JP3535785B2 - クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法 - Google Patents
クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置内
に堆積した物質を取り除くドライクリーニング処理の終
点を検出する方法および装置に関する。
に堆積した物質を取り除くドライクリーニング処理の終
点を検出する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造に用いられる装置は、真空容
器内でプロセスガスを熱やプラズマで活性化させ、半導
体基板を処理するが、処理後に不要な反応生成物や堆積
物が容器内に付着するので、クリーニングする必要があ
る。作業者が真空容器を開け、手作業で不要な付着物を
除去する方法は、内部ヒータの昇温、降温や、真空容器
内を元の真空度に到達させるまでに時間がかかり、生産
性を低下させる。
器内でプロセスガスを熱やプラズマで活性化させ、半導
体基板を処理するが、処理後に不要な反応生成物や堆積
物が容器内に付着するので、クリーニングする必要があ
る。作業者が真空容器を開け、手作業で不要な付着物を
除去する方法は、内部ヒータの昇温、降温や、真空容器
内を元の真空度に到達させるまでに時間がかかり、生産
性を低下させる。
【０００３】そこで、一般には、クリーニング用ガスを
真空容器内に導入し、熱やプラズマによってクリーニン
グ用ガスを活性化させ、活性化させたクリーニング用ガ
スを不要付着物と反応させて、除去する方法が採られて
いる。
真空容器内に導入し、熱やプラズマによってクリーニン
グ用ガスを活性化させ、活性化させたクリーニング用ガ
スを不要付着物と反応させて、除去する方法が採られて
いる。
【０００４】クリーニングの終了は、従来、作業者が目
視確認で経験的に定めた時間が経過した時刻とする方法
が採られてきた。
視確認で経験的に定めた時間が経過した時刻とする方法
が採られてきた。
【０００５】クリーニングにプラズマ処理を用いる場合
では、プラズマ発光スペクトルの変化を観測する方法が
ある。従来例として、特開昭６３−００５５３２公報、
特開昭６３−０１４４２１公報、特開昭６３−０８９６
８４公報、特開平７−１６９７５３公報に記載された方
法がある。これらは、不要付着物とクリーニングガスの
反応時のプラズマ発光スペクトルと、不要付着物が処理
された後のクリーニングガスのみのそれとが異なること
を利用した方法である。
では、プラズマ発光スペクトルの変化を観測する方法が
ある。従来例として、特開昭６３−００５５３２公報、
特開昭６３−０１４４２１公報、特開昭６３−０８９６
８４公報、特開平７−１６９７５３公報に記載された方
法がある。これらは、不要付着物とクリーニングガスの
反応時のプラズマ発光スペクトルと、不要付着物が処理
された後のクリーニングガスのみのそれとが異なること
を利用した方法である。
【０００６】また、特開昭６３−１２９６２９号公報、
特開平６−２２４１６３号公報、特開平９−１４３７４
２号公報、特開平１１−１３１２１１号公報に記載され
た真空容器内の圧力変化を観測する方法がある。これ
は、不要付着物とクリーニングガスが反応している時の
圧力と、クリーニングガスのみの圧力が異なることを利
用した方法である。真空容器内の圧力は、クリーニング
処理を開始すると、クリーニングガスが不要付着物と反
応してガス化することにより、上昇する。圧力は、クリ
ーニングガスと不要付着物との反応の進行と共に上昇し
続け、不要付着物が少なくなり反応が下火になると下降
し、一定値へと漸近する。圧力値が、この所定の値に達
した時をクリーニング終了時刻と判定する。
特開平６−２２４１６３号公報、特開平９−１４３７４
２号公報、特開平１１−１３１２１１号公報に記載され
た真空容器内の圧力変化を観測する方法がある。これ
は、不要付着物とクリーニングガスが反応している時の
圧力と、クリーニングガスのみの圧力が異なることを利
用した方法である。真空容器内の圧力は、クリーニング
処理を開始すると、クリーニングガスが不要付着物と反
応してガス化することにより、上昇する。圧力は、クリ
ーニングガスと不要付着物との反応の進行と共に上昇し
続け、不要付着物が少なくなり反応が下火になると下降
し、一定値へと漸近する。圧力値が、この所定の値に達
した時をクリーニング終了時刻と判定する。
【０００７】特開平９−２６０３５８号公報、特開平１
１−０８７２４８号公報には、真空容器の排気ラインに
パーティクルカウンターを設置し、剥離した不要付着物
を監視することで、クリーニング終点を検出する方法が
記載されている。パーティクルカウンターは、最小０．
２μｍ程度のパーティクルの数を計測できる性能の計数
器を用いる。予め定められた時間のクリーニングを処理
後に、窒素パージして排気ガス中に含まれるパーティク
ル数をカウントする操作を繰返し、パーティクル数が一
定レベル以下になると、クリーニング終了と判定する。
１−０８７２４８号公報には、真空容器の排気ラインに
パーティクルカウンターを設置し、剥離した不要付着物
を監視することで、クリーニング終点を検出する方法が
記載されている。パーティクルカウンターは、最小０．
２μｍ程度のパーティクルの数を計測できる性能の計数
器を用いる。予め定められた時間のクリーニングを処理
後に、窒素パージして排気ガス中に含まれるパーティク
ル数をカウントする操作を繰返し、パーティクル数が一
定レベル以下になると、クリーニング終了と判定する。
【０００８】他の方法として、高周波電圧や、被処理基
板の電位、プラズマインピーダンスの変化を利用する方
法がある。特開昭６１−２５６６３７号公報は、高周波
電圧の変化から終点を検出する方法を示している。特開
昭６３−１２８７１８号公報は、被処理基板の電位の変
化から終点を検出する方法を示している。特開平７−１
７９６４１号公報は、プラズマインピーダンスの変化か
ら終点を検出する方法を示している。
板の電位、プラズマインピーダンスの変化を利用する方
法がある。特開昭６１−２５６６３７号公報は、高周波
電圧の変化から終点を検出する方法を示している。特開
昭６３−１２８７１８号公報は、被処理基板の電位の変
化から終点を検出する方法を示している。特開平７−１
７９６４１号公報は、プラズマインピーダンスの変化か
ら終点を検出する方法を示している。
【０００９】プラズマを用いない熱プロセス装置でのク
リーニング終点検出には、特開平８−３０６６２８号公
報、特開平１０−０５５９６６号公報、特開平１０−１
６３１１６号公報に記載された真空容器内の温度を測定
する方法がある。不要付着物とクリーニングガスとの反
応時に発生する反応熱を観測する方法である。
リーニング終点検出には、特開平８−３０６６２８号公
報、特開平１０−０５５９６６号公報、特開平１０−１
６３１１６号公報に記載された真空容器内の温度を測定
する方法がある。不要付着物とクリーニングガスとの反
応時に発生する反応熱を観測する方法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
