６を開いて予備室５と成膜
チャンバ４とを同気圧にする。成膜チャンバ４内は図示
しない真空排気装置、例えばメカニカルブースターポン
プを用いて１０ｍＴｏｒｒ（およそ１Ｐａ）程度の圧力
まで排気されている。次いでウェハ搬送ロボットアーム
６を用いてウェハカセット９からウェハ１を１枚取り出
しサセプタ２上に載置したのち、サセプタ２を上昇させ
てシャドウリング３をウェハ１の外周部に被着させる。
サセプタ２はランプ１０の輻射熱により予め昇温されて
いるから、サセプタ２上に載置されたウェハ１はサセプ
タ２からの熱伝導により速やかに所定の温度（４００°
Ｃないし５００°Ｃ）に到達する。この状態で多孔ノズ
ルヘッド７から反応ガスをウェハ１表面に吹き付けてタ
ングステン薄膜を堆積する。
【００１９】 タングステン成膜プロセスの具体例をウェ
ハ１上に形成されたコンタクトホールをタングステン
（Ｗ）で穴埋めする例を用いて説明する。まずウェハ１
上にタングステン（Ｗ）の核を形成するためにモノシラ
ン（ＳｉＨ4 ）ガスと６フッ化タングステン（ＷＦ6 ）
ガスとを１：３の比率で混合したガスをキャリアガスに
アルゴン（Ａｒ）を用いてウェハ１上に３０秒間ないし
１００秒間供給する。次にステップカバレージ（段差被
覆性）の良い条件のガス、例えば６フッ化タングステン
（ＷＦ6 ）ガスと水素（Ｈ2 ）とを１：５の割合で混合
したガスをウェハ１上に５０秒間ないし２００秒間供給
する。このプロセスにより穴埋め性の良好なタングステ
ン膜が０．５〜１．０μｍ程度の膜厚に堆積される。成
膜終了後、ウェハ搬送ロボットアーム６を用いてウェハ
１をサセプタ２から外して予備室５に戻す。以上で一連
のタングステン（Ｗ）成膜プロセスが終了する。
【００２０】 上述したこの実施の形態１に係るタングス
テンＣＶＤ装置でも従来の装置と同様に、ウェハ１表面
以外にシャドウリング３の表面、サセプタ２の側面およ
び成膜チャンバ４の内壁など装置の構成部材のうち温度
の高い部分の表面でもＷＦ6ガスが熱分解するため、そ
こにタングステン膜が堆積する。これらの部材にタング
ステン膜が堆積していると次のタングステン成膜プロセ
スの遂行に不都合であるから、除去する必要がある。そ
のために通常、プラズマクリーニングを行う。
【００２１】 プラズマクリーニングは、ウェハ１を１枚
処理した直後に成膜チャンバ４内に３フッ化窒素（ＮＦ
3 ）ガスを導入してプラズマを発生させ、このプラズマ
により装置の構成部材表面に堆積したタングステン膜を
エッチングして除去するものである。具体的には多孔ノ
ズルヘッド７を通して成膜チャンバ４内にＮＦ3 ガスを
導入し、多孔ノズルヘッド７とサセプタ２との間に高周
波電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマ
放電によりＮＦ3 ガスが分解されてＦラジカル（活性
種）が形成され、このＦラジカルがタングステンと反応
して揮発性のタングステンフッ化物を生成することによ
りタングステン膜をエッチングする。生成されたタング
ステンフッ化物は排気管１２を通って成膜チャンバ４外
へ排出される。
【００２２】 この実施の形態１では、プラズマクリーニ
ングのエンドポイントの検出は、パーティクルモニタ１
５がカウントする微小粒子のカウント値を終点検出制御
装置３１が時系列的に観測することにより行う。図２は
プラズマクリーニング時にパーティクルモニタ１５を用
いて測定した微小粒子のカウント数の観測例を示すグラ
フ図である。図において、横軸はタングステンの発塵が
観測された時点を始点とする経過時間（秒単位）、縦軸
はパーティクルモニタ１５における微小粒子カウント数
（任意単位）である。図２から分かるようにプラズマク
リーニング初期で成膜チャンバ４の内壁や構成部材にタ
ングステン膜が残留している間は、揮発性のタングステ
ンフッ化物とともにタングステンの微小粒子が発生する
ので、タングステンの発塵が観測される。タングステン
の発塵量はプラズマクリーニングの開始直後から増大
し、ある時間経過後にピークを付けたのち減少に転じ、
ある時点で全く観測されなくなる。これは成膜チャンバ
４の内壁などに堆積したタングステン膜が完全に除去さ
れるとタングステン微小粒子の発生（タングステンの発
塵）がなくなるためである。
【００２３】 さらにプラズマクリーニングを続けると成
膜チャンバ４の構成材料、例えばアルミナセラミックス
の微小粒子が発生する（アルミナの発塵）。この実施の
形態１では、終点検出制御装置３１がパーティクルモニ
タ１５によりカウントされたプラズマクリーニング中の
発塵量の時間変化を観測し、最初の発塵がなくなった時
点（図１の例では発塵開始から３０秒間経過後）、すな
わちタングステンの微小粒子の発生（タングステンの発
塵）がなくなった時点をエンドポイントとして判定す
