JPS63128718A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS63128718A JPS63128718A JP27566186A JP27566186A JPS63128718A JP S63128718 A JPS63128718 A JP S63128718A JP 27566186 A JP27566186 A JP 27566186A JP 27566186 A JP27566186 A JP 27566186A JP S63128718 A JPS63128718 A JP S63128718A
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- JP
- Japan
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- etching
- self
- end point
- bias
- endpoint
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置であるドライエツチング装置の
特に終点検出装置に関するものである。
特に終点検出装置に関するものである。
ドライエツチング装置のエツチング終点の検出を、シー
ス電流によって生じる自己バイアスの変化によって行な
うため、確実に、真の終点に近い終点検出が可能となり
たものである。
ス電流によって生じる自己バイアスの変化によって行な
うため、確実に、真の終点に近い終点検出が可能となり
たものである。
従来のドライエツチング装置のエツチング終点の検出方
法は、主としてエツチング中発生する可視光の変動によ
り終点検出を行なっていた。
法は、主としてエツチング中発生する可視光の変動によ
り終点検出を行なっていた。
しかし従来のドライエツチング装置の終点検出方法では
発光の強度を観測しているため、エツチングチャンバー
中に、検出用のセンサーを取）付ける必要があり、チャ
ンバー尊命の複雑化をまねいていた。また終点ジャスト
の検出が遅れがちでシビアな検出がむずかしいとｂう欠
点がらりな。
発光の強度を観測しているため、エツチングチャンバー
中に、検出用のセンサーを取）付ける必要があり、チャ
ンバー尊命の複雑化をまねいていた。また終点ジャスト
の検出が遅れがちでシビアな検出がむずかしいとｂう欠
点がらりな。
１本発明は以上の問題点を解決するものでチャンバー形
状の変更なしにセンシティブな終点検出を提供すること
にある。
状の変更なしにセンシティブな終点検出を提供すること
にある。
半導体装置の＃！ａ装置で一般にドライエツチャーと呼
ばれるプラズマエツチング及び反応性イオンエツチング
（以下Ｒ工Ｅと呼ぶ）の装置においてプラズマ電位また
はシース電流によって生じる自己バイアスの変動を終点
信号とする事を％畝とする。
ばれるプラズマエツチング及び反応性イオンエツチング
（以下Ｒ工Ｅと呼ぶ）の装置においてプラズマ電位また
はシース電流によって生じる自己バイアスの変動を終点
信号とする事を％畝とする。
一般にドライエツチングの際には、プラズマエツチング
においてはプラズマ電位、ＲＥＥＥおいては、自己バイ
アスが発生するが、エツチングが終了すると片側の電極
の容量が変化するために。
においてはプラズマ電位、ＲＥＥＥおいては、自己バイ
アスが発生するが、エツチングが終了すると片側の電極
の容量が変化するために。
プラズマ電位又は自己バイアスも同様に変化する。
そのため、これらの信号を終点検出信号とする事が可能
である。
である。
以下、実施例に基づき詳細に説明する。
例えば、Ｒ工Ｅ装置において、酸化膜のエツチングを行
なう場合、エツチング開始時には第１図μ）の如く自己
バイアスが発生する。その後経時に伴ない終点をすぎる
と、第１図（ｂ）の如く自己バイアスが変化する。この
経時的な変動は第２図に示す櫟に、終点に良く一致して
おフ、センシティブな終点検出が可能である。第３図に
は一般的なＲ工Ｅ装置の具体的な回路ブロック図と本発
明の終点検出信号のとり方の１列を示す、３０１ｔｄＶ
ｄ。
なう場合、エツチング開始時には第１図μ）の如く自己
バイアスが発生する。その後経時に伴ない終点をすぎる
と、第１図（ｂ）の如く自己バイアスが変化する。この
経時的な変動は第２図に示す櫟に、終点に良く一致して
おフ、センシティブな終点検出が可能である。第３図に
は一般的なＲ工Ｅ装置の具体的な回路ブロック図と本発
明の終点検出信号のとり方の１列を示す、３０１ｔｄＶ
ｄ。
検出部、３０２はエツチング室、３０３はエツチングユ
ニット部である。
ニット部である。
また、サイドタール形成時などの様に、エツチングされ
るべき被材の下層に、部分的に同種のエツチングされて
はいけない材料がある場合の終点検出に特に有効である
。
るべき被材の下層に、部分的に同種のエツチングされて
はいけない材料がある場合の終点検出に特に有効である
。
以上の様に、プラズマ電位又は自己バイアスの変動ｔ−
ｉ点検出信号に用いる事で、終点検出を確実にするばか
シでなく、チャンバー構造の複雑化をさけ、発光による
終点検出ではむずかしかったサイドタール形成などの工
程にも適用できた。
ｉ点検出信号に用いる事で、終点検出を確実にするばか
シでなく、チャンバー構造の複雑化をさけ、発光による
終点検出ではむずかしかったサイドタール形成などの工
程にも適用できた。
第１図（α）は終点前の自己バイアス會示す図。
第１図（ｂ）は終点後の自己バイアスを示す図。
第２図は経時的に見た自己バイアスの変動を示す図。
第３図は本発明の代表的な検出方法を示す回路ブロック
図。 ３０１−’ＴｉｄＣ検出部 ３０２−エツチング室 ３０３−エツチングユニット部 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最 上 務他１名 ・・−・べ ′、”ニーに 、゛′ 咳 Ｉ ＩＩ ♀ ２ 口
図。 ３０１−’ＴｉｄＣ検出部 ３０２−エツチング室 ３０３−エツチングユニット部 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最 上 務他１名 ・・−・べ ′、”ニーに 、゛′ 咳 Ｉ ＩＩ ♀ ２ 口
Claims (1)
- プラズマエッチング及び反応性イオンエッチングを行
う半導体製造装置において、プラズマ電位の変動、また
はシース電流によつて生じる自己バイアス（Ｖｄｃ）の
変動を終点信号とする事を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27566186A JPS63128718A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27566186A JPS63128718A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128718A true JPS63128718A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17558579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27566186A Pending JPS63128718A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128718A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0458324A2 (en) * | 1990-05-24 | 1991-11-27 | Applied Materials, Inc. | Multi-channel plasma discharge endpoint detection system and method |
| US5198072A (en) * | 1990-07-06 | 1993-03-30 | Vlsi Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting imminent end-point when etching dielectric layers in a plasma etch system |
| US6737666B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
| US7534469B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-05-19 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27566186A patent/JPS63128718A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0458324A2 (en) * | 1990-05-24 | 1991-11-27 | Applied Materials, Inc. | Multi-channel plasma discharge endpoint detection system and method |
| EP0458324B1 (en) * | 1990-05-24 | 1998-08-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-channel plasma discharge endpoint detection system and method |
| US5198072A (en) * | 1990-07-06 | 1993-03-30 | Vlsi Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting imminent end-point when etching dielectric layers in a plasma etch system |
| US6737666B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
| US7534469B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-05-19 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device |
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