ではクリーニング終了時点の判定を正確に行うことは困
難である。以下に、各々の方法についての課題を述べ
る。
ではクリーニング終了時点の判定を正確に行うことは困
難である。以下に、各々の方法についての課題を述べ
る。
【００１１】経験的に定めたクリーニング時間が経過し
た段階でクリーニングを終了する方法では、プロセス条
件により不要付着物の量が変化したり、クリーニング条
件を変更することによって、終点までの時間も異なって
くるため、クリーニング残りが生じる可能性がある。こ
れを防止するために、クリーニング時間を長く取れば、
装置の稼働率の低下や、クリーニングガスの浪費につな
がる。
た段階でクリーニングを終了する方法では、プロセス条
件により不要付着物の量が変化したり、クリーニング条
件を変更することによって、終点までの時間も異なって
くるため、クリーニング残りが生じる可能性がある。こ
れを防止するために、クリーニング時間を長く取れば、
装置の稼働率の低下や、クリーニングガスの浪費につな
がる。
【００１２】プラズマ発光スペクトルの変化でクリーニ
ング終了時刻を判断する方法は、真空容器内の中心付近
のプラズマ光のみを観測するため、容器内壁近傍での反
応によるプラズマ光を観察することが困難であり、クリ
ーニング終了時刻を見誤る事態が多発するという問題点
がある。また、プラズマを用いない熱ＣＶＤ(chemical
vapor deposition)プロセスには適用できない。
ング終了時刻を判断する方法は、真空容器内の中心付近
のプラズマ光のみを観測するため、容器内壁近傍での反
応によるプラズマ光を観察することが困難であり、クリ
ーニング終了時刻を見誤る事態が多発するという問題点
がある。また、プラズマを用いない熱ＣＶＤ(chemical
vapor deposition)プロセスには適用できない。
【００１３】真空容器内の圧力変化を観測する方法で
は、以下の問題点がある。不要付着物は、クリーニング
ガスと反応してガス化すると同時に、付着力が弱いため
にパーティクルとなってガスと共に排気される。従っ
て、パーティクルとなって除去される分の増減により、
真空容器内圧力の収束時間にばらつきがあり、クリーニ
ング終了の判定によい再現性が見られない。また、真空
容器内圧力と比べ、圧力の変化量が小さいので、測定が
困難であるという課題もあった。
は、以下の問題点がある。不要付着物は、クリーニング
ガスと反応してガス化すると同時に、付着力が弱いため
にパーティクルとなってガスと共に排気される。従っ
て、パーティクルとなって除去される分の増減により、
真空容器内圧力の収束時間にばらつきがあり、クリーニ
ング終了の判定によい再現性が見られない。また、真空
容器内圧力と比べ、圧力の変化量が小さいので、測定が
困難であるという課題もあった。
【００１４】真空容器の排気ラインでパーティクル数を
計測する方法では、クリーニング処理と、窒素パージ中
のパーティクル計数という操作を、場合によっては何回
か繰り返す必要がある。特にクリーニングの終点検出を
正確に行うためには、クリーニング時間を短くして頻繁
にパーティクルを計数するといった、非常に手間がかか
るという課題があった。
計測する方法では、クリーニング処理と、窒素パージ中
のパーティクル計数という操作を、場合によっては何回
か繰り返す必要がある。特にクリーニングの終点検出を
正確に行うためには、クリーニング時間を短くして頻繁
にパーティクルを計数するといった、非常に手間がかか
るという課題があった。
【００１５】プラズマを用いたクリーニング処理におけ
る高周波電圧や、被処理基板の電位、プラズマインピー
ダンスの変化を利用する方法は、これらの電気的信号の
強度変化が小さく、クリーニング終了検出の安定性が低
いという課題があった。
る高周波電圧や、被処理基板の電位、プラズマインピー
ダンスの変化を利用する方法は、これらの電気的信号の
強度変化が小さく、クリーニング終了検出の安定性が低
いという課題があった。
【００１６】不要付着物とクリーニングガスとの反応時
に発生する反応熱を観測する方法は、プラズマを用いな
い熱プロセスで主に使用されているが、真空容器内の雰
囲気温度に対し、反応熱は非常に小さく、クリーニング
終了検出の安定性が低い。また、クリーニングの終了時
刻と任意の温度までの降下時間とはばらつきがあり、正
確なクリーニング終了判定はよい再現性が得られないと
いう課題があった。
に発生する反応熱を観測する方法は、プラズマを用いな
い熱プロセスで主に使用されているが、真空容器内の雰
囲気温度に対し、反応熱は非常に小さく、クリーニング
終了検出の安定性が低い。また、クリーニングの終了時
刻と任意の温度までの降下時間とはばらつきがあり、正
確なクリーニング終了判定はよい再現性が得られないと
いう課題があった。
【００１７】本発明の目的は、クリーニング処理の終点
を精度よく検出できるクリーニング終点検出装置を提供
することにある。
を精度よく検出できるクリーニング終点検出装置を提供
することにある。
【００１８】本発明のもう一つの目的は、クリーニング
処理の終点を精度よく検出できるクリーニング終点検出
方法を提供することにある。
処理の終点を精度よく検出できるクリーニング終点検出
方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、反応室
の内壁への付着物の除去を、前記反応室内にクリーニン
グガスを導入し、前記反応室内に前記付着物の一部と前
記クリーニングガスとの反応によるクラスター雲を生成
させると共に、前記付着物の残りの一部を前記内壁から
剥離パーティクルとして剥離させ、前記クラスター雲お
よび前記剥離パーティクルを前記クリーニングガスと共
に前記反応室から排気することにより、行なう、クリー
ニング処理の終点を検出するクリーニング終点検出装置
において、前記反応室内の前記クラスター雲および前記
剥離パーティクルにレーザ光を照射し、前記クラスター
雲および前記剥離パーティクルによる散乱レーザ光を生
成させる照射手段と、前記散乱レーザ光を二次元画像情
報として計測する計測手段と、前記二次元画像情報を基
に、前記クリーニング処理の終点を判断する判断手段と
を有することを特徴とするクリーニング終点検出装置が
得られる。
の内壁への付着物の除去を、前記反応室内にクリーニン
グガスを導入し、前記反応室内に前記付着物の一部と前
記クリーニングガスとの反応によるクラスター雲を生成
させると共に、前記付着物の残りの一部を前記内壁から
剥離パーティクルとして剥離させ、前記クラスター雲お
よび前記剥離パーティクルを前記クリーニングガスと共
に前記反応室から排気することにより、行なう、クリー
ニング処理の終点を検出するクリーニング終点検出装置
において、前記反応室内の前記クラスター雲および前記
剥離パーティクルにレーザ光を照射し、前記クラスター
雲および前記剥離パーティクルによる散乱レーザ光を生
成させる照射手段と、前記散乱レーザ光を二次元画像情
報として計測する計測手段と、前記二次元画像情報を基
に、前記クリーニング処理の終点を判断する判断手段と
を有することを特徴とするクリーニング終点検出装置が