る。エンドポイントが判定されたら、終点検出制御装置
３１は制御信号を出力してプラズマクリーニングを終了
させる。
【００２４】 この実施の形態１ではプラズマクリーニン
グのエンドポイントの検出にパーティクルモニタ１５が
計測する微小粒子のカウント数を用いている。これによ
り次の利点が得られる。すなわちパーティクルモニタ１
５はサセプタ２などの発熱部から離れた場所に位置する
排気管１２に取り付けられているから、温度上昇が小さ
く、窓１５ｃ，１５ｄが曇りにくい。その結果パーティ
クルモニタ１５は常に正常に動作するので、プラズマク
リーニングのエンドポイントを正確に検出できる。した
がって長期間にわたって安定してプラズマクリーニング
のエンドポイントの検出が可能となり、装置のメンテナ
ンス周期を長くすることができるとともに、装置の稼働
率を高めることができる。
【００２５】 なお上述した実施の形態１では、この発明
をタングステンＣＶＤ装置におけるプラズマクリーニン
グに適用した例を示したが、これに限らず、この発明は
プラズマを発生させてエッチングやクリーニングを行う
プロセス装置全般に適用することができる。例えば、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜、タン
グステンシリサイド膜、アルミニウム膜、およびタング
ステン膜の成膜装置やこれらの膜のプラズマエッチング
装置に適用することができる。
【００２６】 実施の形態２． 図３はこの発明の実施の形態２による半導体製造装置を
示す図であり、この発明をＣＶＤ装置に適用した他の例
を示す。図において、ウェハ１、サセプタ２、シャドウ
リング３、成膜チャンバ４、予備室５、ウェハ搬送ロボ
ットアーム６、多孔ノズルヘッド７、ガス供給系８、ウ
ェハカセット９、ランプ１０、ランプウインドウ１１、
排気管１２、エンドポイント検出器１３、窓１４、パー
ティクルモニタ１５、レーザ照射系１５ａ、検出器１５
ｂ、窓１５ｃ，１５ｄ、スリットバルブ１６、および終
点検出制御装置３１は図１に示した上記実施の形態１の
装置と同じものであるので、その説明を割愛する。
【００２７】 この実施の形態２に係るタングステンＣＶ
Ｄ装置は図１に示した装置に加えて、排気管１２に遮断
弁１７を設けたものである。この遮断弁１７は成膜チャ
ンバ４とパーティクルモニタ１５との間に設けられ、成
膜チャンバ４とパーティクルモニタ１５とを真空分離す
るように作用する。遮断弁１７としては、成膜チャンバ
４から排気管１２内を飛行する微小粒子の通行を妨げな
い構造の弁が望ましいので、例えばゲート弁やボール弁
を用いる。
【００２８】 次に動作について説明する。パーティクル
モニタ１５の窓１５ｃ，１５ｄは曇りにくいものである
が、装置を最適な状態に保つためにはこれらの窓１５
ｃ，１５ｄを定期的にクリーニングする必要がある。パ
ーティクルモニタ１５の窓１５ｃ，１５ｄのクリーニン
グは、遮断弁１７を閉じることにより成膜チャンバ４と
パーティクルモニタ１５とを分離して成膜チャンバ４を
真空に保った状態で行う。これにより成膜チャンバ４内
は大気にさらされないから、パーティクルモニタ１５の
窓１５ｃ，１５ｄのクリーニングが終了したのち、遮断
弁１７を再開してタングステンの成膜処理を速やかに続
行することができる。
【００２９】 また、成膜チャンバ４を大気開放してメン
テナンスを施す際に、パーティクルモニタ１５の窓１５
ｃ，１５ｄの汚れが少ない場合は、遮断弁１７を閉じ
て、パーティクルモニタ１５を真空排気しておく。この
操作により、窓１５ｃ，１５ｄの付着物の酸化を抑制で
きるから、成膜チャンバ４のメンテナンス時に、パーテ
ィクルモニタ１５の窓１５ｃ，１５ｄをクリーニングし
なくて済む。
【００３０】 以上のように、この実施の形態２によれ
ば、成膜チャンバ４とパーティクルモニタ１５との間に
遮断弁１７を設けたので、パーティクルモニタ１５のメ
ンテナンス中においても成膜チャンバ４内を真空に保つ
ことが可能になる。その結果メンテナンス終了後の装置
の立ち上げを即座に行うことが可能になるので、パーテ
ィクルモニタ１５のメンテナンスに伴う装置の稼働率の
低下を最小限に止めることができる。また装置のクリー
ニング頻度を低くすることができるので、装置の稼働率
を高めることができる。
【００３１】 実施の形態３． 図４はこの発明の実施の形態３によるＣＶＤ装置の主要
部の破断斜視図であり、図において、１はウェハ、２は
サセプタ、３はシャドウリング、４は成膜チャンバ、６
はウェハ搬送ロボットアーム、１１はランプウインド
ウ、１２ａ，１２ｂは排気管、１５，１８はパーティク
ルモニタであるが、これらの部品は図１に示した上記実
施の形態１に係る装置のものと同じであるので詳細な説
明は割愛する。