得られる。
【００２０】更に本発明によれば、反応室の内壁への付
着物の除去を、前記反応室内にクリーニングガスを導入
し、前記反応室内に前記付着物の一部と前記クリーニン
グガスとの反応によるクラスター雲を生成させると共
に、前記付着物の残りの一部を前記内壁から剥離パーテ
ィクルとして剥離させ、前記クラスター雲および前記剥
離パーティクルを前記クリーニングガスと共に前記反応
室から排気することにより、行なう、クリーニング処理
の終点を検出するクリーニング終点検出方法において、
前記反応室内の前記クラスター雲および前記剥離パーテ
ィクルにレーザ光を照射し、前記クラスター雲および前
記剥離パーティクルによる散乱レーザ光を生成させる照
射ステップと、前記散乱レーザ光を二次元画像情報とし
て計測する計測ステップと、前記二次元画像情報を基
に、前記クリーニング処理の終点を判断する判断ステッ
プとを有することを特徴とするクリーニング終点検出方
法が得られる。
着物の除去を、前記反応室内にクリーニングガスを導入
し、前記反応室内に前記付着物の一部と前記クリーニン
グガスとの反応によるクラスター雲を生成させると共
に、前記付着物の残りの一部を前記内壁から剥離パーテ
ィクルとして剥離させ、前記クラスター雲および前記剥
離パーティクルを前記クリーニングガスと共に前記反応
室から排気することにより、行なう、クリーニング処理
の終点を検出するクリーニング終点検出方法において、
前記反応室内の前記クラスター雲および前記剥離パーテ
ィクルにレーザ光を照射し、前記クラスター雲および前
記剥離パーティクルによる散乱レーザ光を生成させる照
射ステップと、前記散乱レーザ光を二次元画像情報とし
て計測する計測ステップと、前記二次元画像情報を基
に、前記クリーニング処理の終点を判断する判断ステッ
プとを有することを特徴とするクリーニング終点検出方
法が得られる。
【００２１】本発明は、クリーニング処理中に付着物の
一部とクリーニングガスとの反応生成物ガスが気相中で
反応してできたクラスター雲や、クラスター雲が生成さ
れた結果、付着物の残りの一部が付着力が弱くなって内
壁から剥離した剥離パーティクル（剥離パーティクルの
パーティクルサイズは、クラスター雲のパーティクルサ
イズより大きい）を含む検査領域に、レーザ光を照射
し、剥離パーティクルやクラスター雲を、レーザ光散乱
法で計測し、付着物がなくなって剥離パーティクルやク
ラスター雲が観測されなくなった時点をクリーニング処
理の終点と判断する。
一部とクリーニングガスとの反応生成物ガスが気相中で
反応してできたクラスター雲や、クラスター雲が生成さ
れた結果、付着物の残りの一部が付着力が弱くなって内
壁から剥離した剥離パーティクル（剥離パーティクルの
パーティクルサイズは、クラスター雲のパーティクルサ
イズより大きい）を含む検査領域に、レーザ光を照射
し、剥離パーティクルやクラスター雲を、レーザ光散乱
法で計測し、付着物がなくなって剥離パーティクルやク
ラスター雲が観測されなくなった時点をクリーニング処
理の終点と判断する。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２３】図１を参照すると、本発明によるクリーニ
ング終点検出装置が示されている。本クリーニング終点
検出装置は、プロセス装置の反応室（処理室）１の内壁
やウエハー支持台１１への付着物を除去するためのクリ
ーニング処理の終点を検出するものである。
ング終点検出装置が示されている。本クリーニング終点
検出装置は、プロセス装置の反応室（処理室）１の内壁
やウエハー支持台１１への付着物を除去するためのクリ
ーニング処理の終点を検出するものである。
【００２４】このクリーニング処理は、プロセス装置コ
ントローラ６の制御下で以下のように行われる。すなわ
ち、このクリーニング処理における反応室１の内壁やウ
エハー支持台１１への付着物の除去は、反応室１内にク
リーニングガスをガス導入口１２を介して導入し、反応
室１内に、付着物の一部とクリーニングガスとの反応に
よるクラスター雲を生成させると共に、付着物の残りの
一部を剥離パーティクルとして剥離させ、クラスター雲
および剥離パーティクルをクリーニングガスと共に反応
室１から排気口１３を介して排気することにより、行な
われる。
ントローラ６の制御下で以下のように行われる。すなわ
ち、このクリーニング処理における反応室１の内壁やウ
エハー支持台１１への付着物の除去は、反応室１内にク
リーニングガスをガス導入口１２を介して導入し、反応
室１内に、付着物の一部とクリーニングガスとの反応に
よるクラスター雲を生成させると共に、付着物の残りの
一部を剥離パーティクルとして剥離させ、クラスター雲
および剥離パーティクルをクリーニングガスと共に反応
室１から排気口１３を介して排気することにより、行な
われる。
【００２５】本クリーニング終点検出装置は、上述のク
リーニング処理の終点を検出するために、レーザ光源５
と、散乱光計測器７と、信号処理器８とを有する。
リーニング処理の終点を検出するために、レーザ光源５
と、散乱光計測器７と、信号処理器８とを有する。
【００２６】レーザ光源５は、反応室１内のクラスター
雲および剥離パーティクル２にレーザ光４をレーザ光入
射窓３３を介して照射し、クラスター雲および剥離パー
ティクル２による散乱レーザ光を生成させるものであ
る。反応室１に設けられた散乱光観測窓３２を通った散
乱レーザ光が散乱光計測器７に入射される。レーザ光源
５から出射され、反応室１中を通過するレーザ光４は、
反応室１に設けられたレーザ吸収体３１によって吸収さ
れる。
雲および剥離パーティクル２にレーザ光４をレーザ光入
射窓３３を介して照射し、クラスター雲および剥離パー
ティクル２による散乱レーザ光を生成させるものであ
る。反応室１に設けられた散乱光観測窓３２を通った散
乱レーザ光が散乱光計測器７に入射される。レーザ光源
５から出射され、反応室１中を通過するレーザ光４は、
反応室１に設けられたレーザ吸収体３１によって吸収さ
れる。
【００２７】散乱光計測器７は、散乱光観測窓３２を通
った散乱レーザ光を二次元画像情報として計測するもの
である。散乱光計測器７は、典型的には、ＣＣＤ(charg
e coupled device)カメラである。
った散乱レーザ光を二次元画像情報として計測するもの
である。散乱光計測器７は、典型的には、ＣＣＤ(charg
e coupled device)カメラである。
【００２８】信号処理器８は、散乱光計測器７からの二
次元画像情報を基に、クリーニング処理の終点を判断す
る終点判断器として動作するものである。
次元画像情報を基に、クリーニング処理の終点を判断す
る終点判断器として動作するものである。
【００２９】この際、信号処理器（終点判断器）８は、
散乱光計測器７からの二次元画像情報から、前記剥離パ
ーティクルのみならず前記クラスター雲が検出されなく
なった時点を前記クリーニング処理の終点と判断する。
散乱光計測器７からの二次元画像情報から、前記剥離パ
ーティクルのみならず前記クラスター雲が検出されなく
なった時点を前記クリーニング処理の終点と判断する。
【００３０】このため、信号処理器（終点判断器）８
は、二次元画像情報から、クラスター雲のパーティクル
サイズに実質的に等しい、所定サイズのパーティクルの
密度が所定の密度に低下した時点を、クリーニング処理
の終点と判断する。クラスター雲のパーティクルサイズ
に実質的に等しい所定サイズは、例えば２０ｎｍ以下で
ある。この場合、所定の密度は、例えば１００／ｃｍ２
である。
は、二次元画像情報から、クラスター雲のパーティクル
サイズに実質的に等しい、所定サイズのパーティクルの
密度が所定の密度に低下した時点を、クリーニング処理
の終点と判断する。クラスター雲のパーティクルサイズ
に実質的に等しい所定サイズは、例えば２０ｎｍ以下で
ある。この場合、所定の密度は、例えば１００／ｃｍ２
である。
【００３１】（第１の実施例）次に本発明の第１の実施
例について図１を参照して説明する。
例について図１を参照して説明する。
【００３２】タングステン熱ＣＶＤ装置（プロセス装
置）の反応室（真空容器）１内に、レーザ光入射窓３３
を通してレーザ光４を導入し、クラスター雲および剥離
パーティクル２による散乱レーザ光を散乱光計測器７で
二次元画像として計測する。レーザ光は、平均パワー
２．５ＷのＹＡＧ(yttrium-aluminum garnet)二倍波
（波長５３２ｎｍ）を用いる。散乱光計測器７は、受光
した散乱光の強度に応じた画像信号を出力するＣＣＤカ
メラを用いるとよい。信号処理器８は、散乱光計測器７
からの画像信号や装置ステータス信号の取り込み、取り
込んだ画像信号の画像処理を行なう。
置）の反応室（真空容器）１内に、レーザ光入射窓３３
を通してレーザ光４を導入し、クラスター雲および剥離
パーティクル２による散乱レーザ光を散乱光計測器７で
二次元画像として計測する。レーザ光は、平均パワー
２．５ＷのＹＡＧ(yttrium-aluminum garnet)二倍波
（波長５３２ｎｍ）を用いる。散乱光計測器７は、受光
した散乱光の強度に応じた画像信号を出力するＣＣＤカ
メラを用いるとよい。信号処理器８は、散乱光計測器７
からの画像信号や装置ステータス信号の取り込み、取り
込んだ画像信号の画像処理を行なう。
【００３３】図２と図３は散乱光計測器７による計測画
像の例である。図２の中央、画面を横切る白線がレーザ
光４である。この図は、ＣｌＦ３を用いたクリーニング
を開始した直後で、剥離パーティクルの発生は見られな
いが、微細なクラスター雲のため散乱光が検出されてい
る。クリーニングが進み、剥離パーティクルが検出され
ているのが、図３である。図２と比較して、散乱レーザ
光は明るくなり、大きな剥離パーティクルが白線の飛跡
を描いているのがわかる。
像の例である。図２の中央、画面を横切る白線がレーザ
光４である。この図は、ＣｌＦ３を用いたクリーニング
を開始した直後で、剥離パーティクルの発生は見られな
いが、微細なクラスター雲のため散乱光が検出されてい
る。クリーニングが進み、剥離パーティクルが検出され
ているのが、図３である。図２と比較して、散乱レーザ
光は明るくなり、大きな剥離パーティクルが白線の飛跡
を描いているのがわかる。
【００３４】信号処理器８は、画像処理によって、剥離
パーティクルやクラスター雲からの散乱光の強度を求
め、これが収束したときをクリーニング処理の終点と判
定し、クリーニング処理の終点を表わす信号をプロセス
装置コントローラ６に出力する。プロセス装置コントロ
ーラ６は、その信号を受けると、反応室１内へのクリー
ニングガスの導入の停止など、クリーニング処理の終了
動作を行なう。
パーティクルやクラスター雲からの散乱光の強度を求
め、これが収束したときをクリーニング処理の終点と判
定し、クリーニング処理の終点を表わす信号をプロセス
装置コントローラ６に出力する。プロセス装置コントロ
ーラ６は、その信号を受けると、反応室１内へのクリー
ニングガスの導入の停止など、クリーニング処理の終了
動作を行なう。
【００３５】（第２の実施例）次に本発明の第２の実施
例について図１を参照して説明する。
例について図１を参照して説明する。
【００３６】本発明は、タングステン熱ＣＶＤ装置（プ
ロセス装置）をＮＦ３でプラズマクリーニングする際に
も適用できる。
ロセス装置）をＮＦ３でプラズマクリーニングする際に
も適用できる。
【００３７】前記熱ＣＶＤ装置の処理室１に、レーザ光
入射窓３３を通してレーザ光４を導入し、クラスター雲
および剥離パーティクル２による散乱レーザ光を散乱光
計測器７で二次元画像として計測する。
入射窓３３を通してレーザ光４を導入し、クラスター雲
および剥離パーティクル２による散乱レーザ光を散乱光
計測器７で二次元画像として計測する。
【００３８】プラズマ発光がバックグラウンド光となる
ので、散乱光計測器７にレーザ光の波長のみを透過する
フィルターを取り付けると、効率的に計測できる。信号
処理器８は、散乱光計測器７からの画像信号を取り込
み、取り込んだ画像信号の画像処理を行なう。
ので、散乱光計測器７にレーザ光の波長のみを透過する
フィルターを取り付けると、効率的に計測できる。信号
処理器８は、散乱光計測器７からの画像信号を取り込
み、取り込んだ画像信号の画像処理を行なう。
【００３９】プラズマクリーニングの場合、真空容器内
壁から剥がれ落ちた付着物は、プラズマ内部には入って
こない傾向があるので、内壁近傍を観測することでより
正確なクリーニング終点検出を行うことができる。
壁から剥がれ落ちた付着物は、プラズマ内部には入って
こない傾向があるので、内壁近傍を観測することでより
正確なクリーニング終点検出を行うことができる。
【００４０】画像処理によって、クラスター雲および剥
離パーティクルからの散乱光の強度を求め、これが収束
したときをクリーニングの終点と判定し、クリーニング
処理の終点を表わす信号をプロセス装置コントローラ６
に出力する。プロセス装置コントローラ６は、その信号
を受けると、反応室１内へのクリーニングガスの導入の
停止など、クリーニング処理の終了動作を行なう。
離パーティクルからの散乱光の強度を求め、これが収束
したときをクリーニングの終点と判定し、クリーニング
処理の終点を表わす信号をプロセス装置コントローラ６
に出力する。プロセス装置コントローラ６は、その信号
を受けると、反応室１内へのクリーニングガスの導入の
停止など、クリーニング処理の終了動作を行なう。
【００４１】本発明は、Ｗプラズマエッチング装置のＣ
ｌＦ３クリーニングなど、他の装置、他のガスを用いて
も同様にクリーニング終点検出を行うことができる。
ｌＦ３クリーニングなど、他の装置、他のガスを用いて
も同様にクリーニング終点検出を行うことができる。
【００４２】（第３の実施例）次に本発明の第３の実施
例について図１および図４を参照して説明する。
例について図１および図４を参照して説明する。
【００４３】図４は、クリーニングの終点判定を行う方
法を示している。
法を示している。
【００４４】付着物は、クリーニング中に膜厚が薄くな
り、内部応力のため剥離すると剥離パーティクルとなっ
てクリーニングガスと共に排気される。このような剥離
パーティクルは、数十ｎｍから数μｍのサイズを持ち、
既存のパーティクルカウンターで検出可能なサイズであ