【００３２】 この実施の形態３に係るＣＶＤ装置は、成
膜チャンバ４に複数の排気管１２ａ，１２ｂを設け、各
排気管１２ａ，１２ｂにパーティクルモニタ１５，１８
を設けたものである。図４は成膜チャンバ４に２個の排
気管１２ａ，１２ｂを設け、各排気管１２ａ，１２ｂに
パーティクルモニタ１５，１８を設けた例を示してい
る。さらに、この実施の形態３に係るＣＶＤ装置は、パ
ーティクルモニタ１５，１８が微小粒子数をカウントし
た値を出力する発塵信号を処理して成膜チャンバ４内の
発塵が発生した位置を算出する信号処理装置２１を備え
ている。
【００３３】 次に動作について説明する。ウェハ搬送ロ
ボットアーム６を用いてウェハ１をサセプタ２上に載置
する際に位置ずれが生じると、その後サセプタ２を上昇
させてウェハ１にシャドウリング３を被着するときにウ
ェハ１とシャドウリング３とがこすれて発塵する。これ
により発生する微小粒子はプロセスガスの流れに乗って
排気される。プロセスガスの流速は一定であるから、上
述した微小粒子の飛行速度をｖとすると、ｖはほぼ一定
とみなせる。サセプタ２の上昇時にウェハ１とシャドウ
リング３とがこすれて発生する微小粒子が２個のパーテ
ィクルモニタ１５，１８まで飛行する時間ｔ1 およびｔ
2 は、図５に示すようにサセプタ２の上昇時刻を基準に
して求めることができる。
【００３４】 図５に示すパーティクルモニタ１５の検出
信号（ａ）およびパーティクルモニタ１８の検出信号
（ｂ）は信号処理装置２１に出力される。検出信号
（ａ）および（ｂ）が入力された信号処理装置２１は、
図６に示すようにパーティクルモニタ１５の設置位置を
中心とし半径ｔ1 ｖの円Ｃ15と、パーティクルモニタ１
８の設置位置を中心とし半径ｔ2 ｖの円Ｃ18との交点Ｋ
を算出することにより発塵発生場所を特定する。発塵が
発生する場所Ｋが特定されると、装置の制御部（図示せ
ず）はウェハ１とシャドウリング３とのこすれを解消し
て発塵しないように、ウェハ搬送ロボットアーム６がウ
ェハ１の受け渡しを行う位置の補正を行う。上述した一
連の発塵解消操作は成膜チャンバ４の真空を破らずに行
うことができるから、装置の稼働率を向上させることが
できる。
【００３５】 以上のように、この実施の形態３によれ
ば、複数のパーティクルモニタ１５，１８と信号処理装
置２１とを用いて、ウェハ１受け渡し時に突発的なこす
れ発塵が発生した場合、各パーティクルモニタ１５，１
８が検出する発塵検出時間の違いから発塵場所を特定
し、それに基づいてウェハ１の受け渡しに伴うこすれ
を、成膜チャンバ４の真空を破らずに解消できるように
したので、装置の稼働率を大幅に向上することができ
る。
【００３６】 実施の形態４． 図７はこの発明の実施の形態４による発塵評価装置を示
す図であり、図において、１００はこの発明に係る発塵
評価装置、１０１はブラスト材を用いてブラスト処理を
施した磁性を有するステンレス板（磁性を有する部
材）、１０２は磁性を有するステンレス板１０１を片持
ち梁状に支持する支持台（部材変形手段）、１０３は電
磁石（部材変形手段）、１０４は永久磁石、１０５は残
留ブラスト材、１０６はステンレス粉末である。この実
施の形態４に係る発塵評価装置はパーティクルモニタの
検出精度の較正を行う際に、パーティクルモニタ１５が
検出する微小粒子の発生源として用いられる。
【００３７】 次に動作について説明する。図７に示すこ
の発明に係る発塵評価装置１００に設けられた電磁石１
０３に電源（図示せず）から断続的に電流を流すと断続
的に磁力が発生する。この磁力により片持ち梁状に支持
された磁性を有するステンレス板１０１の自由端を吸引
・反発させて変形させると、磁性を有するステンレス板
１０１の表面から残留ブラスト材１０５が放出される。
この残留ブラスト材１０５の粒径はブラスト処理に用い
るブラスト材の粒径で規定される。残留ブラスト材１０
５としては粒径が、概ね１μｍから２０μｍの範囲内に
あるものを用いる。したがって磁性を有するステンレス
板１０１の表面から放出される残留ブラスト材１０５の
粒径は概ね１μｍから２０μｍの範囲内の値でほぼ均一
なものとなる。一方、同時に放出されるステンレス粉末
１０６は粒径に均一性がないので、永久磁石１０４に吸
着させることにより除去している。
【００３８】 図７に示すこの発明に係る発塵評価装置１
００を、例えば図１に示す実施の形態１に係る半導体製
造装置の成膜チャンバ４内に設置し、規定周波数のパル
ス電流を電磁石１０３に印加すると磁性を有するステン
レス板１０１表面から粒径が均一な残留ブラスト材１０
５が単位時間内に規定個数放出される。これらの残留ブ
ラスト材１０５が排気管１２内を通って装置外へ排出さ
れるときにパーティクルモニタ１５を通過するから、パ
ーティクルモニタ１５は単位時間内に通過する残留ブラ