る。図３で飛跡を描いているパーティクルが剥離パーテ
ィクルである。一方、クリーニングガスと付着物との反
応生成物であるガスは、気相中で反応してクラスターと
なる。クラスターは、前述の剥離パーティクルより小さ
く、数十ｎｍ以下のサイズである。クラスターは飛跡を
描くほど大きくはないが、高密度で存在するため、ＣＣ
Ｄカメラ（散乱光計測器７）の感度を調整することで、
図２や図３のように輪郭のはっきりしない雲状に観測さ
れる。
り、内部応力のため剥離すると剥離パーティクルとなっ
てクリーニングガスと共に排気される。このような剥離
パーティクルは、数十ｎｍから数μｍのサイズを持ち、
既存のパーティクルカウンターで検出可能なサイズであ
る。図３で飛跡を描いているパーティクルが剥離パーテ
ィクルである。一方、クリーニングガスと付着物との反
応生成物であるガスは、気相中で反応してクラスターと
なる。クラスターは、前述の剥離パーティクルより小さ
く、数十ｎｍ以下のサイズである。クラスターは飛跡を
描くほど大きくはないが、高密度で存在するため、ＣＣ
Ｄカメラ（散乱光計測器７）の感度を調整することで、
図２や図３のように輪郭のはっきりしない雲状に観測さ
れる。
【００４５】クリーニングで排出される付着物の大きさ
は、必ずしも一定ではなく、数百ｎｍサイズの剥離パー
ティクルが発生しないこともありうる。そこで、クラス
ター雲を判断に使用すれば、より正確な終点検出が可能
となる。
は、必ずしも一定ではなく、数百ｎｍサイズの剥離パー
ティクルが発生しないこともありうる。そこで、クラス
ター雲を判断に使用すれば、より正確な終点検出が可能
となる。
【００４６】図４を参照して、画像処理の例として、背
景差分法を用いる場合を述べる。あらかじめ清浄な真空
容器にクリーニングガスを処理する圧力で充填し、レー
ザ光を導入して背景画像を撮影しておく。クリーニング
中の取得画像から前記背景画像を差し引き、レーザ光照
射部分の強度を算出する（ステップＳＡ１〜ＳＡ３）。
次に所定の強度を超える画素が所定個数以上連続してい
るかを判定する（ステップＳＡ４）。具体的には、強度
が１５カウント以上の画素が７個以上隣接していたと
き、パーティクルあるいはクラスター雲が存在すると判
定する。強度が１５カウント以上の画素が７個以上隣接
しておらず、かつ、強度の平均が７カウント未満のと
き、クリーニング終了と判定する（ステップＳＡ５およ
びＳＡ６）。
景差分法を用いる場合を述べる。あらかじめ清浄な真空
容器にクリーニングガスを処理する圧力で充填し、レー
ザ光を導入して背景画像を撮影しておく。クリーニング
中の取得画像から前記背景画像を差し引き、レーザ光照
射部分の強度を算出する（ステップＳＡ１〜ＳＡ３）。
次に所定の強度を超える画素が所定個数以上連続してい
るかを判定する（ステップＳＡ４）。具体的には、強度
が１５カウント以上の画素が７個以上隣接していたと
き、パーティクルあるいはクラスター雲が存在すると判
定する。強度が１５カウント以上の画素が７個以上隣接
しておらず、かつ、強度の平均が７カウント未満のと
き、クリーニング終了と判定する（ステップＳＡ５およ
びＳＡ６）。
【００４７】（第４の実施例）次に本発明の第４の実施
例について図１および図５を参照して説明する。
例について図１および図５を参照して説明する。
【００４８】図５は、別のクリーニングの終点判定を行
う方法を示している。
う方法を示している。
【００４９】ＣｌＦ３を用いたタングステン熱ＣＶＤ装
置のクリーニングでは、剥離パーティクルのサイズは画
像の強度から数百ｎｍのサイズであると推定される。一
方、気相反応で生成されるクラスター雲は、設定した感
度から２０ｎｍ以下のサイズであると推定される。
置のクリーニングでは、剥離パーティクルのサイズは画
像の強度から数百ｎｍのサイズであると推定される。一
方、気相反応で生成されるクラスター雲は、設定した感
度から２０ｎｍ以下のサイズであると推定される。
【００５０】ＣＣＤカメラ（散乱光計測器７）の感度と
レーザ光強度から、システムを数ｎｍのパーティクルが
検出できる感度に調整する。
レーザ光強度から、システムを数ｎｍのパーティクルが
検出できる感度に調整する。
【００５１】図５のクリーニングの終点判定を行う方法
の場合も背景差分法を用いる。すなわち、あらかじめ清
浄な真空容器にクリーニングガスを処理する圧力で充填
し、レーザ光を導入して背景画像を撮影しておく。クリ
ーニング中の取得画像から前記背景画像を差し引き、レ
ーザ光照射部分の強度を算出する（ステップＳＢ１〜Ｓ
Ｂ３）。次に１０ｎｍのサイズのパーティクル数を計測
し（ステップＳＢ４）、あらかじめ設定したレーザ光照
射体積で除して体積密度を算出する（ステップＳＢ
５）。この密度が、例えば、しきい値としての１００／
ｃｍ２に達したとき、クリーニング終了と判定する（ス
テップＳＢ６およびＳＢ７）。
の場合も背景差分法を用いる。すなわち、あらかじめ清
浄な真空容器にクリーニングガスを処理する圧力で充填
し、レーザ光を導入して背景画像を撮影しておく。クリ
ーニング中の取得画像から前記背景画像を差し引き、レ
ーザ光照射部分の強度を算出する（ステップＳＢ１〜Ｓ
Ｂ３）。次に１０ｎｍのサイズのパーティクル数を計測
し（ステップＳＢ４）、あらかじめ設定したレーザ光照
射体積で除して体積密度を算出する（ステップＳＢ
５）。この密度が、例えば、しきい値としての１００／
ｃｍ２に達したとき、クリーニング終了と判定する（ス
テップＳＢ６およびＳＢ７）。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように本発明のクリーニン
グ終点検出方法および装置によれば、真空容器内に発生
したクラスター雲および剥離パーティクルによる散乱光
を二次元画像で計測し、その強度を解析することで、ク
リーニングの終了を正確に判定することができる。
グ終点検出方法および装置によれば、真空容器内に発生
したクラスター雲および剥離パーティクルによる散乱光
を二次元画像で計測し、その強度を解析することで、ク
リーニングの終了を正確に判定することができる。
【００５３】本発明のクリーニング終点検出方法および
装置は、プラズマを使用しない装置にも適用でき、プロ
セスの変更の必要がない。
装置は、プラズマを使用しない装置にも適用でき、プロ
セスの変更の必要がない。
【００５４】また、本発明のクリーニング終点検出装置
は、真空容器内壁近くなど、クリーニングの終了を確認
したい部分に取り付けることができ、プラズマ光の届か
ないような位置でも観測できる。
は、真空容器内壁近くなど、クリーニングの終了を確認
したい部分に取り付けることができ、プラズマ光の届か
ないような位置でも観測できる。
【図１】本発明によるクリーニング終点検出装置を示し
た図である。
た図である。
【図２】図１のクリーニング終点検出装置における散乱
光計測器による計測画像の一例を示した図である。
光計測器による計測画像の一例を示した図である。
【図３】図１のクリーニング終点検出装置における散乱
光計測器による計測画像の別の例を示した図である。
光計測器による計測画像の別の例を示した図である。
【図４】本発明によるクリーニングの終点判定を行う方
法を示したフローチャートである。
法を示したフローチャートである。
【図５】本発明による別のクリーニングの終点判定を行
う方法を示したフローチャートである。
う方法を示したフローチャートである。
１ 反応室
２ クラスター雲および剥離パーティクル
３１ レーザ吸収体
３２ 散乱光観測窓
３３ レーザ光入射窓
４ レーザ光
５ レーザ光源
６ プロセス装置コントローラ
７ 散乱光計測器
８ 信号処理器
１１ ウエハー支持台
１２ ガス導入口
１３ 排気口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 上杉 文彦
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 加藤 善規
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ
レクトロン株式会社内
(72)発明者 青森 勝
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ
レクトロン株式会社内
(72)発明者 守谷 修司
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ
レクトロン株式会社内
(72)発明者 立花 光博
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エ
レクトロン山梨株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−124902（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−162165（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−87248（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−251252（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−271210（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−28334（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/44
H01L 21/205
H01L 21/3065
ＪＳＴＰｌｕｓファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (9)
- 【請求項１】 反応室の内壁への付着物の除去を、前記
反応室内にクリーニングガスを導入し、前記反応室内に
前記付着物の一部と前記クリーニングガスとの反応によ
るクラスター雲を生成させると共に、前記付着物の残り
の一部を前記内壁から剥離パーティクルとして剥離さ
せ、前記クラスター雲および前記剥離パーティクルを前
記クリーニングガスと共に前記反応室から排気すること
により、行なう、クリーニング処理の終点を検出するク
リーニング終点検出装置において、 前記反応室内の前記クラスター雲および前記剥離パーテ
ィクルにレーザ光を照射し、前記クラスター雲および前
記剥離パーティクルによる散乱レーザ光を生成させる照
射手段と、 前記散乱レーザ光を二次元画像情報として計測する計測
手段と、 前記二次元画像情報を基に、前記クリーニング処理の終
点を判断する判断手段とを有することを特徴とするクリ
ーニング終点検出装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のクリーニング終点検出
装置において、 前記判断手段は、前記二次元画像情報から、前記剥離パ
ーティクルのみならず前記クラスター雲が検出されなく
なった時点を前記クリーニング処理の終点と判断するこ
とを特徴とするクリーニング終点検出装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載のクリーニング終点検出
装置において、 前記判断手段は、前記二次元画像情報から、前記クラス
ター雲のパーティクルサイズに実質的に等しい、所定サ
イズのパーティクルの密度が所定の密度に低下した時点
を、前記クリーニング処理の終点と判断することを特徴
とするクリーニング終点検出装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のクリーニング終点検出
装置において、 前記所定サイズが２０ｎｍ以下であることを特徴とする
クリーニング終点検出装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のクリー
ニング終点検出装置において、 前記計測手段は、ＣＣＤ(charge coupled device)カメ
ラであることを特徴とするクリーニング終点検出装置。 - 【請求項６】 反応室の内壁への付着物の除去を、前記
反応室内にクリーニングガスを導入し、前記反応室内に
前記付着物の一部と前記クリーニングガスとの反応によ
るクラスター雲を生成させると共に、前記付着物の残り
の一部を前記内壁から剥離パーティクルとして剥離さ
せ、前記クラスター雲および前記剥離パーティクルを前
記クリーニングガスと共に前記反応室から排気すること
により、行なう、クリーニング処理の終点を検出するク
リーニング終点検出方法において、 前記反応室内の前記クラスター雲および前記剥離パーテ
ィクルにレーザ光を照射し、前記クラスター雲および前
記剥離パーティクルによる散乱レーザ光を生成させる照
射ステップと、 前記散乱レーザ光を二次元画像情報として計測する計測
ステップと、 前記二次元画像情報を基に、前記クリーニング処理の終
点を判断する判断ステップとを有することを特徴とする
クリーニング終点検出方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載のクリーニング終点検出
方法において、 前記判断ステップは、前記二次元画像情報から、前記剥
離パーティクルのみならず前記クラスター雲が検出され
なくなった時点を前記クリーニング処理の終点と判断す
ることを特徴とするクリーニング終点検出方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のクリーニング終点検出
方法において、 前記判断ステップは、前記二次元画像情報から、前記ク
ラスター雲のパーティクルサイズに実質的に等しい、所
定サイズのパーティクルの密度が所定の密度に低下した
時点を、前記クリーニング処理の終点と判断することを
特徴とするクリーニング終点検出方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載のクリーニング終点検出
方法において、 前記所定サイズが２０ｎｍ以下であることを特徴とする
クリーニング終点検出方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33643299A JP3535785B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法 |