スト材１０５の個数をカウントする。そのカウント値が
規定範囲内に納まるように感度を調整することによりパ
ーティクルモニタ１５の検出精度を較正する。
【００３９】 以上のように、この実施の形態４によれ
ば、真空中あるいは低圧のプロセスガス中で動作可能で
あるから、実際の使用環境下で、かつ任意のタイミング
で所定の粒径の粒子を発生させることができるので、パ
ーティクルモニタ１５の検出精度の較正を高い精度で行
うことが可能になる。
【００４０】 なお、上記実施の形態４では腐食防止、プ
ロセスガスに対する耐食性などの観点からブラスト処理
を施す部材としてステンレスを用いた例を示したが、耐
食性の高い他の磁性材料、例えばフェライトなどを用い
ても同様の効果がある。
【００４１】 実施の形態５． 上記実施の形態３では微小粒子の飛行速度ｖをプロセス
ガスの流速と同等として構成したが、成膜チャンバ４の
形状や微小粒子の粒径によっては、微小粒子の飛行速度
ｖとプロセスガスの流速とが異なる場合も生じる。この
場合には複数のパーティクルモニタ１５を成膜チャンバ
４に取り付けた半導体製造装置において、図７に示した
この発明に係る発塵評価装置１００をこすれ発塵が発生
しやすい場所、例えばシャドウリング３の内周上に対応
する位置に設置してパルス的に動作させ、発生粒子を複
数のパーティクルモニタ１５で観測することにより微小
粒子の飛行速度ｖを補正する。これにより突発的に発生
する発塵の発生位置を特定する精度を向上させることが
できる。
【００４２】
【発明の効果】この発明によれば、プロセスチャンバに
複数の排気管を設け、各排気管にパーティクルモニタを
設置し、この複数のパーティクルモニタからの発塵時刻
検出信号を基に発塵場所を算出する信号処理装置を備え
るように構成したので、ウェハ受け渡し時に突発的なこ
すれ発塵が発生した場合、複数のパーティクルモニタが
検出する発塵検出時間の違いから発塵場所を特定するよ
うに構成したので、発塵場所の特定結果に基づいてウェ
ハ受け渡しに伴うこすれを、プロセスチャンバの真空を
破らずに解消できるため、装置の稼働率が大幅に向上す
る効果がある。
【００４３】 この発明によれば、上述の発明に係る半導
体製造装置のプロセスチャンバ内に、当該発塵評価装置
を少なくとも１台設置し、この発塵評価装置を真空中ま
たは所定のプロセスガス雰囲気中で動作させて多数の粒
子を発生させ、パーティクルモニタによってこれらの粒
子を検出することにより、粒子の飛行速度の較正を行う
ように構成したので、微小粒子の飛行速度とプロセスガ
スの流速とが異なる場合、発塵評価装置をこすれ発塵が
発生しやすい場所に対応する位置に設置してパルス的に
動作させて発生する粒子を複数のパーティクルモニタで
観測することにより微小粒子の飛行速度を補正すること
ができるから、突発的に発生する発塵の発生位置を特定
する精度を向上させる効果がある。
【００４４】 この発明によれば、表面をブラスト処理し
た磁性を有する部材の材料にステンレスを用い、部材変
形手段を磁性を有するステンレス板を片持ち梁状に支持
する支持台と、ステンレス板の自由端を吸引・反発させ
る電磁石とを備えるように構成したので、実用性の高い
発塵評価装置を簡易な構成で実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体製造装
置を示す図であり、この発明をＣＶＤ装置に適用した例
を示す。
【図２】 プラズマクリーニング時にパーティクルモニ
タ１５を用いて測定した微小粒子のカウント数の観測例
を示すグラフ図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による半導体製造装
置示す図であり、この発明をＣＶＤ装置に適用した他の
例を示す。
【図４】 この発明の実施の形態３によるＣＶＤ装置の
主要部の破断斜視図である。
【図５】 パーティクルモニタ１５の検出信号（ａ）お
よびパーティクルモニタ１８の検出信号（ｂ）を示す図
である。
【図６】 パーティクルモニタ１５の設置位置を中心と
し半径ｔ1 ｖの円Ｃ15と、パーティクルモニタ１８の設
置位置を中心とし半径ｔ2 ｖの円Ｃ18との交点Ｋを算出
する例を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態４による発塵評価装置
の構造を示す図である。
【図８】 従来のタングステンＣＶＤ装置を模式的に示
す断面構成図である。
【符号の説明】
１ ウェハ、４ 成膜チャンバ（プロセスチャンバ）、
１２ 排気管、１５パーティクルモニタ、１７ 遮断
弁、２１ 信号処理装置、３１ 終点検出制御装置、１
０１ 磁性を有するステンレス板（磁性を有する部
材）、１０２ 支持台（部材変形手段）、１０３ 電磁