| KR10-2000-0070649A KR100407025B1 (ko) | 1999-11-26 | 2000-11-25 | 클리닝 공정의 종점 검출 장치 및 방법 |
| TW089125172A TW469525B (en) | 1999-11-26 | 2000-11-27 | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
| US09/721,703 US6737666B1 (en) | 1999-11-26 | 2000-11-27 | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33643299A JP3535785B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001152341A JP2001152341A (ja) | 2001-06-05 |
| JP3535785B2 true JP3535785B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=18299078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33643299A Expired - Lifetime JP3535785B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6737666B1 (ja) |
| JP (1) | JP3535785B2 (ja) |
| KR (1) | KR100407025B1 (ja) |
| TW (1) | TW469525B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190045387A (ko) * | 2016-09-22 | 2019-05-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱 챔버 세정 종료점 검출을 위한 방법들 및 장치 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057149A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JP2003077838A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム、半導体製造装置のドライクリーニング方法、半導体製造装置のドライクリーニングシステム及び半導体装置の製造方法 |
| US7323399B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Clean process for an electron beam source |
| US7588036B2 (en) * | 2002-07-01 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chamber clean method using remote and in situ plasma cleaning systems |
| US20050112292A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Parker Russell A. | Methods for treating at least one member of a microarray structure and methods of using the same |
| US7464581B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring |
| TWI386985B (zh) * | 2005-02-22 | 2013-02-21 | Aviza Technology Ltd | 用於處理晶圓的方法及裝置 |
| US7534469B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-05-19 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device |
| JP2007025117A (ja) | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 配向膜の製造装置、液晶装置、及び電子機器 |
| JP4914119B2 (ja) | 2006-05-31 | 2012-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP2008147526A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Phyzchemix Corp | 基板周縁部の不要物除去方法及び装置、並びに半導体製造装置 |
| JP2008208419A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Phyzchemix Corp | 真空処理装置及びその処理終了点の検出方法 |
| KR101456110B1 (ko) * | 2007-09-17 | 2014-11-03 | 주성엔지니어링(주) | 챔버세정의 식각종점 검출방법 |
| JP5299241B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-09-25 | 株式会社島津製作所 | パーティクル計数装置 |
| FI20090319A0 (fi) | 2009-09-03 | 2009-09-03 | Beneq Oy | Prosessinsäätömenetelmä |
| US9347132B2 (en) * | 2011-04-29 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical endpoint detection system |
| JP6107305B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-04-05 | 大日本印刷株式会社 | ケースの洗浄方法およびケースの洗浄装置 |
| KR101877862B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2018-07-12 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 운전 방법 |
| GB202014596D0 (en) * | 2020-09-16 | 2020-10-28 | Third Dimension Software Ltd | Optical triangulation measurement apparatus and method |