石（部材変形手段）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大久 晃 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−291188（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−146026（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−13325（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−331445（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−52428（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 G01N 15/00 H01L 21/66

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部に半導体ウェハを収納し、該半導体
    ウェハ上に堆積された薄膜をプラズマを用いてエッチン
    グし、あるいは内部に付着した堆積物をプラズマを用い
    てクリーニングするプロセスチャンバと、該プロセスチ
    ャンバ内のガスを排気する排気管と、該排気管に設けら
    れ、上記プラズマエッチング時またはプラズマクリーニ
    ング時に発生する粒子数を計測するパーティクルモニタ
    と、該パーティクルモニタが計測する粒子数を時系列で
    観測して、上記プラズマエッチングまたはプラズマクリ
    ーニングの終点を検出して、上記プラズマエッチングま
    たはプラズマクリーニングを終了させる終点検出制御装
    置とを備えた半導体製造装置であって、上記プロセスチ
    ャンバに複数の排気管を設け、各排気管にパーティクル
    モニタを設置し、上記複数のパーティクルモニタからの
    発塵時刻検出信号を基に発塵場所を算出する信号処理装
    置を備えた半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 請求項１の半導体製造装置のプロセスチ
    ャンバ内に、所定の粒径のブラスト材を用いて表面をブ
    ラスト処理した磁性を有する部材と、該部材を変形させ
    て残留ブラスト材を放出させる部材変形手段とを備えた
    発塵評価装置を少なくとも１台設置し、該発塵評価装置
    を真空中または所定のプロセスガス雰囲気中で動作させ
    て多数の粒子を発生させ、パーティクルモニタによって
    これらの粒子を検出することにより、粒子の飛行速度の
    較正を行うことを特徴とする発塵評価方法。
  3. 【請求項３】 発塵評価装置が、表面をブラスト処理し
    た磁性を有する部材の材料にステンレスを用い、部材変
    形手段を磁性を有するステンレス板を片持ち梁状に支持
    する支持台と、ステンレス板の自由端を吸引・反発させ
    る電磁石とで構成したことを特徴とする請求項２記載の
    発塵評価方法。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6017414A (en) 1997-03-31 2000-01-25 Lam Research Corporation Method of and apparatus for detecting and controlling in situ cleaning time of vacuum processing chambers
KR100276567B1 (ko) * 1997-12-31 2000-12-15 김영환 반도체제조장비의파티클검출방법
JP3833810B2 (ja) * 1998-03-04 2006-10-18 株式会社日立製作所 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置
US6355570B1 (en) 1998-03-04 2002-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses
US6246473B1 (en) * 1998-04-23 2001-06-12 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6223755B1 (en) 1998-04-23 2001-05-01 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6134005A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6221679B1 (en) * 1998-04-23 2001-04-24 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6269278B1 (en) 1998-04-23 2001-07-31 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US6132577A (en) * 1998-04-23 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
JP4320924B2 (ja) * 1999-06-15 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 パーティクル計測装置及び処理装置
US7515264B2 (en) * 1999-06-15 2009-04-07 Tokyo Electron Limited Particle-measuring system and particle-measuring method
JP3535785B2 (ja) 1999-11-26 2004-06-07 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法
JP3590328B2 (ja) * 2000-05-11 2004-11-17 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム
US6771371B2 (en) * 2000-08-10 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Particle detection and removal apparatus for use on wafer fabrication equipment to lower tool related defects from particle contamination
US6684892B2 (en) * 2001-10-16 2004-02-03 Mccleary Daniel Method and apparatus for online and offline cleaning of industrial systems
US20030160024A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Tadayashi Kawaguchi Plasma processing method and apparatus
JP3913646B2 (ja) 2002-08-30 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6863772B2 (en) * 2002-10-09 2005-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Dual-port end point window for plasma etcher
JP2005043052A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Hitachi High-Technologies Corp 異物検出方法、処理装置および異物管理システム
JP4270457B2 (ja) * 2004-03-10 2009-06-03 大日本スクリーン製造株式会社 有機物除去装置および膜厚測定装置
US7464581B2 (en) * 2004-03-29 2008-12-16 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring
JP5192122B2 (ja) * 2005-01-19 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム
US7534469B2 (en) * 2005-03-31 2009-05-19 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device
US7637143B2 (en) * 2006-11-10 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and analysis method therefor
JP4849626B2 (ja) * 2007-01-16 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 パーティクルモニタシステム及び基板処理装置