| JP7250085B2 (ja) * | 2021-09-13 | 2023-03-31 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4602981A (en) | 1985-05-06 | 1986-07-29 | International Business Machines Corporation | Monitoring technique for plasma etching |
| JPS635532A (ja) | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマクリ−ニング方法 |
| JPS6314421A (ja) | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ方法 |
| JPS6389684A (ja) | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | クリ−ニング終点検出方式 |
| JPS63128718A (ja) | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| JPH0797557B2 (ja) | 1986-11-20 | 1995-10-18 | 松下電器産業株式会社 | プラズマｃｖｄ方法 |
| JPH06224163A (ja) | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Hitachi Ltd | 真空容器内セルフクリーニング方法 |
| JP3354674B2 (ja) | 1993-12-22 | 2002-12-09 | 積水化学工業株式会社 | ポリオレフィン系樹脂発泡体の製造方法 |
| US5815264A (en) * | 1994-09-21 | 1998-09-29 | Laser Sensor Technology, Inc | System for acquiring an image of a multi-phase fluid by measuring backscattered light |
| JP2501180B2 (ja) | 1994-11-07 | 1996-05-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置のクリ―ニング方法 |
| JPH08306628A (ja) | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Toshiba Corp | 半導体形成装置およびそのクリーニング方法 |
| US6060397A (en) * | 1995-07-14 | 2000-05-09 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus |
| JP3768575B2 (ja) | 1995-11-28 | 2006-04-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｖｄ装置及びチャンバ内のクリーニングの方法 |
| JP3298785B2 (ja) | 1996-03-25 | 2002-07-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および発塵評価方法 |
| JPH1055966A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Kokusai Electric Co Ltd | セルフクリーニング終点検出方法 |
| JPH10163116A (ja) | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JP2956653B2 (ja) * | 1996-12-16 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | パーティクルモニター装置 |
| US6122042A (en) * | 1997-02-07 | 2000-09-19 | Wunderman; Irwin | Devices and methods for optically identifying characteristics of material objects |
| JPH1187248A (ja) | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Sharp Corp | プラズマクリーニング装置 |
| JPH11131211A (ja) | 1997-10-23 | 1999-05-18 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33643299A patent/JP3535785B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-11-25 KR KR10-2000-0070649A patent/KR100407025B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-27 TW TW089125172A patent/TW469525B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-27 US US09/721,703 patent/US6737666B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190045387A (ko) * | 2016-09-22 | 2019-05-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱 챔버 세정 종료점 검출을 위한 방법들 및 장치 |
| KR102007512B1 (ko) | 2016-09-22 | 2019-08-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세싱 챔버 세정 종료점 검출을 위한 방법들 및 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001152341A (ja) | 2001-06-05 |
| KR20010051956A (ko) | 2001-06-25 |
| KR100407025B1 (ko) | 2003-11-28 |
| US6737666B1 (en) | 2004-05-18 |
| TW469525B (en) | 2001-12-21 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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