KR101953379B1 (ko) * 2017-05-11 2019-02-28 한국표준과학연구원 플라즈마 설비용 내구성 부품의 오염입자 평가장비
TWI807790B (zh) 2019-06-21 2023-07-01 美商瓦特洛威電子製造公司 用於監測動態系統的情況之系統及方法
CN110643974B (zh) * 2019-09-23 2021-11-05 苏州迈正科技有限公司 一种托盘回传清洗机构及一种对托盘进行清洗的方法
US10925146B1 (en) * 2019-12-17 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ion source chamber with embedded heater

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639115A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Canon Inc 微粒子流の流れ制御装置
JPH0252428A (ja) * 1988-08-16 1990-02-22 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US5083865A (en) * 1990-05-11 1992-01-28 Applied Materials, Inc. Particle monitor system and method
JPH0547717A (ja) * 1991-01-22 1993-02-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ表面処理の終点検出方法及びプラズマ表面処理装置の状態監視方法
US5271264A (en) * 1991-11-27 1993-12-21 Applied Materials, Inc. Method of in-situ particle monitoring in vacuum systems
JPH05291188A (ja) * 1992-04-08 1993-11-05 Hitachi Ltd プラズマ処理装置のパラメータ監視システム
JPH0613325A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Tohoku Ltd 熱処理装置および処理容器のクリーニング方法
JP3169151B2 (ja) * 1992-10-26 2001-05-21 三菱電機株式会社 薄膜形成装置
JP3284278B2 (ja) * 1992-10-30 2002-05-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US5360980A (en) * 1993-02-26 1994-11-01 High Yield Technology Structure and method for providing a gas purge for a vacuum particle sensor installed in a corrosive or coating environment
US5424558A (en) * 1993-05-17 1995-06-13 High Yield Technology, Inc. Apparatus and a method for dynamically tuning a particle sensor in response to varying process conditions
JPH07169693A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Mitsubishi Electric Corp 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法
JPH07331445A (ja) * 1994-06-01 1995-12-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
JPH07335557A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置のガス排気管
JPH088219A (ja) * 1994-06-23 1996-01-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の載置用ボードのクリーニング方法、およびそのクリーニング装置

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